CN117245482A - 一种抛光设备的控制方法 - Google Patents

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CN117245482A CN202311542174.6A CN202311542174A CN117245482A CN 117245482 A CN117245482 A CN 117245482A CN 202311542174 A CN202311542174 A CN 202311542174A CN 117245482 A CN117245482 A CN 117245482A
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Abstract

本发明公开了一种抛光设备的控制方法,抛光设备的控制方法包括:接收称重装置的重量信号;根据重量信号计算得到完成抛光后料片的实际厚度;根据抛光后的料片实际厚度计算得到料片的实际抛光去除厚度;根据抛光后的料片的目标厚度计算得到料片的目标抛光去除厚度;比较料片的实际抛光去除厚度和料片的目标抛光去除厚度的大小;根据料片的实际抛光去除厚度和料片的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头对下一批料片进行抛光的时间,从而调整下一批料片完成抛光后的实际厚度。由此,通过在抛光设备中集成称重装置,可以用于实时获得料片实际厚度,并且根据目标厚度调整抛光时间,从而可以提升通过抛光设备得到的料片产品良率。

Description

一种抛光设备的控制方法
技术领域
本发明涉及抛光技术领域,尤其是涉及一种抛光设备的控制方法。
背景技术
在现有的碳化硅芯片制备工艺中,碳化硅芯片的抛光工艺是很重要的一步。目前的抛光工艺通过控制抛光的时间来控制对晶圆的抛除厚度。随着半导体材料抛光抛光设备的连续运行,抛光垫等耗材的持续消耗,晶圆的抛除速率会发生一定的变化。这一变化会直接影响抛光工艺中抛除的厚度。
目前的抛光工艺中,在完成了单片或者单批次的晶圆抛光后,再用专门的检测设备检测晶圆的抛除厚度。当发现某片晶圆开始出现厚度偏差时,此晶圆开始往后,所有抛光后的晶圆都需要重复抛光工艺,对抛光厚度进行调整。从而影响了整个晶圆抛光工艺的时间,也影响了单次抛光工艺的良率。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种抛光设备的控制方法,该抛光设备的控制方法可以提高工艺的产品良率。
为了实现上述目的,根据本发明的实施例提出了一种抛光设备的控制方法,包括:接收称重装置的重量信号,其中,所述称重装置的重量信号是在对完成抛光后的料片进行称重后发出的;根据所述重量信号计算得到完成抛光后料片的实际厚度;根据抛光后的料片实际厚度计算得到料片的实际抛光去除厚度;根据抛光后的料片的目标厚度计算得到料片的目标抛光去除厚度;比较料片的实际抛光去除厚度和料片的目标抛光去除厚度的大小;根据料片的实际抛光去除厚度和料片的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头对下一批料片进行抛光的时间,从而调整下一批料片完成抛光后的实际厚度。
由此,通过在抛光设备中集成称重装置,可以用于实时获得料片实际厚度,并且根据目标厚度调整抛光时间,从而可以提升通过抛光设备得到的料片产品良率。
根据本发明的一些实施例,所述根据料片的实际抛光去除厚度和料片的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头对下一批料片进行抛光的时间,从而调整下一批料片完成抛光后的实际厚度的步骤包括:当料片的实际抛光去除厚度小于料片的目标抛光去除厚度的大小,增加抛头对下一批料片的抛光时间。
根据本发明的一些实施例,所述根据料片的实际抛光去除厚度和料片的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头对下一批料片进行抛光的时间,从而调整下一批料片完成抛光后的实际厚度的步骤包括:当料片的实际抛光去除厚度大于料片的目标抛光去除厚度的大小,减少抛头对下一批料片的抛光时间。
根据本发明的一些实施例,所述根据料片的实际抛光去除厚度和料片的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头对下一批料片进行抛光的时间,从而调整下一批料片完成抛光后的实际厚度的步骤还包括:当料片的实际抛光去除厚度与料片的目标抛光去除厚度的大小相差在预设范围内时,所述根据料片的实际抛光去除厚度和料片的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头对下一批料片进行抛光的时间,从而调整下一批料片完成抛光后的实际厚度;当料片的实际抛光去除厚度与料片的目标抛光去除厚度的大小相差超出预设范围时,提醒用户更换相应部件。
根据本发明的一些实施例,所述根据料片的实际抛光去除厚度和料片的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头对下一批料片进行抛光的时间,从而调整下一批料片完成抛光后的实际厚度的步骤包括:根据抛光后的料片的实际厚度计算得到所述抛头的当前批次的抛光去除效率;根据下一批抛光的料片抛光前的厚度、所述抛头当前批次的抛光去除效率和抛光后料片的目标厚度计算得到下一批料片抛光的时间。
根据本发明的一些实施例,所述根据抛光后的料片的实际厚度计算得到所述抛头的当前批次的抛光去除效率的步骤包括:设定完成抛光后料片的实际厚度为THK(post),设定抛光前料片的厚度为THK(pre),设定所述抛头的抛光时间为T,THK(post)、THK(pre)和T满足关系式:MRR=(THK(pre)-THK(post))/T。
根据本发明的一些实施例,所述根据下一批抛光的料片抛光前的厚度、所述抛头的当前批次的抛光去除效率和抛光后料片的目标厚度计算得到下一批料片抛光的时间的步骤还包括:设定下一批料片的抛光时间为T(i+1),设定下一批料片抛光前的厚度为THK(pre,i+1),设定下一批料片抛光后的目标厚度为THK(target),THK(target)、T(i+1)、THK(pre,i+1)和MRR满足关系式:T(i+1)=(THK(pre,i+1)-THK(target))/MRR。
根据本发明的一些实施例,所述接收称重装置的重量信号,其中,所述称重装置的重量信号是在对完成抛光后的料片进行称重后发出的步骤之前还包括:在待抛光的料片上使用激光雕刻编码;将料片放置于所述称重装置上,并且使称重装置识别料片上的编码。
根据本发明的一些实施例,所述称重装置包括压电称重件、磁悬浮体件和磁悬浮底座,所述磁悬浮体件磁悬浮设置于所述磁悬浮底座上,所述压电称重件设置于所述磁悬浮体件上,所述压电称重件用于对料片称重。
根据本发明的一些实施例,所述压电称重件上开设有激光扫描识别窗口,所述激光扫描识别窗口用于与料片上的编码相对应。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是根据本发明实施例的抛光设备的控制方法的流程图。
图2是根据本发明实施例的抛光设备的控制方法的局部流程图。
图3是根据本发明实施例的抛光设备的控制方法的局部流程图。
图4是根据本发明实施例的抛光设备的示意图;
图5是根据本发明实施例的称重装置的示意图。
附图标记:
100、抛光设备的控制方法;200、抛光设备;
1、称重装置;101、压电称重件;102、磁悬浮体件;103、磁悬浮底座;
2、抛头;3、抛光垫;4、上下片单元;401、拖板;5、机械手;6、清洗甩干单元;7、料片。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,参考附图描述的实施例是示例性的,下面详细描述本发明的实施例。
下面参考图1-图3描述根据本发明实施例的抛光设备的控制方法100,该抛光设备的控制方法100可以适用于抛光设备200,参考图4-图5描述本发明实施例的抛光设备200。
结合图1所示,根据本发明实施例的抛光设备的控制方法100主要包括:
S3、接收称重装置1的重量信号,其中,称重装置1的重量信号是在对完成抛光后的料片7进行称重后发出的;
S4、根据重量信号计算得到完成抛光后料片7的实际厚度;
S5、根据抛光后的料片7实际厚度计算得到料片7的实际抛光去除厚度;
S6、根据抛光后的料片7的目标厚度计算得到料片7的目标抛光去除厚度;
S7、比较料片7的实际抛光去除厚度和料片7的目标抛光去除厚度的大小;
S8、根据料片7的实际抛光去除厚度和料片7的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头2对下一批料片7进行抛光的时间,从而调整下一批料片7完成抛光后的实际厚度。
具体地,将料片7放置在称重装置1上,可以得到料片7的重量。在本发明的实施例中,在抛光设备200中增加称重装置1,可以将称重装置1集成于抛光设备200中,用于增加抛光设备200的功能性。将抛光完成后的料片7放置于称重装置1,可以通过称重装置1获得抛光后的料片7的重量,并且称重装置1可以将测得的料片7的重量转化成重量信号。测量抛光后的料片7,可以对已经完成抛光的料片7进行检测,以用于检测抛光工艺的产品质量,有利于保证抛光工艺的良率。
进一步地,抛光设备的控制方法100在获得称重装置1发出的重量信号后,可以根据重量信号进行计算,进而可以得到完成抛光后的料片7的厚度,因为称重装置1检测得到的重量为经过抛光后的料片7的重量,所以抛光设备的控制方法100计算得到的料片7厚度为经过抛光后的料片7的实际厚度,这样可以便于抛光设备的控制方法100根据经过抛光后的料片7的实际厚度判断抛光设备200的抛光质量,以保证抛光设备200对下一批料片7的抛光可靠性。
进一步地,在抛光设备的控制方法100计算出料片7的实际厚度后,可以根据料片7的实际厚度与料片7抛光前的厚度相比,计算出料片7在抛光设备200中的抛光去除厚度,在此过程计算得到的抛光去除厚度为料片7的实际抛光去除厚度。
现有技术,抛光设备中用于抛光料片的抛光垫也在持续消耗,并且抛光垫的损耗程度与抛光工艺的时间正相关,当抛光垫出现损耗时,在经过同等时长的抛光后,料片的实际去除厚度会减小,料片的实际厚度与目标厚度会有一定的差值,如果差值过大,则经过抛光设备抛光后的料片无法达到抛光工艺的要求,会影响抛光工艺的产品良率。
进一步地,在对同等初始厚度的晶圆进行抛光前,抛光设备的控制方法100对抛光后的料片7厚度设置目标值,即为料片7的目标厚度,抛光设备的控制方法100对抛光设备200的抛光去除厚度设定目标值,即为目标抛光去除厚度。在抛光设备的控制方法100计算得到料片7的实际抛光去除厚度后,可以将料片7实际抛光去除厚度与料片7的目标抛光去除厚度相比较,如果料片7的实际抛光去除厚度与目标抛光去除厚度不同,则表示抛光设备200对料片7的实际抛光去除厚度与目标抛光去除厚度不同,在不同等抛光时间的条件下,说明抛光设备200的抛光垫3出现损耗。
进一步地,本发明实施例的抛光设备的控制方法100根据料片7的实际抛光去除厚度与料片7的目标抛光去除厚度的大小,调节抛头2后序的工作时长,即调整抛头2对下一批料片7进行抛光的时间,通过对料片7的抛光时间的调整,可以使下一批料片7的实际抛光去除厚度达到目标抛光去除厚度,以使下一批料片7的实际厚度达到目标厚度,从而可以保证抛光设备200对料片7的抛光去除厚度满足抛光工艺的要求,可以使经过抛光设备200抛光后的料片7满足抛光工艺的要求。
由此,通过在抛光设备200中集成称重装置1,可以用于实时获得料片7实际厚度,并且根据目标厚度调整抛光时间,从而可以提升通过抛光设备200得到的料片7产品良率。
结合图2所示,步骤S8包括:
S8-1-1、当料片7的实际抛光去除厚度小于料片7的目标抛光去除厚度的大小,增加抛头2对下一批料片7的抛光时间。
具体地,如果抛光设备的控制方法100在获取的料片7的实际抛光去除厚度比设定的料片7目标抛光去除厚度小,则说明抛光后的料片7的实际厚度大于抛光后的料片7的目标厚度,抛光设备的控制方法100控制抛光设备200增加抛头2对下一批料片7的抛光时间,以增大下一批料片7的实际抛光去除厚度,使下一批料片7在抛光厚度实际厚度达到抛光设备200对料片7抛光后的目标厚度,从而可以提升抛光工艺的产品良率。
结合图2所示,步骤S8包括:
S8-1-2、当料片7的实际抛光去除厚度大于料片7的目标抛光去除厚度的大小,减少抛头2对下一批料片7的抛光时间。
具体地,如果抛光设备的控制方法100在获取的料片7的实际抛光去除厚度比设定的料片7目标抛光去除厚度大,则说明抛光后的料片7的实际厚度小于抛光后的料片7的目标厚度,抛光设备的控制方法100控制抛光设备200减少抛头2对下一批料片7的抛光时间,以减小下一批料片7的实际抛光去除厚度,使下一批料片7在抛光厚度实际厚度达到抛光设备200对料片7抛光后的目标厚度,从而可以提升抛光工艺的产品良率。
结合图2所示,步骤S8还包括:
S8-1、当料片7的实际抛光去除厚度与料片7的目标抛光去除厚度的大小相差在预设范围内时,根据料片7的实际抛光去除厚度和料片7的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头2对下一批料片7进行抛光的时间,从而调整下一批料片7完成抛光后的实际厚度;
S8-2、当料片7的实际抛光去除厚度与料片7的目标抛光去除厚度的大小相差超出预设范围时,提醒用户更换相应部件。
具体地,在抛光工艺中,抛光设备200的抛光垫3始终处于消耗状态,抛光设备的控制方法100对料片7的实际抛光去除厚度与目标去除厚度的大小设定有预设范围。当料片7的实际抛光去除厚度与目标去除厚度的大小在预设范围内,仍可以根据料片7的实际抛光去除厚度和料片7的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头2对下一批料片7进行抛光的时间,从而调整下一批料片7完成抛光后的实际厚度。
进一步地,当料片7的实际抛光去除厚度与目标去除厚度的大小超出预设范围时,说明抛光垫3的损耗较大,继续使用损耗过大的抛光垫3不仅会使抛光时间过长,增加抛光工艺的时长,进而增加料片7的抛光成本,而且在此之后经过抛光的料片7表面的粗糙度无法达到抛光要求,进而影响产品良率。因此,在料片7的实际抛光去除厚度与目标去除厚度的大小超出预设范围时,抛光设备的控制方法100控制抛光设备200向用户发出更换抛光垫3的提醒。
结合图3所示,步骤S8还包括:
S8-3、根据抛光后的料片7的实际厚度计算得到抛头2的当前批次的抛光去除效率;
S8-4、根据下一批抛光的料片7抛光前的厚度、抛头2的当前批次的抛光去除效率和抛光后料片7的目标厚度计算得到下一批料片7抛光的时间。
具体地,在抛光设备的控制方法100计算出抛光后的料片7的实际厚度后,可以根据抛光后的料片7的实际厚度与目标厚度计算当前批次料片7的抛光去除效率,在下一批料片7达到前,抛光设备的控制方法100根据下一批抛光的料片7在抛光前的厚度、抛头2的当前批次的抛光去除效率和抛光后料片7的目标厚度,可以计算出使下一批料片7抛光后达到目标厚度所需的抛光时间,设置抛头2对下一批料片7的抛光时间为根据下一批抛光的料片7在抛光前的厚度、抛头2的当前批次的抛光去除效率和抛光后料片7的目标厚度计算出的可以使下一批料片7抛光后达到目标厚度所需的抛光时间,这样可以在抛光垫3发生损耗时,及时调整抛头2对料片7的抛光时间,以使抛光设备200对料片7的抛光达到抛光工艺的要求,使抛光后的料片7厚度达到抛光设备的控制方法100设置的目标厚度,从而可以提高抛光工艺的产品良率,可以通过抛光工艺得到厚度均一稳定的料片7。
结合图3所示,步骤S8-3包括:
S8-3-1、设定完成抛光后料片7的实际厚度为THK(post),设定抛光前料片7的厚度为THK(pre),设定抛头2的抛光时间为T,THK(post)、THK(pre)和T满足关系式:MRR=(THK(pre)-THK(post))/T。
具体地,设定抛头2对料片7抛光时,抛头2对料片7的材料去除效率为MRR,MRR与抛头2和料片7之间的摩擦系数、抛头2对料片7抛光时施加的压力以及抛头2的转速相关,设定抛头2和料片7之间的摩擦系数为K,抛头2对料片7抛光时施加的压力为P,抛头2的转速为V,K、P、V和MRR满足关系式:MRR=KPV,设定料片7的抛光时间为T,T、THK(post)、THK(pre)和MRR满足关系式:THK(post)=THK(pre)-MRR*T,由关系式MRR=KPV和关系式THK(post)=THK(pre)-MRR*T可以得到关系式:MRR=(THK(pre)-THK(post))/T,如此,抛头2对料片7的材料去除效率可以通过抛光设备的控制方法100测得的抛光后料片7的实际厚度、抛光前料片7的厚度以及抛光时间计算得出。
结合图1所示,步骤S8-4还包括:
S8-4-1、设定下一批料片7的抛光时间为T(i+1),设定下一批料片7抛光前的厚度为THK(pre,i+1),设定下一批料片7抛光后的目标厚度为THK(target),THK(target)、T(i+1)、THK(pre,i+1)和MRR满足关系式:T(i+1)=(THK(pre,i+1)-THK(Target))/MRR。
具体地,因为料片7的材料变化速率缓慢,可以认为下一批次的料片7的去除效率与本批次的料片7的去除效率相等,设定本批次料片7的材料去除效率为MRR(i),设定下一批次料片7的材料去除效率为MRR(i+1),MRR(i)与MRR(i+1)满足关系式:MRR(i+1)=MRR(i)。为使抛光后的料片7实际厚度达到目标厚度,设定抛光后料片7的目标厚度为THK(target),THK(post)与THK(target)满足关系式:THK(post)=THK(target),根据关系式MRR=(THK(pre)-THK(post))/T可以得到T(i+1)=(THK(pre,i+1)-THK(target))/MRR,如此,可以计算出使下一批次料片7在抛光后的实际厚度达到目标厚度所需的抛光时间。
结合图1所示,在步骤S3之前还包括:
S1、在待抛光的料片7上使用激光雕刻编码;
S2、将料片7放置于称重装置1上,并且使称重装置1识别料片7上的编码。
具体地,通过激光的方式在待抛光料片7上雕刻该料片7对应的编码,可以用于料片7的识别,可以防止料片7在抛光工艺中出现位置混乱,造成重复抛光。将抛光后的料片7放置于称重装置1上时,称重装置1可以通过料片7上的编码对该料片7进行识别,以记录料片7在抛光工艺中的位置,并且记录对应编码的料片7的重量信息。
结合图5所示,称重装置1包括压电称重件101、磁悬浮体件102和磁悬浮底座103,磁悬浮体件102磁悬浮设置于磁悬浮底座103上,压电称重件101设置于磁悬浮体件102上,压电称重件101用于对料片7称重。具体地,称重装置1采用磁悬浮技术,将磁悬浮体件102与磁悬浮底座103设置为同一极性,以使磁悬浮体件102设置于磁悬浮底座103上,但两个结构相互不接触,再将压电称重件101设置于磁悬浮体件102上,磁悬浮体件102可以对压电称重件101起到支撑作用,保证压电称重件101可以对料片7正常称重。如此设置,不仅可以使用称重装置1对料片7进行称重,而且还可以防止抛光装置晃动或者地面晃动时影响料片7的重量准确性。
根据本发明的实施例,压电称重件101上开设有激光扫描识别窗口,激光扫描识别窗口用于与料片7上的编码相对应。在本发明的实施例中,激光扫描识别窗口包括但不限于开口石英窗,称重装置1中的激光可以通过激光扫描识别窗口扫描读取料片7上的编码,以便于称重装置1记录料片7的编码和重量数据,并且向抛光设备的控制方法100发出对应编码的料片7的重量信号。
根据本发明的实施例,结合图4所示,抛光设备的控制方法100可以配置于抛光设备200中,抛光设备200包括抛头2、抛光垫3、上下片单元4、机械手5、清洗甩干单元6、称重装置1和机械手5。抛头2用于吸住料片7,从上下片单元4取出料片7,并移动到抛光垫3,将料片7压到抛光垫3,抛光盘带动抛光垫3旋转,完成料片7的抛光,抛光结束后,抛头2旋转移动至上下片单元4的上方,抛头2下降的同时上下片单元4上的拖板401抬起,以使料片7放入上下片单元4中,机械手5将料片7从上下片单元4中取出,然后放入清洗甩干单元6。在清洗甩干单元6中,料片7完成一些列的清洗和甩干工艺,再由机械手5从清洗甩干单元6中将料片7取出,放入称重装置1,通过机械手5反转,保证料片7的抛光面朝上,以及保证料片7的编码位置对应激光扫描识别窗口,称重装置1同时记录料片7的编码和重量数据,再通过检测到的料片7的实际重量计算料片7的实际厚度,根据抛光后的料片7的实际厚度计算出实际抛光去除厚度,比较料片7的实际抛光去除厚度和料片7的目标抛光去除厚度的大小,再根据料片7的实际抛光去除厚度和料片7的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头2对下一批料片7进行抛光的时间,从而调整下一批料片7完成抛光后的实际厚度。
抛光设备的控制方法100可以针对每一片料片7的抛光去除厚度实时调整下一批料片7的抛光时间,以及时对抛光设备200进行修正,保证抛光工艺的产品质量,这样在抛光设备200连续工作时,每一片料片7的实际抛光去除厚度均可以得到精准控制,有利于提升抛光工艺的良率。另外,抛光设备的控制方法100对每一片料片7在线检测、连续记录以及分析数据,可以对抛光设备200的稳定性以及耗材的使用状态进行监测,当料片7的实际抛光去除厚度与料片7的目标抛光去除厚度的大小相差超出预设范围时,提醒用户更换相应部件,以保证抛光工艺的效率和良率。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种抛光设备的控制方法,其特征在于,包括:
接收称重装置(1)的重量信号,其中,所述称重装置(1)的重量信号是在对完成抛光后的料片(7)进行称重后发出的;
根据所述重量信号计算得到完成抛光后料片(7)的实际厚度;
根据抛光后的料片(7)实际厚度计算得到料片(7)的实际抛光去除厚度;
根据抛光后的料片(7)的目标厚度计算得到料片(7)的目标抛光去除厚度;
比较料片(7)的实际抛光去除厚度和料片(7)的目标抛光去除厚度的大小;
根据料片(7)的实际抛光去除厚度和料片(7)的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头(2)对下一批料片(7)进行抛光的时间,从而调整下一批料片(7)完成抛光后的实际厚度。
2.根据权利要求1所述的抛光设备的控制方法,其特征在于,所述根据料片(7)的实际抛光去除厚度和料片(7)的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头(2)对下一批料片(7)进行抛光的时间,从而调整下一批料片(7)完成抛光后的实际厚度具体的步骤包括:
当料片(7)的实际抛光去除厚度小于料片(7)的目标抛光去除厚度的大小,增加抛头(2)对下一批料片(7)的抛光时间。
3.根据权利要求1所述的抛光设备的控制方法,其特征在于,所述根据料片(7)的实际抛光去除厚度和料片(7)的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头(2)对下一批料片(7)进行抛光的时间,从而调整下一批料片(7)完成抛光后的实际厚度的步骤包括:
当料片(7)的实际抛光去除厚度大于料片(7)的目标抛光去除厚度的大小,减少抛头(2)对下一批料片(7)的抛光时间。
4.根据权利要求1所述的抛光设备的控制方法,其特征在于,所述根据料片(7)的实际抛光去除厚度和料片(7)的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头(2)对下一批料片(7)进行抛光的时间,从而调整下一批料片(7)完成抛光后的实际厚度的步骤还包括:
当料片(7)的实际抛光去除厚度与料片(7)的目标抛光去除厚度的大小相差在预设范围内时,所述根据料片(7)的实际抛光去除厚度和料片(7)的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头(2)对下一批料片(7)进行抛光的时间,从而调整下一批料片(7)完成抛光后的实际厚度;
当料片(7)的实际抛光去除厚度与料片(7)的目标抛光去除厚度的大小相差超出预设范围时,提醒用户更换相应部件。
5.根据权利要求1所述的抛光设备的控制方法,其特征在于,所述根据料片(7)的实际抛光去除厚度和料片(7)的目标抛光去除厚度的大小,调整抛头(2)对下一批料片(7)进行抛光的时间,从而调整下一批料片(7)完成抛光后的实际厚度的步骤包括:
根据抛光后的料片(7)的实际厚度计算得到所述抛头(2)的当前批次的抛光去除效率;
根据下一批抛光的料片(7)抛光前的厚度、所述抛头(2)的当前批次的抛光去除效率和抛光后料片(7)的目标厚度计算得到下一批料片(7)抛光的时间。
6.根据权利要求5所述的抛光设备的控制方法,其特征在于,所述根据抛光后的料片(7)的实际厚度计算得到所述抛头(2)的当前批次的抛光去除效率的步骤包括:
设定完成抛光后料片(7)的实际厚度为THK(post),设定抛光前料片(7)的厚度为THK(pre),设定所述抛头(2)的抛光时间为T,THK(post)、THK(pre)和T满足关系式:MRR=(THK(pre)-THK(post))/T。
7.根据权利要求6所述的抛光设备的控制方法,其特征在于,所述根据下一批抛光的料片(7)抛光前的厚度、所述抛头(2)的当前批次的抛光去除效率和抛光后料片(7)的目标厚度计算得到下一批料片(7)抛光的时间的步骤还包括:
设定下一批料片(7)的抛光时间为T(i+1),设定下一批料片(7)抛光前的厚度为THK(pre,i+1),设定下一批料片(7)抛光后的目标厚度为THK(target),THK(target)、T(i+1)、THK(pre,i+1)和MRR满足关系式:T(i+1)=(THK(pre,i+1)-THK(Target))/MRR。
8.根据权利要求1所述的抛光设备的控制方法,其特征在于,所述接收称重装置(1)的重量信号,其中,所述称重装置(1)的重量信号是在对完成抛光后的料片(7)进行称重后发出的步骤之前还包括:
在待抛光的料片(7)上使用激光雕刻编码;
将料片(7)放置于所述称重装置(1)上,并且使称重装置(1)识别料片(7)上的编码。
9.根据权利要求8所述的抛光设备的控制方法,其特征在于,所述称重装置(1)包括压电称重件(101)、磁悬浮体件(102)和磁悬浮底座(103),所述磁悬浮体件(102)磁悬浮设置于所述磁悬浮底座(103)上,所述压电称重件(101)设置于所述磁悬浮体件(102)上,所述压电称重件(101)用于对料片(7)称重。
10.根据权利要求9所述的抛光设备的控制方法,其特征在于,所述压电称重件(101)上开设有激光扫描识别窗口,所述激光扫描识别窗口用于与料片(7)上的编码相对应。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020058460A1 (en) * 2000-09-20 2002-05-16 Lee Jae-Dong Method of controlling wafer polishing time using sample-skip algorithm and wafer polishing using the same
JP2004311549A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Seiko Epson Corp Cmp研磨方法、cmp装置、半導体装置及びその製造方法
CN109454547A (zh) * 2018-12-27 2019-03-12 杭州众硅电子科技有限公司 一种用于cmp抛光垫寿命在线检测的系统和方法
CN109540270A (zh) * 2019-01-07 2019-03-29 安徽理工大学 应用于智能工具管理系统的称重识别模块
CN110193775A (zh) * 2019-03-12 2019-09-03 上海新昇半导体科技有限公司 化学机械抛光方法以及化学抛光系统
CN111203792A (zh) * 2020-01-13 2020-05-29 天津中环领先材料技术有限公司 一种重掺产品抛光后厚度控制的方法
CN111599665A (zh) * 2020-04-28 2020-08-28 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 调整化学机械抛光工艺中硅片研磨时间的方法
CN113524019A (zh) * 2021-07-27 2021-10-22 福建北电新材料科技有限公司 化学机械抛光方法
CN114083427A (zh) * 2022-01-24 2022-02-25 杭州众硅电子科技有限公司 一种抛光垫表面状况在线检测方法及检测系统
CN115972074A (zh) * 2022-11-08 2023-04-18 北京晶亦精微科技股份有限公司 化学机械抛光设备研磨时间调整方法、装置、设备及介质

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020058460A1 (en) * 2000-09-20 2002-05-16 Lee Jae-Dong Method of controlling wafer polishing time using sample-skip algorithm and wafer polishing using the same
JP2004311549A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Seiko Epson Corp Cmp研磨方法、cmp装置、半導体装置及びその製造方法
CN109454547A (zh) * 2018-12-27 2019-03-12 杭州众硅电子科技有限公司 一种用于cmp抛光垫寿命在线检测的系统和方法
CN109540270A (zh) * 2019-01-07 2019-03-29 安徽理工大学 应用于智能工具管理系统的称重识别模块
CN110193775A (zh) * 2019-03-12 2019-09-03 上海新昇半导体科技有限公司 化学机械抛光方法以及化学抛光系统
CN111203792A (zh) * 2020-01-13 2020-05-29 天津中环领先材料技术有限公司 一种重掺产品抛光后厚度控制的方法
CN111599665A (zh) * 2020-04-28 2020-08-28 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 调整化学机械抛光工艺中硅片研磨时间的方法
CN113524019A (zh) * 2021-07-27 2021-10-22 福建北电新材料科技有限公司 化学机械抛光方法
CN114083427A (zh) * 2022-01-24 2022-02-25 杭州众硅电子科技有限公司 一种抛光垫表面状况在线检测方法及检测系统
TW202330163A (zh) * 2022-01-24 2023-08-01 大陸商杭州眾硅電子科技有限公司 一種拋光墊表面狀況在線檢測方法及檢測系統
CN115972074A (zh) * 2022-11-08 2023-04-18 北京晶亦精微科技股份有限公司 化学机械抛光设备研磨时间调整方法、装置、设备及介质

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