CN117253700A - 变压器 - Google Patents

Abstract

变压器具备铁心、一次绕组、第1二次绕组和第2二次绕组。第1二次绕组具有沿着铁心的轴向层叠的多个第1绕组层，第2二次绕组具有沿着轴向层叠的多个第2绕组层，多个第1绕组层以并联的方式电连接，多个第2绕组层以并联的方式电连接。一次绕组与第1二次绕组之间的距离大于相邻的第1绕组层之间的距离及相邻的第2绕组层之间的距离，一次绕组与第2二次绕组之间的距离大于相邻的第1绕组层之间的距离及相邻的第2绕组层之间的距离。

Description

变压器

技术领域

本说明书所公开的技术涉及变压器。

背景技术

在专利文献1中公开了设置有具备一次绕组和二次绕组的变压器的电力转换装置。在该变压器中，一次绕组由三个绕组层构成，二次绕组由两个绕组层构成。构成一次绕组的绕组层与构成二次绕组的绕组层交替地层叠。

在彼此接近的两个绕组中流动有电流的情况下，由于在一方的绕组的周围产生的磁场的影响，而会对在另一方的绕组中流动的电子作用洛伦兹力，由此产生在绕组内流动的电流发生偏倚的现象(邻近效应)。若产生邻近效应，则绕组的电阻上升，绕组损耗(铜损)增大。在专利文献1中，将构成一次绕组的绕组层与构成二次绕组的绕组层交替地配置。即，在某绕组中流动的电流相对于在位于该某绕组的两侧的绕组中流动的电流而言向相反方向流动。因此，作用在该某绕组上的磁场的影响相互抵消，使得绕组内的电流分布均匀化。由此，能够降低绕组损耗。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2022－013055号公报

发明内容

在使用电力转换装置时，施加到一次绕组与二次绕组上的电压产生差异。因此，在构成一次绕组的绕组层与构成二次绕组的绕组层之间产生寄生电容。本发明人等仔细研究的结果是，可知由于在该寄生电容中流动的电流(以下，在本说明书中称作位移电流)所产生的磁通而导致铁心内部的磁通密度增大，铁心损耗(铁损)增大。在本说明书中，提供能够降低变压器的损耗的技术。

本说明书所公开的一方案的变压器具备铁心、卷绕于所述铁心的一次绕组、卷绕于所述铁心的第1二次绕组和卷绕于所述铁心的第2二次绕组。所述第1二次绕组具有沿着所述铁心的轴向层叠的多个第1绕组层。所述第2二次绕组具有沿着所述轴向层叠的多个第2绕组层。多个所述第1绕组层以并联的方式电连接。多个所述第2绕组层以并联的方式电连接。所述一次绕组与所述第1二次绕组之间的距离大于相邻的所述第1绕组层之间的距离及相邻的所述第2绕组层之间的距离。所述一次绕组与所述第2二次绕组之间的距离大于相邻的所述第1绕组层之间的所述距离及相邻的所述第2绕组层之间的所述距离。

在该变压器中，第1二次绕组包括沿着铁心的轴向层叠的多个第1绕组层。由于多个第1绕组层以并联的方式电连接，因此在多个第1绕组层之间几乎不产生电位差，在多个第1绕组层之间几乎不产生寄生电容。另外，第2二次绕组包括沿着铁心的轴向层叠的多个第2绕组层。由于多个第2绕组层以并联的方式电连接，因此在多个第2绕组层之间几乎不产生电位差，在多个第2绕组层之间几乎不产生寄生电容。另一方面，由于在一次绕组与第1二次绕组之间产生电位差，因此在它们之间产生寄生电容。然而，由于一次绕组与第1二次绕组之间的距离大于相邻的第1绕组层之间的距离及相邻的第2绕组层之间的距离，因此一次绕组与第1二次绕组之间的寄生电容小。另外，由于一次绕组与第2二次绕组之间产生电位差，因此在它们之间产生寄生电容。然而，由于一次绕组与第2二次绕组之间的距离大于相邻的第1绕组层之间的距离及相邻的第2绕组层之间的距离，因此一次绕组与第2二次绕组之间的寄生电容小。这样，在该变压器中，能够减少在绕组间产生的寄生电容。因此，能够减少因在寄生电容中流动的电流而产生的磁通的影响，能够降低铁心损耗。另外，在该变压器中，与专利文献1的变压器相比虽然绕组损耗增加，但能够使绕组损耗与铁心损耗合计所得的损耗比专利文献1的变压器降低。

附图说明

图1是DC/DC转换器的电路图。

图2是第1实施方式的变压器的各绕组层的分解立体图。

图3是第1实施方式的变压器的各绕组层的剖视图。

图4是第1实施方式的变压器的各绕组层的俯视图。

图5是第1实施方式的变压器的电路图。

图6是用于说明第1实施方式的变压器的结构的分解立体图。

图7是用于说明第1实施方式的变压器的结构的分解侧视图。

图8是表示各绕组层和各绝缘层的厚度的图。

图9是用于说明在变压器中流动的位移电流的剖视图。

图10是表示在绕组中流动的交流电流的频率与趋肤深度的关系的图。

图11是用于说明第2实施方式的变压器的结构的与图4对应的分解立体图。

图12是用于说明第三实施方式的变压器的结构的与图4对应的分解立体图。

图13是用于说明变形例的变压器的结构的与图2对应的分解立体图。

具体实施方式

在本说明书所公开的一方案中，也可以是，构成所述一次绕组的绕组层的匝数为2以上，各所述第1绕组层及各所述第2绕组层的匝数为1。

第1绕组层及第2绕组层配置在绕组层的最外层。在上述的结构中，通过在最外层配置匝数少(即，表面积大)的绕组层，由此散热面积变大，能够提高散热性能。

在本说明书所公开的一方案中，也可以是，所述一次绕组、所述第1二次绕组、所述第2二次绕组以所述一次绕组位于所述第1二次绕组与所述第2二次绕组之间的方式沿着所述轴向层叠。

在变压器动作时，电流在一次绕组和二次绕组中向相反方向流动。因此，能够抑制邻近效应，能够抑制绕组损耗的增大。

在本说明书所公开的一方案中，所述一次绕组也可以具有沿着所述轴向层叠的两个第三绕组层。两个所述第三绕组层也可以以串联的方式电连接。两个所述第三绕组层之间的距离也可以大于相邻的所述第1绕组层之间的所述距离及相邻的所述第2绕组层之间的所述距离。

在变压器动作时，在串联连接的两个第三绕组层的之间产生电位差。因此，通过使两个第三绕组层之间的距离比较大，由此能够减小第三绕组层之间的寄生电容，能够降低铁心损耗。

在本说明书所公开的一方案中，也可以是，在将构成所述一次绕组、所述第1二次绕组及所述第2二次绕组的导体的所述轴向上的厚度设为t，且将所述导体的趋肤深度设为δ时，满足2δ≤t≤4δ的关系。

在绕组中流过高频的交流电流时，由于产生的磁场的影响而发生电流密度从绕组的表面朝向中心降低的现象(趋肤效应)。在上述的结构中，导体的厚度为趋肤深度(电流成为在导体表面流动的电流的1/e的深度)的2倍以上且4倍以下，因此能够有效地降低趋肤效应对交流电阻造成的影响。

在本说明书所公开的一方案中，构成所述第1二次绕组及所述第2二次绕组的导体的所述轴向上的厚度也可以比构成所述一次绕组的导体的所述轴向上的厚度厚。

在这样的结构中，能够减小二次绕组的电阻，能够进一步降低绕组损耗。另外，通过增厚二次绕组的厚度，由此能够增大散热面积，能够提高散热性能。

在本说明书所公开的一方案中，也可以在所述第1二次绕组及所述第2二次绕组的各端部设置有中心触头。所述各中心触头也可以经由端子接地。

在变压器动作时，由于发热的影响而会在各绕组层产生翘曲。在这样的结构中，由于中心触头经由端子接地，因此不易受到各绕组层的翘曲的影响，能够更可靠地将中心触头接地。

在本说明书所公开的一方案中，所述第1绕组层及所述第2绕组层也可以设置在印制基板上。所述印制基板也可以在与所述铁心对置的面上设置有屏蔽层。

在这样的结构中，能够利用屏蔽层来遮挡因位移电流而产生的磁通。因此，能够抑制该磁通对铁心造成的影响，能够进一步降低铁心损耗。

(第1实施方式)

首先，参照图1来说明作为电力转换装置的DC/DC转换器1的结构。如图1所示，DC/DC转换器1具备全桥电路20、与全桥电路20并联连接的平滑电容器40、变压器100、整流电路120、平滑电路140及控制装置50。另外，上述的各构成要素固定于框体(未图示)，该框体作为接地线发挥功能。

全桥电路20具有开关元件21、22、23、24。各开关元件21～24基于从控制装置50输入的驱动信号，将施加到输入端子T1、T2之间的输入直流电压转换为输入交流电压。开关元件21～24没有特别限定，例如使用MOSFET、IGBT等功率半导体元件。

平滑电容器40具有吸收因全桥电路20的动作而产生的交流分量来抑制在输入线路上产生噪音这样的功能。另外，全桥电路20具有电容器31、32、33、34。各电容器31～34夹设在输入线路与地之间，具有对产生在输入线路与地之间的共模噪声进行旁通(bypass)的功能。

变压器100对由全桥电路20生成的输入交流电压进行变压，进行输出交流电压的输出。变压器100具备一次绕组101、第1二次绕组102和第2二次绕组103。一次绕组101的匝数比二次绕组102、103的匝数多，一次绕组101与二次绕组102、103的匝数比可以根据变压比来适当设定。在第1二次绕组102与第2二次绕组103之间设置有中心触头110，中心触头110与框体连接。即，中心触头110接地。

整流电路120是包括整流元件121、122的单相全波整流型。整流元件121的漏极与第1二次绕组102连接。整流元件121的源极与平滑电路140连接。整流元件122的漏极与第2二次绕组103连接。整流元件122的源极与平滑电路140连接。整流电路120基于从控制装置50输入的驱动信号，单独对从变压器100输出的输出交流电压进行整流而生成直流电压。

平滑电路140具有两个电容器130和一个扼流线圈132。平滑电路140将由整流电路120整流后的直流电压平滑化而生成输出直流电压，并将该输出直流电压从输出正极端子T3向低压电池等供给。另外，地134相当于输出负极端子。

在DC/DC转换器1中，从输入端子T1、T2供给输入直流电压Vin，由全桥电路20将该输入直流电压Vin转换为输入交流电压。该输入交流电压被向变压器100的一次绕组101供给而变压，从二次绕组102、103作为输出交流电压来输出。该输出交流电压由整流电路120整流且由平滑电路140平滑化，而从输出端子T3作为输出直流电压Vout来输出。例如，DC/DC转换器1搭载于车辆，将向输入端子T1、T2供给的100～500V的输入直流电压Vin变压为车载辅机类部件的电源电压即12～16V左右的输出直流电压Vout，而从输出端子T3输出。

接着，对变压器100的结构具体进行说明。图2是构成变压器100的各绕组的分解立体图。在图2中，为了容易理解附图而省略绘制变压器100的一部分的结构(磁性铁心(core)部件200、基板P等(参照图3、图5等))。变压器100具有构成一次绕组101的两个绕组层L11、L12、构成第1二次绕组102的两个绕组层L21、L22以及构成第2二次绕组103的两个绕组层L31、L32。各绕组层L11～L32由铜构成。绕组层L11、L12、绕组层L21、L22及绕组层L31、L32分别相邻地层叠。绕组层L11、L12配置在绕组层L21、L22与绕组层L31、L32之间。即，一次绕组101以位于第1二次绕组102与第2二次绕组103的之间的方式层叠。绕组层L21、L22是“第1绕组层”的一例。绕组层L31、L32是“第2绕组层”的一例。绕组层L11、L12是“第三绕组层”的一例。各绕组层L11～L32是“导体”的一例。

