CN117153993A - 一种全周光led封装结构及封装工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种全周光LED封装结构及封装工艺,包括LED芯片、第一胶层和第二胶层,所述第一胶层与LED芯片的背面贴合,所述第二胶层与LED芯片的发光面贴合,所述第一胶层与所述第二胶层抵接以将所述LED芯片包裹;所述第一胶层和所述第二胶层的组分分别包括A胶、B胶、绿荧光粉和红荧光粉,所述A胶和所述B胶分别能够透光;LED芯片无背镀荧光粉时,所述第一胶层的A胶、B胶、绿荧光粉和红荧光粉的质量配比为8:1:1.276:0.332,所述第二胶层的A胶、B胶、绿荧光粉和红荧光粉的质量配比为8:1:1.559:0.406。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装技术领域,特别是一种全周光LED封装结构、全周光LED封装结构及封装工艺。
背景技术
目前全周光LED封装虽然已实现六面发光体的技术,但始终无法发挥应有的光效,只比传统LED封装工艺单面发光的发光效率提升15%,不能完全激发光效;现有的全周光封装结构一般采用双面封装工艺,双面封装接结构包括第一透光支架、第二透光支架和芯片,首先制作第一透光支架和第二透光支架,然后将LED芯片固晶,最后将第一透光支架和第二透光支架通过粘胶连接起来,实现无机封装;这种封装工艺虽然制作工艺简单,但是由于第一透光支架和第二透光支架是通过胶水粘接起来的,胶水的成分一般不同于上述连个透光支架,且连个透光支架之间容易有缝隙,使得LED发光不均匀,光效不好。
发明内容
本发明的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种可实现360度全周光、提高发光效率的全周光LED封装结构及封装工艺。
根据本发明第一方面实施例的全周光LED封装结构,包括LED芯片、第一胶层和第二胶层,所述第一胶层与LED芯片的背面贴合,所述第二胶层与LED芯片的发光面贴合,所述第一胶层与所述第二胶层抵接以将所述LED芯片包裹;所述第一胶层和所述第二胶层的组分分别包括A胶、B胶、绿荧光粉和红荧光粉,所述A胶和所述B胶分别能够透光;LED芯片无背镀荧光粉时,所述第一胶层的A胶、B胶、绿荧光粉和红荧光粉的质量配比为8:1:1.276:0.332,所述第二胶层的A胶、B胶、绿荧光粉和红荧光粉的质量配比为8:1:1.559:0.406。
根据本发明的一些实施例,所述第一胶层和所述第二胶层的质量相同。
根据本发明的一些实施例,所述第一胶层的长度、宽度和所述第二胶层的长度、宽度对应相等。
根据本发明的一些实施例,LED芯片无背镀荧光粉时,所述第一胶层中的绿荧光粉与所述第二胶层中的绿荧光粉的质量比例为45%:55%,所述第一胶层中的红荧光粉与所述第二胶层中的红荧光粉的质量比例为45%:55%。
根据本发明的一些实施例,LED芯片有背镀荧光粉时,所述第一胶层中的绿荧光粉与所述第二胶层中的绿荧光粉的比例为32.4%:67.6%,所述第一胶层中的红荧光粉与所述第二胶层中的红荧光粉的比例为32.4%:67.6%。
根据本发明的一些实施例,包括:导电线和至少两个接线脚,所述接线脚的一端延伸到所述第一胶层和所述第二胶层之间形成内接部,所述接线脚的另一端延伸到外界形成外接部,所述导电线分别与所述LED芯片和所述接线脚的内接部连接以导通所述LED芯片。
根据本发明的一些实施例,包括:料框,所述接线脚设置在所述料框上。
根据本发明第二方面实施例的封装工艺,应用于上述的全周光LED封装结构,包括:
步骤1,取至少一个料片,该料片包括所述料框;
步骤2,将所述导电线的一端与所述接线脚的内接部进行电性连接,并在所述导电线的另一端布设焊垫;
步骤3,取第一模具,所述第一模具上设有至少一个第一模穴,将所述料片放置于所述第一模具上,并让所述接线脚的内接部与所述第一模穴相对,再向所述第一模穴内进行注胶,待胶于第一模穴冷却固化后,即得所述第一胶层,且此时所述接线脚的内接部和所述导电线与所述第一胶层连接;
步骤4,将所述料片、所述导电线连同所述第一胶层自所述第一模具上移动至工作台上,并将至少一个所述LED芯片固定在所述导电线的焊垫上,使所述LED芯片的背面与所述第一胶层贴合且通过所述导电线使得所述LED芯片与所述接线脚电性导通;
步骤5,取第二模具,所述第二模具上设有至少一个第二模穴,将所述第一胶层连同所述料片放置于所述第二模具上,并让所述第一胶层的贴合面朝向所述第二模穴,再向所述第二模穴内进行注胶,待胶于第二模穴冷却固化后,即得所述第二胶层,使所述接线脚的内接部、所述LED芯片及所述导电线皆被包裹在所述第一胶层与所述第二胶层之间;
步驟6,裁切所述第一胶层和所述第二胶层,得到成品。
根据本发明实施例的全周光LED封装结构及封装工艺,至少具有如下有益效果:第一胶层与LED芯片的背面贴合,第二胶层与LED芯片的发光面贴合,第一胶层与第二胶层紧密贴合以将LED芯片紧密包裹,使得LED芯片发出的光直接穿过第一胶层和第二胶层,无需通过第三胶体或空气过渡,发光效果更好,并且由于LED芯片的出光面是正面,因此使得第一胶层中的A胶、B胶、绿荧光粉与红荧光粉的配比与第二胶层中相应的配比不同,经过试验,此成品即可发挥360度全周光、正反面颜色一致性高、光效好;并且,封装工艺中先进行第一胶层的滴胶,使得LED芯片固定到第一胶层的贴合面上,然后再进行第二胶层的滴胶,使得第二胶层与第一胶层紧密粘接且将LED芯片紧密包裹,成品明显提高光效。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式做进一步的说明;
图1是全周光LED封装结构的俯视图;
图2是全周光LED封装结构的截面图。
具体实施方式
本部分将详细描述本发明的具体实施例,本发明之较佳实施例在附图中示出,附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述,使人能够直观地、形象地理解本发明的每个技术特征和整体技术方案,但其不能理解为对本发明保护范围的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,涉及到方位描述,例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,若干的含义是一个或者多个,多个的含义是两个以上,大于、小于、超过等理解为不包括本数,以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
参照图1至图2,本发明一种全周光LED封装结构,包括LED芯片10、第一胶层11和第二胶层12、料框20、导电线22和至少两个接线脚21,第一胶层11与LED芯片10的背面贴合,第二胶层12与LED芯片10的发光面贴合,第一胶层11与第二胶层12抵接以将LED芯片10包裹,接线脚21设置在料框20上,接线脚21的一端延伸到第一胶层11和第二胶层12之间形成内接部,接线脚21的另一端延伸到外界形成外接部,导电线22分别与LED芯片10和接线脚21的内接部连接以导通LED芯片10。;第一胶层11的长度、宽度和第二胶层12的长度、宽度对应相等,第一胶层11和第二胶层12的质量相同,比如重量均为45g,第一胶层11和第二胶层12的组分分别包括A胶、B胶、绿荧光粉和红荧光粉,其中A胶的组分为苯基乙稀基聚硅氧烷,A胶的型号为TCH-800A,B胶的组分为经苯基乙稀基化和三甲基化的二氧化硅,B胶的型号为TCH-800B,A胶和B胶的供应商均为骏马科技;绿荧光粉的型号为LCG531A05、红荧光粉的型号为LCN650A03,红/绿荧光粉的供应商为博睿光电;
LED芯片10无背镀荧光粉时,第一胶层11的A胶、B胶、绿荧光粉和红荧光粉的质量配比为8:1:1.276:0.332,第二胶层12的A胶、B胶、绿荧光粉和红荧光粉的质量配比为8:1:1.559:0.406,此时,两层中绿荧光粉的总重量为2.835g,红荧光粉的总重量为0.738g,即第一胶层11中的绿荧光粉与第二胶层12中的绿荧光粉的质量比例为45%:55%,第一胶层11中的红荧光粉与第二胶层12中的红荧光粉的质量比例为45%:55%,对应的具体重量配比如表1和表2所示。
表1第一胶层11各组分的配比及重量
表2第二胶层12各组分的配比及重量
由于第一胶层11与LED芯片10的背面贴合,第二胶层12与LED芯片10的发光面贴合,第一胶层11与第二胶层12紧密贴合以将LED芯片10紧密包裹,使得LED芯片10发出的光直接穿过第一胶层11和第二胶层12,无需通过第三胶体或空气过渡,发光效果更好,并且由于LED芯片10的出光面是正面,因此使得第一胶层11中的A胶、B胶、绿荧光粉与红荧光粉的配比与第二胶层12中相应的配比不同,经过试验,此成品即可发挥360度全周光、正反面颜色一致性高、光效好。
在某些实施例中,LED芯片10有背镀荧光粉时,第一胶层11中的绿荧光粉与第二胶层12中的绿荧光粉的比例为32.4%:67.6%,第一胶层11中的红荧光粉与第二胶层12中的红荧光粉的比例为32.4%:67.6%,此时发光效果最好。
本实施例的封装工艺,应用于上述的全周光LED封装结构,包括:
步骤1,取至少一个料片,该料片包括料框20;
步骤2,将导电线22的一端与接线脚21的内接部进行电性连接,并在导电线22的另一端布设焊垫;
步骤3,取第一模具,第一模具上设有至少一个第一模穴,将料片放置于第一模具上,并让接线脚21的内接部与第一模穴相对,再向第一模穴内进行注胶,待胶于第一模穴冷却固化后,即得第一胶层11,且此时接线脚21的内接部和导电线22与第一胶层11连接;
步骤4,将料片、导电线22连同第一胶层11自第一模具上移动至工作台上,并将至少一个LED芯片10固定在导电线22的焊垫上,使LED芯片10的背面与第一胶层11贴合且通过导电线22使得LED芯片10与接线脚21电性导通;
步骤5,取第二模具,第二模具上设有至少一个第二模穴,将第一胶层11连同料片放置于第二模具上,并让第一胶层11的贴合面朝向第二模穴,再向第二模穴内进行注胶,待胶于第二模穴冷却固化后,即得第二胶层12,使接线脚21的内接部、LED芯片10及导电线22皆被包裹在第一胶层11与第二胶层12之间;
步驟6,裁切第一胶层11和第二胶层12,得到成品。
即封装工艺中先进行第一胶层11的滴胶,使得LED芯片10固定到第一胶层11的贴合面上,然后再进行第二胶层12的滴胶,使得第二胶层12与第一胶层11紧密粘接且将LED芯片10紧密包裹,成品明显提高光效。
本领域的技术人员容易理解的是,在不冲突的前提下,上述优选方式可以自由地组合和叠加。
以上仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是在本发明的发明构思下,利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种全周光LED封装结构,其特征在于,包括:
LED芯片(10)、第一胶层(11)和第二胶层(12),所述第一胶层(11)与LED芯片(10)的背面贴合,所述第二胶层(12)与LED芯片(10)的发光面贴合,所述第一胶层(11)与所述第二胶层(12)抵接以将所述LED芯片(10)包裹;
所述第一胶层(11)和所述第二胶层(12)的组分分别包括A胶、B胶、绿荧光粉和红荧光粉,所述A胶和所述B胶分别能够透光;
LED芯片(10)无背镀荧光粉时,所述第一胶层(11)的A胶、B胶、绿荧光粉和红荧光粉的质量配比为8:1:1.276:0.332,所述第二胶层(12)的A胶、B胶、绿荧光粉和红荧光粉的质量配比为8:1:1.559:0.406。
2.根据权利要求1所述的全周光LED封装结构,其特征在于:所述第一胶层(11)和所述第二胶层(12)的质量相同。
3.根据权利要求2所述的全周光LED封装结构,其特征在于:所述第一胶层(11)的长度、宽度和所述第二胶层(12)的长度、宽度对应相等。
4.根据权利要求2所述的全周光LED封装结构,其特征在于:LED芯片(10)无背镀荧光粉时,所述第一胶层(11)中的绿荧光粉与所述第二胶层(12)中的绿荧光粉的质量比例为45%:55%,所述第一胶层(11)中的红荧光粉与所述第二胶层(12)中的红荧光粉的质量比例为45%:55%。
5.根据权利要求2所述的全周光LED封装结构,其特征在于:LED芯片(10)有背镀荧光粉时,所述第一胶层(11)中的绿荧光粉与所述第二胶层(12)中的绿荧光粉的比例为32.4%:67.6%,所述第一胶层(11)中的红荧光粉与所述第二胶层(12)中的红荧光粉的比例为32.4%:67.6%。
6.根据权利要求1所述的全周光LED封装结构,其特征在于,包括:导电线(22)和至少两个接线脚(21),所述接线脚(21)的一端延伸到所述第一胶层(11)和所述第二胶层(12)之间形成内接部,所述接线脚(21)的另一端延伸到外界形成外接部,所述导电线(22)分别与所述LED芯片(10)和所述接线脚(21)的内接部连接以导通所述LED芯片(10)。
7.根据权利要求6所述的全周光LED封装结构,其特征在于,包括:料框(20),所述接线脚(21)设置在所述料框(20)上。
8.一种封装工艺,应用于如权利要求7所述的全周光LED封装结构,包括:
步骤1,取至少一个料片,该料片包括所述料框(20);
步骤2,将所述导电线(22)的一端与所述接线脚(21)的内接部进行电性连接,并在所述导电线(22)的另一端布设焊垫;
步骤3,取第一模具,所述第一模具上设有至少一个第一模穴,将所述料片放置于所述第一模具上,并让所述接线脚(21)的内接部与所述第一模穴相对,再向所述第一模穴内进行注胶,待胶于第一模穴冷却固化后,即得所述第一胶层(11),且此时所述接线脚(21)的内接部和所述导电线(22)与所述第一胶层(11)连接;
步骤4,将所述料片、所述导电线(22)连同所述第一胶层(11)自所述第一模具上移动至工作台上,并将至少一个所述LED芯片(10)固定在所述导电线(22)的焊垫上,使所述LED芯片(10)的背面与所述第一胶层(11)贴合且通过所述导电线(22)使得所述LED芯片(10)与所述接线脚(21)电性导通;
步骤5,取第二模具,所述第二模具上设有至少一个第二模穴,将所述第一胶层(11)连同所述料片放置于所述第二模具上,并让所述第一胶层(11)的贴合面朝向所述第二模穴,再向所述第二模穴内进行注胶,待胶于第二模穴冷却固化后,即得所述第二胶层(12),使所述接线脚(21)的内接部、所述LED芯片(10)及所述导电线(22)皆被包裹在所述第一胶层(11)与所述第二胶层(12)之间;
步驟6,裁切所述第一胶层(11)和所述第二胶层(12),得到成品。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US20100230695A1 (en) * | 2009-03-11 | 2010-09-16 | Forward Electronics Co., Ltd. | LED package structure |
US20110156071A1 (en) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | Industrial Technology Research Institute | Multi-stack package led |
CN103474558A (zh) * | 2013-09-27 | 2013-12-25 | 五邑大学 | 一种led封装点胶工艺及其led芯片封装结构 |
CN105355760A (zh) * | 2014-11-11 | 2016-02-24 | 易美芯光(北京)科技有限公司 | 一种广色域显示的led器件 |
CN106328638A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-01-11 | 佛山市中昊光电科技有限公司 | 一种cob光源 |
CN108305930A (zh) * | 2018-03-20 | 2018-07-20 | 澳洋集团有限公司 | 荧光粉胶、大功率led器件及其制作方法 |
CN108899311A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-11-27 | 朗昭创新控股(深圳)有限公司 | 一种led光源制造方法 |
CN111081689A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-28 | 广东聚科照明股份有限公司 | 一种led光源的封装结构 |
CN212062458U (zh) * | 2020-05-19 | 2020-12-01 | 江西鸿利智达光电有限公司 | 一种高光效高可靠性led灯丝灯封装结构 |
CN113363371A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-09-07 | 旭宇光电(深圳)股份有限公司 | 全光谱发光二极管及其灯具 |
-
2023
- 2023-09-20 CN CN202311222324.5A patent/CN117153993B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100230695A1 (en) * | 2009-03-11 | 2010-09-16 | Forward Electronics Co., Ltd. | LED package structure |
US20110156071A1 (en) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | Industrial Technology Research Institute | Multi-stack package led |
CN103474558A (zh) * | 2013-09-27 | 2013-12-25 | 五邑大学 | 一种led封装点胶工艺及其led芯片封装结构 |
CN105355760A (zh) * | 2014-11-11 | 2016-02-24 | 易美芯光(北京)科技有限公司 | 一种广色域显示的led器件 |
CN106328638A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-01-11 | 佛山市中昊光电科技有限公司 | 一种cob光源 |
CN108305930A (zh) * | 2018-03-20 | 2018-07-20 | 澳洋集团有限公司 | 荧光粉胶、大功率led器件及其制作方法 |
CN108899311A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-11-27 | 朗昭创新控股(深圳)有限公司 | 一种led光源制造方法 |
CN111081689A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-28 | 广东聚科照明股份有限公司 | 一种led光源的封装结构 |
CN212062458U (zh) * | 2020-05-19 | 2020-12-01 | 江西鸿利智达光电有限公司 | 一种高光效高可靠性led灯丝灯封装结构 |
CN113363371A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-09-07 | 旭宇光电(深圳)股份有限公司 | 全光谱发光二极管及其灯具 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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