CN117192847A - 阵列基板及其修复方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阵列基板及其修复方法、显示装置，阵列基板包括信号传输线、像素电极、公共电极线、薄膜晶体管以及修复结构，信号传输线包括多条数据线及多条扫描线，多条数据线及多条扫描线相互垂直设置，并限定出多个像素区域，多个像素电极及薄膜晶体管形成在像素区域，数据线用于向像素电极提供数据信号，扫描线用于向薄膜晶体管提供开启或关断信号，公共电极线以包围像素电极的方式设置，并且用于与像素电极构成存储电容，且为具有多条水平电极线和多条竖直电极线并水平电极线与竖直电极线相互垂直地设置形成为矩阵结构，修复结构设置成与数据线或/和公共电极线重叠，或者设置成与扫描线或/和公共电极线重叠。

Description

阵列基板及其修复方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其修复方法、显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)因其具有高亮度、高对比度、高响应速度、低功耗及无辐射等优异性能特点，成为了面板显示的主流技术之一。

以目前的技术水准，在TFT-LCD制作过程中，阵列基板的信号线经常会发生断路或短路等不良缺陷，若无法该不良缺陷进行修复，将会影响液晶面板的生产良率。

在现有的TFT-LCD制作过程中，如图1的(a)所示，阵列基板的信号线在A位置发生断路的情况，若不进行修复，该条数据线将会形成暗线，影响液晶面板的生产良率。如图1的(b)所示，数据线与扫描线在B位置粘连在一起而短接，导致该行扫描线与该列数据线的电压电流紊乱，使液晶无法准确翻转，进而导致显示异常。如图1的(c)所示，在C位置有异物粘附在TFT源极及漏极上时，该子像素将形成亮点，且数据线也会受影响造成电压电流不稳定，进而该数据线控制的像素都有可能受到影响。现有TFT像素设计中，为了避免这种影响，只能切断与TFT连接的数据线，这样会形成暗线，进而影响产品质量。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，提供一种阵列基板及其修复方法、显示装置，能够在不影响开口率的前提下，对信号传输线的缺陷进行修复，以提高产品质量，并确保生产良率。

为解决上述问题，本发明提供一种阵列基板，其包括信号传输线、像素电极、公共电极线、薄膜晶体管以及修复结构，所述信号传输线包括多条数据线及多条扫描线，所述多条数据线及所述多条扫描线相互垂直设置，并限定出多个像素区域，所述多个像素电极及所述薄膜晶体管形成在所述像素区域，所述数据线用于向所述像素电极提供数据信号，所述扫描线用于向所述薄膜晶体管提供开启或关断信号，所述公共电极线以包围所述像素电极的方式设置，并且用于与所述像素电极构成存储电容，且为具有多条水平电极线和多条竖直电极线并所述水平电极线与所述竖直电极线相互垂直地设置形成为矩阵结构，所述修复结构设置成与所述数据线或/和公共电极线重叠，或者设置成与所述扫描线或/和所述公共电极线重叠。

在一实施方式中，所述信号传输线与所述公共电极线由不同材料制成时，所述修复结构与所述信号传输线由相同材料制成，或者所述修复结构与所述公共电极线由相同材料制成。

在一实施方式中，所述数据线或所述扫描线的至少一侧设置有第一延展部，所述数据线的所述第一延展部从所述数据线延伸至与所述公共电极线的一部分重叠，从而形成所述修复结构，或者所述扫描线的所述第一延展部从所述扫描线延伸至与所述公共电极线的一部分重叠，从而形成所述修复结构。

在一实施方式中，所述公共电极线设置有第二延展部，所述第二延展部从所述公共电极线延伸至与所述数据线或所述扫描线的一部分重叠，从而形成所述修复结构。

在一实施方式中，所述信号传输线与所述公共电极线由相同材料制成时，所述修复结构与所述信号传输线和所述公共电极线由不同材料制成。

在一实施方式中，每个所述像素区域对应的所述扫描线或者所述数据线至少存在一个修复结构。

在一实施方式中，每个所述修复结构与所述扫描线或/和所述公共电极线重叠的面积大于或等于1um×1um，或者每个所述修复结构与所述数据线或/和所述公共电极线重叠的面积大于或等于1um×1um。

在一实施方式中，所述修复结构呈口字形、I字形、H或工字形、T字形、或Z字形。

为了解决上述技术问题，本发明还提供一种显示装置，其包括：上述所述的阵列基板；彩膜基板；以及液晶层，其设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间。

为了解决上述技术问题，本发明还提供一种阵列基板的修复方法，所述修复方法包括：提供上述所述的阵列基板；对所述阵列基板进行检测，确定缺陷位置；切断与该缺陷位置对应的部分所述公共电极线，并使切断的所述部分公共电极线成为无源信号线；以及使用激光将所述修复结构与所述数据线或/和公共电极线焊接在一起，或者使用激光将所述修复结构与所述扫描线或/和所述公共电极线焊接在一起，使得与所述数据线或者所述扫描线连接的公共电极线作为所述数据线或者所述扫描线发挥功能。

相较于现有技术，本发明的修复结构的至少部分与信号传输线或/和公共电极重叠设置的情况下，在发生短路或断路时，就可以使得与该发生短路或断路的区域对应的一部分公共电极线成为无信号线，进而通过焊接该修复结构将信号传输线与该一部分公共电极线连接起来形成通路，如此，该一部分公共电极线就可以作为数据线或扫描线发挥功能，从而实现修复的目的。另外，由于修复结构在非像素开口区域进行修复，且对应该修复结构部位配置有黑矩阵，不用占用新的开口面积来设置该修复结构，如此，不会影响到像素开口率。

附图说明

图1的(a)～(c)示出了现有的阵列基板的信号传输线的缺陷示例。

图2是本发明阵列基板的一实施方式的等效电路图。

图3A是本发明的阵列基板中的修复结构的一实施方式的形状示意图。

图3B是本发明的阵列基板中的修复结构的另一实施方式的形状示意图。

图3C是本发明的阵列基板中的修复结构的又一实施方式的形状示意图。

图3D是本发明的阵列基板中的修复结构的又一实施方式的形状示意图。

图4是本发明的阵列基板的修复结构的一具体实施方式的示意图。

图5是本发明的阵列基板的修复结构的另一具体实施方式的示意图。

图6是本发明的阵列基板的修复结构的又一具体实施方式的示意图。

图7是本发明的阵列基板的修复方法的流程图。

图8是本发明的阵列基板的修复方法的一具体实施方式的示例图。

图9是本发明的阵列基板的修复方法的另一具体实施方式的示例图。

图10为本发明的显示装置的一实施方式的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅为本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。

下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。

图2是本发明阵列基板100的一实施方式的等效电路图。如图2所示，本发明提供的阵列基板100包括信号传输线10、像素电极30、公共电极线50、薄膜晶体管60以及修复结构70。

其中，信号传输线10包括多条扫描线11以及多条数据线12，多条扫描线11以及多条数据线12相互垂直设置，并限定出多个像素区域，每个像素区域均设置有像素电极30及薄膜晶体管60。多条数据线12用于向相应的像素电极30提供数据信号，多条扫描线11用于向相应的薄膜晶体管60提供开启或关断信号。

公共电极线50(参阅图3)用于与像素电极30构成存储电容。在本实施方式中，公共电极线50是以包围像素电极30的方式设置的网状VCOM连接架构，即公共电极线50具有多个水平电极线51和多个竖直电极线52，多个水平电极线51与多个竖直电极线52相互垂直。

具体地，为了更清楚地表示，在图2中，扫描线11包括第一行的第一扫描线111和第二扫描线112，数据线12包括第一列的第一数据线121和第二数据线122，公共电极线50包括第一行的第一水平电极线511、第二水平电极线512、第三水平电极线513、第四水平电极线514以及第五水平电极线515。第一扫描线111位于第一水平电极线511及第二水平电极线512之间，第二扫描线112位于第三水平电极线513及第四水平电极线514之间，第五水平电极线515靠近第三扫描线(未图示)设置，第一水平电极线511、第二水平电极线512及第三水平电极线513经第一竖直电极线521连接，第二水平电极线512、第三水平电极线513、第四水平电极线514及第五水平电极线515经第二竖直电极线522连接，第二水平电极线512、第三水平电极线513、第四水平电极线514、第五水平电极线515经第三竖直电极线523连接，以加强网状Vcom信号。

当然，在其它实施方式中，也可以是第二水平电极线512、第三水平电极线513及第四水平电极线514经第二竖直电极线522连接，第三水平电极线513、第四水平电极线514、第五水平电极线515经第三竖直电极线523连接，多条水平电极线经竖直电极线进行连接的方式可以根据需求进行调整，在此不作限定。

可以理解，在图2中仅示出部分结构，阵列基板100的整体电路图中，多条水平电极线可以经由竖直电极线连接，以进一步加强Vcom信号。

薄膜晶体管60可以采用现有的公知的结构，在此不作限定。

修复结构70用于在对数据线12或扫描线11的断路、短路缺陷进行修复时，作为焊点将数据线12或扫描线11与公共电极线50连接。在本实施方式中，修复结构70设置成与数据线12或/和公共电极线50重叠，或者设置成与扫描线11或/和公共电极线50重叠。

可以理解，由于数据线12或扫描线11在生产过程中，难免会出现断线、短路等情况，因此，修复结构70的一部分与信号传输线10(即扫描线11或数据线12)或/和公共电极线50重叠设置的情况下，在发生短路或断路时，就可以使得与该发生短路或断路的区域对应的一部分公共电极线50成为无信号线，进而通过焊接该修复结构70将信号传输线10与该一部分公共电极线50连接起来形成通路，如此，该一部分公共电极线50就可以作为数据线12或扫描线11发挥功能，从而实现修复的目的。另外，由于修复结构70在非像素开口区域进行修复，且对应该修复结构70部位配置有黑矩阵(未图示)，不用占用开口面积来设置该修复结构70，如此，不会影响到像素开口率。

另外，由于本申请中的公共电极呈网状Vcom连接架构，在使该修复结构70作用时，有足够的路径或桥梁供数据信号或扫描信号连通。

图3A-图3D示出了修复结构70的形状，图3A示出了修复结构70为“口”字形，其中，“口”字形的修复结构70的两条相对的第一边分别设置为与两条相邻的公共电极线50重叠，该两条相邻的公共电极线50之间设置有扫描线11，“口”字形的修复结构70的两条相对的第二边横跨该扫描线11和两条相邻的公共电极线50设置，以在焊接的过程中，“口”字形的修复结构70能够作为焊接点而将扫描线11与其中的一条公共电极线50连接。

图3B示出了修复结构70为“I”字形，“I”字形横跨两条相邻的公共电极线50以及设置在该两条相邻的公共电极线50之间的扫描线11设置，以在焊接的过程中，“I”字形的修复结构70能够作为焊接点而将扫描线11与其中的一条公共电极线50连接。

图3C示出了修复结构70为“H”或“工”字形，“H”或“工”字形的修复结构70的两条相对的边分别设置为两条相邻的公共电极线50重叠，该两条相邻的公共电极线50之间设置有扫描线11，连接该两条相对的边的横边横跨该扫描线11设置，且两端分别以与该两条相邻的公共电极线50重叠的方式设置，以在焊接的过程中，“H”或“工”字形的修复结构70能够作为焊接点而将扫描线11与其中的一条公共电极线50连接。

图3D示出了修复结构70为“T”字形。“T”字形的修复结构70包括横边和竖边，修复结构70的竖边设置为与两条相邻的公共电极线50中的一条公共电极线50重叠，该两条相邻的公共电极线50之间设置有扫描线11，修复结构70的横边横跨该扫描线11和另一条公共电极线50重叠，且一端与修复结构70竖边连接，以在焊接的过程中，“T”字形的修复结构70能够作为焊接点而将扫描线11与其中的一条公共电极线50连接。

当然，在其它实施方式中，修复结构也可以为或“Z”字形，在此不作限定。

在一实施方式中，当信号传输线10与公共电极线50由不同材料制成时，修复结构70与信号传输线10由相同材料制成，或者修复结构70与公共电极线50由相同材料制成；当信号传输线10与公共电极线50由相同材料制成时，修复结构70与信号传输线10和公共电极线50由不同材料制成。

