CN117111760A

CN117111760A - 触摸显示装置

Info

Publication number: CN117111760A
Application number: CN202310544566.XA
Authority: CN
Inventors: 安秀昌; R·李; 郑志炫; 李得秀; 李在均
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2022-05-23
Filing date: 2023-05-15
Publication date: 2023-11-24

Abstract

本公开提供一种触摸显示装置，该触摸显示装置具有至少一个触摸电极被设置在封装层上的结构，并且包括定位在封装层下方的信号线被设置的层与至少一个发光元件被设置的层之间的噪声屏蔽层。噪声屏蔽层能够阻挡信号线与发光元件的电极之间的联接，并且减少或防止发光元件的电极的电压的波动导致在由封装层上的至少一个触摸电极检测到的触摸感测信号中出现噪声。

Description

触摸显示装置

技术领域

本公开涉及电子装置，并且更具体地涉及触摸显示装置。

背景技术

为了向用户提供更多种功能，启用触摸感测的显示装置提供检测用户在显示面板上的触摸输入的功能。此种显示装置可以基于所检测的触摸输入来执行诸如呈现图像、处理数据等的预限定的操作。

显示装置可以包括例如被设置在显示面板的外部或内部的多个触摸电极。显示装置可以通过驱动多个触摸电极并检测由用户的触摸引起的电容变化来检测触摸输入。

发明内容

显示装置除了用于触摸感测的元件之外还可以包括用于显示驱动的元件。然而，在典型的触摸感测启用的显示装置中，触摸感测性能可能由于在用于触摸感测的元件与用于显示驱动的元件之间引起的干涉而降低。因此，改进触摸感测启用的显示装置的触摸感测性能可能是有益的。

为了解决这个问题，本公开的一个或更多个实施方式可以提供一种能够减少被设置于显示面板的至少一个触摸电极与用于显示驱动的至少一个电极之间的干涉并改进触摸感测性能的触摸显示装置。

本公开的另外的优点、特征和方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地对于本领域普通技术人员在阅读以下内容后将从描述变得显而易见，或者可以通过实践本公开而获知。本文提供的目的和其它优点、本公开发明构思的其它特征和方面可以通过在书面描述中特别指出、或可从其得出的结构和其权利要求以及附图来实现和获得。

根据本公开的方面，可以提供一种触摸显示装置，该触摸显示装置包括：基板，该基板包括设置有多个子像素的显示区和被定位在显示区的外部的非显示区；多条数据线，该多条数据线被设置在基板上方；多个发光元件，该多个发光元件被定位在多条数据线上方，多个发光元件中的每个发光元件包括阳极层、发光层和阴极层；封装层，该封装层被设置在多个发光元件上；多个触摸电极，该多个触摸电极被设置在封装层上；以及噪声屏蔽层，该噪声屏蔽层被定位在多条数据线被设置的层与多个发光元件被设置的层之间。

根据本公开的方面，可以提供一种触摸显示装置，该触摸显示装置包括：基板；多个薄膜晶体管，该多个薄膜晶体管被设置在基板上方；多个发光元件，该多个发光元件被设置在多个薄膜晶体管上方；封装层，该封装层被设置在多个发光元件上；多个触摸电极，该多个触摸电极被设置在封装层上；至少一个连接图案，该至少一个连接图案用于将多个薄膜晶体管中的任一薄膜晶体管连接至多个发光元件中的任一发光元件；以及噪声屏蔽层，该噪声屏蔽层被定位在至少一个连接图案被设置的层中，与至少一个连接图案绝缘，并且与多个发光元件中的至少一个发光元件或者多个发光元件中的至少一个发光元件的相应部分交叠。

根据本公开的方面，可以提供一种触摸显示装置，该触摸显示装置包括：基板，该基板包括设置有多个子像素的显示区和被定位在显示区的外部的非显示区；多条信号线，该多条信号线被设置在基板上方；多个发光元件，该多个发光元件被设置在多条信号线上方；封装层，该封装层被设置在多个发光元件上；多个触摸电极，该多个触摸电极被设置在封装层上；以及噪声屏蔽层，该噪声屏蔽层被定位在多条信号线被设置的层与多个发光元件被设置的层之间，与多条信号线中的至少一条信号线交叠，在显示区的一部分中电连接至所交叠的至少一条信号线，并且与多条信号线当中的除了所交叠的至少一条信号线以外的其余一条或更多条信号线绝缘。

根据本公开的一个或更多个实施方式，可以提供一种触摸显示装置，其能够减少被设置于显示面板的至少一个电极或至少一条信号线与至少一个触摸电极之间的干涉，并且改进由被设置于显示面板的至少一个触摸电极执行的触摸感测性能。

应当理解，前面的一般性描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的发明构思的进一步解释。

附图说明

附图被包括以提供对本公开的进一步理解并被并入且构成本公开的一部分，并且例示了本公开的方面并与描述一起用于解释本公开的原理。在附图中：

图1例示了根据本公开的方面的示例触摸显示装置；

图2例示了根据本公开的方面的被包括在触摸显示装置中的子像素的示例等同电路；

图3例示了根据本公开的方面的被包括在触摸显示装置中的示例触摸传感器结构；

图4为沿着图3中例示的I-I’线截取的示例截面图；

图5至图12为沿着图3中例示的I-I’线截取的其它示例截面图；

图13为例示了根据本公开的一个实施方式的其中噪声屏蔽层被设置于触摸显示装置的显示区的示例结构的平面图；以及

图14A、图14B和图14C为例示了根据本公开的一些实施方式的其中噪声屏蔽层被设置于触摸显示装置的显示区的示例结构的平面图。

具体实施方式

在本公开的示例或实施方式的以下描述中，将参照附图，在附图中，通过例示的方式被示出了能够被实现的具体示例或实施方式，并且在附图中，相同的附图编号和标记能够被用来指定相同或类似的组件，即使在其在彼此不同的附图中被示出时。此外，在本公开的示例或实施方式的以下描述中，当确定被并入到本文的对公知功能及组件的具体描述可能会使本公开的一些实施方式中的主题相当不清楚时，该描述将被省略。在用语“包括”、“具有”、“包含”、“含有”、“组成”、“由……构成”、“由……形成”等被使用的情况下，除非诸如“仅”之类的用语被使用，否则一个或更多个其它元件可以被添加。除非上下文另外清楚指示，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件，并且以复数形式描述的元件旨在包括单个元件。

诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(A)”或“(B)”之类的用语可以被用在本文来描述本公开的元件。这些用语仅用于区分一个元件与另一元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称作第二元件，并且类似地第二元件可以被称作第一元件。

当提及第一元件“被连接或联接至”第二元件、与第二元件“接触或交叠”等时，应该解释成不仅第一元件能够“被直接连接或联接至”第二元件或与第二元件“直接接触或交叠”，而且第三元件还能够被“插设在”第一元件与第二元件之间，或者第一元件和第二元件能够经由第四元件彼此“连接或联接”、“接触或交叠”等。这里，第二元件可以被包括在彼此“连接或联接”、“接触或交叠”等的两个或更多个元件中的至少一者中。

当诸如“之后”、“随后”、“其次”、“之前”等的时间相对用语被用于描述元件或配置的处理或操作、或者操作、处理、制造方法中的流程或步骤时，除非用语“直接”或“立即”被一同使用，否则这些用语可以被用于描述不连续或非顺序的处理或操作。

在描述位置关系的情况下，例如，当两个部件的位置关系被描述为例如“上”、“上方”、“上面”、“下方”、“下面”等时，除非使用诸如“恰好”、“紧密”、“正好”或“直接”之类的更限制的用语，否则一个或更多个其它部件可以被定位在这两个部件之间。

另外，当任何尺寸、相对大小等被提及时，应该考虑，针对元件或特征的数值、或对应的信息(例如，水平、范围等)包括可能由各种因素(例如，工艺因素、内部或外部影响、噪声等)造成的公差或误差范围，即使在没有指定相关描述时。此外，用语“可以”完全包含用语“能够”的所有含义。

