CN117168370A - 测量方法、装置及射线测量设备 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种测量方法、装置及射线测量设备，涉及电池技术领域。方法包括：根据射线穿过所述被测工件的射线强度，确定所述被测工件的测量质量参数；通过所述被测工件所处的测量环境下的位移曲线函数对所述测量质量参数进行修正，得到所述被测工件的修正质量参数，其中，所述位移曲线函数用于表征所述测量环境下的环境因素对射线产生的影响。

Description

测量方法、装置及射线测量设备
技术领域
本申请属于电池技术领域，尤其是涉及一种测量方法、装置及射线测量设备。
背景技术
随着物理技术的飞速发展，根据射线穿过物体而产生衰减的原理，可以实现对被测工件的厚度、重量以及面密度等质量参数的测量，并逐渐应用于各个领域中。例如，在电池生产过程中，通过射线测量电池极片的厚度、重量以及面密度等质量参数。
目前，在通过射线对被测工件的质量参数的测量中，通常是根据射线穿过被测工件后的射线强度与射线衰减系数，计算得到被测工件的质量参数。但是，仅根据射线穿过被测工件后的射线强度与射线衰减系数计算得到的质量参数，可能与被测工件的实际质量参数存在偏差，从而导致测量得到的质量参数精度降低。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种测量方法、装置和射线测量设备，能够解决目前工件的质量参数的测量中通常存在检测准确率低的问题。
第一方面，本申请实施例提供一种测量方法，包括：
根据射线穿过所述被测工件的射线强度，确定所述被测工件的测量质量参数；
通过所述被测工件所处的测量环境下的位移曲线函数对所述测量质量参数进行修正，得到所述被测工件的修正质量参数，其中，所述位移曲线函数用于表征所述测量环境下的环境因素对射线产生的影响。
本申请实施例中，先根据射线穿过被测工件的射线强度，确定被测工件的测量质量参数，再通过被测工件所处的测量环境下的位移函数对测量质量参数进行修正，该位移曲线函数用于表征测量环境下的环境因素对射线透射率产生的影响。如此，在测量中通过位移曲线函数，考虑环境因素对射线的射线透射率产生的影响，并对测量得到的测量质量参数进行修正，从而测量质量参数与实际质量参数更接近或者一致，提升测量精度。
在一些实施方式中，所述通过所述被测工件所处的测量环境下的位移曲线函数对所述测量质量参数进行修正之前，还包括：
在测量环境中对至少两个标定件进行标定，得到所述测量环境的质量校准曲线，所述质量校准曲线用于表征各所述标定件的测量质量参数与预设的标称质量参数的关系；
对所述测量环境的质量校准曲线相对于标准环境的质量校准曲线进行拟合，得到所述位移曲线函数，所述位移曲线函数用于表征所述测量环境相对于所述标准环境中射线透射率的变化量。
本实施方式中，通过对在测量环境中标定得到的质量校准曲线，相对于在标准环境中测量得到的质量校准曲线进行拟合，得到上述位移曲线函数，从而使得得到的位移出现更能体现测量环境对射线透射率的影响，进而使得最终确定的质量参数更精确。
在一些实施方式中，所述测量环境与所述标准环境中污染物以及目标影响因素均不同，所述目标影响因素包括除所述污染物之外对射线透射率产生变化的环境因素。
本实施方式中，测量环境与标准环境中污染物以及目标影响因素均不同，从而不仅考虑污染物对射线透射率的影响，还考虑目标影响因素对射线透射率的影响，使得修正后的质量参数更准确。
在一些实施方式中，还包括：
模拟得到第一初始位移和第二初始位移，所述第一初始位移用于表征在仅在所述测量环境中污染物影响下，相比所述标准环境中射线透射率的偏差；所述第二初始位移用于表征在在所述测量环境下，相比所述标准环境中射线透射率的偏差；
基于所述第二初始位移与所述第一初始位移的比值，更新所述位移曲线函数，其中，更新后的位移曲线函数为更新前的位移曲线函数与所述比值的乘积。
本实施方式中，先获取在测量环境中污染物下产生的第一初始位移以及在测量环境(即包括污染物以及目标影响因素)下产生的第二初始位移，然后计算第二初始位移与第一初始位移的比值，最后将位移曲线函数更新为拟合得到的位移曲线函数与比值的乘积，从而使生成的位移曲线函数既考虑污染物对射线产生的影响，还考虑其他因素对射线产生的影响，使得确定的位移曲线函数更准确，从而使得测量得到的质量参数更精确。
在一些实施方式中，各初始位移通过如下公式计算得到：
C表示所述初始位移；
If表示在所述初始位移对应的环境下，测量得到射线穿过所述标定件后的射线强度；
Ia表示在所述初始位移对应的环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度；
表示在所述标准环境下，测量得到射线穿过所述标定件后的射线强度；/>表示在所述标准环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度。
本实施方式中，通过将各初始位移对应的环境下的射线透射率与标准环境下的射线透射率之间的差值，确定为该初始位移，使得确定的初始位移更合理，从而使得更新后的位移曲线函数表征测量环境中各环境因素对射线产生的影响更准确，进而进一步提升质量参数的测量的精度。
在一些实施方式中，各质量校准曲线通过如下公式获取：
Q表示射线穿过所述标定件的射线强度以及所述射线衰减系数计算得到的所述标定件的测量质量参数；
Q1表示所述标定件的实际质量参数；
μ表示所述射线衰减系数；
Is表示在所述质量校准曲线对应的环境下，测量得到射线穿过所述标定件后的射线强度；
Ia表示在所述质量校准曲线对应的环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度；
表示射线源发射的射线的射线强度；
表示所述标定件的辐射强度。
本实施方式中，通过上述公式获取各质量校准曲线，使得获取的质量校准曲线符合比尔定律，从而提升质量校准曲线的准确性，进而进一步提升测量得到的质量参数的准确性。
在一些实施方式中，所述在测量环境中对所述至少两个标定件进行标定，得到测量环境的质量校准曲线，包括：
在预设周期到达的情况下，在测量环境中对所述至少两个标定件进行标定，得到测量环境的质量校准曲线。
本实施方式中，通过在预设周期到达的情况下，在测量环境中对所述至少两个标定件进行标定，得到测量环境的质量校准曲线，从而可以及时更新位移曲线函数，使得测量得到的质量参数更精确。
