CN117434635A - 偏振膜和包括其的显示装置 - Google Patents

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CN117434635A CN202310870174.2A CN202310870174A CN117434635A CN 117434635 A CN117434635 A CN 117434635A CN 202310870174 A CN202310870174 A CN 202310870174A CN 117434635 A CN117434635 A CN 117434635A
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Abstract

本申请涉及偏振膜和显示装置。偏振膜包括：偏振层；第一光补偿膜，布置在偏振层的一侧上并且包括正A板；以及第二光补偿膜，布置在第一光补偿膜的一侧上并且包括正C板。ne(+C)‑ne(+A)的值在450纳米(nm)的波长处为正并且在650nm的波长处为负。这里，ne(+A)表示第一光补偿膜的非寻常折射率，并且ne(+C)表示第二光补偿膜的非寻常折射率。

Description

偏振膜和包括其的显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年7月20日提交的第10-2022-0089684号韩国专利申请的优先权以及从其获得的所有权益，所述韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
一个或多个实施方式涉及偏振膜和包括其的显示装置。
背景技术
显示装置是实现图像的装置，并且包括液晶显示(LCD)装置、有机发光显示(OLED)装置、电泳显示(EPD)装置等。在这类显示装置中，使用偏振膜来防止从外部引入的光从显示装置的前部反射。
发明内容
一个或多个实施方式包括具有优异的抗反射特性和反射色度(或饱和度)特性的偏振膜以及包括该偏振膜的显示装置。然而，这些仅仅是示例，并且本公开的范围不限于此。
附加的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开的所呈现的实施方式的实践来习得。
根据一个或多个实施方式，偏振膜包括：偏振层；第一光补偿膜，布置在偏振层的一侧上并且包括正A板；以及第二光补偿膜，布置在第一光补偿膜的一侧上并且包括正C板，其中，ne(+C)-ne(+A)的值在450纳米(nm)的波长处为正并且在650nm的波长处为负。这里，ne(+A)表示第一光补偿膜的非寻常折射率，并且ne(+C)表示第二光补偿膜的非寻常折射率。
在实施方式中，ne(+C)-ne(+A)的值可以在450nm的波长处为约0.02至约0.08并且在650nm的波长处为约-0.08至约-0.02。
在实施方式中，偏振膜的在60°的极角处的方位角颜色分布(“AACD”)值可以为10或更小。这里，AACD＝{Max(a*)-Min(a*)}×{Max(b*)-Min(b*)}，其中，a*和b*是CIE L*a*b*坐标系中的坐标值，Max(a*)和Min(a*)分别是针对方位角至360°测量的a*坐标值中的最大值和最小值，并且Max(b*)和Min(b*)分别是针对方位角/>至360°测量的b*坐标值中的最大值和最小值。
在实施方式中，第二光补偿膜可以包括液晶分子。
在实施方式中，液晶分子可以是杆形状的。
在实施方式中，第一光补偿膜可以包括四分之一波板(“QWP”)。
在实施方式中，第一光补偿膜可以具有反向的波长色散。
在实施方式中，第一光补偿膜的波长色散(DSP)可以满足以下条件：
DSP(450nm)＝R(450nm)/R(550nm)<1，
DSP(650nm)＝R(650nm)/R(550nm)>1，
其中，R(λ)表示在波长λ处的相位差值。
在实施方式中，偏振膜还可以包括第三光补偿膜，第三光补偿膜布置在第二光补偿膜的一侧上并且包括负C板。
在实施方式中，偏振膜还可以包括第四光补偿膜，第四光补偿膜布置在第三光补偿膜的一侧上并且包括正C板。
根据一个或多个实施方式，显示装置包括：衬底；多个显示元件，设置在衬底之上；封装构件，封装多个显示元件；以及偏振膜，设置在封装构件之上，其中，偏振膜包括：偏振层；第一光补偿膜，布置在偏振层的一侧上并且包括正A板；以及第二光补偿膜，布置在第一光补偿膜的一侧上并且包括正C板，其中，ne(+C)-ne(+A)的值在450nm的波长处为正并且在650nm的波长处为负。这里，ne(+A)表示第一光补偿膜的非寻常折射率，并且ne(+C)表示第二光补偿膜的非寻常折射率。
在实施方式中，ne(+C)-ne(+A)的值可以在450nm的波长处为约0.02至约0.08并且在650nm的波长处为约-0.08至约-0.02。
在实施方式中，偏振膜的在60°的极角处的方位角颜色分布(AACD)值可以为10或更小。这里，AACD＝{Max(a*)-Min(a*)}×{Max(b*)-Min(b*)}，其中，a*和b*是CIE L*a*b*坐标系中的坐标值，Max(a*)和Min(a*)分别是针对方位角至360°测量的a*坐标值中的最大值和最小值，并且Max(b*)和Min(b*)分别是针对方位角/>至360°测量的b*坐标值中的最大值和最小值。
在实施方式中，封装构件可以包括薄膜封装层，并且薄膜封装层可以包括顺序堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
