CN117133502A - 一种传输线、传输线缆、传输线的制备方法和电子设备 - Google Patents
一种传输线、传输线缆、传输线的制备方法和电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117133502A CN117133502A CN202210555053.4A CN202210555053A CN117133502A CN 117133502 A CN117133502 A CN 117133502A CN 202210555053 A CN202210555053 A CN 202210555053A CN 117133502 A CN117133502 A CN 117133502A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transmission line
- groove
- support plate
- conductive layer
- transmission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 252
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 118
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 abstract description 12
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 14
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 14
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 10
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
- H01B7/0045—Cable-harnesses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
- H01B7/17—Protection against damage caused by external factors, e.g. sheaths or armouring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/06—Coaxial lines
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
本申请提供了一种传输线、传输线缆、传输线的制备方法和电子设备,涉及通信技术领域,以解决信号传输线结构复杂、传输性能差等问题。本申请提供的传输线包括外壳体、外导体、支撑板和内导体;外壳体可以包括相互扣合的第一壳体和第二壳体,第一壳体具有第一凹槽,第二壳体具有第二凹槽,且第一凹槽和第二凹槽合围成通道;外导体可以包括第一导电层和第二导电层,第一导电层位于第一凹槽的内壁,第二导电层位于第二凹槽的内壁;支撑板悬置在通道内,且支撑板的至少部分边缘固定在第一壳体和第二壳体之间;内导体设置在支撑板的至少一个板面。本申请提供的传输线有利于保证传输线的信号传输性能,且有利于提升传输线在进行制作或装配时的便利性。
Description
技术领域
本申请涉及通信技术领域,尤其涉及一种传输线、传输线缆、传输线的制备方法和电子设备。
背景技术
传输线是用于传递电磁波的一种线状结构,被广泛的应用在各种不同类型的集成电路中,用于连接各种无源元件和有源器件。在科学技术的快速进步和巨大的市场需求下,射频集成电路正向多样化、集成化和高频段的方向发展。金属矩形波导作为传输线使用时,具有传输损耗低、功率容量大等优势,但是传统的金属矩形波导具有机械加工困难、尺寸大、重量大等诸多问题。因此,提供一种制作简单,有利于实现小型化和轻薄化设计的传输线成为了亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请提供了一种制作简单,有利于实现小型化和轻薄化设计的传输线、传输线缆、传输线的制备方法和电子设备。
第一方面,本申请提供了一种传输线,可以包括外壳体、外导体、支撑板和内导体。具体的,外壳体可以包括相互扣合的第一壳体和第二壳体,第一壳体具有第一凹槽,第二壳体具有第二凹槽,且第一凹槽和第二凹槽合围成通道。外导体可以包括第一导电层和第二导电层,第一导电层位于第一凹槽的内壁,第二导电层位于第二凹槽的内壁。支撑板悬置在通道内,且支撑板的至少部分边缘固定在第一壳体和第二壳体之间。内导体设置在支撑板的至少一个板面。
在本申请提供的传输线中,传输线的外壳体包括第一壳体和第二壳体,因此,在进行制作时,可以分别对第一壳体和第二壳体进行制作,从而便于提升制作时的便利性。另外,第一壳体具有第一凹槽,并且,在第一凹槽的内壁具有第一导电层;第二壳体具有第二凹槽,并且,在第二凹槽的内壁具有第二导电层。将第一壳体与第二壳体扣合后,第一凹槽和第二凹槽可以扣合成用于容纳内导体的通道。其中,第一导电层和第二导电层可以对内导体起到良好的电磁屏蔽作用,信号在内导体中进行传输,因此,有利于保证传输线的信号传输性能。另外,支撑板的部分边缘固定在第一壳体和第二壳体之间,支撑板能够具有较大面积的板面,内导体可以位于支撑板的两个板面,因此,在对内导体进行设计或制作时,内导体的数量、位置、形状和大小具有更多的可能性,因此,有利于提升传输线或扩展传输线的性能。另外,支撑板可以具有较小的厚度尺寸,因此,支撑板所占用的体积可以很小,能降低或防止支撑板所带来的传输色散等不良问题。另外,支撑板的至少部分边缘固定在第一壳体和第二壳体之间,从而有利于保证支撑板与外壳体之间的连接效果,也有利于提升传输线在进行制作或装配时的便利性。
在具体设置时,支撑板可以是薄膜,即支撑板的厚度可以较小,从而有利于降低支撑板所带来的传输色散等不良问题。
在第一凹槽中,第一凹槽的侧壁与第一凹槽的底壁之间的夹角大于90°。在对第一导电层进行制作时,有利于将导电材料布满第一凹槽的底壁和侧壁。相应的,在第二凹槽中,第二凹槽的侧壁与第二凹槽的底壁之间的夹角大于90°。在对第二导电层进行制作时,有利于将导电材料布满第二凹槽的底壁和侧壁。
在一种示例中,支撑板可以与第一凹槽的顶面贴合。其中,支撑板与第一凹槽的顶面之间可以固定连接,也可以不进行固定连接。
当然,在一种示例中,第一导电层还可以位于第一凹槽的顶面,支撑板可以与第一凹槽的顶面的第一导电层贴合。
在一种示例中,支撑板可以与第二凹槽的顶面贴合。其中,支撑板与第二凹槽的顶面之间可以固定连接,也可以不进行固定连接。
当然,在一种示例中,第二导电层还可以位于第二凹槽的顶面,支撑板可以与第二凹槽的顶面的第二导电层贴合。
在一种示例中,第一凹槽的顶面可以具有第一沉槽,且支撑板的至少一部分可以位于第一沉槽内。其中,第一沉槽的深度尺寸可以大于、等于或小于支撑板的厚度尺寸,本申请对此不作限定。
当然,在一种示例中,第一导电层还可以位于第一沉槽的底壁。支撑板可以与位于第一沉槽的底壁的第一导电层进行贴合。可以理解的是,当第一沉槽的底壁未设置第一导电层时,支撑板可以与第一沉槽的底壁贴合。
在一种示例中,第二凹槽的顶面可以具有第二沉槽,且支撑板的至少一部分可以位于第二沉槽内。其中,第二沉槽的深度尺寸可以大于、等于或小于支撑板的厚度尺寸,本申请对此不作限定。
当然,在一种示例中,第二导电层还可以位于第二沉槽的底壁。支撑板可以与位于第二沉槽的底壁的第二导电层进行贴合。可以理解的是,当第二沉槽的底壁未设置第二导电层时,支撑板可以与第二沉槽的底壁贴合。
在一种示例中,支撑板可以具有贯穿支撑板两侧(即支撑板厚度方向)的金属化孔,第一导电层和第二导电层可以通过金属化孔实现电连接。
在一种示例中,传输线还可以包括功能器件,功能器件可以设置在支撑板与内导体之间,且功能器件与内导体电连接,从而可以扩充传输线的功能性。在具体应用时,功能器件可以包括共振隧穿二极管、肖特基二极管、量子级联激光器中的任一种,本申请对功能器件的设置位置、数量和类型不作限制。
另外,在具体应用时,沿内导体的长度方向,内导体的截面形状和大小几乎不产生变化。或者,沿内导体的长度方向,内导体的截面形状可以是变化的,以实现不同的功能。例如,沿传输线的长度方向,内导体可以具有周期延伸部,从而可以实现滤波器或慢波器件的效果。
另外,传输线可以是直线形或曲线形等形状,本申请对传输线的形状不作限定。
第二方面,本申请还提供了一种传输线缆,可以包括至少三条上述任一种传输线,且所述至少三条所述传输线中包括一条第一传输线和至少两条第二传输线,所述至少两条第二传输线分别与所述第一传输线连接。或者,所述第一传输线可以作为主干线,至少两条第二传输线可以作为所述主干线的分支。
第三方面,本申请还提供了一种电子设备,可以包括基板、一个或多个电子器件以及上述第一方面提出的传输线,一个或多个电子器件和传输线可以设置在基板上,且电子器件之间可以通过传输线进行相互连接。其中,每个电子器件可以通过传输线与外部的其他设备或其他电子器件进行连接。或者,当电子设备中包括多个电子器件时,不同的电子器件之间也可以通过传输线进行连接。其中,电子设备可以是基站、服务器等,本申请对电子设备的具体类型不作限制。
另外,本申请还提供了一种传输线的制备方法,可以包括:
在第一壳体的表面制备第一凹槽。
在第一凹槽的内壁设置第一导电层。
在支撑板的至少一个板面设置内导体。
将设置内导体的支撑板固定在第一凹槽的开口。
在第二壳体的表面制备第二凹槽。
在第二凹槽的内壁设置第二导电层。
将第一凹槽和第二凹槽扣合固定。
在一些制备方法中,还可以包括:在第一凹槽的顶面制备第一沉槽或者,在第二凹槽的顶面制备第二凹槽。
在本申请实施例提供的传输线中,可以通过较为传统的制备工艺进行制作,有利于提升制备时的便利性,同时还有助于保证制备品质。另外,传输线可以是分体式的结构,因此,可以对不同的结构采用不同的制备工艺进行制作,有利于提升制作效率和制作精度,有利于保证传输线的信号传输性能。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意简图;
图2为一种典型的空气矩形微同轴传输线的立体结构示意图;
图3为本申请实施例提供的一种传输线的立体结构示意图;
图4为本申请实施例提供的一种传输线的截面结构示意图;
图5为本申请实施例提供的一种传输线与传统的金属矩形波导的传输损耗的对比数据图;
图6为本申请实施例提供的另一种传输线的截面结构示意图;
图7为本申请实施例提供的另一种传输线的截面结构示意图;
图8为本申请实施例提供的两种不同的传输线的传输损耗的对比数据图;
图9为本申请实施例提供的两种不同的传输线的传输损耗的对比数据图;
图10为本申请实施例提供的一种传输线的立体结构示意图;
图11为本申请实施例提供的一种显示内导体的平面图;
图12为本申请实施例提供的另一种传输线的截面结构示意图;
图13为本申请实施例提供的另一种传输线的截面结构示意图;
图14为本申请实施例提供的另一种传输线的截面结构示意图;
图15为本申请实施例提供的一种数据图;
图16为本申请实施例提供的另一种传输线的分解结构的截面示意图;
图17为本申请实施例提供的另一种传输线的分解结构的截面示意图;
图18为本申请实施例提供的另一种传输线的截面结构示意图;
图19为本申请实施例提供的另一种传输线的立体结构示意图;
图20为本申请实施例提供的另一种传输线的截面结构示意图;
图21为本申请实施例提供的一种传输线的透视效果的立体结构示意图;
图22为本申请实施例提供的一种传输线缆的透视效果的立体结构示意图;
图23为本申请实施例提供的一种传输线在垂直于传播方向上的电场强度分布图;
图24为本申请实施例提供的一种传输线在平行于传播方向上的电场强度分布图;
图25为本申请实施例提供的另一种传输线在平行于传播方向上的电场强度分布图;
图26为本申请实施例提供的一种传输线缆在平行于传播方向上的电场强度分布图;
图27为本申请实施例提供的不同的支撑板的插入损耗的对比数据图;
图28为本申请实施例提供的一种传输线的群时延和色散的仿真数据图;
图29为本申请实施例提供的一种传输线的制备方法流程图;
图30为本申请实施例提供的一种第一壳体的截面结构示意图;
图31为本申请实施例提供的一种支撑板和第一壳体的截面结构示意图;
图32为本申请实施例提供的一种第二壳体的截面结构示意图;
图33为本申请实施例提供的一种传输线的截面结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述。
为了方便理解本申请实施例提供的传输线,下面首先介绍一下其应用场景。
如图1所示,为本申请实施例提供的一种电子设备20的结构示意简图,传输线可以应用在电子设备20中,用于实现电子设备20中的电子器件之间的信号连接。具体来说,在电子设备20中可以包括基板21、第一电子元件22a、第二电子元件22b和传输线10。其中,第一电子元件22a、第二电子元件22b和传输线10均设置在基板21上,传输线的一端与第一电子元件22a连接,另一端与第二电子元件22b连接。即第一电子元件22a和第二电子元件22b之间可以通过传输线10实现信号连接。其中,第一电子元件22a或第二电子元件22b可以是有源器件也可以是无源器件等,本申请对第一电子元件22a和第二电子元件22b的具体类型不作限制。
目前,传输线的种类丰富多样,不同类型传输线具有不同的传输特性,能应用到不同类型的应用场景下。
例如,传输线可以包括微带线、共面波导或共面带状线。微带线、共面波导或共面带状线在较低频段具有良好的传输特性,因此,在微波集成电路中得到了广泛的应用。随着科学技术的不断发展和市场需求的不断提升,集成电路逐渐朝着高频段的方向发展。但是,传统的传输线(如上述的微带线等)的工作频率提高到毫米波段乃至太赫兹波段时,传输损耗呈指数式增加,并且会出现高次模态和色散大等不良情况,因此,传统的传输线不能满足较高工作频率的传输需求。
传输线还可以包括金属矩形波导,金属矩形波导通常由铜、铝等金属材料制成,是截面形状为矩形、内部填充空气介质的规则金属波导。
金属矩形波导作为传输线使用时,具有传输损耗低、功率容量大等优势,但是传统的金属矩形波导具有机械加工困难、尺寸大、重量大等诸多问题。
随着加工技术的发展,新型的空气矩形微同轴传输线应运而生,并且有望解决传统传输线高频信号传输损耗高、金属矩形波导尺寸重量大等问题。另外,空气矩形微同轴传输线还具有介质频率低(趋近于零)、电磁屏蔽性高等优点,因此,逐渐成为了主流的研究方向。
如图2所示,提供了一种典型的空气矩形微同轴传输线01的立体结构示意图。其主要包括外框架底板011、外框架盖帽012、支撑结构013、外导体014和内导体015。外框架底板011和外框架盖帽012围成截面为矩形的腔体结构,并且,在外框架底板011的上板面以及外框架盖帽012的内壁均设有外导体014。内导体015通过支撑结构013固定在矩形的通道内。
在上述的空气矩形微同轴传输线01中,由于支撑结构013具有较大的体积,因此,会增加空气矩形微同轴传输线01的传输色散。若减小支撑结构013的体积,则会对空气矩形微同轴传输线01的性能造成不良影响。例如,当缩减支撑结构013的宽度尺寸后,支撑结构013则提供不了足够的顶面面积,会对内导体015的尺寸和形状形成较大的制约。另外,当缩减支撑结构013的高度尺寸后,内导体015则会更加靠近外框架底板011,导致传输损耗变高。
另外,进行制作时,外框架底板011和外框架盖帽012通常采用光固化液态树脂材料,并结合用3D打印工艺进行制作。但是,这种制作方式所制作出的表面平整性较低,会影响到内导体015和外导体014的制作质量,会增加传输损耗,还会产生传输色散等不良情况。另外,上述的空气矩形微同轴传输线01的信号传输性能(如传输损耗)与传统的金属矩形波导的传输性能基本相同。
当然,在目前的传输线中仍存在其他多种不同的类型,但是目前的传输线结构,均不利于实现小型化和轻薄化设计,并且不利于制作。
为此,本申请实施例提供了一种结构简单,有利于实现小型化和轻薄化设计的传输线。
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图和具体实施例对本申请作进一步地详细描述。
以下实施例中所使用的术语只是为了描述特定实施例的目的,而并非旨在作为对本申请的限制。如在本申请的说明书和所附权利要求书中所使用的那样,单数表达形式“一个”、“一种”和“该”旨在也包括例如“一个或多个”这种表达形式,除非其上下文中明确地有相反指示。还应当理解,在本申请以下各实施例中,“至少一个”是指一个、两个或两个以上。
在本说明书中描述的参考“一个实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此,在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施方式中”、“在另外的实施方式中”等不是必然都参考相同的实施例,而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”,除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”,除非是以其他方式另外特别强调。
如图3和图4所示,在本申请提供的一种示例中,传输线10可以包括外壳体11、外导体12、支撑板13和内导体14。具体的,外壳体11可以包括相互扣合的第一壳体111和第二壳体112,第一壳体111具有第一凹槽1111,第二壳体112具有第二凹槽1121,且第一凹槽1111和第二凹槽1121合围成通道100。外导体12可以包括第一导电层121和第二导电层122,第一导电层121位于第一凹槽1111的内壁,第二导电层122位于第二凹槽1121的内壁。支撑板13悬置在通道100内,且支撑板13的至少部分边缘固定在第一壳体111和第二壳体112之间。内导体14设置在支撑板13的第一板面131(图4中的下板面)。
在本申请提供的传输线10中,传输线10的外壳体11包括第一壳体111和第二壳体112,因此,在进行制作时,可以分别对第一壳体111和第二壳体112进行制作,从而便于提升制作时的便利性。另外,第一壳体111具有第一凹槽1111,并且,在第一凹槽1111的内壁具有第一导电层121;第二壳体112具有第二凹槽1121,并且,在第二凹槽1121的内壁具有第二导电层122。将第一壳体111与第二壳体112扣合后,第一凹槽1111和第二凹槽1121可以扣合成用于容纳内导体14的通道100。其中,第一导电层121和第二导电层122可以对内导体14起到良好的电磁屏蔽作用,信号在内导体14中进行传输时,有利于保证传输线10的信号传输性能。
另外,支撑板13悬置在通道100内具体指的是,支撑板13可以与第一壳体111固定连接,或者,支撑板13可以与第二壳体112固定连接;或者,支撑板13可以与第一壳体111和第二壳体112固定连接。另外,支撑板13的部分边缘固定在第一壳体111和第二壳体112之间,支撑板13能够具有较大面积的板面,内导体14可以位于支撑板13的两个板面,因此,在对内导体14进行设计或制作时,内导体14的数量、位置、形状和大小具有更多的可能性,因此,有利于提升传输线10或扩展传输线10的性能。另外,支撑板13可以具有较小的厚度尺寸,因此,支撑板13所占用的体积可以很小,能降低或防止支撑板13所带来的传输色散等不良问题。另外,支撑板13的至少部分边缘固定在第一壳体111和第二壳体112之间,从而有利于保证支撑板13与外壳体11之间的连接效果,也有利于提升传输线10在进行制作或装配时的便利性。
为了清楚体现本申请实施例提供的传输线10的技术效果,本申请实施例还提供了传输线10与传统的金属矩形波导的传输损耗的对比数据图。
如图5所示,横坐标表示频率,单位为THz,纵坐标表示传输损耗,单位为dB/mm,即传输线10每毫米的传输损耗。图5中实线表示本申请实施例提供的传输线10的传输损耗与频率对应的仿真曲线。虚线表示传统的金属矩形波导的传输损耗与频率对应的仿真曲线。
从图5中可以明显看出,本申请实施例提供的传输线10实现了低损耗(如0.1dB/mm左右)和大带宽(如能达到1THz)的特性,在300GHz以上频段的传输损耗远低于传统金属矩形波导。或者,也可以理解的是,本申请实施例提供的传输线10工作频段为直流至太赫兹波段时,具有较低色散、较大带宽的特性。
在具体应用时,传输线10的整体结构以及外壳体11、外导体12、支撑板13和内导体14的结构和设置方式可以是多样的,下面将分别进行举例说明。
请参阅图3和图4。对于支撑板13,在具体应用时,支撑板13可以是板体结构,即支撑板13可以具有明显的厚度尺寸,从而能够为内导体14提供较大的支撑力。或者,支撑板13可以是薄膜(如厚度尺寸小于或等于5以是),从而可以使得支撑板13具有较小的厚度尺寸,有利于降低传输线10的传输损耗和色散。在进行制作时,支撑板13可以由较大面积的薄膜切割而成,从而有便于对支撑板13的批量制作,能保证品质的一致性。在对支撑板13的材质进行选择时,可以选用介电常数较低(如介电常数为2、3或4等)的材料。或者,支撑板13可以是刚性材料,以保证内导体14与外壳体11之间的连接稳定性。或者,支撑板13也可以是柔性材料,当传输线10在遭受较大外力冲击时,支撑板13可以通过自身的弹性形变对外力进行缓冲和吸收,以防止传输线10被破坏。当然,本申请对支撑板13的具体材质不作限定。另外,支撑板13的厚度可以是5厚度,也可以是大于5也可或小于5小于等,本申请对支撑板13的厚度尺寸不作限制。在实际应用中,可以根据不同需求对支撑板13的厚度、形状和材质进行合理选择,在此不作赘述。
对于内导体14,在具体应用时,信号主要在内导体14中进行传输,因此,内导体14可以采用铜、镍、金、钛、铬、钯等导电性较好的材料进行制作。在进行制作时,可以采用电子束蒸镀或磁控溅射等沉积工艺在支撑板13上直接制备内导体14。或者,也可以将制备成型的内导体14设置在支撑板13上。本申请对内导体14的材料和制备工艺不作限制。
另外,在具体应用时,内导体14的形状和类型可以是多样的。
例如,如图4所示,在本申请提供的一种示例中,内导体14可以设置在支撑板13的第一板面131。
或者,如图6所示,在本申请提供的一种示例中,内导体可以设置在支撑板13的第一板面131和第二板面132。具体的,内导体分别为内导体14a和内导体14b。其中,内导体14a位于支撑板13的第一板面131,内导体14b位于支撑板13的第二板面132,内导体14a在第二板面132上的垂直投影与内导体14b重合。
或者,如图7所示,在本申请提供的一种示例中,内导体设有三个,分别为内导体14a、内导体14b和内导体14c。内导体14b和内导体14c位于支撑板13的第一板面131,内导体14a位于支撑板13的第二板面132,内导体14a在第一板面131上的垂直投影与内导体14b和内导体14c不重合。
在具体应用时,通过增加内导体14的设置数量,有利于降低传输线10的传输损耗。
例如,如图8所示,本申请实施例提供了图4和图6中的传输线10的传输损耗的对比数据图。
如图9所示,本申请实施例提供了图4和图7中的传输线10的传输损耗的对比数据图。
在图8和图9中,横坐标表示频率,单位为THz;纵坐标表示传输损耗,单位为dB/mm,即传输线10每毫米的传输损耗。
在图8中,虚线表示图4所对应的传输线10的传输损耗与频率对应的仿真曲线。实线表示图6所对应的传输线10的传输损耗与频率对应的仿真曲线。
在图9中,虚线表示图4所对应的传输线10的传输损耗与频率对应的仿真曲线。实线表示图7所对应的传输线10的传输损耗与频率对应的仿真曲线。
通过对比可以明确得知,当增加内导体14的数量后可以降低传输线10的传输损耗。
当然,在其他的实施方式中,传输线10中还可以包括更多个内导体14。
概括来说,在实际应用时,内导体14可以设置在支撑板13的第一板面131,也可以仅设置在支撑板13的第二板面132,或者,也可以在支撑板13的第一板面131和第二板面132均设置。
另外,内导体14的数量可以是一个、两个、三个或者更多个,本申请对此不作限定。
其中,沿内导体14的长度方向(或者信号的传输方向),内导体14的截面形状可以是一致的。
例如,在上述的图3和图4中所示出的示例中,内导体14的截面形状为矩形的薄片,并且,沿内导体14的长度方向,内导体14的截面形状和大小几乎不产生变化。
当然,在其他的示例中,沿内导体14的长度方向,内导体14的截面形状可以是变化的,以实现不同的功能。
例如,如图10和图11所示,其中,图10为传输线的立体结构示意图,图11为显示内导体14的平面图。沿传输线10的长度方向,内导体14具有周期延伸部141,从而可以实现滤波器或慢波器件的效果。具体来说,在图11中的示例中,示出了四个延伸部141,且四个延伸部141等距设置。当然,在其他的实施方式中,延伸部141的形状、数量和位置可以根据实际需求进行合理设置。或者,可以理解的是,在具体应用时,由于支撑板13能够提供较大面积的板面尺寸,因此,在对内导体14的形状进行设计时便提供了更多的可能性,有助于对内导体14的形状进行灵活设计,以扩展传输线10的功能。
另外,在一些实施方式中,也可以在内导体14和支撑板13之间设置一些功能器件,以扩展传输线10的功能。
例如,如图12所示,在本申请提供的一种示例中,功能器件15可以设置在支撑板13与内导体14之间,内导体14与功能器件15电连接。
其中功能器件15可以包括:共振隧穿二极管、肖特基二极管、量子级联激光器中的任一种。在实际应用中,传输线10中可以包括一个、两个或者更多个功能器件15,本申请对功能器件15的类型和数量不作限制。
在进行制作时,可以在支撑板13的板面直接制备功能器件15。例如,可以在支撑板13的板面生长外延层以直接制备功能器件15,然后,在功能器件5上制备内导体14。或者,也可以将制备成型的功能器件15设置在支撑板13上。本申请对功能器件15的制备方式不作限制。
在外壳体11的具体应用中,其结构类型也可以是多样的。
例如,如图12所示,在本申请提供的一种示例中,第一壳体111和第二壳体112的结构大致相同。
以第一壳体111为例,第一壳体111的第一凹槽1111为敞口状。或者可以理解的是,第一凹槽1111的底壁与第一凹槽1111的侧壁之间的夹角θ大于90于,以便于对第一导电层121进行制备。
例如,在采用金属蒸镀工艺将金属材料沉积在第一凹槽1111的内壁时,在重力的作用下,金属材料可以有效的沉积至第一凹槽1111的底壁和侧壁。相反的,若第一凹槽1111的底壁与第一凹槽1111的侧壁之间的夹角θ为90壁或90壁以下时,在采用金属蒸镀工艺对第一导电层121进行制备时,金属材料很难或不能有效的沉积在第一凹槽1111的底壁和侧壁的所有区域。因此,在本申请提供的实施例中,将第一凹槽1111设置为敞口结构,有利于在第一凹槽1111的底壁和侧壁有效的制备第一导电层121。
在实际应用时,第一凹槽1111的底壁与第一凹槽1111的侧壁之间的夹角θ可以是93是左右。当然,本申请对θ的具体数值不作限制。或者,在其他的示例中,第一凹槽1111或第二凹槽1121的截面形状也可以是圆弧形、三角形、椭圆弧形或其他不规则形状等,在此不作赘述。
另外,在对第一导电层121进行设置时,第一导电层121也可以位于第一凹槽1111的外部。
例如,如图12所示,在本申请提供的一种示例中,第一导电层121位于第一凹槽1111的内壁(包括底壁和侧壁),以及第一凹槽1111的顶面。第二导电层122位于第二凹槽1121的内壁(包括底壁和侧壁),以及第二凹槽1121的顶面。或者,也可以理解为,第一导电层121包括位于第一凹槽1111的内壁的第一部分1211,以及位于第一凹槽1111的顶面的第二部分1212。第二导电层122包括位于第二凹槽1121的内壁的第一部分1221,以及位于第二凹槽1121的顶面的第二部分1222。
其中,支撑板13可以位于第二部分1212和第二部分1222之间。支撑板13的第一板面131可以与第一导电层121的第二部分1212固定连接。或者,支撑板13的第二板面132可以与第二导电层122的第二部分1222固定连接。在具体设置时,支撑板13与第一导电层121或第二导电层122之间可以采用键合或者焊接等方式进行固定连接,本申请对此不作限定。
当然,在具体实施时,第一导电层121与第二导电层122之间可以进行欧姆接触,也可以不进行欧姆接触(即导电连接)。在图12中提供的示例中,第一导电层121与第二导电层122之间没有进行欧姆接触。
在将第一导电层121和第二导电层122进行欧姆接触时,其实现方式可以有多种。
例如,如图13所示,在本申请提供的一种示例中,第一导电层121和第二导电层122之间可以通过金属化孔133实现欧姆接触。
具体来说,在支撑板13中可以设置贯穿支撑板13厚度的金属化孔133,第一导电层121和第二导电层122之间可以通过金属化孔133实现欧姆接触。
可以理解的是,在其他的实施方式中,金属化孔133也可以替换为导线等,在此不作赘述。
或者,如图14所示,第一导电层121的第二部分1212和第二导电层122的第二部分1222均设有沉槽(图中未标示出),支撑板13位于沉槽内,并且,第二部分1212与第二部分1222接触。或者,可以理解的是,支撑板13的宽度(图中左右方向的尺寸)小于第一壳体111和第二壳体112的宽度尺寸。支撑板13的厚度尺寸约等于第二部分1212和第二部分1222的沉槽的深度之和,因此,支撑板13能够被夹设在第二部分1212和第二部分1222的部分区域之间,并且,第二部分1212和第二部分1222的部分区域也能进行有效贴合,以实现第一导电层121和第二导电层122之间的电连接。
当然,在具体应用时,由于支撑板13的厚度可以较小,因此,在第一导电层121和第二导电层122不进行欧姆接触时,外界的电磁波也不会有效的传播至内导体14处,内导体14中的电磁波也不会产生泄漏。当第一导电层121和第二导电层122之间欧姆接触后,第一导电层121和第二导电层122可以提升对于内导体14的电磁屏蔽效果,防止外部电磁波传播至内导体14处,也能防止内导体14中的电磁波向外泄露,从而有利于保证传输线10的信号传输性能。
如图15所示,提供了对比了长度为1mm的传输线10,第一导电层121与第二导电层122进行欧姆接触时以及第一导电层121与第二导电层122未进行欧姆接触时的插入损耗的差值的数据图。
图15中,横坐标表示频率,单位为THz;纵坐标表示插入损耗差值,单位为dB。纵坐标数值如2.E-03具体表示2*10-3;-5.E-03具体表示-5*10-3,在此不作过多赘述。
从图15中可以看出,第一导电层121和第二导电层122之间有无欧姆接触对传输线10的插入损耗几乎没有影响。
可以理解的是,在具体应用中,可以根据实际需求(如电磁屏蔽性能要求或支撑板13的厚度等)对第一导电层121和第二导电层122之间是否进行欧姆接触进行灵活选择。
当然,在对第一壳体111和第二壳体112进行设置时,第一壳体111和第二壳体112的结构可以是多样的。
例如,如图16所示,在本申请提供的另一种示例中,可以在第一凹槽1111的顶面设置第一沉槽1112,可以在第二凹槽1121的顶面设置第二沉槽1122。
其中,支撑板13可以位于第一沉槽1112和第二沉槽1122内,第二部分1212和第二部分1222可以实现欧姆接触。在具体应用时,第一沉槽1112的深度尺寸、第二沉槽1122的深度尺寸、第二部分1212的厚度尺寸以及第二部分1222的厚度尺寸之和大于或等于支撑板13的厚度尺寸,以使第二部分1212和第二部分1222之间实现良好的欧姆接触。
可以理解的是,在具体应用时,第二部分1212和第二部分1222之间可以通过键合或焊接等工艺实现固定连接,以提升第一壳体111和第二壳体112之间的连接稳定性,并保证第二部分1212和第二部分1222之间的电连接效果。
当然,在一些实施方式中,第二部分1212和第二部分1222也可以省略设置。
具体来说,如图17所示,第一沉槽1112和第二沉槽1122的厚度尺寸之和可以约等于支撑板13的厚度尺寸,第一凹槽1111的顶面和第二凹槽1121的顶面之间可以进行接触。其中,第一凹槽1111的顶面与第二凹槽1121的顶面之间可以通过键合或焊接等工艺实现固定连接,以提升第一壳体111和第二壳体112之间的连接稳定性。
另外,如图18所示,在本申请提供的另一个示例中,第一导电层121的第二部分1212还可以位于第一沉槽(图中未标示出)的底壁,第二导电层122的第二部分1222还可以位于第二沉槽(图中未标示出)的底壁。
当然,在具体应用时,可以仅在第一凹槽1111的顶壁设置第一沉槽1112,也可以仅在第二凹槽1121的顶壁设置第二沉槽1122,或者,也可以同时设置第一沉槽1112和第二沉槽1122。
另外,在对第一壳体111和第二壳体112进行设置时,第一壳体111和第二可以的结构可以相同,也可以不相同,本申请对此不作具体限定。
另外,需要说明的是,在实际应用中,可以根据不同需求将上述的不同结构类型的第一壳体111、第二壳体112、外导体12、支撑板13和内导体14等进行灵活组合,在此不作一一赘述。
对于传输线10整体,如图19所示,在实际应用中,传输线10可以是直线形。
如图20所示,第一凹槽1111(或第二凹槽1121)的底壁的宽度尺寸a可以是0.5mm左右。第一凹槽1111和第二凹槽1121的底壁之间的距离b可以是0.5mm左右。第一凹槽1111(或第二凹槽1121)的底壁与侧壁之间的夹角θ可以是93是左右。支撑板13的宽度尺寸w可以是0.9mm左右。支撑板13的厚度尺寸t可以是5以是左右。支撑板13的相对介电常数ε可以是2、3或4等。内导体14的宽度尺寸s可以是0.1mm左右。外导体12和内导体14的厚度尺寸可以是0.5尺寸左右。其中,外导体12和内导体14的厚度尺寸可以相同也可以不相同,本申请对此不作具体限定。
或者,如图21所示,传输线10也可以是S形等。
当然,传输线10可以是柔性的结构,可以根据实际施工需求进行随意弯曲等。或者,可以理解的是,本申请对传输线10的整体形状不作限定。
另外,如图22所示,在本申请提供的另一种传输线缆中,可以包括三条传输线,分别传输线10a、传输线10b和传输线10c,传输线b和传输线c分别与传输线a连接。即传输线缆可以是Y形结构。传输线10a可以作为主干线,传输线b和传输线c可以作为主干线的分支。当然,在其他的示例中,传输线缆还可以包括三个或者三个以上的分支。或者,每个分支中也可以包括两个及以上的分支,在此不作赘述。
另外,为了便于说明本申请实施例提供的传输线10的技术效果,本申请实施例还提供了几种传输线10的电场强度仿真效果图。
如图23为信号在图19中的传输线中传播时,在垂直于传输线的长度方向的横截面的电场强度分布图。即在x-z平面中,电场的强度分布图。
图24为信号在图19中的传输线中传播时,沿传输线的长度方向,电场强度分布图。即在x-y平面中,电场的强度分布图。
图25为信号在图21中的传输线中传播时,沿传输线的长度方向,电场强度分布图。即在x-y平面中,电场的强度分布图。
图26为信号在图22中的传输线缆中传播时,沿传输线的长度方向,电场强度分布图。即在x-y平面中,电场的强度分布图。
在图23至图26中,颜色越浅表示电场强度越高,相反的,颜色越深,则表示电场强度越低。可以看出,电场基本集中在内导体周围,电场的分布均匀且近似准TEM模式,没有明显受到支撑板的影响。
另外,为了测试支撑板13所产生的插入损耗,本申请实施例还提供了不同介电常数下,支撑板13的插入损耗。
图27中,还提供了长度约为1mm的三种不同介电常数的支撑板的插入损耗,测试下的工作频率为250GHz左右。
图27中,横坐标表示频率,单位为THz,纵坐标表示插入损耗,单位为dB。仿真曲线S1表示介电常数为2时的支撑板13的插入损耗与频率的对应关系。仿真曲线S2表示介电常数为3时的支撑板的插入损耗与频率的对应关系。仿真曲线S3表示介电常数为4时的支撑板的插入损耗与频率的对应关系。
从图27中可以明显看出,三种不同介电常数的支撑板13的插入损耗均较低,因此,不会对电场的分布造成明显影响,从而不会影响传输线10的信号传输性能,并且,传输线10的工作频率为1THz时,也能实现较小的插入损耗。
另外,如图28所示,本申请实施例还提供了传输线10的群时延和色散的仿真数据图。
图28中,横坐标表示频率,单位为THz,左纵坐标表示群时延,单位为ps/mm。右纵坐标表示色散,单位为ps/mm/THz。实线表示传输线10的群时延与频率的对应关系。虚线表示传输线10的色散与频率的对应关系。
从图18中可以看出,传输线10的群时延在1THz的大带宽下的变化非常小,计算出的群时延的色散理论平均值在0.03ps/mm/THz,验证了本申请实施例提供的传输线10具备低色散的特点。
概括来说,本申请实施例提供的传输线10,具有较好的信号传输性能,支撑板13所产生的插入损耗较低,甚至可以忽略不计,因此,不会影响都传输线10的信号传输性能。
在对传输线10进行制作时,可以采用多种不同的工艺和方法。
例如,如图29所示,在本申请提供的一种示例中,该制备方法可以包括:
步骤S100:在第一壳体的表面制备第一凹槽。
步骤S110:在第一凹槽的内壁设置第一导电层。
步骤S120:在支撑板的至少一个板面设置内导体。
步骤S130:将设置内导体的支撑板固定在第一凹槽的开口。
步骤S200:在第二壳体的表面制备第二凹槽;
步骤S210:在第二凹槽的内壁设置第二导电层;
步骤S300:将第一凹槽和第二凹槽扣合固定。
具体来说,请结合参阅图30至图33。在对第一壳体111进行制备时,第一壳体111可以采用晶圆作为胚料,并采用刻蚀工艺(如干法刻蚀或湿法刻蚀)等工艺在晶圆中制备第一凹槽1111,从而对第一壳体111进行制作成型。在本申请提供的第一壳体111中,可以采用半导体材料,并且,加工精度较高,可以达到纳米级,并且制备工艺简单。
当然,在其他的制备方法中,第一壳体111也可以其他的材料进行制作,本申请对此不作限定。
在对第一导电层121进行制备时,可以采用金属沉积工艺将铜或金等导电性较好的金属材料成型在第一凹槽1111的内壁以及第一凹槽1111的顶面,以制备第一导电层121。当然,在其他的实施方式中,第一凹槽1111的顶面也可以不制备第一导电层121。或者,可以在第一凹槽1111的顶面制备沉槽结构(图中未示出),另外,第一导电层121也可以位于沉槽结构的底壁或侧壁。
在对支撑板13进行制备时,支撑板13可以采用晶圆作为胚料,并采用刻蚀工艺(如干法刻蚀或湿法刻蚀)等工艺进行制作成型。或者,支撑板13也可以是薄膜,并采用切割等工艺制作出所需的形状。
在对内导体14进行制作时,可以采用金属沉积工艺将铜或金等导电性较好的金属材料成型在支撑板13的至少一个板面。当然,在其他的制备方法中,也可以将成型的导体结构设置在支撑板13上,在此不作赘述。
将支撑板13固定在第一凹槽1111的开口时,可以采用键合、焊接等工艺,以实现支撑板13与第一壳体111之间的固定连接。当然,在一些实施方式中,也可以将支撑板13放置在第一凹槽1111的开口处。
在对第二壳体112进行制备时,第二壳体112可以采用晶圆作为胚料,并采用刻蚀工艺(如干法刻蚀或湿法刻蚀)等工艺在晶圆中制备第二凹槽1121,从而对第二壳体112进行制作成型。在本申请提供的第二壳体112中,可以采用半导体材料,并且,加工精度较高,可以达到纳米级,并且制备工艺简单。
当然,在其他的制备方法中,第二壳体112也可以其他的材料进行制作,本申请对此不作限定。
在对第二导电层122进行制备时,可以采用金属沉积工艺将铜或金等导电性较好的金属材料成型在第二凹槽1121的内壁以及第二凹槽1121的顶面,以制备第二导电层122。另外,在本申请提供的一种示例中,第二凹槽1121的顶面具有第二沉槽1122,且第二导电层122还位于第二沉槽1122的底壁。当然,在其他的实施方式中,第二凹槽1121的顶面也可以不制备第二导电层122。
最后,可以将第一壳体111和第二壳体112进行扣合固定。其中,第一壳体111和第二壳体112之间可以直接固定连接,也可以通过支撑板13进行固定连接。例如,当第一凹槽1111的顶面与第二凹槽1121的顶面相接触时,可以通过键合或焊接的工艺将第一凹槽1111的顶面和第二凹槽1121的顶面进行连接,以实现第一壳体111和第一壳体112之间的固定连接。或者,当第一导电层121与第二导电层122相接触时,可以通过键合或焊接的工艺将第一导电层121第二导电层122进行连接,以实现第一壳体111和第二壳体112之间的固定连接。或者,也可以是第一壳体111与支撑板13固定连接、第二壳体112与支撑板13固定连接,以实现第一壳体111和第二壳体112之间的固定连接。
在本申请实施例提供的传输线中,可以通过较为传统的制备工艺进行制作,有利于提升制备时的便利性,同时还有助于保证制备品质。另外,传输线可以是分体式的结构,因此,可以对不同的结构采用不同的制备工艺进行制作,有利于提升制作效率和制作精度,有利于保证传输线的信号传输性能。
当然,在实际的制备工作中,可以根据实际需求选择合适的制备工艺和流程对传输线进行制作,在此不作赘述。
以上,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (23)
1.一种传输线,其特征在于,包括:
外壳体,包括相互扣合的第一壳体和第二壳体,所述第一壳体具有第一凹槽,所述第二壳体具有第二凹槽,且所述第一凹槽和所述第二凹槽合围成通道;
外导体,包括第一导电层和第二导电层,所述第一导电层位于所述第一凹槽的内壁,所述第二导电层位于所述第二凹槽的内壁;
支撑板,悬置在所述通道内,且所述支撑板的至少部分边缘固定在所述第一壳体和所述第二壳体之间;
内导体,设置在所述支撑板的至少一个板面。
2.根据权利要求1所述的传输线,其特征在于,所述支撑板为薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的传输线,其特征在于,所述第一凹槽的侧壁与所述第一凹槽的底壁之间的夹角大于90°。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的传输线,其特征在于,所述第二凹槽的侧壁与所述第二凹槽的底壁之间的夹角大于90°。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的传输线,其特征在于,所述支撑板与所述第一凹槽的顶面贴合。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的传输线,其特征在于,所述第一导电层还位于所述第一凹槽的顶面,所述支撑板与所述第一导电层贴合。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的传输线,其特征在于,所述第一凹槽的顶面具有第一沉槽,且所述支撑板的至少一部分位于所述第一沉槽内。
8.根据权利要求7所述的传输线,其特征在于,所述支撑板与所述第一沉槽的底壁贴合。
9.根据权利要求7所述的传输线,其特征在于,所述第一导电层还位于所述第一沉槽的底壁,所述支撑板与所述第一导电层贴合。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的传输线,其特征在于,所述支撑板与所述第二凹槽的顶面贴合。
11.根据权利要求1至9中任一项所述的传输线,其特征在于,所述第二导电层还位于所述第二凹槽的顶面,所述支撑板与所述第二导电层贴合。
12.根据权利要求1至9中任一项所述的传输线,其特征在于,所述第二凹槽的顶面具有第二沉槽,且所述支撑板的至少一部分位于所述第二沉槽内。
13.根据权利要求12所述的传输线,其特征在于,所述支撑板与所述第二沉槽的底壁贴合。
14.根据权利要求12所述的传输线,其特征在于,所述第二导电层还位于所述第二沉槽的底壁,所述支撑板与所述第二导电层贴合。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的传输线,其特征在于,所述支撑板包括贯穿所述支撑板两侧的金属化孔,所述第一导电层和所述第二导电层通过所述金属化孔电连接。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的传输线,其特征在于,所述传输线还包括功能器件,所述功能器件设置在所述支撑板与所述内导体之间,且所述功能器件与所述内导体电连接。
17.根据权利要求16所述的传输线,其特征在于,所述功能器件包括:共振隧穿二极管、肖特基二极管、量子级联激光器中的任一种。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的传输线,其特征在于,沿所述传输线的长度方向,所述内导体具有周期延伸部。
19.根据权利要求1至18中任一项所述的传输线,其特征在于,所述传输线为直线形或曲线形。
20.一种传输线缆,其特征在于,包括至少三条如权利要求1至19中任一项所述的传输线,且所述至少三条所述传输线中包括一条第一传输线和至少两条第二传输线,所述至少两条第二传输线分别与所述第一传输线连接。
21.一种电子设备,其特征在于,包括基板和至少两个电子器件,所述至少两个电子器件设置在所述基板上,还包括如权利要求1至19中任一项所述的传输线,或者,包括如权利要求20所述的传输线缆,所述传输线或所述传输线缆设置在所述基板上,用于连接所述至少两个电子器件。
22.一种传输线的制备方法,其特征在于,包括:
在第一壳体的表面制备第一凹槽;
在所述第一凹槽的内壁设置第一导电层;
在支撑板的至少一个板面设置内导体;
将设置所述内导体的所述支撑板固定在所述第一凹槽的开口;
在第二壳体的表面制备第二凹槽;
在所述第二凹槽的内壁设置第二导电层;
将所述第一凹槽和所述第二凹槽扣合固定。
23.根据权利要求22所述的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述第一凹槽的顶面制备第一沉槽,或者,在所述第二凹槽的顶面制备第二沉槽。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210555053.4A CN117133502A (zh) | 2022-05-19 | 2022-05-19 | 一种传输线、传输线缆、传输线的制备方法和电子设备 |
PCT/CN2023/093625 WO2023221872A1 (zh) | 2022-05-19 | 2023-05-11 | 一种传输线、传输线缆、传输线的制备方法和电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210555053.4A CN117133502A (zh) | 2022-05-19 | 2022-05-19 | 一种传输线、传输线缆、传输线的制备方法和电子设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117133502A true CN117133502A (zh) | 2023-11-28 |
Family
ID=88834570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210555053.4A Pending CN117133502A (zh) | 2022-05-19 | 2022-05-19 | 一种传输线、传输线缆、传输线的制备方法和电子设备 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117133502A (zh) |
WO (1) | WO2023221872A1 (zh) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8212580B2 (en) * | 2007-04-02 | 2012-07-03 | Google Inc. | Scalable wideband probes, fixtures, and sockets for high speed IC testing and interconnects |
CN110311205A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-10-08 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种微同轴传输线的制作方法 |
CN113540729B (zh) * | 2021-07-21 | 2022-06-07 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种基于3d打印的微型同轴传输线及其制作方法 |
CN114040672A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-02-11 | 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司 | 一种射频芯片屏蔽装置及其制作方法 |
CN114188286A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-15 | 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司 | 一种射频模块、制作方法及电子设备 |
CN114203629A (zh) * | 2021-12-12 | 2022-03-18 | 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司 | 一种微同轴及其制备方法 |
-
2022
- 2022-05-19 CN CN202210555053.4A patent/CN117133502A/zh active Pending
-
2023
- 2023-05-11 WO PCT/CN2023/093625 patent/WO2023221872A1/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023221872A1 (zh) | 2023-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3888186B1 (en) | Ridge gap waveguide and multilayer antenna array including the same | |
EP1592082B1 (en) | Contact-free element of transition between a waveguide and a microstrip line | |
US5414394A (en) | Microwave frequency device comprising at least a transition between a transmission line integrated on a substrate and a waveguide | |
EP2311134B1 (en) | Waveguides and transmission lines in gaps between parallel conducting surfaces | |
US6639484B2 (en) | Planar mode converter used in printed microwave integrated circuits | |
JP3241139B2 (ja) | フィルムキャリア信号伝送線路 | |
US6335664B1 (en) | Branch circuit and its designing method, waveguide-microstrip transition, and application to HF circuit, antenna and communication system | |
Villegas et al. | A novel waveguide-to-microstrip transition for millimeter-wave module applications | |
US20090303147A1 (en) | Sectorized, millimeter-wave antenna arrays with optimizable beam coverage for wireless network applications | |
EP3780259A1 (en) | Transition structure and multilayer transition structure for millimeter wave | |
CN210111019U (zh) | 一种新型双脊集成基片间隙波导 | |
US7192882B2 (en) | Component for electromagnetic waves and a method for manufacturing the same | |
CN117133502A (zh) | 一种传输线、传输线缆、传输线的制备方法和电子设备 | |
CN114156624A (zh) | 基于间隙波导结构的毫米波宽带低损耗定向耦合器 | |
JP3347640B2 (ja) | 高周波用伝送線路 | |
CN113889719B (zh) | 一种具有滤波功能的波导到微带线过渡结构 | |
CN218414574U (zh) | 电路器件 | |
US20220336383A1 (en) | Packaged electronic device and multilevel lead frame coupler | |
US20240154302A1 (en) | Electronic component | |
Li et al. | Design of Crossover Based on Printed Gap Waveguide for Millimeter-wave Application | |
KR20020023740A (ko) | Nrd 가이드 회로 일체형 혼 안테나 | |
Kimura et al. | Analyses of Transmission Loss of a Gap Waveguide Composed of a Dielectric Substrate with EBG Elements | |
CN117812819A (zh) | 毫米波电路结构及毫米波模块测量装置 | |
CN117748079A (zh) | 一种Ka波段脊间隙波导至微带线的宽带转换结构 | |
CN117458105A (zh) | 基片集成波导滤波器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication |