CN117043909A - 将处理环境扩展到基板直径之外的基板边缘环 - Google Patents

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Abstract

本文提供了用于在处理腔室中使用的基板支撑件的实施例。在一些实施例中，一种基板支撑件包括：介电板，所述介电板具有第一侧并且包括设置在第一侧中的环形凹槽，所述第一侧被配置为支撑具有给定直径的基板，其中所述环形凹槽具有小于给定直径的内径和大于给定直径的外径，其中所述介电板包括夹持电极；插入环，所述插入环设置在介电板的环形凹槽中；以及边缘环，所述边缘环设置在介电板上，其中所述边缘环具有大于给定直径并且小于环形凹槽的外径的内径，使得所述边缘环设置在插入环的一部分上方。

Description

将处理环境扩展到基板直径之外的基板边缘环
技术领域
本公开的实施例总体上涉和基板处理系统，并且更具体地涉和用于基板处理系统中的基板支撑件。
背景技术
基板处理系统通常包括处理腔室，所述处理腔室用于在设置于其中的一个或多个基板上执行所期望的工艺，诸如蚀刻工艺。射频(RF)功率往往在蚀刻工艺中使用，所述蚀刻工艺例如需要非常高深宽比的孔来制作触点或需要深沟槽来铺设用于电通路的基础设施。RF功率可用于等离子体产生和/或用于在正在被处理的基板上创建偏置电压，以从体(bulk)等离子体吸引离子。静电卡盘用于静电地固持基板，以在处理期间控制基板温度。静电卡盘通常包括嵌入在介电板中的电极。处理腔室可包括边缘环，所述边缘环设置在基板周围以引导基板或保护静电卡盘的周边免受等离子体暴露。
发明人已观察到，当边缘环的高度由于基板处理期间的离子轰击而降低时，由偏置RF功率源创建的壳层中的等势线在边缘环附近变得倾斜，从而导致工艺漂移。边缘环与介电板之间的温差可导致与介电板和工艺气体相比，边缘环与工艺气体之间的不均匀化学反应，从而导致工艺漂移。为了减少壳层的等势线的倾斜(并由此减少冲击到基板上的离子的轨迹的倾斜)，RF功率可以独立地耦接至边缘环以控制壳层。到边缘环的较多的RF功率使壳层扩展，并且较少的RF功率使壳层收缩。随着边缘环被蚀刻，边缘环变得更薄，从而在边缘环的寿命内需要更多的RF功率来减少壳层的倾斜。然而，到边缘环的增加的RF功率也增加了边缘环的蚀刻速率，并且增加了边缘环温度和离子通量，这可能会导致工艺漂移。此外，在升高的温度下操作的常规边缘环可能会黏到下伏部件，从而需要人工移除和更换边缘环，这增加了处理停机时间并降低了基板生产量。
因此，发明人已经提供了改进的基板支撑件的实施例。
发明内容
本文提供了用于在处理腔室中使用的基板支撑件的实施例。在一些实施例中，一种用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件包括：介电板，所述介电板具有第一侧并且包括设置在所述第一侧中的环形凹槽，所述第一侧被配置为支撑具有给定直径的基板，其中所述环形凹槽具有小于所述给定直径的内径和大于所述给定直径的外径，其中所述介电板包括夹持电极；插入环，所述插入环设置在所述介电板的所述环形凹槽中；以及边缘环，所述边缘环设置在所述介电板上，其中所述边缘环具有大于所述给定直径并且小于所述环形凹槽的所述外径的内径，使得所述边缘环设置在所述插入环的一部分上方。
在一些实施例中，一种用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件包括：介电板，所述介电板具有第一侧并且包括设置在所述第一侧中的环形凹槽，所述第一侧被配置为支撑具有给定直径的基板，其中所述环形凹槽具有小于所述给定直径的内径和大于所述给定直径的外径，其中所述介电板包括一个或多个夹持电极；插入环，所述插入环设置在所述介电板的所述环形凹槽中，其中所述插入环的厚度小于所述介电板的厚度；以及边缘环，所述边缘环设置在所述介电板上，其中所述边缘环具有大于所述给定直径并且小于所述环形凹槽的所述外径的内径，使得所述边缘环设置在所述插入环的一部分上方。
在一些实施例中，一种用于处理基板的处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述腔室主体的内部体积内，其中所述基板支撑件包括：冷却板；介电板，所述介电板具有第一侧并且包括设置在所述第一侧中的环形凹槽，所述第一侧被配置为支撑具有给定直径的基板，其中所述环形凹槽具有小于所述给定直径的内径和大于所述给定直径的外径，其中所述介电板包括夹持电极；插入环，所述插入环设置在所述介电板的所述环形凹槽中；以及边缘环，所述边缘环设置在所述介电板上，其中所述边缘环具有大于所述给定直径并且小于所述环形凹槽的所述外径的内径，使得所述边缘环设置在所述插入环的一部分上方，并且其中所述介电板包括设置在所述边缘环下方的一个或多个背侧气体通道。
下面描述本公开的其他和进一步的实施例。
附图说明
通过参考附图中描绘的本公开的说明性实施例，可以理解上面简要总结并且下面更详细论述的本公开的实施例。然而，附图仅图示了本公开的典型实施例，因此不应被认为是对范畴的限制，因为本公开可允许其他同等有效的实施例。
图1描绘了根据本公开的至少一些实施例的具有基板支撑件的处理腔室的示意性侧视图。
图2描绘了根据本公开的至少一些实施例的基板支撑件的横截面示意性局部侧视图。
图3描绘了根据本公开的至少一些实施例的基板支撑件的示意性局部侧视图。
图4描绘了根据本公开的至少一些实施例的基板支撑件的横截面示意性局部侧视图。
图5描绘了根据本公开的至少一些实施例的具有基板支撑件的处理腔室的一部分的示意性侧视图。
为了促进理解，在可能的情况下，使用相同的附图标记来指定附图中公共的相同元素。附图不是按比例绘制的，并且为了清楚起见可以简化。一个实施例的元素和特征可以有益地结合到其他实施例中，而无需进一步叙述。
具体实施方式
本文提供了用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件和边缘环的实施例。基板支撑件包括介电板，所述介电板具有用于支撑具有给定直径的基板的支撑表面。基板支撑件包括边缘环，所述边缘环设置在介电板上并被配置为围绕基板。单个电源可以耦接至基板支撑件，以便以类似的功率密度向与基板和边缘环对应的位置提供功率。单个电源可被配置为以一个或多个频率或波形提供功率。由此，设置在基板周围的边缘环有利地将处理环境扩展到基板直径的给定直径之外，从而最小化基板边缘处的工艺漂移。边缘环和介电板可以有利地与彼此热隔离，或者具有独立的背侧气体通道以提供边缘环和介电板的独立温度控制。插入环有利地设置在介电板中的环形凹槽中，在基板与边缘环之间的间隙下方的位置处，以保护介电板。
图1描绘了根据本公开的至少一些实施例的具有基板支撑件的处理腔室(例如，等离子体处理腔室)的示意性侧视图。在一些实施例中，等离子体处理腔室是蚀刻处理腔室。然而，被配置用于不同工艺的其他类型的处理腔室也可以使用本文所述的基板支撑件的实施例，或被修改以与本文所述的基板支撑件的实施例一起使用。
处理腔室或腔室100是真空腔室，所述真空腔室适当地适于在基板处理期间维持腔室内部体积120内的次大气压。腔室100包括由盖104覆盖的腔室主体106，所述盖包封位于腔室内部体积120的上半部分中的处理体积119。腔室100也可包括一个或多个屏蔽件105，所述一个或多个屏蔽件包围各种腔室部件以防止此类部件与离子化的处理材料之间的不希望的反应。腔室主体106和盖104可由金属(诸如铝)制成。腔室主体106可经由到接地115的耦接而接地。
基板支撑件124设置在腔室内部体积120内，以例如支撑和保持基板122(诸如半导体晶片)或其他可静电保持的此类基板。基板支撑件124通常可包括基座150(下面参照图2-图5更详细地描述)。基座150包括设置在基部组件136上的介电板152。在一些实施例中，如图1所示，基板支撑件124包括用于支撑基座150的支撑轴112。在一些实施例中，如下面关于图5所示和论述的，基座150可经由基部组件136直接耦接至腔室主体106。基板支撑件124包括设置在介电板152上的边缘环185(下面参考图2-图3更详细地描述)。
介电板152包括一个或多个夹持电极154，所述一个或多个夹持电极被配置为将基板122静电夹持至介电板152。所述一个或多个夹持电极154也可将边缘环185静电夹持至介电板152。
支撑轴112提供导管，以向基座150提供例如背侧气体、工艺气体、流体、冷却剂、功率等。在一些实施例中，支撑轴112耦接至升降机构113(诸如致动器或电机)，所述升降机构提供基座150在上部处理位置(如图1所示)与下部转移位置(未示出)之间的竖直移动。波纹管组件110围绕支撑轴112设置，并且耦接在基座150与腔室100的底表面126之间以提供柔性密封，所述柔性密封允许基座150竖直运动，同时防止腔室100内的真空损失。波纹管组件110也包括下部波纹管凸缘164，所述下部波纹管凸缘与O形环165或其他合适的密封元件接触，所述密封元件与底表面126接触以帮助防止腔室真空的损失。
在一些实施例中，支撑轴112促进将背侧气体供应141、夹持电源140和RF源(例如，RF等离子体电源170和偏置电源117)耦接至基座150。在一些实施例中，偏置电源117包括一个或多个RF偏置电源。在一些实施例中，由RF等离子体电源170供应的RF能量可具有约400kHz至超过40MHz的频率。背侧气体供应141设置在腔室主体106的外部，并向基座150供应热传递气体。在一些实施例中，RF等离子体电源170和偏置电源117经由相应的RF匹配网络(仅示出了RF匹配网络116)耦接至基座150。在一些实施例中，基板支撑件124可替代地包括AC、DC或RF偏置电源。在一些实施例中，AC、DC或RF偏置功率可以是脉冲的。在一些实施例中，如图5所示和所述，支撑轴112不耦接至升降机构113，而是固定地耦接至腔室主体106。
腔室100可包括第二升降器130。第二升降器130可包括安装在平台108上的升降销109，所述平台连接至轴111，所述轴耦接至用于升高和降低第二升降器130的第二升降机构132，使得边缘环185可以放置在基座150上或从基座150移除。在一些实施例中，升降销109中的每一者不安装至公共平台，而是可独立控制的。在一些实施例中，第二升降器130可耦接至升降销121，所述升降销被配置为将基板122升高或降低至基座150上或离开基座150。第二升降器130可包括多个用于独立控制升降销109或升降销121的升降机构。基座150可包括通孔以接收升降销109或升降销121中的一者或多者。
波纹管组件131耦接在第二升降器130与底表面126之间，以提供柔性密封件，所述柔性密封件在第二升降器130的竖直运动期间维持腔室真空。在一些实施例中，如图1所示，第二升降器130设置在支撑轴112的外部。在一些实施例中，第二升降器130设置在支撑轴112的内部或径向向内设置。
在一些实施例中，基座150包括气体分配通道138，所述气体分配通道从基座150的下表面(例如，基部组件136的底表面)延伸至基座150的上表面中的各种开口。气体分配通道138被配置为向基座150的顶表面提供背侧气体(诸如氮气(N)或氦气(He))以充当热传递介质。气体分配通道138经由气体导管142与背侧气体供应141流体连通，以在使用期间控制基座150的温度和/或温度分布。在一些实施例中，气体分配通道138被配置为提供气压以独立于介电板152的温度进行边缘环185的热传递和温度控制。
腔室100耦接至真空系统114并与其流体连通，所述真空系统包括用于排空腔室100的节流阀(未示出)和真空泵(未示出)。可以通过调整节流阀和/或真空泵来调节腔室100内部的压力。腔室100也耦接至工艺气体供应118并与其流体连通，所述工艺气体供应可以向腔室100供应一种或多种工艺气体来处理设置在所述腔室中的基板。
腔室100包括狭缝阀144，以促进将基板122转移进和转移出腔室内部体积120。在一些实施例中，转移机器人(未示出)被配置为转移基板122。转移机器人也可有利地被配置为将边缘环185转移进和转移出腔室内部体积120以进行更换。在一些实施例中，转移机器人可被配置为在正或负约50微米的可重复性内将边缘环185和基板122放置到腔室内部体积120中。狭缝阀144可耦接至盖104或腔室主体106。
在操作中，例如，可在腔室内部体积120中产生等离子体102以执行一个或多个工艺。等离子体102可以通过将来自等离子体电源(例如，RF等离子体电源170)的功率经由一个或多个靠近腔室内部体积120或位于腔室内部体积120内的夹持电极耦接到工艺气体以点燃工艺气体并产生等离子体102来产生。可以从偏置电源(例如，偏置电源117)向基座150提供偏置功率，以将离子从等离子体102吸引向基板122。偏置电源117可以向边缘环185和介电板152供应偏置功率。例如，偏置电源117可包括由边缘环185和介电板152两者共享的单个电源。
图2描绘了根据本公开的至少一些实施例的适合用作基板支撑件124的基板支撑件的横截面示意性局部侧视图。基板支撑件124包括介电板152，所述介电板具有被配置为支撑具有给定直径的基板122的第一侧222和与第一侧222相对的第二侧224。介电板152包括设置在第一侧222中的环形凹槽204。环形凹槽204具有小于给定直径的内径和大于给定直径的外径。在一些实施例中，给定直径为约11英寸至约13英寸，例如，基板122可以是300mm直径的半导体晶片等。在一些实施例中，介电板152由氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)等制成。在一些实施例中，介电板152的厚度为约3mm至约12mm。在一些实施例中，介电板152的厚度为约5mm至约10mm。
在一些实施例中，加热元件216设置在介电板152中，以将介电板152加热至合适的温度。在一些实施例中，加热元件216径向向外延伸超过环形凹槽204，并在设置在介电板152上的边缘环185下方延伸。加热元件216可以耦接至电源252，以向加热组件216供电。在一些实施例中，电源252是AC电源。在一些实施例中，温度探针可以嵌入在边缘环185内或以其他方式耦接至边缘环185，以通过控制由电源252施加到加热元件216的功率来监测和控制边缘环185的温度。
介电板152包括一个或多个嵌入在介电板中的夹持电极154。所述一个或多个夹持电极154可以是单极或双极的。在一些实施例中，所述一个或多个夹持电极154包括上部电极210、下部电极212和多个柱214，所述多个柱电耦接上部电极210和下部电极212。上部电极210和下部电极212可包括网、箔、板等。在一些实施例中，上部电极210、下部电极212和多个柱214中的至少一者由钼制成。在一些实施例中，所述一个或多个夹持电极154从环形凹槽204径向向外并在边缘环185下方延伸，以将边缘环185电夹持至介电板152。在一些实施例中，所述上部电极210设置在距离所述第一侧222小于1.0mm处，以有利地减少电弧放电。在一些实施例中，下部电极212设置在距离第二侧224小于1.0mm处，以有利地减少电弧放电。
插入环206设置在介电板152的环形凹槽204中。在一些实施例中，插入环206由硅(Si)、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)、氧化硅(SiO2)或石英制成。在一些实施例中，插入环206具有尺寸被设计成基本上适应环形凹槽204的宽度。在一些实施例中，如图2所示，插入环206与边缘环185分离。在一些实施例中，边缘环185由与插入环206不同的材料制成。插入环206的厚度通常小于介电板152的厚度。在一些实施例中，插入环206的厚度为约3mm至约11mm。在一些实施例中，插入环206的上表面218与介电板152的上表面或第一侧222共面。
边缘环185通常可包括具有中心开口的平圆盘。边缘环185的厚度可以类似于基板122的厚度。在一些实施例中，边缘环185的厚度为约650微米至约1300微米。边缘环185设置在介电板152上，例如，在介电板152的外部处，并被配置为围绕基板122。在一些实施例中，边缘环185由陶瓷材料制成。在一些实施例中，边缘环185由硅(Si)、碳化硅(SiC)、二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)制成。边缘环185具有大于给定直径并且小于环形凹槽204的外径的内径，使得边缘环185设置在插入环206的一部分上。在一些实施例中，边缘环的内径为约297mm至约302mm。在一些实施例中，边缘环的外径为约350mm至约450mm。在一些实施例中，边缘环185的外径大于介电板的外径。
边缘环185的内径大于给定直径导致在其间形成间隙208。在一些实施例中，间隙208的宽度312有利地较小，使得边缘环185的内径比给定直径大约0.5mm至约1.0mm。设置在间隙208下方的插入环206有利地保护介电板152在处理期间免受等离子体的影响。具有小宽度的间隙208有利地减少或最小化在基板122与边缘环185之间的界面上方的壳层的等势线(或冲击离子的轨迹)的倾斜。减少或最小化的倾斜有效地将处理环境扩展到基板122的给定直径之外，从而导致基板122上的蚀刻均匀性增加。具有小宽度的间隙208也减少了来自等离子体102的对插入环206的离子轰击，从而延长了插入环206的寿命。
图3描绘了根据本公开的至少一些实施例的基板支撑件124的示意性局部侧视图。在一些实施例中，环形凹槽204的宽度314为约2mm至约4mm。在一些实施例中，基板122在环形凹槽204上重叠约0.5mm至约1.5mm。在一些实施例中，边缘环185在环形凹槽204上重叠约0.5mm至约1.5mm。在一些实施例中，环形凹槽204的深度316为约4mm至约10mm。在使用中，来自等离子体102的离子轰击插入环206和边缘环185。图3描绘了一些离子轰击后的插入环206，其中插入环206的上表面不再与介电板152的上表面共面。插入环206和边缘环185根据需要周期性地更换。
在一些实施例中，气体分配通道138包括第一气体分配通道138a，所述第一气体分配通道在基板122的支撑表面下方从介电板152的第二侧224延伸至第一侧222。在一些实施例中，气体分配通道138包括第二气体分配通道138b，所述第二气体分配通道在边缘环185下方从介电板152的第二侧224延伸至第一侧222。多个第二气体分配通道138b流体耦接至在介电板152与边缘环185之间的界面。第一气体分配通道138a和第二气体分配通道138b被配置为向介电板152的顶表面提供背侧气体(诸如氮气(N)或氦气(He))以充当热传递介质。在一些实施例中，第一气体分配通道138a与基板支撑件124内的第二气体分配通道138b流体独立，以对基板122和边缘环185提供独立的温度控制。
返回参考图2，在一些实施例中，基部组件136包括冷却板220，所述冷却板耦接至介电板152的第二侧224。冷却板220包括冷却通道228，所述冷却通道被配置为循环冷却剂以冷却介电板152。在一些实施例中，冷却通道228设置在介电板152和边缘环185下方。在一些实施例中，冷却板220由导电材料(例如铝(Al))制成。在一些实施例中，冷却板220搁置在基部组件136的绝缘板226上。在一些实施例中，绝缘板226由氧化铝(Al2O3)或诸如聚苯硫醚(PPS)的聚合物制成。在一些实施例中，接合层248设置在冷却板220与介电板152之间，并被配置为增强它们之间的热耦接。在一些实施例中，接合层248具有约0.2W/mK至约1.2W/mk的导热率。
冷却板220的对应于基板122的内部区域和对应于边缘环185的外部区域可具有公共或独立的冷却通道。在一些实施例中，冷却板220可包括设置在内部区域与外部区域之间的热隔断。可以使用单独的热交换器来允许内部区域和外部区域的不同温度控制设定点。
在一些实施例中，腔室100包括电源，例如偏置电源117，所述电源被配置为向基板122和边缘环185提供功率。在一些实施例中，偏置电源117电耦接至冷却板220，以在基板122和边缘环185上产生类似的偏置电压。在操作中，施加在冷却板220上的偏置电源117在基板122与等离子体102之间以及边缘环185与等离子体102之间创建壳层。结果，来自等离子体102的离子被吸引到被偏置的基板122，并且离子垂直于壳层内的等势线加速穿过壳层。基板122和边缘环185上相似的偏置电压最小化基板122和边缘环185上方的壳层的等势线的倾斜。当边缘环185由于处理导致壳层的形状在基板122的边缘附近弯曲而随时间推移侵蚀时，可以更换边缘环185。在一些实施例中，基板122和边缘环185可以具有独立的电源以提供对偏置电压的独立控制。
下部边缘环232可围绕绝缘板226设置，并由与绝缘板226不同的材料制成。所述下部边缘环232被配置为保护所述绝缘板226的外边缘免受非刻意的的等离子体放电影响。在一些实施例中，下部边缘环232由陶瓷材料(例如氧化铝(Al2O3))制成。在一些实施例中，下部边缘环232设置在介电板152的外周边部分下方。在一些实施例中，下部边缘环232设置在边缘环185下方。
在一些实施例中，石英环230绕介电板152和边缘环185设置。在一些实施例中，石英环230包括带凹口的上部内边缘244，所述带凹口的上部内边缘被配置为支撑边缘环185的外边缘246。在一些实施例中，边缘环升降机构250被配置为选择性地升高或降低边缘环185，以促进边缘环185的更换。在一些实施例中，边缘环升降机构250是第二升降机构132。在一些实施例中，边缘环升降机构250包括一个或多个销，所述一个或多个销延伸穿过第二边缘环234和石英环230中的开口以直接提升边缘环185，例如在边缘环185的外边缘246处提升边缘环。或者，边缘环升降机构250'被配置为选择性地升高或降低石英环230，以升高或降低设置在石英环上的边缘环185，以促进边缘环185的更换。在一些实施例中，边缘环升降机构250'包括一个或多个销，所述一个或多个销延伸穿过第二边缘环234中的开口。在一些实施例中，石英环230搁置在第二边缘环234上。第二边缘环234可耦接至边缘环升降机构250，以升高或降低石英环230。第二边缘环234围绕介电板152、冷却板220、边缘环232和绝缘板226中的至少一者设置。在一些实施例中，第二边缘环234由石英制成。
图4描绘了根据本公开的至少一些实施例的基板支撑件的横截面示意性局部侧视图。在一些实施例中，如图4所示，插入环206和边缘环185构成单一主体。在此类实施例中，插入环206和边缘环185可以一起进行更换。在一些实施例中，插入环206和边缘环185由相同的材料制成。
图5描绘根据本公开的至少一些实施例的具有基板支撑件124的处理腔室(腔室100)的一部分的示意性侧视图。在一些实施例中，基座150可经由基部组件136直接耦接至腔室主体106。基部组件136可包括基部板502，所述基部板耦接至腔室主体106。在一些实施例中，绝缘板226搁置在基部板502上。在一些实施例中，基部板502与腔室主体106一起限定腔室100的下部体积506。在一些实施例中，在使用期间，下部体积506可以处于大气压力下。
一个或多个供应510耦接至基板支撑件124，并包括背侧气体供应141、夹持电源140、RF等离子体电源170、偏置电源117中的一者或多者。在一些实施例中，一个或多个供应510经由一个或多个延伸穿过下部体积506的导管耦接至基板支撑件124。
在一些实施例中，基板支撑件124包括边缘环升降机构250，所述边缘环升降机构包括一个或多个升降销，所述一个或多个升降销用于选择性地将边缘环185升高或降低到介电板152上或从所述介电板离开。在一些实施例中，边缘环升降机构250延伸穿过基部板502、下部边缘环232、冷却板220和介电板152中的一者或多者。在一些实施例中，基板支撑件124包括基板升降器520，所述基板升降器包括一个或多个升降销，所述一个或多个升降销用于选择性地将基板122升高或降低到介电板152上或离开所述介电板。
在一些实施例中，基板支撑件124可包括围绕基座150设置的衬垫504。在一些实施例中，衬垫504和基部板502中的一者或多者在使用期间接地。在一些实施例中，衬垫504包括内壁503和外壁505，所述内壁和所述外壁在它们之间限定环形通道512。在一些实施例中，内壁503和外壁505耦接至衬垫504的下部板507。在一些实施例中，下部板507包括一个或多个耦接至真空系统114的开口514。
尽管前面是针对本公开的实施例，但是在不脱离本公开的基本范畴的情况下，可以设计本公开的其他和进一步的实施例。

Claims (20)

1.一种用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件，包括：
介电板，所述介电板具有第一侧并且包括设置在所述第一侧中的环形凹槽，所述第一侧被配置为支撑具有给定直径的基板，其中所述环形凹槽具有小于所述给定直径的内径和大于所述给定直径的外径，其中所述介电板包括一个或多个夹持电极；
插入环，所述插入环设置在所述介电板的所述环形凹槽中；以及
边缘环，所述边缘环设置在所述介电板上，其中所述边缘环具有大于所述给定直径并且小于所述环形凹槽的所述外径的内径，使得所述边缘环设置在所述插入环的一部分上方。
2.如权利要求1所述的基板支撑件，其中，以下中的至少一项：
所述边缘环由硅、碳化硅、二氧化硅或氮化硅制成；或者
所述插入环由硅、氮化硅、碳化硅或氧化硅制成。
3.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述介电板包括一个或多个背侧气体通道，所述一个或多个背侧气体通道流体耦接至在所述介电板与所述边缘环之间的界面。
4.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述插入环和所述边缘环构成单一主体。
5.如权利要求1所述的基板支撑件，其中，以下中的至少一项：
所述边缘环的内径为约297mm至约302mm；或者
所述边缘环的外径为约350mm至约450mm。
6.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，进一步包括冷却板，所述冷却板耦接至所述介电板的与所述第一侧相对的第二侧，其中所述冷却板包括被配置为循环冷却剂的冷却通道。
7.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，进一步包括加热元件，所述加热元件设置在所述介电板中。
8.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，其中所述边缘环的厚度为约650微米至约1300微米。
9.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，其中所述插入环的厚度为约3毫米至约11毫米。
10.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，其中所述边缘环包括具有中心开口的平圆盘。
11.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，其中所述插入环的上表面与所述介电板的上表面共面。
12.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，其中所述一个或多个夹持电极包括上部电极、下部电极和将所述上部电极耦接至所述下部电极的多个柱。
13.如权利要求12所述的基板支撑件，其中所述一个或多个夹持电极从所述环形凹槽径向向外并且在所述边缘环下方延伸。
14.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，进一步包括气体分配通道，所述气体分配通道从所述介电板的所述第二侧延伸至所述第一侧。
15.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，其中所述边缘环由与所述插入环不同的材料制成。
16.一种用于处理基板的处理腔室，包括：
腔室主体，所述腔室主体具有如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述腔室主体的内部体积内，其中所述基板支撑件进一步包括耦接至所述介电板的冷却板，并且其中所述介电板包括设置在所述边缘环下方的气体分配通道。
17.如权利要求16所述的处理腔室，进一步包括电源，所述电源被配置为向所述基板和所述边缘环两者提供功率。
18.如权利要求16所述的处理腔室，进一步包括石英环，所述石英围绕所述介电板设置，其中所述石英环被配置为支撑所述边缘环的外边缘。
19.如权利要求16所述的处理腔室，进一步包括边缘环升降机构，所述边缘环升降机构用于经由一个或多个升降销选择性地升高或降低所述边缘环。
20.如权利要求19所述的处理腔室，其中所述一个或多个升降销被配置为延伸穿过所述介电板。
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