也就是说，当数据线12或扫描线11与公共电极线50由不同材料制成时，修复结构70与数据线12或扫描线11为相同材料，或者修复结构70与公共电极线50为相同材料。当数据线12或扫描线11与公共电极线50由相同材料制成时，修复结构70的材料与数据线12、扫描线11及公共电极线50的材料不同。

例如，请参阅图4，在一具体实施方式中，扫描线11与公共电极线50为相同的导体材料制成时，使用异层金属层作为修复结构70，该修复结构70以在俯视观察时横跨扫描线11与公共电极线50的方式设置，即修复结构70的一部分与扫描线11和公共电极线50重叠设置。此时，修复结构70与扫描线11及公共电极处于不同的层。

请参阅图5，在另一具体实施方式中，扫描线11与公共电极线50由不同材料制成时，使用扫描线11的延长线作为修复结构70，即在扫描线11对应像素区域的两侧设置有第一延展部110，该第一延展部110从扫描线11延长至与相邻的两条公共电极线50重叠，从而形成修复结构70。

另外，虽然在图5中图示了在扫描线11的两侧均设置有第一延展部110，但在其他实施方式中，也可以仅在扫描线11的一侧设置第一延伸部110，即在扫描线11的至少一侧设置第一延展部110延伸至与相邻的公共电极线50重叠即可，在此不作限定。

可以理解，也可以在数据线12对应像素区域的至少一侧设置第一延展部，该第一延展部从数据线12延长至与相邻的公共电极线50重叠。

请参阅图6，在又一具体实施方式中，扫描线11与公共电极线50由不同材料制成时，位于扫描线11两侧的公共电极线50的延长线延伸到扫描线11作为修复结构70，即位于扫描线11两侧的公共电极线50均设置有第二延展部53，该第二延展部53延伸至与扫描线11重叠，从而形成修复结构70。

在图6中虽图示了位于扫描线11两侧的公共电极线50均设置有第二延展部53，但也可以是仅扫描线11一侧的公共电极线50设置第二延展部53，在此不作限定。

可以理解，使用信号传输线10或公共电极线50的延长线作为修复结构70时，一方面，由于在信号传输线10或公共电极线50上局部延长，没有额外增加信号传输线10或公共电极线50的整体的宽度，从而不会影响阵列基板100的开口率，另一方面可以使得修复结构70与信号传输线10或者公共电极线50在同一工序中制造，可以节省制造工序，降低成本，且提高生产效率。

另外，在上述具体实施方式中，每个修复结构70与信号传输线10、公共电极线50重叠的面积大于或等于1um×1um。即，每个修复结构70与扫描线11或/和公共电极线50重叠的面积大于或等于1um×1um，或者每个修复结构70与数据线12或/和公共电极线50重叠的面积大于或等于1um×1um。可以理解，扫描线11与公共电极线50由相同导体材料制成时，使用异层金属层作为修复结构70的情况下，在俯视观察时，修复结构70同时与信号传输线10和公共电极线50重叠，且重叠的面积大于或等于1um×1um，如此，至少在两个不同方向的重叠尺寸限定为大于或等于1um以上，以提供足够的空间进行修复，能够可靠地将修复结构70与信号传输线10和公共电极线50连接。

此外，当修复结构70横跨数据线12及公共电极线50设置时，即使用异层金属层作为修复结构70与数据线12及公共电极线50的一部分重叠，或者数据线12的延展部作为修复结构70延长至覆盖公共电极线50的一部分，或者公共电极线50的延展部作为修复结构70延长至覆盖数据线12的一部分，从而修复结构70能够作为公共电极线50、数据线12以及无信号线发挥功能。

另外，当修复结构70横跨扫描线11及公共电极线50设置时，使用异层金属层作为修复结构70与扫描线11及公共电极线50的一部分重叠，或者扫描线11的延展部作为修复结构70延长至覆盖公共电极线50的一部分，或者公共电极线50的延展部作为修复结构70延长至覆盖扫描线11的一部分，从而修复结构70能够作为公共电极线50、扫描线11以及无信号线发挥功能。

可以理解，在阵列基板100正常显示，也就是未发生短路或断路时，公共电极线50能够发挥其本身的功能，即作为公共电极线50发挥功能。当发生短路或断路时，以与该发生短路或断路的区域对应的一部分公共电极线50成为无信号线的方式切断公共电极线50，此时，切断的公共电极线50成为无信号线，即为无信号传输的金属线(dummy metal)；通过焊接该修复结构70将数据线12与一部分公共电极线50连接形成通路，或扫描线11与该一部分公共电极线50连接形成通路，从而该公共电极线50作为数据线12或扫描线11发挥功能。

可以理解，由于修复结构70同时设置在扫描线11与公共电极线50上，或者数据线12与公共电极线50上，在发生短路、断路的情况下，使用激光装置将修复结构70与数据线12和公共电极线50连接在一起，或者将修复结构70与扫描线11和公共电极线50连接在一起，从而使得该公共电极线50能够作为数据线12或扫描线11发挥功能。

进一步地，每个像素区域对应的扫描线11或者数据线12至少有一个修复结构70。在本实施方式中，均以每个像素区域对应的扫描线11设置一个修复结构70为例进行了说明，但是，也可以设置多个，在此不作限定。

可以理解，在每个像素区域内设置一个或多个修复结构70，以实现该修复功能，如果在每个像素区域内设置多个修复结构70时，某一修复结构70发生异常的情况下，便可以启动其它的修复结构70进行修复，以能够可靠地对阵列基板100进行修复。

相较于现有技术，本实施方式的修复结构70与扫描线11和公共电极线50重叠设置，或者修复结构70与数据线12和公共电极线50重叠设置的情况下，在发生短路或断路时，就可以使得与该发生短路或断路的区域对应的一部分公共电极线50成为无信号线，接着通过焊接该修复结构70将扫描线11与该一部分公共电极线50连接起来形成通路，或者通过焊接该修复结构70将数据线12与该一部分公共电极线50连接起来形成通路，如此，该一部分公共电极线50就可以作为数据线12或扫描线11发挥功能，从而实现修复的目的。另外，由于修复结构70在非像素开口区域进行修复，且对应该修复结构70部位配置有黑矩阵(未图示)，不用占用开口面积来设置该修复结构70，如此，不会影响到像素开口率。

进一步地，在阵列基板100出现各种短路或断路的情况下，通过上述结构均可以进行修复，且不限于异常位置及数量，能够将线性异常转为点异常，从而能够有效提高生产良率。

另外，请参阅图7，图7是本发明阵列基板100的修复方法一实施方式的流程示意图。本实施方式阵列基板100的修复方法包括如下步骤：

S101：提供一阵列基板，该阵列基板为上述所述的阵列基板100，在此不再赘述。

S102：对阵列基板进行检测，确定缺陷位置。

S103：切断与该缺陷位置对应的部分公共电极线50，并使切断的部分公共电极线50线成为无源信号线。

S104：使用激光将修复结构70与信号传输线10的数据线12和公共电极线50焊接在一起，或者使用激光装置将修复结构70与信号传输线10的扫描线11和公共电极线50焊接在一起，使得与信号传输线10连接的公共电极线50线作为信号传输线发挥功能。

具体地，先通过激光将修复结构70周边的非金属层如绝缘层切开，暴露出修复结构70，在将修复结构70的端部焊接在信号传输线10的数据线12和公共电极线50，或者信号传输线10的扫描线11和公共电极线50上，以完成焊接。

以下列举具体实施方式进行说明。

请参阅图8，在一具体实施方式中，扫描线11的位置O发生断路时，切断公共电极线50的第一位置A及第二位置B，使得该公共电极线50成为无信号线；接着，使用激光装置在修复结构70处即焊接点M、N进行焊接，使得扫描线11与成为无信号线的公共电极线50通过修复结构70的焊接点M、N粘连在一起来形成通路；修复完成后，扫描线11的信号能够避开断路的扫描线11而沿着成为无信号线的公共电极线50朝向箭头的方向继续流通，从而保持扫描线11正常工作。

请参阅图9，在另一具体实施方式中，扫描线11与数据线12的位置P发生短路而导致异常时，切断公共电极线50的第一位置A及第二位置B，使得该公共电极线50成为无信号线；接着，切断该扫描线11的第一部位C及第二部位D，此时数据线12仍然可正常工作；接着，使用激光在修复结构70处即焊接点M、N进行焊接，使得扫描线11与成为无信号线的公共电极线50通过修复结构70的焊接点M、N粘连在一起来形成通路；修复完成后，扫描线11的信号能够避开断路的扫描线11而沿着成为无信号线的公共电极线50朝向箭头的方向继续流通而保持扫描线11的正常工作。

请参阅图10，本发明还提供一种显示装置200，该显示装置200包括相对设置的阵列基板100及彩膜基板101、以及设置在阵列基板100及彩膜基板101之间的液晶层102，阵列基板100为上述所述的阵列基板，对于阵列基板100的结构在此不再赘述，对于彩膜基板101及液晶层102，均可以采用现有的公知的结构，在此也不再赘述。

另外，本发明可以通过在各权利要求所述的发明的范围内自由组合以上所示的各实施方式，或者适当地修改各实施方式或省略一部分来配置。

本发明的范围并不限于上述内容，而是由权利要求的记载来定义，所以可以认为本说明书记载的实施方式只是举例说明，而并非进行限定。因此，所有不脱离权利要求的范围、界限的更改，以及等同于权利要求的范围、界限的内容都包含在权利要求的范围内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，其包括信号传输线、像素电极、公共电极线、薄膜晶体管以及修复结构，

所述信号传输线包括多条数据线及多条扫描线，所述多条数据线及所述多条扫描线相互垂直设置，并限定出多个像素区域，所述多个像素电极及所述薄膜晶体管形成在所述像素区域，

所述数据线用于向所述像素电极提供数据信号，

所述扫描线用于向所述薄膜晶体管提供开启或关断信号，

所述公共电极线以包围所述像素电极的方式设置，并且用于与所述像素电极构成存储电容，且为具有多条水平电极线和多条竖直电极线并所述水平电极线与所述竖直电极线相互垂直地设置形成为矩阵结构，

所述修复结构设置成与所述数据线或/和公共电极线重叠，或者设置成与所述扫描线或/和所述公共电极线重叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述信号传输线与所述公共电极线由不同材料制成时，所述修复结构与所述信号传输线由相同材料制成，或者所述修复结构与所述公共电极线由相同材料制成。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述数据线或所述扫描线的至少一侧设置有第一延展部，所述数据线的所述第一延展部从所述数据线延伸至与所述公共电极线的一部分重叠，从而形成所述修复结构，

或者所述扫描线的所述第一延展部从所述扫描线延伸至与所述公共电极线的一部分重叠，从而形成所述修复结构。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述公共电极线设置有第二延展部，所述第二延展部从所述公共电极线延伸至与所述数据线或所述扫描线的一部分重叠，从而形成所述修复结构。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述信号传输线与所述公共电极线由相同材料制成时，所述修复结构与所述信号传输线和所述公共电极线由不同材料制成。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

每个所述像素区域对应的所述扫描线或者所述数据线至少存在一个修复结构。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

每个所述修复结构与所述扫描线或/和所述公共电极线重叠的面积大于或等于1um_×1um，

或者每个所述修复结构与所述数据线或/和所述公共电极线重叠的面积大于或等于1um_×1um。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述修复结构呈口字形、I字形、H或工字形、T字形、或Z字形。

9.一种显示装置，其特征在于，其包括：

权利要求1～8中任一项所述的阵列基板；

彩膜基板；以及

液晶层，其设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间。

10.一种阵列基板的修复方法，其特征在于，所述修复方法包括：

提供权利要求1～8中任一项所述的阵列基板；

对所述阵列基板进行检测，确定缺陷位置；

切断与该缺陷位置对应的部分所述公共电极线，并使切断的所述部分公共电极线成为无源信号线；以及

使用激光将所述修复结构与所述数据线或/和公共电极线焊接在一起，或者使用激光将所述修复结构与所述扫描线或/和所述公共电极线焊接在一起，使得与所述数据线或者所述扫描线连接的公共电极线作为所述数据线或者所述扫描线发挥功能。