CN117123783A - 一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法 - Google Patents
一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117123783A CN117123783A CN202310853177.5A CN202310853177A CN117123783A CN 117123783 A CN117123783 A CN 117123783A CN 202310853177 A CN202310853177 A CN 202310853177A CN 117123783 A CN117123783 A CN 117123783A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aluminum
- silicon carbide
- aluminum powder
- based silicon
- sintering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 213
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 94
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 81
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 80
- 238000005245 sintering Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 15
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 230000009471 action Effects 0.000 claims abstract description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000004519 grease Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 claims abstract description 4
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 17
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 244000137852 Petrea volubilis Species 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims description 3
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
- B22F7/08—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools with one or more parts not made from powder
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
- B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/002—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of porous nature
- B22F7/004—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of porous nature comprising at least one non-porous part
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
本发明提供了一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法，包括如下步骤：将待烧结碳化硅颗粒增强铝基复合材料表面进行机械打磨，得到铝基碳化硅基体；将铝基碳化硅基体浸入丙酮清洗，去除铝基碳化硅基体表面油脂；将清洁完成之后的铝基碳化硅基体放入超声波清洗机中超声；将铝粉倒入石墨模具中，刮平，保证铝粉与铝基碳化硅基体紧密接触；将烧结组件放入真空压力烧结机中进行压力烧结，在高温压力的作用下，接触表面相互靠近，在一定保温时间后铝粉原子逐渐向铝基碳化硅扩散而形成可靠连接。本发明在合适的烧结温度和施加压强下，在铝基碳化硅基体上成功烧结多孔铝粉，具有较好的毛细作用。
Description
技术领域
本发明属于粉末烧结领域，具体涉及一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法。
背景技术
随着电子器件、半导体集成电路向着高可靠、高集成、高密度以及轻量化方向发展，微电子组件的数量越来越多，集成度越来越高，发热密度更大，因而对微电子组件外壳的散热要求越来越严格。传统的钼铜合金、钨铜合金等由于比重较大，热导率低等缺陷逐渐无法满足性能要求，高体积分数的碳化硅颗粒增强铝基复合材料(Al/SiCp)成为代替传统电子封装材料的理想选择。
碳化硅颗粒增强铝基复合材料(Al/SiCp)因具有低密度、低热膨胀系数、高的比强度和比刚度、高的弹性模量和良好的耐磨性等性能，广泛应用于航空航天等要求高强度、耐高温的结构器件，通过改变Al与SiC的比例，同时保持着高强度，可以定制其CTE以更好的匹配氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等第三代半导体。基于第三代半导体材料的先进电子器件在诸多国计民生与国家重大战略安全领域具有重要价值。
发明内容
针对现有技术中的上述技术问题，本发明提供了一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法，该方法将铝粉烧结在不同热膨胀系数的铝基碳化硅表面，并具有较好的结合力和毛细性能，可为制备散热器件提供通道。
为实现上述目的，本发明提供一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法，包括如下步骤：
步骤S1，将待烧结碳化硅颗粒增强铝基复合材料表面进行机械打磨，包覆在碳化硅颗粒增强铝基复合材料表面的氧化膜破碎，得到铝基碳化硅基体；
步骤S2，将铝基碳化硅基体浸入丙酮清洗，去除铝基碳化硅基体表面油脂，先浸入10％NaOH约3分钟，再浸入10％HNO3约3-5分钟，利用化学反应去除残余的氧化膜；
步骤S3，将清洁完成之后的铝基碳化硅基体放入超声波清洗机中超声3-5分钟，以清洁表面酸、碱和SiC颗粒；
步骤S4，将铝粉倒入石墨模具中，然后刮平，保证铝粉与铝粉、铝粉与铝基碳化硅基体紧密接触得到铝基碳化硅-铝粉-石墨磨具组成的烧结组件；
步骤S5，将铝基碳化硅-铝粉-石墨磨具组成的烧结组件放入真空压力烧结机中，设定程序进行压力烧结，在高温压力的作用下，接触表面相互靠近，在一定保温时间后铝粉原子逐渐向铝基碳化硅扩散而形成可靠连接。
优选地，烧结分为两个过程，第一个烧结过程为铝粉与铝粉之间的烧结；
铝粉在步骤4中通过刮平的方法在模具中形成铝粉-铝粉的空间堆叠，在步骤5中通过特定压力加大铝粉-铝粉之间的接触面积和压力、通过压力破碎铝粉表面的薄层氧化层，通过高温促进铝粉氧化层内的铝原子运动，通过扩散穿过表面已经压力破碎的氧化层进入其他铝粉形成有效烧结连接；压力(30-50Mpa)和温度(500-540℃)相互匹配，保证压力-温度能够破坏铝粉外部的氧化铝、形成铝粉之间的有效接触、铝原子的快速扩散，而不会因为压力过大引起铝粉多孔结构的塌缩、压力过小导致氧化层无法破碎影响铝原子扩散、温度过高引发铝粉熔化、温度过低导致铝原子扩散速率缓慢等问题；
第二个烧结过程为铝粉-铝基碳化硅基体之间的烧结；
铝粉在步骤4中通过刮平、步骤5中通过压力和基体形成有效接触，并破除铝粉表面的氧化层，在步骤5中通过高温促进铝粉中铝原子向基体扩散，基体中的铝原子、碳化硅颗粒也同时向铝粉中飘逸扩散，形成铝粉-铝基碳化硅基体的有效烧结连接。温度和压力相互匹配，使得铝粉、基体表面的氧化层破裂，铝粉-铝粉之间、铝粉-基底之间形成有效的接触、铝原子在压力和温度共同作用下快速扩散，实现扩散烧结。
在步骤5中，通过合适的压力和温度能保证铝粉-铝粉之间、铝粉-基体之间有效的接触，保证具有一定的接触面积并仍然具有一定的空隙，保证铝原子能在铝粉-铝粉之间、铝粉-基体之间有效的扩散，保证具有铝原子扩散形成有效烧结连接而不是铝粉熔化形成重铸。
优选地，步骤S5中扩散的温度公式为T＝(0.6～0.8)Tm，其中Tm为铝的最低熔点。
优选地，步骤S1中机械打磨使用200-2000目的砂纸进行打磨，包覆在碳化硅颗粒增强铝基复合材料表面的氧化膜使用盐酸硝酸混合溶液和氢氧化钠溶液清除其表面的氧化膜。
优选地，步骤S2中将铝基碳化硅基体浸入丙酮清洗后，再次使用超声波清洗机进行超声清洗油脂，超声清洗的时间为3-5分钟。
优选地，步骤S1中铝基复合材料通过各组分配比进行调控，其物理特性综合吸收了金属基体和增强体的优点，产生了新的优异性能。
优选地，步骤S4中铝粉粒径为10-100μm。
优选地，步骤S5中保温温度设置在500-540℃，保温1-2小时，施加压强设置在30-50Mpa，直至烧结组件随炉降至室温。
本发明的有益效果是：在高温压力的作用下，利用铝粉与铝基碳化硅基体接触时进行扩散，从而使铝粉烧结在铝基碳化硅基体上，形成可靠连接，铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法将铝粉烧结在不同热膨胀系数的铝基碳化硅表面，并具有较好的结合力和毛细性能，可为制备散热器件提供通道。
附图说明
图1是本发明用于铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的扫描电镜照片。
图2是现有技术中0MPa压力下多孔铝粉的扫描电镜照片。
图3是现有技术中580℃温度下多孔铝粉的扫描电镜照片。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，以下实施例结合附图对本发明的一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法作具体阐述。实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
本发明是采用如下的技术方案：一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法，包括如下步骤：
将待焊母材用200-2000目的砂纸进行机械打磨，将包覆在铝基碳化硅表面的氧化膜破碎；
将铝基碳化硅基体浸入丙酮清洗以去除铝基母材表面油脂，浸入10％NaOH约3分钟，浸入10％HNO3约3-5分钟，利用化学反应去除残余的氧化膜；
将清洁完成之后的铝基碳化硅基体放入超声波清洗机中超声3-5分钟，以清洁表面酸、碱和SiC颗粒；
将140目的铝粉倒入石墨模具中，然后刮平，保证铝粉与铝基碳化硅基体紧密接触；
将铝基碳化硅-铝粉-石墨磨具组成的烧结组件放入真空压力烧结机中，设定程序，在加热温度为500℃，施加压强为20MPa的作用下，将铝粉烧结在铝基碳化硅的表面，在保温1h后铝粉原子逐渐向铝基碳化硅扩散而形成可靠连接。
该方法在高温压力的作用下，利用铝粉与铝基碳化硅基体接触时进行扩散，从而使铝粉烧结在铝基碳化硅基体上，形成可靠连接。
该方法在不同体积分数碳化硅增强铝基复合材料上均可实现各种孔径铝粉的烧结，且工艺简单，表面特性好，连接可靠，可提供较好的毛细力。
优选地，烧结分为两个过程，第一个烧结过程为铝粉与铝粉之间的烧结；
铝粉在步骤4中通过刮平的方法在模具中形成铝粉-铝粉的空间堆叠，在步骤5中通过特定压力加大铝粉-铝粉之间的接触面积和压力、通过压力破碎铝粉表面的薄层氧化层，通过高温促进铝粉氧化层内的铝原子运动，通过扩散穿过表面已经压力破碎的氧化层进入其他铝粉形成有效烧结连接；压力和温度相互匹配，保证压力-温度能够破坏铝粉外部的氧化铝、形成铝粉之间的有效接触、铝原子的快速扩散，而不会因为压力过大引起铝粉多孔结构的塌缩、压力过小导致氧化层无法破碎影响铝原子扩散、温度过高引发铝粉熔化、温度过低导致铝原子扩散速率缓慢等问题；
第二个烧结过程为铝粉-铝基碳化硅基体之间的烧结；
铝粉在步骤4中通过刮平、步骤5中通过压力和基体形成有效接触，并破除铝粉表面的氧化层，在步骤5中通过高温促进铝粉中铝原子向基体扩散，基体中的铝原子、碳化硅颗粒也同时向铝粉中飘逸扩散，形成铝粉-铝基碳化硅基体的有效烧结连接。温度和压力相互匹配，使得铝粉、基体表面的氧化层破裂，铝粉-铝粉之间、铝粉-基底之间形成有效的接触、铝原子在压力和温度共同作用下快速扩散，实现扩散烧结。
在步骤5中，通过合适的压力和温度能保证铝粉-铝粉之间、铝粉-基体之间有效的接触，保证具有一定的接触面积并仍然具有一定的空隙，保证铝原子能在铝粉-铝粉之间、铝粉-基体之间有效的扩散，保证具有铝原子扩散形成有效烧结连接而不是铝粉熔化形成重铸。
如图1所示，是本发明用于铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的扫描电镜照片，图2为北京有色金属研究总院,2022出版的张爵灵.平板热管用一体化铝基毛细芯的制备工艺研究，或是苏州大学2019出版的戴志伟.多孔铝基复合材料的制备及其力学性能研究，或是材料导报2023出版的张爵灵,王林山,郑逢时等.粉末冶金多孔铝的研究进展中厕所的0MPa压力多孔铝粉的扫描电镜照片，压力不够无法破除氧化层、无法增加接触面积，导致颗粒-颗粒、颗粒-基底之间较为松散。如图3所示，国外某些文献(Nuruzzaman D M,Kamaruzaman F F,Azmi N M.Effect of sintering temperature on the properties ofaluminium-aluminium oxide composite materials[J].International Journal ofEngineering Materials and Manufacture,2016,1(2):59-64.)中在580℃温度下多孔铝粉的扫描电镜照片，温度过高铝粉熔化，烧结为块体，多孔结构坍塌。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤S1，将待烧结碳化硅颗粒增强铝基复合材料表面进行机械打磨，包覆在碳化硅颗粒增强铝基复合材料表面的氧化膜破碎，得到铝基碳化硅基体；
步骤S2，将铝基碳化硅基体浸入丙酮清洗，去除铝基碳化硅基体表面油脂，先浸入10％NaOH约3分钟，再浸入10％HNO3约3-5分钟，利用化学反应去除残余的氧化膜；
步骤S3，将清洁完成之后的铝基碳化硅基体放入超声波清洗机中超声3-5分钟，以清洁表面酸、碱和SiC颗粒；
步骤S4，将铝粉倒入石墨模具中，然后刮平，保证铝粉与铝粉、铝粉与铝基碳化硅基体紧密接触得到铝基碳化硅-铝粉-石墨磨具组成的烧结组件；
步骤S5，将铝基碳化硅-铝粉-石墨磨具组成的烧结组件放入真空压力烧结机中，设定程序进行压力烧结，在高温压力的作用下，接触表面相互靠近，在一定保温时间后，铝粉原子逐渐向铝基碳化硅扩散而形成可靠连接。
2.根据权利要求1所述的一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法，其特征在于：
烧结分为两个过程，第一个烧结过程为铝粉与铝粉之间的烧结；
铝粉在步骤4中通过刮平的方法在模具中形成铝粉-铝粉的空间堆叠，在步骤5中通过预设的压力值加大铝粉-铝粉之间的接触面积和压力、通过压力破碎铝粉表面的薄层氧化层，通过高温促进铝粉氧化层内的铝原子运动，通过扩散穿过表面已经压力破碎的氧化层进入其他铝粉形成有效烧结连接；
第二个烧结过程为铝粉-铝基碳化硅基体之间的烧结；
铝粉在步骤4中通过刮平、步骤5中通过压力和基体形成有效接触，并破除铝粉表面的氧化层，在步骤5中通过高温促进铝粉中铝原子向基体扩散，基体中的铝原子、碳化硅颗粒也同时向铝粉中飘逸扩散，形成铝粉-铝基碳化硅基体的有效烧结连接。
3.根据权利要求2所述的一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法，其特征在于：步骤S5中扩散的温度公式为T＝(0.6～0.8)Tm，其中Tm为铝的最低熔点。
4.根据权利要求3所述的一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法，其特征在于：步骤S1中机械打磨使用200-2000目的砂纸进行打磨，包覆在碳化硅颗粒增强铝基复合材料表面的氧化膜使用盐酸硝酸混合溶液和氢氧化钠溶液清除其表面的氧化膜。
5.根据权利要求4所述的一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法，其特征在于：步骤S2中将铝基碳化硅基体浸入丙酮清洗后，再次使用超声波清洗机进行超声清洗油脂，超声清洗的时间为3-5分钟。
6.根据权利要求5所述的一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法，其特征在于：步骤S4中铝粉粒径为10-100μm。
7.根据权利要求6所述的一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法，其特征在于：步骤S5中保温温度设置在500-540℃，保温1-2小时，施加压强设置在30-50Mpa，直至烧结组件随炉降至室温。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310853177.5A CN117123783A (zh) | 2023-07-12 | 2023-07-12 | 一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310853177.5A CN117123783A (zh) | 2023-07-12 | 2023-07-12 | 一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117123783A true CN117123783A (zh) | 2023-11-28 |
Family
ID=88857286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310853177.5A Pending CN117123783A (zh) | 2023-07-12 | 2023-07-12 | 一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117123783A (zh) |
-
2023
- 2023-07-12 CN CN202310853177.5A patent/CN117123783A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111500892B (zh) | 大尺寸薄片状超高热导率金刚石/铜复合材料的制备方法 | |
| JP6755879B2 (ja) | アルミニウム−ダイヤモンド系複合体及びその製造方法 | |
| JP5698947B2 (ja) | 電子機器用放熱板およびその製造方法 | |
| JP2008240155A (ja) | 高熱伝導・低熱膨張複合材及び放熱基板 | |
| JP2006001232A (ja) | 高熱伝導・低熱膨脹複合体およびその製造方法 | |
| TW201009092A (en) | Aluminum-diamond based complex and method for manufacturing the same | |
| TWI796503B (zh) | 金屬-碳化矽質複合體、及金屬-碳化矽質複合體之製造方法 | |
| CN108352370A (zh) | 用于高功率元件的散热板 | |
| Zhang et al. | Effects of sintering pressure on the densification and mechanical properties of nanosilver double-side sintered power module | |
| JP5050440B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP5818045B1 (ja) | 放熱基板と、それを使用した半導体パッケージと半導体モジュール | |
| KR101473708B1 (ko) | 두께 방향으로 우수한 열전도 특성을 갖는 방열판의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 방열판 | |
| TW201934766A (zh) | 包覆材及其製造方法 | |
| CN117123783A (zh) | 一种铝基碳化硅基体真空压力烧结多孔铝粉的方法 | |
| JP6595740B1 (ja) | 金属−炭化珪素質複合体及びその製造方法 | |
| Wang et al. | Thermal conducting property of SiCp-reinforced copper matrix composites by hot pressing | |
| JP5630695B2 (ja) | 窒化珪素回路基板およびその製造方法 | |
| JP4404602B2 (ja) | セラミックス−金属複合体およびこれを用いた高熱伝導放熱用基板 | |
| JP6429108B2 (ja) | 半導体素子実装用基板とそれを用いた半導体素子装置 | |
| JP4244210B2 (ja) | アルミニウム−セラミックス複合体及びその製造方法 | |
| JP2004055577A (ja) | アルミニウム−炭化珪素質板状複合体 | |
| JP5457992B2 (ja) | アルミニウム−セラミックス複合体構造部品の製造方法 | |
| Shetty et al. | Interfacial design and development of Cu/SiC MMCs for thermal management applications by PM route | |
| Fu et al. | Effects of diamond particle size on microstructure and properties of diamond/Al-12Si composites prepared by vacuum-assisted pressure infiltration | |
| JP5682779B2 (ja) | 高密度かつ接合性に優れたパワーモジュール用基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |