CN117238241A - 一种Micro LED电流型驱动电路及其实现方法 - Google Patents
一种Micro LED电流型驱动电路及其实现方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117238241A CN117238241A CN202311515286.2A CN202311515286A CN117238241A CN 117238241 A CN117238241 A CN 117238241A CN 202311515286 A CN202311515286 A CN 202311515286A CN 117238241 A CN117238241 A CN 117238241A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transistor
- current
- operational amplifier
- voltage
- driving circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 31
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
本发明公开了一种Micro LED电流型驱动电路及其实现方法，所述电路由源极驱动电路和像素点电流型驱动电路构成；所述源极驱动电路由运算放大器OP和一端分别连接在运算放大器OP的两个输入端且另一端接地的电阻Rr1、电阻Rr2组成，运算放大器OP的输出端和反相输入端Vn与像素点电流型驱动电路相连；运算放大器OP的同相输入端输入电流Idata。该驱动电路的控制时序极为简单。加上电流驱动的响应速度快速，因此像素点驱动电流的刷新速率极快。这极大的加快了行扫描刷新速率，在一帧画面时间内，行刷新速率快，那么驱动芯片支持的行扫描数也增加。从而使得采用本发明技术方案可以提高画面刷新频率和提高屏幕最大分辨率。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路领域，具体地说，是涉及一种Micro LED电流型驱动电路及其实现方法。
背景技术
Micro LED是一种微米级发光二极管，发光单元的尺寸小于100um(部分企业定义为50um)定义为Micro LED。Micro LED是一种电流型器件，即其电流决定了其发光亮度。MicroLED具有发光亮度高、发光效率高和响应速度快等特点，是目前最理想的发光器件。用这些尺寸极小的具有自发光特性的Micro LED发光单元做成的Micro LED直显显示屏，具有高亮度、高对比度、高分辨率、长寿命、低功耗和色域广等优点，因而成为目前显示技术主要研究方向。
Micro LED显示驱动技术包含无源驱动技术(PM：PassiveMatrix）和有源驱动技术（AM：Active Matrix）。无源驱动是一种扫描式驱动方式，现有的mini LED直显驱动技术大多采用无源驱动技术。现有的Micro LED有源驱动方式由TFT液晶和AMOLED显示技术沿用过来，采用电压型驱动方式，主要特点为每个像素点具有TFT驱动电路，通过控制TFT晶体管逐行更新像素点电容的电压大小来调整像素点的灰度，电容将电压信息保持下来，实现稳定的静态显示。像素点电流驱动的主要原理为根据TFT的饱和电流公式通过电压Vgs来控制输出电流Id。TFT的饱和电流公式为Id=u*Cox*(W/L)*(Vgs-Vth)2，式中迁移率u、栅氧化层电容Cox、阈值电压Vth、TFT晶体管的宽W和沟道长L都是设定值。通过灰度数据电压Vdata输出控制TFT驱动管的栅源电压Vgs来得到对应的驱动电流Id输出。可以知道对一确定的阈值电压Vth，栅极电压与输出电流Id一一对应。但是现有生产工艺的晶体管阈值电压会存在约±10% - ±16%的偏差。由电流公式知道，阈值电压Vth的偏差对输出电流影响很大，特别是小电流输出Vgs与Vth比较接近时影响最明显。因此像素点电路需要对阈值电压进行补偿，否则各像素点输出电流偏差大，产生严重画面色彩不均匀的mura现象。现有的电压型驱动技术中主要改进方向为对阈值电压的补偿，因此出现了各种各样的阈值电压补偿方法，如专利号US11004391B2的苹果公司专利和申请号CN201980051590.1、CN201910145233.3、CN201910067791.2与202111449558.4的专利所示。但即使对阈值电压做了补偿，低灰度驱动时，Vgs-Vth的差值很小，电压的精度和一致性都难以控制，从而导致输出电流的精度难以控制。这也导致画面低灰mura问题严重。除了阈值电压的影响，寄生的布线电阻也会对电压型驱动产生影响。在高亮度大驱动电流时，栅源电压Vgs易受布线电阻和电流的影响导致中间暗两端亮的问题。因此现有的电压型像素点驱动电路具有较多引起一致性差的因素，导致其需要各种复杂的方法去补偿改善，常用的改善措施为像素点电路阈值电压补偿和产品后期进行的逐点校正demura技术。
阈值电压补偿通常采用像素点电路自补偿的方式，如图1所示为现有的阈值电压自补偿像素点电路，具有7个TFT晶体管1个电容。图2所示为现有的阈值电压自补偿像素点电路的控制时序，现有的阈值电压自补偿像素点电路具有Gn-1、Gn和EN控制端，具有INIT和Vdata电压信号输入端，具有电源ELVDD和地端。控制时序分为3步，第1在开始显示前Gn-1需输出低电平，控制T1和T2晶体管打开，INIT电压通过T1晶体管对电容Cst电容电压进行复位操作，同时T2晶体管对LED进行复位。第2 Gn信号输出低电平STFT和CTFT晶体管打开，栅极电容电压充电到目标电压Vcst=Vdata+Vth，第3 EN信号输出低电平T3和T4晶体管打开，栅极电容Cst电压即为驱动管DTFT的栅源电压，驱动管电流为Id=u*Cox*(W/L)*(Vgs-Vth)2=u*(W/L)*(Vdata)2，从而得到一个不受阈值电压影响的源极输出电流，实现阈值电压补偿。该方式可以较好的实现阈值电压补偿。但是在小电流输出时，驱动管可能进入亚阈值区，输出电流公式产生变化，从而导致小电流输出时输出电流偏差大的问题。在大电流输出时图1所示的T4晶体管的导通电阻会产生压降，电源布线电阻也会产生压降，这会影响驱动管的真实栅源电压Vgs，从而导致驱动管在大输出电流时存在偏差，需要进一步补偿。而且晶体管的阈值电压会受温度的变化而变化，需要进行温度补偿。可以知道现有的电压型驱动技术即使采用了阈值电压补偿技术，但是输出电流仍然受亚阈值区、布线电阻和温度等多种因素影响，仍然存在输出电流不一致性较差的问题。导致产品后期需要复杂的调优技术，调优难度大。
现有技术中应用于OLED驱动的像素点电路也有部分采用电流型驱动方法，如申请号201210133100.2和201310214664.3的专利。但是这些电流驱动方法是直接采用灰度电流对栅极电容进行充放电，可以知道在低灰时，灰度电流极小，栅极电容充放电速度极慢，所以实用性不强。
发明内容
本发明的目的在于提供一种Micro LED电流型驱动电路及其实现方法，主要解决现有驱动电路灰度电流极小，栅极电容充放电速度极慢的问题。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种Micro LED电流型驱动电路，由源极驱动电路和像素点电流型驱动电路构成；所述源极驱动电路由运算放大器OP和一端分别连接在运算放大器OP的两个输入端且另一端接地的电阻Rr1、电阻Rr2组成，运算放大器OP的输出端和反相输入端Vn与像素点电流型驱动电路相连；运算放大器OP的同相输入端输入电流Idata；
所述像素点电流型驱动电路包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT1，连接于晶体管DT1的栅极与源极之间的电容Cst，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极接入电源ELVDD。
一种Micro LED电流型驱动电路，由源极驱动电路和像素点电流型驱动电路构成；所述源极驱动电路由运算放大器OP和一端分别连接在运算放大器OP的两个输入端且另一端接地的电阻Rr1、电阻Rr2组成，运算放大器OP的输出端和反相输入端Vn与像素点电流型驱动电路相连；运算放大器OP的同相输入端输入电流Idata；
所述像素点电流型驱动电路包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT2，连接于晶体管DT2的栅极与源极之间的电容Cst，栅极与晶体管TS1的源极相连、源极与晶体管DT2的源极相连晶体管DT1，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极接入电源ELVD。
