CN117099203A - 包括半导体发光器件的显示装置 - Google Patents

包括半导体发光器件的显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117099203A
CN117099203A CN202280026036.XA CN202280026036A CN117099203A CN 117099203 A CN117099203 A CN 117099203A CN 202280026036 A CN202280026036 A CN 202280026036A CN 117099203 A CN117099203 A CN 117099203A
Authority
CN
China
Prior art keywords
assembly
light emitting
emitting device
wiring
assembly wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280026036.XA
Other languages
English (en)
Inventor
严惠先
尹斗铉
李纹宣
崔元硕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Electronics Inc
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc, LG Display Co Ltd filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN117099203A publication Critical patent/CN117099203A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

实施例的包括半导体发光器件的显示装置可以包括：基板；第一组装布线和第二组装布线，在基板上交替配置且彼此隔开；平坦化层，配置在第一组装布线和第二组装布线上，并具有第一开口部；半导体发光器件，配置在第一开口部的内侧，其第一电极重叠于第一组装布线和第二组装布线；以及组装布线连接图案，与第一开口部隔开，将第一组装布线和第二组装布线电连接；第一电极与第一组装布线和第二组装布线中的一个电连接。

Description

包括半导体发光器件的显示装置
技术领域
实施例涉及显示装置，更详细而言，涉及利用半导体发光器件的显示装置。
背景技术
在适用于电脑的显示器或TV、手机等的显示装置中，存在自动发光的有机发光显示器(Organic Light Emitting Display)等，以及需要额外的光源的液晶显示器(LiquidCrystal Display；LCD)、微型LED显示器等。
微型LED显示器是将作为具有100μm以下的直径或截面积的半导体发光器件的微型LED作为显示器件使用的显示器。
由于微型LED显示器将作为半导体发光器件的微型LED作为显示器件来使用，因此在明暗比、响应速度、颜色重现率、视角、亮度、分辨率、寿命、发光效率或辉度等较多特性方面具有优异的性能。
尤其，微型LED显示器可以将画面以模块方式分离、结合，从而具有能够自由调节尺寸或分辨率的优点和能够实现柔性显示器的优点。
但是，由于大型的微型LED显示器需要数百万个以上的微型LED，因此存在难以将微型LED迅速且准确地转印到显示面板的技术问题。另一方面，作为将半导体发光器件转印到基板的方法，存在取放工艺(pick and place process)、激光剥离法(Laser Lift-offmethod)或自组装法(self-assembly method)等。
其中，自组装法作为在流体内半导体发光器件自动寻找组装位置的方式，是有利于大画面显示装置的实现的方式。
另一方面，在流体内转印发光器件的情况下，会发生组装布线被流体腐蚀的问题。因组装布线的腐蚀，可能导致发生电短路，并可能发生组装不良的问题。
另外，在与发光器件电连接的复数个组装布线具有彼此不同的电位的情况下，会使电阻增加，从而可能发生电信号难以传递。
发明内容
发明要解决的问题
实施例的技术课题在于，提供一种通过以各种形态实现组装布线，来提高发光器件的组装率的显示装置。
另外，实施例的技术课题在于，提供一种改善组装布线的电阻的显示装置。
另外，实施例的技术课题在于，提供一种将用于发光器件的自组装的组装布线作为用于驱动发光器件的布线来使用的显示装置。
另外，实施例的技术课题在于，提供一种使组装布线的腐蚀最小化的显示装置。
另外，实施例的技术课题在于，提供一种强化发光器件的组装力的显示装置。
另外，实施例的技术课题在于，提供一种减少发光器件的倾斜的显示装置。
实施例的课题并不局限于上述的课题，包括能够从说明书中掌握的课题。
用于解决问题的手段
实施例的包括半导体发光器件的显示装置包括：基板；第一组装布线和第二组装布线，在所述基板上交替配置并彼此隔开；平坦化层，配置在所述第一组装布线和所述第二组装布线上，具有第一开口部；半导体发光器件，配置在所述第一开口部内侧，使第一电极重叠于所述第一组装布线和所述第二组装布线；以及组装布线连接图案，与所述第一开口部隔开，使所述第一组装布线和所述第二组装布线电连接。
所述第一电极可以与所述第一组装布线和所述第二组装布线中的一个电连接。
在实施例中，所述第一组装布线和所述第二组装布线沿列方向延伸；所述组装布线连接图案可以沿行方向延伸，将所述第一组装布线和所述第二组装布线中的彼此相邻的第一组装布线和第二组装布线电连接。
在所述第一开口部内，所述第一组装布线可以与所述第一电极分离，所述第二组装布线可以与所述第一电极接触。
所述第一组装布线可以通过所述组装布线连接图案和所述第二组装布线与所述第一电极电连接。
还可以包括覆盖所述第一组装布线的绝缘层。
所述组装布线连接图案可以通过所述平坦化层和所述绝缘层的连接孔与所述第一组装布线接触，并通过所述平坦化层的连接孔与所述第二组装布线接触。
还可以包括配置于所述半导体发光器件和所述平坦化层的像素电极。
所述像素电极可以与所述组装布线连接图案配置在同一平面上。所述第一组装布线、所述第二组装布线以及所述组装布线连接图案可以具有相同的电位。
所述第二组装布线可以延伸配置为超过组装孔的中央，并可以配置在与所述第一组装布线不同的平面上。
所述第一组装布线可以与所述第二组装布线竖直重叠，所述第二组装布线可以在与所述第一组装布线竖直重叠的区域包括电极孔。
另外，本发明的包括半导体发光器件的显示装置可以包括：基板，定义了复数个子像素；复数个第一组装布线，沿所述复数个子像素中的配置在同一列的复数个子像素配置；第二组装布线，沿所述复数个子像素中的配置在同一列的复数个子像素配置，并与所述第一组装布线分别相邻配置；平坦化层，包括与所述第一组装布线和所述第二组装布线重叠的第一开口部；半导体发光器件，在所述复数个子像素中分别配置在所述第一开口部，并与所述第二组装布线电连接；以及组装布线连接图案，配置在所述平坦化层上，并与所述第一组装布线和所述第二组装布线电连接。
所述第一组装布线可以通过所述组装布线连接图案和所述第二组装布线与所述半导体发光器件电连接，在所述第一开口部，复数个所述第一组装布线可以与所述半导体发光器件隔开。
所述组装布线连接图案可以将所述第一组装布线和所述第二组装布线中的配置在一个子像素的第一组装布线和第二组装布线电连接。
所述组装布线连接图案可以沿所述复数个子像素中的配置在同一行的复数个子像素配置，将所述第一组装布线和所述第二组装布线电连接。
所述第一组装布线、所述第二组装布线以及所述组装布线连接图案可以构成网格形态。
所述第二组装布线可以延伸配置为穿过组装孔的中央。
所述第二组装布线可以配置在与所述第一组装布线不同的平面上。
所述第一组装布线可以与所述第二组装布线竖直重叠。
所述第二组装布线可以在与所述第一组装布线竖直重叠的区域包括电极孔。
发明效果
根据实施例，具有能够将用于发光器件的自组装的布线作为用于发光器件的驱动的布线来使用的技术效果。
此外，实施例具有能够通过改善复数个组装布线的结构，使在发光器件的自组装或接合时产生的不良最小化的技术效果。
此外，实施例具有能够使复数个组装布线的腐蚀和短路不良最小化的技术效果。
例如，能够利用高耐腐蚀性的包覆层来预防导电层的腐蚀。
此外，实施例具有能够改善复数个组装布线的电阻的技术效果。
例如，利用组装布线连接图案将复数个组装布线连接，从而能够使每个组装布线获得相同的电位并改善电阻。
此外，实施例具有将复数个组装布线配置为垂直型对称结构，从而能够强化发光器件的组装力的技术效果。
此外，实施例能够通过一个组装布线支撑发光器件来解决发光器件的偏向问题。
实施例的效果并不局限于上述内容，更多各种效果包括在实施例中。
附图说明
图1是实施例的显示装置的缩略俯视图。
图2是实施例的显示装置的缩略放大俯视图。
图3是图2中的III-III′的剖视图。
图4是图2中的IV-IV′的剖视图。
图5a至图5f是用于说明实施例的显示装置的制造方法的工艺图。
图6是第二实施例的显示装置的俯视图。
图7是图6的VII-VII′的剖视图。
图8是第三实施例的显示装置的剖视图。
图9是第四实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本说明书中公开的实施例进行详细说明。在以下的说明中使用的构成要素的后缀“模块”和“部”是，为了便于说明书撰写而赋予或混用的，其自身并不具有相互区别的含义或作用。另外，附图用于容易理解在本说明书中公开的实施例，在本说明书中公开的技术思想并不局限于附图。另外，当提及为如层、区域或基板的要素存在于另一构成要素“上”时，包括可以直接存在于另一构成要素上，或者中间可以存在其他构成要素。
在本说明书中说明的显示装置可以包括数字TV、便携手机、智能手机(smartphone)、笔记本电脑(laptop computer)、数字广播终端、PDA(personal digitalassistants，个人数字助理)、PMP(portable multimedia player，便携式多媒体播放器)、导航、平板计算机(Slate PC)、平板电脑(Tablet PC)、超极本(Ultra-Book)、台式电脑等。但是，即使在本说明书记载的实施例的构成是将来开发的新产品形态，也可以适用于能够显示的装置。
以下，参照附图，对实施例进行说明。
图1是实施例的显示装置的缩略俯视图。在图1中，为了便于说明，仅示出了显示装置100的各种构成要素中的基板110和复数个子像素SP。
实施例的显示装置100可以包括制作于薄而柔软的基板上的柔性显示器(flexibledisplay)。柔性显示器在保持现有的平板显示器的特性的同时，能够像纸一样弯曲或卷起。
在柔性显示器中，视觉信息可以通过独立控制以矩阵形态配置的单位像素(unitpixel)的发光来实现。单位像素表示用于实现一个颜色的最小单位。柔性显示器的单位像素可以利用发光器件来实现。在实施例中，发光器件可以是Micro-LED(微型LED)或Nano-LED(纳米LED)，但并不限定于此。
基板110作为用于支撑包括于显示装置100的各种构成要素的构成，可以由绝缘物质构成。例如，基板110可以由玻璃或树脂等构成。另外，基板110也可以构成为包含高分子或塑料，也可以由具有柔韧性(flexibility)的物质构成。
基板110包括显示区域AA和非显示区域NA。
显示区域AA是配置有复数个子像素SP并显示图像的区域。各个子像素SP作为发光的独立单位，在各个子像素SP形成有半导体发光器件LED和驱动电路。例如，复数个子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和/或白色子像素等，但并非局限于此。以下，假设复数个子像素SP包括红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素来进行说明，但并非局限于此。
非显示区域NA作为不显示图像的区域，是配置有用于驱动配置在显示区域AA的子像素SP的各种布线、驱动IC等的区域。例如，非显示区域NA可以配置有如栅极驱动器IC、数据驱动器IC的各种IC和驱动电路等。另一方面，非显示区域NA也可以设置在基板110的背面，即，可以设置在没有子像素SP的面或可以被省略，而并不局限于附图所示。
实施例的显示装置100可以利用有源矩阵(AM，Active Matrix)方式或无缘矩阵(PM，Passive Matrix)方式来驱动发光器件。
以下，为了对复数个子像素SP更详细地说明，同时参照图2和图3。
图2是实施例的显示装置的缩略放大俯视图。图3是图2中的III-III′的剖视图。
图4是图2中的IV-IV′的剖视图。参照图2至图4，实施例的显示装置100可以包括复数个扫描布线SL、复数个数据布线DL、复数个高电位电源布线VDD、复数个组装布线120、复数个基准布线RL、黑矩阵BM以及复数个子像素SP各自的第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、存储电容器ST、半导体发光器件LED、遮光层LS、缓冲层111、栅极绝缘层112、复数个钝化层113、115、116、复数个平坦化层114、117、118、连接电极CE、像素电极PE以及组装布线连接图案120P等。
参照图2和图3，复数个数据布线DL、高电位电源布线VDD的第一层VDD1和第二层VDD2、复数个基准布线RL以及复数个组装布线120可以在复数个子像素SP之间沿列方向延伸。复数个扫描布线SL和高电位电源布线VDD的第三层VDD3可以在复数个子像素SP之间沿行方向延伸。并且，在各个子像素SP可以配置有第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3以及存储电容器ST。
首先，在基板110上可以配置有高电位电源布线VDD的第一层VDD1和遮光层LS。
高电位电源布线VDD是向各个子像素SP传递高电位电源电压的布线。复数个高电位电源布线VDD可以向各个子像素SP的第二晶体管TR2传递高电位电源电压。
另一方面，复数个高电位电源布线VDD可以构成为单层或复数层，以下，为了便于说明，假设复数个高电位电源布线VDD构成为复数层来进行说明。
高电位电源布线VDD包括复数个第一层VDD1和复数个第二层VDD2，以及将两者连接的复数个第三层VDD3。第一层VDD1可以在各个子像素SP之间沿列方向延伸。
遮光层LS可以在基板110上配置在各个子像素SP。遮光层LS在基板110下部阻断朝后述的第二晶体管TR2的第二活性层ACT2照射的光，从而能够使漏电流最小化。
缓冲层111配置在高电位电源布线VDD的第一层VDD1和遮光层LS上。缓冲层111能够减少通过基板110的水分或杂质的渗透。缓冲层111可以由例如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单一层或复数层构成，但并不限定于此。但是，缓冲层111可以根据基板110的种类或晶体管的种类而被省略，但并不限定于此。
复数个扫描布线SL、复数个基准布线RL、复数个数据布线DL、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3以及存储电容器ST可以配置在缓冲层111上。
首先，第一晶体管TR1可以配置在各个子像素SP。第一晶体管TR1包括第一活性层ACT1、第一栅极GE1、第一源极SE1以及第一漏极DE1。第一活性层ACT1配置在缓冲层111上。第一活性层ACT1可以由氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体物质构成，但并不限定于此。
栅极绝缘层112配置在第一活性层ACT1上。栅极绝缘层112作为使第一活性层ACT1与第一栅极GE1绝缘的绝缘层，可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单一层或复数层构成，但并不限定于此。
第一栅极GE1可以配置在栅极绝缘层112上。第一栅极GE1可以与扫描布线SL电连接。第一栅极GE1可以由导电性物质，例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金构成，但并不限定于此。
第一钝化层113可以配置在第一栅极GE1上。在第一钝化层113可以形成有用于使第一源极SE1和第一漏极DE1分别与第一活性层ACT1连接的连接孔。第一钝化层113作为用于保护第一钝化层113下部的构成的绝缘层，可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单一层或复数层构成，但并不限定于此。
与第一活性层ACT1电连接的第一源极SE1和第一漏极DE1可以配置在第一钝化层113上。第一漏极DE1可以与数据布线DL连接，第一源极SE1可以与第二晶体管TR2的第二栅极GE2连接。第一源极SE1和第一漏极DE1可以由导电性物质，例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金构成，但并不限定于此。
另一方面，在实施例中，以第一源极SE1和第一漏极DE1分别与第二栅极GE2和数据布线DL连接来进行了说明，但也可以根据晶体管的类型，第一源极SE1与数据布线DL连接，第一漏极DE1与第二晶体管TR2的第二栅极GE2连接，并不限定于此。
通过第一栅极GE1与扫描布线SL连接，第一晶体管TR1可以根据扫描信号来导通(Turn-on)或截止(Turn-off)。第一晶体管TR1可以基于扫描信号向第二晶体管TR2的第二栅极GE2传递数据电压，所以可以被称为开关晶体管。
另一方面，复数个数据布线DL和复数个基准布线RL可以与第一栅极GE1一起配置在栅极绝缘层112上。复数个数据布线DL和基准布线RL可以以与第一栅极GE1相同的物质和相同的工艺形成。
复数个数据布线DL是向复数个子像素SP分别传递数据电压的布线。复数个数据布线DL可以向复数个子像素SP各自的第一晶体管TR1传递数据电压。例如，复数个数据布线DL可以由向红色子像素SPR传递数据电压的数据布线DL、向绿色子像素SPG传递数据电压的数据布线DL以及向蓝色子像素SPB传递数据电压的数据布线DL构成。
复数个基准布线RL是向复数个子像素SP分别传递基准电压的布线。复数个基准布线RL可以向复数个子像素SP各自的第三晶体管TR3传递基准电压。
