CN117082906A - 显示装置 - Google Patents

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CN117082906A CN202310525983.XA CN202310525983A CN117082906A CN 117082906 A CN117082906 A CN 117082906A CN 202310525983 A CN202310525983 A CN 202310525983A CN 117082906 A CN117082906 A CN 117082906A
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李德珍
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郑又硕
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Abstract

本发明提供了一种显示装置，其具备：显示面板，包括显示元件和布置在显示元件上的薄膜封装层；偏振膜，布置在显示面板上，并包括偏振层、相位延迟层和相位补偿层，其中，相位补偿层的厚度方向相位差CRth满足数学式：CRth＝‑((Re×sin2(2θ)×NZ)/2+ARth)，其中Re是(Ne‑No)×d，θ是相位延迟层的慢轴和偏振层的透射轴之间的夹角，NZ是(Nx‑Nz)/(Nx‑Ny)，ARth是显示面板的厚度方向相位差，Ne是相位延迟层的非寻常方向折射率，No是相位延迟层的寻常方向折射率，Nx是相位延迟层的x方向折射率，Ny是相位延迟层的y方向折射率，Nz是相位延迟层的z方向折射率，且d是相位延迟层的厚度。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置作为实现图像的装置，包括液晶显示装置(LCD)、有机发光显示装置(OLED)、电泳显示装置(EPD)等。这类显示装置引入了偏振膜以防止从外部入射的光从显示装置反射。
发明内容
解决的技术问题
本发明的示例性实施例可以提供一种具有优异的抗反射特性的显示装置。然而，该技术问题仅仅是示例性的，本发明的范围不限于此。
解决方法
根据本发明的一方面，提供了一种显示装置，该显示装置具备：显示面板，包括显示元件和布置在显示元件上的薄膜封装层；以及偏振膜，布置在显示面板上，并包括偏振层、相位延迟层和相位补偿层，其中，相位补偿层的厚度方向相位差CRth满足以下数学式：CRth＝-((Re×sin2(2θ)×NZ)/2+ARth)，其中，Re是(Ne-No)×d，θ是相位延迟层的慢轴和偏振层的透射轴之间的夹角，NZ是(Nx-Nz)/(Nx-Ny)，ARth是显示面板的厚度方向相位差，Ne是相位延迟层的非寻常方向折射率，No是相位延迟层的寻常方向折射率，Nx是相位延迟层的x方向折射率，Ny是相位延迟层的y方向折射率，Nz是相位延迟层的z方向折射率，以及d是相位延迟层的厚度。
在本实施例中，θ可以在35°至55°的范围内。
在本实施例中，在550nm的波长下，Re可以在132nm至152nm的范围内。
在本实施例中，ARth可以在-60nm至+10nm的范围内。
在本实施例中，在550nm的波长下的Re(550)和在450nm的波长下的Re(450)可以满足以下数学式：0.8≤Re(450)/Re(550)≤1。
在本实施例中，在650nm的波长下的Re(650)和在550nm的波长下的Re(550)可以满足以下数学式：1≤Re(650)/Re(550)≤1.2。
在本实施例中，相位补偿层可以布置在显示面板上，相位延迟层可以布置在相位补偿层上，且偏振层可以布置在相位延迟层上。
在本实施例中，相位延迟层可以布置在显示面板上，相位补偿层可以布置在相位延迟层上，且偏振层可以布置在相位补偿层上。
在本实施例中，薄膜封装层可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
在本实施例中，薄膜封装层可以包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，第一无机封装层包括至少一种无机材料，第二无机封装层包括至少一种无机材料。
在本实施例中，显示装置还可以包括布置在薄膜封装层上的树脂层。
在本实施例中，显示装置还可以包括布置在薄膜封装层上的封装衬底。
在本实施例中，显示元件可以包括像素电极、发光层和相对电极。
在本实施例中，显示装置还可以包括布置在相对电极上的封盖层。
根据本发明的另一方面，提供一种显示装置，该显示装置具备：衬底；显示元件，布置在衬底上，并包括像素电极、发光层和相对电极；封盖层，布置在显示元件上；薄膜封装层，布置在封盖层上，并包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；树脂层，布置在薄膜封装层上；以及偏振膜，布置在树脂层上，并包括相位补偿层、相位延迟层和偏振层。
在本实施例中，薄膜封装层可以包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，第一无机封装层包括至少一种无机材料，第二无机封装层包括至少一种无机材料。
在本实施例中，显示装置还可以包括布置在树脂层上的封装衬底。
在本实施例中，相位补偿层可以布置在树脂层上，相位延迟层可以布置在相位补偿层上，且偏振层可以布置在相位延迟层上。
