CN117043921A - 半导体晶片试验装置、半导体晶片试验系统、平坦度测定装置以及布线板的平坦度的调整方法 - Google Patents

半导体晶片试验装置、半导体晶片试验系统、平坦度测定装置以及布线板的平坦度的调整方法 Download PDF

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Abstract

本发明的半导体晶片试验装置(10)具备：母板(40)，能够与具有与形成于半导体晶片(200)的DUT接触的探针(81)的探针卡(80)电连接，并且具有多个连接器(41)；多个子板(50)，分别具有与连接器(41)嵌合的连接器(51)；以及多个调整机构(60)，在连接器(41)与连接器(51)嵌合的状态下使子板(50)的高度方向的位置变化，由此调整母板(40)的平坦度。

Description

半导体晶片试验装置、半导体晶片试验系统、平坦度测定装置 以及布线板的平坦度的调整方法
技术领域
本发明涉及对形成于半导体晶片的集成电路元件等被试验电子部件(DUT：DeviceUnder Test)进行试验的半导体晶片试验装置、具备该半导体晶片试验装置的半导体晶片试验系统、测定半导体晶片试验装置所具备的布线板的平坦度的平坦度测定装置、以及该布线板的平坦度的调整方法。
背景技术
以往的探针卡组件具备：空间转换器，其在底面设置有与形成于半导体晶片的半导体器件的焊盘接触的弹性接触结构体；印刷布线板；内插器，其配置于空间转换器与印刷布线板之间；以及专用的平坦化装置，其用于调整空间转换器的平坦性(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2003-528459号公报
发明内容
发明所要解决的课题
若上述印刷布线板产生挠曲等变形，则在印刷布线板与内插器之间产生接触不良，或者弹性接触结构体相对于半导体器件的焊盘偏离，有时会对半导体晶片的试验造成影响。另一方面，若将上述那样的专门针对平坦化的专用装置设置于探针卡组件，则存在能够安装印刷布线板上的连接器等的空间受到限制的问题。
本发明所要解决的课题在于，提供一种不会限制布线板上的空间而能够调整该布线板的平坦度的半导体晶片试验装置。另外，本发明所要解决的课题在于提供一种具备该半导体晶片试验装置的半导体晶片试验系统、测定该半导体晶片试验装置所具备的布线板的平坦度的平坦度测定装置、以及该布线板的平坦度的调整方法。
用于解决课题的技术方案
[1]本发明所涉及的半导体晶片试验装置是对形成于半导体晶片的DUT进行试验的半导体晶片试验装置，其具备：第一布线板，能够与具有与所述DUT接触的探针的探针卡电连接，并且具有多个第一连接器；多个第二布线板，分别具有与所述第一连接器嵌合的第二连接器；以及多个调整机构，在所述第一连接器和所述第二连接器嵌合的状态下，使沿着所述第一布线板的法线方向即第一方向的所述第二布线板的位置变化，由此调整所述第一布线板的平坦度。
[2]在上述发明中，也可以构成为，所述第一方向是相对于铅垂方向实质上平行的方向。
[3]在上述发明中，也可以构成为，所述第一布线板沿着与所述第一方向实质上正交的第二方向延伸，所述第二布线板沿着与所述第一方向实质上平行的方向延伸，所述第一连接器与所述第二连接器的嵌合方向是与所述第一方向实质上平行的方向。
[4]在上述发明中，也可以构成为，所述多个第二布线板沿着所述第一布线板的延伸方向即第二方向空开间隔地排列，且相互平行地配置。
[5]在上述发明中，也可以构成为，各个所述第二布线板具有多个所述第二连接器。
[6]在上述发明中，也可以构成为，所述第一连接器是安装于所述第一布线板中与所述探针卡侧的第一主面相反侧的第二主面的直线型的连接器，所述第二连接器是安装于所述第二布线板的第三主面或第四主面的直角型的连接器。
[7]在上述发明中，也可以构成为，所述调整机构包括：固定有所述第一布线板的支承体；保持部件，以沿着所述第二布线板中与所述第一布线板侧的第一边缘相反侧的第二边缘的方式配置，并支承于所述支承体；固定部件，固定于所述第二布线板，并且具有内螺纹部；以及调整螺钉，具有与所述固定部件的所述内螺纹部螺合的外螺纹部，插通于所述保持部件的贯通孔并且保持于所述保持部件，通过使所述调整螺钉旋转，使所述第二布线板相对于所述保持部件的沿着所述第一方向的相对位置变化。
[8]在上述发明中，也可以构成为，所述半导体晶片试验装置具备：驱动装置，驱动所述调整机构；以及控制装置，控制所述驱动装置。
[9]在上述发明中，也可以构成为，所述半导体晶片试验装置具备测定所述第一布线板中所述探针卡侧的第一主面的平坦度的平坦度测定装置，所述控制装置基于由所述平坦度测定装置测定出的所述平坦度来控制所述驱动装置。
[10]在上述发明中，也可以构成为，所述平坦度测定装置具备：坐标测定部，测定所述第一布线板的所述第一主面中的多个部位的沿着第一方向的坐标值；以及计算部，计算所述坐标值相对于基准平面的差分作为所述平坦度。
[11]本发明所涉及的半导体晶片试验系统具备：上述的半导体晶片试验装置；探针卡，具有与形成于半导体晶片的DUT接触的探针，与所述半导体晶片试验装置的第一布线板电连接；以及探针器，使所述半导体晶片与所述探针卡相对，将所述半导体晶片按压于探针卡。
[12]本发明所涉及的平坦度测定装置是测定与具有与形成于半导体晶片的DUT接触的探针的探针卡电连接的第一布线板的平坦度的平坦度测定装置，其中，所述第一布线板具有供多个第二布线板分别具有的第二连接器嵌合的多个第一连接器，所述平坦度测定装置在所述第一连接器与所述第二连接器嵌合的状态下，测定所述第一布线板中所述探针卡侧的第一主面的平坦度。
[13]在上述发明中，也可以构成为，所述平坦度测定装置具备：坐标测定部，测定所述第一布线板的所述第一主面中的多个部位的沿着第一方向的坐标值；以及计算部，计算所述坐标值相对于基准平面的差分作为所述平坦度，所述第一方向是所述第一布线板的法线方向。
[14]在上述发明中，也可以构成为，所述第一方向是相对于铅垂方向实质上平行的方向。
[15]本发明所涉及的半导体晶片试验系统具备：上述的半导体晶片试验装置；上述的平坦度测定装置；探针卡，具有与形成于半导体晶片的DUT接触的探针，并与所述半导体晶片试验装置的第一布线板电连接；以及探针器，使所述半导体晶片与所述探针卡相对，将所述半导体晶片按压于探针卡。
[16]本发明所涉及的平坦度的调整方法是调整与具有与形成于半导体晶片的DUT接触的探针的探针卡电连接的第一布线板的平坦度的调整方法，其具备：准备工序，准备具有多个第一连接器的所述第一布线板和分别具有与所述第一连接器嵌合的第二连接器的多个第二布线板；以及调整工序，在所述第一连接器与所述第二连接器嵌合的状态下，使沿着所述第一布线板的法线方向即第一方向的所述第二布线板的位置变化，由此调整所述第一布线板的平坦度。
[17]在上述发明中，也可以构成为，所述调整方法具备测定所述第一布线板中所述探针卡侧的第一主面的平坦度的测定工序，所述调整工序包括如下处理：基于所述测定工序中的测定结果，使沿着所述第一方向的所述第二布线板的位置变化。
[18]本发明所涉及的平坦度的调整方法是上述的半导体晶片试验装置中的第一布线板的平坦度的调整方法，其具备：准备工序，准备具有多个第一连接器的所述第一布线板和分别具有与所述第一连接器嵌合的所述第二连接器的多个第二布线板；以及调整工序，在所述第一连接器与所述第二连接器嵌合的状态下，使沿着所述第一方向的所述第二布线板的位置变化，由此调整所述第一布线板的平坦度，所述调整工序包括如下处理：通过使所述调整螺钉旋转，使所述第二布线板相对于所述保持部件的沿着所述第一方向的相对位置变化。
[19]在上述发明中，也可以构成为，所述调整工序包括如下处理：使所述调整螺钉旋转，直到所述固定部件与所述保持部件或夹装在所述保持部件与所述固定部件之间的夹设部件抵接。
[20]在上述发明中，也可以构成为，所述第一方向是相对于铅垂方向实质上平行的方向。
发明效果
根据本发明，半导体晶片试验装置具备在第一及第二连接器嵌合的状态下使第二布线板的沿着第一方向的位置变化的多个调整机构，能够利用安装于第一布线板的第一连接器来调整该第一布线板的平坦度。因此，能够不会限制第一布线板上的空间地调整该第一布线板的平坦度。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式中的半导体晶片试验系统的概略图。
图2是表示本发明的第一实施方式中的测试头与探针器的连接部的剖视图。
图3是表示本发明的第一实施方式中的测试头的内部结构的剖视图，是沿着图2的A方向观察的图。
图4A是表示本发明的第一实施方式中的母板的俯视图。
图4B是表示本发明的第一实施方式中的母板的仰视图，是表示该母板上的测定点的图。
图5A是表示安装于本发明的第一实施方式中的母板及子板的连接器的剖视图，是表示连接器嵌合前的状态的图。
图5B是表示安装于本发明的第一实施方式中的母板及子板的连接器的剖视图，是表示连接器嵌合后的状态的图。
图6是与图3的VI部对应的放大剖视图，是沿着子板的长度方向切断的剖视图。
图7是表示本发明的第一实施方式中的调整机构的第一变形例的剖视图。
图8是表示本发明的第一实施方式中的调整机构的第二变形例的剖视图。
图9是表示本发明的第一实施方式中的平坦度测定装置的剖视图。
图10是表示本发明的第一实施方式中的平坦度的调整方法的流程图。
图11是表示本发明的第二实施方式中的半导体晶片试验装置所具备的平坦度测定装置的图。
图12A是表示本发明的第二实施方式中的半导体晶片试验系统的调整机构的剖视图。
图12B是表示本发明的第二实施方式中的半导体晶片试验系统的调整机构的俯视图。
图13是表示本发明的第三实施方式中的母板的仰视图。
具体实施方式
以下，基于附图说明本发明的实施方式。
＜＜第一实施方式＞＞
图1是表示本发明的第一实施方式中的半导体晶片试验系统的概略图。
如图1所示，本实施方式中的半导体晶片试验系统1是进行形成于半导体晶片200(参照图2)的IC器件等DUT的试验的系统。具备该半导体晶片试验装置10、探针卡80以及探针器90。而且，半导体晶片试验装置10具备测试器20和测试头30，测试器20经由电缆21与测试头30电连接。在进行形成于半导体晶片200的DUT的试验时，测试头30通过机械手96从维护位置(图1中虚线所示的位置)反转而配置于探针器90的上方。
图2是表示本实施方式中的测试头与探针器的连接部的剖视图，图3是表示本实施方式中的测试头的内部结构的剖视图。另外，图4A及图4B是表示本实施方式中的母板的俯视图及仰视图，图5A及图5B是表示安装于本实施方式中的母板及子板的连接器的剖视图，图6是与图3的VI部对应的放大剖视图。
如图2及图3所示，测试头30为了与半导体晶片200的DUT收发试验信号而具备母板40和多个(在本实施方式中为10块)子板50。母板40通过螺栓(未图示)等固定于测试头30的框架31。多个子板50经由连接器41、51与母板40连接。
本实施方式中的母板40相当于本发明中的“第一布线板”的一例，本实施方式中的连接器41相当于本发明中的“第一连接器”的一例。另外，本实施方式中的子板50相当于本发明中的“第二布线板”的一例，本实施方式中的连接器51相当于本发明中的“第二连接器”的一例。
母板40例如是具备由玻璃环氧树脂等构成的基材的印刷布线板。该母板40以上下的主面401、402沿着水平方向(图中的XY方向)延伸的姿势配置于测试头30的下部。
本实施方式中的图中的Z方向相当于本发明中的“第一方向”的一例，本实施方式中的图中的X方向相当于本发明中的“第二方向”的一例。
在该母板40的上表面401以矩阵状安装有多个连接器41。具体而言，如图4A所示，在本实施方式中，以与子板50的连接器51对应的方式，在母板40的上表面401以16行20列配置有320个连接器41。
如图5A和图5B所示，各个连接器41是具备阴端子411和保持该阴端子411的壳体412的插座型的连接器。另外，该连接器41是与对方的连接器51的嵌合方向(插拔方向)为相对于母板40的安装面401的法线方向(图中的Z方向)实质上平行的方向(图中的Z方向)的直线型的连接器。
与此相对，如图4B所示，在母板40的下表面402的焊盘形成区域42形成有多个焊盘。该焊盘以与将母板40与探针卡80电连接的内插器85(后述)的接触件851对应的方式配置。此外，虽未特别图示，但也可以在该母板40的下表面402中的焊盘形成区域42以外的区域形成接地等其他焊盘。安装于母板40的上表面401的连接器41和形成于该母板40的下表面402的焊盘经由形成于该母板40的布线图案、通孔等导电路径而电连接。
各个子板50例如是具备由玻璃环氧树脂等构成的基材的印刷布线板。如图2及图3所示，该子板50以主面501、502沿铅垂方向(图中的Z方向)延伸的姿势在测试头30内配置在母板40的上方。多个子板50沿着图中的X方向实质上等间隔地排列，相互平行地配置。
在该子板50的两面501、502安装有多个连接器51。具体而言，在子板50的一个主面501，沿着该子板50的下侧(与母板40对置的一侧)的边缘503实质上等间隔地安装有16个连接器51。同样地，在该子板50的另一个主面502上，也沿着该子板50的下侧的边缘503实质上等间隔地安装有16个连接器51。
如图5A及图5B所示，各个连接器51是具备阳端子511和保持该阳端子511的壳体512的插头型的连接器。另外，该连接器51是与对方的连接器41的嵌合方向(插拔方向)为相对于子板50的安装面501、502的法线方向(图中的X方向)实质上正交的方向(图中的Z方向)的直角型的连接器。此外，为了方便，在图5A及图5B中，仅图示了安装于子板50的一个主面501的连接器51，省略了安装于该子板50的另一个主面502的连接器51的图示。
此外，安装于子板50的连接器51也可以是具有阴端子的连接器。在该情况下，安装于母板40的连接器41成为具有阳端子的连接器。
母板40与多个子板50通过连接器41、51嵌合而电连接。具体而言，一方的连接器41的阳端子411插入另一方的连接器51的阴端子511而使该端子411、511彼此接触，从而连接器41、51彼此电连接。只要端子411、511在有效嵌合长度ML(参照图5B)的范围内相互接触，就能够维持连接器41、51彼此的电连接。本实施方式的连接器41、51是LIF(Low InsertionForce：低插拔力)连接器，但并不特别限定于此，也可以将ZIF(Zero Insertion Force：零插拔力)连接器用作连接器41、51。
此外，与母板40连接的子板50的块数只要是多个即可，并不特别限定于上述，能够任意地设定。另外，子板50所具有的连接器51的数量也不特别限定于上述数量，能够任意地设定。另外，也可以仅在子板50的主面501、502中的任一方安装连接器51。并且，安装于母板40的连接器41的数量、配置也不特别限定于上述内容，根据子板50所具有的连接器51的数量、配置来设定。
如图2所示，探针卡80具备与形成于半导体晶片200的DUT的焊盘电接触的多个探针81和安装有该探针81的布线板82。
探针81是利用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术由硅基板等半导体基板形成的探针。各个探针81以该探针81的前端与半导体晶片200的焊盘相对的方式安装于布线板82的下表面。
布线板82例如是具备由陶瓷等热膨胀率比较小的材料构成的基材的印刷布线板。虽然未特别图示，但在该布线板82的下表面形成有布线图案，探针81通过焊接等与该布线图案连接，从而安装于布线板82。与此相对，在该布线板82的上表面形成有与内插器85的接触件851对应地配置的多个焊盘。形成于布线板82的上表面的焊盘和形成于该布线板82的下表面的布线图案经由形成于该布线板82的布线图案、通孔等导电路径而电连接。
此外，上述探针卡80的结构只不过是一例，只要是具有探针(与形成于半导体晶片的DUT的焊盘接触的接触件)的结构体，则探针卡的结构不特别限定于上述结构。例如，探针卡也可以具备与布线板82不同的布线板、中继部件。另外，探针的结构也不特别限定于上述。例如，作为探针81，也可以使用弹簧针等垂直类型、在绝缘膜上形成有凸块的膜型。
内插器85具备：具有导电性的多个接触件851；以及保持该接触件851并且具有绝缘性的保持体852。各个接触件851是具有在中央弯曲的形状的销。通过该接触件851的弹力，该接触件851的上端与母板40的下表面402的焊盘接触，并且该接触件851的下端与探针卡80的布线板82的上表面的焊盘接触。经由该接触件851，母板40的焊盘与布线板82的焊盘电连接。
此外，只要具有对母板40与探针卡80之间进行电中继的功能，则内插器的结构并不特别限定于上述结构。例如，内插器85也可以代替上述的接触件851而具备所谓的弹簧针。或者，作为内插器85，也可以使用在厚度方向上施加压力时在其施加部分在上下方向电导通的各向异性导电性橡胶片材。另外，内插器85也可以被分割为多个。
另外，只要探针卡80与母板40电连接，则也可以除了内插器85之外或者代替内插器85，在母板40与探针卡80之间夹设布线板等其他构成要素。或者，也可以不经由内插器85而使探针卡80与母板40直接连接。
探针卡80以探针81朝向下方的姿势保持于环状的保持件92。并且，该保持器92保持于环状的适配器93，进而，该适配器93保持于探针器90的顶板91的开口911。该适配器93用于使尺寸不同的探针卡80适合探针器90的开口911。探针卡80和母板40通过使设置于母板40的下部的钩43与设置于适配器93的钩931卡合而机械地连结。另外，在探针卡80与母板40之间夹设有内插器85，探针卡80与母板40经由该内插器85电连接。
探针器90具有输送臂95，该输送臂95能够使通过吸附台94吸附保持的半导体晶片200在XYZ方向上移动，并且能够以Z轴为中心进行θ旋转。在试验时，输送臂95使半导体晶片200与经由开口911面对探针器90内的探针卡80对置，将该半导体晶片200按压于探针卡80，使探针81与形成于该半导体晶片200的多个DUT的焊盘接触。在该状态下，测试器20经由测试头30向DUT输入测试信号，并且接收来自该DUT的响应信号，将该响应信号与给定的期待值进行比较，由此评价DUT的电特性。
并且，如图2及图3所示，本实施方式的测试头30具备多个调整机构60。
在此，在经由连接器41、51连接有多个子板50的母板40上，存在因该子板50的按压而产生向下方向的挠曲的情况。在本实施方式中，在连接器41、51嵌合的状态下，通过该调整机构60使子板50的高度方向的位置变化，由此能够矫正在母板40产生的挠曲等变形。
对一块子板50分配一个调整机构60。因此，本实施方式的测试头30具备10个调整机构60。如图3以及图6所示，各个调整机构60具备保持部件61、一对固定部件63以及一对调整螺钉64。
保持部件61是以隔着子板50与母板40的上表面401对置的方式架设于测试头30的框架31的平板棒状的部件。该保持部件61具有扁平矩形状的截面形状，但并不特别限定于此。例如，保持部件61也可以具备具有在两侧部竖立设置的肋的大致U字状的截面形状。
该保持部件61与子板50实质上平行地延伸，以沿着该子板50的上侧的边缘504的方式配置。因此，子板50在铅垂方向上介于母板40与保持部件61之间。
并且，在该保持部件61的两端形成有沿上下方向贯通该保持部件61的固定孔611。该保持部件61通过插通于该固定孔611的固定螺钉62而固定于框架31。
此外，只要保持部件61相对地(直接或间接地)固定于框架31，则也可以在保持部件61与框架31之间夹设其他部件。另外，在本实施方式中，作为用于固定保持部件61的支承体而利用了测试头30的框架31，但也可以代替框架31而使用相对地(直接或间接地)固定有母板40的其他部件作为支承体。
另外，在该保持部件61形成有沿上下方向贯通该保持部件61的保持孔612。该保持孔612形成于与固定于子板50的固定部件63对应的位置。
固定部件63是使用铆钉等固定于子板50的部件，在该子板50的一个主面501配置于上侧的边缘504的左右两端(图中的Y方向的两端)的附近。在各个固定部件63上，沿铅垂方向(图中的Z方向)形成有在上部开口的固定孔631，在该固定孔631的内周面形成有内螺纹部632。
调整螺钉64是所谓的带六角孔的螺栓(盖螺栓)。该调整螺钉64插入保持部件61的保持孔612中，并且与固定部件63螺合。
具体而言，各个调整螺钉64具备头部641和轴部643。该调整螺钉64的头部641具有比保持部件61的保持孔612的内径大的外径。另一方面，该调整螺钉64的轴部643具有比保持孔612的内径小的外径。因此，调整螺钉64的轴部643插入保持部件61的保持孔612中，与此相对，该调整螺钉64的头部641的座面642与保持部件61抵接，该调整螺钉64被保持部件61保持。并且，该调整螺钉64的轴部643的外螺纹部644插入固定部件63的固定孔631而与内螺纹部632螺合。
当使该调整螺钉64向紧固方向(顺时针方向)旋转时，固定部件63向保持着调整螺钉64的保持部件61接近，子板50相对于保持部件61相对地上升。此时，由于母板40的连接器41与子板50的连接器51相互嵌合，因此通过调整螺钉64的旋转动作，母板40也经由子板50被提起。由此，能够矫正在母板40产生的挠曲等变形。
另外，在本实施方式中，在调整螺钉64的旋转动作期间，维持连接器41、51的嵌合，但设定为基于调整螺钉64的旋转动作的子板50的上拉力超过连接器41、51的拔出力(从连接器51拔出连接器41所需的力)。因此，通过调整螺钉64的旋转动作，能够在经由子板50将母板40提起的同时，使子板50的连接器51相对于母板40的连接器41相对地上升。由此，能够使子板50的重量经由保持部件61向框架31释放，因此能够进一步改善母板40的平坦度。此时，为了可靠地进行连接器41、51的电连接，优选基于调整螺钉64的旋转动作的子板50的上升量比连接器41、51的有效嵌合长度ML小。
此外，连接器41、51的拔出力也可以是由调整螺钉64的旋转动作产生的子板50的上拉力以上。
上述的调整机构60的结构只要是能够使子板50上升及/或下降的机构即可，并不特别限定于上述结构。虽然没有特别限定，但例如调整机构也可以具有图7或图8所示的结构。图7是表示本实施方式中的调整机构的第一变形例的剖视图，图8是表示本实施方式中的调整机构的第二变形例的剖视图。
上述的调整机构60仅具备使子板50上升的功能，与此相对，图7所示的调整机构60B仅具备使子板50下降的功能。
在该调整机构60B中，在固定部件63未形成内螺纹部，在保持部件61的保持孔612的内周面形成有内螺纹部613，调整螺钉64的前端与固定部件63抵接。在该第一变形例中，当使调整螺钉64向拧紧的方向(顺时针)旋转时，该调整螺钉64的前端经由固定部件63将子板50压下。通过这样的调整机构60B，在母板40产生翘曲等向上方向的变形的情况下，能够矫正该变形。
另外，图8所示的调整机构60C具备使子板50上升及下降的双方的功能。具体而言，该调整机构60C具备介于保持部件61与固定部件63之间的螺旋弹簧65。另外，也可以代替螺旋弹簧65而使弹簧垫圈、波形垫圈(波形垫圈)、碟形弹簧垫圈等其他弹性部件介于保持部件61与固定部件63之间。
在该第二变形例中，当使调整螺钉64向紧固方向(顺时针)旋转时，固定部件63克服螺旋弹簧65的弹力而上升，子板50被提起。另一方面，当使调整螺钉64向松动方向(逆时针方向)旋转时，通过螺旋弹簧65的弹力，调整螺钉64的头部641与保持部件61抵接的状态维持不变地，固定部件63下降而子板50被压下。通过这样的调整机构60C，能够应对因子板50的按压而在母板40产生向下方向的挠曲的情况和在该母板40产生翘曲等向上方向的变形的情况这两者。
另外，虽然未特别图示，但在调整机构60中，外螺纹部与内螺纹部的配置也可以与上述的配置相反。在该情况下，调整机构60代替调整螺钉64而具备调整螺母，并且形成有外螺纹部的轴从固定部件63朝向上方突出而插通于保持部件61的保持孔612，调整螺母与该轴螺合。
图9是表示本实施方式中的平坦度测定装置的剖视图。
本实施方式的半导体晶片试验系统1具备与半导体晶片试验装置10及探针器90独立的平坦度测定装置100。该平坦度测定装置100是在将母板40安装于测试头30的状态下测定该母板40的平坦度的装置。此外，该平坦度测定装置100也可以不包含在半导体晶片试验系统1中，例如，该平坦度测定装置100以单体设置在工厂内。
在此，如上所述，在将母板40安装于测试头30的状态下，多个子板50经由连接器41、51已经与母板40连接，有时由于该子板50的按压而在母板40产生向下方向的挠曲。因此，在本实施方式中，在将测试头30与探针器90连结之前，通过该平坦度测定装置100测定安装于该测试头30的母板40的平坦度，使用上述的调整机构60使母板40平坦化。作为母板40的平坦化的具体的定时，没有特别限定，能够例示测试头30的出厂时、母板40的更换时等。
此外，所谓母板40的平坦度，是指母板40的下表面402从几何学上正确的基准平面偏离的大小。具体而言，如后述那样，本实施方式中的平坦度由母板40的下表面402相对于特定点SP1～SP17处的近似平面(基准平面)的Z方向的差分的集合来表现。
如图9所示，该平坦度测定装置100具备框架110、测定部120、移动装置130以及运算部140。
框架110能够以母板40的下表面402朝向下方的姿势保持测试头30。测定部120和移动装置130配置在该框架110内。
测定部120例如是对母板40的下表面402的特定点SP1～SP17照射激光，利用其反射光取得该特定点SP1～SP17的Z方向的坐标值的激光位移计。此外，该测定部120只要能够测定母板40的下表面402中的特定点SP1～SP17的高度方向的坐标值，则不限定于激光位移计。
移动装置130是使测定部120在XY方向上移动的装置，例如由线性引导件、滚珠丝杠机构以及马达等构成。测定部120通过该移动装置130，在XY方向上移动到与母板40的特定点SP1～SP17对置的位置。另外，移动装置130只要能够使测定部120在XY方向上移动即可，并不特别限定于上述内容，例如也可以将机械臂用作移动装置130。
运算部140例如由计算机构成。该运算部140基于测定部120的测定结果来计算母板40的下表面402的平坦度。由该运算部140进行的平坦度的具体计算方法在后面叙述。
参照图10对本实施方式中的母板的平坦度的调整方法进行说明。图10是表示本实施方式中的平坦度的调整方法的流程图。此外，以下说明的平坦度的计算方法只不过是一例，并不特别限定于此。例如，可以使用在后述的第三实施方式中说明的方法，或者也可以通过其他方法计算平坦度。
首先，在图10的步骤S10中，准备安装了母板40的测试头30。具体而言，在该测试头30中，母板40固定于测试头30的框架31，并且子板50的连接器51嵌合于该母板40的连接器41。
接着，在图10的步骤S20中，测定母板40的下表面402中的17个特定点SP1～SP17的Z方向的坐标值。此外，在本实施方式中，在该特定点SP1～SP17分别存在焊盘，严格来说，该特定点SP1～SP17的Z方向的坐标值是该焊盘的表面的Z方向的坐标值。
具体而言，首先，使在上述的步骤S10中准备的测试头30支承于平坦度测定装置100的框架110。接着，移动装置130使测定部120移动到与特定点SP1对置的位置，测定部120获取该特定点SP1的Z坐标值。接着，移动装置130使测定部120依次移动到与下一个特定点SP2～SP17对置的位置，测定部120依次获取该特定点SP2～SP17的Z坐标值。特定点SP1～SP17的Z坐标值从测定部120依次输出到运算部140。
此外，母板40的下表面402上的特定点的位置并不限定于上述的特定点SP1～SP17。另外，母板40的下表面402上的特定点的数量也不特别限定于上述数量。例如，也可以将母板40的下表面402中与连接器41对应的位置作为由测定部120测定的特定点。
若全部的特定点SP1～SP17的Z坐标值的测定完成(在步骤S30中为“是”)，则在图10的步骤S40中，运算部140根据特定点SP1～SP17的XYZ坐标值来制作近似平面，在图10的步骤S50中，运算部140计算出各特定点SP1～SP17处的Z方向的变形量。另外，特定点SP1～SP17的X坐标值及Y坐标值是预先设定的已知的坐标值。
具体而言，首先，运算部140使用最小二乘法等来计算通过特定点SP1～SP17的近似平面(步骤S40)。接着，运算部140在近似平面中提取与特定点SP1～SP17相当的位置的Z方向的坐标值。接着，运算部140针对所有的特定点SP1～SP17，计算母板40的下表面402的实际的Z坐标值与近似平面上的Z坐标值的差分(变形量)作为平坦度(步骤S50)。
接着，在图10的步骤S60中，基于上述的变形量，通过调整机构60进行母板40的平坦化。
具体而言，作业者通过使调整机构60的调整螺钉64向紧固方向(顺时针)旋转来提起子板50。此时，使垫片66(图6中虚线所示的部件)介于保持部件61与固定部件63之间，作业者使调整螺钉64旋转，直到固定部件63与该垫片66抵接为止。由此，保持部件61与固定部件63之间的间隔变窄，子板50相对于保持部件61被提起，消除(消去)特定点SP1～SP17处的上述变形量。该垫片66选择具有提起量成为消除变形量的量那样的厚度的垫片，根据特定点SP1～SP17处的变形量，对各个调整机构60单独地选择。
此外，也可以通过实验等预先制作表示特定点SP1～SP17处的变形量与为了消除该变形量所需的各调整机构60对子板50的提起量(垫片66的厚度)的对应关系的表。
或者，也可以预先制作表示特定点SP1～SP17处的变形量与为了消除该变形量所需的各调整机构60的调整螺钉64的旋转量的对应关系的表，不使用垫片66而操作调整机构60。
或者，也可以由平坦度测定装置100一边测定特定点SP1～SP17处的变形量，一边由作业者操作调整机构60，作业者使调整螺钉64旋转，直到特定点SP1～SP17处的变形量实质上为零为止。
另外，在调整机构60的提起量不足的情况下，也可以使垫片介于保持部件61与框架31之间，扩大保持部件61与固定部件63之间的间隔。
如上所述，在本实施方式中，测试头30具备在连接器41、51嵌合的状态下使子板50的高度方向的位置变化的多个调整机构60，能够利用安装于母板40的连接器41使该母板40平坦化。因此，能够不会限制母板40上的空间地调整该母板40的平坦度。
＜＜第二实施方式＞＞
图11是表示本实施方式中的半导体晶片试验装置所具备的平坦度测定装置的图，图12A及图12B是表示本实施方式的半导体晶片试验系统的调整机构的剖视图及俯视图。
本实施方式与上述的第一实施方式的不同点在于，(1)平坦度测定装置100B组装于半导体晶片试验装置10B、以及(2)调整机构60的操作被自动化，除此以外的结构与第一实施方式相同。以下，关于第二实施方式中的半导体晶片试验系统，仅对与第一实施方式的不同点进行说明，对与第一实施方式相同的结构的部分标注相同的附图标记并省略其说明。
如图11所示，本实施方式中的半导体晶片试验装置10B除了测试器20及测试头30以外，还具备平坦度测定装置100B。该平坦度测定装置100B具备测定部120、机械臂130B以及运算部140(图11中未图示)。测定部120安装于机械臂130B的前端。机械臂130B例如与测试头30的侧部连接，能够使测定部120在XYZ方向上移动。
机械臂130B使测定部120依次移动到与特定点SP1～SP17对置的位置。测定部120依次取得该特定点SP1～SP17的Z坐标值，并将该特定点SP1～SP17的Z坐标值依次输出到运算部140。运算部140计算各个特定点SP1～SP17处的Z方向的变形量。
此外，平坦度测定装置100B也可以具备能够使测定部120至少在XY方向上移动的其他移动装置来代替机械臂130B。另外，在本实施方式中，将平坦度测定装置100B安装于测试头30，但也可以将平坦度测定装置100B设置于探针器90内。在该情况下，成为探针器90具备平坦度测定装置100B。
另外，如图12A和图12B所示，本实施方式中的半导体晶片试验装置10B具备驱动调整机构60的驱动装置70和控制该驱动装置70的控制装置75。
驱动装置70具备蜗轮71、蜗杆72以及马达73。蜗轮71固定于调整螺钉64的头部641。蜗杆72与该蜗轮71啮合，并且经由轴74与马达73的驱动轴连结。
该驱动装置70也可以单独地设置于各个调整机构60。或者，也可以通过同一驱动装置70驱动多个调整机构60。例如，也可以通过一个驱动装置70驱动配置于多个子板50的一方(图中的+Y方向侧)的端部的多个调整螺钉64，通过另一个驱动装置70驱动配置于该子板50的另一方(图中的-Y方向侧)的端部的多个调整螺钉64。
此外，驱动装置70的结构只要是自动地操作调整螺钉64的结构即可，并不特别限定于上述结构。另外，调整机构和驱动装置的结构只要能够使子板50自动地上升以及/或者下降即可，并不特别限定于上述结构。例如，也可以由与子板50连结的滚珠丝杠机构和马达构成调整机构和驱动装置。
控制装置75例如由计算机构成。该控制装置75针对每个调整机构60计算消除由平坦度测定装置100B的运算部140计算出的变形量的子板50的提起量(调整螺钉64的旋转量)，并控制驱动装置70以使调整机构60驱动该提起量。
如上所述，在本实施方式中，也与第一实施方式同样地，测试头30具备在连接器41、51嵌合的状态下使子板50的高度方向的位置变化的多个调整机构60，能够利用安装于母板40的连接器41使该母板40平坦化。因此，在不会限制母板40上的空间的情况下，能够调整该母板40的平坦度。
此外，在本实施方式中，母板40的平坦化作业全部自动化，但并不特别限定于此。半导体晶片试验装置10B具备平坦度测定装置100B，但也可以不具备驱动装置70和控制装置75而手动进行调整机构60的操作。或者，半导体晶片试验装置10B具备驱动装置70和控制装置75，但也可以不具备平坦度测定装置100B。
另外，本实施方式的半导体晶片试验装置10B具备图6所示的调整机构60，但并不特别限定于此，半导体晶片试验装置10B也可以代替该调整机构60而具备图7所示的调整机构60B或者图8所示的调整机构60C。
＜＜第三实施方式＞＞
图13是表示本实施方式中的母板的仰视图。
在本实施方式中，母板40的平坦度的计算方法与上述的第一实施方式不同，但除此以外的结构与第一实施方式相同。以下，关于第三实施方式中的半导体晶片试验系统，仅对与第一实施方式的不同点进行说明，对与第一实施方式相同的结构的部分标注相同的附图标记并省略其说明。
在本实施方式中，代替母板40的下表面402中的特定点SP1～SP17的Z方向的坐标值，而使用应变计120a～120j来测定母板40的平坦度。
具体而言，如图13所示，在安装于测试头30的母板40的下表面402的特定点粘贴应变计120a～120j。虽然没有特别限定，但在本实施方式中，应变计120a～120j包含相对于母板40的焊盘形成区域42的中心呈点对称配置的多个组。然后，测定各个应变计120a～120j的电阻值，计算该电阻值与基准值的差分，根据该差分和各个应变的方向，计算母板40的下表面402的平坦度。此外，也可以在母板40上预先形成应变计120a～120j自身。
与应变计120a～120j的电阻值进行比较的基准值是在将母板40安装于测试头30之前由粘贴于该母板40的应变计120a～120j测定出的电阻值。因此，本实施方式中的母板40的平坦度由实际的应变(实测电阻值)相对于特定点处的平坦时的应变(基准电阻值)的差分的集合来表现。
此外，该基准值并不特别限定于上述，在将该母板40安装于测试头30的状态下母板40充分平坦化的情况下，也可以将通过测定该母板40而得到的电阻值用作基准值。
然后，作业者基于使用应变计120a～120j算出的平坦度来操作调整机构60。此时，在保持部件61与固定部件63之间预先夹设垫片，作业者使调整螺钉64旋转，直到固定部件63与该垫片抵接为止。
此外，也可以通过实验等预先制作表示应变计120a～120j的电阻值的差分与为了消除该差分所需的各个调整机构60对子板50的提起量(垫片的厚度)的对应关系的表。
或者，也可以预先制作表示应变计120a～120j的电阻值的差分与为了消除该差分所需的各个调整机构60的调整螺钉64的旋转量的对应关系的表，不使用垫片而操作调整机构60。
或者，也可以一边测定应变计120a～120j的电阻值，一边由作业者操作调整机构60，作业者使调整螺钉64旋转，直到应变计120a～120j的电阻值的差实质上成为零为止。
如上所述，在本实施方式中，也与第一实施方式同样地，测试头30具备在连接器41、51嵌合的状态下使子板50的高度方向的位置变化的多个调整机构60，能够利用安装于母板40的连接器41使该母板40平坦化。因此，在不会限制母板40上的空间情况下，能够调整该母板40的平坦度。
此外，也可以将本实施方式中说明的平坦度的计算方法应用于第二实施方式的半导体晶片试验系统。
此外，以上说明的实施方式是为了容易理解本发明而记载的，并非是为了限定本发明而记载的。因此，上述实施方式所公开的各要素的主旨在于，还包括属于本发明的技术范围的全部设计变更、等同物。
例如，在上述的实施方式中，在平坦化时以母板40的主面402朝向下方的姿势保持测试头30，但测试头30的姿势并不特别限定于此。例如，也可以在平坦化时以母板40的主面402朝向横向的姿势保持测试头30。
上述的半导体晶片试验系统1的结构只不过是一例，并不特别限定于此。例如，上述的测试头30与探针器90的机械连结结构只不过是一例，并不特别限定于此。
同样地，上述的半导体晶片试验装置10的结构只不过是一例，并不特别限定于此。例如，也可以在测试头30组装测试器20的功能，即，测试器20与测试头30也可以一体化。
符合说明
1…半导体晶片试验系统
10…半导体晶片试验装置
20…测试器
30…测试头
31…框架
40…母板
41…连接器
SP1～SP17…特定点
50…子板
51…连接器
60…调整机构
61…保持部件
62…固定螺钉
63…固定部件
632…内螺纹部
64…调整螺钉
644…外螺纹部
70…驱动装置
71…蜗轮
72…蜗杆
73…马达
75…控制装置
80…探针卡
81…探针
82…布线板
85…内插器
90…探针器
100…平坦度测定装置
120…测定部
130…移动装置
140…运算部
200…半导体晶片。

Claims (16)

1.一种半导体晶片试验装置，是对形成于半导体晶片的被试验电子部件即DUT进行试验的半导体晶片试验装置，其具备：
第一布线板，能够与探针卡电连接，并且具有多个第一连接器，该探针卡具有与所述DUT接触的探针；
多个第二布线板，分别具有与所述第一连接器嵌合的第二连接器；以及
多个调整机构，在所述第一连接器和所述第二连接器嵌合的状态下，使沿着所述第一布线板的法线方向即第一方向的所述第二布线板的位置变化，由此调整所述第一布线板的平坦度。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片试验装置，其中，
所述第一方向是相对于铅垂方向实质上平行的方向。
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片试验装置，其中，
所述第一布线板沿着与所述第一方向实质上正交的第二方向延伸，
所述第二布线板沿着与所述第一方向实质上平行的方向延伸，
所述第一连接器与所述第二连接器的嵌合方向是与所述第一方向实质上平行的方向。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体晶片试验装置，其中，
所述多个第二布线板沿着所述第一布线板的延伸方向即第二方向空开间隔地排列，且相互平行地配置。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体晶片试验装置，其中，
各个所述第二布线板具有多个所述第二连接器。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体晶片试验装置，其中，
所述第一连接器是安装于所述第一布线板中与所述探针卡侧的第一主面相反侧的第二主面的直线型的连接器，
所述第二连接器是安装于所述第二布线板的第三主面或第四主面的直角型的连接器。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体晶片试验装置，其中，
所述调整机构包括：
支承体，固定有所述第一布线板；
保持部件，以沿着所述第二布线板中与所述第一布线板侧的第一边缘相反侧的第二边缘的方式配置，并支承于所述支承体；
固定部件，固定于所述第二布线板，并且具有内螺纹部；以及
调整螺钉，具有与所述固定部件的所述内螺纹部螺合的外螺纹部，插通于所述保持部件的贯通孔并且保持于所述保持部件，
通过使所述调整螺钉旋转，使所述第二布线板相对于所述保持部件的沿着所述第一方向的相对位置进行变化。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体晶片试验装置，其中，
所述半导体晶片试验装置具备：
驱动装置，驱动所述调整机构；以及
控制装置，控制所述驱动装置。
9.根据权利要求8所述的半导体晶片试验装置，其中，
所述半导体晶片试验装置具备测定所述第一布线板中所述探针卡侧的第一主面的平坦度的平坦度测定装置，
所述控制装置基于由所述平坦度测定装置测定出的所述平坦度来控制所述驱动装置。
10.一种半导体晶片试验系统，其具备：
权利要求1～9中任一项所述的半导体晶片试验装置；
探针卡，具有与形成于半导体晶片的DUT接触的探针，并与所述半导体晶片试验装置的第一布线板电连接；以及
探针器，使所述半导体晶片与所述探针卡相对，将所述半导体晶片按压于探针卡。
11.一种平坦度测定装置，该平坦度测定装置测定与探针卡电连接的第一布线板的平坦度，该探针卡具有与形成于半导体晶片的DUT接触的探针，其中，
所述第一布线板具有供多个第二布线板分别具有的第二连接器嵌合的多个第一连接器，
所述平坦度测定装置在所述第一连接器与所述第二连接器嵌合的状态下，测定所述第一布线板中所述探针卡侧的第一主面的平坦度。
12.根据权利要求11所述的平坦度测定装置，其中，
所述平坦度测定装置具备：
坐标测定部，测定所述第一布线板的所述第一主面中的多个部位的沿着第一方向的坐标值；以及
计算部，计算所述坐标值相对于基准平面的差分作为所述平坦度，
所述第一方向是所述第一布线板的法线方向。
13.一种半导体晶片试验系统，其具备：
权利要求1～7中任一项所述的半导体晶片试验装置；
权利要求11或12所述的平坦度测定装置；
探针卡，具有与形成于半导体晶片的DUT接触的探针，与所述半导体晶片试验装置的第一布线板电连接；以及
探针器，使所述半导体晶片与所述探针卡相对，将所述半导体晶片按压于探针卡。
14.一种调整方法，是调整与具有与形成于半导体晶片的DUT接触的探针的探针卡电连接的第一布线板的平坦度的调整方法，其具备：
准备工序，准备具有多个第一连接器的所述第一布线板和分别具有与所述第一连接器嵌合的第二连接器的多个第二布线板；以及
调整工序，在所述第一连接器与所述第二连接器嵌合的状态下，使沿着所述第一布线板的法线方向即第一方向的所述第二布线板的位置变化，由此调整所述第一布线板的平坦度。
15.根据权利要求14所述的调整方法，其中，
所述调整方法具备测定所述第一布线板中所述探针卡侧的第一主面的平坦度的测定工序，
所述调整工序包括如下处理：基于所述测定工序中的测定结果，使沿着所述第一方向的所述第二布线板的位置变化。
16.一种调整方法，是权利要求7所述的半导体晶片试验装置中的第一布线板的平坦度的调整方法，其具备：
准备工序，准备具有多个第一连接器的所述第一布线板和分别具有与所述第一连接器嵌合的所述第二连接器的多个第二布线板；以及
调整工序，在所述第一连接器与所述第二连接器嵌合的状态下，使沿着所述第一方向的所述第二布线板的位置变化，由此调整所述第一布线板的平坦度，
所述调整工序包括如下处理：通过使所述调整螺钉旋转，使所述第二布线板相对于所述保持部件的沿着所述第一方向的相对位置变化。
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US7382142B2 (en) * 2000-05-23 2008-06-03 Nanonexus, Inc. High density interconnect system having rapid fabrication cycle
DE60142030D1 (de) 2000-03-17 2010-06-17 Formfactor Inc Verfahren und vorrichtung zum einebnen von einem halbleitersubstrat in einer testkartenanordnung
US20120280707A1 (en) * 2009-11-25 2012-11-08 Advantest Corporation Board mounting apparatus, test head, and electronic device test apparatus
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