在下文中，将参照附图来详细描述本公开的各种实施方式。

图1例示了根据本公开的方面的示例触摸显示装置100。图2例示了根据本公开的方面的被包括在触摸显示装置100中的子像素SP的示例等同电路。

参照图1和图2，触摸显示装置100可以包括显示面板110、以及被配置成驱动显示面板110的选通驱动电路120、数据驱动电路130和控制器140。

触摸显示装置100除了这些用于显示驱动的元件之外还可以包括用于触摸感测的元件。

显示面板110可以包括多个子像素SP被设置的显示区AA、以及被定位在显示区AA外部的非显示区NA(但不限于此)。多条选通线GL和多条数据线DL可以被设置于显示面板110。多个子像素SP可以被定位在选通线GL与数据线DL交叉的区域中。

选通驱动电路120可以通过控制器140被控制。选通驱动电路120可以通过向被设置在显示面板110中的多条选通线GL依次输出扫描信号来控制多个子像素SP的驱动定时。

选通驱动电路120可以包括一个或更多个选通驱动器集成电路GDIC。根据设计需求，选通驱动电路120可以被定位在显示面板110的仅一侧或一部分(例如，左边缘、右边缘、上边缘或下边缘等)，或者在两侧或两部分(例如，左边缘和右边缘、上边缘和下边缘等)。

在一个或更多个实施方式中，每个选通驱动器集成电路GDIC可以以带式自动接合(TAB)型或以玻璃上芯片(COG)型被连接至显示面板110的相应接合焊盘。在一个或更多个实施方式中，每个选通驱动器集成电路GDIC可以以面板内栅极(GIP)型直接被设置于显示面板110。在一个或更多个实施方式中，每个选通驱动器集成电路GDIC可以被设置于显示面板110使得其与显示面板110集成。在一个或更多个实施方式中，每个选通驱动器集成电路GDIC可以被实现成使得其以膜上芯片(COF)型被安装在连接至显示面板110的膜上。

数据驱动电路130可以从控制器140接收图像数据DATA，并且将所接收的图像数据DATA转换成模拟形式的数据电压Vdata。数据驱动电路130可以根据扫描信号通过选通线GL被施加的定时来向相应的数据线DL输出数据电压，并且使每个子像素SP能够发射与图像数据对应的光。

数据驱动电路130可以包括一个或更多个源极驱动器集成电路SDIC。每个源极驱动器集成电路SDIC可以包括移位寄存器、锁存电路、数模转换器、输出缓冲器等。

在一个或更多个实施方式中，每个源极驱动器集成电路SDIC可以以带式自动接合(TAB)型或玻璃上芯片(COG)型连接至显示面板110的相应接合焊盘。在一个或更多个实施方式中，每个源极驱动器集成电路SDIC可以直接被设置于显示面板110。在一个或更多个实施方式中，每个源极驱动器集成电路SDIC可以被设置于显示面板110使得其与显示面板110集成。在一个或更多个实施方式中，每个源极驱动器集成电路SDIC可以被实现成膜上芯片(COF)型。在这些实施方式中，每个源极驱动器集成电路SDIC可以被安装在连接至显示面板110的膜上，并且通过膜上的线被电连接至显示面板110。

控制器140能够向选通驱动电路120和数据驱动电路130提供各种控制信号，并且控制选通驱动电路120和数据驱动电路130的操作。

控制器140可以被安装在印刷电路板或柔性印刷电路上。控制器140可以通过印刷电路板或柔性印刷电路被电连接至选通驱动电路120和数据驱动电路130。

控制器140可以根据在每个帧中设置的相应定时来控制选通驱动电路120输出扫描信号。控制器140能够将从外部的装置或系统(例如，主机系统)接收的图像数据转换成由数据驱动电路130可解读的数据信号形式，然后向数据驱动电路130提供从转换产生的图像数据DATA。

控制器140除了输入图像数据之外还能够从外部装置或系统(例如，主机系统)接收若干类型的定时信号，该若干类型的定时信号包括垂直同步信号VSYNC、水平同步信号HSYNC、输入数据使能信号DE、时钟信号CLK等。

控制器140能够使用从外部装置或系统(例如，主机系统)接收的若干类型的定时信号来生成若干类型的控制信号，并且向选通驱动电路120和数据驱动电路130输出所生成的信号。

例如，为了控制选通驱动电路120，控制器140能够向选通驱动电路120提供包括选通起始脉冲GSP、选通移位时钟GSC、选通输出使能信号GOE等的若干类型的选控制信号GCS。

选通起始脉冲GSP能够被用于控制被包括在选通驱动电路120中的一个或更多个选通驱动器集成电路GDIC的相应的起始定时。作为通常被输入至一个或更多个选通驱动器集成电路GDIC的时钟信号的选通移位时钟GSC能够被用于控制扫描信号的移位定时。选通输出使能信号GOE能够被用于指定一个或更多个选通驱动器集成电路GDIC的定时信息。

为了控制数据驱动电路130，控制器140能够向数据驱动电路130提供包括源极起始脉冲SSP、源极采样时钟SSC、源极输出使能(SOE)信号等的若干类型的数据控制信号DCS。

源极起始脉冲SSP能够被用于控制被包括在数据驱动电路130中的一个或更多个源极驱动器集成电路SDIC的相应的数据采样起始定时。源极采样时钟SSC可以为用于控制一个或更多个源极驱动器集成电路SDIC的相应的采样定时的时钟信号。源极输出使能(SOE)信号能够被用于控制数据驱动电路130的输出定时。

触摸显示装置100能够向显示面板110、选通驱动电路120、数据驱动电路130等提供若干类型的电压或电流，或者还可以包括用于控制要提供的若干类型的电压或电流的电源管理集成电路。

每个子像素SP可以是通过一条或更多条选通线GL与一条或更多条数据线DL的交叉来限定的区域。根据触摸显示装置100的类型，液晶层或发光元件可以被设置在子像素SP中。

在触摸显示装置100为有机发光显示装置的实施方式中，有机发光二极管(OLED)和电路元件可以被设置在子像素SP中。通过使用电路元件来控制被提供至有机发光二极管(OLED)的电流，每个子像素SP能够操作而以与相应图像数据对应的亮度来发射光。

在一个或更多个实施方式中，发光二极管(LED)、微发光二极管(μLED)或量子点发光二极管(QLED)可以被设置在子像素SP中。

参照图2，多个子像素SP中的每个子像素可以包括发光元件ED。子像素SP可以包括被配置成控制提供至发光元件ED的驱动电流的驱动晶体管DRT。

为了子像素SP的操作，子像素SP除了发光元件ED与驱动晶体管DRT之外还可以包括至少一个电路元件。

例如，子像素SP可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和存储电容器Cstg。

图2例示了其中6个晶体管和1个电容器被设置于子像素SP的结构(其可以被称为6T1C结构)，但是本公开的实施方式不限于此。尽管P-型晶体管被用于图2的示例，但是被设置在子像素SP中的晶体管中的至少一个或更多个晶体管可以为N-型晶体管。

在一个或更多个实施方式中，被设置在子像素SP中的晶体管可以包括使用低温多晶硅(LTPS)形成的半导体层或使用氧化物半导体形成的半导体层。在一个或更多个实施方式中，包括使用低温多晶硅(LTPS)形成的半导体层的一个或更多个晶体管以及包括使用氧化物半导体形成的半导体层的一个或更多个晶体管可以被设置在子像素SP中。

第一晶体管T1可以被电连接在数据线DL与第一节点N1之间。第一晶体管T1能够由通过第一选通线GL1被提供的第一扫描信号Scan1控制。第一晶体管T1能够允许数据电压Vdata被施加至第一节点N1。

第二晶体管T2可以被电连接在第二节点N2与第三节点N3之间。第二节点N2可以为驱动晶体管DRT的栅极节点。第三节点N3可以为驱动晶体管DRT的漏极节点或源极节点。第二晶体管T2能够由通过第二选通线GL2被提供的第二扫描信号Scan2控制。第二晶体管T2能够执行补偿驱动晶体管DRT的阈值电压的变化的操作。

第三晶体管T3可以被电连接在被提供参考电压Vref的线与第一节点N1之间。第三晶体管T3能够由通过发光控制线EML被提供的发光控制信号EM控制。第三晶体管T3能够允许第一节点N1被放电或者参考电压Vref被施加至第一节点N1。

第四晶体管T4可以被电连接在第三节点N3与第五节点N5之间。第五节点N5可以为被电连接至发光元件ED的节点。第四晶体管T4能够由通过发光控制线EML被提供的发光控制信号EM控制。第四晶体管T4能够控制驱动电流被提供至发光元件ED的定时。

第五晶体管T5可以被电连接在参考电压Vref被提供的线与第五节点N5之间。第五晶体管T5能够由通过第二选通线GL2被提供的第二扫描信号Scan2控制。第五晶体管T5能够允许第五节点N5被放电或者参考电压Vref被施加至第五节点N5。

驱动晶体管DRT可以被电连接在第四节点N4与第三节点N3之间。第四节点N4可以被电连接至第一驱动电压VDD被提供的线。第一驱动电压VDD可以为例如高电平驱动电压。第四节点N4可以为驱动晶体管DRT的源极节点或漏极节点。在下文中，术语“第一驱动电压VDD”可以指被提供至每个驱动晶体管DRT的源极节点或漏极节点的电压。

驱动晶体管DRT能够通过第二节点N2处的电压与第四节点N4处的电压之差来控制。驱动晶体管DRT能够控制被提供至发光元件ED的驱动电流。

驱动晶体管DRT可以包括被电连接至第四节点N4的背栅极。通过被电连接至驱动晶体管DRT的源极节点或漏极节点的背栅极，可以稳定地执行通过驱动晶体管DRT的驱动电流的输出。例如，背栅极可以使用用于阻挡外部光入射到驱动晶体管DRT的沟道的金属层来实现。

发光元件ED可以被电连接在第五节点N5与第二驱动电压VSS被提供的线之间。第二驱动电压VSS可以为例如低电平驱动电压。

发光元件ED可以包括被电连接至第五节点N5的阳极层E1、被施加第二驱动电压VSS的阴极层E2、以及被设置在阳极层E1与阴极层E2之间的发光层EL。在下文中，术语“第二驱动电压VSS”可以指被提供至每个发光元件ED的阴极层E2的电压。

发光元件ED能够以与通过驱动晶体管DRT被提供的驱动电流对应的亮度来发射光。发光元件ED的操作定时能够由第四晶体管T4控制。

在图2中示出的子像素SP的操作定时可以简要描述如下。具有导通电平的第二扫描信号Scan2能够通过第二选通线GL2被提供。在被设置在子像素SP中的晶体管为P-型晶体管的示例中，导通电平可以为低电平。

第二晶体管T2和第五晶体管T5能够通过具有导通电平的第二扫描信号Scan2被导通。

随着第二晶体管T2被导通，第二节点N2与第三节点N3能够被电连接。来自第一驱动电压VDD的在驱动晶体管DRT的阈值电压被反映在第一驱动电压VDD中之后的电压能够通过第二晶体管T2被施加至第二节点N2。通过该过程，驱动晶体管DRT的阈值电压的变化能够被补偿。

随着第五晶体管T5被导通，参考电压Vref能够被施加至第五节点N5。第五节点N5能够被初始化。

此后，具有导通电平的第一扫描信号Scan1能够通过第一选通线GL1被提供。

第一晶体管T1能够通过具有导通电平的第一扫描信号Scan1被导通。

随着第一晶体管T1被导通，数据电压Vdata能够被施加至第一节点N1。

存储电容器Cstg处于其中数据电压Vdata以及来自第一驱动电压VDD的在驱动晶体管DRT的阈值电压被反映在第一驱动电压VDD中之后的电压被施加至存储电容器Cstg的两端的状态。

此后，具有导通电平的发光控制信号EM能够通过发光控制线EML被提供。

第三晶体管T3和第四晶体管T4能够被导通。

随着第三晶体管T3被导通，第一节点N1处的电压能够改变至参考电压Vref。被联接至第一节点N1的第二节点N2处的电压能够根据第一节点N1处的电压的变化而改变。

第二节点N2和第四节点N4处于其中来自第一驱动电压VDD的在驱动晶体管DRT的阈值电压和数据电压Vdata被反映在第一驱动电压VDD中之后的电压被施加至第二节点N2且第一驱动电压VDD被施加至第四节点N4的状态。第二节点N2处的电压与第四节点N4处的电压之差可以为数据电压Vdata和驱动晶体管DRT的阈值电压被反映的电压。与数据电压Vdata对应的驱动电流能够通过驱动晶体管DRT被提供。

随着第四晶体管T4被导通，通过驱动晶体管DRT被提供的驱动电流能够被提供至发光元件ED。

发光元件ED能够以根据驱动电流的亮度发射光，并且包括发光元件ED的子像素SP能够呈现与图像数据对应的图像。

在一个或更多个实施方式中，根据本公开的方面的触摸显示装置100可以包括被实现在用于显示图像的显示面板110中的触摸传感器结构，并且提供感测用户在显示面板110上的触摸的功能。

图3例示了根据本公开的方面的被包括在触摸显示装置100中的示例触摸传感器结构。图4为沿着图3中例示的I-I’线截取的示例截面图。

参照图3，触摸显示装置100可以包括被设置在显示面板的110中的多个触摸电极阵列TEL和多条触摸路由线TL。触摸显示装置100可以包括被配置成驱动多个触摸电极阵列TEL和多条触摸路由线TL的触摸驱动电路150。

多个触摸电极阵列TEL中的每个触摸电极阵列可以通过多条触摸路由线TL中的相应一条触摸路由线来电连接至触摸驱动电路150。在一个或更多个实施方式中，触摸驱动电路150可以被设置使得其与其它电路分开实现，或者与用于显示驱动的一个或更多个电路集成。例如，触摸驱动电路150可以与数据驱动电路130集成。

多个触摸电极阵列TEL中的每个触摸电极阵列可以包括在一个方向上彼此连接的多个触摸电极TE。在一个或更多个实施方式中，多个触摸电极阵列TEL中的每个触摸电极阵列可以包括用于将多个触摸电极TE彼此电互连的多个触摸电极连接图案CL。

例如，多个X-触摸电极阵列X-TEL中的每个X-触摸电极阵列可以包括沿着第一方向布置的多个X-触摸电极X-TE、以及用于将多个X-触摸电极X-TE电互连的多个X-触摸电极连接图案X-CL。

多个Y-触摸电极阵列Y-TEL中的每个Y-触摸电极阵列可以包括沿着与第一方向交叉的第二方向布置的多个Y-触摸电极Y-TE、以及用于将多个Y-触摸电极Y-TE电互连的多个Y-触摸电极连接图案Y-CL。

在一个或更多个实施方式中，X-触摸电极阵列X-TEL和Y-触摸电极阵列Y-TEL可以被设置于不同的层。在一个或更多个实施方式中，X-触摸电极X-TE和Y-触摸电极Y-TE可以被设置于同一层。在这些实施方式中，X-触摸电极连接图案X-CL和Y-触摸电极连接图案Y-CL中的任一者可以与一个或更多个触摸电极TE(例如，X-触摸电极X-TE和/或Y-触摸电极Y-TE)设置在不同的层上。

例如，触摸电极TE可以具有矩形形状，但不限于此。

触摸电极TE可以包括例如透明导电材料，并且在不干涉显示面板110的图像显示功能的情况下被设置。

在另一示例中，触摸电极TE可以包括不透明金属。在该示例中，触摸电极TE可以具有与设置在显示面板110中的发光元件ED的发光区对应的开口区。例如，触摸电极TE可以被实现成网状，并且在避开发光区的同时被设置。

参照图4，基板SUB可以包括设置有多个子像素SP的显示区AA、以及被定位在显示区AA外部的非显示区NA。

显示区AA可以包括由发光元件ED来发射光的发光区EA和作为除了发光区EA以外的区域的非发光区NEA。

缓冲层BUF可以设置在基板SUB上。

至少一个薄膜晶体管TFT可以设置在缓冲层BUF上。

薄膜晶体管TFT可以包括有源层ACT和栅极GE。薄膜晶体管TFT可以包括源极SE和漏极(未示出)。

有源层ACT可以被定位在缓冲层BUF上。有源层ACT可以包括半导体材料。有源层ACT可以包括非晶硅或多晶硅。

栅绝缘层GI可以设置在有源层ACT上。

栅极GE可以被定位在栅绝缘层GI上。栅极GE可以使用第一金属层M1来设置。

若干信号线可以使用第一金属层M1来设置。

例如，用于提供第二驱动电压VSS(见图2)的至少一条第二电源线VSL可以使用第一金属层M1来设置。

例如，至少一条第二电源线VSL可以被定位在非显示区NA中。在一个或更多个实施中，至少一条其它第二电源线VSL或该至少一条第二电源线VSL的相应部分可以被定位在显示区AA中。

第二电源线VSL可以被电连接至阴极层E2。阴极连接图案CCP可以被定位在第二电源线VSL与阴极层E2之间的区域的至少一部分中。

第一层间绝缘层ILD1可以被设置在栅极GE上。

电容器电极CE可以被定位在第一层间绝缘层ILD1上。电容器电极CE可以使用第二金属层M2来设置。

电容器电极CE可以与第一薄膜晶体管TFT1的栅极GE形成存储电容器Cstg。第一薄膜晶体管TFT1可以是例如在图2中示出的驱动晶体管DRT。

第二层间绝缘层ILD2可以被设置在电容器电极CE上。

源极SE可以被定位在第二层间绝缘层ILD2上。源极SE可以通过接触孔被电连接至有源层ACT。源极SE可以使用第三金属层M3来设置。

若干信号线可以使用第三金属层M3来被设置。

例如，用于提供数据电压Vdata的至少一条数据线DL可以使用第三金属层M3来设置。用于提供第一驱动电压VDD(见图2)的至少一条第一电源线VDL可以使用第三金属层M3来设置。

例如，至少一条第一电源线VDL可以被定位在显示区AA中。在一个或更多个实施中，至少一条其它第一电源线VDL或该至少一条第一电源线VDL的相应部分可以被定位在非显示区NA中。

在各种实施方式中，数据线DL、第一电源线VDL和第二电源线VSL中的每一者可以使用若干金属层中的至少一个或更多个金属层来布置。

尽管图4示出了数据线DL和第一电源线VDL使用第三金属层M3来设置的示例，但是在一个或更多个实施方式中，数据线DL和第一电源线VDL可以使用第一金属层M1或第二金属层M2来设置。

在一个或更多个实施方式中，如同在图4中示出的示例中，第一电源线VDL可以包括使用第三金属层M3来形成的部分和使用第四金属层M4来形成的部分。因此，第一电源线VDL的电阻能够被减小。

第三层间绝缘层ILD3可以设置在第三金属层M3上。

第一平坦化层PAC1可以设置在第三层间绝缘层ILD3上。第一平坦化层PAC1可以包括例如有机材料。

第四金属层M4可以被定位在第一平坦化层PAC1上。

至少一条第一电源线VDL或至少一条第一电源线VDL的相应的部分可以使用第四金属层M4来形成。

阳极连接图案ACP可以使用第四金属层M4来设置。第二薄膜晶体管TFT2和发光元件ED可以通过阳极连接图案ACP电连接。第二薄膜晶体管TFT2可以是例如在图2中示出的第四晶体管T4或第五晶体管T5。

第二平坦化层PAC2可以设置在第四金属层M4上。第二平坦化层PAC2可以包括例如有机材料。

发光元件ED可以被设置在第二平坦化层PAC2上。

发光元件ED的阳极层E1可以被定位在第二平坦化层PAC2上。

堤层BNK可以在暴露阳极层E1的一部分的同时设置在第二平坦化层PAC2上。

发光层EL可以被定位在阳极层E1上。发光层EL可以被定位在堤层BNK的一部分上。

阴极层E2可以被定位在发光层EL和堤层BNK上。

发光区EA可以由堤层BNK限定。

封装层ENCAP可以设置在发光元件ED上。封装层ENCAP可以被形成为单层或多层。例如，封装层ENCAP可以包括第一无机层、有机层和第二无机层。

触摸传感器结构可以设置在封装层ENCAP上。

例如，触摸缓冲层TBUF可以被定位在封装层ENCAP上。触摸缓冲层TBUF可以包括例如无机材料。在另一示例中，可以不设置触摸缓冲层TBUF。在该示例中，被包括在触摸传感器结构中的电极可以直接设置在封装层ENCAP上。

至少一个触摸电极连接图案CL可以被定位在触摸缓冲层TBUF上。

触摸绝缘层TILD可以被定位在触摸电极连接图案CL上。触摸绝缘层TILD可以是例如有机材料或无机材料。在触摸绝缘层TILD为有机材料的示例中，包括无机材料的层还可以设置在触摸绝缘层TILD与触摸电极连接图案CL之间。

至少一个触摸电极TE可以被定位在触摸绝缘层TILD上。

触摸保护层TPAC可以设置在触摸电极TE上。

由于触摸电极TE和触摸电极连接图案CL使用如在图4中示出的多个层来设置，因此如在图3中示出的包括X-触摸电极阵列X-TEL和Y-触摸电极阵列Y-TEL的触摸传感器结构可以容易地实现在显示面板110中。

触摸电极TE和触摸电极连接图案CL可以在避开发光区EA的同时被设置。触摸电极TE和触摸电极连接图案CL可以与非发光区NEA交叠。

由于触摸电极TE和触摸电极连接图案CL被设置在封装层ENCAP上，并且被设置成避开发光区EA，所以该触摸传感器结构能够在不影响显示面板110的图像显示功能的同时被实现在显示面板110中。

尽管在图4中未示出，但是在一个或更多个实施方式中，连接至触摸电极TE的触摸路由线TL可以沿着封装层ENCAP的倾斜表面设置。触摸路由线TL可以与触摸电极TE定位在同一层或与触摸电极连接图案CL定位在同一层中。在一个或更多个实施方式中，触摸路由线TL可以使用两个层来被设置。触摸路由线TL可以被电连接至被定位在非显示区NA中的焊盘。

在多个X-触摸电极阵列X-TEL和多个Y-触摸电极阵列Y-TEL被设置成彼此交叉的结构中，触摸驱动电路150能够通过经由触摸路由线TL驱动触摸电极阵列TEL来执行触摸感测。

例如，X-触摸电极阵列X-TEL和Y-触摸电极阵列Y-TEL中的一者可以为被施加触摸驱动信号的触摸驱动电极。X-触摸电极阵列X-TEL和Y-触摸电极阵列Y-TEL中的另一者可以为从其检测触摸感测信号的触摸感测电极。

在不同的信号被施加至X-触摸电极阵列(X-TEL)和Y-触摸电极阵列(Y-TEL)的情形中，触摸驱动电路150能够检测由来自用户的触摸事件引起的互电容的变化。

触摸驱动电路150能够根据所检测到的互电容的变化来向触摸控制器提供感测数据。触摸控制器能够基于从触摸驱动电路150接收到的感测数据来检测显示面板110上的触摸事件的存在或不存在以及触摸坐标。

被设置在显示面板110中的触摸电极阵列TEL可以被划分成多个部分并且分别被设置在显示区AA中的多个区域中。

由于触摸电极阵列TEL被划分且被设置在每个区域中，因此触摸电极阵列TEL的负载能够被减小。当显示面板110具有增大的区域时，触摸显示装置100能够在使触摸电极阵列TEL的负载能够被减小的同时改进触摸感测性能。

此外，触摸显示装置100可以被配置成包括能够减少或防止触摸电极TE与用于显示驱动的电极之间的干涉且减少触摸感测信号中的噪声的结构。

图5至图12为沿着在图3中例示的I-I’线截取的其它示例截面图。在描述图5至图12的层叠配置中，为了描述的方便，省略了对图5至图12的结构中的与图4的结构中的元件相同或类似的元件的描述。因此，上述参照图4被提供的描述针对图5至图12的结构中的那些元件的描述被提供。

参照图5，噪声屏蔽层NSL可以被定位在至少一条数据线DL被设置的层与发光元件ED被设置的层之间。图5中通过附图标记501指示的平面图中的结构表示噪声屏蔽层NSL被设置在包括多个发光区EA的区域中的示例结构。

噪声屏蔽层NSL可以使用例如第四金属层M4来设置。噪声屏蔽层NSL可以被设置在显示区AA中。噪声屏蔽层NSL可以使用第四金属层M4来设置在除了一个或更多个阳极连接图案ACP被设置的区域以外的区域中。在此应该注意，图5中通过附图标记501指示的平面图中的结构仅仅例示了第四金属层M4被设置的层、以及发光区EA的位置。

噪声屏蔽层NSL可以被设置成与一个或更多个阳极连接图案ACP分离。噪声屏蔽层NSL可以包括被定位在与阳极连接图案ACP对应的区域中的多个阳极孔ANH。如在图5中的通过附图标记501指示的平面图中的结构中所示，在一个或更多个实施方式中，阳极连接图案ACP可以被定位在包括在噪声屏蔽层NSL中的阳极孔ANH的内部。

噪声屏蔽层NSL可以与至少一条数据线DL的至少相应部分交叠。噪声屏蔽层NSL可以与至少一个薄膜晶体管TFT的至少相应部分交叠。尽管在图5中未示出，在一个或更多个实施方式中，噪声屏蔽层NSL可以与至少一条选通线GL的至少一部分交叠。

噪声屏蔽层NSL可以被定位在发光元件ED的阳极层E1下方，并且被定位成与被定位在基板SUB与发光元件ED之间的至少一个薄膜晶体管TFT或若干信号线交叠。

噪声屏蔽层NSL可以与发光元件ED的阳极层E1的至少一部分交叠。噪声屏蔽层NSL可以与发光元件ED的阴极层E2的至少一部分交叠。噪声屏蔽层NSL可以与发光元件ED的阳极层E1和阴极层E2彼此交叠的区域的至少一部分交叠。如在图5中的通过附图标记501指示的平面图中的结构中所示，在一个或更多个实施方式中，至少一个发光区EA可以与相应阳极连接图案ACP的全部或一部分交叠。发光区EA的一部分可以与噪声屏蔽层NSL交叠。由于噪声屏蔽层NSL与发光区EA的一部分交叠，因此噪声屏蔽层NSL可以与定位在发光区EA中的阴极层E2交叠。

由于噪声屏蔽层NSL被定位在至少一条信号线与发光元件ED之间，因此信号线与发光元件ED的电极的联接能够被阻挡。在下文中，术语“联接”可以意指磁联接、电容联接、电磁联接等中的全部或任一者。

例如，噪声屏蔽层NSL能够阻挡数据线DL与发光元件ED的阴极层E2之间的联接。由于数据线DL与阴极层E2之间的联接所致的被施加至阴极层E2的电压的波动能够被减小或被防止。由于阴极层E2中的电压波动被减小或被防止，因此通过在封装层ENCAP上的至少一个触摸电极TE的触摸感测的性能能够减少或防止被阴极层E2的电压的波动影响。

例如，恒定电压可以被提供至噪声屏蔽层NSL。

在一个实施方式中，第一驱动电压VDD(见图2)可以被提供至噪声屏蔽层NSL。

噪声屏蔽层NSL可以在显示区AA中被电连接至用于提供第一驱动电压VDD的第一电源线VDL。

由于第一电源线VDL被设置在显示区AA中，因此恒定电压被提供至噪声屏蔽层NSL的结构能够通过噪声屏蔽层NSL与第一电源线VDL之间的连接被容易地实现。

噪声屏蔽层NSL能够阻挡信号线与发光元件ED的电极之间的联接，并且减少或防止通过在封装层ENCAP上的至少一个触摸电极TE的触摸感测的性能被显示驱动降低。

噪声屏蔽层NSL可以使用被定位在发光元件ED下方的若干金属层中的任一者来以各种形式设置。

参照图6，第五金属层M5可以被定位在第四金属层M4与发光元件ED被设置的层之间。第三平坦化层PAC3可以被定位在第五金属层M5上。

噪声屏蔽层NSL可以使用第五金属层M5来设置。

噪声屏蔽层NSL可以被设置在除了阳极连接图案ACP被设置的区域以外的区域中，阳极连接图案ACP用于将第二薄膜晶体管TFT2和发光元件ED的阳极层E1互连。

例如，第二薄膜晶体管TFT2和发光元件ED的阳极层E1可以通过第一阳极连接图案ACP1和第二阳极连接图案ACP2电连接。

第一阳极连接图案ACP1可以使用第四金属层M4来设置。

第二阳极连接图案ACP2可以使用第五金属层M5来设置。

噪声屏蔽层NSL可以被设置在除了第二阳极连接图案ACP2被设置的区域以外的区域中。噪声屏蔽层NSL可以被设置成与第二阳极连接图案ACP2分离。噪声屏蔽层NSL可以包括被定位在与第二阳极连接图案ACP2对应的区域中的多个阳极孔ANH。

在一个或更多个实施方式中，噪声屏蔽层NSL可以包括使用第四金属层M4来设置的附加部分。例如，噪声屏蔽层NSL的此种附加部分可以使用第四金属层M4设置在第一平坦化层PAC1上。

噪声屏蔽层NSL可以在显示区AA中被电连接至第一电源线VDL。

例如，噪声屏蔽层NSL可以通过噪声屏蔽连接图案NSCP被电连接至第一电源线VDL。例如，噪声屏蔽连接图案NSCP可以使用第四金属层M4来设置。

因此，噪声屏蔽层NSL可以使用在发光元件ED下方的各种金属层来设置。

在噪声屏蔽层NSL被定位在发光元件ED下方时，噪声屏蔽层NSL可以在与阴极层E2的与阳极层E1交叠的一部分交叠的同时被设置。由于噪声屏蔽层NSL在除了阳极连接图案ACP被设置的区域以外的区域中被设置成与阴极层E2交叠，所以至少一条信号线与阴极层E2之间的联接能够被阻挡。

噪声屏蔽层NSL可以被设置成除了第一驱动电压VDD以外的恒定电压被提供至噪声屏蔽层NSL的结构。

参照图7，噪声屏蔽层NSL可以使用第五金属层M5来设置。为了解释的方便，在图7中，尽管描述了噪声屏蔽层NSL使用第五金属层M5来设置的示例，然而，图7的结构还可以被应用在噪声屏蔽层NSL使用另一金属层(例如，第四金属层M4)来设置的示例中。

噪声屏蔽层NSL可以从显示区AA向非显示区NA延伸。

例如，噪声屏蔽层NSL可以在非显示区NA中被电连接至阴极连接图案CCP，如由附图标记701指示的。阴极连接图案CCP可以与阳极层E1包括相同的材料。

在一个或更多个实施方式中，如由附图标记701指示的，噪声屏蔽层NSL可以在非显示区NA中电连接至第二电源线VSL。第二电源线VSL可以使用第一金属层M1来设置。

噪声屏蔽层NSL可以在非显示区NA中被连接至第二电源线VSL或阴极层E2。第二驱动电压VSS(见图2)可以被提供至噪声屏蔽层NSL。恒定电压被提供至噪声屏蔽层NSL的结构可以在无需在显示区AA中形成用于噪声屏蔽层NSL与电源线之间的电连接的接触孔的情况下被实现。

噪声屏蔽层NSL可以通过除了第一电源线VDL或第二电源线VSL以外的信号线接收恒定电压。

参照图8，噪声屏蔽层NSL可以使用第五金属层M5来设置。为了解释的方便，在图8中，尽管描述了噪声屏蔽层NSL使用第五金属层M5来设置的示例，然而，图8的结构还可以被应用在噪声屏蔽层NSL使用另一金属层(例如，第四金属层M4)来设置的示例中。

噪声屏蔽层NSL可以被设置成从显示区AA向非显示区NA延伸，如由附图标记801指示的。

噪声屏蔽层NSL可以不被连接至第一电源线VDL或第二电源线VSL。噪声屏蔽层NSL可以被设置成延伸至非显示区NA中至少一个焊盘被设置的区域。噪声屏蔽层NSL可以被电连接至任一个焊盘并且能够通过焊盘接收恒定电压。噪声屏蔽层NSL在被连接至焊盘的路径中可以使用的除了第五金属层M5以外的至少一个金属层来被设置。

因此，用于向噪声屏蔽层NSL提供恒定电压的结构可以以各种形式形成。

在一个或更多个实施方式中，噪声屏蔽层NSL可以在显示区AA中被电连接至阴极层E2以减小阴极层E2的电阻。随着阴极层E2的电阻被减小，即使在阴极层E2与信号线联接时，阴极层E2的电压波动的范围也能够被减小。

参照图9，噪声屏蔽层NSL可以使用第五金属层M5来被设置。

噪声屏蔽层NSL可以延伸至非显示区NA。噪声屏蔽层NSL可以在非显示区NA中电连接至第二电源线VSL和/或阴极连接图案CCP。

在一个或更多个实施方式中，噪声屏蔽层NSL可以在显示区AA中通过阴极连接图案CCP被连接至阴极层E2。噪声屏蔽层NSL可以在显示区AA中的多个位置处被电连接至阴极层E2。

被定位在显示区AA中的阴极连接图案CCP可以使用与阳极层E1相同的材料来设置。阴极连接图案CCP可以通过形成在堤层BNK中的孔被连接至阴极层E2。阴极连接图案CCP可以通过形成在第三平坦化层PAC3中的孔被连接至噪声屏蔽层NSL。

随着阴极层E2在一个或更多个孔被形成在堤层BNK中之后被沉积，阴极层E2能够与阴极连接图案CCP接触。发光层EL可以包括多个层(例如，空穴注入层、电子注入层等)。在一个或更多个实施方式中，被包括在发光层EL中的多个层中的一个或更多个层(或者一个或更多个层的相应部分)可以被定位在阴极层E2与阴极连接图案CCP之间。

噪声屏蔽层NSL能够阻挡至少定位在噪声屏蔽层NSL下的信号线与阴极层E2之间的直接联接。

噪声屏蔽层NSL可以在显示区AA中的多个位置处被连接至阴极层E2，该配置致使阴极层E2的电阻被减小。在该情况下，噪声屏蔽层NSL还可以被称为电阻减小图案RRP。

由于充当电阻减小图案RRP的噪声屏蔽层NSL能够减小阴极层E2的电阻，因此即使在阴极层E2与信号线联接时，在阴极层E2处的电压也可能不波动，或在阴极层E2处的电压波动的范围能够被减小。

因此，充当电阻减小图案RRP的噪声屏蔽层NSL能够减小阴极层E2的电阻，并且减少或防止通过在封装层ENCAP上的至少一个触摸电极TE的触摸感测被定位在发光元件ED下方的信号线与阴极层E2之间的联接所影响。

在一个或更多个实施方式中，噪声屏蔽层NSL可以与用于减小阴极层E2的电阻的结构分离设置。

参照图10，在一个或更多个实施方式中，噪声屏蔽层NSL可以使用第五金属层M5来设置。在一个或更多个实施方式中，噪声屏蔽层NSL可以使用诸如第四金属层M4之类的另一金属层来设置。

第二电源线VSL可以被定位在显示区AA中。

第二电源线VSL可以在显示区AA中被电连接至阴极层E2。第二电源线VSL可以通过至少一个阴极连接图案CCP被电连接至阴极层E2。

例如，第二电源线VSL可以通过第一阴极连接图案CCP1、第二阴极连接图案CCP2和第三阴极连接图案CCP3被电连接至阴极层E2。

第一阴极连接图案CCP1可以使用例如第四金属层M4来设置。第二阴极连接图案CCP2可以使用例如第五金属层M5来设置。第三阴极连接图案CCP3可以使用例如与阳极层E1相同的材料来设置。

通过阴极层E2在显示区AA中经由阴极连接图案(CCP1、CCP2和CCP3)连接至第二电源线VSL的结构能够减小阴极层E2的电阻。

噪声屏蔽层NSL可以使用阴极连接图案(CCP1、CCP2和CCP3)被设置的层当中的任一层来设置。

噪声屏蔽层NSL可以被设置在除了一个或更多个阴极连接图案CCP被设置的一个或更多个区域以及一个或更多个阳极连接图案ACP被设置的一个或更多个区域以外的区域中。噪声屏蔽层NSL能够阻挡至少一条信号线与阴极层E2之间的联接。

例如，在噪声屏蔽层NSL与阴极层E2分离设置的结构中，恒定电压可以通过单独的信号线被施加至噪声屏蔽层NSL。

在另一示例中，第一驱动电压VDD(见图2)可以被施加至噪声屏蔽层NSL。

参照图11，在一个或更多个实施方式中，噪声屏蔽层NSL可以使用第五金属层M5来设置。在一个或更多个实施方式中，噪声屏蔽层NSL可以使用第四金属层M4来设置。

噪声屏蔽层NSL可以在显示区AA中通过噪声屏蔽连接图案NSCP被电连接至第一电源线VDL。

阴极层E2可以在显示区AA中通过多个阴极连接图案(CCP1、CCP2和CCP3)被电连接至第二电源线VSL。

因此，在显示区AA中，噪声屏蔽层NSL可以被电连接至第一电源线VDL，并且阴极层E2被电连接至第二电源线VSL。

至少一条信号线与阴极层E2之间的联接能够被噪声屏蔽层NSL阻挡，并且由此能够提供阴极层E2的电阻被减小的结构。

在一个或更多个实施方式中，在第二电源线VSL(例如，图9和图10中的显示区AA的第二电源线VSL)不设置在显示区AA中的结构中，可以提供噪声屏蔽层NSL与电阻减小图案RRP被分开设置的结构。

例如，参照图12，在一个或更多个实施方式中，噪声屏蔽层NSL可以使用第五金属层M5来设置。电阻减小图案RRP也可以使用第五金属层M5来设置。

噪声屏蔽层NSL与电阻减小图案RRP可以被设置成彼此分离。

电阻减小图案RRP可以通过阴极连接图案CCP3被电连接至阴极层E2。

例如，恒定电压可以通过单独的信号线被施加至噪声屏蔽层NSL。在另一示例中，第一驱动电压VDD(见图2)可以通过第一电源线VDL被施加至噪声屏蔽层NSL。

噪声屏蔽层NSL可以被设置在除了电阻减小图案RRP和阳极连接图案ACP被设置的区域以外的区域。在电阻减小图案RRP被设置以用于减少阴极层E2的电阻的结构中，信号线与阴极层E2之间的联接能够通过噪声屏蔽层NSL被减小或消除。

如上所述，根据上述实施方式，在发光元件ED下方的信号线与发光元件ED的电极之间的联接能够通过被定位在发光元件ED下方的噪声屏蔽层NSL的各种结构来被阻挡。由信号线与发光元件ED的电极之间的联接所致的发光元件ED的电极的电压的波动能够被减少或防止。结果，由发光元件ED的电极处的此种电压波动所导致的、由封装层ENCAP上的至少一个触摸电极TE检测到的触摸感测信号中的噪声的出现能够被减少或被防止。

噪声屏蔽层NSL可以被设置在除了发光元件ED下方的各种图案被设置的区域以外的区域中，并且能够阻挡信号线与发光元件ED的电极之间的联接。

噪声屏蔽层NSL可以包括被定位在与设置在发光元件ED下方的各种图案对应的区域中的多个孔。

在一个或更多个实施方式中，噪声屏蔽层NSL可以包括被定位在除了与设置在发光元件ED下方的各种图案对应的区域以外的区域中的至少一个孔。

图13以及图14A、图14B和图14C为例示了根据本公开的方面的噪声屏蔽层NSL被设置于触摸显示装置100的显示区AA的示例结构的平面图。

参照图13，噪声屏蔽层NSL可以被设置在显示区AA中。

如同在上述的示例中，噪声屏蔽层NSL可以使用被定位于至少一条数据线DL被设置的层与至少一个发光元件ED被设置的层之间的金属层中的任一金属层(诸如第四金属层M4、第五金属层M5等)来设置。

噪声屏蔽层NSL可以被设置在除了至少一个阳极连接图案ACP被设置的区域以外的区域中。

噪声屏蔽层NSL可以包括被定位在阳极连接图案ACP被定位的区域中的多个阳极孔ANH。

噪声屏蔽层NSL可以包括被定位在除了阳极连接图案ACP被设置的区域以外的区域中的至少一个虚设孔DMH。

虚设孔DMH可以被定位在除了与定位在噪声屏蔽层NSL下方的信号线交叠的区域以外的区域中。例如，虚设孔DMH可以被定位在除了与数据线DL交叠的区域以外的区域中。

被包括在噪声屏蔽层NSL中的虚设孔DMH能够提供一路径，在定位在噪声屏蔽层NSL下方的至少一个薄膜晶体管TFT的工序和/或一个或更多个其它工序中产生的气体通过该路径被排放。

由于虚设孔DMH被定位在除了与数据线DL交叠的区域以外的区域中，因此噪声屏蔽层NSL可以被设置成使得噪声屏蔽层NSL与数据线DL交叠。由于噪声屏蔽层NSL阻挡数据线DL与阴极层E2之间的联接并且提供用于允许气体被排放的路径，因此这些配置能够提供消除或减少在制造显示面板110的一个或更多个元件的工序中可能发生的缺陷的优点。

在一个或更多个实施方式中，虚设孔DMH可以根据显示面板110的类型被定位在特定的区域中。

参照图14A、图14B和图14C，触摸显示装置100可以以显示面板110被折叠或弯曲的形式被实现。在可折叠或可弯曲的显示面板110被用于触摸显示装置100的实施方式中，被包括在噪声屏蔽层NSL中的一个或更多个虚设孔DMH可以被定位在基板SUB被折叠或弯曲的区域中。

在一实施方式中，参照图14A的情况A，噪声屏蔽层NSL可以被设置在显示区AA中。噪声屏蔽层NSL可以包括被定位在基板SUB被折叠或弯曲的区域中的虚设孔DMH。例如，虚设孔DMH可以与折叠区或弯曲区中的全部或至少一部分交叠。虚设孔DMH可以被形成为凹槽形状。可以使用虚设孔DMH来减少或防止由噪声屏蔽层NSL的布置所致的显示面板110的折叠性能的下降。

在另一实施方式中，参照图14B的情况B，多个虚设孔DMH可以被定位在基板SUB被折叠或弯曲的区域中。例如，虚设孔DMH可以具有矩形形状，但不限于此。虚设孔DMH可以被定位在除了与至少一条数据线DL交叠的区域以外的区域中。例如，虚设孔DMH可以在基板SUB被折叠或弯曲的区域中以高密度被设置。

在另一实施方式中，参照图14C的情况C，一个或更多个虚设孔DMH中的每个虚设孔可以被设置成使得虚设孔的在沿着基板SUB被折叠或弯曲的区域的方向上的长度比虚设孔的在与基板SUB被折叠或弯曲的区域交叉的方向上的长度大。噪声屏蔽层NSL的与基板SUB被折叠或弯曲的部分交叠区域能够被进一步减小。

如上所述，噪声屏蔽层NSL可以被定位在诸如数据线DL之类的信号线与发光元件ED的阴极层E2交叠的区域中，并且可以包括被定位在除了数据线DL和阴极层E2彼此交叠的区域以外的区域中或在基板SUB的折叠区或弯曲区中的一个或更多个虚设孔DMH。

噪声屏蔽层NSL能够减少或防止用于显示驱动的一个或更多个信号降低触摸感测的性能。此外，噪声屏蔽层NSL能够减少或防止在制造显示面板110的一个或更多个元件的工序中的缺陷或与显示面板110的类型相关的缺陷的出现。

上述实施方式将简要描述如下。

根据本文中所描述的实施方式，触摸显示装置100可以包括：基板SUB，其包括设置有多个子像素SP的显示区AA和定位在显示区AA的外部的非显示区NA；多条数据线DL，其被设置在基板SUB上方；多个发光元件ED，其被定位在多条数据线DL上方，多个发光元件中的每个发光元件包括阳极层E1、发光层EL和阴极层E2；封装层ENCAP，其被设置在多个发光元件ED上；多个触摸电极TE，其被设置在封装层ENCAP上；以及噪声屏蔽层NSL，其被定位在多条数据线DL被设置的层与多个发光元件ED被设置的层之间。

例如，噪声屏蔽层NSL可以在显示区AA中电连接至定位在噪声屏蔽层NSL下方的第一电源线VDL。在该示例中，阴极层E2可以在显示区AA中电连接至定位在噪声屏蔽层NSL下方的第二电源线VSL。

在另一示例中，噪声屏蔽层NSL可以在非显示区NA中电连接至第二电源线VSL，该第二电源线VSL被电连接至阴极层E2。

在另一示例中，噪声屏蔽层NSL可以在显示区AA中电连接至阴极层E2。

在另一示例中，噪声屏蔽层NSL可以被电连接至定位在非显示区NA中的焊盘并且通过焊盘接收恒定电压。

触摸显示装置100还可以包括至少一个阳极连接图案ACP，其被定位在多条数据线DL被设置的层与多个发光元件ED被设置的层之间，并且电连接至阳极层E1。

噪声屏蔽层NSL可以被设置在除了阳极连接图案ACP被设置的区域以外的区域中。

噪声屏蔽层NSL可以与阳极连接图案ACP分离。

噪声屏蔽层NSL可以包括被定位在与阳极连接图案ACP对应的区域中的多个阳极孔ANH。

噪声屏蔽层NSL可以包括被定位在除了与阳极连接图案ACP对应的区域以外的区域中的至少一个虚设孔DMH。

至少一个虚设孔DMH可以被定位在除了与多条数据线DL交叠的区域以外的区域中。

至少一个虚设孔DMH可以与基板SUB被折叠或弯曲的区域交叠。

触摸显示装置100还可以包括：第一阳极连接图案ACP1，其被定位在多条数据线DL被设置的层与多个发光元件ED被设置的层之间；以及第二阳极连接图案ACP2，其被定位在第一阳极连接图案ACP1被设置的层与多个发光元件ED被设置的层之间且将第一阳极连接图案ACP1和阳极层E1电互连。

噪声屏蔽层NSL可以被设置在除了第二阳极连接图案ACP2被设置的区域以外的区域中。

在一个实施方式中，触摸显示装置100还可以包括阴极连接图案CCP，其将噪声屏蔽层NSL和阴极层E2电互连且包括与阳极层E1相同的材料。

在另一实施方式中，触摸显示装置100还包括电阻减小图案RRP，该电阻减小图案RRP被定位在噪声屏蔽层NSL被设置的层中，与噪声屏蔽层NSL绝缘，并且被电连接至阴极层E2。

触摸显示装置100还可以包括两个或更多个阴极连接图案CCP，其将阴极层E2和定位在噪声屏蔽层NSL下方的电源线电互连。噪声屏蔽层NSL可以被定位在两个或更多个阴极连接图案CCP中的一个阴极连接图案被设置的层中。

触摸显示装置100还可以包括在基板SUB上的多个薄膜晶体管TFT。多个薄膜晶体管TFT中的一个或更多个薄膜晶体管可以在除了与噪声屏蔽层NSL交叠的区域以外的区域中被电连接至阳极层E1。

根据本文中所描述的实施方式，触摸显示装置100可以包括：基板SUB；多个薄膜晶体管TFT，其被设置在基板SUB上方；多个发光元件ED，其被设置在多个薄膜晶体管TFT上方；封装层ENCAP，其被设置在多个发光元件ED上；多个触摸电极TE，其被设置在封装层ENCAP上；至少一个连接图案，其用于向多个发光元件ED中的任一个发光元件电连接多个薄膜晶体管TFT中的任一个薄膜晶体管；以及噪声屏蔽层NSL，该噪声屏蔽层NSL被定位在至少一个连接图案被设置的层中，与至少一个连接图案绝缘，并且与多个发光元件ED中的至少一个发光元件或者多个发光元件ED中的至少一个发光元件的相应部分交叠。

根据本文中所描述的实施方式，触摸显示装置100可以包括：基板SUB，其包括设置有多个子像素SP的显示区AA和定位在显示区AA的外部的非显示区NA；多条信号线，其被设置在基板SUB上方；多个发光元件ED，其被设置在多条信号线上方；封装层ENCAP，其被设置在多个发光元件ED上；多个触摸电极TE，其被设置在封装层ENCAP上；以及噪声屏蔽层NSL，该噪声屏蔽层NSL被定位在多条信号线被设置的层与多个发光元件ED被设置的层之间，与多条信号线中的至少一条信号线交叠，在显示区AA的一部分中电连接至所交叠的至少一条信号线，并且与多条信号线当中的除了所交叠的至少一条信号线以外的其余一条或更多条信号线绝缘。

根据本文中所描述的实施方式，触摸显示装置100可以包括：基板SUB；多条数据线DL，其被设置在基板SUB上方；多个发光元件ED，其被设置在多条数据线DL上方；封装层ENCAP，其被设置在多个发光元件ED上；多个触摸电极TE，其被设置在封装层ENCAP上；以及噪声屏蔽层NSL，其被设置在多条数据线DL被设置的层与多个发光元件ED被设置的层之间。

根据本文中所描述的实施方式，触摸显示装置100可以包括：基板SUB；至少一条电源线，其被设置在基板SUB上方；多个发光元件ED，其被设置在至少一条电源线上方；封装层ENCAP，其被设置在多个发光元件ED上；多个触摸电极TE，其被设置在封装层ENCAP上；以及噪声屏蔽层NSL，其被设置在至少一条电源线被设置的层与多个发光元件ED被设置的层之间且被电连接至该至少一条电源线。

根据本文中所描述的实施方式，触摸显示装置100可以包括：基板SUB；多个薄膜晶体管TFT，其被设置在基板SUB上方；多个发光元件ED，其被设置在多个薄膜晶体管TFT上方，多个发光元件ED中的每个发光元件包括阳极层E1、发光层EL和阴极层E2；封装层ENCAP，其被设置在多个发光元件ED上；多个触摸电极TE，其被设置在封装层ENCAP上；噪声屏蔽层NSL，其被设置在多个薄膜晶体管TFT被设置的层与多个发光元件ED被设置的层之间；以及多个阳极连接图案ACP，其被设置在噪声屏蔽层NSL被设置的层中，并且将多个薄膜晶体管TFT中的至少一个薄膜晶体管与阳极层E1电互连。

根据本文中所描述的实施方式，触摸显示装置100可以包括：基板SUB；多条显示信号线，其被设置在基板SUB上方；多个发光元件ED，其被设置在多条显示信号线上方；封装层ENCAP，其被设置在多个发光元件ED上；多个触摸电极TE，其被设置在封装层ENCAP上；以及噪声屏蔽层NSL，其被设置在多条显示信号线被设置的层与多个发光元件ED被设置的层之间。

根据本文中所描述的实施方式，触摸显示装置100可以包括：基板SUB；多个薄膜晶体管TFT，其被设置在基板SUB上方；多个发光元件ED，其被设置在多个薄膜晶体管TFT上方；封装层ENCAP，其被设置在多个发光元件ED上；多个触摸电极TE，其被设置在封装层ENCAP上；以及噪声屏蔽层NSL，其被设置在多个薄膜晶体管TFT被设置的层与多个发光元件ED被设置的层之间。

根据本文中所描述的实施方式，触摸显示装置100可以包括：基板SUB；多条电源线，其被设置在基板SUB上方；多个发光元件ED，其被设置在多条电源线上方；封装层ENCAP，其被设置在多个发光元件ED上；多个触摸电极TE，其被设置在封装层ENCAP上；以及噪声屏蔽层NSL，其被设置在多个电源线被设置的层与多个发光元件ED被设置的层之间，并且接收与被提供至多条电源线的信号不同的信号。

根据本文中所描述的实施方式，触摸显示装置100可以包括基板SUB；多条数据线DL，其被设置在基板SUB上方；多个发光元件ED，其被设置在多条数据线DL上方，多个发光元件ED中的每个发光元件包括阳极层E1、发光层EL和阴极层E2；封装层ENCAP，其被设置在多个发光元件ED上；多个触摸电极TE，其被设置在封装层ENCAP上；以及噪声屏蔽层NSL，其被设置在多条数据线DL与阳极层E1之间且包括多个孔。

上述描述已经被呈现以使任何本领域普通技术人员能够做出、利用和实践本公开的技术特征，并且已经在特定应用及其要求的上下文中作为示例提供。针对所描述的实施方式的各种变形、附加和替换对于本领域普通技术人员来说将是显而易见的，并且本文中所描述的原理可以在不脱离本公开的范围的情况下被应用于其它实施方式和应用。上述描述和附图仅为了例示的目的而提供本公开的技术特征的示例。也就是说，所公开的实施方式旨在例示本公开的技术特征的范围。因此，本公开的范围不限于所示实施方式，而是被给予与权利要求书一致的最宽范围。

Claims

1.一种触摸显示装置，所述触摸显示装置包括：

基板，所述基板包括设置有多个子像素的显示区和定位在所述显示区的外部的非显示区；

多条数据线，所述多条数据线设置在所述基板上方；

多个发光元件，所述多个发光元件定位在所述多条数据线上方，所述多个发光元件中的每个发光元件包括阳极层、发光层和阴极层；

封装层，所述封装层设置在所述多个发光元件上；

多个触摸电极，所述多个触摸电极设置在所述封装层上；以及

噪声屏蔽层，所述噪声屏蔽层定位在所述多条数据线被设置的层与所述多个发光元件被设置的层之间。

2.根据权利要求1所述的触摸显示装置，其中，所述噪声屏蔽层在所述显示区中电连接至定位在所述噪声屏蔽层下方的第一电源线。

3.根据权利要求2所述的触摸显示装置，其中，所述阴极层在所述显示区中电连接至定位在所述噪声屏蔽层下方的第二电源线。

4.根据权利要求1所述的触摸显示装置，其中，所述噪声屏蔽层在所述非显示区中电连接至第二电源线，所述第二电源线电连接至所述阴极层。

5.根据权利要求1所述的触摸显示装置，其中，所述噪声屏蔽层在所述显示区中电连接至所述阴极层。

6.根据权利要求1所述的触摸显示装置，其中，所述噪声屏蔽层电连接至定位在所述非显示区中的焊盘，并且通过所述焊盘接收恒定电压。

7.根据权利要求1所述的触摸显示装置，所述触摸显示装置还包括阳极连接图案，所述阳极连接图案定位在所述多条数据线被设置的层与所述多个发光元件被设置的层之间，并且电连接至所述阳极层，

其中，所述噪声屏蔽层定位在所述阳极连接图案被设置的层中。

8.根据权利要求7所述的触摸显示装置，其中，所述噪声屏蔽层与所述阳极连接图案分离。

9.根据权利要求7所述的触摸显示装置，其中，所述噪声屏蔽层包括被定位在除了与所述阳极连接图案对应的区域以外的区域中的至少一个虚设孔，

其中，所述至少一个虚设孔定位在与所述多条数据线交叠的区域以外的区域中。

10.根据权利要求1所述的触摸显示装置，所述触摸显示装置还包括两个或更多个阴极连接图案，所述两个或更多个阴极连接图案将所述阴极层和定位在所述噪声屏蔽层下方的电源线电互连，

其中，所述噪声屏蔽层定位在所述两个或更多个阴极连接图案中的一个阴极连接图案被设置的层中。