在一些实施方式中，所述被测工件包括电池极片，所述质量参数包括电池极片的面密度。
本实施方式中，可以在电池极片的生产过程中，实现对测量得到的测量面密度进行修正，从而测量面密度与实际面密度更接近或者一致，提升电池极片的面密度的测量精度。
第二方面，本申请实施例还提供一种测量装置，包括：
测量质量参数确定模块，用于根据射线穿过所述被测工件的射线强度，确定所述被测工件的测量质量参数；
质量参数修正模块，用于通过所述被测工件所处的测量环境下的位移曲线函数对所述测量质量参数进行修正，得到所述被测工件的修正质量参数，其中，且所述位移曲线函数用于表征所述测量环境下的环境因素对射线产生的影响。
本申请实施例中，先根据射线穿过被测工件的射线强度确定被测工件的测量质量参数，再通过被测工件所处的测量环境下的位移函数对测量质量参数进行修正，该位移曲线函数用于表征测量环境下的环境因素对射线透射率产生的影响。如此，在测量中通过位移曲线函数，考虑环境因素对射线的射线透射率产生的影响，并对测量得到的测量质量参数进行修正，从而测量质量参数与实际质量参数更接近或者一致，提升测量精度。
在一些实施方式中，还包括：
质量校准曲线生成模块，用于在测量环境中对至少两个标定件进行标定，得到所述测量环境的质量校准曲线，所述质量校准曲线用于表征各所述标定件的测量质量参数与预设的标称质量参数的关系；
位移曲线函数生成模块，用于对所述测量环境的质量校准曲线相对于标准环境的质量校准曲线进行拟合，得到所述位移曲线函数，所述位移曲线函数用于表征所述测量环境相对于所述标准环境中射线透射率的变化量。
本实施方式中，通过对在测量环境中标定得到的质量校准曲线，相对于在标准环境中测量得到的质量校准曲线进行拟合，得到上述位移曲线函数，从而使得得到的位移出现更能体现测量环境对射线透射率的影响，进而使得最终确定的质量参数更精确。
在一些实施方式中，所述测量环境与所述标准环境中污染物以及目标影响因素均不同，所述目标影响因素包括除所述污染物之外对射线透射率产生变化的环境因素。
本实施方式中，测量环境与标准环境中污染物以及目标影响因素均不同，从而不仅考虑污染物对射线透射率的影响，还考虑目标影响因素对射线透射率的影响，使得修正后的质量参数更准确。
在一些实施方式中，还包括：
模拟模块，用于模拟得到第一初始位移和第二初始位移，所述第一初始位移用于表征在仅在所述测量环境中污染物影响下，相比所述标准环境中射线透射率的偏差；所述第二初始位移用于表征在在所述测量环境下，相比所述标准环境中射线透射率的偏差；
位移曲线函数更新模块，用于基于所述第二初始位移与所述第一初始位移的比值，更新所述位移曲线函数，其中，更新后的位移曲线函数为更新前的位移曲线函数与所述比值的乘积。
本实施方式中，先获取在测量环境中污染物下产生的第一初始位移以及在测量环境(即包括污染物以及目标影响因素)下产生的第二初始位移，然后计算第二初始位移与第一初始位移的比值，最后将位移曲线函数更新为拟合得到的位移曲线函数与比值的乘积，从而使生成的位移曲线函数既考虑污染物对射线产生的影响，还考虑其他因素对射线产生的影响，使得确定的位移曲线函数更准确，从而使得测量得到的质量参数更精确。
在一些实施方式中，各初始位移通过如下公式计算得到：
C表示所述初始位移；
If表示在所述初始位移对应的环境下，测量得到射线穿过所述标定件后的射线强度；
Ia表示在所述初始位移对应的环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度；
表示在所述标准环境下，测量得到射线穿过所述标定件后的射线强度；/>表示在所述标准环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度。
本实施方式中，通过将各初始位移对应的环境下的射线透射率与标准环境下的射线透射率之间的差值，确定为该初始位移，使得确定的初始位移更合理，从而使得更新后的位移曲线函数表征测量环境中各环境因素对射线产生的影响更准确，进而进一步提升质量参数的测量的精度。
在一些实施方式中，各质量校准曲线通过如下公式获取：
Q表示射线穿过所述标定件的射线强度以及所述射线衰减系数计算得到的所述标定件的测量质量参数；
Q1表示所述标定件的实际质量参数；
μ表示所述射线衰减系数；
Is表示在所述质量校准曲线对应的环境下，测量得到射线穿过所述标定件后的射线强度；
Ia表示在所述质量校准曲线对应的环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度；
表示射线源发射的射线的射线强度；
表示所述标定件的辐射强度。
本实施方式中，通过上述公式获取各质量校准曲线，使得获取的质量校准曲线符合比尔定律，从而提升质量校准曲线的准确性，进而进一步提升测量得到的质量参数的准确性。
在一些实施方式中，所述质量校准曲线生成模块，具体用于：
在预设周期到达的情况下，在测量环境中对所述至少两个标定件进行标定，得到测量环境的质量校准曲线。
本实施方式中，通过在预设周期到达的情况下，在测量环境中对所述至少两个标定件进行标定，得到测量环境的质量校准曲线，从而可以及时更新位移曲线函数，使得测量得到的质量参数更精确。
在一些实施方式中，所述被测工件包括电池极片，所述质量参数包括电池极片的面密度。
本实施方式中，可以在电池极片的生产过程中，实现对测量得到的测量面密度进行修正，从而测量面密度与实际面密度更接近或者一致，提升电池极片的面密度的测量精度。
第三方面，本申请实施例还提供一种射线测量设备，包括：
射线源；
射线探测器，所述射线探测器与所述射线源之间设置有间隙，且所述间隙用于供被测工件通过；
至少两个标定件，所述至少两个标定件设置于所述间隙所处的平面内，且不同标定件的厚度不同；
驱动组件，与所述至少两个标定件连接，所述驱动组件用于分别驱动各所述标定件移动至所述间隙内；
控制装置，与驱动组件、射线源以及射线探测器电连接，且控制装置用于执行如第一方面所述的方法。
本申请实施例中，射线测量设备可以执行上述测量方法，如此，在测量中通过标定得到的位移曲线函数，考虑环境因素对射线的射线透射率产生的影响，并对测量得到的测量质量参数进行修正，从而测量质量参数与实际质量参数更接近或者一致，提升测量精度；而且，上述至少两个标定件设置于供待测工件通过的间隙内，可以实现在测量环境中进行标定，而不需要进行离线标定，使得标定更变能接且省时。
在一些实施方式中，所述射线测量设备包括：
第一标定件以及第二标定件，在所述射线源至所述射线探测器的方向上，所述第一标定件和所述第二标定件间隔设置；
所述驱动组件用于分别驱动所述第一标定件以及第二标定件移动至所述间隙内，以及驱动所述第一标定件和所述第二标定件同时移动至所述间隙内形成第三标定件。
本实施方式中，通过两个标定件可以实现对三组标定件组的标定，以生成质量校准曲线，从而使得射线测量设备的结构更简单，且降低标定件的拆装工作量。
第四方面，本申请实施例提供了一种射线测量设备，该射线测量设备包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如第一方面所述的方法的步骤。
第五方面，本申请实施例提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如第一方面所述的方法的步骤。
上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
图1是本申请实施例提供的射线测量设备的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的射线测量设备的部分结构示意图
图3是本申请实施例提供的测量方法的流程示意图；
图4是本申请实施例提供的工件的质量参数的测量中的曲线示意图；
图5是本申请实施例提供的测量装置的装置示意图；
图6是本申请实施例提供的射线测量设备的硬件结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
相关技术中，在通过射线穿过物体而产生衰减的原理，对被测工件的厚度、重量以及面密度等质量参数的测量过程中，通常是仅考虑被测工件对射线产生的衰减。但是，在实际的测量环境中，测量环境中的污染物(如灰尘以及污垢等)、温度以及气压等环境因素均会对射线的衰减产生影响。如此，在实际测量环境下，测量得到的射线强度实际为射线经过被测工件以及环境因素影响后的强度，即测量得到的射线强度低于射线在未受到环境因素影响下射线穿过被测工件后的实际强度，从而使得通过被测工件的射线强度和射线衰减系数计算得到的测量参数与实际质量参数存在偏差。
可见，在相关技术中，存在因环境因素影响射线的衰减，而导致测量得到的质量参数精度低的问题。
为了提升通过射线测量被测工件的质量参数的精度，本申请提出一种测量方法、装置和射线测量设备。
请参见图1，是本申请实施例提供的射线测量设备的结构示意图。如1所示，该射线测量设备包括射线源10、射线探测器20、至少两个标定件30、驱动组件40以及控制装置50，其中：
射线源10用于发射射线；
射线探测器20与射线源10之间设置有间隙101，且该间隙101用于供被测工件通过，射线探测器20用于测量接收到的射线的射线强度；
至少两个标定件30，各标定件可移动至间隙101内，且不同标定件的厚度不同；
驱动组件40，与至少两个标定件30连接，驱动组件40用于分别驱动至少一个标定件移动至间隙101内；
控制装置50，与驱动组件40、射线源10以及射线探测器20电连接。
本申请实施例中，在测量过程中，在被测工件传输至射线探测器20与射线源10之间的间隙101的情况下，控制装置50可以获取由射线探测器20测量到的射线穿过被测工件之后的射线强度，并根据射线强度和被测工件的射线衰减系数，得到被测工件的测量质量参数；最后通过被测工件所处的测量环境下的位移曲线函数对测量质量参数进行修正，得到被测工件的修正质量参数，该位移曲线函数为对至少两个标定件30采用射线进行标定得到，且位移曲线函数用于表征测量环境下的环境因素对射线透射率产生的影响。
如此，在测量中通过标定得到的位移曲线函数，考虑环境因素对射线的射线透射率产生的影响，并对测量得到的测量质量参数进行修正，从而测量质量参数与实际质量参数更接近或者一致，提升测量精度；而且，上述至少两个标定件30设置于供待测工件通过的间隙101内，可以实现在测量环境中进行标定，而不需要进行离线标定，使得标定更变能接且省时。
在对至少两个标定件30采用射线进行标定得到位移曲线函数的过程中，上述控制装置50可以控制驱动组件40分别驱动一个或者多个标定件位于上述间隙101内，使得标定中射线分别穿过多组不同厚度的标定件组，并通过射线探测器20测量得到射线穿过该多组不同厚度的标定件组(即至少两个标定件30)之后的射线强度，并根据多组不同厚度的标定件组对应的射线强度、射线衰减系数以及各标定件的实际质量参数，生成测量环境下的质量校准曲线，并根据测量环境下的质量校准曲线和预设的标准环境下的质量校准曲线，拟合得到上述位移曲线函数。
上述多组不同厚度的标定件中，各标定件组可以是仅包含有一个标定件。例如，若通过测量N(N可以为大于或者等于3的整数)组标定件组对应的射线强度生成上述质量校准曲线，则可以在上述射线测量设备中设置不同厚度的N个标定件，且驱动组件40分别驱动N个标定件移动至上述间隙101内，实现对各标定件的标定。
或者，上述多组不同厚度的标定件组中，各组标定件组可以是包含有多个标定件，即在标定过程中，驱动组件40可以驱动M个(M可以为大于或者等于2的整数)标定件中的一个或多个标定件移动至间隙101内，而在驱动多个标定件移动至间隙101内的情况下，射线可以依次穿过该多个标定件，实现对由多个标定件组合形成的标定件组的标定。
在一些实施方式中，如图2所示，射线测量设备包括：
第一标定件31以及第二标定件32，在射线源10至射线探测器20的方向上，第一标定件31和第二标定件32间隔设置；
驱动组件40用于分别驱动第一标定件31以及第二标定件32移动至间隙101内，以及驱动第一标定件31和第二标定件32同时移动至间隙101内形成第三标定件。
如此，通过两个标定件可以实现对三组标定件组的标定，以生成质量校准曲线，从而使得射线测量设备的结构更简单，且降低标定件的拆装工作量。
当然，上述射线测量设备可以设置三个或者三个以上的标定件，且驱动组件40可以驱动各标定件单独或者同时移动至上述间隙101内，使得可以对更多标定组进行标定，从而使得生成的质量校准曲线更准确。
在一些实施方式中，上述射线测量设备还可以包括壳体60，且上述射线探测器20、驱动组件40和至少两个标定件30设置于该壳体60内，该壳体60上开设有通孔102，该通孔102位于射线源10和射线探测器20之间，且射线源10发射的射线可以穿过通孔102并被射线探测器20接收，该至少两个标定件30中各标定件可以由驱动组件40驱动至通孔102处，以使标定过程中射线由通孔102进入并穿过标定件射入至探测接收器。
在一些实施方式中，上述驱动组件40可以包括至少两个驱动件，该至少两个驱动件与上述至少两个标定件30对应，各驱动件与其对应的标定件连接，且各驱动件用于驱动其对应的标定件移动。
请参见图3，是本申请实施例提供的测量方法的流程示意图，应用于上述射线测量设备。如图3所示，该方法包括：
步骤301、根据射线穿过被测工件的射线强度，确定被测工件的测量质量参数；
步骤302、通过被测工件所处的测量环境下的位移曲线函数对测量质量参数进行修正，得到被测工件的修正质量参数，其中，位移曲线函数用于表征测量环境下的环境因素对射线透射率产生的影响。
本申请实施例中，先根据射线穿过被测工件的射线强度确定被测工件的测量质量参数，再通过被测工件所处的测量环境下的位移函数对测量质量参数进行修正，该位移曲线函数用于表征测量环境下的环境因素对射线透射率产生的影响。如此，在测量中通过位移曲线函数，考虑环境因素对射线的射线透射率产生的影响，并对测量得到的测量质量参数进行修正，从而测量质量参数与实际质量参数更接近或者一致，提升测量精度。
上述步骤301中，在被测工件移动至射线源和射线探测器之间的间隙内的情况下，上述射线测量设备可以通过射线探测器测量得到射线穿过该被测工件之后的射线强度。
上述被测工件可以是任意在生产过程中需要测量厚度、重量以及面密度等中的至少一项的质量参数的工件，其可以是片状或者板状工件，例如，可以是铝箔或者铜箔片材等。。具体地，上述被测工件可以是电池生产过程中的电池极片，更进一步地，该被测工件可以是在涂布状态下的电池极片。
在获取到上述射线强度之后，射线测量设备可以根据射线强度和被测工件的射线衰减系数，得到被测工件的测量质量参数。
上述射线衰减系数可以是对至少两个标定件采用上述射线源发射的射线标定得到，且各标定件为与上述被测工件具有相同或者接近的射线衰减系数的标准工件，各标准工件的实际质量参数已知，且不同标定件的厚度不同。
上述对至少两个标定件采用射线标定得到射线衰减系数，可以是通过如下公式(1)计算得到：
μ表示射线衰减系数；
Q1表示上述至少两个标定件中标定件1的实际质量参数(如厚度、重量或者面密度等)；
Q2表示上述至少两个标定件中标定件2的实际质量参数，且Q2与Q1不同；
I1表示射线穿过标定件1后的射线强度；
I2表示射线穿过标定件2后的射线强度。
需要说明的是，上述对至少两个标定件采用射线标定得到射线衰减系数，可以是在射线源发生更换或者被测工件的材料等发生变化时进行。
上述根据射线强度和被测工件的射线衰减系数，得到被测工件的测量质量参数，可以是将射线强度和射线衰减系数输入至预设的测量质量参数计算模型中，由测量质量参数计算模型计算得到测量质量参数。由于通过测量质量参数计算模型计算得到测量质量参数的过程为本领域熟知，在此并不进行赘述。
在上述步骤302中，在射线测量设备得到被测工件的测量质量参数之后，射线测量设备可以通过被测工件所处的测量环境下的位移曲线函数，对测量质量参数进行修正。
上述位移曲线函数可以是对至少两个标定件采用射线进行标定得到，且位移曲线函数用于表征测量环境下的环境因素对射线透射率产生的影响。
上述对至少两个标定件采用射线进行标定得到上述位移曲线函数，可以是分别获取射线穿过上述至少两个标定件之后的射线强度，并根据各标定件所对应的射线强度以及射线衰减系数计算得到该标定件的测量质量参数，再根据将各测量质量参数及其对应的实际测量参数输入至初始曲线函数中，求解得到该初始曲线函数中的参数值，从而得到位移曲线函数。
例如，在上述初始曲线函数为二元一次线性函数的情况下，可以通过各测量质量参数及其对应的时间测量参数，求解得到该二院一次线形函数中自变量的比例系数以及常数，并将求解得到的比例系数和常数更新该二元一次线性函数，得到上述位移曲线函数。
在一些实施方式中，通过被测工件所处的测量环境下的位移曲线函数对测量质量参数进行修正之前，还包括：
在测量环境中对至少两个标定件进行标定，得到所述测量环境的质量校准曲线，所述质量校准曲线用于表征各所述标定件的测量质量参数与预设的标称质量参数的关系；
对所述测量环境的质量校准曲线相对于标准环境的质量校准曲线进行拟合，得到所述位移曲线函数，所述位移曲线函数用于表征所述测量环境相对于所述标准环境中射线透射率的变化量。
本实施方式中，通过对在测量环境中标定得到的质量校准曲线，相对于在标准环境中测量得到的质量校准曲线进行拟合，得到上述位移曲线函数，从而使得得到的位移出现更能体现测量环境对射线透射率的影响，进而使得最终确定的质量参数更精确。
上述在测量环境中对至少两个标定件进行标定，得到测量环境的质量校准曲线，可以是根据各标定件在测量环境下，测量质量参数与预设的标称质量参数，在预设坐标系中确定对应的坐标点，并通过上述至少两个标定件对应的坐标点，绘制经过该至少两个标定件对应的坐标点的曲线，得到上述质量校准曲线。其中，该预设坐标系可以是分别以测量质量参数和标称质量参数为坐标轴的坐标系，等等。
上述标准环境的质量校准曲线为用于表征各标定件在预设的标准环境下，测量得到的质量参数与预设的标称质量参数的关系。由于生成标准环境的质量校准曲线的过程与上述生成测量环境的质量校准曲线的过程类似，在此并不进行赘述。
上述预设的标准环境，可以理解为预先设定的除空气外不存在对射线的射线透射率存在影响的环境因素的环境，或者，存在的环境因素对射线的射线透射率的影响可以忽略不计的环境。
例如，上述标准环境可以是滤除空气中的灰尘、标准气温以及标准压强等的环境，且在无灰尘、标准气温以及标准压强等环境中，环境对于射线的射线透射率的影响可以忽略不计，等等。
上述对测量环境的质量校准曲线相对于标准环境的质量校准曲线进行拟合，得到位移曲线函数，可以是对测量环境的质量校准曲线相对于标准环境的质量校准曲线进行近似直线拟合，得到线性函数。例如，得到的位移曲线函数为a+bQ类型的函数，a和b为常数，Q为测量质量参数。
在一些实施方式中，测量环境与标准环境中污染物以及目标影响因素均不同，目标影响因素包括除污染物之外对射线透射率产生变化的环境因素。
本实施方式中，测量环境与标准环境中污染物以及目标影响因素均不同，从而不仅考虑污染物对射线透射率的影响，还考虑目标影响因素对射线透射率的影响，使得修正后的质量参数更准确。
在一些实施方式中，上述方法，还包括：