如图3所示，变压器100的各绕组层L11～L32通过绝缘层I1～I5而彼此分离。绕组层L21设置在绝缘层I1的上表面。绕组层L22由绝缘层I1和绝缘层I2夹持。绕组层L11由绝缘层I2和绝缘层I3夹持。绕组层L12由绝缘层I3和绝缘层I4夹持。绕组层L31由绝缘层I4和绝缘层I5夹持。绕组层L32设置在绝缘层I5的下表面。绝缘层I1与绝缘层I2在绕组层L22不存在的范围相互连接。绝缘层I2与绝缘层I3在绕组层L11不存在的范围相互连接。绝缘层I3与绝缘层I4在绕组层L12不存在的范围相互连接。绝缘层I4与绝缘层I5在绕组层L31不存在的范围相互连接。另外，为了便于说明，区分为绝缘层I1～I5，但实际上，绝缘层I1～I5一体地形成，构成基板P。在本实施方式中，基板P由热固化性树脂(例如环氧玻璃)构成。基板P是“印制基板”的一例。

图4是将一次绕组101及二次绕组102、103分解为各层的俯视图。如上所述，绝缘层I1～I5实际上成为一体，但图4将绝缘层I1～I5以分解了的状态绘制出。首先，对一次绕组101进行说明。如上所述，一次绕组101包括两个绕组层L11、L12，各绕组层L11、L12的匝数为4。如图4所示，在绕组层L11的一端设置有贯通孔12a。另外，在绕组层L12的一端设置有贯通孔12b。绕组层L11与绕组层L12经由贯通孔12a、12b电连接。即，如图5所示，绕组层L11与绕组层L12串联连接。因而，在本实施方式中，一次绕组101的匝数成为8。例如，从绕组层L11的一端101a(也参照图1)流入的电流在绕组层L11中流动之后，经由贯通孔12a、12b向绕组层L12流入，而从绕组层L12的一端101b流出。

接着，对第1二次绕组102进行说明。如上所述，第1二次绕组102包括两个绕组层L21、L22，各绕组层L21、L22的匝数为1。如图4所示，在绕组层L21、L22的一端设置有第1输出布线102a(也参照图1)。在第1输出布线102a形成有多个过孔102b，各第1输出布线102a经由过孔102b电连接。另外，在设置有绕组层L11、L12、L31、L32的层上也设置了形成有多个过孔102b的第1输出布线102a。设置于各层的所有的第1输出布线102a经由过孔102b电连接。其中，绕组层L11、L12、L31、L32与第1输出布线102a电绝缘。另外，在绕组层L21、L22的另一端设置有中心触头布线110a。各中心触头布线110a经由中心触头110电连接。另外，在设置有绕组层L11、L12、L31、L32的层上也设置有中心触头布线110a。设置于各层的所有的中心触头布线110a经由中心触头110电连接。其中，绕组层L11、L12与中心触头布线110a电绝缘。在DC/DC转换器1动作时，电流在各绕组层L21、L22中从中心触头布线110a朝向第1输出布线102a地流动。如图5所示，绕组层L21、L22彼此并联连接。

接着，对第2二次绕组103进行说明。如上所述，第2二次绕组103包括两个绕组层L31、L32，各绕组层L31、L32的匝数为1。如图4所示，在绕组层L31、L32的一端设置有第2输出布线103a(也参照图1)。在第2输出布线103a形成有多个过孔103b，各第2输出布线103a经由过孔103b电连接。另外，在设置有绕组层L11、L12、L21、L22的层上也设置了形成有多个过孔103b的第2输出布线103a。设置于各层的所有的第2输出布线103a经由过孔103b电连接。其中，绕组层L11、L12、L21、L22与第2输出布线103a电绝缘。另外，在绕组层L31、L32的另一端设置有中心触头布线110a。各中心触头布线110a经由中心触头110电连接。在DC/DC转换器1动作时，电流在各绕组层L31、L32中从中心触头布线110a朝向第2输出布线103a地流动。如图5所示，绕组层L31、L32彼此并联连接。

如以上所说明的那样，变压器100构成为，一次绕组101为8匝，第1二次绕组102为1匝，第2二次绕组103为1匝。即，变压器100的变压比成为8:1:1。

如图6及图7所示，变压器100具有由彼此对置配置的一对E型的铁心部200a、200b构成的磁性铁心部件200。铁心部200a、200b例如由Mn－Zn系铁素体构成。另外，图6中，将各绕组层L11～L32以通过基板P而成为一体的状态(图3所示的状态)绘制出，因此，在图6中，仅能够看到在基板P的表面上露出的绕组层L21。

如图6及图7所示，各绕组层L11～L32向铁心部200a、200b各自的从中央突出的突出部200c、200d插入。突出部200c的端面与突出部200d的端面连接。通过彼此连接的突出部200c、200d来构成铁心200x(参照图9)。铁心200x以穿过绕组层L11、L12、L21、L22、L31、L32的中央的方式延伸。因而，绕组层L11、L12、L21、L22、L31、L32卷绕于铁心200x的周围。另外，绕组层L11、L12、L21、L22、L31、L32沿着铁心200x的轴向层叠。

图8示出各绕组层L11～L32的厚度和各绝缘层I1～I5的厚度。如图8所示，在本实施方式中，绕组层L21及绕组层L32的厚度为140μm，其他的绕组层L22、L11、L12、L31的厚度为105μm。另外，关于绝缘层I1～I5，绝缘层I1及绝缘层I5的厚度为300μm，绝缘层I2～I4的厚度为600μm。换言之，绕组层L22与绕组层L11之间的距离大于绕组层L21与绕组层L22之间的距离以及绕组层L31与绕组层L32之间的距离。另外，绕组层L11与绕组层L12之间的距离大于绕组层L21与绕组层L22之间的距离以及绕组层L31与绕组层L32之间的距离。另外，绕组层L12与绕组层L31之间的距离大于绕组层L21与绕组层L22之间的距离以及绕组层L31与绕组层L32之间的距离。

在本实施方式的变压器100中，第1二次绕组102包括彼此并联连接的两个绕组层L21、L22，第2二次绕组103包括彼此并联连接的两个绕组层L31、L32。由于二次绕组102、103分别包括并联连接的两个绕组层L21～L32，因此绕组的电阻降低，其结果是，绕组损耗得以降低。另外，在本实施方式的变压器100中，以一次绕组101位于第1二次绕组102与第2二次绕组103之间的方式沿着铁心200x的轴向层叠。电流在一次绕组101和二次绕组102、103中向相反方向流动，因此能够抑制邻近效应，抑制绕组损耗的增大。

在变压器100动作时，在一次绕组101与二次绕组102、103之间产生电位差。另外，在构成一次绕组101的绕组层L11、L12之间也产生电位差。因此，如图9所示，由于在产生了电位差的绕组之间产生的寄生电容而使得位移电流300流动。通过该位移电流300，在与图9的纸面垂直的方向上产生磁通。由于该磁通贯通铁心200x而导致铁心200x内部的磁通密度增大，铁心损耗增大。在本实施方式的变压器100中，绕组层L11与绕组层L22之间的距离、绕组层L12与绕组层L31之间的距离、绕组层L11与绕组层L12之间的距离(即，产生电位差的绕组层之间的距离600μm)分别大于绕组层L21与绕组层L22之间的距离、绕组层L31与绕组层L32之间的距离(即，没有产生电位差的绕组层之间的距离300μm)。产生电位差的绕组层之间的距离比较大，因此该绕组层之间的寄生电容小。具体而言，在本实施方式中，就产生电位差的绕组层之间的寄生电容而言，例如在将产生电位差的绕组层之间的距离设为与不产生电位差的绕组层之间的距离(300μm)大致相等的情况下，该寄生电容会成为约2倍的值。进而，本实施方式的变压器100中，构成第1二次绕组102的绕组层L21、L22沿着铁心200x的轴向层叠，构成第2二次绕组103的绕组层L31、L32沿着铁心200x的轴向层叠。绕组层L21、L22以并联的方式电连接，因此在绕组层L21、L22之间几乎不产生电位差。同样，绕组层L31、L32以并联的方式电连接，因此在绕组层L31、L32之间几乎不产生电位差。因而，例如与将构成一次绕组的绕组层与构成二次绕组的绕组层交替地配置的情况相比，产生电位差的部位更少。因而，在本实施方式中，能够减小变压器100整体的寄生电容，降低因在寄生电容中流动的电流而产生的磁通的影响，能够降低铁心损耗。如上所述，在本实施方式的变压器100中，能够降低变压器100的损耗。

另外，在本实施方式中，二次绕组102、103(更详细而言为绕组层L21、L32)配置在最外层。绕组层L21、L32的匝数为1，通过在最外层配置匝数少(即，表面积大)的绕组层L21、L32，由此散热面积变大，能够提高散热性能。

另外，在本实施方式中，绕组层L21的厚度为140μm，绕组层L22、L11、L12、L31、L32的厚度为105μm。若在绕组层中流过高频的交流电流，则会因产生的磁场的影响而发生电流密度从绕组的表面朝向中心降低的现象(趋肤效应)。图10是表示在各绕组层L11～L32中流动的交流电流的频率与趋肤深度(电流成为在导体表面流动的电流的1/e的深度)之间的关系的图。在本实施方式的DC/DC转换器1中，交流电流以约2MHz的频率流动。如图10所示，在交流电流的频率为约2MHz的情况下，各绕组层的趋肤深度成为约46μm。在本实施方式中，由于各绕组层L11～L32的厚度为趋肤深度的2倍以上且4倍以下，因此能够沿着绕组的表面部分确保电流密度比较高的区域。因此，能够有效地减少趋肤效应对交流电阻产生的影响。

(第2实施方式)

在第2实施方式中，如图11所示，在中心触头110设置有紧固用端子111。中心触头110经由紧固用端子111，例如通过螺钉接地。在变压器100动作时，由于发热的影响而会在各绕组层L21～L32产生翘曲。在第2实施方式的结构中，由于中心触头110经由紧固用端子111接地，因此不易受到各绕组层L21～L32的翘曲的影响，能够将中心触头110更可靠地接地。因此，能够使中心触头110与框体的接触电阻最小化，能够进一步降低绕组损耗。

(第三实施方式)

如图12所示，第三实施方式的变压器在基板P上设置有屏蔽层160。屏蔽层160例如是镀铜层。屏蔽层160设置于在基板P收纳于磁性铁心部件200时与突出部200c、200d(即，铁心200x)对置的面上。另外，屏蔽层160还设置在与铁心部200a的固定部210和铁心部200b的固定部220对置的面上。在第三实施方式的结构中，能够利用屏蔽层160来遮挡因位移电流产生的磁通。因此，能够抑制该磁通对铁心200x、固定部210、220产生的影响，能够进一步降低铁心损耗。

在上述的各实施例中，构成第1二次绕组102的绕组层L22及构成第2二次绕组103的绕组层L31的厚度与构成一次绕组101的绕组层L11、L12的厚度相等，但也可以是构成二次绕组102、103的绕组层L21～L32的厚度比绕组层L11、L12厚。例如，绕组层L21～L32的厚度可以为绕组层L11、L12的厚度的2倍以上。在这样的结构中，能够进一步减小二次绕组102、103的电阻，能够进一步降低绕组损耗。另外，通过增厚构成二次绕组102、103的绕组层的厚度，由此散热面积变大，能够提高散热性能。

另外，在上述的实施例中，作为铁心部200a、200b的材料，使用了Mn－Zn系铁素体。Mn－Zn系铁素体即便在高频率下也具有高的导磁率，是低损耗的磁性材料，因此能够降低变压器100的损耗。另外，Mn－Zn系铁素体能够容易地进行烧结加工，因此能够使磁性铁心部件200(即，变压器100)小型化。然而，构成铁心部200a、200b的材料没有特别限定，例如也可以使用纳米晶软磁性材料。纳米晶软磁性材料的晶体粒径小，因此能够进一步降低因位移电流产生的磁通而造成的涡电流损耗。