在本实施例中，相位延迟层可以布置在树脂层上，相位补偿层可以布置在相位延迟层上，偏振层可以布置在相位补偿层上。
在本实施例中，偏振膜还可以包括布置在偏振层上的第一保护层和布置在偏振层和相位延迟层之间的第二保护层。
本发明的除上述之外的其它方面、特征和优点将从以下具体实施方式、所附权利要求书以及附图中变得清楚。
发明的效果
根据本发明的实施方式，偏振膜中所设置的相位补偿层的厚度方向相位差满足预定数学式，从而提高使用该相位补偿层的显示装置的可视性。
附图说明
图1是概略地示出根据本发明一实施例的显示装置的平面图。
图2是概略地示出根据本发明一实施例的显示装置的截面图。
图3和图4是概略地示出根据本发明一实施例的显示装置的截面图。
图5是概略地示出根据本发明一实施例的显示装置中包括的显示面板的一部分的截面图。
图6和图7是概略地示出根据本发明一实施例的显示装置中包括的偏振膜的一部分的截面图。
图8示出当偏振膜不包括相位补偿层时的样本#1的反射率。
图9示出当偏振膜包括相位补偿层时的样本#1的反射率。
图10示出当偏振膜不包括相位补偿层时对于样本#1的反射颜色偏差。
图11示出当偏振膜包括相位补偿层时对于样本#1的反射颜色偏差。
图12示出当偏振膜不包括相位补偿层时的样本#29的反射率。
图13示出当偏振膜包括相位补偿层时的样本#29的反射率。
图14示出当偏振膜不包括相位补偿层时对于样本#29的反射颜色偏差。
图15示出当偏振膜包括相位补偿层时对于样本#29的反射颜色偏差。
附图标记的说明
1：显示装置
10：显示面板
40：偏振膜
300：薄膜封装层
310：第一无机封装层
320：有机封装层
330：第二无机封装层
410：偏振层
420：相位延迟层
430：相位补偿层
具体实施方式
本发明可以进行多种变换，并且可以具有多种实施例，在附图中例示了特定实施例，并在详细说明中进行了详细描述。本发明的效果和特征以及实现这些效果和特征的方法将参照附图和下面详细描述的实施例而变得清楚。然而，本发明不限于以下公开的实施例，而是可以以各种形式实现。
在以下实施例中，第一、第二等用语不以限制性含义使用，而是用于将一个构成元件与另一构成元件区分开的目的。
在以下实施例中，单数形式的表达包括复数形式的表达，除非在上下文中明确地指出不同的含义。
在以下实施例中，术语“包括”或“具有”等表示在说明书中记载的特征或构成元件的存在，而不是预先排除附加有一个或多个其它特征或构成元件的可能性。
在以下实施例中，当诸如膜、区域、构成元件等的部分被称为在另一部分“上”或“上方”时，其不仅包括该部分直接位于另一部分上的情况，还包括两者之间插置有其它膜、区域、构成元件等的情况。
在附图中，为了便于说明，构成元件的大小可能被夸大或缩小。例如，在附图中示出的每个构成的大小和厚度为了便于说明而任意地示出，因此本发明不限于附图中示出的大小和厚度。
在本说明书中，“A和/或B”表示“A，或者B，或者A与B”的情况。此外，在本说明书中，“A和B中的至少一个”表示“A，或者B，或者A与B”的情况。
在以下实施例中，布线“在第一方向或第二方向上延伸”不仅包括以直线形状延伸的情况，还包括沿第一方向或第二方向以Z字形或曲线延伸的情况。
在以下实施例中，当称为“在平面上”时，其表示从上方观察目标部分时的情况，而当称为“在截面上”时，其表示从侧面观察竖直切割目标部分的截面时的情况。在以下实施例中，当称为“重叠”时，其包括“平面上”以及“截面上”的重叠。
在下文中，将参照附图详细描述本发明的实施例，且在参照附图描述时，相同或相应的构成元件将被赋予相同的附图标记。
图1是概略地示出根据本发明一实施例的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置1可以包括显示区域DA和周边区域PA。此外，显示装置1可以包括衬底100。此时，也可以理解为：衬底100包括显示区域DA和周边区域PA。
包括诸如有机发光二极管的显示元件的多个像素PX可以布置在衬底100的显示区域DA中。像素PX还可以包括用于控制显示元件的多个薄膜晶体管和存储电容器。每个像素PX中包括的薄膜晶体管的数量可以不同地改变，诸如在1个至7个的范围内等。
用于传输要施加到显示区域DA的电信号的各种布线可以布置在衬底100的周边区域PA中。在周边区域PA中也可以设置有薄膜晶体管。此时，布置在周边区域PA中的薄膜晶体管可以是用于控制施加到显示区域DA内的电信号的电路部的一部分。
下面，以有机发光显示装置作为根据本发明一实施例的显示装置1为例进行说明，但本发明的显示装置1不限于此。例如，可以使用各种类型的显示装置1，诸如无机EL显示装置(无机电致发光显示装置；Inorganic ElectroLuminescence Display)、量子点发光显示装置(Quantum dot Light Emitting Display)等。
图2是概略地示出根据本发明一实施例的显示装置的截面图。
参照图2，显示装置1可以包括显示面板10、缓冲膜20、输入感测层30、偏振膜40和覆盖窗50。
缓冲膜20可以布置在显示面板10的下方。缓冲膜20可以保护显示面板10不受外部冲击的影响。第一粘合层71可以布置在显示面板10和缓冲膜20之间。第一粘合层71可以是压敏粘合剂(PSA)。
输入感测层30可以布置在显示面板10上。输入感测层30可获得外部输入(例如，根据触摸事件的坐标信息)。输入感测层30可以包括感测电极(sensing electrode或touchelectrode)以及与感测电极连接的轨迹线(trace line，或信号线)。输入感测层30可以直接位于显示面板10上。然而，本发明不限于此。
偏振膜40可以布置在输入感测层30上。将参照图6和图7更详细地描述偏振膜40。
第二粘合层73可以布置在偏振膜40和输入感测层30之间。第二粘合层73可以是压敏粘合剂(PSA)。
覆盖窗50可以布置在偏振膜40上。覆盖窗50可以保护布置在覆盖窗50下方的显示面板10、输入感测层30和偏振膜40。第三粘合层75可以布置在偏振膜40和覆盖窗50之间。第三粘合层75可以是光学透明粘合剂(OCA)。
图3和图4是概略地示出根据本发明一实施例的显示装置的截面图。具体地，图3和图4是概略地示出显示装置1的显示面板10的一部分的截面图。
参照图3，显示面板10可包括衬底100、显示层200、薄膜封装层300、树脂层350、密封构件360和封装衬底400。
衬底100可以由玻璃材料、金属材料或塑料材料等各种材料形成。在一实施例中，衬底100可以是柔性衬底，例如，衬底100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)。
显示层200可以布置在衬底100上。例如，显示层200可以表示布置在衬底100和薄膜封装层300之间的构成元件。如稍后在图5中所描述的，显示层200可以包括薄膜晶体管T1和T2以及显示元件210。这将在图5中更详细地描述。
第一坝状件DAM1和第二坝状件DAM2可以布置在衬底100上。第一坝状件DAM1和第二坝状件DAM2可以位于周边区域PA中。虽然未示出，但是第一坝状件DAM1和第二坝状件DAM2可以沿显示区域DA的周边布置。第二坝状件DAM2的高度可以高于第一坝状件DAM1的高度。由此，可以防止形成待后述的有机封装层320的单体泄漏到衬底100的外侧。第二坝状件DAM2的高度和第一坝状件DAM1的高度可以是沿显示面板10的厚度方向的高度。
薄膜封装层300可以布置在显示层200上。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。具体地，薄膜封装层300可以包括顺序堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310可以包括至少一种无机材料。第一无机封装层310可以包括陶瓷、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。第一无机封装层310可以设置为单层或多层。
有机封装层320可以包括选自由丙烯酸、甲基丙烯酸、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷组成的组中的一种以上的材料。
第二无机封装层330可以覆盖有机封装层320，并且可以包括陶瓷、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。第二无机封装层330可以设置为单层或多层。这种第二无机封装层330在位于显示区域DA外侧的边缘处与第一无机封装层310接触，从而可以防止有机封装层320暴露于外部。
如上所述，薄膜封装层300包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330，因此，通过这种多层结构，即使在薄膜封装层300中产生裂纹时，也可以不会使裂纹在第一无机封装层310和有机封装层320之间或在有机封装层320和第二无机封装层330之间连接。因此，可以防止或最小化水分或氧气等从外部渗透到显示层200中的路径的形成。
树脂层350可以布置在薄膜封装层300上。树脂层350可以包括光固化树脂，例如，UV固化树脂。树脂层350可以包括丙烯酸类树脂，例如，丙烯酸酯类材料。树脂层350可以按区域具有不同的厚度，例如，树脂层350的与显示区域DA对应的一部分的厚度可以小于树脂层350的与周边区域PA对应的另一部分的厚度。
树脂层350的端部可以布置在相对于薄膜封装层300的端部的内侧。例如，如图3和图4所示，树脂层350的端部350E可以布置在相对于薄膜封装层300的端部300E的内侧。例如，薄膜封装层300的端部300E可以在远离显示区域DA的方向上比树脂层350的端部350E更突出。
封装衬底400可以布置在树脂层350上。封装衬底400可以由各种材料形成，诸如玻璃材料、金属材料或塑料材料等。密封构件360可以布置在树脂层350的外侧。密封构件360可以布置在显示面板10的周边区域PA中，并且可以通过与衬底100的上表面和封装衬底400的下表面抵接而结合。通过将密封构件360布置在周边区域PA中，可以防止或最小化氧或水分通过显示面板10的侧表面渗透到显示层200中。
然而，本发明不限于此。例如，如图4所示，也可以省略封装衬底400和密封构件360。在这种情况下，可以在树脂层350上布置先前在图2中所描述的输入感测层30。
图5是概略地示出根据本发明一实施例的显示装置中包括的显示面板的一部分的截面图。
参照图5，显示面板10可以包括布置在衬底100上的薄膜晶体管T1和T2以及与薄膜晶体管T1和T2电连接的显示元件210。此外，显示面板10还可以包括各种绝缘层111、112、113、115、118和119以及存储电容器Cst。
缓冲层111可以布置在衬底100上，以减少或阻挡杂质、湿气或外部空气从衬底100的下部渗透，并且可以在衬底100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机无机复合材料，并且缓冲层111可以形成为无机材料和有机材料的单层或多层结构。在衬底100和缓冲层111之间还可以包括阻挡外部空气渗透的阻挡层(未示出)。缓冲层111可以由二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNX)形成。
第一薄膜晶体管T1和/或第二薄膜晶体管T2可以布置在缓冲层111上。第一薄膜晶体管T1可以包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1。第二薄膜晶体管T2可以包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。第一薄膜晶体管T1可以连接到显示元件210以用作驱动显示元件210的驱动薄膜晶体管。第二薄膜晶体管T2可以连接到数据线DL以用作开关薄膜晶体管。虽然在附图中示出了两个薄膜晶体管，但是不限于此。薄膜晶体管的数量可以不同地改变，诸如在1个至7个的范围内等。
第一半导体层A1和第二半导体层A2可以各自包括非晶硅或多晶硅。或者，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以各自包括从由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种材料的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2可以各自包括沟道区和掺杂有杂质的源区和漏区。
第一栅电极G1和第二栅电极G2可以分别隔着第一栅绝缘层112布置在第一半导体层A1和第二半导体层A2上。第一栅电极G1和第二栅电极G2可以各自包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以形成为单层或多层。例如，第一栅电极G1和第二栅电极G2可以是Mo的单层。
第一栅绝缘层112可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnOX)等，锌氧化物ZnOX可以是ZnO和/或ZnO2。
第二栅绝缘层113可以布置为覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2。第二栅绝缘层113可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnOX)等，锌氧化物ZnOX可以是ZnO和/或ZnO2。
存储电容器Cst的第一存储电极CE1可以与第一薄膜晶体管T1重叠。例如，第一薄膜晶体管T1的第一栅电极G1可以用作存储电容器Cst的第一存储电极CE1。然而，本发明不限于此。存储电容器Cst可以不与第一薄膜晶体管T1重叠，而可以形成为与第一薄膜晶体管T1间隔开。
存储电容器Cst的第二存储电极CE2可以隔着第二栅绝缘层113与第一存储电极CE1重叠。在这种情况下，第二栅绝缘层113可以用作存储电容器Cst的介电层。第二存储电极CE2可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以形成为包含上述材料的多层或单层。例如，第二存储电极CE2可以是Mo的单层或Mo/Al/Mo的多层。
层间绝缘层115可以形成在衬底100的整个表面上以覆盖第二存储电极CE2。层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnOX)等，锌氧化物ZnOX可以是ZnO和/或ZnO2。
第一源电极S1、第二源电极S2、第一漏电极D1和第二漏电极D2可以布置在层间绝缘层115上。第一源电极S1、第二源电极S2、第一漏电极D1和第二漏电极D2可以各自包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以形成为包括上述材料的多层或单层。例如，第一源电极S1、第二源电极S2、第一漏电极D1和第二漏电极D2可以各自形成为Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层118可以布置在第一源电极S1、第二源电极S2、第一漏电极D1和第二漏电极D2上，并且显示元件210可以布置在平坦化层118上。显示元件210可以包括像素电极211、发光层213以及相对电极215。
平坦化层118可具有平坦的上表面，以使像素电极211平坦地形成。平坦化层118可以形成为由有机材料或无机材料形成的单层或多层膜。这种平坦化层118可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氮烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及它们的混合物等。另外，平坦化层118可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnOX)等，锌氧化物ZnOX可以是ZnO和/或ZnO2。在形成平坦化层118之后，可以执行化学机械抛光(CMP)以提供平坦的上表面。
平坦化层118具有暴露第一薄膜晶体管T1的第一源电极S1和第一漏电极D1中的任一个的开口部，并且像素电极211可以通过经由该开口部与第一源电极S1或第一漏电极D1接触而电连接到第一薄膜晶体管T1。
像素电极211可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在一实施例中，像素电极211可以包括反射膜，该反射膜包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物。在一实施例中，像素电极211还可以包括在反射层的上面/下面由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。例如，像素电极211可以具有ITO/Ag/ITO的多层结构。
像素限定膜119可以布置在像素电极211上。像素限定膜119可具有与每个像素PX(参见图1)对应的开口119OP(即，至少暴露像素电极211的中央部分的开口119OP)，从而起到限定像素PX的作用。此外，像素限定膜119可以增加像素电极211的边缘与相对电极215之间的距离，从而防止它们之间产生电弧等。像素限定膜119可以例如由诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氮烷(HMDSO)等的有机材料形成。
分隔件(未示出)可以布置在像素限定膜119上。分隔件可以防止在掩模工艺期间可能出现的掩模的损坏。分隔件可以由诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氮烷(HMDSO)等的有机材料形成。分隔件可以由与像素限定膜119相同的材料同时形成。在这种情况下，可以使用半色调掩模。
显示元件210的发光层213可以包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。发光层213可以是低分子有机材料或高分子有机材料，并且在发光层213的下面和上面还可以选择性地布置有诸如空穴输送层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子输送层(ETL)和电子注入层(EIL)等的功能层。发光层213可以布置成分别对应于多个像素电极211中的每个。然而，不限于此。发光层213可以具有各种变型，诸如可以包括跨多个像素电极211而成一体的层等。
相对电极215可以是透射电极或反射电极。或者，相对电极215可以是透明或半透明电极，并且可以由包括Yb、Li、Ca、LiF、Al、Ag、Mg及它们的化合物或具有诸如LiF/Ca或LiF/AL的错层结构的材料的功函数小的金属薄膜形成。此外，在金属薄膜上还可以布置有诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3等的透明导电氧化物(TCO)膜。相对电极215可以跨显示区域DA和周边区域PA而布置，并且可以布置在发光层213和像素限定膜119上。相对电极215可以针对多个显示元件210形成为一体，从而对应于多个像素电极211。
封盖层220可以布置在显示元件210上。具体地，封盖层220可以布置在相对电极215上。封盖层220可以包括有机材料和/或无机材料。当封盖层220包括有机材料时，封盖层220可以包括α-NPD、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3、CuPc、TPD15(N4,N4,N4',N4'-四(联苯-4-基)联苯-4,4'-二胺)、TCTA(4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺)等，或者可以包括诸如环氧树脂或甲基丙烯酸酯的丙烯酸酯。或者，当封盖层220包括无机材料时，封盖层220可以包括诸如LiF等的碱金属化合物、诸如MgF2等的碱土金属化合物、硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)等。封盖层220可以设置为单层或多层。通过在显示元件210上设置封盖层220，可以提高从显示元件210发射的光的效率。
薄膜封装层300可以布置在封盖层220上。如前面在图3中所描述的，薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。具体地，薄膜封装层300可以包括顺序堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自设置为单层或多层。
图6和图7是概略地示出根据本发明一实施例的显示装置中包括的偏振膜的一部分的截面图。
参照图6和图7，偏振膜40可包括偏振层410、相位延迟层420、相位补偿层430、第一保护层440和第二保护层450。
在一实施例中，偏振层410可以起到将从光源(未示出)入射的光偏振为与偏振轴相同的方向上的光的作用。偏振层410可以通过在聚乙烯醇(PVA)膜中包括偏振器和/或二向色性染料而形成。二向色性染料可以是碘分子和/或染料分子。或者，偏振层410可以通过在一方向上拉伸聚乙烯醇膜并将其浸入碘和/或二向色性染料的溶液中而形成。在这种情况下，碘分子和/或二向色性染料分子可以沿拉伸方向平行排列。由于碘分子和染料分子呈现二向色性，因此可以吸收在拉伸方向上振动的光，并且可以透射在与拉伸方向垂直的方向上振动的光。
相位延迟层420可以布置在偏振层410的下方。相位延迟层420可以延迟穿过偏振层410而被偏振的光的相位。穿过相位延迟层420的光可以被偏振为圆形或椭圆形。因此，可以降低光的反射率。相对于光源，相位延迟层420可以布置在比偏振层410更远的位置。例如，当外部光从偏振层410的上部入射时，相位延迟层420可以布置在偏振层410的下方。
相位延迟层420可以是正A板。然而，本发明不限于此。相位延迟层420可以是负A板、正C板和负C板中的一种。相位延迟层420可以是四分之一波板(QWP)。相位延迟层420可以包括聚碳酸酯(PC)、三乙酰纤维素(TAC)和环烯烃聚合物(Cyclo olefin polymer)中的至少一种。