在实施方式中，第二光补偿膜可以布置成比偏振层更靠近封装构件。
在实施方式中，第二光补偿膜可以包括杆形状的液晶分子。
在实施方式中，第一光补偿膜可以包括四分之一波板(QWP)。
在实施方式中，第一光补偿膜的波长色散(DSP)可以满足以下条件：
DSP(450nm)＝R(450nm)/R(550nm)<1，
DSP(650nm)＝R(650nm)/R(550nm)>1，
其中，R(λ)表示在波长λ处的相位差值。
在实施方式中，偏振膜还可以包括第三光补偿膜，第三光补偿膜布置在第二光补偿膜的一侧上并且包括负C板。
在实施方式中，偏振膜还可以包括第四光补偿膜，第四光补偿膜布置在第三光补偿膜的一侧上并且包括正C板。
附图说明
从结合附图的以下描述中，本公开的特定实施方式的以上和其他方面、特征和优点将变得更加显而易见，在附图中：
图1是根据实施方式的偏振膜的示意性剖视图；
图2是示出可以包括在第一光补偿膜和/或第二光补偿膜中的液晶分子的示例的图；
图3是示出庞加莱球(Poincare sphere)上的比较例和实施方式的偏振状态的图；
图4A是示出CIE L*a*b*坐标中的比较例1的偏振膜的反射色度的图；
图4B是示出CIE L*a*b*坐标中的实施方式1的偏振膜的反射色度的图；
图4C是示出CIE L*a*b*坐标中的实施方式2的偏振膜的反射色度的图；
图4D是示出CIE L*a*b*坐标中的实施方式3的偏振膜的反射色度的图；
图5是根据另一实施方式的偏振膜的示意性剖视图；
图6是根据又一实施方式的偏振膜的示意性剖视图；
图7是示意性地示出根据实施方式的显示装置的平面图；以及
图8是示意性地示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖视图。
具体实施方式
现在将详细参考实施方式，附图中示出了实施方式的示例，在附图中，相同的附图标记始终表示相同的元件。在这方面，本实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施方式，以解释本说明书的方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
本公开可以包括各种实施方式和修改，并且在附图中示出且将在本文中详细描述其特定实施方式。根据参考附图的以下详细描述的实施方式，本公开的效果和特征以及其实现方法将变得显而易见。然而，本公开不限于以下描述的实施方式，并且可以以各种形式来实施。
在下文中，将参考附图详细描述实施方式，并且在以下描述中，相同的附图标记将表示相同的元件，并且为了简洁起见，将省略其冗余描述。
应当理解，尽管可以在本文中使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制，并且这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。
如本文至所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
此外，应当理解，本文中使用的术语“包括(comprise)”、“包括(include)”和“具有(have)”指定所述特征或元件的存在，但是不排除一个或多个其他特征或元件的存在或添加。
应理解，当层、区域、区、组件或元件被称为“在”另一层、区域、区、组件或元件“上”时，它可以“直接在”另一层、区域、区、组件或元件“上”，或者可以“间接在”另一层、区域、区、组件或元件“上”且一个或多个居间层、区域、区、组件或元件在其之间。
为了便于描述，可以夸大附图中的元件的尺寸。换句话说，因为附图中的元件的尺寸和厚度是为了便于描述而任意示出的，所以本公开不限于此。
如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意味着在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％内。当特定实施方式可以不同地实现时，可以与所描述的次序不同地执行特定的工艺次序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者可以以与所描述的次序相反的次序执行。
应当理解，当层、区域、区、组件或元件被称为“连接到”另一层、区域、区、组件或元件时，它可以“直接连接到”另一层、区域、区、组件或元件，或者可以“间接连接到”另一层、区域、区、组件或元件且一个或多个居间层、区域、区、组件或元件在其之间。例如，应当理解，当层、区域、区、组件或元件被称为“电连接到”另一层、区域、区、组件或元件时，它可以“直接电连接到”另一层、区域、区、组件或元件，或者可以“间接电连接到”另一层、区域、区、组件或元件且一个或多个居间层、区域、区、组件或元件在其之间。
图1是根据实施方式的偏振膜500的示意性剖视图。
参考图1，根据实施方式的偏振膜500可以包括偏振层520、第一光补偿膜530和第二光补偿膜550。
在本实施方式中，第一光补偿膜530可以是具有nx>ny＝nz的特性的正A板，并且第二光补偿膜550可以是具有nz>nx＝ny的特性的正C板。这里，nz表示沿着膜的厚度方向Z的折射率，nx表示沿着膜的表面方向中的表现非寻常折射率的方向的折射率，并且ny表示沿着膜的表面方向中的与表现非寻常折射率的方向垂直的方向的折射率。
在这种情况下，第一光补偿膜530的非寻常折射率ne(+A)可以是nx，并且第二光补偿膜550的非寻常折射率ne(+C)可以是nz。
