CN117168709A - 一种用于检测半导体基块气密性的工装及检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于检测半导体基块气密性的工装及检测方法，其包括：测试基座，其上设置有接头孔，接头孔与检测仪器连接，以对待测基块的流道气密性进行检测；测试底板，位于测试基座的下方，待测基块位于测试基座与测试底板之间；紧固件，用于将测试基座与测试底板连接，以将待测基块紧固在测试基座与测试底板之间。本发明能有效检测半导体基块气密性，性能可靠。

Description

一种用于检测半导体基块气密性的工装及检测方法

技术领域

本发明涉及一种半导体制造技术领域，特别是关于一种用于检测半导体基块气密性的工装及检测方法。

背景技术

现阶段半导体基流道加工完成以后，需焊接挡板将流道加工进刀口焊接封死，但没有所对应的气密性检测工装用于检测焊接挡板后每条流道的气密性。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的是提供一种用于检测半导体基块气密性的工装及检测方法，其能有效检测半导体基块气密性，性能可靠。

为实现上述目的，本发明采取以下技术方案：一种用于检测半导体基块气密性的工装，其包括：测试基座，其上设置有接头孔，接头孔与检测仪器连接，以对待测基块的流道气密性进行检测；测试底板，位于测试基座的下方，待测基块位于测试基座与测试底板之间；紧固件，用于将测试基座与测试底板连接，以将待测基块紧固在测试基座与测试底板之间。

进一步，测试基座的接头孔上设置有接头管，该接头管与接头孔之间为密封连接。

进一步，还包括法兰接头；法兰接头包括连接法兰及与该连接法兰一体成型的连接管；

连接法兰与检测仪器的接口端连接，连接管与测试基座上的接头管连接，且均采用密封连接。

进一步，连接管与接头管之间采用螺纹连接或焊接。

进一步，法兰接头的中心处设置有用于检测气体通过的中心孔，该中心孔与连接管连通。

进一步，测试基座的内侧面设置有第一检测盲孔，测试底板的顶部设置有第二检测盲孔；

第一检测盲孔与待测基块顶部的流道孔呈对应设置，第二检测盲孔与待测基块底部的流道孔呈对应设置。

进一步，第一检测盲孔和第二检测盲孔的设置数量与待测基块的流道孔对应设置。

进一步，接头孔、第一检测盲孔和第二检测盲孔内都设置有密封垫。

一种基于上述用于检测半导体基块气密性的工装的检测方法，其包括：根据待测基块的流道位置尺寸，选择对应的测试基座和测试底板；将密封垫放入各个流道孔处，通过螺栓将待测基块紧固在测试基座和测试底板之间；将检测仪器通过法兰接头与测试基座上的接头管连接，向待测基块内通入检测气体，以对待测基块的气密性检测。

进一步，检测仪器采用氦质谱检测仪；

将氦质谱检测仪的接口与法兰接头连接，进行正压和负压的检测，以对基块在正压和负压工作状态下的气密性进行检测。

本发明由于采取以上技术方案，其具有以下优点：

1、本发明通过检测基座和检测背板可以对不同半导体基块进行检测，检测性能可靠，连接方法简单、多样，检测迅速。

2、本发明的半导体气密性检测工装实用性强，组装方法简单，成本低廉。

附图说明

图1是本发明实施例中用于检测半导体基块气密性的工装整体结构示意图；

图2是本发明实施例中将待测基块固定后的工装整体结构示意图；

图3是本发明实施例中测试基座结构示意图；

图4是本发明实施例中测试底板结构示意图；

附图标记说明：

1-测试基座；2-测试底板；3-接头管；4-法兰接头；5-连接法兰；6-连接管；7-螺栓；8-密封垫；9-第一检测盲孔；10-第二检测盲孔；11-接头孔；12-待测基块；13-流道孔。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行详细的描述。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本发明的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

针对现有半导体基流道加工完，需焊接挡板将流道加工进刀口焊接封死，但没有所对应的气密性检测工装用于检测焊接挡板后流道气密性的问题。本发明提供一种用于检测半导体基块气密性的工装及检测方法。

在本发明的一个实施例中，提供一种用于检测半导体基块气密性的工装。本实施例中，如图1、图2所示，该工装包括：

测试基座1，其上设置有接头孔11，接头孔11与检测仪器连接，以对待测基块12的流道气密性进行检测；

测试底板2，位于测试基座1的下方，待测基块12位于测试基座1与测试底板2之间；

紧固件，用于将测试基座1与测试底板2连接，以将待测基块12紧固在测试基座1与测试底板2之间。

使用时，将待测基块12放入测试底板2上，通过紧固件将位于待测基块12上方的测试基座1与测试底板2连接在一起，将待测基块12紧固在两者之间。检测仪器与测试基座1的接头孔11连接，实现对待测基块12的流道气密性进行检测。

上述实施例中，测试基座1的接头孔11上设置有接头管3，该接头管3与接头孔11之间为密封连接。本实施例中，接头管3与接头孔11之间可以采用螺纹连接，或采用焊接方式固定连接。

接头管3与接头孔11之间采用螺纹连接时，在接头孔11的内壁设置有内螺纹，接头管3的端部设置有外螺纹，且为了进一步保证密封性，在两者连接处设置有密封胶。

上述实施例中，本发明的工装还包括法兰接头4。法兰接头4包括连接法兰5及与该连接法兰5一体成型的连接管6。连接法兰5与检测仪器的接口端连接，连接管6与测试基座1上的接头管3连接，且均采用密封连接。

本实施例中，连接管6与测试基座1上的接头管3之间可以采用螺纹连接或焊接等方式。优选的，连接管6与测试基座1焊接。

本实施例中，法兰接头4的中心处设置有用于检测气体通过的中心孔，该中心孔与连接管6连通，以将测试气体经连接管6、接头管3及测试基座1进入待测基块12的流道内。

上述实施例中，如图3、图4所示，测试基座1的内侧面设置有第一检测盲孔9，测试底板2的顶部设置有第二检测盲孔10。第一检测盲孔9与待测基块12顶部的流道孔13呈对应设置，第二检测盲孔10与待测基块12底部的流道孔13呈对应设置。

本实施例中，第一检测盲孔9和第二检测盲孔10的设置数量与待测基块12的流道孔13对应设置。

本实施例中，可以根据待测基块12的流道的位置和尺寸，采用具有不同第一检测盲孔9、第二检测盲孔10和接头孔11的测试基座1以及测试底板2，使用时以通过与待测基块12对应测试基座1和测试底板2。其中，接头孔11为通孔，其余密封流道用的孔为盲孔。

上述实施例中，位于接头孔11、第一检测盲孔9和第二检测盲孔10内都设置有密封垫8，以将测试基座1与待测基块12顶部、待测基块12底部与测试底板2之间进行密封，避免漏气现象。

上述实施例中，紧固件采用螺栓7。测试底板2的两端分别通过螺栓7与测试基座1的两端固定连接。使用时，通过螺栓7调整测试底板2与测试基座1之间的距离，以将待测基块12进行检测或取放。

上述实施例中，检测仪器采用氦质谱检测仪。

在本发明的一个实施例中，提供一种用于检测半导体基块气密性的检测方法，该方法基于上述各实施例中的检测工装实现。本实施例中，该检测方法包括以下步骤：

1）根据待测基块12的流道位置尺寸，选择对应的测试基座1和测试底板2；

2）将密封垫8放入各个流道孔13处，通过螺栓7将待测基块12紧固在测试基座1和测试底板2之间；

3）将检测仪器通过法兰接头4与测试基座1上的接头管3连接，向待测基块12内通入检测气体，以实现对待测基块12的气密性检测。

上述步骤3）中，检测仪器采用氦质谱检测仪。将氦质谱检测仪的接口与法兰接头4的连接法兰5连接，进行正压和负压的检测，以实现对基块在正压和负压工作状态下的气密性进行检测。

本实施例中，检测仪器还可以采用其他气源检测仪，通过转换接头将检测仪与法兰接头4连接，以对待测基块12进行气密性测试。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种用于检测半导体基块气密性的工装，其特征在于，包括：

测试基座，其上设置有接头孔，接头孔与检测仪器连接，以对待测基块的流道气密性进行检测；

测试底板，位于测试基座的下方，待测基块位于测试基座与测试底板之间；

紧固件，用于将测试基座与测试底板连接，以将待测基块紧固在测试基座与测试底板之间。

2.如权利要求1所述用于检测半导体基块气密性的工装，其特征在于，测试基座的接头孔上设置有接头管，该接头管与接头孔之间为密封连接。

3.如权利要求2所述用于检测半导体基块气密性的工装，其特征在于，还包括法兰接头；法兰接头包括连接法兰及与该连接法兰一体成型的连接管；

连接法兰与检测仪器的接口端连接，连接管与测试基座上的接头管连接，且均采用密封连接。

4.如权利要求3所述用于检测半导体基块气密性的工装，其特征在于，连接管与接头管之间采用螺纹连接或焊接。

5.如权利要求3所述用于检测半导体基块气密性的工装，其特征在于，法兰接头的中心处设置有用于检测气体通过的中心孔，该中心孔与连接管连通。

6.如权利要求1所述用于检测半导体基块气密性的工装，其特征在于，测试基座的内侧面设置有第一检测盲孔，测试底板的顶部设置有第二检测盲孔；

第一检测盲孔与待测基块顶部的流道孔呈对应设置，第二检测盲孔与待测基块底部的流道孔呈对应设置。

7.如权利要求6所述用于检测半导体基块气密性的工装，其特征在于，第一检测盲孔和第二检测盲孔的设置数量与待测基块的流道孔对应设置。

8.如权利要求6所述用于检测半导体基块气密性的工装，其特征在于，接头孔、第一检测盲孔和第二检测盲孔内都设置有密封垫。

9.一种基于如权利要求1至8任一项所述用于检测半导体基块气密性的工装的检测方法，其特征在于，包括：

根据待测基块的流道位置尺寸，选择对应的测试基座和测试底板；

将密封垫放入各个流道孔处，通过螺栓将待测基块紧固在测试基座和测试底板之间；

将检测仪器通过法兰接头与测试基座上的接头管连接，向待测基块内通入检测气体，以对待测基块的气密性检测。

10.如权利要求9所述检测方法，其特征在于，检测仪器采用氦质谱检测仪；

将氦质谱检测仪的接口与法兰接头连接，进行正压和负压的检测，以对基块在正压和负压工作状态下的气密性进行检测。