在各个子像素SP可以配置有第二晶体管TR2。第二晶体管TR2可以包括第二活性层ACT2、第二栅极GE2、第二源极SE2以及第二漏极DE2。第二活性层ACT2可以配置在缓冲层111上。
第二活性层ACT2可以由如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体物质构成，但并不限定于此。
栅极绝缘层112可以配置在第二活性层ACT2上，第二栅极GE2可以配置在栅极绝缘层112上。第二栅极GE2可以与第一晶体管TR1的第一源极SE1电连接。第二栅极GE2可以由导电性物质，例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金构成，但并不限定于此。
第一钝化层113可以配置在第二栅极GE2上，第二源极SE2和第二漏极DE2可以配置在第一钝化层113上。第二源极SE2可以与第二活性层ACT2电连接。第二漏极DE2可以在与第二活性层ACT2电连接的同时，与高电位电源布线VDD电连接。第二漏极DE2配置在高电位电源布线VDD的第一层VDD1与第二层VDD2之间，并与高电位电源布线VDD电连接。
通过第二栅极GE2与第一晶体管TR1的第一源极SE1连接，第二晶体管TR2可以根据第一晶体管TR1导通时传递到的数据电压来导通。并且，导通的第二晶体管TR2可以基于从高电位电源布线VDD的高电位电源电压，向发光器件LED传递驱动电流，所以可以被称为驱动晶体管。
在各个子像素SP配置有第三晶体管TR3。第三晶体管TR3包括第三活性层ACT3、第三栅极GE3、第三源极SE3以及第三漏极DE3。第三活性层ACT3可以配置在缓冲层111上。第三活性层ACT3可以由如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体物质构成，但并不限定于此。
栅极绝缘层112可以配置在第三活性层ACT3上，第三栅极GE3可以配置在栅极绝缘层112上。第三栅极GE3可以与扫描布线SL连接，第三晶体管TR3可以根据扫描信号来导通或截止。第三栅极GE3可以由导电性物质，例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金构成，但并不限定于此。
虽然，以第三栅极GE3和第一栅极GE1与同一扫描布线SL连接进行了说明，但第三栅极GE3与第一栅极GE1也可以与彼此不同的扫描布线SL连接，并不限定于此。
第一钝化层113可以配置在第三栅极GE3上，第三源极SE3和第三漏极DE3可以配置在第一钝化层113上。第三源极SE3可以与第二源极SE2形成为一体，在与第三活性层ACT3电连接的同时，与第二晶体管TR2的第二源极SE2电连接。并且，第三漏极DE3可以与基准布线RL电连接。
第三晶体管TR3可以与作为驱动晶体管的第二晶体管TR2的第二源极SE2、基准布线RL以及存储电容器ST电连接，第三晶体管TR3可以被称为传感晶体管。
在各个子像素SP可以配置有存储电容器ST。存储电容器ST包括第一电容器电极ST1和第二电容器电极ST2。存储电容器ST连接在第二晶体管TR2的第二栅极GE2与第二源极SE2之间，存储电压并在发光器件LED发光期间使第二晶体管TR2的栅极的电平保持恒定。
第一电容器电极ST1可以与第二晶体管TR2的第二栅极GE2形成为一体。因此，第一电容器电极ST1可以与第二晶体管TR2的第二栅极GE2和第一晶体管TR1的第一源极SE1电连接。
第二电容器电极可以隔着第一钝化层113配置在第一电容器电极ST1上。第二电容器电极ST2可以与第二晶体管TR2的第二源极SE2和第三晶体管TR3的第三源极SE3形成为一体。因此，第二电容器电极ST2可以与第二晶体管TR2和第三晶体管TR3电连接。
另一方面，与第一源极SE1、第一漏极DE1、第二源极SE2、第二漏极DE2、第三源极SE3、第三漏极DE3以及第二电容器电极ST2一起，在第一钝化层113上配置有复数个扫描布线SL。
复数个扫描布线SL是向复数个子像素SP分别传递扫描信号的布线。复数个扫描布线SL可以向各个子像素SP的第一晶体管TR1传递扫描信号。例如，复数个扫描布线SL分别可以沿行方向延伸，并可以向配置在同一行的复数个子像素SP传递扫描信号。
然后，第一平坦化层114可以配置在复数个扫描布线SL、复数个基准布线RL、复数个数据布线DL、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3以及存储电容器ST上。第一平坦化层114可以将配置有复数个晶体管的基板110的上部平坦化。第一平坦化层114可以构成为单一层或复数层，例如，可以由丙烯(acryl)类有机物质构成，但并不限定于此。
在第一平坦化层114上可以配置有第二钝化层115。第二钝化层115作为保护第二钝化层115下部的构成并提高形成在第二钝化层115上的构成的附着力的绝缘层，可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单一层或复数层构成，但并不限定于此。
在第二钝化层115上可以配置有高电位电源布线VDD的第二层VDD2、复数个组装布线120中的复数个第一组装布线121以及连接电极CE。
首先，复数个组装布线120可以是在制造显示装置100时产生用于对齐复数个发光器件LED的电场，并在驱动显示装置100时向复数个发光器件LED供应低电位电源电压的布线。因此，组装布线120可以被称为低电位电源布线。复数个组装布线120可以沿配置在同一线上的复数个子像素SP按列方向配置。复数个组装布线120可以配置为与在同一列上配置的复数个子像素SP重叠。例如，在配置于同一列的红色子像素SPR可以配置有一个第一组装布线121和第二组装布线122，在绿色子像素SPG可以配置有一个第一组装布线121和第二组装布线122，在蓝色子像素SPB可以配置有一个第一组装布线121和第二组装布线122。
复数个组装布线120包括复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122。当驱动显示装置100时，可以对复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122以交流的方式施加低电位电压。复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122可以交替配置。并且，在各个子像素SP中，一个第一组装布线121和一个第二组装布线122可以彼此相邻配置。
复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122可以由导电性物质，例如，铜(Cu)和铬(Cr)等物质构成，但并非局限于此。
复数个第一组装布线121可以包括第一导电层121a和第一包覆层121b。第一导电层121a可以配置在第二钝化层115上。第一包覆层121b可以与第一导电层121a接触。例如，第一包覆层121b可以配置为覆盖第一导电层121a的顶面和侧面。并且，第一导电层121a可以具有比第一包覆层121b更厚的厚度。
第一包覆层121b由相比于第一导电层121a更加耐腐蚀的物质构成，从而能够在制造显示装置100时，因第一组装布线121的第一导电层121a和第二组装布线122的第二导电层122a之间的迁移(migration)导致的短路不良最小化。例如，第一包覆层121b可以由钼(Mo)、钼钛(MoTi)等构成，但并非局限于此。
高电位电源布线VDD的第二层VDD2配置在第二钝化层115上。第二层VDD2可以在各个子像素SP之间沿列方向延伸，并与第一层VDD1重叠。第一层VDD1和第二层VDD2可以通过设置于形成在第一层VDD1与第二层VDD2之间的绝缘层的连接孔来电连接。第二层VDD2可以由与第一组装布线121相同的物质和相同的工艺形成，但并非局限于此。
在各个子像素SP可以配置有连接电极CE。连接电极CE通过形成在第二钝化层115的连接孔与第二电容器电极ST2和第二晶体管TR2的第二源极SE2电连接。连接电极CE作为将发光器件LED和作为驱动晶体管的第二晶体管TR2电连接的电极，包括第一连接层CE1和第二连接层CE2。例如，第一连接层CE1可以在与第一组装布线121的第一导电层121a相同的层由相同的物质形成，第二连接层CE2可以在与第一包覆层121b相同的层由相同的物质形成。
然后，在第二层VDD2、第一组装布线121、连接电极CE上可以配置有第三钝化层116。第三钝化层116作为用于保护第三钝化层116下部的构成的绝缘层，可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单一层或复数层构成，但并不限定于此。另外，第三钝化层116可以起到在制造显示装置100时，用于防止因第一组装布线121与第二组装布线122之间的迁移而导致的短路不良的绝缘层的功能。对此，稍后参照图5a至图5f进行说明。
复数个组装布线120中的复数个第二组装布线122可以配置在第三钝化层116上。如上所述，复数个第二组装布线122中的每一个配置于在同一线上配置的复数个子像素SP，复数个第一组装布线121与复数个第二组装布线122可以彼此隔开配置。
各个第二组装布线122包括第二导电层122a和第二包覆层122b。第二导电层122a配置在第三钝化层116上。并且，第二包覆层122b可以与第二导电层122a接触而电连接。例如，第二包覆层122b可以配置为覆盖第二导电层122a的顶面和侧面。并且，第二导电层122a可以具有比第二包覆层122b更厚的厚度。
第二包覆层122b由相比于第二导电层122a更加耐腐蚀的物质构成，从而在制造显示装置100时，能够使因第一组装布线121与第二组装布线122之间的迁移导致的短路不良最小化。例如，第二包覆层122b可以由钼(Mo)、钼钛(MoTi)等构成，但并非局限于此。
然后，第二平坦化层117可以配置在复数个第二组装布线122上。第二平坦化层117可以构成为单一层或复数层，例如，可以由丙烯(acryl)类有机物质构成，但并不限定于此。
另一方面，第二平坦化层117可以包括供各个发光器件LED安装的复数个第一开口部117a和使各个连接电极CE露出的复数个第二开口部117b。
复数个第一开口部117a可以配置在各个子像素SP。此时，也可以在一个子像素SP配置一个以上的第一开口部117a。例如，一个子像素SP可以配置有一个第一开口部117a，也可以配置有两个第一开口部117a。
复数个第一开口部117a作为供复数个发光器件LED插入的部分，也可以被称为袋(pocket)。复数个第一开口部117a可以形成为与复数个组装布线120重叠。例如，一个第一开口部117a可以与在一个子像素SP彼此相邻配置的第一组装布线121和第二组装布线122重叠。
并且，复数个第二组装布线122的第二包覆层122b的一部分可以在第一开口部117a露出。相反，由于在第一开口部117a，第三钝化层116覆盖第一组装布线121全部，因此第一组装布线121虽然可能与第一开口部117a重叠，但不会向第一开口部117a露出。
在复数个子像素SP可以配置有复数个第二开口部117b。复数个第二开口部117b可以是使各个子像素SP的连接电极CE露出的部分。第二平坦化层117下方的连接电极CE可以在复数个第二开口部117b露出而与发光器件LED电连接，并向发光器件LED传递来自第二晶体管TR2的驱动电流。此时，第三钝化层116可以在与第二开口部117b重叠的区域设置连接孔，连接电极CE可以从第二平坦化层117和第三钝化层116露出。
在复数个第一开口部117a可以配置有复数个发光器件LED。复数个发光器件LED可以是利用电流来发光的发光器件LED。复数个发光器件LED可以包括发出红色光、绿色光、蓝色光等的发光器件LED，并通过它们的组合来实现包括白色的各种颜色的光。例如，发光器件LED可以是LED(Light Emitting Diode；发光二极管)或微型LED，但并不限定于此。
以下，假设复数个发光器件LED包括配置于红色子像素SPR的红色发光器件130、配置于绿色子像素SPG的绿色发光器件140、配置于蓝色子像素SPB的蓝色发光器件150来进行说明。但是，复数个发光器件LED也可以由发出同一颜色的光的发光器件LED构成，并使用从复数个发光器件LED发出的光转换为其他颜色的光的额外的光转换构件来显示各种颜色的图像，且并非局限于此。
复数个发光器件LED包括配置于红色子像素SPR的红色发光器件130、配置于绿色子像素SPG的绿色发光器件140以及配置于蓝色子像素SPB的蓝色发光器件150。红色发光器件130、绿色发光器件140以及蓝色发光器件150可以均包括第一半导体层，第二半导体层、第一电极以及第二电极。并且，红色发光器件130可以包括发出红色光的发光层，绿色发光器件140可以包括发出绿色光的发光层，蓝色发光器件150可以包括发出蓝色光的发光层。
参照图3，在配置于红色子像素SPR的红色发光器件130的第一半导体层131上可以配置有第二半导体层133。第一半导体层131和第二半导体层133可以是在特定的物质上涂布n型和p型的杂质而形成的层。例如，第一半导体层131和第二半导体层133可以包括AIInGaP(磷化铝铟镓)类半导体层，例如，可以是如磷化铟铝(InAlP)、砷化镓(GaAs)等物质上涂布p型或n型的杂质的层。并且，p型的杂质可以是镁(Mg)、锌(Zn)、铍(Be)等，n型的杂质可以是硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)等，但并不限定于此。
在第一半导体层131与第二半导体层133之间配置有发出红色光的发光层132。发光层132可以从第一半导体层131和第二半导体层133接收空穴和电子来发光。发光层132可以以单层或多量子阱(Multi-Quantum Well，MQW)结构构成。
所述发光层132可以将注入的电能转换为具有约570nm至约630nm范围内的特定波长的光。特定波长的变化被发光二极管具有的带隙的大小左右，带隙大小可以通过改变Al和Ga的成分比来进行调节，例如，随着增加Al的成分比，波长会变短。
在第一半导体层131的底面可以配置有第一电极134，在第二半导体层133的顶面可以配置有第二电极135。第一电极134是与在第一开口部117a露出的第二组装布线122接合的电极，第二电极135是将后述的像素电极PE与第二半导体层133电连接的电极。第一电极134和第二电极135可以由导电性物质形成。
此时，为了将第一电极134接合在第二组装布线122上，第一电极134可以由共晶金属(eutectic metal)构成。例如，第一电极134可以由锡(Sn)、铟(In)、锌(Zn)、铅(Pb)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铜(Cu)等构成，但并不限定于此。
并且，绿色发光器件140和蓝色发光器件150均可以形成为与红色发光器件130相同或相似的结构。例如，绿色发光器件140可以包括第一电极、第一电极上的第一半导体层、第一半导体层上的绿色发光层、绿色发光层上的第二半导体层、第二半导体层上的第二电极。蓝色发光器件也包括第一电极、第一半导体层、蓝色发光层、第二半导体层以及第二电极依次层叠的结构。
但是，所述绿色发光器件140和蓝色发光器件150可以由选自由GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、AlN、GaAs、AlGaAs、InP以及它们的混合物组成的群中的化合物形成，但并不限定于此。
另一方面，虽然并未图示，但可以配置有包围各个发光器件LED的一部分的绝缘层。具体而言，绝缘层可以覆盖复数个发光器件LED的外侧面中的至少一个的发光器件LED的侧面。通过在发光器件LED形成绝缘层来保护发光器件LED，从而能够防止在形成第一电极134和第二电极135时第一半导体层131与第二半导体层133电短路。
然后，第三平坦化层118可以配置在复数个发光器件LED上。第三平坦化层118可以使配置有复数个发光器件LED的基板110上部平坦化，复数个发光器件LED可以利用第三平坦化层118稳定地固定于第一开口部117a。第三平坦化层118可以构成为单一层或复数层，例如，可以由丙烯(acryl)类有机物质构成，但并不限定于此。
像素电极PE可以配置在第三平坦化层118上。像素电极PE可以是用于使复数个发光器件LED与连接电极CE电连接的电极。像素电极PE可以通过形成在第三平坦化层118的连接孔与第一开口部117a的发光器件LED和第二开口部117b的连接电极CE电连接。因此，通过像素电极PE，可以使发光器件LED的第二电极135、连接电极CE以及第二晶体管TR2电连接。
同时参照图2和图4，复数个组装布线连接图案120P可以配置在第三平坦化层118上。复数个组装布线连接图案120P可以是将复数个第一组装布线121与复数个第二组装布线122彼此电连接的图案。组装布线连接图案120P可以配置于各个子像素SP，并可以与彼此相邻的第一组装布线121和第二组装布线122连接。
例如，在一个红色子像素SPR配置有一个组装布线连接图案120P，组装布线连接图案120P的一端可以通过形成在第三平坦化层118、第二平坦化层117以及第三钝化层116的连接孔与红色子像素SPR的第一组装布线121连接，组装布线连接图案120P的另一端可以通过形成在第三平坦化层118、第二平坦化层117的连接孔与红色子像素SPR的第二组装布线122连接。此时，组装布线连接图案120P可以配置在各个子像素SP中没有配置像素电极PE的区域。
通过组装布线连接图案120P，可以使第一组装布线121与第二组装布线122具有相同的电位。即，第一组装布线121、第二组装布线122以及组装布线连接图案120P可以均被施加低电位交流电压。此时，通过组装布线连接图案120P将彼此相邻的两个组装布线120连接，具有能够改善在第一组装布线121和第二组装布线122的电阻，并能够减少电压下降现象的技术效果。
高电位电源布线VDD的第三层VDD3可以配置在第三平坦化层118上。第三层VDD3可以使配置于另一列的第一层VDD1和第二层VDD2电连接。例如，第三层VDD3可以在复数个子像素SP之间沿行方向延伸，并可以使沿列方向延伸的高电位电源布线VDD的复数个第二层VDD2彼此电连接。并且，随着复数个高电位电源布线VDD通过第三层VDD3以网格形态连接，具有能够减少电压下降现象的技术效果。
黑矩阵BM可以配置在第三平坦化层118上。黑矩阵BM可以配置在第三平坦化层118上的复数个子像素SP之间。黑矩阵BM可以减少复数个子像素SP之间的混色。黑矩阵BM可以由不透明的物质构成，例如，可以由黑色树脂(black resin)构成，但并非局限于此。
在像素电极PE、第三平坦化层118、黑矩阵BM上配置有保护层119。保护层119作为用于保护保护层119下方的构成的层，可以由透光性环氧树脂、硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单一层或复数层构成，但并不限定于此。
另一方面，在第一开口部117a，复数个第一组装布线121与复数个发光器件LED隔开，仅复数个第二组装布线122可以与复数个发光器件LED连接。在显示装置100的制造过程中，为了防止复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122均与复数个发光器件LED接触而产生的不良，可以在复数个第一组装布线121上形成第三钝化层116，仅复数个第二组装布线122连接复数个发光器件LED。
以下，参照图5a至图5f，对实施例的显示装置100的制造方法详细说明。
图5a至图5f是用于说明实施例的显示装置的制造方法的工艺图。图5a和图5b是用于说明使复数个发光器件LED自组装到第一开口部117a的工艺的工艺图。图5c是使用于复数个发光器件LED的自组装的母基板10的缩略俯视图。图5d是简略示出复数个组装布线120和组装焊盘PD的电连接关系的图。图5e是将复数个发光器件LED的自组装完毕后的母基板10划片而形成的复数个基板110的缩略俯视图。图5f是针对图5e的X区域的缩略剖视图。
参照图5a，将发光器件LED投入到充满流体WT的腔室CB。流体WT可以包括水等，充满流体WT的腔室CB可以是上部被打开的形状。
然后，可以在填充有发光器件LED的腔室CB上设置母基板10。母基板10作为由构成显示装置100的复数个基板110构成的基板，在复数个发光器件LED自组装时，可以使用连复数个组装布线120和第二平坦化层117都形成的母基板10。
并且，将连第一组装布线121、第二组装布线122以及第二平坦化层117都形成的母基板10设置于腔室CB上，或投入到腔室CB内。此时，可以将母基板10设置成第二平坦化层117的第一开口部117a与流体WT面向彼此。
然后，在母基板10上可以设置有磁铁MG。沉到腔室CB的底面或浮游的发光器件LED可以利用磁铁MG的磁力向母基板10侧移动。
此时，发光器件LED可以包括磁体，以利用磁场来移动。例如，发光器件LED的第一电极134或第二电极135可以包括如铁、钴或镍的强磁体物质。
然后，利用磁铁MG朝第二平坦化层117侧移动的发光器件LED可以利用由第一组装布线121和第二组装布线122形成的电场自组装到第一开口部117a。
在复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122可以通过被施加交流电压来形成电场。利用这样的电场，发光器件LED可以被电介质极化而具有极性。并且，被电介质极化的发光器件LED可以通过介电泳(Dielectrophoresis，DEP)，即，通过电场朝特定方向移动或被固定。因此，可以利用介电泳使复数个发光器件LED固定在第二平坦化层117的第一开口部117a内。
然后，在利用复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122的电场使发光器件LED固定在第一开口部117a内的状态下，可以将母基板10翻转180°。在实施例中，可以在对复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122施加电压的状态下，翻转母基板10并进行后续工艺。
并且，在发光器件LED的第一电极134位于第二组装布线122上的状态下，可以通过对发光器件LED施加热和压力，使发光器件LED接合于第二组装布线122。例如，发光器件LED的第一电极134可以通过共晶键合(eutectic bonding)与第二组装布线122接合。共晶键合作为利用在高温下的热压的接合方式，是非常牢固且可靠性非常高的接合工艺中的一种。共晶键合方式不仅能够实现高接合强度，还具有不需要从外部涂布额外的粘合物的优点。但是，复数个发光器件LED的接合方式除共晶键合外，可以多样地构成，且并不限定于此。
另一方面，复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122虽然在制造显示装置100时被施加彼此不同的电压，但在驱动显示装置100时可以被施加相同的电压。为此，在制造显示装置100时，复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122可以与彼此不同的组装焊盘PD连接，并被施加彼此不同的电压。
与此关联并参照图5c，在制造显示装置100时，在母基板10状态下，复数个基板110上的组装布线120可以与复数个基板110外侧的组装焊盘PD连接。具体而言，在母基板10上，与构成显示装置100的复数个基板110一起配置有复数个组装焊盘PD和复数个组装布线连接部PL。
复数个组装焊盘PD作为用于对复数个组装布线120施加电压的焊盘，可以与配置在构成母基板10的各个基板110的复数个组装布线120电连接。复数个组装焊盘PD可以在母基板10，形成在显示装置100的基板110外侧，当显示装置100的制造工艺完毕时，可以与显示装置100的基板110分离。例如，在母基板10上形成有两个基板110的情况下，可以将配置在每个基板110上的复数个第一组装布线121与一个组装焊盘PD连接，将复数个第二组装布线122与另一组装焊盘PD连接。
因此，将母基板10设置于投入了复数个发光器件LED的腔室CB后，可以通过复数个组装焊盘PD对复数个组装布线120施加交流电压来形成电场，从而能够将复数个发光器件LED容易地自组装到第二平坦化层117的第一开口部117a。
另一方面，在按复数个子像素SP自组装复数个发光器件LED的情况下，可以将配置于复数个红色子像素SPR的复数个组装布线120、配置于复数个绿色子像素SPG的复数个组装布线120、配置于复数个蓝色子像素SPB的复数个组装布线120连接到彼此不同的组装焊盘PD。
在此情况下，复数个组装焊盘PD可以包括第一组装焊盘PD1、第二组装焊盘PD2、第三组装焊盘PD3、第四组装焊盘PD4、第五组装焊盘PD5以及第六组装焊盘PD6。
第一组装焊盘PD1是用于对配置于母基板10上的复数个红色子像素SPR的复数个第一组装布线121施加电压的焊盘。第四组装焊盘PD4是用于对配置于母基板10上的复数个红色子像素SPR的复数个第二组装布线122施加电压的焊盘。
第二组装焊盘PD2是用于对配置于母基板10上的复数个绿色子像素SPG的复数个第一组装布线121施加电压的焊盘。第五组装焊盘PD5是用于对配置于母基板10上的复数个绿色子像素SPG的复数个第二组装布线122施加电压的焊盘。
第三组装焊盘PD3是用于对配置于母基板10上的复数个蓝色子像素SPB的复数个第一组装布线121施加电压的焊盘。第六组装焊盘PD6是用于对配置于母基板10上的复数个蓝色子像素SPB的复数个第二组装布线122施加电压的焊盘。
通过这样的复数个组装焊盘PD，能够仅在复数个子像素SP中的特定子像素SP有选择地自组装发光器件LED。例如，仅在复数个红色子像素SPR自组装发光器件LED的情况下，能够通过第一组装焊盘PD1和第四组装焊盘PD4仅对配置于复数个红色子像素SPR的复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122施加电压。
组装布线连接部PL是连接各个基板110上的复数个组装布线120和复数个组装焊盘PD的布线。组装布线连接部PL的一端可以与复数个组装焊盘PD连接，另一端可以朝复数个基板110上延伸，而与复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122电连接。组装布线连接部PL包括第一连接部PL1、第二连接部PL2、第三连接部PL3、第四连接部PL4、第五连接部PL5以及第六连接部PL6。
第一连接部PL1是将配置于母基板10上的复数个红色子像素SPR的第一组装布线121与第一组装焊盘PD1电连接的布线。第四连接部PL4是将配置于母基板10上的复数个红色子像素SPR的第二组装布线122与第四组装焊盘PD4电连接的布线。例如，第一连接部PL1的另一端朝各个基板110延伸，从而能够与配置在各个基板110的红色子像素SPR的复数个第一组装布线121电连接。例如，第四连接部PL4的另一端朝各个基板110延伸，从而能够与配置在各个基板110的红色子像素SPR的复数个第二组装布线122电连接。
第二连接部PL2是将配置于母基板10上的复数个绿色子像素SPG的第一组装布线121与第二组装焊盘PD2电连接的布线。第五连接部PL5是将配置于母基板10上的复数个绿色子像素SPG的第二组装布线122与第五组装焊盘PD5电连接的布线。
第三连接部PL3是将配置于母基板10上的复数个蓝色子像素SPB的第一组装布线121与第三组装焊盘PD3电连接的布线。第六连接部PL6是将配置于母基板10上的复数个蓝色子像素SPB的第二组装布线122与第六组装焊盘PD6电连接的布线。
此时，将配置在一个基板110上的复数个第一组装布线121连接为一个，将复数个第二组装布线122也连接为一个，使复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122分别能够与组装布线连接部PL容易地连接。
例如，参照图5d，在一个基板110，配置于复数个红色子像素SPR的第一组装布线121可以在基板110的非显示区域NA通过连接布线LL连接为一个，配置于复数个红色子像素SPR的第二组装布线122也可以在基板110的非显示区域NA通过连接布线LL连接为一个。
在此情况下，可以不将配置在一个基板110上的复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122分别单独与组装布线连接部PL连接，而是在非显示区域NA，将复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122分别连接为一个的连接布线LL和组装布线连接部PL连接，从而能够对复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122容易地施加用于发光器件LED的自组装的电压。
另一方面，组装布线连接部PL也可以以与复数个组装布线120相同的物质和相同的工艺形成，也可以以彼此不同的物质和工艺形成。另外，组装布线连接部PL可以是单层结构，也可以是多层结构，但并不限定于此。
另外，图5c和图5d所示的组装布线连接部PL和组装焊盘PD是例示性的，可以根据组装布线连接部PL和组装焊盘PD的配置和形状、自组装工艺次数或顺序、复数个子像素SP的设计而不同。
然后，参照图5e和图5f，在复数个发光器件LED的自组装工艺完毕后，可以沿划线SCL切割母基板10而分离成复数个基板110。并且，在切割母基板10的情况下，可能切割在基板110的边缘连接复数个组装布线120和复数个组装焊盘PD的组装布线连接部PL的一部分。因此，能够从基板110的切断面确认组装布线连接部PL的切断面。
例如，在图5e的X区域中，可以确认到基板110的截面、为了在基板110上形成驱动电路或复数个布线而配置的复数个绝缘层IL的截面、以及配置在复数个绝缘层IL之间的组装布线连接部PL的截面。可以在复数个绝缘层IL之间确认到连接复数个红色子像素SPR的第一组装布线121的第一连接部PL1、连接复数个绿色子像素SPG的第一组装布线121的第二连接部PL2、以及连接复数个蓝色子像素SPB的第一组装布线121的第三连接部PL3的切断面。
然后，在切割母基板10并分离成复数个基板110后，通过将复数个第一组装布线121连接为一个的连接布线LL和将复数个第二组装布线122连接为一个的连接布线LL，能够容易地对复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122施加相同的电压。例如，在驱动显示装置100时，通过在非显示区域NA将复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122分别连接为一个的连接布线LL与驱动IC连接，能够对复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122施加电压。
在实施例的显示装置100中，可以将用于复数个发光器件LED的自组装的复数个组装布线120中的至少一部分作为对复数个发光器件LED施加低电位电源电压的布线来使用。
在制造显示装置100时，可以利用磁场将浮游在流体WT内的复数个发光器件LED移动到靠近母基板10。然后，可以通过对复数个第一组装布线121和复数个第二组装布线122施加彼此不同的电压来形成电场，复数个发光器件LED可以利用电场自组装到复数个第一开口部117a内。
此时，代替单独形成供应低电位电压的布线并将其与自组装的复数个发光器件LED连接，通过将发光器件LED的第一电极134与在第一开口部117a内露出一部分的第二组装布线122接合，在驱动显示装置100时，能够将复数个组装布线120作为对复数个发光器件LED供应低电位电压的布线来使用。
因此，实施例的显示装置100具有不仅能够将复数个组装布线120使用于复数个发光器件LED的自组装，也能够将复数个组装布线120作为用于复数个发光器件LED的驱动的布线来使用的技术效果。
在实施例的显示装置100中，复数个组装布线120包括包覆层，从而能够减少复数个组装布线120的腐蚀或短路不良。复数个第一组装布线121可以包括第一导电层121a和包围第一导电层121a并相比于第一导电层121a更加耐腐蚀的第一包覆层121b。
另外，复数个第二组装布线122可以包括第二导电层122a和包围第二导电层122a并相比于第二导电层122a更加耐腐蚀的第二包覆层122b。在制造显示装置100时，通过将形成复数个组装布线120的母基板10设置于流体WT内，能够自组装复数个发光器件LED。
在此情况下，由于第一导电层121a和/或第二导电层122a暴露在流体WT内导致组装布线120可能被腐蚀，从而可能发生短路不良。因此，可以利用第二钝化层115和第一包覆层121b来包围复数个第一组装布线121的第一导电层121a，可以利用第三钝化层116和第二包覆层122b来包围复数个第二组装布线122的第二导电层122a。
因此，复数个组装布线120以包括第一包覆层121b和第二包覆层122b的结构形成，而具有能够提高复数个组装布线120的可靠性的技术效果。
在实施例的显示装置中，能够通过形成组装布线连接图案120P来改善复数个组装布线120的电阻。具体而言，在各个子像素SP配置有组装布线连接图案120P。
组装布线连接图案120P可以使配置于一个子像素的第一组装布线121与第二组装布线122电连接，并可以使第一组装布线121、第二组装布线122以及组装布线连接图案120P具有相同的电位。随着向复数个发光器件LED传递低电位电源电压的第二组装布线122与组装布线连接图案120P和第一组装布线121连接，能够改善组装布线120的电阻，具有能够改善在组装布线120的电压下降现象的技术效果。
因此，在实施例的显示装置100中，通过形成使第一组装布线121与第二组装布线122电连接的组装布线连接图案120P，具有能够改善组装布线120的电阻，并减少耗电的技术效果。
图6是第二实施例的显示装置的剖视图。图7是图6的VII-VII′的剖视图。图6和图7中的显示装置600相比于图1至图4中的显示装置100，仅在组装布线连接图案620P存在不同，而其他构成实质上相同，因此省略重复说明。
参照图6，配置在各个子像素SP的组装布线连接图案620P可以彼此连接。配置在彼此相邻的子像素SP的组装布线连接图案620P可以彼此连接而构成为一体。组装布线连接图案620P可以如扫描布线SL沿行方向延伸，并可以配置为横穿配置在同一行的子像素SP。
利用组装布线连接图案620P可以使配置于复数个子像素SP的第一组装布线121和第二组装布线122彼此电连接。例如，在配置于同一行的红色子像素SPR、绿色子像素SPG以及蓝色子像素SPB中的每一个中设置的第一组装布线121和第二组装布线122均可以利用一个组装布线连接图案620P进行电连接。
另外，在第二实施例的显示装置600中，形成使配置于复数个子像素SP的组装布线120电连接的组装布线连接图案620P，从而具有能够改善电压下降现象的技术效果。
配置于子像素SP的组装布线连接图案620P可以彼此连接。即，配置于复数个子像素SP的组装布线连接图案620P可以构成为一体。此时，组装布线连接图案620P可以与配置在子像素SP的第一组装布线121和第二组装布线122均电连接。
利用组装布线连接图案620P，可以使复数个组装布线120以网格形态连接。因此，在第二实施例的显示装置600中，形成使复数个组装布线120以网格形态连接的组装布线连接图案620P，具有能够改善在复数个组装布线120的根据电阻的电压下降现象的技术效果。
图8是第三实施例的显示装置200的剖视图。图8的显示装置200相比于图3的实施例的显示装置，仅在第一组装布线221和第二组装布线222存在不同，而其他构成实质相同，因此省略重复说明。
根据未公开的内部技术，自组装需要DEP力，但由于DEP力的均匀控制困难，所以在利用自组装进行组装时，会发生发光器件在组装孔内朝非准确位置的位置偏向或倾斜的问题。
另外，由于发光器件的偏向或倾斜，在电接触工艺中，存在因电接触特性下降导致点亮率下降的问题。
因此，根据未公开的内部技术，虽然自组装需要DEP力，但在利用DEP力的情况下，面临因半导体发光器件的偏向现象导致电接触特性下降的技术矛盾。
例如，根据内部技术的组装电极结构在第一组装电极与第二组装电极之间设置有作为绝缘膜的钝化层，并在两者中仅有一个暴露的状态下，进行自组装。但是，由于组装电极结构非对称，所以电场分布也形成为非对称，因此在组装半导体发光器件时，可能朝一侧倾斜，暴露在绝缘膜的组装电极与发光器件的接合金属之间的接合面积小，从而存在随着发光芯片成为小型化而更难施加信号的难题。
参照图8，第一组装布线221可以配置在第二钝化层115内，第二组装布线222可以配置在第三钝化层116内。并且，第二组装布线222的一部分可以与发光器件LED接触。
另外，第一组装布线221和第二组装布线222各自的一部分可以在垂直方向上重叠，并可以在水平方向上非常接近。
此时，第一组装布线221和第二组装布线222可以不位于同一平面上。另外，第二组装布线222可以延伸配置为超过供发光器件LED组装的组装孔的中央HC。
在此情况下，即使因电场的不均匀性而产生发光器件LED的偏向现象，第二组装布线222也可以与发光器件LED的底面接触，具有能够通过充分地确保第二组装布线222与发光器件LED的接触面积来确保电可靠性的技术效果。
另外，第二组装布线222可以支撑发光器件LED。另外，由于第一组装布线221和第二组装布线222不在水平方向上重叠且彼此不接触，所以不会产生电短路。
图9是第四实施例的显示装置300的剖视图。图9中的显示装置300相比于图3中的实施例的显示装置，仅在组装布线存在不同，而其他构成实质相同，因此省略重复说明。
参照图9，复数个第一组装布线321的第一包覆层321b可以从第一导电层321a朝第二组装布线322方向延伸。另外，复数个第二组装布线322的第二包覆层322b可以从第二导电层322a朝第一组装布线321方向延伸。
在第四实施例中，第一包覆层321b和第二包覆层322b可以配置为在中间隔着第三钝化层116，沿上下重叠。
另一方面，在第二包覆层322b与发光器件LED和第一包覆层321b重叠的区域可以设置有规定的电极孔323。电极孔323的尺寸可以小于发光器件LED的尺寸。
另外，在第一包覆层321b和第二包覆层322b可以通过施加交流电压而形成电场。
利用这样的电场的DEP力可以集中在设置于第二包覆层322b内的电极孔323。
利用集中的介电泳力(DEP力)，发光器件LED可以自组装到第一开口部117a内。
由于复数个组装布线321、322竖直重叠，具有强化针对发光器件LED的组装力的技术效果。不仅如此，第一开口部117a不与第一导电层321a和第二导电层322a竖直重叠，具有能够减少面板的厚度的技术效果。
另一方面，第二包覆层322b可以配置在发光器件LED的下方。
另外，第二包覆层322b可以与发光器件LED的第一电极134接触。
因此，随着第二包覆层322b配置在发光器件LED的第一电极134的底面，发光器件LED被均匀地支撑，从而能够通过确保彼此之间的较宽的电接触面积，来提高载流子的注入效率，提高发光效率并提高亮度的复合型技术效果。
上述的实施例的包括半导体发光器件的显示装置可以具有能够将自组装布线作为用于发光器件的驱动的布线来使用的技术效果。
此外，实施例具有能够通过改善复数个组装布线的结构，使在发光器件的自组装或接合时产生的不良最小化的技术效果。
此外，实施例具有能够使复数个组装布线的腐蚀和短路不良最小化的技术效果。
例如，能够利用强耐腐蚀性的包覆层来预防导电层的腐蚀。
此外，实施例具有能够改善复数个组装布线的电阻的技术效果。
例如，利用组装布线连接图案将复数个组装布线连接，从而能够使每个组装布线获得相同的电位并改善电阻。
此外，实施例具有将复数个组装布线配置为垂直型对称结构，从而能够强化发光器件的组装力的技术效果。
此外，实施例能够通过一个组装布线支撑发光器件来解决发光器件的偏向问题。
此外，实施例能够通过将第一组装布线和第二组装布线配置为上下间重叠，在均匀地支撑发光器件的同时，确保较宽的组装布线与发光器件的电极层的电接触面积，从而提高载流子的注入效率，提高发光效率并提高亮度的复合型技术效果。
所述详细说明应在所有方面视为示例性解释而非限制性。实施例的范围应由所附的权利要求的合理解释来决定，实施例的等同范围内的所有变更应包括在实施例的范围内。
附图标记说明
10：母基板
AA：显示区域
NA：非显示区域
SP：子像素
SPR：红色子像素
SPG：绿色子像素
SPB：蓝色子像素
100、200、300、500、600、700、800：显示装置
110：基板
111：缓冲层
112：栅极绝缘层
113：第一钝化层
114：第一平坦化层
115：第二钝化层
116：第三钝化层
117：第二平坦化层
117a：第一开口部
117b：第二开口部
118：第三平坦化层
119：保护层
120、220、320：组装布线
121、221、321：第一组装布线
121a、221a、321a：第一导电层
121b、221b、321b：第一包覆层
122、222、322：第二组装布线
122a、222a、322a：第二导电层
122b、222b、322b：第二包覆层
323：电极孔
HC：组装孔的中央
LED：发光器件
130：红色发光器件
131：第一半导体层
132：发光层
133：第二半导体层
134：第一电极
135：第二电极
140：绿色发光器件
150：蓝色发光器件
LS：遮光层
SL：扫描布线
DL：数据布线
RL：基准布线
VDD：高电位电源布线
VDD1：第一层
VDD2：第二层
VDD3：第三层
TR1：第一晶体管
ACT1：第一活性层
GE1：第一栅极
SE1：第一源极
DE1：第一漏极
TR2：第二晶体管
ACT2：第二活性层
GE2：第二栅极
SE2：第二源极
DE2：第二漏极
TR3：第三晶体管
ACT3：第三活性层
GE3：第三栅极
SE3：第三源极
DE3：第三漏极
ST：存储电容器
ST1：第一电容器电极
ST2：第二电容器电极
CE：连接电极
CE1：第一连接层
CE2：第二连接层
PE：像素电极
BM：黑矩阵
CB：腔室
WT：流体
MG：磁铁
PD：组装焊盘
PD1：第一组装焊盘
PD2：第二组装焊盘
PD3：第三组装焊盘
PD4：第四组装焊盘
PD5：第五组装焊盘
PD6：第六组装焊盘
PL：组装布线连接部
PL1：第一连接部
PL2：第二连接部
PL3：第三连接部
PL4：第四连接部
PL5：第五连接部
PL6：第六连接部
LL：连接布线
SCL：划线
IL：复数个绝缘层
工业实用性
实施例可以适用于显示图像或信息的显示器领域。
实施例可以适用于利用半导体发光器件来显示图像或信息的显示器领域。
实施例可以适用于利用微型或纳米级半导体发光器件来显示图像或信息的显示器领域。

Claims (18)

1.一种包括半导体发光器件的显示装置，其中，包括：
基板；
第一组装布线和第二组装布线，在所述基板上交替配置且彼此隔开；
平坦化层，配置在所述第一组装布线和所述第二组装布线上，并具有第一开口部；
半导体发光器件，配置在所述第一开口部的内侧，其第一电极重叠于所述第一组装布线和所述第二组装布线；以及
组装布线连接图案，与所述第一开口部隔开，将所述第一组装布线和所述第二组装布线电连接；
所述第一电极与所述第一组装布线和所述第二组装布线中的一个电连接。
2.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装布线和所述第二组装布线沿列方向延伸；
所述组装布线连接图案沿行方向延伸，将所述第一组装布线和所述第二组装布线中的彼此相邻的第一组装布线和第二组装布线电连接。
3.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
在所述第一开口部内，所述第一组装布线与所述第一电极分离，所述第二组装布线与所述第一电极接触。
4.根据权利要求3所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装布线通过所述组装布线连接图案和所述第二组装布线与所述第一电极电连接。
5.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
还包括覆盖所述第一组装布线的绝缘层；
所述组装布线连接图案通过所述平坦化层和所述绝缘层的连接孔与所述第一组装布线接触，并通过所述平坦化层的连接孔与所述第二组装布线接触。
6.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
还包括配置于所述半导体发光器件和所述平坦化层的像素电极；
所述像素电极与所述组装布线连接图案配置在同一平面上。
7.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装布线、所述第二组装布线以及所述组装布线连接图案具有相同的电位。
8.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第二组装布线延伸配置为超过组装孔的中央，并配置在与所述第一组装布线不同的平面上。
9.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装布线与所述第二组装布线竖直重叠；
所述第二组装布线在与所述第一组装布线竖直重叠的区域包括电极孔。
10.一种包括半导体发光器件的显示装置，其中，包括：
基板，定义了复数个子像素；
第一组装布线，沿所述复数个子像素中的配置在同一列的复数个子像素配置；
第二组装布线，沿所述复数个子像素中的配置在同一列的复数个子像素配置，并与所述第一组装布线分别相邻配置；
平坦化层，包括与所述第一组装布线和所述第二组装布线重叠的第一开口部；
半导体发光器件，在所述复数个子像素中分别配置在所述第一开口部，并与所述第二组装布线电连接；以及
组装布线连接图案，配置在所述平坦化层上，并与所述第一组装布线和所述第二组装布线电连接。
11.根据权利要求10所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装布线通过所述组装布线连接图案和所述第二组装布线与所述半导体发光器件电连接；
在所述第一开口部，所述第一组装布线与所述半导体发光器件隔开。
12.根据权利要求10所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述组装布线连接图案将所述第一组装布线和所述第二组装布线中的配置在一个子像素的第一组装布线和第二组装布线电连接。
13.根据权利要求10所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述组装布线连接图案沿所述复数个子像素中的配置在同一行的复数个子像素配置，将所述第一组装布线和所述第二组装布线电连接。
14.根据权利要求13所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装布线、所述第二组装布线以及所述组装布线连接图案构成网格形态。
15.根据权利要求10所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第二组装布线延伸配置为超过组装孔的中央。
16.根据权利要求15所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第二组装布线与所述第一组装布线配置在不同的平面上。
17.根据权利要求10所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装布线与所述第二组装布线竖直重叠。
18.根据权利要求17所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第二组装布线在与所述第一组装布线竖直重叠的区域包括电极孔。
CN202280026036.XA 2021-03-31 2022-03-31 包括半导体发光器件的显示装置 Pending CN117099203A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0042252 2021-03-31
KR20210042252 2021-03-31
PCT/KR2022/004650 WO2022211549A1 (ko) 2021-03-31 2022-03-31 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117099203A true CN117099203A (zh) 2023-11-21

Family

ID=83459727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280026036.XA Pending CN117099203A (zh) 2021-03-31 2022-03-31 包括半导体发光器件的显示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20240186473A1 (zh)
EP (1) EP4318583A1 (zh)
KR (1) KR20230162637A (zh)
CN (1) CN117099203A (zh)
WO (1) WO2022211549A1 (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101814104B1 (ko) * 2016-01-14 2018-01-04 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리 및 이의 제조방법
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
KR20210018591A (ko) * 2019-08-06 2021-02-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20190106885A (ko) * 2019-08-28 2019-09-18 엘지전자 주식회사 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20200026845A (ko) * 2020-02-20 2020-03-11 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP4318583A1 (en) 2024-02-07
WO2022211549A1 (ko) 2022-10-06
US20240186473A1 (en) 2024-06-06
KR20230162637A (ko) 2023-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9825067B2 (en) Display device using semiconductor light emitting device
US11239215B2 (en) Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
KR20190097946A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
US20220278260A1 (en) Display apparatus using semiconductor light emitting device
KR102433358B1 (ko) 표시 장치
EP4318583A1 (en) Display device comprising semiconductor light emitting element
EP4318587A1 (en) Display device comprising semiconductor light-emitting diode
EP4379805A1 (en) Display device comprising semiconductor light emitting element
EP4325569A1 (en) Display device comprising semiconductor light-emitting element
EP4365950A1 (en) Display device comprising semiconductor light-emitting element
KR20240105462A (ko) 반도체 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치
EP4376086A1 (en) Display device comprising semiconductor light-emitting element
KR20240107137A (ko) 반도체 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치
KR20240104165A (ko) 반도체 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치
KR20240090766A (ko) 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN118339657A (zh) 包括半导体发光器件的显示装置
EP4376087A1 (en) Light emitting device and display apparatus comprising the same
US20240178351A1 (en) Display device
US20240222559A1 (en) Light emitting element and display device including the same
US20240178361A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
EP4398305A1 (en) Display device comprising semiconductor light-emitting elements and method for manufacturing same
CN118281132A (zh) 发光元件和包括该发光元件的显示装置
KR20240090349A (ko) 반도체 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치
CN118263258A (zh) 显示装置
CN118302869A (zh) 包括半导体发光器件的显示装置以及其的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination