CN117242333A - 对基板进行处理的装置、以及测定处理气体的温度和浓度的方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种使用激光束来测定供给到用于进行基板的处理的处理空间的处理气体的温度和浓度的技术。设置于对基板进行处理的装置的处理气体供给部对处理空间供给处理气体，投光部对被供给了处理气体的处理空间投出波长在互不相同的波长范围内变化的激光束。受光部接受通过处理空间后的激光束，温度计算部基于各波长范围的激光束的吸收光谱来计算处理气体的温度，浓度计算部基于所述波长范围内的特定的波长的激光束的吸光度来计算处理气体的浓度。

Description

对基板进行处理的装置、以及测定处理气体的温度和浓度的 方法
技术领域
本公开涉及一种对基板进行处理的装置、以及测定处理气体的温度和浓度的方法。
背景技术
例如，在针对作为基板的半导体晶圆(下面，也称作“晶圆”)进行处理的装置中，存在有通过对配置有晶圆的处理空间供给处理气体来执行处理的装置。供给到处理空间的处理气体的温度及浓度是在进行针对晶圆的处理的控制、设计的方面很重要的测定项目。
例如，在专利文献1中记载了以下一种技术：基于对在气体流路中流动的气体照射波长不同的两种光所得到的结果，来测定对半导体制造装置供给的气体的浓度。另外，在专利文献2中记载了以下一种技术：使用光学探测装置来测定供给到成膜装置的基板保持室的材料气体的浓度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开2016/080532号
专利文献2：日本特开2012-122101号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种使用激光束来测定供给到用于进行基板的处理的处理空间的处理气体的温度和浓度的技术。
用于解决问题的方案
本公开为一种对基板进行处理的装置，具备：
处理容器，其收容所述基板，所述处理容器形成用于进行所述处理的处理空间；
处理气体供给部，其对所述处理空间供给用于进行所述基板的处理或者配置于处理容器内的设备的处理的处理气体；
投光部，其对被供给了所述处理气体的所述处理空间投出激光束；
光源部，其经由光波导向所述投光部供给波长在作为预先设定的波长范围的第一波长范围内变化的激光束、以及波长在与所述第一波长范围不同的作为预先设定的波长范围的第二波长范围内变化的激光束；
受光部，其接受通过所述处理空间后的所述激光束；
温度计算部，其基于由所述受光部接受到的所述第一波长范围的激光束的吸收光谱以及由所述受光部接受到的所述第二波长范围的激光束的吸收光谱来计算所述处理气体的温度；以及
浓度计算部，其基于所述第一波长范围内或所述第二波长范围内的特定的波长的激光束的吸光度来计算所述处理气体的浓度。
发明的效果
根据本公开，能够使用激光束来测定供给到用于进行基板的处理的处理空间的处理气体的温度和浓度。
附图说明
图1是本公开所涉及的晶圆处理装置的纵剖侧视图。
图2是设置于所述晶圆处理装置的载置台和气体喷淋头的示意图。
图3A是示出投受光组的第一布局例的俯视图。
图3B是示出投受光组的第二布局例的俯视图。
图4是设置有反射部的载置台的放大示意图。
图5是其它结构例所涉及的晶圆处理装置的纵剖侧视图。
具体实施方式
下面，参照图1～图4来说明本公开的实施方式所涉及的对基板进行处理的装置(晶圆处理装置1)的结构例。
本例的晶圆处理装置1构成为对作为基板的晶圆W的上表面供给被等离子体化了的处理气体来执行成膜处理的装置。
如图1的纵剖侧视图所示，晶圆处理装置1具备由导电性材料、例如内壁面被进行了铝阳极化处理的铝构成的圆筒形状的容器主体11，该容器主体11电接地。在容器主体11的上表面形成有开口，该开口通过顶板部12被气密地堵塞。该容器主体11及顶板部12构成用于收容晶圆W的处理容器10。处理容器10的内部的空间为晶圆W的处理空间100。
另外，在处理容器10的侧壁设置有用于搬入搬出晶圆W的搬入搬出口101以及对搬入搬出口101进行开闭的闸阀102。
在处理空间100内的下部侧，以与前述的顶板部12相向的方式设置有用于载置晶圆W的载置台2。载置台2具备由导电性的金属材料、例如表面被进行了铝阳极化处理的铝构成的载置台主体21。在载置台2的内部设置有由电阻发热体等构成的、未图示的加热部。
载置台主体21的上表面设置有在陶瓷层内配置未图示的保持盘电极(保持盘：chuck)而成的静电保持盘22。静电保持盘22能够通过来自直流电源(未图示)的电力的供给切断来切换晶圆W的吸附保持、解除。载置台主体21收纳于绝缘体制的罩部24内，经由该罩部24设置于容器主体11的底面。
另外，载置台2具备用于与经由搬入搬出口101进入到处理空间100内的外部的基板搬送机构(未图示)之间进行晶圆W的交接的三个以上的升降销23。这些升降销23发挥在静电保持盘22上的吸附保持位置与该吸附保持位置的上方侧的交接位置之间进行晶圆W的升降搬送的作用。各升降销23设置为沿上下方向贯通载置台主体21和容器主体11的底板，这些升降销23的下端部与设置于容器主体11的外部的共同的升降板211连接。
升降板211进一步与驱动部212连接，使用该驱动部212使升降板211升降，来使升降销23的上端从静电保持盘22突出退回。通过该动作，来执行在吸附保持位置与交接位置之间的晶圆W的升降搬送。此外，在各升降销23所贯通的容器主体11的底板与升降板211之间设置有波纹管213，来保持容器主体11(处理空间100)内的气密。
各载置台2经由匹配器231来与第一高频电源232连接。从第一高频电源232经由匹配器231对载置台2供给高频电力。由此，能够通过与后述的喷淋头31的电容耦合，将供给到处理空间100内的处理气体等离子体化，来进行期望的成膜处理。
此外，将处理气体等离子体化的手段不限定于采用利用了电容耦合的平行平板型的装置的情况。例如也可以使用电感耦合天线来产生等离子体，还可以从微波天线对处理气体供给微波来产生等离子体。
并且，载置台2经由匹配器221来与第二高频电源222连接。第二高频电源222对载置台2施加偏压用的高频电力。利用通过该偏压用的高频电力生成的自偏压，能够将在处理空间100内生成的等离子体中的离子吸引到晶圆W。
另外，如图1所示，在容器主体11的底面形成有排气口103，在该排气口103连接有包括真空泵等的真空排气部13。处理空间100的内部通过该真空排气部13被进行真空排气到成为在进行处理时所需的压力为止。并且，为了使得供给到处理空间100内的气体朝向载置台2的周向均匀地流动，也可以在载置台2(罩部24)的侧周面与容器主体11的内壁面之间配置穿设有大量的小孔的整流板104。
如图1所示，在顶板部12的下表面侧设置有用于向处理空间100内供给处理气体的喷淋头31。在喷淋头31内形成有能够朝向吸附保持于静电保持盘22的晶圆W的整个面供给处理气体等的扁平的扩散空间311。在喷淋头31的下表面侧形成有大量的气体供给口312，扩散到扩散空间311内的气体经由这些气体供给口312朝向处理空间100分散供给。
另外，在喷淋头31的上表面侧连接有与扩散空间311连通的气体供给线路32。在气体供给线路32的上游侧设置有具备用于进行处理气体的供给切断、流量调节的开闭阀、流量调节机构(均未图示)的调节部321、以及贮存有原料气体的处理气体源322。该喷淋头31、气体供给线路32、调节部321以及处理气体源322相当于本例的处理气体供给部。
通过晶圆处理装置1实施的成膜处理可以是等离子体CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉积)。在等离子体CVD中，对处理空间100连续地供给作为成膜处理用的处理气体的原料气体、反应气体等，通过等离子体使这些气体活化来进行对晶圆W的成膜。
另外，也可以通过等离子体ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)进行成膜。在等离子体ALD中，对处理空间100重复地交替实施向晶圆W的原料气体的吸附、以及所吸附的原料气体与例如通过等离子体活化后的反应气体之间的反应，来层叠出形成于晶圆W的膜物质的层。在为ALD的情况下，对喷淋头31连接与原料气体及反应气体、吹扫气体的供给有关的多个系统的调节部321、处理气体源322。
并且，如图1所示，在该晶圆处理装置1设置有控制部6。控制部6由具备未图示的CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)和存储部的计算机构成，在该存储部中记录有编入有步骤(命令)组的程序，所述步骤组用于输出对配置有晶圆W的处理空间100内进行真空排气、并对载置台2施加高频电力将处理气体等离子体化来对晶圆W进行处理的控制信号。该程序例如保存于硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等存储介质，从其安装于存储部。
并且，本实施方式所涉及的晶圆处理装置1具备测定从处理气体供给部供给到处理空间100的处理气体的温度和浓度的机构。
作为浓度的测定法，进行公知的吸光光度分析。在吸光光度分析中，对被供给了处理气体的处理空间100照射会被该处理气体吸收的波长的光，基于入射光的强度与通过处理空间100后的光的强度之比来确定处理气体的浓度。
另外，在本例的晶圆处理装置1中，与浓度的测定同样地，在温度测定中也利用照射于处理气体的光的吸光度。有的气体具有多个吸收波长。另外，实际的气体呈以下的吸收光谱：在吸收波长处，吸光度最大，在吸收波长前后的波长区域处，随着远离吸收波长，吸光度逐渐变小。
已知两个吸收光谱的面积比、峰值强度比与气体的温度之间具有对应关系，还提出了利用该关系的气体的温度测定技术(例如日本特开2000-74830、日本特开2020-6724)。
本例的晶圆处理装置1基于对被供给了处理气体的处理空间100照射规定的波长范围的激光束所得到的吸收光谱来计算处理气体的温度和浓度。
为了进行该温度测定、浓度测定，如图2所示，晶圆处理装置1具备：投光部41，其向处理空间100投出激光束；光源部43，其对投光部41供给激光束；以及受光部42，其接受通过处理空间100后的激光束。
投光部41具备射出激光束的投光透镜411、以及作为对该投光透镜411供给激光束的光波导的光纤400。如图1、图2所示，在本例的晶圆处理装置1中，投光透镜411设置于处理容器10内的载置台2。另外，在载置台2设置有多个投光透镜411。
各投光透镜411配置为从载置台2的上表面侧朝向以与该表面相向的方式配置的喷淋头31的相向面310进行激光束的投光的朝向。此外，为了避免投光透镜411被处理气体污染，也可以在投光透镜411的上表面侧设置由使激光束透过的构件构成的罩。在后文叙述多个投光透镜411的平面配置。
各投光透镜411经由光纤400来与共同的切换开关412连接。切换开关412发挥对成为从光源部43供给来的激光束的供给目的地的投光透镜411进行切换的作用。
光源部43具备第一半导体激光装置431、第二半导体激光装置432以及耦合器433。
第一、第二半导体激光装置431、432使用半导体二极管来产生期望的波长的激光束。第一半导体激光装置431能够使激光束的波长在以处理气体的吸收波长λ1为中心波长的、其前后的预先设定的波长范围(第一波长范围)内变化。另外，第二半导体激光装置432也同样地，能够使激光束的波长在以与已述的吸收波长λ1不同的吸收波长λ2为中心波长的、其前后的预先设定的波长范围(第二波长范围)内变化。
对吸收波长λ1、λ2的设定例没有特别限定。可以使用红外光、紫外光等具有非可见光的范围的波长的激光束，也可以使用具有可见光的范围的波长的激光束。
第一波长范围和第二波长范围设定为：各吸收光谱的两侧的末端的吸光度充分小，包含到达了该处理气体的吸光度的基线的区域。
此外，第一、第二半导体激光装置431、432可以构成为：在求吸收光谱时，朝向后述的光度测定装置的主体部426输出示出吸光度为零的激光束的强度的参照光、或作为滤波器用的标准具信号(日语：エタロン信号)使用的激光束。
从第一、第二半导体激光装置431、432供给来的激光束在通过耦合器433耦合后，经由光纤400输入到切换开关412，来供给到所选择出的投光透镜411。
接着，受光部42具备供激光束入射的受光透镜421、以及对经由该受光透镜421接受到的激光束进行引导的光纤400。如图1、图2所示，在本例的晶圆处理装置1中，与投光透镜411同样地，将受光透镜421也设置于载置台2。另外，在该载置台2设置有与投光透镜411相同数量的受光透镜421。
各受光透镜421配置为进行由喷淋头31的相向面310反射来的激光束的受光的朝向。此外，与投光透镜411的情况同样地，也可以在受光透镜421的上表面侧设置由使激光束透过的构件构成的罩。在后文叙述多个受光透镜421的平面配置。此外，在图1～图3A、图3B中，对受光透镜421标注灰色的色调。
各受光透镜421经由光纤400来与共同的切换开关422连接。切换开关422发挥对成为取出激光束的对象的受光透镜421进行切换的作用。
在载置台2各被设置了相同数量的投光透镜411与受光透镜421分别经由激光束的光路L彼此对应，构成投受光组40。即，构成共同的投受光组40的投光透镜411、受光透镜421配置为位于激光束的光路L的一端部和另一端部。通过该结构，能够使从所选择出的投光透镜411投出的激光束在由喷淋头31的相向面310反射之后，由与所述投光透镜411对应的受光透镜421接受到。
在此，喷淋头31最好由金属构成、或者对陶瓷制的喷淋头31的表面进行硅涂覆，以能够使激光束由相向面310反射。
通过将这些多个投受光组40设置于载置台2的不同的位置，能够使激光束通过处理空间100内的不同的区域，来测定这些区域的处理气体的温度和浓度。通过测定互不相同的多个区域的处理气体的温度、浓度，能够确定处理空间100内的处理气体的温度分布、浓度分布。
图3A、图3B示出载置台2上的多个投受光组40的配置的变形。
在利用处理气体进行处理的期间中，在载置台2的上表面载置有晶圆W。因此，当将投受光组40配置于载置晶圆W的载置区域时，在该处理的期间中，投光透镜411、受光透镜421成为被晶圆W覆盖的状态。
图3A示出将投受光组40配置在晶圆W的载置区域的周围以避免投光透镜411、受光透镜421被晶圆W覆盖的例子。在图3A所示的例子中，沿着俯视观察时呈圆形的载置台2的周向等间隔地配置有多个投受光组40。
另一方面，如图3B所示，也可以在载置晶圆W的区域内配置投受光组40。在该例中，以沿着圆形的晶圆W的载置区域的径向呈放射状排列的方式配置有多个投受光组40。
当在晶圆W的载置区域设置有投受光组40的情况下，例如可以在该载置台2没有载置晶圆W的期间中从投光透镜411进行激光束的投光，来测定处理气体的温度、浓度。
另外，例如在0～270℃的加热温度下，硅制的晶圆W使1.8～6.0μm的范围的波长的光透过。当在该波长的范围内包含有处理气体的吸收波长的情况下，能够通过投出透过晶圆W的波长的激光束，来在载置台2上载置着晶圆W的状态下进行处理气体的温度、浓度的测定。
返回到图2的说明，经由切换开关422从受光部42输出的激光束通过具备光学滤波器的分波器423分波为第一波长范围的激光束和第二波长范围的激光束。之后，在各波长范围的激光束通过光电二极管425a、425b被变换为电信号后，输入到光度测定装置的主体部426。
在主体部426中，能够通过与从第一、第二半导体激光装置431、432供给来的参照光的强度进行比较，来求出示出相对于激光束的波长的吸光度的变化的吸收光谱。
主体部426将确定吸收光谱的信息输出到已述的控制部6。
本例的控制部6具备温度计算部61和浓度计算部62的功能。
温度计算部61基于第一波长范围的吸收光谱与第二波长范围的吸收光谱的面积比或峰值强度比相对于处理气体的温度的对应关系，来计算处理气体的温度。处理气体的温度与上述的面积比、峰值强度比之间的对应关系预先通过实验等获取，并以表、函数的形式存储于控制部6的存储部。
浓度计算部62基于第一、第二波长范围中包含的特定的波长、例如吸收光谱的最大峰值波长处的激光束的吸光度来计算处理气体的浓度。在浓度的计算时，能够例示利用公知的朗伯比尔定律的情况。
对具备以上所说明的结构的晶圆处理装置1的作用进行说明。
首先，打开闸阀102，使用外部的搬送装置(未图示)将作为处理对象的晶圆W搬入到处理容器10内。之后，通过升降销23从晶圆W的下表面侧以顶起的方式接受该晶圆W，使搬送机构退避到装置的外部并且将闸阀102关闭。接着，使升降销23下降，由此将晶圆W载置于载置台2。
载置台2通过设置于其内部的未图示的加热部被加热到预先设定的温度，晶圆W通过来自载置台2的传热被加热到处理温度。在此，也可以设为以下结构：将配置有投光透镜411、受光透镜421、光纤400的区域通过绝热构件包围，由此避免加热部的加热对这些设备的影响。
在将晶圆W载置于载置台2后，通过真空排气部13进行处理容器10内(处理空间100)的真空排气。接着，向处理空间100供给处理气体来进行成膜处理。即，在通过等离子体CVD进行成膜的情况下，连续地供给原料气体、反应气体，并且从高频电源222、高频电源232对载置台2施加高频电力，来将这些气体等离子体化，使形成膜物质的反应进展。其结果，在晶圆W的表面沉积膜物质，形成期望的膜。
另外，在通过等离子体ALD进行成膜的情况下，重复地依次进行原料气体、反应气体的供给、以及这些气体的排气(包括一边供给吹扫气体一边进行排气的情况)。另外，在供给等离子体化的处理气体的供给期间中，对载置台2施加高频电力，由此将该处理气体等离子体化来使反应进展。其结果，形成于晶圆W的表面的膜物质的层层叠而形成期望的膜。
此时，在以in-situ(原位)的方式进行利用激光束进行的处理气体的温度、浓度的测定的情况下，在上述成膜处理的执行期间执行处理气体的温度、浓度的测量动作。在该情况下，为在载置台2载置有晶圆W的状态。因此，可以使用图3A所示的、配置于晶圆W的载置区域的周围的投受光组40进行测定。另外，也可以使用图3B所示的、配置于晶圆W的载置区域的投受光组40，利用透过晶圆W的波长的激光束进行测定。
另外，关于等离子体化后的气体，也有时难以利用激光束的吸收光谱进行处理气体的温度、浓度测定。在这样的情况下，可以设置在处理气体的供给后不将该处理气体等离子体化的进行温度、浓度测定的期间。
在处理气体的温度、浓度的测定时，选择配置于激光束通过想要进行温度、浓度的测定的区域的位置的、一个或多个(也可以是全部)的投受光组40。然后，进行使用切换开关412、422所选择出的投受光组40与光源部43及主体部426之间的连接。之后，从第一、第二半导体激光装置431、432进行使波长在第一、第二波长范围内逐渐变化的激光束的供给(扫描操作)。
各激光束在通过耦合器433耦合后供给到通过切换开关412所选择出的投光透镜411，投出到处理空间100。激光束在通过被供给有处理气体的处理空间100内并由喷淋头31的相向面310反射后，到达通过切换开关422所选择出的受光透镜421。激光束在通过该光路的期间中被处理气体吸收，从而强度下降。
由受光透镜421接受到的激光束在通过分波器423分离为各波长范围的激光束之后，通过光电二极管425a、425b变换为具有与激光束的强度对应的电压的电信号，并输入到主体部426。
在主体部426中，例如通过与参照光的强度进行比较，来制作第一、第二波长范围的各吸收光谱。
表示所制作出的吸收光谱的数据输出到控制部6，基于已述的计算法，通过温度计算部61计算处理气体的温度，另外，通过浓度计算部62计算处理气体的浓度。
在使用多个投受光组40进行测定的情况下，依次切换选择的投受光组40，重复执行上述的测定动作。
可以基于这样的测定出的处理气体的温度、浓度，来进行处理气体的供给量、利用真空排气部13进行的真空排气量、例如利用设置于处理气体源322的温度调节机构进行的处理气体的温度调节。在该情况下，也可以在进行该调节后执行针对晶圆W的成膜处理。
在经过规定的时间而成膜处理完成后，停止处理气体的供给、高频电力的施加、晶圆W的加热。之后，在进行处理容器10内的压力调节后，以与搬入时相反的过程将成膜后的晶圆W从处理容器10搬出。
另外，在执行晶圆W的处理的期间中也有时难以进行处理气体的温度、浓度的测定。因此，也可以设定在未进行晶圆W的处理的期间中对处理空间100供给处理气体的期间，来进行温度、浓度的测定。在该情况下，即使在如图3B所示使用配置于晶圆W的载置区域的投受光组40的情况下，所利用的激光束具有透过晶圆W的波长也不是必须的。此外，在该情况下，也可以使用配置于图3A所示的区域的投受光组40进行处理气体的温度、浓度的测定，这是不言而喻的。
根据以上所说明的实施方式，在被供给了处理气体的处理空间100中，获取两个不同的波长范围的激光束的吸收曲线，由此能够同时测定处理气体的温度、浓度。
尤其是，利用多个配置于不同的位置的投受光组40，由此能够确定处理空间100内的处理气体的温度、浓度的分布。
图4示出使用图1、图2所说明的、在载置台2设置有投受光组40的结构的变形例。在该例中，在载置台2的上表面设置有使通过喷淋头31的相向面310反射后的激光束朝向该相向面310反射的反射部25。
根据该结构，如图4所示，从投光透镜411投出的激光束能够在喷淋头31侧的相向面310与载置台2侧的反射部25之间进行多次反射。通过使激光束进行多次反射，光路L的距离变长，因此能够提高处理气体的温度、浓度测定的灵敏度。
接着，参照图5来说明第二实施方式所涉及的晶圆处理装置1a的结构例。在图5中，对与使用图1～图4所说明的结构共同的构成要素标注与在这些图中所使用的标记共同的标记。
在图5所示的晶圆处理装置1a中，构成投光部41的投光透镜411以及构成受光部42的受光透镜421设置于处理容器10(处理空间100)的外部。在处理容器10的侧壁面的、与形成有已述的搬入搬出口101的区域不同的位置设置有用于使激光束透过的窗部14。
在与窗部14面对的位置，以保持于准直器401的状态配置有投光透镜411、受光透镜421。另一方面，在隔着窗部14与投光透镜411、受光透镜421相向的处理容器10的内壁面设置有反射部15。另外，在本例中，使用双心线缆402来进行投光部41与光源部43之间的连接、受光部42与主体部426侧的设备之间的连接。
通过上述的配置，从投光透镜411投出的激光束在经由窗部14进入到处理空间100之后，在反射部15反射，接着在通过处理空间100和窗部14之后由受光透镜421接受。
在本例的晶圆处理装置1a结构中，也在被供给了处理气体的处理空间100中获取两个不同的波长范围的激光束的吸收曲线，由此能够同时测定处理气体的温度、浓度。
此外，图5所示的窗部14可以说是将使从投光透镜411投出的激光束进入到处理空间100的投光窗部与使通过处理空间100后的激光束由受光透镜421接受的受光窗部共同化的结构。
另外，也可以与图5所示的例子不同，例如在隔着处理容器10彼此相向的位置分别配置投光透镜411和受光透镜421。在该情况下，能够例示以下结构：在与投光透镜411面对的处理容器10的壁面设置使激光束进入到处理空间100的投光窗部，在与受光透镜421面对的壁面设置用于接受通过处理空间100后的激光束的受光窗部。
在以上所说明的方法中，作为温度、浓度的测定对象的处理气体不限定于在成膜处理时使用的原料气体、反应气体。也可以是在基板的蚀刻处理中使用的蚀刻气体、在涂布于基板的抗蚀剂膜的灰化去除处理中使用的灰化气体、进行作为配置于处理空间100的设备的处理的例如清洁处理的清洁气体。
另外，被使用处理气体进行处理的基板并不限定于半导体晶圆的例子，例如也可以是FPD(Flat Panel Display：平板显示器)的玻璃基板。
应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均是例示，不是限制性的。上述的实施方式可以不脱离所附的权利要求书和其主旨地以各种方式进行省略、置换、变更。
附图标记说明
L：光路；W：晶圆；1、1a：晶圆处理装置；100：处理空间；10：处理容器；31：喷淋头；411：投光透镜；421：受光透镜；6：控制部；61：温度计算部；62：浓度计算部。

Claims (11)

1.一种对基板进行处理的装置，具备：
处理容器，其收容所述基板，所述处理容器形成用于进行所述处理的处理空间；
处理气体供给部，其对所述处理空间供给用于进行所述基板的处理或者配置于处理容器内的设备的处理的处理气体；
投光部，其对被供给了所述处理气体的所述处理空间投出激光束；
