CN117199212A - 一种led芯片的制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 28
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 18
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000013049 sediment Substances 0.000 claims description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 148
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- -1 oxygen anions Chemical class 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种LED芯片的制备方法，包括：提供一生长所需的衬底，于衬底上生长外延层；于外延层上依次制作电流阻挡层、ITO导电膜及掩模阻挡层，以形成初始芯片，掩模阻挡层用于将ITO导电膜的表面区隔为刻蚀区域及遮挡区域；将初始芯片置于等离子腔室，并注入包括乙醇的反应气体，经过电离过程及反应过程后，使刻蚀区域处形成凹槽，以完成表面粗化。在向等离子腔室内注入反应气体后，反应气体经过电离过程被电离为活性基团，刻蚀区域直接并发生化学反应，使ITO导电膜上形成凹槽，进而使ITO导电膜形成凹凸状结构，完成粗化，以此方式代替湿式腐蚀，其操作简单，且只需进行气体注入，有效的节约了生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种LED芯片的制备方法。
背景技术
近年来，随着P型氮化镓掺杂技术取得了巨大的进展，具有响应快、寿命长、功耗低、体积小、亮度高等优良特性的氮化镓基LED，被广泛应用于液晶显示、全彩色显示、交通显示等领域。
光提取效率一直都是困扰其发展的技术难题，目前氮化镓基LED光提取效率取决于内量子效率和外量子效率，对于内量子效率，目前已趋近于最大化，而对于外量子效率，由于位于表层的ITO导电膜与空气之间的折射相差较大，容易在界面处形成全发射，因此容易造成外量子效率降低，即外量子效率仍有进一步的提升空间。
近年来，已有一些通过后处理技术对位于表层的ITO导电膜粗化来提升外量子效率的方法，其原理是通过在ITO导电膜上增加粗糙结构使得光线选择机会较多，可有效地改变光路，提升出射的概率。但目前粗化的方式多为湿式腐蚀，其操作复杂，过程繁琐，成本较高。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种LED芯片的制备方法，旨在解决现有技术中通过湿式腐蚀的方式对位于表层的ITO导电膜进行粗化，其操作复杂、过程繁琐、成本较高的技术问题。
为了实现上述目的，本发明通过如下技术方案来实现：一种LED芯片的制备方法，包括以下步骤：
提供一生长所需的衬底，于所述衬底上生长外延层；
于所述外延层上依次制作电流阻挡层、ITO导电膜及掩模阻挡层，以形成初始芯片，所述掩模阻挡层用于将所述ITO导电膜的表面区隔为刻蚀区域及遮挡区域；
将所述初始芯片置于等离子腔室，并向所述等离子腔室内注入包括乙醇的反应气体，所述反应气体与所述ITO导电膜之间经过电离过程及反应过程后，使所述ITO导电膜的刻蚀区域处形成凹槽，以完成表面粗化；
将表面粗化后的所述初始芯片制备为成品芯片。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：在所述外延层上完成所述ITO导电膜及所述掩模阻挡层的制作后，因所述掩模阻挡层的遮挡，所述ITO的表面形成所述刻蚀区域及所述遮挡区域，在向所述等离子腔室内注入所述反应气体后，所述反应气体经过所述电离过程被电离为活性基团，活性基团与所述ITO导电膜的刻蚀区域直接接触，并发生化学反应，以将所述刻蚀区域的ITO导电膜分解，进而在所述ITO导电膜上形成凹槽，因所述遮挡区域被所述掩模阻挡层保护，进而使所述ITO导电膜形成凹凸状结构，完成粗化，以气体刻蚀的方式代替湿式腐蚀，其操作方式及操作过程均较为简单，且只需进行气体注入，有效的节约了生产成本。
进一步，所述于所述衬底上生长外延层的步骤具体为：
采用金属化学气相沉积法，以高纯氢气为载气、高纯氨气为氮源、三甲基镓及三乙基镓作镓源、三甲基铟作铟源、硅烷作N型掺杂剂、三甲基铝作铝源、二茂镁作P型掺杂剂，于所述衬底上依次沉积N型半导体层，多量子阱有源层及P型半导体层，以形成外延层。
更进一步，所述N型半导体层的掺杂元素为Si，所述P型半导体层的掺杂元素为Mg，所述N型半导体层中Si的掺杂浓度为5×1018cm-3～1×1019cm-3，所述P型半导体层中Mg的掺杂浓度为5×1017cm-3～1×1020cm-3。
更进一步，所述于所述外延层上依次制作电流阻挡层、ITO导电膜及掩模阻挡层的步骤包括：
对所述外延层进行刻蚀处理，以暴露部分所述N型半导体层；
于刻蚀处理后的所述外延层表面沉积SiO2层，并对所述SiO2层进行黄光处理，以形成电流阻挡层；
通过磁控溅射的方式，于设置所述电流阻挡层的外延层表面沉积ITO导电膜，并对其进行退火处理；
于所述ITO导电膜上制作Ni金属层，并对所述Ni金属层进行湿法蚀刻处理，以形成掩模阻挡层。
更进一步，所述SiO2层的厚度为280nm～320nm，所述Ni金属层的厚度为180nm～220nm。
更进一步，所述反应气体还包括氩气。
更进一步，所述电离过程的化学反应式为：
C2H5OH→CH+ 3+CH2+ 2+OH-+2e，
2OH-→H2O↑+O-，
CH+ 3+e→CH* 3；
所述反应过程的化学反应式为：
In+3CH* 3→In(CH3)3↑，
Sn+4CH* 3→Sn(CH3)4↑，
In+3CH* 3+3O-→In(OCH3)3↓。
更进一步，在所述将所述初始芯片置于等离子腔室，并向所述等离子腔室内注入反应气体，所述反应气体与所述ITO导电膜之间经过电离过程及反应过程后，使所述ITO导电膜的刻蚀区域处形成凹槽，以完成表面粗化的步骤之后，还包括：
以预设间隔时间向所述等离子腔室内注入清理气体，以去除所述凹槽内的沉淀物。
更进一步，所述清理气体为氧气，所述预设间隔时间为25S～35S，所述清理气体的注入时长为8S～12S。
再进一步，所述将表面粗化后的所述初始芯片制备为成品芯片的步骤包括：
去除表面粗化后的所述初始芯片上的所述掩模阻挡层；
在所述初始芯片上制作电极，以获取阶段芯片；
于所述阶段芯片的表面制作氧化硅钝化层，以获取成品芯片。
附图说明
图1为本发明第一实施例中LED芯片的制备方法的流程图；
图2为本发明第二实施例中LED芯片的制备方法的流程图；
图3为本发明第三实施例中LED芯片的制备方法的流程图；
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1，本发明第一实施例中的LED芯片制备方法，包括以下步骤：
S10：提供一生长所需的衬底，于所述衬底上生长外延层；
在本实施例中，采用金属化学气相沉积法，以高纯氢气为载气、高纯氨气为氮源、三甲基镓及三乙基镓作镓源、三甲基铟作铟源、硅烷作N型掺杂剂、三甲基铝作铝源、二茂镁作P型掺杂剂，于所述衬底上依次沉积N型半导体层，多量子阱有源层及P型半导体层，以形成外延层。
S20：于所述外延层上依次制作电流阻挡层、ITO导电膜及掩模阻挡层，以形成初始芯片，所述掩模阻挡层用于将所述ITO导电膜的表面区隔为刻蚀区域及遮挡区域；
所述电流阻挡层是半导体器件中的用于阻止或限制电荷在不同部分之间的传输的结构，一般情况下，所述电流阻挡层通常由宽禁带半导体材料制成。所述电流阻挡层的主要功能是隔离不同的功能区域，防止不希望发生的电荷传输和串扰。所述ITO导电膜是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，其在In2O3里掺入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因为In2O3中的In元素是三价，形成SnO2时将贡献一个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成1020cm-3～1021cm-3的载流子浓度和1030cm2/vs～30cm2/vs的迁移率。所述掩模阻挡层的设置，是区隔出对所述ITO导电膜的刻蚀位置，进而形成粗化结构。
S30：将所述初始芯片置于等离子腔室，并向所述等离子腔室内注入包括乙醇的反应气体，所述反应气体与所述ITO导电膜之间经过电离过程及反应过程后，使所述ITO导电膜的刻蚀区域处形成凹槽，以完成表面粗化；
即在包括乙醇的反应气体进入所述等离子腔室后，经过所述电离过程后，被电离为活性基团，所述活性基团接触所述ITO导电膜，所述掩模阻挡层对部分所述ITO导电膜的表面形成保护，避免所述活性基团接触此部分的所述ITO导电膜，而未设置所述掩模阻挡层的刻蚀区域，所述活性基团直接接触所述ITO导电膜，并经过所述反应过程后，使所述ITO导电膜上产生所述凹槽，即使所述ITO导电膜形成凹凸状结构，完成表面粗化。
S40：将表面粗化后的所述初始芯片制备为成品芯片；
即对表面粗化后的所述初始芯片进行电极制备等步骤，以获取所述成品芯片。
在所述外延层上完成所述ITO导电膜及所述掩模阻挡层的制作后，因所述掩模阻挡层的遮挡，所述ITO的表面形成所述刻蚀区域及所述遮挡区域，在向所述等离子腔室内注入所述反应气体后，所述反应气体经过所述电离过程被电离为活性基团，活性基团与所述ITO导电膜的刻蚀区域直接接触，并发生化学反应，以将所述刻蚀区域的ITO导电膜分解，进而在所述ITO导电膜上形成凹槽，因所述遮挡区域被所述掩模阻挡层保护，进而使所述ITO导电膜形成凹凸状结构，完成粗化，以气体刻蚀的方式代替湿式腐蚀，其操作方式及操作过程均较为简单，且只需进行气体注入，有效的节约了生产成本。
请参阅图2，本发明第二实施例中的LED芯片制备方法，包括以下步骤：
S110：提供一生长所需的衬底，于所述衬底上生长外延层；
在所述衬底上依次沉积N型半导体层，多量子阱有源层及P型半导体层，以形成外延层。所述N型半导体层为N-GaN层，所述P型半导体层为P-GaN层，所述多量子阱有源层包括若干个交替层叠设置的量子阱层及量子垒层，所述量子阱层为InGaN量子阱层。
优选地，所述N型半导体层的厚度为1μm～3μm，所述P型半导体层的厚度为200nm～300nm，在本实施例中，所述N型半导体层的厚度为2μm，所述P型半导体层的厚度为260nm。所述N型半导体层的掺杂元素为Si，所述N型半导体层中Si的掺杂浓度为5×1018cm-3～1×1019cm-3，所述P型半导体层的掺杂元素为Mg，所述P型半导体层中Mg的掺杂浓度为5×1017cm-3～1×1020cm-3。即所述N型半导体层为电子型半导体层，其为自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质型半导体层，所述P型半导体层为空穴型半导体层，其是以带正电的空穴导电为主的半导体层。所述量子阱层中In组分的摩尔比为10％～35％。
S120：对所述外延层进行刻蚀处理，以暴露部分所述N型半导体层；
暴露部分所述N型半导体层的目的，是为后续完成电极的制备。在本实施例中，通过ICP刻蚀技术对所述外延层进行所述刻蚀处理。
S130：于刻蚀处理后的所述外延层表面沉积SiO2层，并对所述SiO2层进行黄光处理，以形成电流阻挡层；
在本实施例中，通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积所述SiO2层，优选地，所述SiO2层的厚度为280nm～320nm，在本实施例中，所述SiO2层的厚度为300nm。对所述SIO2层进行黄光处理，即在所述SIO2层的表面涂覆光刻胶，并通过匀胶曝光显影后，保留部分所述SIO2层，以形成所述电流阻挡层，所述电流阻挡层与后续制备过程中电极的位置对应。
S140：通过磁控溅射的方式，于设置所述电流阻挡层的外延层表面沉积ITO导电膜，并对其进行退火处理；
将设置所述电流阻挡层的所述外延层置于镀锅内，以Ar气电离轰击靶材，进而使所述靶材溅射至设置所述电流阻挡层的所述外延层的表面，进而形成所述ITO导电膜。由于所述ITO导电膜本身含有氧元素，磁控溅射的过程中，会产生大量的氧负离子，氧负离子在电场的作用下以一定的粒子能量会轰击到所沉积的所述ITO导电膜表面，使所述ITO导电膜的结晶结构和晶体状态产生缺陷。溅射的电压越大，氧负离子轰击膜层表面的能量也越大，那么造成缺陷的几率就越大，产生的缺陷也越严重，从而导致了所述ITO导电膜的电阻率上升，在本实施例中，所述磁控溅射的溅射电压为-200V以下，不仅提高了所述ITO导电膜的产品质量，同时也降低了产品的生产成本。
但溅射形成的所述ITO导电膜的致密性较差，为改善致密性的问题，需对其进行所述退火处理，通过所述退火处理，可使得晶体排布更加蒸汽、膜层更加致密、导电性更加稳定。
具体地，将沉积所述ITO导电膜的所述外延层置于退火腔内，所述退火腔内的退火温度为500℃～600℃，所述退火处理的时间为12～18min，在本实施例中，所述退火腔内的退火温度为550℃，所述退火处理的时间为15min。
S150：于所述ITO导电膜上制作Ni金属层，并对所述Ni金属层进行湿法蚀刻处理，以形成掩模阻挡层，进而形成初始芯片，所述掩模阻挡层用于将所述ITO导电膜的表面区隔为刻蚀区域及遮挡区域；
因后续需通过气体对所述TIO导电膜进行刻蚀，因此，有机光刻胶并不适用于进行图案化处理，因此，本实施例中，采用所述Ni金属层，优选地，所述Ni金属层的厚度为180nm～220nm，在本实施例中，所述Ni金属层的厚度为200nm。完成所述Ni金属层的制作后，于所述Ni金属层的表面旋涂光刻胶，并进行光刻后，通过湿法刻蚀处理，以完成对所述Ni金属层的形状改变，进而形成所述掩模阻挡层，可以理解地，所述掩模阻挡层间隔式覆盖于所述ITO导电膜上，进而可对所述ITO导电膜上的部分区域形成保护。
S160：将所述初始芯片置于等离子腔室，并向所述等离子腔室内注入包括乙醇的反应气体，所述反应气体与所述ITO导电膜之间经过电离过程及反应过程后，使所述ITO导电膜的刻蚀区域处形成凹槽，以完成表面粗化；
在注入包括乙醇的所述反应气体时，所述乙醇的通入流量为30sccm～100sccm，所述等离子腔室内的射频功率为50W～300W，所述等离子腔室内的压力为40pa～100pa，在本实施例中，所述乙醇的通入流量为70sccm，所述等离子腔室内的射频功率为200W，所述等离子腔室内的压力为60pa。
具体地，所述电离过程的化学反应式为：
C2H5OH→CH+ 3+CH2+ 2+OH-+2e，
2OH-→H2O↑+O-，
CH+ 3+e→CH*3；
所述反应过程的化学反应式为：
In+3CH* 3→In(CH3)3↑，
Sn+4CH* 3→Sn(CH3)4↑，
In+3CH* 3+3O-→In(OCH3)3↓。
可以理解地，CH* 3与CH+ 3之间仅带电情况不同，且从所述反应过程的化学反应式中可看出，In元素及Sn元素均被汽化。需要说明的是，在本实施例中，通过向所述等离子腔室内注入所述反应气体，其形成所述凹槽后，可完成表面粗化过程，在一些实施例中，可通过调节所述掩模阻挡层于湿法蚀刻后的具体形状，并配合加大所述反应气体的注入剂量，以实现对所述ITO导电膜的图形化刻蚀。
进一步地，仅通过乙醇电离后直接与所述ITO导电膜进行反应，其反应速度较慢，即表面粗化的过程较慢，其会影响整体的生产进度，拉长作业时间。因此，所述反应气体还包括氩气，在氩气进入所述等离子腔室内，并随所述乙醇被电离后，所述氩气可轰击所述ITO导电膜，促使Sn-O键及In-O键快速打开，进而加快所述反应过程，有效的提高了反应效率，优化了反应过程。
在所述氩气通入后，所述氩气一同被电离，其化学反应式为：
Ar→Ar++e，
其于化学层面并不影响对所述ITO导电膜的刻蚀效果。
S170：去除表面粗化后的所述初始芯片上的所述掩模阻挡层；
在完成表面粗化后，去除所述掩模阻挡层，避免所述掩模阻挡层对后续的制备工艺产生影响。
S180：在所述初始芯片上制作电极，以获取阶段芯片；
即将所述初始芯片置于电子束蒸镀机的载片盘上，可以理解地，蒸镀源发射器位于所述载片盘的下方，依次蒸镀Cr层、Al层、Ti层、Ni层、Pt层、Ni层、Pt层及Au层，以形成所述电极，进而获取所述阶段芯片。
S190：于所述阶段芯片的表面制作氧化硅钝化层，以获取成品芯片。
所述氧化硅钝化层的厚度为70nm～90nm，在本实施例中，所述氧化硅钝化层的厚度为80nm，通过设置所述氧化硅钝化层，可对所述成品芯片形成保护层，避免外界环境侵蚀所述成品芯片，进而造成产品的良率降低。
请参阅图3，本发明第三实施例中的LED芯片制备方法，包括以下步骤：
S101：提供一生长所需的衬底，于所述衬底上生长外延层；
S102：对所述外延层进行刻蚀处理，以暴露部分所述N型半导体层；
S103：于刻蚀处理后的所述外延层表面沉积SiO2层，并对所述SiO2层进行黄光处理，以形成电流阻挡层；
S104：通过磁控溅射的方式，于设置所述电流阻挡层的外延层表面沉积ITO导电膜，并对其进行退火处理；
S105：于所述ITO导电膜上制作Ni金属层，并对所述Ni金属层进行湿法蚀刻处理，以形成掩模阻挡层，进而形成初始芯片，所述掩模阻挡层用于将所述ITO导电膜的表面区隔为刻蚀区域及遮挡区域；
S106：将所述初始芯片置于等离子腔室，并向所述等离子腔室内注入包括乙醇的反应气体，所述反应气体与所述ITO导电膜之间经过电离过程及反应过程后，使所述ITO导电膜的刻蚀区域处形成凹槽，以完成表面粗化；
S1061：以预设间隔时间向所述等离子腔室内注入清理气体，以去除所述凹槽内的沉淀物；
在所述反应过程中，从其化学反应时：In+3CH* 3+3O-→In(OCH3)3↓中可看出，在所述反应过程中，还会于所述凹槽内形成所述沉淀物，所述沉淀物为含碳沉淀物，为更好的完成表面粗化的工序，通过注入所述清理气体，与所述沉淀物进行反应，可去除所述沉淀物。
具体地，所述清理气体为氧气，所述预设间隔时间为25S～35S，所述清理气体的注入时长为8S～12S，在本实施例中，所述预设间隔时间为30S，所述清理气体的注入时长为10S。
S107：去除表面粗化后的所述初始芯片上的所述掩模阻挡层；
S108：在所述初始芯片上制作电极，以获取阶段芯片；
S109：于所述阶段芯片的表面制作氧化硅钝化层，以获取成品芯片。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一生长所需的衬底，于所述衬底上生长外延层；
于所述外延层上依次制作电流阻挡层、ITO导电膜及掩模阻挡层，以形成初始芯片，所述掩模阻挡层用于将所述ITO导电膜的表面区隔为刻蚀区域及遮挡区域；
将所述初始芯片置于等离子腔室，并向所述等离子腔室内注入包括乙醇的反应气体，所述反应气体与所述ITO导电膜之间经过电离过程及反应过程后，使所述ITO导电膜的刻蚀区域处形成凹槽，以完成表面粗化；
将表面粗化后的所述初始芯片制备为成品芯片。
2.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底上生长外延层的步骤具体为：
采用金属化学气相沉积法，以高纯氢气为载气、高纯氨气为氮源、三甲基镓及三乙基镓作镓源、三甲基铟作铟源、硅烷作N型掺杂剂、三甲基铝作铝源、二茂镁作P型掺杂剂，于所述衬底上依次沉积N型半导体层，多量子阱有源层及P型半导体层，以形成外延层。
3.根据权利要求2所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述N型半导体层的掺杂元素为Si，所述P型半导体层的掺杂元素为Mg，所述N型半导体层中Si的掺杂浓度为5×1018cm-3～1×1019cm-3，所述P型半导体层中Mg的掺杂浓度为5×1017cm-3～1×1020cm-3。
4.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述于所述外延层上依次制作电流阻挡层、ITO导电膜及掩模阻挡层的步骤包括：
对所述外延层进行刻蚀处理，以暴露部分所述N型半导体层；
于刻蚀处理后的所述外延层表面沉积SiO2层，并对所述SiO2层进行黄光处理，以形成电流阻挡层；
通过磁控溅射的方式，于设置所述电流阻挡层的外延层表面沉积ITO导电膜，并对其进行退火处理；
于所述ITO导电膜上制作Ni金属层，并对所述Ni金属层进行湿法蚀刻处理，以形成掩模阻挡层。
5.根据权利要求4所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述SiO2层的厚度为280nm～320nm，所述Ni金属层的厚度为180nm～220nm。
6.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述反应气体还包括氩气。
7.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述电离过程的化学反应式为：
C2H5OH→CH+ 3+CH2+ 2+OH-+2e，
2OH-→H2O↑+O-，
CH+ 3+e→CH* 3；
所述反应过程的化学反应式为：
In+3CH* 3→In(CH3)3↑，
Sn+4CH* 3→Sn(CH3)4↑，
In+3CH* 3+3O-→In(OCH3)3↓。
8.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述将所述初始芯片置于等离子腔室，并向所述等离子腔室内注入反应气体，所述反应气体与所述ITO导电膜之间经过电离过程及反应过程后，使所述ITO导电膜的刻蚀区域处形成凹槽，以完成表面粗化的步骤之后，还包括：
以预设间隔时间向所述等离子腔室内注入清理气体，以去除所述凹槽内的沉淀物。
9.根据权利要求8所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述清理气体为氧气，所述预设间隔时间为25S～35S，所述清理气体的注入时长为8S～12S。
10.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述将表面粗化后的所述初始芯片制备为成品芯片的步骤包括：
去除表面粗化后的所述初始芯片上的所述掩模阻挡层；
在所述初始芯片上制作电极，以获取阶段芯片；
于所述阶段芯片的表面制作氧化硅钝化层，以获取成品芯片。
Priority Applications (1)
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