相位补偿层430可以布置在相位延迟层420的下方。相位补偿层430可以是正C板。然而，本发明不限于此。相位补偿层430可以是正A板、负A板和负C板中的一种。相位补偿层430可以包括聚碳酸酯(PC)、三乙酰纤维素(TAC)和环烯烃聚合物(Cyclo olefin polymer)中的至少一种。
第一保护层440和第二保护层450可以布置在偏振层410的上表面和下表面上。第一保护层440和第二保护层450可以支承偏振层410以提高偏振层410的机械强度。第一保护层440和第二保护层450可以包括三乙酰纤维素(TAC)、环烯烃聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等。
第四粘合层460可以布置在第二保护层450和相位延迟层420之间。第四粘合层460可以起到将相位延迟层420附接到第二保护层450的下部的作用。第四粘合层460可以是压敏粘合剂(PSA)。例如，第四粘合层460可以是丙烯酸类压敏粘合剂。
第五粘合层470可以布置在相位延迟层420和相位补偿层430之间。第五粘合层470可以起到将相位补偿层430附接到相位延迟层420的下部的作用。第五粘合层470可以是压敏粘合剂(PSA)。例如，第五粘合层470可以是丙烯酸类压敏粘合剂。
在一实施例中，偏振膜40可包括相位补偿层430、相位延迟层420和偏振层410。此时，如图6所示，相位延迟层420可以布置在相位补偿层430上，而偏振层410可以布置在相位延迟层420上。其中，如上所述，第五粘合层470可以设置在相位补偿层430和相位延迟层420之间，且第四粘合层460和第二保护层450可以设置在相位延迟层420和偏振层410之间。
此外，如图7所示，相位补偿层430可以布置在相位延迟层420上，并且偏振层410可以布置在相位补偿层430上。此时，第五粘合层470可以布置在相位延迟层420和相位补偿层430之间，且第四粘合层460和第二保护层450可以布置在相位补偿层430和偏振层410之间。
第六粘合层480可以布置在第一保护层440上。第六粘合层480可以起到将偏振膜40与前面在图2中所描述的覆盖窗50(参见图2)附接的作用。第六粘合层480可以包括光固化树脂，例如，UV固化树脂。第六粘合层480可以包括丙烯酸类树脂，例如，丙烯酸酯类材料。可以在第一保护层440上形成或布置第六粘合层480之后，固化(例如，UV固化)第六粘合层480。
封盖层220(参见图5)、薄膜封装层300(参见图5)和树脂层350(参见图3)等可以布置在显示元件210(参见图5)上。薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。此时，封盖层220、第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自设置为多层结构，并且每个层的折射率可以彼此不同。
因此，在衬底100和偏振膜40之间可以设置有具有彼此不同的折射率的层。此时，通过封盖层220、第一无机封装层310、有机封装层320、第二无机封装层330、树脂层350等，入射到侧表面的外部光的相位可能会发生变化，由此可能发生漏光或者反射率可能增加。因此，需要补偿入射到侧表面的外部光(或入射到显示装置的外部光)的相位变化。
在一实施例中，偏振膜40可以布置在显示面板10上，并且偏振膜40可以包括相位补偿层430、相位延迟层420和偏振层410。此时，相位补偿层430的厚度方向相位差CRth可以满足以下数学式：CRth＝-((Re×sin2(2θ)×NZ)/2+ARth)。
Re可以是(Ne-No)×d，θ可以是相位延迟层420的慢轴和偏振层410的透射轴之间的夹角，NZ可以是(Nx-Nz)/(Nx-Ny)，ARth可以是显示面板10的厚度方向相位差，Ne可以是相位延迟层420的非寻常(extra ordinary)方向折射率，No可以是相位延迟层420的寻常(ordinary)方向折射率，Nx可以是相位延迟层420的x方向折射率，Ny可以是相位延迟层420的y方向折射率，Nz可以是相位延迟层420的z方向折射率，且d可以是相位延迟层420的厚度。
Re是相位延迟层420的面内相位差，在550nm的波长下，可以具有约132nm至约152nm的值。此外，在550nm波长下的Re(550)和在450nm波长下的Re(450)可以满足以下数学式：0.8≤Re(450)/Re(550)≤1。在650nm波长下的Re(650)和在550nm波长下的Re(550)可以满足以下数学式：1≤Re(650)/Re(550)≤1.2。
θ是相位延迟层420的慢轴和偏振层410的透射轴之间的夹角，可以具有约35°至约55°的值。NZ是(Nx-Nz)/(Nx-Ny)，可以表示相位延迟层420的双轴性水平。此外，ARth是显示面板10的厚度方向相位差，可以具有约-60nm至约+10nm的值。或者，作为显示面板10的厚度方向相位差，ARth可以具有约-60nm至约0nm的值。
在一实施例中，当偏振膜40布置在显示面板10上、偏振膜40包括相位补偿层430并且相位补偿层430的厚度方向相位差CRth满足上述数学式时，入射到偏振膜40的侧表面的外部光的相位变化可以被补偿，从而可以防止发生漏光，并且可以降低外部光的反射率。
下面的表1示出了显示面板10包括具有彼此不同的折射率的层的各种样本。在表1中，n表示折射率，且t表示厚度。此时，t的单位为埃在表1中，ARth对应于在550nm的波长下显示面板10的厚度方向相位差，且CRth对应于当(Re×sin2(2θ)×NZ)/2)的值为70.5nm时相位补偿层430的厚度方向相位差。即，CRth对应于用于补偿入射到侧表面的外部光的相位变化的补偿值。
[表1]
/>
参照表1，当显示面板10包括具有彼此不同的折射率的层时，显示面板10的厚度方向相位差ARth可以改变。例如，观察样本#1和样本#29可知，显示面板10的厚度方向相位差ARth可根据设置在相对电极215和偏振膜40之间的层的折射率和厚度而改变。
图8示出当偏振膜不包括相位补偿层时的样本#1的反射率，而图9示出当偏振膜包括相位补偿层时的样本#1的反射率。具体地，图8示出针对样本#1未补偿厚度方向相位差的情况下的反射率，而图9示出针对样本#1补偿了厚度方向相位差的情况下的反射率。即，图9对应于针对样本#1补偿了作为相位补偿层430的厚度方向相位差CRth的-70.6nm的情况，而图8对应于针对样本#1未补偿相位补偿层430的厚度方向相位差的情况。
参照图8和图9，可以确认，当偏振膜40包括相位补偿层430且相位补偿层430的厚度方向相位差CRth满足上述数学式时，与偏振膜40不包括相位补偿层430的情况相比，样本#1的反射率降低。即，可以确认，当偏振膜40包括相位补偿层430并且相位补偿层430的厚度方向相位差CRth满足上述数学式时，与偏振膜40不包括相位补偿层430的情况相比，显示装置1的侧面光的反射率降低。
图10示出当偏振膜不包括相位补偿层时的样本#1的反射颜色偏差，而图11示出当偏振膜包括相位补偿层时的样本#1的反射颜色偏差。具体地，图10示出针对样本#1未补偿厚度方向相位差的情况下的反射颜色偏差，而图11示出针对样本#1补偿了厚度方向相位差的情况下的反射颜色偏差。图10和图11表示在反射分量排除(SCE)模式下测量的反射颜色偏差，a*和b*是CIE L*a*b*坐标系中的坐标值，并且a*和b*是在60°极角处针对方位角测量的值。
参照图10和图11，可以确认，当偏振膜40包括相位补偿层430并且相位补偿层430的厚度方向相位差CRth满足上述数学式时，与偏振膜40不包括相位补偿层430的情况相比，a*值和b*值的偏差较小。即，可以确认，当偏振膜40包括相位补偿层430并且相位补偿层430的厚度方向相位差CRth满足上述数学式时，与偏振膜40不包括相位补偿层430的情况相比，样本#1的反射颜色偏差较小。
图12示出当偏振膜不包括相位补偿层时的样本#29的反射率，而图13是示出当偏振膜包括相位补偿层时的样本#29的反射率。具体地，图12示出针对样本#29未补偿厚度方向相位差的情况下的反射率，而图13示出针对样本#29补偿了厚度方向相位差的情况下的反射率。即，图13对应于针对样本#29补偿了作为相位补偿层430的厚度方向相位差CRth的-31.1nm的情况，而图12对应于针对样本#29未补偿相位补偿层430的厚度方向相位差的情况。
参照图12和图13，可以确认，当偏振膜40包括相位补偿层430并且相位补偿层430的厚度方向相位差CRth满足上述数学式时，与偏振膜40不包括相位补偿层430的情况相比，样本#29的反射率降低。即，可以确认，当偏振膜40包括相位补偿层430并且相位补偿层430的厚度方向相位差CRth满足上述数学式时，与偏振膜40不包括相位补偿层430的情况相比，显示装置1的侧面光的反射率降低。
图14示出当偏振膜不包括相位补偿层时的样本#29的反射颜色偏差，而图15示出当偏振膜包括相位补偿层时的样本#29的反射颜色偏差。具体地，图14示出针对样本#29未补偿厚度方向相位差的情况下的反射颜色偏差，而图15示出针对样本#29补偿了厚度方向相位差的情况下的反射颜色偏差。图14和图15表示在反射分量排除(SCE)模式下测量的反射颜色偏差，a*和b*是CIE L*a*b*坐标系中的坐标值，并且a*和b*是在60°极角处针对方位角测量的值。
参照图14和图15，可以确认，当偏振膜40包括相位补偿层430并且相位补偿层430的厚度方向相位差CRth满足上述数学式时，与偏振膜40不包括相位补偿层430的情况相比，a*值和b*值的偏差较小。即，可以确认，当偏振膜40包括相位补偿层430并且相位补偿层430的厚度方向相位差CRth满足上述数学式时，与偏振膜40不包括相位补偿层430的情况相比，样本#29的反射颜色偏差较小。
参照表1以及图8至图15，在偏振膜40包括相位补偿层430并且相位补偿层430的厚度方向相位差CRth满足上述数学式的情况下，当补偿入射到偏振膜40的侧表面的外部光的相位变化时，可以降低显示装置1的侧面光的反射率，并且可以减小反射颜色偏差。即，显示装置1的正面反射率和侧面反射率可以被最小化，并且可以实现中性黑。
在一实施例中，通过在衬底100和封装衬底400之间设置薄膜封装层300和树脂层350，可以提高包括薄膜封装层300和树脂层350的显示装置的机械强度。具体地，可以在整个显示面板10上承受当衬底100和封装衬底400之间填充有空气(或氮气)时原本仅由只在显示面板10的边缘处布置的玻璃料承受的机械强度，因此可以提高包括该显示面板10的显示装置的机械强度。
另外，在衬底100和封装衬底400之间设置有薄膜封装层300和树脂层350，而不是空气(或氮气)，因此可以改善显示装置的WAD(white angular dependency)并提高显示装置的透射率。具体地，通过在衬底100和封装衬底400之间设置具有各种的折射率的封盖层220、第一无机封装层310、有机封装层320、第二无机封装层330和树脂层350，而不是空气(或氮气)，从而可以改善显示装置的WAD(white angular dependency)，并提高显示装置的透射率。
本发明参照附图所示的实施例进行了说明，但这只是例示性的，本领域的普通技术人员应当理解，可以由这些实施例实现各种变型及等同的其他实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应由所附的权利要求书的技术思想来确定。

Claims (20)

1.一种显示装置，具备：
显示面板，包括显示元件和布置在所述显示元件上的薄膜封装层；以及
偏振膜，布置在所述显示面板上，并包括偏振层、相位延迟层和相位补偿层，
其中，所述相位补偿层的厚度方向相位差CRth满足以下数学式：
CRth＝-((Re×sin2(2θ)×NZ)/2+ARth)
其中，所述Re是(Ne-No)×d，所述θ是所述相位延迟层的慢轴和所述偏振层的透射轴之间的夹角，所述NZ是(Nx-Nz)/(Nx-Ny)，所述ARth是所述显示面板的厚度方向相位差，所述Ne是所述相位延迟层的非寻常方向折射率，所述No是所述相位延迟层的寻常方向折射率，所述Nx是所述相位延迟层的x方向折射率，所述Ny是所述相位延迟层的y方向折射率，所述Nz是所述相位延迟层的z方向折射率，以及所述d是所述相位延迟层的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述θ在35°至55°的范围内。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
在550nm的波长下，所述Re在132nm至152nm的范围内。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述ARth在-60nm至+10nm的范围内。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
在550nm的波长下的Re(550)和在450nm的波长下的Re(450)满足以下数学式：
0.8≤Re(450)/Re(550)≤1。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
在650nm的波长下的Re(650)和在550nm的波长下的Re(550)满足以下数学式：
1≤Re(650)/Re(550)≤1.2。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述相位补偿层布置在所述显示面板上，所述相位延迟层布置在所述相位补偿层上，且所述偏振层布置在所述相位延迟层上。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述相位延迟层布置在所述显示面板上，所述相位补偿层布置在所述相位延迟层上，且所述偏振层布置在所述相位补偿层上。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述薄膜封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，所述第一无机封装层包括至少一种无机材料，所述第二无机封装层包括至少一种无机材料。
11.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
树脂层，布置在所述薄膜封装层上。
12.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
封装衬底，布置在所述薄膜封装层上。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示元件包括像素电极、发光层和相对电极。
14.根据权利要求13所述的显示装置，还包括：
封盖层，布置在所述相对电极上。
15.一种显示装置，具备：
衬底；
显示元件，布置在所述衬底上，并包括像素电极、发光层和相对电极；
封盖层，布置在所述显示元件上；
薄膜封装层，布置在所述封盖层上，并包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；
树脂层，布置在所述薄膜封装层上；以及
偏振膜，布置在所述树脂层上，并包括相位补偿层、相位延迟层和偏振层。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述薄膜封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，所述第一无机封装层包括至少一种无机材料，所述第二无机封装层包括至少一种无机材料。
17.根据权利要求15所述的显示装置，还包括：
封装衬底，布置在所述树脂层上。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述相位补偿层布置在所述树脂层上，所述相位延迟层布置在所述相位补偿层上，且所述偏振层布置在所述相位延迟层上。
19.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述相位延迟层布置在所述树脂层上，所述相位补偿层布置在所述相位延迟层上，且所述偏振层布置在所述相位补偿层上。
20.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述偏振膜还包括布置在所述偏振层上的第一保护层和布置在所述偏振层和所述相位延迟层之间的第二保护层。
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