光源部，其经由光波导向所述投光部供给波长在作为预先设定的波长范围的第一波长范围内变化的激光束、以及波长在与所述第一波长范围不同的作为预先设定的波长范围的第二波长范围内变化的激光束；
受光部，其接受通过所述处理空间后的所述激光束；
温度计算部，其基于由所述受光部接受到的所述第一波长范围的激光束的吸收光谱以及由所述受光部接受到的所述第二波长范围的激光束的吸收光谱来计算所述处理气体的温度；以及
浓度计算部，其基于所述第一波长范围内或所述第二波长范围内的特定的波长的激光束的吸光度来计算所述处理气体的浓度。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
在所述处理空间中设置有：载置台，其用于载置所述基板；以及气体喷淋头，其具有与所述载置台相向的相向面，在所述相向面形成有用于对该处理空间供给所述处理气体的气体供给口，
所述投光部和受光部以从所述投光部投出的所述激光束在所述相向面反射后被所述受光部接受的方式配置于所述载置台。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，
在所述载置台以使所述激光束通过所述处理空间内的不同的区域的方式设置有多组由彼此对应的所述投光部和所述受光部构成的投受光组，所述温度计算部和所述浓度计算部计算由各个所述投受光组投出接受到的所述激光束所通过的区域的所述处理气体的温度及浓度。
4.根据权利要求2或3所述的装置，其特征在于，
在所述载置台设置有反射部，所述反射部使在所述相向面反射的所述激光束朝向该相向面反射。
5.根据权利要求2至4中的任一项所述的装置，其特征在于，
所述投光部和受光部设置于所述载置台的用于载置所述基板的区域的周围。
6.根据权利要求2至4中的任一项所述的装置，其特征在于，
所述投光部和受光部设置于所述载置台的用于载置所述基板的区域，所述投光部在所述载置台没有载置所述基板的期间中进行所述激光束的投光。
7.根据权利要求2至4中的任一项所述的装置，其特征在于，
所述投光部和受光部设置于所述载置台的用于载置所述基板的区域，所述光源部向所述投光部供给透过所述基板的波长的激光束。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述投光部和受光部设置于所述处理容器的外部，在所述处理容器具备：投光窗部，其用于使从所述投光部投出的所述激光束进入到所述处理空间；以及受光窗部，其用于使通过所述处理空间后的所述激光束被所述受光部接受到。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，
具备所述投光窗部与所述受光窗部共同化的窗部，在所述处理空间内设置有反射部，所述反射部用于使经由所述窗部进入到所述处理空间的所述激光束朝向所述窗部反射。
10.一种测定处理气体的温度和浓度的方法，所述处理气体用于对基板进行处理，所述方法包括以下工序：
对用于进行所述处理的处理空间供给用于进行所述基板的处理或者配置于处理容器内的设备的处理的处理气体；
对被供给了所述处理气体的所述处理空间投出波长在作为预先设定的波长范围的第一波长范围内变化的激光束、以及波长在波长范围与所述第一波长范围不同的作为预先设定的波长范围的第二波长范围内变化的激光束；
接受通过所述处理空间后的所述激光束；
基于所述接受到的所述第一波长范围的激光束的吸收光谱以及所述接受到的所述第二波长范围的激光束的吸收光谱来计算所述处理气体的温度；以及
基于所述第一波长范围内或所述第二波长范围内的特定的波长的激光束的吸光度来计算所述处理气体的浓度。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，
在对所述处理空间投出所述激光束的工序、以及接受所述激光束的工序中，以使所述激光束通过所述处理空间内的不同的区域的方式进行多个所述激光束的投出接受，
在计算所述处理气体的温度的工序和计算所述处理气体的浓度的工序中，进行各个所述激光束所通过的区域的所述处理气体的温度及浓度的计算。
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