模拟得到第一初始位移和第二初始位移，第一初始位移用于表征在仅在测量环境中污染物影响下，相比标准环境中射线透射率的偏差；第二初始位移用于表征在在测量环境下，相比标准环境中射线透射率的偏差；
基于第二初始位移与第一初始位移的比值，更新位移曲线函数，其中，更新后的位移曲线函数为更新前的位移曲线函数与比值的乘积。
本实施方式中，先获取在测量环境中污染物下产生的第一初始位移以及在测量环境(即包括污染物以及目标影响因素)下产生的第二初始位移，然后计算第二初始位移与第一初始位移的比值，最后将位移曲线函数更新为拟合得到的位移曲线函数与比值的乘积，从而使生成的位移曲线函数既考虑污染物对射线产生的影响，还考虑其他因素对射线产生的影响，使得确定的位移曲线函数更准确，从而使得测量得到的质量参数更精确。
上述模拟得到第一初始位移，可以是将上述测量环境中的目标影响因素的参数值调节至对射线的射线透射率不存在影响或者影响忽略不计的参数值，使得该环境中仅存在污染物影响射线的射线透射率，并计算该环境相比标准环境中射线透射率的偏差。
例如，可以是将测量环境中的温度调节至标准温度以及压强调节至标准压强等，使得测量环境中仅灰尘或者污垢等污染物对射线的透射率产生影响，且计算该环境下相比标准环境中射线透射率的偏差，得到上述第一初始位移。
上述模拟得到第二初始位移，是计算上述测量环境相比标准环境中射线透射率的偏差，即该第二初始位移考虑污染物以及目标影响因素对射线透射率产生的影响。
上述各初始位移可以是根据其对应的环境中的射线透射率与标准环境下的射线透射率计算得到。例如，可以是将两者的透射率的比值确定为上述初始位移，等等。
在一些实施方式中，各初始位移通过如下公式计算得到：
C表示初始位移；
If表示在初始位移对应的环境下，测量得到射线穿过标定件后的射线强度；
Ia表示在初始位移对应的环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度；
表示在标准环境下，测量得到射线穿过标定件后的射线强度；
表示在标准环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度。
本实施方式中，通过将各初始位移对应的环境下的射线透射率与标准环境下的射线透射率之间的差值，确定为该初始位移，使得确定的初始位移更合理，从而使得更新后的位移曲线函数表征测量环境中各环境因素对射线产生的影响更准确，进而进一步提升质量参数的测量的精度。
在一些实施方式中，各质量校准曲线通过如下公式获取：
Q表示射线穿过标定件的射线强度以及射线衰减系数计算得到的标定件的测量质量参数；
Q1表示标定件的实际质量参数；
μ表示射线衰减系数；
Is表示在质量校准曲线对应的环境下，测量得到射线穿过标定件后的射线强度；
Ia表示在质量校准曲线对应的环境下，测量得到射线穿过空气(即间隙中不存在被测物)后的射线强度；
表示射线源发射的射线的射线强度；
表示标定件的辐射强度。
本实施方式中，通过上述公式获取各质量校准曲线，使得获取的质量校准曲线符合比尔定律，从而提升质量校准曲线的准确性，进而进一步提升测量得到的质量参数的准确性。
在一些实施方式中，在测量环境中对至少两个标定件进行标定，得到测量环境的质量校准曲线，包括：
在预设周期到达的情况下，在测量环境中对至少两个标定件进行标定，得到测量环境的质量校准曲线。
本实施方式中，通过在预设周期到达的情况下，在测量环境中对至少两个标定件进行标定，得到测量环境的质量校准曲线，从而可以及时更新位移曲线函数，使得测量得到的质量参数更精确。
在一些实施方式中，所述被测工件包括电池极片，所述质量参数包括电池极片的面密度。
本实施方式中，可以在电池极片的生产过程中，实现对测量得到的测量面密度进行修正，从而测量面密度与实际面密度更接近或者一致，提升电池极片的面密度的测量精度。
为便于对本申请实施例提供的测量方法的理解，在此以该方法测量工件的重量的过程进行说明，具体如下：
可以在测量环境中对至少两个标定件进行标定，得到测量环境下如图4所示的质量校准曲线41，且该质量校准曲线41符合如下公式(3-1)：
I′s表示在测量环境下，测量得到射线穿过标定件后的射线强度；
I'a表示在测量环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度。
以及，在标准环境中对至少两个标定件进行标定，得到测量环境下如图4所示的质量校准曲线42，且该质量校准曲线42符合如下公式(3-2)：
I″s表示在标准环境下，测量得到射线穿过标定件后的射线强度；
I″a表示在标准环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度，由于在标准环境下空气对射线透射率的影响忽略不计，即I″a近似等于
通过对质量校准曲线41和质量校准曲线42的直线拟合，得到如图4所示的位移曲线43，其可以通过a+bQ的函数(即位移曲线函数)表达。由于上述位移曲线43存在拐点A，即位移曲线43实际可以通过a1+b1Q以及a2+b2Q表达。
进一步地，假设通过上述公式(2)分别计算得到第一初始位移C0和第二初始位移C'0，那么，可以通过如下公式(4)(即更新后的位移曲线函数)得到更新后的位移曲线44：
那么，在实际测量中，可以通过上述公式(4)得到更新后的位移曲线函数，对测量质量参数进行更新，具体可以通过如下公司(5)实现：
请参见图5，是本申请实施例提供的测量装置的结构示意图。如图5所示，该装置500包括：
测量质量参数确定模块501，用于根据射线穿过所述被测工件的射线强度，确定所述被测工件的测量质量参数；
质量参数修正模块502，用于通过所述被测工件所处的测量环境下的位移曲线函数对所述测量质量参数进行修正，得到所述被测工件的修正质量参数，其中，且所述位移曲线函数用于表征所述测量环境下的环境因素对射线产生的影响。
本申请实施例中，先根据射线穿过被测工件的射线强度确定被测工件的测量质量参数，再通过被测工件所处的测量环境下的位移函数对测量质量参数进行修正，该位移曲线函数用于表征测量环境下的环境因素对射线透射率产生的影响。如此，在测量中通过位移曲线函数，考虑环境因素对射线的射线透射率产生的影响，并对测量得到的测量质量参数进行修正，从而测量质量参数与实际质量参数更接近或者一致，提升测量精度。
在一些实施方式中，还包括：
质量校准曲线生成模块，用于在测量环境中对至少两个标定件进行标定，得到所述测量环境的质量校准曲线，所述质量校准曲线用于表征各所述标定件的测量质量参数与预设的标称质量参数的关系；