对于透射通过偏振层520的光，对于每个波长，由于第一光补偿膜530的非寻常折射率ne(+A)和第二光补偿膜550的非寻常折射率ne(+C)之间的差，可以出现P波和S波之间的反射率差，并且其偏振状态可以变化。
在本实施方式中，可以能够提供偏振膜500，其中通过经由第一光补偿膜530的非寻常折射率ne(+A)和第二光补偿膜550的非寻常折射率ne(+C)之间的差来调整每个波长的偏振状态使得最终穿过的光的偏振状态尽可能相似。
在本实施方式中，“ne(+C)-ne(+A)”的值可以在450nm的波长处是正的，并且可以在650nm的波长处是负的。
在这种情况下，当安装有偏振膜500的显示装置的电源在关闭状态下未被驱动时，穿过偏振膜500的光的每个波长的偏振状态可以尽可能地相似，并且因此反射光的颜色可以实现为接近于中性黑色。
在实施方式中，粘合剂层可以附加地布置在偏振层520和第一光补偿膜530之间和/或第一光补偿膜530和第二光补偿膜550之间。
第一光补偿膜530可以布置在偏振层520的与其上入射外部光L的表面相对的表面上。当外部光L入射在偏振层520的上表面上时，第一光补偿膜530可以布置在偏振层520的下表面上。第二光补偿膜550可以布置在第一光补偿膜530的下表面上。
偏振层520可以将从光源(未示出)入射的光偏振成与偏振轴相同方向上的光。在一些实施方式中，偏振层520可以包括在聚乙烯醇(“PVA”)膜中的偏光子和/或二色性染料。二色性染料可以包括碘分子和/或染料分子。
偏振层520可以通过在一个方向上拉伸聚乙烯醇膜并将其浸入碘和/或二色性染料的溶液中来形成。在这种情况下，碘分子或/和二色性染料分子可以在拉伸方向上平行布置。因为碘分子和染料分子表现出二色性，所以它们可以吸收在拉伸方向上振动的光并且透射在与其垂直的方向上振动的光。
第一光补偿膜530可以布置在偏振层520的一侧上，例如，布置在偏振层520的下表面上，以透射从偏振层520发射的线性偏振光，从而提供抗反射效果。当外部光L入射在偏振层520上时，第一光补偿膜530可以布置在偏振层520中的外部光L的光出射表面上。
第一光补偿膜530可以是正A板，并且可以是具有nx>ny＝nz的折射率分布的正单轴光学膜。这里，ny＝nz可以表示ny和nz彼此完全相等的情况以及ny和nz彼此基本上相等的情况。
第一光补偿膜530可以是四分之一波板(QWP)。第一光补偿膜530可以将通过偏振层520偏振的光的相位延迟λ/4，以使光圆偏振。因此，可以降低光的反射率。
在一些实施方式中，第一光补偿膜530可以表现出反向的波长色散。也就是说，第一光补偿膜530可以具有波长依赖性，并且对于较短的波长，相位延迟值可以减小。因此，取决于波长的相位差值可以变得均匀，并且因此可以改善色移。
第一光补偿膜530的波长色散DSP可以表示为DSP(λ)＝R(λ)/R(550nm)，并且可以满足以下关系：
DSP(450nm)＝R(450nm)/R(550nm)<1，
DSP(650nm)＝R(650nm)/R(550nm)>1，
在这种情况下，R(λ)表示在波长λ处的相位差值。
第二光补偿膜550可以布置在第一光补偿膜530的下表面上，以透射从第一光补偿膜530发射的圆偏振光，从而提供抗反射效果。当外部光L入射到第一光补偿膜530上时，第二光补偿膜550可以布置在第一光补偿膜530中的外部光L的光出射表面上。
第二光补偿膜550可以是正C板，并且可以是具有nz>nx＝ny的折射率分布的正单轴光学膜。这里，nx＝ny可以表示nx和ny彼此完全相等的情况以及nx和ny彼此基本上相等的情况。
第一光补偿膜530和第二光补偿膜550可以包括光学透明树脂膜或液晶膜。
树脂膜可以通过熔融和挤压树脂并通过拉伸制造而形成。树脂可以包括以下中的一种或多种：包括三乙酰纤维素等的纤维素酯基树脂、包括无定形环状聚烯烃(环状烯烃聚合物(“COP”))的环状聚烯烃基树脂、聚碳酸酯基树脂、包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)的聚酯基树脂、聚醚砜基树脂、聚砜基树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、无环聚烯烃基树脂、包括聚甲基丙烯酸甲酯树脂等的聚丙烯酸酯基树脂、聚乙烯醇基树脂、聚氯乙烯基树脂、聚偏二氯乙烯基树脂和丙烯酸基树脂。
当第一光补偿膜530和第二光补偿膜550包括树脂膜时，可以通过在拉伸树脂膜之前调整膜的厚度、拉伸比、拉伸温度等来获得第一光补偿膜530和第二光补偿膜550的非寻常折射率ne和寻常折射率no。
液晶膜可以包括液晶层，液晶层包括向列液晶和盘状液晶中的一种或多种的可聚合液晶化合物。
液晶化合物可以以平行排列(homogeneous alignment)来排列。平行排列可以代表其中液晶化合物布置成与膜的表面方向平行的状态。液晶化合物可以以垂直排列(homeotropic alignment)来排列。垂直排列可以代表其中液晶化合物布置成与膜的法线方向平行的状态。
除了液晶化合物之外，液晶膜还可以包括涉及液晶涂覆均匀性和表面质量的流平剂、粘度调整剂、其中在UV暴露之后形成自由基以引起固化的粘结剂等。液晶膜的折射率可以根据包括在液晶膜中的液晶化合物、液晶化合物的排列方法等来调整。
当第一光补偿膜530和第二光补偿膜550包括液晶膜时，可以通过调整液晶分子材料、液晶排列方法、液晶排列程度等来获得第一光补偿膜530和第二光补偿膜550的非寻常折射率ne和寻常折射率no。在液晶的排列期间，液晶排列程度可以通过排列层来调整。
图2是示出可以包括在第一光补偿膜和/或第二光补偿膜中的液晶分子的示例的图。
参考图2，包括在本公开的第一光补偿膜530和/或第二光补偿膜550中的液晶分子LC可以具有杆形状。液晶分子LC可以包括端基、连接基、中央基和极性基(T-基)。
端基和连接基可以表现出液晶分子LC的长度和/或粘度特性。端基可以包括烷基、烷氧基、烯基和烯氧基中的至少一种。连接基可以包括二苯乙炔、酯(COO)、乙烯(CH2CH2)、OCH2和(CH2)n中的至少一种。
中央基可以表现出液晶分子LC的绝对折射率和折射率各向异性特性。中央基可以包括由以下结构式1表示的芳环中的至少一种。液晶分子LC的短波长折射率可以根据中央基的含量来调整。
[结构式1]
极性基(T-基)可以包括烷基、烷氧基、CN、卤素原子等。影响液晶相的极性可以根据极性基而变化。
此外，液晶分子LC的波长色散可以根据中央基和端基之间的比例来调整。此外，液晶分子LC的非寻常折射率ne和液晶分子LC的寻常折射率no可以通过选择液晶分子LC中包括的端基、连接基、中央基和极性基(T-基)来调整。在本实施方式中，第一光补偿膜530和/或第二光补偿膜550的非寻常折射率ne可以是约1.57至约1.59，并且其寻常折射率no可以是约1.47至约1.49。
第一光补偿膜530和/或第二光补偿膜550可以包括液晶分子LC、光固化单体、聚合引发剂等。第一光补偿膜530和/或第二光补偿膜550可以通过用包括液晶分子LC、光固化单体、聚合引发剂和溶剂的组合物涂覆基础膜并且然后通过紫外(“UV”)照射和/或摩擦工艺在特定方向上倾斜液晶分子LC来形成。
如上所述，第一光补偿膜530的非寻常折射率ne(+A)和第二光补偿膜550的非寻常折射率ne(+C)之间的差值ne(+C)-ne(+A)可以在450nm的波长处是正的，并且可以在650nm的波长处是负的。
在这种情况下，可以看出，穿过偏振膜500的光的偏振状态是相似的。
图3是示出庞加莱球上的比较例和实施方式的偏振状态的图。图3示出了庞加莱球的S1-S2平面，并且偏振状态可以表示在作为偏振膜500的侧视角的方位角极角θ＝60°处的值。
在庞加莱球中，偏振状态与半径为1的球匹配，庞加莱球的原点表示作为完全不偏振的状态的非偏振态，并且其中的其他点表示部分偏振。偏振度朝向外部逐渐增加，并且当距离变为1时，它代表完全偏振的状态。
在图3中，比较例与第一光补偿膜530的非寻常折射率ne(+A)和第二光补偿膜550的非寻常折射率ne(+C)彼此相等的情况对应，并且实施方式与“ne(+C)-ne(+A)”的值在450nm的波长处为正并且在650nm的波长处为负的情况对应。
在比较例的庞加莱球的区域I的放大图中，可以看出蓝光B(450nm的波长)的偏振状态、绿光G(550nm的波长)的偏振状态和红光R(650nm的波长)的偏振状态沿着S2轴扩散和分布。这由图3中的区域I中的箭头表示。这样，当对于每个波长的偏振状态的差异大时，蓝光、绿光和红光中的每一个的反射率可以变化，并且因此偏振膜可以是着色的。
在实施方式的庞加莱球的区域II的放大图中，可以看出，相比于比较例的偏振状态，蓝光B(450nm的波长)的偏振状态、绿光G(550nm的波长)的偏振状态和红光R(650nm的波长)的偏振状态沿着S2轴更小地扩散和分布。这由图3中的区域II中的箭头表示。因此，可以看出，可以减小入射光的每个波长的偏振状态的差异。
在一些实施方式中，ne(+C)-ne(+A)的值可以在与蓝光对应的450nm的波长处是约0.02至约0.08，并且在与红光对应的650nm的波长处是约-0.08至约-0.02。在这种情况下，可以看出偏振膜500的侧面反射色度特性是优异的。
下面的表1示出了根据实施方式的波长的ne(+C)-ne(+A)的值和根据实施方式的作为侧面反射色度特性的方位角颜色分布(AACD)值。
[表1]
比较例1表示其中第一光补偿膜530的非寻常折射率ne(+A)和第二光补偿膜550的非寻常折射率ne(+C)之间没有差异的情况。实施方式1表示其中ne(+C)-ne(+A)的值在450nm的波长处为0.02并且在650nm的波长处为-0.02的情况。实施方式2表示其中ne(+C)-ne(+A)的值在450nm的波长处为0.05并且在650nm的波长处为-0.05的情况。实施方式3表示其中ne(+C)-ne(+A)的值在450nm的波长处为0.08并且在650nm的波长处为-0.08的情况。比较例2表示其中ne(+C)-ne(+A)的值在450nm的波长处为1并且在650nm的波长处为-1情况。
侧面特性AACD可以通过以下等式获得：
AACD(方位角颜色分布)＝{Max(a*)-Min(a*)}×{Max(b*)-Min(b*)}
这里，a*和b*是CIE L*a*b*坐标系中的坐标值，Max(a*)和Min(a*)分别是针对方位角至360°测量的a*坐标值中的最大值和最小值，并且Max(b*)和Min(b*)分别是针对方位角/>至360°测量的b*坐标值中的最大值和最小值。
这些侧面特性可以从根据方位角在CIE L*a*b*坐标系中表示的值提取，并且它可以意味着随着其值减小，根据方位角的侧面颜色改变减小。
图4A至图4D是分别示出CIE L*a*b*坐标中的比较例1、实施方式1、实施方式2和实施方式3的偏振膜的反射色度的图。反射色度是对于极角θ＝60°、方位角至360°而测量。
参考图4A至图4D，可以看出，比较例1的反射色度在CIE L*a*b*坐标的象限中广泛地分布，而实施方式1至实施方式3的反射色度窄地分布成与a*＝0，b*＝0的坐标相邻。
如以上表1中所示的，作为基于此测量AACD的结果，可以看出比较例1的AACD值最大为16.72，并且实施方式1至实施方式3的AACD值为约6.7至约7.0(即，小于或等于10)。小的AACD值可以意味着根据方位角的侧面颜色改变小。
此外，比较例2与其中ne(+C)-ne(+A)的值在450nm的波长下为1并且在650nm的波长下为-1的情况(即，第一光补偿膜530的非寻常折射率ne(+A)与第二光补偿膜550的非寻常折射率ne(+C)之间的差大于实施方式的第一光补偿膜530的非寻常折射率ne(+A)与第二光补偿膜550的非寻常折射率ne(+C)之间的差的情况)对应，并且在这种情况下，可以看出，AACD值为18.09，甚至大于比较例1的AACD值。
在本实施方式中，ne(+C)-ne(+A)的值可以在450nm的波长处是正的并且可以在650nm的波长处是负的。在一些实施方式中，ne(+C)-ne(+A)的值可以在450nm的波长处是约0.02至约0.08并且在650nm的波长处是约-0.08至约-0.02。
在这种情况下，当安装有偏振膜500的显示装置的电源在关闭状态下未被驱动时，穿过偏振膜500的光的每个波长的偏振状态可以尽可能地相似，并且因此由反射光引起的颜色可以实现为接近于中性黑色。此外，根据方位角的反射色度的改变可以是小的。
图5和图6是根据其他实施方式的偏振膜的示意性剖视图。在图5和图6中，与图1中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且因此为了简洁起见，将省略其冗余描述。
参考图5，根据实施方式的偏振膜501可以包括偏振层520、作为正A板的第一光补偿膜530以及作为正C板的第二光补偿膜550。
在这种情况下，ne(+C)-ne(+A)的值可以在450nm的波长处是正的并且在650nm的波长处是负的。这里，ne(+A)表示第一光补偿膜530的非寻常折射率，并且ne(+C)表示第二光补偿膜550的非寻常折射率。
在本实施方式中，偏振膜501还可以包括布置在第二光补偿膜550的下表面上的第三光补偿膜570。第三光补偿膜570可以是其中nz<nx＝ny的负C板。第三光补偿膜570可以被引入以调整偏振膜501的厚度方向Z上的相位差。通过使用第三光补偿膜570，偏振膜501的厚度方向Z上的相位差可以被调整到接近于零。
偏振膜501可以通过第一光补偿膜530和第二光补偿膜550针对每个波长不同地调整折射率，并且可以通过第三光补偿膜570根据厚度来调整相位差，并且因此可以容易地将反射颜色调整到接近于中性黑色。
参考图6，根据实施方式的偏振膜502可以包括偏振层520、作为正A板的第一光补偿膜530以及作为正C板的第二光补偿膜550。
在这种情况下，ne(+C)-ne(+A)的值可以在450nm的波长处是正的并且在650nm的波长处是负的。这里，ne(+A)表示第一光补偿膜530的非寻常折射率，并且ne(+C)表示第二光补偿膜550的非寻常折射率。
在本实施方式中，偏振膜502还可以包括布置在第二光补偿膜550的下表面上的第三光补偿膜570和第四光补偿膜590。在实施方式中，第三光补偿膜570可以布置在第二光补偿膜550的下表面上，并且第四光补偿膜590可以布置在第三光补偿膜570的下表面上。第三光补偿膜570可以是其中nz<nx＝ny的负C板。第四光补偿膜590可以是其中nz>nx＝ny的正C板。第三光补偿膜570和第四光补偿膜590可以被引入以调整偏振膜502的厚度方向Z上的相位差。通过使用第三光补偿膜570和第四光补偿膜590，偏振膜502的厚度方向Z上的相位差可以调整到接近于零。
偏振膜502可以通过第一光补偿膜530和第二光补偿膜550针对每个波长不同地调整折射率，并且可以通过第三光补偿膜570和第四光补偿膜590根据厚度来调整相位差，并且因此可以容易地将反射颜色调整到接近于中性黑色。
在图5和图6的实施方式中，ne(+C)-ne(+A)的值可以在450nm的波长处是正的并且在650nm的波长处是负的。在一些实施方式中，ne(+C)-ne(+A)的值可以在450nm的波长处是约0.02至约0.08并且在650nm的波长处是约-0.08至约-0.02。
在这种情况下，当安装有偏振膜501或502的显示装置的电源在关闭状态下未被驱动时，穿过偏振膜501或502的光的每个波长的偏振状态可以尽可能地相似，并且因此由反射光引起的颜色可以实现为接近于中性黑色。此外，根据方位角的反射色度的改变可以是小的。
图7是示意性地示出根据实施方式的显示装置的平面图。
各自包括诸如有机发光二极管的显示元件的多个像素PX可以布置在衬底100的显示区域DA中。像素PX还可以包括用于控制显示元件的多个薄膜晶体管和存储电容器。包括在一个像素PX中的薄膜晶体管的数量可以各种修改，例如，薄膜晶体管的数量可以修改为1至7。
用于传输待施加到显示区域DA的电信号的各种线可以位于衬底100的外围区域PA中。薄膜晶体管也可以布置在外围区域PA中，并且在这种情况下，布置在外围区域PA中的薄膜晶体管可以是用于控制施加到显示区域DA的电信号的电路单元的一部分。
在下文中，有机发光显示装置将被描述为根据实施方式的显示装置的示例；然而，本公开的显示装置不限于此。在其他实施方式中，可以使用各种类型的显示装置，诸如无机EL显示器(无机发光显示器)和量子点发光显示器。
图8是示意性地示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖视图。
参考图8，显示装置可以包括衬底100、设置在衬底100之上的薄膜晶体管T1和T2以及电连接到薄膜晶体管T1和T2的有机发光二极管300。此外，有机发光显示装置还可以包括各种绝缘层111、112、113、115、118和119以及存储电容器Cst。
衬底100可以由诸如玻璃材料、金属材料或塑料材料的各种材料形成。根据实施方式，衬底100可以是柔性衬底并且包括例如聚合物树脂，诸如聚醚砜(“PES”)、聚丙烯酸酯(“PAR”)、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚芳酯、聚酰亚胺(“PI”)、聚碳酸酯(“PC”)或乙酸丙酸纤维素(“CAP”)。
缓冲层111可以位于衬底100上，以减少或阻止异物、湿气或外部空气从衬底100之下的渗透，并且可以在衬底100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机/无机复合材料，并且可以包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。用于阻挡外部空气的渗透的阻隔层(未示出)可以进一步包括在衬底100和缓冲层111之间。在一些实施方式中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。
第一薄膜晶体管T1和/或第二薄膜晶体管T2可以设置在缓冲层111之上。第一薄膜晶体管T1可以包括半导体层A1、栅电极G1、源电极S1和漏电极D1，并且第二薄膜晶体管T2可以包括半导体层A2、栅电极G2、源电极S2和漏电极D2。第一薄膜晶体管T1可以用作连接到有机发光二极管300以驱动有机发光二极管300的驱动薄膜晶体管。第二薄膜晶体管T2可以连接到数据线DL以用作开关薄膜晶体管。尽管示出了两个薄膜晶体管，但是本公开不限于此。薄膜晶体管的数量可以各种修改，诸如，薄膜晶体管的数量可以修改为1至7。
半导体层A1和A2可以包括非晶硅或者可以包括多晶硅。在其他实施方式中，半导体层A1和A2可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。半导体层A1和A2可以包括沟道区域和掺杂有掺杂剂的源区域和漏区域。
栅电极G1和G2可以设置在半导体层A1和A2之上且第一栅极绝缘层112在其之间。栅电极G1和G2可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以包括单层或多层。例如，栅电极G1和G2可以包括单个Mo层。
第一栅极绝缘层112可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。
第二栅极绝缘层113可以设置成覆盖栅电极G1和G2。第二栅极绝缘层113可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。
存储电容器Cst的第一存储电极CE1可以是第一薄膜晶体管T1的一部分。例如，第一薄膜晶体管T1的栅电极G1可以用作存储电容器Cst的第一存储电极CE1。然而，本公开不限于此。存储电容器Cst可以不是第一薄膜晶体管T1的一部分，并且可以与薄膜晶体管T1和T2分开形成。
存储电容器Cst的第二存储电极CE2可以与第一存储电极CE1重叠且第二栅极绝缘层113在其之间。在这种情况下，第二栅极绝缘层113可以用作存储电容器Cst的电介质层。第二存储电极CE2可以包括含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括含有以上材料的单层或多层。例如，第二存储电极CE2可以包括Mo的单层或Mo/Al/Mo的多层。
层间绝缘层115可以形成在衬底100的整个表面上，以覆盖第二存储电极CE2。层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。
源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以设置在层间绝缘层115之上。源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以包括含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括含有以上材料的单层或多层。例如，源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以包括Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层118可以位于源电极S1和S2以及漏电极D1和D2之上，并且有机发光二极管300可以位于平坦化层118之上。有机发光二极管300可以包括第一电极310、包括有机发射层的中间层320和第二电极330。
平坦化层118可以具有平坦的上表面，使得第一电极310可以形成为平坦的。平坦化层118可以包括由有机材料或无机材料形成的单层或多层。平坦化层118可以包括诸如苯并环丁烯(“BCB”)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)、聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或它们的任何混合物。平坦化层118可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。在形成平坦化层118之后，可以执行化学机械抛光以提供平坦的上表面。
平坦化层118可以包括暴露第一薄膜晶体管T1的源电极S1和漏电极D1中的任一个的开口部分，并且第一电极310可以通过经由开口部分接触源电极S1或漏电极D1而电连接到第一薄膜晶体管T1。
像素限定层119可以设置在第一电极310之上。像素限定层119可以通过包括与每个子像素对应的开口119OP(即，通过其至少暴露第一电极310的中央部分的开口119OP)来限定子像素。此外，像素限定层119可以增加第一电极310的边缘和第二电极330之间的距离，从而防止在它们之间出现电弧等。像素限定层119可以由例如有机材料(诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO))形成。
间隔物(未示出)可以设置在像素限定层119之上。间隔物可以用于防止在形成有机发光二极管300的中间层320所需的掩模工艺期间可能发生的掩模标记(mask marking)。间隔物可以包括有机材料，诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。间隔物可以由与像素限定层119相同的材料同时形成。在这种情况下，可以使用半色调掩模。
有机发光二极管300的中间层320可以包括有机发射层(“EML”)。有机发射层可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料的有机材料。有机发射层可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料，并且诸如空穴传输层(“HTL”)、空穴注入层(“HIL”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)的功能层可以任选地进一步设置在有机发射层之下或之上。中间层320可以布置成与多个第一电极310中的每一个对应。然而，本公开不限于此。中间层320可以各种修改，诸如修改成包括在多个第一电极310之上的整体层。
第二电极330可以包括透明电极或反射电极。在一些实施方式中，第二电极330可以包括透明或半透明电极，并且可以包括薄金属层，薄金属层具有低功函数并且包括Li、Ca、LiF、Al、Ag、Mg或其任何化合物或者具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料。此外，包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的材料的透明导电氧化物(“TCO”)层可以进一步设置在薄金属层之上。第二电极330可以设置成遍及显示区域DA和外围区域PA，并且可以设置在中间层320和像素限定层119之上。第二电极330可以一体地形成在多个有机发光二极管300中，以与多个第一电极310对应。下面将描述根据实施方式的薄膜封装层400的更详细的配置。
封装显示区域DA的薄膜封装层400可以进一步包括在有机发光二极管300之上。薄膜封装层400可以覆盖显示区域DA以保护有机发光二极管300免受外部湿气或氧气的影响。薄膜封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410可以覆盖第二电极330，并且可以包括陶瓷、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(“ITO”)、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。然而，当需要时，诸如封盖层的其他层可以布置在第一无机封装层410和第二电极330之间。如图8中所示，因为第一无机封装层410沿着其之下的结构形成，所以其上表面可以不是平坦的。
有机封装层420可以覆盖第一无机封装层410，并且可以具有与第一无机封装层410不同的基本上平坦的上表面。具体地，有机封装层420的上表面可以在与显示区域DA对应的部分处是基本上平坦的。有机封装层420可以包括丙烯酸、甲基丙烯酸、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的至少一种。
第二无机封装层430可以覆盖有机封装层420，并且可以包括陶瓷、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机封装层430可以在位于显示区域DA外部的其边缘处接触第一无机封装层410，使得有机封装层420可以不暴露于外部。
这样，因为薄膜封装层400包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430，所以即使当通过多层结构在薄膜封装层400中出现裂纹时，裂纹可以不在第一无机封装层410和有机封装层420之间或有机封装层420和第二无机封装层430之间连接。因此，可以防止或最小化外部湿气或氧气等渗入显示区域DA中的路径的形成。
此外，在本实施方式中，薄膜封装层400用作用于封装有机发光二极管300的封装构件；然而，本公开不限于此。例如，通过密封剂或玻璃料结合到衬底100的封装衬底可以用作用于封装有机发光二极管300的构件。
在本实施方式中，用于改善室外可视性的偏振膜500可以设置在薄膜封装层400之上或封装衬底之上。如图1中所示，偏振膜500可以包括偏振层520、第一光补偿膜530和第二光补偿膜550。在这种情况下，偏振膜500的第二光补偿膜550可以布置成比偏振层520更靠近薄膜封装层400。
诸如触摸屏层的各种功能层和窗可以进一步包括在薄膜封装层400之上，并且用于改善光效率的封盖层可以进一步包括在第二电极330和薄膜封装层400之间。
根据实施方式，因为偏振膜中包括的第一光补偿膜和第二光补偿膜的非寻常折射率之间的差值对于每个波长是不同的，所以可以提供具有优异特性的偏振膜。
应该理解，本文中描述的实施方式应该被认为仅仅是描述性的，而不是为了限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域的普通技术人员将理解，在不脱离如由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.偏振膜，包括：
偏振层；
第一光补偿膜，布置在所述偏振层的一侧上并且包括正A板；以及
第二光补偿膜，布置在所述第一光补偿膜的一侧上并且包括正C板，
其中，ne(+C)-ne(+A)的值在450纳米(nm)的波长处为正并且在650nm的波长处为负，
其中，ne(+A)表示所述第一光补偿膜的非寻常折射率，并且ne(+C)表示所述第二光补偿膜的非寻常折射率。
2.根据权利要求1所述的偏振膜，其中，ne(+C)-ne(+A)的所述值在450nm的所述波长处为0.02至0.08并且在650nm的所述波长处为-0.08至-0.02。
3.根据权利要求1所述的偏振膜，其中，所述偏振膜的在60°的极角处的方位角颜色分布(AACD)值为10或更小，
其中，AACD＝{Max(a*)-Min(a*)}×{Max(b*)-Min(b*)}，
其中，a*和b*是CIE L*a*b*坐标系中的坐标值，Max(a*)和Min(a*)分别是针对方位角至360°测量的a*坐标值中的最大值和最小值，以及
Max(b*)和Min(b*)分别是针对方位角至360°测量的b*坐标值中的最大值和最小值。
4.根据权利要求1所述的偏振膜，其中，所述第二光补偿膜包括液晶分子。
5.根据权利要求4所述的偏振膜，其中，所述液晶分子是杆形状的。
6.根据权利要求1所述的偏振膜，其中，所述第一光补偿膜包括四分之一波板。
7.根据权利要求6所述的偏振膜，其中，所述第一光补偿膜具有反向的波长色散。
8.根据权利要求7所述的偏振膜，其中，所述第一光补偿膜的所述波长色散(DSP)满足以下条件：
DSP(450nm)＝R(450nm)/R(550nm)<1，
DSP(650nm)＝R(650nm)/R(550nm)>1，
其中，R(λ)表示在波长λ处的相位差值。
9.根据权利要求1所述的偏振膜，还包括第三光补偿膜，所述第三光补偿膜布置在所述第二光补偿膜的一侧上并且包括负C板。
10.根据权利要求9所述的偏振膜，还包括第四光补偿膜，所述第四光补偿膜布置在所述第三光补偿膜的一侧上并且包括正C板。
11.显示装置，包括：
衬底；
多个显示元件，设置在所述衬底之上；
封装构件，封装所述多个显示元件；以及
偏振膜，设置在所述封装构件之上，
其中，所述偏振膜包括：
偏振层；
第一光补偿膜，布置在所述偏振层的一侧上并且包括正A板；以及
第二光补偿膜，布置在所述第一光补偿膜的一侧上并且包括正C板，
其中，ne(+C)-ne(+A)的值在450nm的波长处为正并且在650nm的波长处为负，
其中，ne(+A)表示所述第一光补偿膜的非寻常折射率，并且ne(+C)表示所述第二光补偿膜的非寻常折射率。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，ne(+C)-ne(+A)的所述值在450nm的所述波长处为0.02至0.08并且在650nm的所述波长处为-0.08至-0.02。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述偏振膜的在60°的极角处的方位角颜色分布(AACD)值为10或更小，
其中，AACD＝{Max(a*)-Min(a*)}×{Max(b*)-Min(b*)}，
其中，a*和b*是CIE L*a*b*坐标系中的坐标值，Max(a*)和Min(a*)分别是针对方位角至360°测量的a*坐标值中的最大值和最小值，以及
Max(b*)和Min(b*)分别是针对方位角至360°测量的b*坐标值中的最大值和最小值。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述封装构件包括薄膜封装层，并且所述薄膜封装层包括顺序堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
15.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二光补偿膜布置成比所述偏振层更靠近所述封装构件。
16.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二光补偿膜包括杆形状的液晶分子。
17.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一光补偿膜包括四分之一波板。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第一光补偿膜的波长色散(DSP)满足以下条件：
DSP(450nm)＝R(450nm)/R(550nm)<1，
DSP(650nm)＝R(650nm)/R(550nm)>1，
其中，R(λ)表示在波长λ处的相位差值。
19.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述偏振膜还包括第三光补偿膜，所述第三光补偿膜布置在所述第二光补偿膜的一侧上并且包括负C板。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述偏振膜还包括第四光补偿膜，所述第四光补偿膜布置在所述第三光补偿膜的一侧上并且包括正C板。
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