CN117200781A - 驱动输出电路和电子设备 - Google Patents

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CN117200781A
CN117200781A CN202311036504.4A CN202311036504A CN117200781A CN 117200781 A CN117200781 A CN 117200781A CN 202311036504 A CN202311036504 A CN 202311036504A CN 117200781 A CN117200781 A CN 117200781A
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CN
China
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transistor
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controlled
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Inventor
杨明
尹亮
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Harbin Xien Technology Co ltd
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Harbin Xien Technology Co ltd
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Abstract

本申请涉及电子设备技术领域,公开一种驱动输出电路,包括:电源模块;配置模块,配置模块的输入端与电源模块连接,被配置为待控晶体管提供可调的驱动电压和驱动电流;控制模块,控制模块的输入端与配置模块的输出端连接,控制模块的输出端与待控晶体管的栅极连接,被配置为控制待控晶体管的导通和截止。本申请在对待控晶体管的驱动输出电路中,设置了配置模块,由于配置模块可以提供可调的驱动电压和驱动电流,由于配置模块通过控制模块与待控晶体管的栅极连接,所以,本申请可以满足不同参数型号的待控晶体管的驱动需求。本申请还公开一种电子设备。

Description

驱动输出电路和电子设备
技术领域
本申请涉及电子设备技术领域,例如涉及一种驱动输出电路和电子设备。
背景技术
目前,对于MOS晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)而言,为降低导通电阻、提升耐压能力,其MOS晶体管栅极面积通常较大,导致等效输入电容较大。为实现功率MOS晶体管的快速导通及截止,通常需要为功率MOS晶体管配置具有大电流输出能力的专用驱动电路。
针对不同参数型号的功率MOS晶体管,其驱动电路的电压幅值、驱动电流等参数对于功率器件的导通电阻、自身损耗、输出电压超调等性能有较大影响。现有的驱动电路,通常只能满足一种参数型号的功率MOS晶体管,不能满足不同参数型号的功率MOS晶体管。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解,下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述,也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围,而是作为后面的详细说明的序言。
本公开实施例提供了一种驱动输出电路和电子设备,可以满足不同参数型号的功率MOS晶体管的驱动需求。
在一些实施例中,驱动输出电路包括:电源模块;配置模块,配置模块的输入端与电源模块连接,被配置为待控晶体管提供可调的驱动电压和驱动电流;控制模块,控制模块的输入端与配置模块的输出端连接,控制模块的输出端与待控晶体管的栅极连接,被配置为控制待控晶体管的导通和截止。
可选地,控制模块的输入端包括第一输入端和第二输入端;配置模块包括:电压配置模块,电压配置模块的输入端与电源模块连接,电压配置模块的输出端与控制模块的第一输入端连接,被配置为待控晶体管提供可调的驱动电压;电流配置模块,电流配置模块的输入端与电源模块连接,电流模块的输出端与控制模块的第二输入端连接,被配置为待控晶体管提供可调的驱动电流。
可选地,电源模块包括第一电源和第二电源;电压配置模块包括:第一放大器,第一放大器的正向输入端与第一电源连接;N条电压配置支路,任一条电压配置支路的第一端与第一放大器的负向输入端连接,任一条电压配置支路的第二端与地线连接;其中,N大于或者等于1;第一晶体管,第一晶体管的栅极与第一放大器的输出端连接,第一晶体管的漏极与第二电源连接,第一晶体管的源极与控制模块的第一输入端连接;第一保护电阻,第一保护电阻的第一端与第一放大器的负向输入端连接,第一保护电阻的第二端与第一晶体管的源极连接。
可选地,电压配置支路包括:第一开关,第一开关的第一端与第一放大器的负向输入端连接;第一电阻,第一电阻的第一端与第一开关的第二端连接,第一电阻的第二端与地线连接。
可选地,电压配置支路包括:第一开关,第一开关的第一端与第一放大器的负向输入端连接;第一电阻,第一电阻的第一端与第一开关的第二端连接,第一电阻的第二端与地线连接。
可选地,电源模块包括第一电源;电流配置模块包括:第二放大器,第二放大器的正向输入端与第一电源连接;M条电流配置支路,任一条电流配置支路的第一端与第二放大器的负向输入端连接,任一条电流配置支路的第二端与地线连接;其中,M大于或者等于1;第二晶体管,第二晶体管的栅极与第二放大器的输出端连接,第二晶体管的漏极与控制模块的第二输入端连接;第二保护电阻,第二保护电阻的第一端与第二放大器的负向输入端连接,第二保护电阻的第二端与第二晶体管的源极连接。
可选地,电流配置支路包括:第二开关,第二开关的第一端与第二放大器的负向输入端连接;第二电阻,第二电阻的第一端与第二开关的第二端连接,第二电阻的第二端与地线连接。
可选地,控制模块包括:电流镜模块,电流镜模块的第一输入端与电压配置模块的输出端连接,电流镜模块的第二输入端与电流配置模块的输出端连接;驱动模块,驱动模块的第一输入端与电流镜模块的第一输出端连接,驱动模块的第二输入端与电流镜模块的第二输出端连接,驱动模块的输出端与待控晶体管的栅极连接。
可选地,电流镜模块包括:第三晶体管,源极与电压配置模块的输出端连接,漏极与电流配置模块的输出端连接;第四晶体管,源极与电压配置模块的输出端连接,栅极与第三晶体管的栅极和漏级连接;第五晶体管,源极与电压配置模块的输出端连接,栅极与第三晶体管的栅极和漏级连接,漏级与驱动模块的第一输入端连接;第六晶体管,源极与第四晶体管的漏级连接,漏级与地线连接;第七晶体管,源极与驱动模块的第二输入端连接,栅极与第六晶体管的栅极和源极连接,漏级与地线连接。
可选地,驱动模块包括:控制电源;第一控制开关,源极与电流镜模块的第一输出端连接,栅极与控制电源连接,漏级与待控晶体管的栅极连接;第二控制开关,源极与待控晶体管的栅极连接,栅极与控制电源连接,漏级与电流镜模块的第二输出端连接。
在一些实施例中,电子设备包括:设备本体;如上述的驱动输出电路,安装于设备本体。
本公开实施例提供的驱动输出电路和电子设备,可以实现以下技术效果:
本公开实施例中,在对待控晶体管的驱动输出电路中,设置了配置模块,由于配置模块可以提供可调的驱动电压和驱动电流,由于配置模块通过控制模块与待控晶体管的栅极连接,所以,本公开实施例了可以满足不同参数型号的待控晶体管(功率MOS晶体管)的驱动需求。
以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的,不用于限制本申请。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明,这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件,附图不构成比例限制,并且其中:
图1是本公开实施例提供的一个驱动输出电路的示意图;
图2是本公开实施例提供的另一个驱动输出电路的示意图;
图3是本公开实施例提供的一个电压配置模块的示意图;
图4是本公开实施例提供的一个电流配置模块的示意图;
图5是本公开实施例提供的另一个驱动输出电路的示意图;
图6是本公开实施例提供的另一个驱动输出电路的示意图;
图7是本公开实施例提供的一个电子设备的示意图。
附图标记:
10、驱动输出电路;
100、电源模块;110、第一电源;120、第二电源;
200、配置模块;210、电压配置模块;211、第一放大器;212、电压配置支路;2121、第一开关;2122、第一电阻;213、第一晶体管;214第一保护电阻;220、电流配置模块;221、第二放大器;222、电流配置支路;2221、第二开关;2222、第二电阻;223、第二晶体管;224、第二保护电阻;
300、控制模块;310、电流镜模块;311、第三晶体管;312、第四晶体管;313、第五晶体管;314、第六晶体管;315、第七晶体管;320、驱动模块;321、控制电源;322、第一控制开关;323、第二控制开关;
400、待控晶体管;
500、电子设备;510、设备本体。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容,下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述,所附附图仅供参考说明之用,并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中,为方便解释起见,通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而,在没有这些细节的情况下,一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下,为简化附图,熟知的结构和装置可以简化展示。
本公开实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本公开实施例的实施例。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。
除非另有说明,术语“多个”表示两个或两个以上。
本公开实施例中,字符“/”表示前后对象是一种“或”的关系。例如,A/B表示:A或B。
术语“和/或”是一种描述对象的关联关系,表示可以存在三种关系。例如,A和/或B,表示:A或B,或,A和B这三种关系。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本公开实施例中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
结合图1所示,本公开实施例提供一种驱动输出电路10,包括电源模块100、配置模块200和控制模块300。配置模块200的输入端与电源模块100连接,被配置为待控晶体管400提供可调的驱动电压和驱动电流。控制模块300的输入端与配置模块200的输出端连接,控制模块300的输出端与待控晶体管400的栅极连接,被配置为控制待控晶体管400的导通和截止。
在本公开实施例中,待控晶体管400为功率MOS晶体管,电源模块100为能够提供基准电压和供电电压的电源器件。
具体地,配置模块200通过电源模块100进行供电。配置模块200通过控制模块300与待控晶体管400的栅极连接,使得可以通过配置模块200对电源模块100提供的电压和电流进行转换,为待控晶体管400提供满足其参数型号的驱动电压和驱动电流。
在本公开实施例中,在对待控晶体管400的驱动输出电路10中,设置了配置模块200,由于配置模块200可以提供可调的驱动电压和驱动电流,所以,本公开实施例可以为满足不同参数型号的待控晶体管400的驱动需求。
可选地,如图2所示,控制模块300的输入端包括第一输入端和第二输入端。配置模块200包括电压配置模块210和电流配置模块220。电压配置模块210的输入端与电源模块100连接,电压配置模块210的输出端与控制模块300的第一输入端连接,被配置为待控晶体管400提供可调的驱动电压。电流配置模块220的输入端与电源模块100连接,电流模块的输出端与控制模块300的第二输入端连接,被配置为待控晶体管400提供可调的驱动电流。
在本公开实施例中,控制模块300包括有第一输入端和第二输入端。配置模块200包括有电压配置模块210和电流配置模块220。
具体地,电压配置模块210通过电源模块100进行供电,电压配置模块210的输出端与控制模块300的第一输入端连接,以向与控制模块300相连接的待控晶体管400提供驱动电压。由于电压配置模块210提供的电压是可以调节的,所以本公开实施例可以通过电压配置模块210为待控晶体管400符合其参数型号的驱动电压。
具体地,电流配置模块220通过电源模块100进行供电,电流配置模块220的输出端与控制模块300的第二输入端连接,以向与控制模块300相连接的待控晶体管400提供驱动电流。由于电流配置模块220提供的电流是可以调节的,所以本公开实施例可以通过电流配置模块220为待控晶体管400符合其参数型号的驱动电流。
在本公开实施例中,在对待控晶体管400的驱动输出电路10中,设置了可以提供可调驱动电压的电压配置模块210和可以提供可调驱动电流的电流配置模块220,所以,本公开实施例可以为满足不同参数型号的待控晶体管400的驱动需求。
可选地,如图3所示,电源模块100包括第一电源110和第二电源120;电压配置模块210包括第一放大器211、N条电压配置支路212、第一晶体管213和第一保护电阻214。第一放大器211的正向输入端与第一电源110连接。任一条电压配置支路212的第一端与第一放大器211的负向输入端连接,任一条电压配置支路212的第二端与地线连接;其中,N大于或者等于1。第一晶体管213的栅极与第一放大器211的输出端连接,第一晶体管213的漏极与第二电源120连接,第一晶体管213的源极与控制模块300的第一输入端连接。第一保护电阻214的第一端与第一放大器211的负向输入端连接,第一保护电阻214的第二端与第一晶体管213的源极连接。
在本公开实施例中,电源模块100包括第一电源110和第二电源120。其中,第一电源110用于为第一放大器211提供基准电压,第二电源120用于为第一晶体管213提供供电电压。第一放大器211为运算放大器,包括有正向输入端和负向输入端。第一晶体管213为N型MOS晶体管。电压配置支路212的条数为N条,其中N大于或者等于1。
具体地,第一放大器211与第一电源110的正向输入端连接,使得第一电源110提供的基准电压可以通过第一放大器211进行误差消除处理,减少第一电源110提供的电压误差。
具体地,由于电压配置支路212的一端与第一放大器211的负向输入端连接,另一端与地线相连接。所以连接至第一放大器211的负向输入端的电压配置支路212的条数不同,第一放大器211输出的电压值不同。因此,电压配置模块210可以提供可调的驱动电压。
具体地,第一晶体管213的栅极与第一放大器211的输出端连接,第一晶体管213的漏级与第二电源120连接,以为第一晶体管213提供供电电压,第一晶体管213的源极与控制模块300的第一输入端连接。这样,可以对第一放大器211输出的电压可以经过第一晶体管213进行阻抗变换,使得电压配置模块210输出的驱动电压为恒流的电压。
具体地,第一放大器211的负向输入端和第一晶体管213的源极两端,还并联有第一保护电阻214。使得第一保护电阻214可以分担流经第一放大器211的电流,降低了第一放大器211由于电流过大或者冲击电流导致出现损坏的风险。
在本公开实施例中,在电压配置模块210中设置了N条电压配置支路212,使得电压配置模块210可以提供可调的驱动电压;在电压配置模块210设置了第一晶体管213,保证了电压配置模块210输出的驱动电压为恒流电压。
可选地,如图3所示,电压配置支路212包括第一开关2121和第一电阻2122。第一开关2121的第一端与第一放大器211的负向输入端连接。第一电阻2122的第一端与第一开关2121的第二端连接,第一电阻2122的第二端与地线连接。
具体地,每一个电压配置支路212均包括有相串联的第一开关2121和第一电阻2122。其中,第一开关2121的第一端与第一放大器211的负向输入端相连接,第一开关2121的第二端与第一电阻2122的第一端相连接,第一电阻2122的第二端与地线相连接。这样,使得可以通过控制第一开关2121的开启和关闭,控制连接至第一放大器211的负向输入端的电阻的数量。这样,使得电压配置模块210输出的驱动电压是可调的。
示例性地,电压配置模块210输出的驱动电压可以通过如下公式计算:
其中,VCC为电压配置模块210输出的驱动电压,Vref为第一电源110输出的基准电压,RF1为第一保护电阻214的电阻值,R1为连接至第一放大器211的负向输入端的电压配置支路212所提供的等效电阻值。
可选地,如图4所示,电源模块100包括第一电源110;电流配置模块220包括:第二放大器221,第二放大器221的正向输入端与第一电源110连接;M条电流配置支路222,任一条电流配置支路222的第一端与第二放大器221的负向输入端连接,任一条电流配置支路222的第二端与地线连接;其中,M大于或者等于1;第二晶体管223,第二晶体管223的栅极与第二放大器221的输出端连接,第二晶体管223的漏极与控制模块300的第二输入端连接;第二保护电阻224,第二保护电阻224的第一端与第二放大器221的负向输入端连接,第二保护电阻224的第二端与第二晶体管223的源极连接。
在本公开实施例中,电源模块100包括第一电源110。其中,第一电源110用于为第一放大器211提供基准电压。第二放大器221为运算放大器,包括有正向输入端和负向输入端。第二晶体管223为N型MOS晶体管。电压配置支路212的条数为M条,其中M大于或者等于1。具体地,第二放大器221与第一电源110的正向输入端连接,使得第一电源110提供的基准电压可以通过第二放大器221进行误差消除处理,减少第一电源110提供的电压误差。
具体地,由于电流配置支路222的一端与第二放大器221的负向输入端连接,另一端与地线相连接。所以连接至第二放大器221的负向输入端的电流配置支路222的条数不同,第二放大器221输出的电流值不同。因此,电流配置模块220可以提供可调的驱动电流。
具体地,第二晶体管223的栅极与第二放大器221的输出端连接,第二晶体管223的漏极与控制模块300的第二输入端连接。这样,可以通过第二晶体管223对第二放大器221输出的电流进行阻抗变换,使得电流配置模块220输出的驱动电流为恒流电流。
具体地,第二放大器221的负向输入端和第二晶体管223的源极两端,还并联有第二保护电阻224。使得第二保护电阻224可以分担流经第二放大器221的电流,降低了第二放大器221由于电流过大或者冲击电流导致出现损坏的风险。
在本公开实施例中,在电流配置模块220中设置了M条电流配置支路222,使得电流配置模块220可以提供可调的驱动电流;在电流配置模块220设置了第二晶体管223,保证了电流配置模块220输出的驱动电流为恒流电流。
可选地,如图4所示,电流配置支路222包括第二开关2221和第二电阻2222。第二开关2221的第一端与第二放大器221的负向输入端连接。第二电阻2222的第一端与第二开关2221的第二端连接,第二电阻2222的第二端与地线连接。
具体地,每一个电流配置支路222均包括有相串联的第二开关2221和第二电阻2222。其中,第二开关2221的第一端与第二放大器221的负向输入端相连接,第二开关2221的第二端与第二电阻2222的第一端相连接,第二电阻2222的第二端与地线相连接。这样,使得可以通过控制第二开关2221的开启和关闭,控制连接至第二放大器221的负向输入端的电阻的数量。使得电流配置模块220输出的驱动电流是可调的。
示例性地,电流配置模块220输出的驱动电流可以通过如下公式计算:
其中,IOUT为电流配置模块220输出的驱动电流,Vref为第一电源110输出的基准电压,R2为连接至第二放大器221的负向输入端的电流配置支路222所提供的等效电阻值。
可选地,如图5所示,控制模块300包括:电流镜模块310,电流镜模块310的第一输入端与电压配置模块210的输出端连接,电流镜模块310的第二输入端与电流配置模块220的输出端连接;驱动模块320,驱动模块320的第一输入端与电流镜模块310的第一输出端连接,驱动模块320的第二输入端与电流镜模块310的第二输出端连接,驱动模块320的输出端与待控晶体管400的栅极连接。
具体地,电流镜模块310的第一输出端所输出的电压为高电压,在驱动模块320的输入为电流镜模块310的第一输出端所输出的电压时,可以控制待控晶体管400导通。
具体地,电流镜模块310的第二输出端所输出的电压为低电压,在驱动模块320的输入为电流镜模块310的第二输出端所输出的电压时,可以控制待控晶体管400截止。
具体地,由于需要通过控制模块300控制待控晶体管400的导通和截止,所以需要在驱动模块320中设置至少两个作为开关器件的MOS晶体管,控制驱动模块320的第一输入端和第二输入端与待控晶体管400的栅极连接关系。因此,可能需要为多个器件对应的电流源提供偏置电压,或者,可能需要为多个器件提供多个恒定电流。
因此,本公开实施例中设置了电流镜模块310,将电流镜模块310的第一输入端与电压配置模块210的输出端连接,这样,可以为多个器件对应的电流源提供偏置电压。或者将电流镜模块310的第二输入端与电流配置模块220的输出端连接,这样,可以为多个器件提供多个恒定电流。提高了控制模块300控制待控晶体管400的导通或者截止的可靠性。
在本公开实施例中,通过在控制模块300设置电流镜单元,可以为驱动模块320的第一输入端和第二输入端分别提供偏置电压,或者分别提供恒定电流。这样,保证了对待控晶体管400控制的可靠性。
可选地,如图6所示,电流镜模块包括第三晶体管311、第四晶体管312、第五晶体管313、第六晶体管314和第七晶体管315。第三晶体管311的源极与电压配置模块210的输出端连接,漏极与电流配置模块220的输出端连接。第四晶体管312的源极与电压配置模块210的输出端连接,栅极与第三晶体管311的栅极和漏级连接;第五晶体管313的源极与电压配置模块210的输出端连接,栅极与第三晶体管311的栅极和漏级连接,漏级与驱动模块320的第一输入端连接。第六晶体管314的源极与第四晶体管312的漏级连接,漏级与地线连接。第七晶体管315的源极与驱动模块320的第二输入端连接,栅极与第六晶体管314的栅极和源极连接,漏级与地线连接。
在本公开实施例中,第三晶体管311和第七晶体管315为N型MOS晶体管,第四晶体管312、第五晶体管313和第六晶体管314为P型MOS晶体管。
具体地,由于第三晶体管311的源极与电压配置模块210的输出端连接,漏极与电流配置模块220的输出端连接。第五晶体管313的源极与电压配置模块210的输出端连接,栅极与第三晶体管311的栅极和漏级连接,漏级与驱动模块320的第一输入端连接。所以第三晶体管311和第五晶体管313可以构成电流镜,即第五晶体管313可以按照设定比例复制第三晶体管311所输出电流。减少了驱动电流传输时的电流损失。
具体地,因第五晶体管313的源极连接的是电压配置模块210所提供的驱动电压。所以,在待控晶体管400的栅极与驱动模块320的第一输入端连通,即通过第五晶体管313提供驱动电压和驱动电流时,为待控晶体管400的栅极提供的是高电压,使待控晶体管400导通。
具体地,由于第三晶体管311的源极与电压配置模块210的输出端连接,漏极与电流配置模块220的输出端连接。第四晶体管312的源极与电压配置模块210的输出端连接,栅极与第三晶体管311的栅极和漏级连接;第六晶体管314的源极与第四晶体管312的漏级连接,漏级与地线连接;源极与驱动模块320的第二输入端连接,栅极与第六晶体管314的栅极和源极连接,漏级与地线连接。所以第三晶体管311和第四晶体管312可以构成电流镜;第六晶体管314和第七晶体管315可以构成电流镜;且第四晶体管312的漏极与第六晶体管314的源极连接。所以第七晶体管315可以按照设定比例复制第三晶体管311所输出电流。减少了驱动电流传输时的电流损失。
具体地,因第七晶体管315的漏极连接的是地线。所以,在待控晶体管400的栅极与驱动模块320的第二输入端连通,即通过第七晶体管315提供驱动电压和驱动电流时,为待控晶体管400的栅极提供的是低电压,使待控晶体管400截止。
可选地,驱动模块320包括第一控制开关322和第二控制开关323。第一控制开关322的源极与电流镜模块310的第一输出端连接,栅极与控制电源321连接,漏级与待控晶体管400的栅极连接。第二控制开关323的源极与待控晶体管400的栅极连接,栅极与控制电源321连接,漏级与电流镜模块310的第二输出端连接。
在本公开实施例中,第一控制开关322为P型MOS晶体管,第二控制开关323为N型MOS晶体管。控制电源321为用于为第一控制开关322和第二控制开关323提供控制电压的电源器件。电流镜模块310的第一输出端输出的电压为高电压,电流镜模块310的第二输出端输出的电压为低电压。
具体地,在第一控制开关322导通的情况下,待控晶体管400的栅极连接高电压,使得待控晶体管400导通。在第二控制开关323导通的情况下,待控晶体管400的栅极连接低电压,使得待控晶体管400截止。这样,实现了对待控晶体管400的导通和截止的控制。
需要说明的是,第一控制开关322和第二控制开关323不能同时导通,避免了待控晶体管400的栅极同时连接高电压和低电压,保证了待控晶体管400运行的可靠性。
需要说明的是,电子设备包括手表、智能手机、电话、电视机、影碟机、录像机、摄录机、收音机和音箱等设备。
以电子设备为电视机为例,结合图6所示,本公开实施例提供了第一电子设备500。该电子设备500包括:设备本体510和上述的驱动输出电路10。驱动输出电路10安装于设备本体510。这里所表述的安装关系,并不仅限于在电子设备500内部放置,还包括了与电子设备500的其他元器件的安装连接,包括但不限于物理连接、电性连接或者信号传输连接等。本领域技术人员可以理解的是,驱动输出电路可以适配于可行的设备本体510,进而实现其他可行的实施例。
以上描述和附图充分地示出了本公开的实施例,以使本领域的技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求,否则单独的部件和功能是可选的,并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。而且,本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的,除非上下文清楚地表明,否则单数形式的“一个”(a)、“一个”(an)和“所述”(the)旨在同样包括复数形式。类似地,如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外,当用于本申请中时,术语“包括”(comprise)及其变型“包括”(comprises)和/或包括(comprising)等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素,和/或组件的存在,但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个…”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中,每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言,如果其与实施例公开的方法部分相对应,那么相关之处可以参见方法部分的描述。
本领域技术人员可以意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤,能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,可以取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。所述技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法以实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本公开实施例的范围。所述技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。
本文所披露的实施例中,所揭露的方法、产品(包括但不限于装置、设备等),可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,可以仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另外,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例。另外,在本公开实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
附图中的流程图和框图显示了根据本公开实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上,流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分,所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中,方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如,两个连续的方框实际上可以基本并行地执行,它们有时也可以按相反的顺序执行,这可以依所涉及的功能而定。在附图中的流程图和框图所对应的描述中,不同的方框所对应的操作或步骤也可以以不同于描述中所披露的顺序发生,有时不同的操作或步骤之间不存在特定的顺序。例如,两个连续的操作或步骤实际上可以基本并行地执行,它们有时也可以按相反的顺序执行,这可以依所涉及的功能而定。框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合,可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现,或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

Claims (10)

1.一种驱动输出电路,其特征在于,包括:
电源模块;
配置模块,配置模块的输入端与电源模块连接,被配置为待控晶体管提供可调的驱动电压和驱动电流;
控制模块,控制模块的输入端与配置模块的输出端连接,控制模块的输出端与待控晶体管的栅极连接,被配置为控制待控晶体管的导通和截止。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,控制模块的输入端包括第一输入端和第二输入端;配置模块包括:
电压配置模块,电压配置模块的输入端与电源模块连接,电压配置模块的输出端与控制模块的第一输入端连接,被配置为待控晶体管提供可调的驱动电压;
电流配置模块,电流配置模块的输入端与电源模块连接,电流模块的输出端与控制模块的第二输入端连接,被配置为待控晶体管提供可调的驱动电流。
3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,电源模块包括第一电源和第二电源;电压配置模块包括:
第一放大器,第一放大器的正向输入端与第一电源连接;
N条电压配置支路,任一条电压配置支路的第一端与第一放大器的负向输入端连接,任一条电压配置支路的第二端与地线连接;其中,N大于或者等于1;
第一晶体管,第一晶体管的栅极与第一放大器的输出端连接,第一晶体管的漏极与第二电源连接,第一晶体管的源极与控制模块的第一输入端连接;
第一保护电阻,第一保护电阻的第一端与第一放大器的负向输入端连接,第一保护电阻的第二端与第一晶体管的源极连接。
4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,电压配置支路包括:
第一开关,第一开关的第一端与第一放大器的负向输入端连接;
第一电阻,第一电阻的第一端与第一开关的第二端连接,第一电阻的第二端与地线连接。
5.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,电源模块包括第一电源;电流配置模块包括:
第二放大器,第二放大器的正向输入端与第一电源连接;
M条电流配置支路,任一条电流配置支路的第一端与第二放大器的负向输入端连接,任一条电流配置支路的第二端与地线连接;其中,M大于或者等于1;
第二晶体管,第二晶体管的栅极与第二放大器的输出端连接,第二晶体管的漏极与控制模块的第二输入端连接;
第二保护电阻,第二保护电阻的第一端与第二放大器的负向输入端连接,第二保护电阻的第二端与第二晶体管的源极连接。
6.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,电流配置支路包括:
第二开关,第二开关的第一端与第二放大器的负向输入端连接;
第二电阻,第二电阻的第一端与第二开关的第二端连接,第二电阻的第二端与地线连接。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的电路,其特征在于,控制模块包括:
电流镜模块,电流镜模块的第一输入端与电压配置模块的输出端连接,电流镜模块的第二输入端与电流配置模块的输出端连接;
驱动模块,驱动模块的第一输入端与电流镜模块的第一输出端连接,驱动模块的第二输入端与电流镜模块的第二输出端连接,驱动模块的输出端与待控晶体管的栅极连接。
8.根据权利要求7所述的电路,其特征在于,电流镜模块包括:
第三晶体管,源极与电压配置模块的输出端连接,漏极与电流配置模块的输出端连接;
第四晶体管,源极与电压配置模块的输出端连接,栅极与第三晶体管的栅极和漏级连接;
第五晶体管,源极与电压配置模块的输出端连接,栅极与第三晶体管的栅极和漏级连接,漏级与驱动模块的第一输入端连接;
第六晶体管,源极与第四晶体管的漏级连接,漏级与地线连接;
第七晶体管,源极与驱动模块的第二输入端连接,栅极与第六晶体管的栅极和源极连接,漏级与地线连接。
9.根据权利要求7所述的电路,其特征在于,驱动模块包括:
控制电源;
第一控制开关,源极与电流镜模块的第一输出端连接,栅极与控制电源连接,漏级与待控晶体管的栅极连接;
第二控制开关,源极与待控晶体管的栅极连接,栅极与控制电源连接,漏级与电流镜模块的第二输出端连接。
10.一种电子设备,其特征在于,包括:
设备本体;
如权利要求1至9中任一项所述的驱动输出电路,安装于设备本体。
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