另外，在上述的各实施例中，基板P的基材也可以使用液晶聚合物。液晶聚合物例如与环氧玻璃基板等相比相对介电常数低。因此，例如在将具有与上述的实施例相同的厚度的绝缘层I1～I5插入到各绕组层之间的情况下，能够进一步减小绕组间的寄生电容，能够进一步降低铁心损耗。

另外，在上述的各实施例中，构成一次绕组101及二次绕组102、103的绕组层的数目不受限定。例如，一次绕组101也可以由单层的绕组层构成，二次绕组102、103也可以由三层以上的绕组层构成。

另外，如图13所示，变压器100也可以除了各绕组层L11～L32以外还具有母线161、162。这种情况下，母线161可以配置在最上层的绕组层L21的上侧。母线162也可以配置在最下层的绕组层L32的下侧。母线161、162例如可以由铜构成。母线161也可以具有与绕组层L21大致相同的形状，且与绕组层L21电连接。母线162也可以具有与绕组层L32大致相同的形状，且与绕组层L32电连接。另外，母线161、162的厚度没有特别限定，例如可以设为1000μm。在这样的结构中，能够进一步降低二次绕组102、103的电阻。另外，由于最外层的表面积变大，因此散热性能得以进一步提高。

以上，对实施方式详细进行了说明，但这些只不过是例示，不限定权利要求书。权利要求书所记载的技术包括将以上例示的具体例各种变形、变更而得到的方案。本说明书或附图所说明的技术要素单独或者通过各种组合来发挥技术有用性，不限定于申请时权利要求所记载的组合。另外，本说明书或附图所例示的技术是同时实现多个目的的技术，但实现其中一个目的的技术本身也具有技术有用性。

Claims (8)

1.一种变压器，其具备铁心、卷绕于所述铁心的一次绕组、卷绕于所述铁心的第1二次绕组、以及卷绕于所述铁心的第2二次绕组，所述变压器的特征在于，

所述第1二次绕组具有沿着所述铁心的轴向层叠的多个第1绕组层，

所述第2二次绕组具有沿着所述轴向层叠的多个第2绕组层，

多个所述第1绕组层以并联的方式电连接，

多个所述第2绕组层以并联的方式电连接，

所述一次绕组与所述第1二次绕组之间的距离大于相邻的所述第1绕组层之间的距离及相邻的所述第2绕组层之间的距离，

所述一次绕组与所述第2二次绕组之间的距离大于相邻的所述第1绕组层之间的所述距离及相邻的所述第2绕组层之间的所述距离。

2.根据权利要求1所述的变压器，其特征在于，

构成所述一次绕组的绕组层的匝数为2以上，

各所述第1绕组层及各所述第2绕组层的匝数为1。

3.根据权利要求1或2所述的变压器，其特征在于，

所述一次绕组、所述第1二次绕组、所述第2二次绕组以使所述一次绕组位于所述第1二次绕组与所述第2二次绕组之间的方式沿着所述轴向层叠。

4.根据权利要求1或2所述的变压器，其特征在于，

所述一次绕组具有沿着所述轴向层叠的两个第三绕组层，

两个所述第三绕组层以串联的方式电连接，

两个所述第三绕组层之间的距离大于相邻的所述第1绕组层之间的所述距离及相邻的所述第2绕组层之间的所述距离。

5.根据权利要求1或2所述的变压器，其特征在于，

在将构成所述一次绕组、所述第1二次绕组及所述第2二次绕组的导体的所述轴向上的厚度设为t，且将所述导体的趋肤深度设为δ时，满足2δ≤t≤4δ的关系。

6.根据权利要求5所述的变压器，其特征在于，

构成所述第1二次绕组及所述第2二次绕组的导体的所述轴向上的厚度比构成所述一次绕组的导体的所述轴向上的厚度厚。

7.根据权利要求1或2所述的变压器，其特征在于，

在所述第1二次绕组及所述第2二次绕组的各端部设置有中心触头，

各所述中心触头经由端子接地。

8.根据权利要求1或2所述的变压器，其特征在于，

所述第1绕组层及所述第2绕组层设置在印制基板上，

所述印制基板在与所述铁心对置的面上设置有屏蔽层。