一种Micro LED电流型驱动电路的实现方法，采用Wn信号同时控制晶体管TS1和晶体管TS2，Idata电流加到电阻Rr1上得到相应电压输入运算放大器OP的同相输入端Vp，同时在晶体管TS1和晶体管TS2打开时，电容Cst的电压Vg驱动晶体管DT1打开，并输出电流Ifb通过晶体管TS2流回到运算放大器OP的反相输入端Vn；运算放大器OP输出电压Vdrv通过晶体管TS1给电容Cst进行充放电控制，调整电压Vg大小，从而调整晶体管DT1的输出电流Ifb大小，直到Ifb电流加到电阻Rr2上的电压即反相输入端Vn电压与运算放大器OP的同相输入端Vp电压相同；运算放大器OP的输出电压Vdrv稳定不变，晶体管DT1的电压Vg稳定，晶体管DT1输出稳定电流Ifb，由运算放大器OP两输入端电压相同可得Idata*Rr1=Ifb*Rr2，即Ifb=Idata*Rr1/Rr2；则Ifb电流大小精确得与Idata电流成比例变化；Ifb电流为晶体管DT1的输出电流，即作为驱动管的晶体管DT1能精确的输出Idata电流。
一种Micro LED电流型驱动电路的实现方法，采用Wn信号同时控制晶体管TS1和晶体管TS2，Idata电流加到电阻Rr1上得到相应电压输入运算放大器OP的同相输入端Vp，同时在晶体管TS1和晶体管TS2打开时，电容Cst的电压Vg驱动晶体管DT2打开，并输出电流Ifb通过晶体管TS2流回到运算放大器OP的反相输入端Vn；
运算放大器OP输出电压Vdrv通过晶体管TS1给电容Cst进行充放电控制，调整电压Vg大小，从而调整晶体管DT1的输出电流Ifb大小，直到Ifb电流加到电阻Rr2上的电压即反相输入端Vn电压与运算放大器OP的同相输入端Vp电压相同；运算放大器OP的输出电压Vdrv稳定不变，晶体管DT1的电压Vg稳定，晶体管DT1输出稳定电流Ifb，由运算放大器OP两输入端电压相同可得Idata*Rr1=Ifb*Rr2，即Ifb=Idata*Rr1/Rr2；则Ifb电流大小精确得与Idata电流成比例变化；且晶体管DT1和晶体管DT2的栅源电压Vgs相同；则晶体管DT1的输出电流能精确的镜像晶体管DT2的Ifb电流输出；即作为驱动管的晶体管DT1能精确的输出Idata电流。
进一步地，在本发明中，采用Wn信号和Wn+1信号分别控制晶体管TS1和晶体管TS2，晶体管TS1、晶体管TS2关闭时，使晶体管TS1先于晶体管TS2关闭。
进一步地，在本发明中，采用Wn信号控制运算放大器OP，采用Wn+1信号同时控制晶体管TS1和晶体管TS2；在晶体管TS1和晶体管TS2关闭前，先关闭运算放大器OP的输出，使运算放大器OP输出高阻态。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明提出的驱动电路不需对驱动管进行阈值电压Vth补偿，因为TFT驱动管和反馈管是匹配设计，不管其阈值电压或其他参数怎样变化，最终运算放大器都是输出一个合适的栅极电压，使得反馈管的输出电流等于目标电流。即阈值电压Vth变化后，栅源电压Vgs也会跟着变化，使得反馈管输出电流相同，通过电流镜的作用驱动管的输出电流等于反馈管电流。由于反馈管和驱动管的栅源电压相同，所以电源的布线电阻对驱动电流没有影响，输出电流不受布线电阻的影响。不管驱动电流是大电流还是小电流，驱动Micro LED的电流都精确地与输入的灰度电流Idata成比例变化，而且响应速度快。
附图说明
图1为现有的阈值电压自补偿像素点电路示意图。
图2 为现有的阈值电压自补偿像素点电路控制时序图。
图3为本发明-实施例1的电流型驱动电路示意图。
图4为本发明-实施例2的电流型驱动电路示意图。
图5为本发明-实施例1、2 的电流型驱动电路控制时序图。
图6为本发明-实施例1中的电流型驱动电路的一种控制方式是示意图。
图7为本发明-实施例2中的电流型驱动电路的一种控制方式是示意图。
图8为本发明-实施例1中的电流型驱动电路的另一种控制方式是示意图。
图9为本发明-实施例2中的电流型驱动电路的另一种控制方式是示意图。
图10为本发明-实施例3、4中电流型驱动电路控制时序图。
图11为本发明的另一种电流型驱动电路示意图。
具体实施方式
下面结合附图说明和实施例对本发明作进一步说明，本发明的方式包括但不仅限于以下实施例。
本实施例公开的一种Micro LED电流型驱动电路，由源极驱动电路和像素点电流型驱动电路构成；源极驱动电路是采用成熟CMOS（场效应晶体管）工艺设计的芯片驱动部分电路，像素点电流型电路是做在玻璃基板上的薄膜晶体管TFT电路，两个电路通过互联线进行连接。
实施例1
如图3所示，在本实施例中，所述源极驱动电路由运算放大器OP和一端分别连接在运算放大器OP的两个输入端且另一端接地的电阻Rr1、电阻Rr2组成，运算放大器OP的输出端和反相输入端Vn与像素点电流型驱动电路相连；运算放大器OP的同相输入端输入电流Idata。
所述像素点电流型驱动电路包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT1，连接于晶体管DT1的栅极与源极之间的电容Cst，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极接入电源ELVDD。
在该电路中，采用Wn信号同时控制晶体管TS1和晶体管TS2，Idata电流加到电阻Rr1上得到相应电压输入运算放大器OP的同相输入端Vp，同时在晶体管TS1和晶体管TS2打开时，电容Cst的电压Vg驱动晶体管DT1打开，并输出电流Ifb通过晶体管TS2流回到运算放大器OP的反相输入端Vn；运算放大器OP输出电压Vdrv通过晶体管TS1给电容Cst进行充放电控制，调整电压Vg大小，从而调整晶体管DT1的输出电流Ifb大小，直到Ifb电流加到电阻Rr2上的电压即反相输入端Vn电压与运算放大器OP的同相输入端Vp电压相同；运算放大器OP的输出电压Vdrv稳定不变，晶体管DT1的电压Vg稳定，晶体管DT1输出稳定电流Ifb，由运算放大器OP两输入端电压相同可得Idata*Rr1=Ifb*Rr2，即Ifb=Idata*Rr1/Rr2；则Ifb电流大小精确得与Idata电流成比例变化；Ifb电流为晶体管DT1的输出电流，即作为驱动管的晶体管DT1能精确的输出Idata电流。
当晶体管TS1关闭后电压Vg被电容Cst保持住，EN打开，电压Vg控制晶体管DT1输出电流驱动LED点亮相应的灰度。LED的驱动电流最终受Idata精确控制。由于运算放大器OP的输出具有较强的驱动能力，因此即使Idata和Ifb电流很小，电容Cst的电压Vg也可以快速的通过OP输出Vdrv电压驱动稳定下来，使得不管晶体管DT1输出电流Ifb的大小都可以快速地稳定到目标电流上，实现快速响应的Micro LED高精度电流驱动的目的。
实施例2
如图4所示，本实施例公开的一种Micro LED电流型驱动电路，由源极驱动电路和像素点电流型驱动电路构成；所述源极驱动电路由运算放大器OP和一端分别连接在运算放大器OP的两个输入端且另一端接地的电阻Rr1、电阻Rr2组成，运算放大器OP的输出端和反相输入端Vn与像素点电流型驱动电路相连；运算放大器OP的同相输入端输入电流Idata。
所述像素点电流型驱动电路包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT2，连接于晶体管DT2的栅极与源极之间的电容Cst，栅极与晶体管TS1的源极相连、源极与晶体管DT2的源极相连晶体管DT1，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极接入电源ELVD。
在本实施例中，采用Wn信号同时控制晶体管TS1和晶体管TS2，Idata电流加到电阻Rr1上得到相应电压输入运算放大器OP的同相输入端Vp，同时在晶体管TS1和晶体管TS2打开时，电容Cst的电压Vg驱动晶体管DT2打开，并输出电流Ifb通过晶体管TS2流回到运算放大器OP的反相输入端Vn；
运算放大器OP输出电压Vdrv通过晶体管TS1给电容Cst进行充放电控制，调整电压Vg大小，从而调整晶体管DT1的输出电流Ifb大小，直到Ifb电流加到电阻Rr2上的电压即反相输入端Vn电压与运算放大器OP的同相输入端Vp电压相同；运算放大器OP的输出电压Vdrv稳定不变，晶体管DT1的电压Vg稳定，晶体管DT1输出稳定电流Ifb，由运算放大器OP两输入端电压相同可得Idata*Rr1=Ifb*Rr2，即Ifb=Idata*Rr1/Rr2；则Ifb电流大小精确得与Idata电流成比例变化；且晶体管DT1和晶体管DT2的栅源电压Vgs相同；则晶体管DT1的输出电流能精确的镜像晶体管DT2的Ifb电流输出；即作为驱动管的晶体管DT1能精确的输出Idata电流。
当晶体管TS1关闭后电压Vg被电容Cst保持住，EN打开，电压Vg控制晶体管DT1输出电流驱动LED点亮相应的灰度。LED的驱动电流最终受Idata精确控制。由于运算放大器OP的输出具有较强的驱动能力，因此即使Idata和Ifb电流很小，电容Cst的电压Vg也可以快速的通过OP输出Vdrv电压驱动稳定下来，使得不管晶体管DT2输出电流Ifb的大小都可以快速地稳定到目标电流上，实现快速响应的Micro LED高精度电流驱动的目的。
图5所示为实施例1、实施例2的控制时序。只有简单的两个时序阶段，第1为电流驱动阶段，Wn为低电平，晶体管TS1和晶体管TS2导通，EN为高电平晶体管TS3关闭。运算放大器OP输出Vdrv驱动晶体管DT1的栅极电容电压Vg稳定，使得Ifb电流与Idata电流成一定比例。驱动完成后，信号Wn变高电平，晶体管TS1和晶体管TS2关闭，栅极电容Cst将电压Vg保持住。第2为显示阶段，EN为低电平，晶体管TS3打开，晶体管DT1输出驱动电流经过TS3流到LED上，实现LED灰度控制。当EN为高电平后晶体管TS3关闭，LED无电流流过，显示结束。接着进行下一画面灰度数据刷新，如此重复。由此，可以知道本发明的一种Micro LED电流型驱动电路的控制时序极为简单。加上电流驱动的响应速度快速，因此像素点驱动电流的刷新速率极快。这极大的加快了行扫描刷新速率，在一帧画面时间内，行刷新速率快，那么驱动芯片支持的行扫描数也增加。从而使得采用本发明技术方案可以提高画面刷新频率和提高屏幕最大分辨率。
实施例3
由图3的电路结构知道，Wn信号关闭时，晶体管TS1和晶体管TS2断开，导致运算放大器OP的控制环路断开，如果晶体管TS2先于晶体管TS1关闭，则Ifb电流变小后导致运算放大器OP的反相输入端Vn的电压下降，从而运算放大器OP输出Vdrv快速增大，这时晶体管TS1没有关闭，Vdrv的错误电压就会通过晶体管TS1传到电压Vg上，导致电流镜在开关关闭时刻保存了错误的驱动电流值。所以必须保证TS1先于TS2前关闭。因此，在本实施例中，如图6、图7所示，采用Wn信号和Wn+1信号分别控制晶体管TS1和晶体管TS2，使Wn+1信号晚于Wn信号关闭，如图10时序所示。在晶体管TS1关闭时刻Ifb电流保持稳定，从而OP的输出Vdrv保存稳定。这样就可以保证电流镜栅极电压Vg可以在关闭时刻保持稳定，电容Cst存储准确的栅源电压值。而且采用本实施例结构的电路可以单独控制Wn+1信号以控制晶体管TS2打开，以检测实施例2中的晶体管DT2的输出电流Ifb是否仍然维持在目标电流上。
实施例4
由于实施例3提出的控制方法需要增加一根信号线，增加像素点电路的布线数量。图8、图9所示的实施例采用在TS1和TS2关闭前，先关闭运算放大器OP的输出，使运算放大器输出高阻态，避免在TS2晶体管关闭过程中Ifb电流变化对Vdrv电压的影响。因此，本实施例采用了输出可三态控制的运算放大器OP，Wn为高电平时OP输出高阻态，Wn为低电平时OP正常输出。如图10时序所示，电流驱动阶段，Wn和Wn+1同时为低电平，OP正常输出，TS1和TS2打开。Vdrv驱动电压Vg使Ifb电流与灰度电流Idata成比例变化，待稳定后，Wn先变高，这时OP2输出高阻态，Vdrv和电压Vg由于没有驱动源，保持稳定不变，DT1继续输出恒定的Ifb电流。这时Wn+1变高关闭TS1和TS2不会对Vdrv和Vg电压产生影响。从而避免了关闭时刻环路断开顺序不当造成的驱动电流异常问题。
本发明中所有晶体管均为PMOS管，将PMOS管替换为NMOS管也能达到相同的技术效果，且电路工作原理相同，其相应的电路结构如图11所示，本发明不再对其具体原理进行赘述。
上述实施例仅为本发明的优选实施方式之一，不应当用于限制本发明的保护范围，但凡在本发明的主体设计思想和精神上作出的毫无实质意义的改动或润色，其所解决的技术问题仍然与本发明一致的，均应当包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种Micro LED电流型驱动电路，其特征在于，由源极驱动电路和像素点电流型驱动电路构成；所述源极驱动电路由运算放大器OP和一端分别连接在运算放大器OP的两个输入端且另一端接地的电阻Rr1、电阻Rr2组成，运算放大器OP的输出端和反相输入端Vn与像素点电流型驱动电路相连；运算放大器OP的同相输入端输入电流Idata；
所述像素点电流型驱动电路包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT1，连接于晶体管DT1的栅极与源极之间的电容Cst，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极接入电源ELVDD。
2.一种Micro LED电流型驱动电路，其特征在于，由源极驱动电路和像素点电流型驱动电路构成；所述源极驱动电路由运算放大器OP和一端分别连接在运算放大器OP的两个输入端且另一端接地的电阻Rr1、电阻Rr2组成，运算放大器OP的输出端和反相输入端Vn与像素点电流型驱动电路相连；运算放大器OP的同相输入端输入电流Idata；
所述像素点电流型驱动电路包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT2，连接于晶体管DT2的栅极与源极之间的电容Cst，栅极与晶体管TS1的源极相连、源极与晶体管DT2的源极相连晶体管DT1，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极接入电源ELVD。
3.如权利要求1所述的一种Micro LED电流型驱动电路的实现方法，其特征在于，采用Wn信号同时控制晶体管TS1和晶体管TS2，Idata电流加到电阻Rr1上得到相应电压输入运算放大器OP的同相输入端Vp，同时在晶体管TS1和晶体管TS2打开时，电容Cst的电压Vg驱动晶体管DT1打开，并输出电流Ifb通过晶体管TS2流回到运算放大器OP的反相输入端Vn；运算放大器OP输出电压Vdrv通过晶体管TS1给电容Cst进行充放电控制，调整电压Vg大小，从而调整晶体管DT1的输出电流Ifb大小，直到Ifb电流加到电阻Rr2上的电压即反相输入端Vn电压与运算放大器OP的同相输入端Vp电压相同；运算放大器OP的输出电压Vdrv稳定不变，晶体管DT1的电压Vg稳定，晶体管DT1输出稳定电流Ifb，由运算放大器OP两输入端电压相同可得Idata*Rr1=Ifb*Rr2，即Ifb=Idata*Rr1/Rr2；则Ifb电流大小精确得与Idata电流成比例变化；Ifb电流为晶体管DT1的输出电流，即作为驱动管的晶体管DT1能精确的输出Idata电流。
4.如权利要求2所述的一种Micro LED电流型驱动电路的实现方法，其特征在于，采用Wn信号同时控制晶体管TS1和晶体管TS2，Idata电流加到电阻Rr1上得到相应电压输入运算放大器OP的同相输入端Vp，同时在晶体管TS1和晶体管TS2打开时，电容Cst的电压Vg驱动晶体管DT2打开，并输出电流Ifb通过晶体管TS2流回到运算放大器OP的反相输入端Vn；
运算放大器OP输出电压Vdrv通过晶体管TS1给电容Cst进行充放电控制，调整电压Vg大小，从而调整晶体管DT1的输出电流Ifb大小，直到Ifb电流加到电阻Rr2上的电压即反相输入端Vn电压与运算放大器OP的同相输入端Vp电压相同；运算放大器OP的输出电压Vdrv稳定不变，晶体管DT1的电压Vg稳定，晶体管DT1输出稳定电流Ifb，由运算放大器OP两输入端电压相同可得Idata*Rr1=Ifb*Rr2，即Ifb=Idata*Rr1/Rr2；则Ifb电流大小精确得与Idata电流成比例变化；且晶体管DT1和晶体管DT2的栅源电压Vgs相同；则晶体管DT1的输出电流能精确的镜像晶体管DT2的Ifb电流输出；即作为驱动管的晶体管DT1能精确的输出Idata电流。
5.根据权利要求3或4所述的一种Micro LED电流型驱动电路的实现方法，其特征在于，采用Wn信号和Wn+1信号分别控制晶体管TS1和晶体管TS2，晶体管TS1、晶体管TS2关闭时，使晶体管TS1先于晶体管TS2关闭。
6.根据权利要求3或4所述的一种Micro LED电流型驱动电路的实现方法，其特征在于，采用Wn信号控制运算放大器OP，采用Wn+1信号同时控制晶体管TS1和晶体管TS2；在晶体管TS1和晶体管TS2关闭前，先关闭运算放大器OP的输出，使运算放大器OP输出高阻态。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311515286.2A CN117238241B (zh) | 2023-11-15 | 2023-11-15 | 一种Micro LED电流型驱动电路及其实现方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311515286.2A CN117238241B (zh) | 2023-11-15 | 2023-11-15 | 一种Micro LED电流型驱动电路及其实现方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117238241A true CN117238241A (zh) | 2023-12-15 |
| CN117238241B CN117238241B (zh) | 2024-02-23 |
Family
ID=89096931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311515286.2A Active CN117238241B (zh) | 2023-11-15 | 2023-11-15 | 一种Micro LED电流型驱动电路及其实现方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117238241B (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2443206A1 (en) * | 2003-09-23 | 2005-03-23 | Ignis Innovation Inc. | Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation |
| KR20060115577A (ko) * | 2005-05-06 | 2006-11-09 | 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 | 전류 구동 회로 |
| US20080238327A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Amoled drive circuit using transient current feedback and active matrix driving method using the same |
| CN105139799A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-12-09 | 中山大学 | 一种amoled显示像素点驱动电路及其驱动方法 |
| US20150379937A1 (en) * | 2014-06-26 | 2015-12-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display for compensating for variations in electrical characteristics of driving element |
| CN106910465A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-06-30 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 发光显示装置 |
| CN110706657A (zh) * | 2018-07-10 | 2020-01-17 | 上海视欧光电科技有限公司 | 一种像素电路及显示装置 |
| CN111312173A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种像素电路及像素驱动的方法 |
| CN111583864A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示驱动电路及其驱动方法、显示装置 |
-
2023
- 2023-11-15 CN CN202311515286.2A patent/CN117238241B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2443206A1 (en) * | 2003-09-23 | 2005-03-23 | Ignis Innovation Inc. | Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation |
| US20070080908A1 (en) * | 2003-09-23 | 2007-04-12 | Arokia Nathan | Circuit and method for driving an array of light emitting pixels |
| KR20060115577A (ko) * | 2005-05-06 | 2006-11-09 | 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 | 전류 구동 회로 |
| US20080238327A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Amoled drive circuit using transient current feedback and active matrix driving method using the same |
| US20150379937A1 (en) * | 2014-06-26 | 2015-12-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display for compensating for variations in electrical characteristics of driving element |
| CN105139799A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-12-09 | 中山大学 | 一种amoled显示像素点驱动电路及其驱动方法 |
| CN106910465A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-06-30 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 发光显示装置 |
| CN110706657A (zh) * | 2018-07-10 | 2020-01-17 | 上海视欧光电科技有限公司 | 一种像素电路及显示装置 |
| CN111312173A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种像素电路及像素驱动的方法 |
| CN111583864A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示驱动电路及其驱动方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117238241B (zh) | 2024-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2020001635A1 (zh) | 驱动电路及其驱动方法、显示装置 | |
| EP3576080B1 (en) | Pixel driving circuit, pixel driving method, display panel and display device | |
| KR100739335B1 (ko) | 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 | |
| JP5014338B2 (ja) | 電流駆動型表示装置 | |
| CN112509519A (zh) | 一种显示面板的驱动方法及显示装置 | |
| CN110164378B (zh) | Amoled像素电路及其驱动方法 | |
| US11263976B2 (en) | Display device and method of driving the same | |
| CN111048044B (zh) | 电压编程型amoled像素驱动电路及其驱动方法 | |
| JP2012242838A (ja) | 画素ユニット回路及びｏｌｅｄ表示装置 | |
| KR20100134125A (ko) | 발광 소자 디스플레이에 대한 시스템 및 구동 방법 | |
| JP2003058106A (ja) | 表示装置の駆動回路 | |
| CN112313732A (zh) | 显示设备 | |
| CN114694578B (zh) | 显示装置 | |
| CN109215583B (zh) | 数据驱动器和有机发光显示装置 | |
| US8624801B2 (en) | Pixel structure having a transistor gate voltage set by a reference voltage | |
| KR20180075054A (ko) | 유기발광소자표시장치 | |
| US11562699B2 (en) | Display device and method for driving the same | |
| KR101295876B1 (ko) | 유기 발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법 | |
| CN114299866A (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
| CN113838407A (zh) | 用于控制显示面板的设备和方法 | |
| KR20150035073A (ko) | 유기발광소자표시장치 및 그 구동방법 | |
| KR101322171B1 (ko) | 유기 발광다이오드 표시장치와 그 구동방법 | |
| CN209785530U (zh) | 一种像素补偿电路 | |
| CN117238241B (zh) | 一种Micro LED电流型驱动电路及其实现方法 | |
| JP4536392B2 (ja) | 表示装置および表示装置の駆動方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |