CN117174706A - 半桥电路封装结构 - Google Patents

Abstract

一种半桥电路封装结构，用以解决现有半桥电路封装结构使用不便及效能不彰的问题。包括：一个芯片座；一个第一金属岛；一个驱动芯片，具有一个接地焊盘及一个高侧接地焊盘；一个上桥开关，具有一个第一增强型晶体管及一个第一耗尽型晶体管，该第一增强型晶体管的源极焊盘电性连接该第一金属岛及该高侧接地焊盘，该第一耗尽型晶体管的闸极焊盘电性连接该第一金属岛；一个下桥开关，具有一个第二增强型晶体管及一个第二耗尽型晶体管，该第二耗尽型晶体管的源极焊盘电性连接该第二增强型晶体管的汲极焊盘，该第二耗尽型晶体管的汲极焊盘电性连接该第一金属岛。

Description

半桥电路封装结构

技术领域

本发明是关于一种封装结构，尤其是一种半桥电路的封装结构。

背景技术

由一个耗尽型晶体管(depletion mode MOSFET)与一个增强型晶体管(enhancement mode MOSFET)串叠(cascode)组成的开关装置，由于具有切换频率高、功率损耗低等优点，已普遍的使用于桥式电路中。进一步地，该桥式电路的多个元件可以整合成独立封装型态的一个整合型桥式电路，相较于离散型的桥式电路，该整合型桥式电路可以降低各元件之间的连接线所产生的寄生电感及寄生电阻，而具有较佳的效能。然而，制造该增强型晶体管及该耗尽型晶体管的基材及制程皆不相同，因此，现有半桥电路的封装结构是使用多芯片封装(Multi Chip Package，MCP)的方式，而具有一个驱动芯片、一个上桥开关及一个下桥开关等元件，该上桥开关及该下桥开关分别为一个上述的开关装置。

上述现有半桥电路的封装结构的各个元件之间，仍有部分的线路无法在该封装结构中完成连接，而必须在该封装结构外，通过外部的连接线才能构成完整的半桥电路。然而，连接该些外部的连接线造成该半桥电路使用上的不便，而且，该些外部的连接线仍会产生寄生电感及寄生电阻，导致该半桥电路的效能不彰。

因此，现有半桥电路的封装结构确实仍有加以改善的必要。

发明内容

为解决上述问题，本发明的目的是提供一种半桥电路封装结构，是具有使用便利性的。

本发明的次一个目的是提供一种半桥电路封装结构，是可以增加整合型半桥电路的效能的。

本发明全文所述方向性或其近似用语，例如(前)、(后)(左)、(右)、(上(顶))、(下(底))、(内)、(外)、(侧面)等，主要是参考附加图式的方向，各方向性或其近似用语仅用以辅助说明及理解本发明的各实施例，非用以限制本发明。

本发明全文所记载的元件及构件使用(一)或(一个)的量词，仅是为了方便使用且提供本发明范围的通常意义；于本发明中应被解读为包括一个或至少一个，且单一的概念也包括多个的情况，除非其明显意指其他意思。

本发明的半桥电路封装结构，包括：一个芯片座；一个基板，结合于该芯片座，该基板具有一个第一金属岛，该第一金属岛电性连接一个高侧接地引脚；一个驱动芯片，位于该芯片座，该驱动芯片具有一个接地焊盘、一个低侧输出焊盘、一个高侧接地焊盘及一个高侧输出焊盘，该驱动芯片由一个高侧电源焊盘电性连接一个高侧电源引脚，由一个输入电源焊盘电性连接一个输入电源引脚，由一个高侧输入焊盘电性连接一个高侧输入引脚，由一个低侧输入焊盘电性连接一个低侧输入引脚；一个上桥开关，结合于该基板，该上桥开关具有一个第一增强型晶体管及一个第一耗尽型晶体管，该第一增强型晶体管的一个闸极焊盘电性连接该高侧输出焊盘，该第一增强型晶体管的一个源极焊盘电性连接该第一金属岛及该高侧接地焊盘，该第一耗尽型晶体管的一个闸极焊盘电性连接该第一增强型晶体管的该源极焊盘，该第一耗尽型晶体管的一个源极焊盘电性连接该第一增强型晶体管的一个汲极焊盘，该第一耗尽型晶体管的一个汲极焊盘电性连接一个电源引脚；一个下桥开关，结合于该基板，该下桥开关具有一个第二增强型晶体管及一个第二耗尽型晶体管，该第二增强型晶体管的一个闸极焊盘电性连接该低侧输出焊盘，该第二增强型晶体管的一个源极焊盘电性连接一个共接点引脚，该第二耗尽型晶体管的一个闸极焊盘电性连接该第二增强型晶体管的该源极焊盘，该第二耗尽型晶体管的一个源极焊盘电性连接该第二增强型晶体管的一个汲极焊盘，该第二耗尽型晶体管的一个汲极焊盘电性连接该高侧接地引脚。

据此，本发明的半桥电路封装结构，该基板具有该第一金属岛。借助该第一金属岛作为电气讯号的连接点，使该半桥电路封装结构的各个元件可以便利地相互连接，进而可以在单一封装结构中构成完整的整合型半桥电路。如此，该整合型半桥电路的线路无须再通过外部连接线来完成，具有使用便利性的功效，也可以避免外部连接线所产生的寄生电感及寄生电阻导致干扰及能耗，具有增加该整合型半桥电路效能的功效。

其中，该基板可以为直接覆铜基板、直接镀铜基板或印刷电路板。如此，该基板可以具有较佳的导电性及导热性，具有降低电路的能耗及帮助电路元件散热的功效。

其中，该基板可以具有多个元件金属岛，该第一增强型晶体管及该第一耗尽型晶体管可以分别位于该多个元件金属岛的其中两个，该第一增强型晶体管的该汲极焊盘结合并导通于其所在的该元件金属岛，该第一耗尽型晶体管的该源极焊盘电性连接该第一增强型晶体管所在的该元件金属岛，该第二增强型晶体管及该第二耗尽型晶体管可以分别位于该多个元件金属岛的其中两个，该第二增强型晶体管的该汲极焊盘结合并导通于其所在的该元件金属岛，该第二耗尽型晶体管的该源极焊盘电性连接该第二增强型晶体管所在的该元件金属岛。因此，该多个元件金属岛可以传导该上桥开关及该下桥开关的热能，具有帮助该上桥开关及该下桥开关散热的功效。

其中，该高侧接地焊盘电性连接该第一金属岛，该第一增强型晶体管的该源极焊盘可以通过该第一金属岛电性连接该高侧接地焊盘。因此，具有便利连接该第一增强型晶体管的该源极焊盘及该高侧接地焊盘的功效。

其中，该第一耗尽型晶体管的该闸极焊盘电性连接该第一金属岛，该第一耗尽型晶体管的该闸极焊盘通过该第一金属岛电性连接该第一增强型晶体管的该源极焊盘。因此，具有便利连接该第一耗尽型晶体管的该闸极焊盘及该第一增强型晶体管的该源极焊盘的功效。

其中，该第二耗尽型晶体管的该汲极焊盘电性连接该第一金属岛，该第二耗尽型晶体管的该汲极焊盘通过该第一金属岛电性连接该高侧接地引脚。因此，具有便利连接该第二耗尽型晶体管的该汲极焊盘及该高侧接地引脚的功效。

其中，该基板可以具有一个第二金属岛，该第二金属岛电性连接该共接点引脚、该第二增强型晶体管的该源极焊盘及该第二耗尽型晶体管的该闸极焊盘。因此，借助该第二金属岛连接该第二耗尽型晶体管及该第二增强型晶体管，具有便利制造的功效。

其中，该接地焊盘可以电性连接该第二金属岛。因此，具有便利连接该第二增强型晶体管的该源极焊盘及该接地焊盘的功效。

其中，该第一增强型晶体管可以由其源极焊盘直接结合并导通于该第一金属岛，并通过该第一金属岛电性连接该高侧接地焊盘，该第二增强型晶体管可以由其源极焊盘直接结合并导通于该第二金属岛。因此，可以减少封装时打线的数量及打线的空间，具有缩小封装结构体积的功效。

其中，该驱动芯片可以结合于该基板，该驱动芯片的该高侧接地焊盘可以朝向该基板，并直接结合且导通于该第一金属岛，又，该驱动芯片的该接地焊盘可以朝向该基板，并直接结合且导通于该第二金属岛。因此，可以减少封装时打线的数量及打线的空间，具有缩小封装结构体积的功效。

其中，该高侧接地焊盘可以直接电性连接该第一增强型晶体管的该源极焊盘。因此，该高侧接地焊盘可以避免直接连接于大电流的传递路径，具有降低该驱动芯片受到大电流噪声干扰的功效。

其中，该第一耗尽型晶体管的该闸极焊盘直接电性连接该第一增强型晶体管的该源极焊盘。因此，该上桥开关可以减少通过金属岛传递电流，具有降低该上桥开关受到大电流噪声干扰的功效。

其中，该第二耗尽型晶体管的该汲极焊盘直接电性连接该高侧接地引脚。因此，该下桥开关可以减少通过金属岛传递电流，具有降低该下桥开关受到大电流噪声干扰的功效。

其中，该接地焊盘可以直接电性连接该第二增强型晶体管的该源极焊盘。因此，该接地焊盘可以避免直接连接于大电流的传递路径，具有降低该驱动芯片受到大电流噪声干扰的功效。

该半桥电路封装结构，可以另包括一个接地引脚，该接地引脚电性连接该接地焊盘。因此，可以避免该接地焊盘通过大电流路径而接地，具有避免大电流噪声导致该驱动芯片误动作的功效。

其中，该接地引脚可以直接电性连接该接地焊盘，该第二增强型晶体管的该源极焊盘可以通过该接地焊盘电性连接该接地引脚。因此，可以避免该接地焊盘通过大电流路径而接地，具有避免大电流噪声导致该驱动芯片误动作的功效。

其中，该接地引脚分别直接电性连接该接地焊盘及该第二增强型晶体管的该源极焊盘，该第二增强型晶体管的该源极焊盘通过该接地引脚电性连接该接地焊盘。因此，可以避免该接地焊盘及该第二增强型晶体管通过大电流路径而接地，具有避免大电流噪声导致该驱动芯片及该下桥开关误动作的功效。

其中，该接地焊盘及该第二耗尽型晶体管的该闸极焊盘可以通过该共接点引脚电性连接该第二增强型晶体管的该源极焊盘。因此，该第二耗尽型晶体管的该闸极焊盘、该接地焊盘及该第二增强型晶体管的该源极焊盘可以不通过金属岛连接，可以减少该半桥电路封装结构的空间，具有缩小封装结构体积的功效。

其中，该基板可以具有多个元件金属岛，该驱动芯片可以结合于该基板的该多个元件金属岛的其中之一。因此，可以减少该半桥电路封装结构的空间，具有缩小封装结构体积的功效。

附图说明

图1为本发明第一实施例的组合正面图。

图2为本发明第二实施例的组合正面图。

图3为本发明第三实施例的组合正面图。

图4为本发明第三实施例的另一种接线状态图。

图5为本发明第四实施例的组合正面图。

图6为本发明第四实施例的另一种接线状态图。

图7为本发明第五实施例的组合正面图。

图8为本发明第六实施例的组合正面图。

图9为本发明第七实施例的组合正面图。

【附图标记说明】

1:芯片座

2:基板

21:第一金属岛

22:第二金属岛

23:元件金属岛

3:驱动芯片

31:接地焊盘

32:低侧输出焊盘

33:高侧接地焊盘

34:高侧输出焊盘

35:高侧电源焊盘

36:输入电源焊盘

37:高侧输入焊盘

38:低侧输入焊盘

4:上桥开关

41:该第一增强型晶体管

411:闸极焊盘

412:源极焊盘

413:汲极焊盘

42:第一耗尽型晶体管

421:闸极焊盘

422:源极焊盘

423:汲极焊盘

5:下桥开关

51:第二增强型晶体管

511:闸极焊盘

512:源极焊盘

513:汲极焊盘

52:第二耗尽型晶体管

521:闸极焊盘

522:源极焊盘

523:汲极焊盘

COM:共接点引脚

HIN:高侧输入引脚

LIN:低侧输入引脚

VB:高侧电源引脚

VCC:输入电源引脚

VH:电源引脚

VS:高侧接地引脚

GND:接地引脚

具体实施方式

为让本发明的上述及其他目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举本发明的较佳实施例，并配合附图作详细说明；此外，在不同附图中标示相同符号者视为相同，会省略其说明。

请参照图1所示，其是本发明半桥电路封装结构的第一实施例，包括一个芯片座(die pad)1、一个基板(substrate)2、一个驱动芯片3、一个上桥开关4及一个下桥开关5，该基板2结合于该芯片座1，该驱动芯片3由该芯片座1承载，该上桥开关4及该下桥开关5结合于该基板2，该驱动芯片3、该上桥开关4及该下桥开关5互相电性连接。

该芯片座1可用于承载该半桥电路封装结构的各个元件，该芯片座1的尺寸及外形是本领域具有通常知识的可依各种封装结构需求而予以选择，本发明不加以限制。

该基板2可以为直接覆铜(Direct Bonded Copper，DBC)基板、直接镀铜(DirectPlated Copper，DPC)基板或印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)，可以具有较佳的导电性及导热性。该基板2可以具有金属导体的一个第一金属岛21、一个第二金属岛22及多个元件金属岛23，可作为电气讯号的连接点，该第一金属岛21电性连接一个高侧接地引脚VS，该第二金属岛22可以电性连接一个共接点引脚COM。此外，该上桥开关4及该下桥开关5还可以分别位于该多个元件金属岛23，因此，该多个元件金属岛23可以传导该上桥开关4及该下桥开关5的热能。上述各第一金属岛21、该第二金属岛22及该多个元件金属岛23的位置、形状及尺寸均可依封装结构的需求予以选择，本发明不加以限制。

该驱动芯片3为裸晶型态的半导体集成电路，在本实施例中，该驱动芯片3可以位于该芯片座1而未结合于该基板2，可以降低该驱动芯片3受到该上桥开关4及该下桥开关5的热能的影响。该驱动芯片3是用以切换该上桥开关4及该下桥开关5的导通及截止状态，该驱动芯片3为连接该上桥开关4及该下桥开关5，而具有一个接地焊盘(GND_IC pad)31、一个低侧输出焊盘(LO pad)32、一个高侧接地焊盘(VS_IC pad)33及一个高侧输出焊盘(HOpad)34，其中，该接地焊盘31可以电性连接该第二金属岛22，该高侧接地焊盘33可以电性连接该第一金属岛21。又，该驱动芯片3还可以由一个高侧电源焊盘(VB_IC pad)35电性连接一个高侧电源引脚VB；由一个输入电源焊盘(VCC_IC pad)36电性连接一个输入电源引脚VCC；由一个高侧输入焊盘(HIN_IC pad)37电性连接一个高侧输入引脚HIN；及由一个低侧输入焊盘(LIN_IC pad)38电性连接一个低侧输入引脚LIN。

该上桥开关4具有一个第一增强型晶体管41，该第一增强型晶体管41的顶侧可以具有一个闸极焊盘(gate pad)411及一个源极焊盘(source pad)412，该第一增强型晶体管41的底侧可以具有一个汲极焊盘(drain pad)413。该上桥开关4还具有一个第一耗尽型晶体管42，该第一耗尽型晶体管42的一个闸极焊盘421、一个源极焊盘422及一个汲极焊盘423可以皆位于该第一耗尽型晶体管42的顶侧。

在本实施例中，该第一增强型晶体管41及该第一耗尽型晶体管42可以分别位于该多个元件金属岛23的其中两个，在其他实施例中，该第一增强型晶体管41及该第一耗尽型晶体管42也可以共享一个元件金属岛23，是本领域中具有通常知识的可以理解。该第一增强型晶体管41的该闸极焊盘411电性连接该驱动芯片3的该高侧输出焊盘34，该第一增强型晶体管41的该源极焊盘412电性连接该第一金属岛21，并可以通过该第一金属岛21电性连接该驱动芯片3的该高侧接地焊盘33，该第一增强型晶体管41的该汲极焊盘413可以结合并导通于其所在的该元件金属岛23，该第一耗尽型晶体管42的该源极焊盘422可以电性连接该第一增强型晶体管41所在的该元件金属岛23，借此以电性连接该第一增强型晶体管41的该汲极焊盘413。该第一耗尽型晶体管42的该汲极焊盘423电性连接一个电源引脚VH。

该下桥开关5具有一个第二增强型晶体管51，该第二增强型晶体管51的顶侧可以具有一个闸极焊盘511及一个源极焊盘512，该第二增强型晶体管51的底侧可以具有一个汲极焊盘513。该下桥开关5还具有一个第二耗尽型晶体管52，该第二耗尽型晶体管52的一个闸极焊盘521、一个源极焊盘522及一个汲极焊盘523可以皆位于该第二耗尽型晶体管52的顶侧。

在本实施例中，该第二增强型晶体管51及该第二耗尽型晶体管52可以分别位于该多个元件金属岛23的其中两个，在其他实施例中，该第二增强型晶体管51及该第二耗尽型晶体管52也可以共享一个元件金属岛23，是本领域具有通常知识的可以理解。该第二增强型晶体管51的该闸极焊盘511电性连接该驱动芯片3的该低侧输出焊盘32，该第二增强型晶体管51的该源极焊盘512可以电性连接该第二金属岛22，并可以通过该第二金属岛22电性连接该驱动芯片3的该接地焊盘31及该共接点引脚COM，该第二增强型晶体管51的该汲极焊盘513可以结合并导通于其所在的该元件金属岛23。该第二耗尽型晶体管52的该闸极焊盘521可以电性连接该第二金属岛22，并通过该第二金属岛22电性连接该第二增强型晶体管51的该源极焊盘512及该驱动芯片3的该接地焊盘31，该第二耗尽型晶体管52的该源极焊盘522可以电性连接该第二增强型晶体管51所在的该元件金属岛23，借此以电性连接该第二增强型晶体管51的该汲极焊盘513。该第二耗尽型晶体管52的该汲极焊盘523电性连接该第一金属岛21。

本发明的半桥电路封装结构中，该驱动芯片3的该高侧输入焊盘37可以接收一个高侧输入信号，该高侧输入信号使该驱动芯片3的该高侧输出焊盘34产生一个高侧输出信号；该驱动芯片3的该低侧输入焊盘38可以接收一个低侧输入信号，该低侧输入信号使该驱动芯片3的该低侧输出焊盘32产生一个低侧输出信号。该驱动芯片3可以借助该高侧输出信号及该低侧输出信号驱动该上桥开关4及该下桥开关5的切换。

请参照图2所示，其是本发明半桥电路封装结构的第二实施例，在本实施例中，该驱动芯片3的该高侧接地焊盘33可以直接电性连接该第一增强型晶体管41的该源极焊盘412；该第一耗尽型晶体管42的该闸极焊盘421可以直接电性连接该第一增强型晶体管41的该源极焊盘412；该第二耗尽型晶体管52的该汲极焊盘523可以直接电性连接该高侧接地引脚VS；该驱动芯片3的该接地焊盘31可以直接电性连接该第二增强型晶体管51的该源极焊盘512。因此此，该高侧接地焊盘33及该接地焊盘31可以避免直接连接于大电流的传递路径。

请参照图3及图4所示，其是本发明半桥电路封装结构的第三实施例，本实施例的该半桥电路封装结构可以另包括一个接地引脚GND，该接地引脚GND电性连接该第二增强型晶体管51的该源极焊盘512。如图3所示，该接地引脚GND可以直接电性连接该第二增强型晶体管51的该源极焊盘512，以间接电性连接该驱动芯片3的该接地焊盘31。或者如图4所示，该接地引脚GND可以直接电性连接该接地焊盘31，该第二增强型晶体管51的该源极焊盘512可以通过该接地焊盘31电性连接该接地引脚GND。借助该接地引脚GND，可以避免该接地焊盘31通过大电流路径上的该共接点引脚COM而接地。此外，本实施例的该驱动芯片3的该高侧接地焊盘33，也可同于前述第一实施例的直接电性连接该第一金属岛21的形态；该驱动芯片3的该接地焊盘31，也可同于前述第一实施例的直接电性连接该第二金属岛22的形态，是本领域中具有通常知识的可以理解。

请参照图5所示，其是本发明半桥电路封装结构的第四实施例，该第二增强型晶体管51的该源极焊盘512直接电性连接该共接点引脚COM，在本实施例中，该第二耗尽型晶体管52的该闸极焊盘521可以直接电性连接该第二增强型晶体管51的该源极焊盘512；又，该接地引脚GND可以分别直接电性连接该驱动芯片3的该接地焊盘31及该第二增强型晶体管51的该源极焊盘512，该第二增强型晶体管51的该源极焊盘512通过该接地引脚GND电性连接该接地焊盘31。因此，如图6所示，该第二耗尽型晶体管52的该闸极焊盘521及该接地焊盘31也可以直接电性连接该共接点引脚COM，该接地焊盘31及该第二耗尽型晶体管52的该闸极焊盘521也可以通过该共接点引脚COM电性连接该第二增强型晶体管51的该源极焊盘512。如此，该第二耗尽型晶体管52的该闸极焊盘521及该第二增强型晶体管51的该源极焊盘512不需通过金属岛连接，可以减少该半桥电路封装结构的空间。此外，本实施例的该驱动芯片3的该高侧接地焊盘33，也可同于前述第一实施例的直接电性连接该第一金属岛21的形态，是本领域中具有通常知识的可以理解。