位移曲线函数生成模块，用于对所述测量环境的质量校准曲线相对于标准环境的质量校准曲线进行拟合，得到所述位移曲线函数，所述位移曲线函数用于表征所述测量环境相对于所述标准环境中射线透射率的变化量。
本实施方式中，通过对在测量环境中标定得到的质量校准曲线，相对于在标准环境中测量得到的质量校准曲线进行拟合，得到上述位移曲线函数，从而使得得到的位移出现更能体现测量环境对射线透射率的影响，进而使得最终确定的质量参数更精确。
在一些实施方式中，测量环境与标准环境中污染物以及目标影响因素均不同，目标影响因素包括除污染物之外对射线透射率产生变化的环境因素。
本实施方式中，测量环境与标准环境中污染物以及目标影响因素均不同，从而不仅考虑污染物对射线透射率的影响，还考虑目标影响因素对射线透射率的影响，使得修正后的质量参数更准确。
在一些实施方式中，装置500还包括：
模拟模块，用于模拟得到第一初始位移和第二初始位移，第一初始位移用于表征在仅在测量环境中污染物影响下，相比标准环境中射线透射率的偏差；第二初始位移用于表征在在测量环境下，相比标准环境中射线透射率的偏差；
位移曲线函数更新模块，用于基于第二初始位移与第一初始位移的比值，更新位移曲线函数，其中，更新后的位移曲线函数为更新前的位移曲线函数与比值的乘积。
本实施方式中，先获取在测量环境中污染物下产生的第一初始位移以及在测量环境(即包括污染物以及目标影响因素)下产生的第二初始位移，然后计算第二初始位移与第一初始位移的比值，最后将位移曲线函数更新为拟合得到的位移曲线函数与比值的乘积，从而使生成的位移曲线函数既考虑污染物对射线产生的影响，还考虑其他因素对射线产生的影响，使得确定的位移曲线函数更准确，从而使得测量得到的质量参数更精确。
在一些实施方式中，各初始位移通过如下公式计算得到：
C表示初始位移；
If表示在初始位移对应的环境下，测量得到射线穿过标定件后的射线强度；
Ia表示在初始位移对应的环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度；
表示在标准环境下，测量得到射线穿过标定件后的射线强度；/>
表示在标准环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度。
本实施方式中，通过将各初始位移对应的环境下的射线透射率与标准环境下的射线透射率之间的差值，确定为该初始位移，使得确定的初始位移更合理，从而使得更新后的位移曲线函数表征测量环境中各环境因素对射线产生的影响更准确，进而进一步提升质量参数的测量的精度。
在一些实施方式中，各质量校准曲线通过如下公式获取：
Q表示射线穿过标定件的射线强度以及射线衰减系数计算得到的标定件的测量质量参数；
Q1表示标定件的实际质量参数；
μ表示射线衰减系数；
Is表示在质量校准曲线对应的环境下，测量得到射线穿过标定件后的射线强度；
表示在质量校准曲线对应的环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度；
表示标定件的辐射强度。
本实施方式中，通过上述公式获取各质量校准曲线，使得获取的质量校准曲线符合比尔定律，从而提升质量校准曲线的准确性，进而进一步提升测量得到的质量参数的准确性。
在一些实施方式中，质量校准曲线生成模块，具体用于：
在预设周期到达的情况下，在测量环境中对至少两个标定件进行标定，得到测量环境的质量校准曲线。
本实施方式中，通过在预设周期到达的情况下，在测量环境中对至少两个标定件进行标定，得到测量环境的质量校准曲线，从而可以及时更新位移曲线函数，使得测量得到的质量参数更精确。
在一些实施方式中，所述被测工件包括电池极片，所述质量参数包括电池极片的面密度。
本实施方式中，可以在电池极片的生产过程中，实现对测量得到的测量面密度进行修正，从而测量面密度与实际面密度更接近或者一致，提升电池极片的面密度的测量精度。
根据本申请实施例的测量装置的其他细节，与以上结合图3所示实例描述的测量方法类似，并能达到其相应的技术效果，为简洁描述，在此不再赘述。
图6示出了本申请实施例提供的射线测量设备的硬件结构示意图。
射线测量设备可以包括处理器601以及存储有计算机程序指令的存储器602。
具体地，上述处理器601可以包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)，或者特定集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)，或者可以被配置成实施本申请实施例的一个或多个集成电路。
存储器602可以包括用于数据或指令的大容量存储器。举例来说而非限制，存储器602可包括硬盘驱动器(Hard Disk Drive，HDD)、软盘驱动器、闪存、光盘、磁光盘、磁带或通用串行总线(Universal Serial Bus，USB)驱动器或者两个或更多个以上这些的组合。在一些实例中，存储器602可以包括可移除或不可移除(或固定)的介质，或者存储器602是非易失性固态存储器。在一些实施例中，存储器602可在电池装置的内部或外部。
在一些实例中，存储器602可以是只读存储器(Read Only Memory，ROM)。在一个实例中，该ROM可以是掩模编程的ROM、可编程ROM(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电可擦除PROM(EEPROM)、电可改写ROM(EAROM)或闪存或者两个或更多个以上这些的组合。
存储器602可以包括只读存储器(ROM)，随机存取存储器(RAM)，磁盘存储介质设备，光存储介质设备，闪存设备，电气、光学或其他物理/有形的存储器存储设备。因此，通常，存储器包括一个或多个编码有包括计算机可执行指令的软件的有形(非暂态)计算机可读存储介质(例如，存储器设备)，并且当该软件被执行(例如，由一个或多个处理器)时，其可操作来执行参考根据本公开的一方面的方法所描述的操作。
处理器601通过读取并执行存储器602中存储的计算机程序指令，以实现图3所示实施例中的方法，并达到图3所示实例执行其方法/步骤达到的相应技术效果，为简洁描述在此不再赘述。
在一个示例中，射线测量设备还可包括通信接口603和总线604。其中，如图6所示，处理器601、存储器602、通信接口603通过总线604连接并完成相互间的通信。
通信接口603，主要用于实现本申请实施例中各模块、装置、单元和/或设备之间的通信。
总线604包括硬件、软件或两者，将在线数据流量计费设备的部件彼此耦接在一起。举例来说而非限制，总线可包括加速图形端口(Accelerated Graphics Port，AGP)或其他图形总线、增强工业标准架构(Extended Industry Standard Architecture，EISA)总线、前端总线(Front Side Bus，FSB)、超传输(Hyper Transport，HT)互连、工业标准架构(Industry Standard Architecture，ISA)总线、无限带宽互连、低引脚数(LPC)总线、存储器总线、微信道架构(MCA)总线、外围组件互连(PCI)总线、PCI-Express(PCI-X)总线、串行高级技术附件(SATA)总线、视频电子标准协会局部(VLB)总线或其他合适的总线或者两个或更多个以上这些的组合。在合适的情况下，总线604可包括一个或多个总线。尽管本申请实施例描述和示出了特定的总线，但本申请考虑任何合适的总线或互连。
该射线测量设备可以执行本申请实施例中的测量方法，从而实现结合图3和图4描述的测量方法及其装置。
另外，结合上述实施例中的测量方法及其装置，本申请实施例可提供一种计算机存储介质来实现。该计算机存储介质上存储有计算机程序指令；该计算机程序指令被处理器执行时实现上述实施例中的任意一种电池及其控制方法。
需要明确的是，本申请并不局限于上文所描述并在图中示出的特定配置和处理。为了简明起见，这里省略了对已知方法的详细描述。在上述实施例中，描述和示出了若干具体的步骤作为示例。但是，本申请的方法过程并不限于所描述和示出的具体步骤，本领域的技术人员可以在领会本申请的精神后，作出各种改变、修改和添加，或者改变步骤之间的顺序。
以上的结构框图中所示的功能块可以实现为硬件、软件、固件或者它们的组合。当以硬件方式实现时，其可以例如是电子电路、专用集成电路(Application SpecificIntegrated Circuit，ASIC)、适当的固件、插件、功能卡等等。当以软件方式实现时，本申请的元素是被用于执行所需任务的程序或者代码段。程序或者代码段可以存储在机器可读介质中，或者通过载波中携带的数据信号在传输介质或者通信链路上传送。“机器可读介质”可以包括能够存储或传输信息的任何介质。机器可读介质的例子包括电子电路、半导体存储器设备、ROM、闪存、可擦除ROM(EROM)、软盘、CD-ROM、光盘、硬盘、光纤介质、射频(RadioFrequency，RF)链路，等等。代码段可以经由诸如因特网、内联网等的计算机网络被下载。
还需要说明的是，本申请中提及的示例性实施例，基于一系列的步骤或者装置描述一些方法或系统。但是，本申请不局限于上述步骤的顺序，也就是说，可以按照实施例中提及的顺序执行步骤，也可以不同于实施例中的顺序，或者若干步骤同时执行。
上面参考根据本公开的实施例的方法、装置、设备及和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了本公开的各方面。应当理解，流程图和/或框图中的每个方框以及流程图和/或框图中各方框的组合可以由计算机程序指令实现。这些计算机程序指令可被提供给通用计算机、专用计算机、或其它可编程数据处理装置的处理器，以产生一种机器，使得经由计算机或其它可编程数据处理装置的处理器执行的这些指令使能对流程图和/或框图的一个或多个方框中指定的功能/动作的实现。这种处理器可以是但不限于是通用处理器、专用处理器、特殊应用处理器或者现场可编程逻辑电路。还可理解，框图和/或流程图中的每个方框以及框图和/或流程图中的方框的组合，也可以由执行指定的功能或动作的专用硬件来实现，或可由专用硬件和计算机指令的组合来实现。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本申请的权利要求和说明书的范围当中。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本申请并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (20)

1.一种测量方法，用于测量被测工件的质量参数，其特征在于，包括：
根据射线穿过所述被测工件的射线强度，确定所述被测工件的测量质量参数；
通过所述被测工件所处的测量环境下的位移曲线函数对所述测量质量参数进行修正，得到所述被测工件的修正质量参数，其中，所述位移曲线函数用于表征所述测量环境下的环境因素对射线产生的影响。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过所述被测工件所处的测量环境下的位移曲线函数对所述测量质量参数进行修正之前，还包括：
在测量环境中对至少两个标定件进行标定，得到所述测量环境的质量校准曲线，所述质量校准曲线用于表征各所述标定件的测量质量参数与预设的标称质量参数的关系；
对所述测量环境的质量校准曲线相对于标准环境的质量校准曲线进行拟合，得到所述位移曲线函数，所述位移曲线函数用于表征所述测量环境相对于所述标准环境中射线透射率的变化量。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述测量环境与所述标准环境中污染物以及目标影响因素均不同，所述目标影响因素包括除所述污染物之外对射线透射率产生变化的环境因素。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：
模拟得到第一初始位移和第二初始位移，所述第一初始位移用于表征在仅在所述测量环境中污染物影响下，相比所述标准环境中射线透射率的偏差；所述第二初始位移用于表征在在所述测量环境下，相比所述标准环境中射线透射率的偏差；
基于所述第二初始位移与所述第一初始位移的比值，更新所述位移曲线函数，其中，更新后的位移曲线函数为更新前的位移曲线函数与所述比值的乘积。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，各初始位移通过如下公式计算得到：
C表示所述初始位移；
If表示在所述初始位移对应的环境下，测量得到射线穿过所述标定件后的射线强度；
Ia表示在所述初始位移对应的环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度；
表示在所述标准环境下，测量得到射线穿过所述标定件后的射线强度；
表示在所述标准环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，各质量校准曲线通过如下公式获取：
Q表示射线穿过所述标定件的射线强度以及射线衰减系数计算得到的所述标定件的测量质量参数；
Q1表示所述标定件的实际质量参数；
μ表示所述射线衰减系数；
Is表示在所述质量校准曲线对应的环境下，测量得到射线穿过所述标定件后的射线强度；
Ia表示在所述质量校准曲线对应的环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度；
表示射线源发射的射线的射线强度；
表示所述标定件的辐射强度。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在测量环境中对所述至少两个标定件进行标定，得到所述测量环境的质量校准曲线，包括：
在预设周期到达的情况下，在所述测量环境中对所述至少两个标定件进行标定，得到所述测量环境的质量校准曲线。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述被测工件包括电池极片，所述质量参数包括电池极片的面密度。
9.一种测量装置，其特征在于，包括：
测量质量参数确定模块，用于根据射线穿过被测工件的射线强度，确定所述被测工件的测量质量参数；
质量参数修正模块，用于通过所述被测工件所处的测量环境下的位移曲线函数对所述测量质量参数进行修正，得到所述被测工件的修正质量参数，其中，且所述位移曲线函数用于表征所述测量环境下的环境因素对射线产生的影响。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，还包括：
质量校准曲线生成模块，用于在测量环境中对至少两个标定件进行标定，得到所述测量环境的质量校准曲线，所述质量校准曲线用于表征各所述标定件的测量质量参数与预设的标称质量参数的关系；
位移曲线函数生成模块，用于对所述测量环境的质量校准曲线相对于标准环境的质量校准曲线进行拟合，得到所述位移曲线函数，所述位移曲线函数用于表征所述测量环境相对于所述标准环境中射线透射率的变化量。
11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述测量环境与所述标准环境中污染物以及目标影响因素均不同，所述目标影响因素包括除所述污染物之外对射线透射率产生变化的环境因素。
12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，还包括：
模拟模块，用于模拟得到第一初始位移和第二初始位移，所述第一初始位移用于表征在仅在所述测量环境中污染物影响下，相比所述标准环境中射线透射率的偏差；所述第二初始位移用于表征在在所述测量环境下，相比所述标准环境中射线透射率的偏差；
位移曲线函数更新模块，用于基于所述第二初始位移与所述第一初始位移的比值，更新所述位移曲线函数，其中，更新后的位移曲线函数为更新前的位移曲线函数与所述比值的乘积。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，各初始位移通过如下公式计算得到：
C表示所述初始位移；
If表示在所述初始位移对应的环境下，测量得到射线穿过所述标定件后的射线强度；
Ia表示在所述初始位移对应的环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度；
表示在所述标准环境下，测量得到射线穿过所述标定件后的射线强度；
表示在所述标准环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度。
14.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，各质量校准曲线通过如下公式获取：
Q表示射线穿过所述标定件的射线强度以及射线衰减系数计算得到的所述标定件的测量质量参数；
Q1表示所述标定件的实际质量参数；
μ表示所述射线衰减系数；
Is表示在所述质量校准曲线对应的环境下，测量得到射线穿过所述标定件后的射线强度；
Ia表示在所述质量校准曲线对应的环境下，测量得到射线穿过空气后的射线强度；
表示射线源发射的射线的射线强度；
表示所述标定件的辐射强度。
15.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述质量校准曲线生成模块，具体用于：
在预设周期到达的情况下，在所述测量环境中对所述至少两个标定件进行标定，得到所述测量环境的质量校准曲线。
16.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述被测工件包括电池极片，所述质量参数包括电池极片的面密度。
17.一种射线测量设备，其特征在于，包括：
射线源；
射线探测器，所述射线探测器与射线源之间设置有间隙，且所述间隙用于供被测工件通过；
至少两个标定件，各所述标定件可移动至所述间隙内，且不同标定件的厚度不同；
驱动组件，所述驱动组件与所述至少两个标定件连接，所述驱动组件用于驱动至少一个所述标定件移动至所述间隙内；
控制装置，与驱动组件、射线源以及射线探测器电连接，且所述控制装置用于执行如权利要求1至8中任一项所述的测量方法的步骤。
18.根据权利要求17所述的设备，其特征在于，所述射线测量设备包括：
第一标定件以及第二标定件，在所述射线源至所述射线探测器的方向上，所述第一标定件和所述第二标定件间隔设置；
所述驱动组件用于分别驱动所述第一标定件以及第二标定件移动至所述间隙内，以及驱动所述第一标定件和所述第二标定件同时移动至所述间隙内形成第三标定件。
19.一种射线测量设备，其特征在于，包括处理器，存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如权利要求1-8任一项所述的测量方法的步骤。
20.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如权利要求1-8任一项所述的测量方法的步骤。
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