请参照图7所示，其是本发明半桥电路封装结构的第五实施例，该驱动芯片3位于该基板2上的该多个元件金属岛23的其中之一。因此，可以减少该半桥电路封装结构的元件布局面积。此外，本实施例的该驱动芯片3的该高侧接地焊盘33，也可同于前述第一实施例的直接电性连接该第一金属岛21的形态；本实施例的基板2也可同于前述第一实施例的具有该第二金属岛22的形态，是本领域中具有通常知识的可以理解。

请参照图8所示，其是本发明半桥电路封装结构的第六实施例，该第一耗尽型晶体管42位于该第一金属岛21上，该第一增强型晶体管41可以以覆晶(flip chip)的方式由其源极焊盘412直接结合并导通于该第一金属岛21，并通过该第一金属岛21电性连接该高侧接地焊盘33，该第一耗尽型晶体管42的该源极焊盘422直接电性连接该第一增强型晶体管41的该汲极焊盘413。相同的，该第二耗尽型晶体管52位于该第二金属岛22上，该第二增强型晶体管51可以以覆晶的方式由其源极焊盘512直接结合并导通于该第二金属岛22，该第二耗尽型晶体管52的该源极焊盘522直接电性连接该第二增强型晶体管51的该汲极焊盘513。借助该第一增强型晶体管41及/或该第二增强型晶体管51的覆晶结合，可以减少封装时打线的数量及打线的空间。在本实施例中，该驱动芯片3位于该芯片座1而不位于该基板2，因此，该驱动芯片3也可以同前述第五实施例一般地位于该基板2上。

请参照图9所示，其是本发明半桥电路封装结构的第七实施例，该驱动芯片3可以以覆晶的方式结合于该基板2，而使该驱动芯片3的该高侧接地焊盘33可以朝向该基板2，并直接结合且导通于该第一金属岛21；该驱动芯片3的该接地焊盘31可以朝向该基板2，并直接结合且导通于该第二金属岛22。因此，可以进一步地减少封装时打线的数量及打线的空间。此外，本实施例的该上桥开关4也可同于前述第一实施例的该上桥开关4位于二元件金属岛23的形态；该下桥开关5也可同于前述第一实施例的该下桥开关5位于两元件金属岛23的形态，是本领域中具有通常知识的可以理解。

综上所述，本发明的半桥电路封装结构，该基板具有该第一金属岛。借助该第一金属岛作为电气讯号的连接点，使该半桥电路封装结构的各个元件可以便利地相互连接，进而可以在单一封装结构中构成完整的整合型半桥电路。因此，该整合型半桥电路的线路无须再通过外部连接线来完成，具有使用便利性的功效，也可以避免外部连接线所产生的寄生电感及寄生电阻导致干扰及能耗，具有增加该整合型半桥电路效能的功效。

虽然本发明已利用上述较佳实施例揭示，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，相对上述实施例进行各种更动与修改仍属本发明所保护的技术范畴，因此本发明的保护范围当视权利要求书为准。

Claims (19)

1.一种半桥电路封装结构，其特征在于，包括：

一个芯片座；

一个基板，结合于该芯片座，该基板具有一个第一金属岛，该第一金属岛电性连接一个高侧接地引脚；

一个驱动芯片，位于该芯片座，该驱动芯片具有一个接地焊盘、一个低侧输出焊盘、一个高侧接地焊盘及一个高侧输出焊盘，该驱动芯片由一个高侧电源焊盘电性连接一个高侧电源引脚，由一个输入电源焊盘电性连接一个输入电源引脚，由一个高侧输入焊盘电性连接一个高侧输入引脚，由一个低侧输入焊盘电性连接一个低侧输入引脚；

一个上桥开关，结合于该基板，该上桥开关具有一个第一增强型晶体管及一个第一耗尽型晶体管，该第一增强型晶体管的一个闸极焊盘电性连接该高侧输出焊盘，该第一增强型晶体管的一个源极焊盘电性连接该第一金属岛及该高侧接地焊盘，该第一耗尽型晶体管的一个闸极焊盘电性连接该第一增强型晶体管的该源极焊盘，该第一耗尽型晶体管的一个源极焊盘电性连接该第一增强型晶体管的一个汲极焊盘，该第一耗尽型晶体管的一个汲极焊盘电性连接一个电源引脚；

一个下桥开关，结合于该基板，该下桥开关具有一个第二增强型晶体管及一个第二耗尽型晶体管，该第二增强型晶体管的一个闸极焊盘电性连接该低侧输出焊盘，该第二增强型晶体管的一个源极焊盘电性连接一个共接点引脚，该第二耗尽型晶体管的一个闸极焊盘电性连接该第二增强型晶体管的该源极焊盘，该第二耗尽型晶体管的一个源极焊盘电性连接该第二增强型晶体管的一个汲极焊盘，该第二耗尽型晶体管的一个汲极焊盘电性连接该高侧接地引脚。

2.如权利要求1所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该基板为直接覆铜基板、直接镀铜基板或印刷电路板。

3.如权利要求1所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该基板具有多个元件金属岛，该第一增强型晶体管及该第一耗尽型晶体管分别位于该多个元件金属岛的其中两个，该第一增强型晶体管的该汲极焊盘结合并导通于其所在的该元件金属岛，该第一耗尽型晶体管的该源极焊盘电性连接该第一增强型晶体管所在的该元件金属岛，该第二增强型晶体管及该第二耗尽型晶体管分别位于该多个元件金属岛的其中两个，该第二增强型晶体管的该汲极焊盘结合并导通于其所在的该元件金属岛，该第二耗尽型晶体管的该源极焊盘电性连接该第二增强型晶体管所在的该元件金属岛。

4.如权利要求1所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该高侧接地焊盘电性连接该第一金属岛，该第一增强型晶体管的该源极焊盘通过该第一金属岛电性连接该高侧接地焊盘。

5.如权利要求1所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该第一耗尽型晶体管的该闸极焊盘电性连接该第一金属岛，该第一耗尽型晶体管的该闸极焊盘通过该第一金属岛电性连接该第一增强型晶体管的该源极焊盘。

6.如权利要求1所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该第二耗尽型晶体管的该汲极焊盘电性连接该第一金属岛，该第二耗尽型晶体管的该汲极焊盘通过该第一金属岛电性连接该高侧接地引脚。

7.如权利要求1所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该基板具有一个第二金属岛，该第二金属岛电性连接该共接点引脚、该第二增强型晶体管的该源极焊盘及该第二耗尽型晶体管的该闸极焊盘。

8.如权利要求7所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该接地焊盘电性连接该第二金属岛。

9.如权利要求7所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该第一增强型晶体管由其源极焊盘直接结合并导通于该第一金属岛，并通过该第一金属岛电性连接该高侧接地焊盘，该第二增强型晶体管由其源极焊盘直接结合并导通于该第二金属岛。

10.如权利要求7所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该驱动芯片结合于该基板，该驱动芯片的该高侧接地焊盘朝向该基板，并直接结合且导通于该第一金属岛，又，该驱动芯片的该接地焊盘朝向该基板，并直接结合且导通于该第二金属岛。

11.如权利要求1所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该高侧接地焊盘直接电性连接该第一增强型晶体管的该源极焊盘。

12.如权利要求1所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该第一耗尽型晶体管的该闸极焊盘直接电性连接该第一增强型晶体管的该源极焊盘。

13.如权利要求1所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该第二耗尽型晶体管的该汲极焊盘直接电性连接该高侧接地引脚。

14.如权利要求1所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该接地焊盘直接电性连接该第二增强型晶体管的该源极焊盘。

15.如权利要求1所述的半桥电路封装结构，另包括一个接地引脚，该接地引脚电性连接该接地焊盘。

16.如权利要求15所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该接地引脚直接电性连接该接地焊盘，该第二增强型晶体管的该源极焊盘通过该接地焊盘电性连接该接地引脚。

17.如权利要求15所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该接地引脚分别直接电性连接该接地焊盘及该第二增强型晶体管的该源极焊盘，该第二增强型晶体管的该源极焊盘通过该接地引脚电性连接该接地焊盘。

18.如权利要求1所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该接地焊盘及该第二耗尽型晶体管的该闸极焊盘通过该共接点引脚电性连接该第二增强型晶体管的该源极焊盘。

19.如权利要求1所述的半桥电路封装结构，其特征在于，该基板具有多个元件金属岛，该驱动芯片结合于该基板的该多个元件金属岛的其中之一。