CN117043104A - Cr-Si系膜 - Google Patents
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Abstract
Cr‑Si系膜包含铬(Cr)和硅(Si)。在Cr‑Si系膜中，膜的组成范围为Cr/(Cr+Si)＝0.25～0.75，在40℃～150℃的温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的绝对值均为0ppm/℃以上且100ppm/℃以下。
Description
技术领域
本发明涉及TCR的绝对值小、且在各温度下TCR的变化小的Cr-Si系膜。
背景技术
近年来，CrSi2这样的Cr-Si系材料(硅化物)由于其特性而在半导体、太阳能电池等中被用作膜(Cr-Si系膜)。Cr-Si系材料能够通过结晶相的状态取得半导体特性和金属特性，因此电阻率温度变化(TCR)小，被用于各种传感器。该各种传感器例如在电气产品、汽车等温度在从室温到高温(150℃以下)的范围内变化的环境下使用。因此，从提高检测精度的观点出发，Cr-Si系膜优选在从室温到高温的所有温度下为相同的电阻率(即，期望在从室温到高温的温度范围内，电阻率的值的变动小)。
例如在专利文献1中公开了加热处理后的片材电阻的变化的特征(倾向)根据Cr与Si的组成比而变化。具体而言，报告了如下内容：使用包含40wt％以上的Cr的靶成膜的Cr-Si膜即使不添加N2，电阻的热稳定性也高，与此相应地，使用Cr为30wt％以下的靶成膜的Cr-Si膜在不添加N2的条件下电阻变动大，但通过添加N2，能够改善该变动。但是，在专利文献1中并未明确能够使TCR接近0(即，减小TCR的绝对值)的组成范围。
另外，在专利文献2中，测定了由含有30wt％的Cr的Cr-Si系的溅射靶形成的膜的物性，但关于TCR，仅测定了20℃的电阻率和120℃的电阻率。然而，已知一般的Cr-Si系膜相对于温度呈曲线状的电阻率变化，仅在20℃和120℃这两点的TCR中，作为实际传感器使用时的评价是不充分的，无法掌握温度变化中的TCR的变化行为。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-278479号公报
专利文献2：日本特开2002-367803号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种Cr-Si系膜，其包含铬(Cr)和硅(Si)，TCR的绝对值小，并且在各温度下TCR的变化小。
用于解决技术问题的手段
本发明人等对包含铬(Cr)和硅(Si)的Cr-Si系膜进行了研究，结果通过设为最佳的组成比而得到TCR小且在各温度下TCR的变化小的Cr-Si系膜，从而完成了本发明。
即，本发明如权利要求所述，本发明的主旨如下。
(1)一种Cr-Si系膜，其特征在于，其为包含铬(Cr)和硅(Si)的Cr-Si系膜，膜的组成范围为Cr/(Cr+Si)＝0.25～0.75，在40℃～150℃的温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的绝对值均为0ppm/℃以上且100ppm/℃以下。
(2)根据(1)所述的Cr-Si系膜，其中，所述温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的最大值与最小值之差为100ppm/℃以下。
(3)根据(1)或(2)所述的Cr-Si系膜，其中，所述温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的绝对值均为0ppm/℃以上且50ppm/℃以下。
(4)根据(1)～(3)中任一项所述的Cr-Si系膜，其中，所述温度范围内以10℃为间隔测定的平均TCR的绝对值为0ppm/℃以上且50ppm/℃以下。
(5)根据(1)～(4)中任一项所述的Cr-Si系膜，其中，膜的组成范围为Cr/(Cr+Si)＝0.3～0.5。
(6)根据(1)～(5)中任一项所述的Cr-Si系膜，其还含有氮(N)。
(7)根据(6)所述的Cr-Si系膜，其特征在于，Si-N＝25wt％～75wt％。
(8)根据(1)～(7)中任一项所述的Cr-Si系膜的制造方法，其特征在于，通过溅射法用以铬和硅作为主要成分的溅射靶进行成膜。
(9)根据(8)所述的Cr-Si系膜的制造方法，其中，将通过溅射法成膜的Cr-Si系膜进一步在非氧气氛下、800℃以下进行加热处理。
发明效果
本发明的Cr-Si系膜在40℃～150℃的温度范围内的TCR的绝对值小，因此在用作电阻器的情况下，在上述温度范围内的任何温度带下都显示出稳定的电阻率，能够供给高精度的传感器。
附图说明
图1是示出实施例1的Cr-Si系膜的电阻率与温度的关系的图表。
图2是示出比较例1的Cr-Si系膜的电阻率与温度的关系的图表。
具体实施方式
以下，详细地说明本发明。需要说明的是，在本说明书中，2个数值之间的“～”表示以“～”的该2个数值作为上下限的范围，例如“30℃～150℃”或“30～150℃”是指“30℃以上且150℃以下”。另外，在本说明书中，“wt％”是指“质量％”。
本发明为一种Cr-Si系膜，其特征在于，其为包含铬(Cr)和硅(Si)的Cr-Si系膜，膜的组成范围为Cr/(Cr+Si)＝0.25～0.75，在40℃～150℃的温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的绝对值均为0ppm/℃以上且100ppm/℃以下。
本发明涉及Cr-Si系膜，是所谓的以硅化铬为基体(母相、主相)的硅化物膜，进而是硅化铬膜。本发明的Cr-Si系膜只要以硅化铬为基体则亦可包含Cr、Si以外的元素。
本发明的Cr-Si系膜的组成范围为Cr/(Cr+Si)＝0.25～0.75。Cr/(Cr+Si)优选为0.3～0.7，特别优选为0.3～0.5。Cr比(即，Cr/(Cr+Si))多于0.75时，TCR变大；Cr比少于0.25时，TCR变小。Cr/(Cr+Si)中的“Cr”是指Cr的含量(wt％)，“Si”是指Si的含量(wt％)。
本发明的Cr-Si系膜在40℃～150℃的温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的绝对值均为0ppm/℃以上且100ppm/℃以下。将“40℃～150℃的温度范围内以10℃为间隔测定的TCR(以下也称为“TCRt”，将“100℃下的TCRt”等分别称为“TCR100”等。)”是指在40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃或150℃的各温度下的TCR的绝对值。
TCR(ppm/℃)是根据Cr-Si系膜在各温度下的电阻率R(Ω·cm)、30℃下的电阻率R30(Ω·cm)、以及测定温度T(℃)藉由下述式而算出的值。
TCR＝(R-R30)/(R30×(T-30))×106
“各温度下的电阻率R”是指30℃、40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃或150℃的各测定温度下的电阻率，将30℃等的电阻率R等分别表示为“R30”等。
TCRt分别优选为0ppm/℃以上且50ppm/℃以下。若TCRt在该范围内，则不易发生电阻值依赖于温度而大幅变动的情况，因此容易获得检测精度高的传感器。
本发明的Cr-Si系膜在40℃～150℃的范围以10℃为间隔测定的TCR的最大值与最小值之差优选为100ppm/℃以下、更优选为50ppm/℃以下、进一步优选为20ppm/℃以下。最大值与最小值之差越小，则30℃～150℃范围内的电阻率的变化量越小，因此能够在该范围内的所有温度范围内作为电阻器发挥高性能。TCR的最大值与最小值之差(＝最大值-最小值)例如可举出0ppm/℃以上、1ppm/℃以上或5ppm/℃以上。
“TCR的最大值与最小值之差”是指TCR40至TCR150中的最大值与最小值之差。
本发明的Cr-Si系膜的平均TCR优选为±50ppm/℃以内(即，平均TCR的绝对值为0ppm/℃以上且50ppm/℃以下)。平均TCR更优选为±30ppm/℃以内(即，平均TCR的绝对值为0ppm/℃以上且30ppm/℃以下)，进一步优选为±10ppm/℃以内(即，平均TCR的绝对值为0ppm/℃以上且10ppm/℃以下)。如果平均TCR的绝对值小，则表示电阻的范围更不易因温度而变化(即，由温度引起的电阻率的变化小)。因此，平均TCR的绝对值小的Cr-Si系膜作为电阻器发挥高性能。“平均TCR”是指上述TCR40至TCR150的相加平均值。
本发明的Cr-Si系膜在30℃下的电阻率(R30；Ω·cm)例如可举出：1.0×10-6Ω·cm以上、1.0×10-5Ω·cm以上、1.0×10-4Ω·cm以上、或1.0×10-3Ω·cm以上，且为10Ω·cm以下、1.0Ω·cm以下、或1.0×10-1Ω·cm以下。膜的电阻率例如可使用8403型AC/DC霍尔测量系统(东阳特克尼卡制造)进行测定。
本发明的Cr-Si系膜的膜厚优选小。由于Cr-Si系膜被用作高电阻部的电阻器，因此膜厚越小，片材电阻越大。但是，在膜厚过小的情况下，膜无连续性而成为绝缘膜。因此，膜厚优选为1nm～500nm、进一步优选为1nm～300nm、更优选为1nm～150nm。为了容易形成适于电阻器等的薄膜，膜厚优选为50nm以上或80nm以上，且150nm以下或120nm以下。
本发明的Cr-Si系膜优选还含有氮(N)。氮的含量(wt％)与硅(Si)的含量(wt％)之差优选为Si-N(＝(Si含量)-(N含量))＝25wt％～75wt％，进一步优选为25wt％～45wt％，特别优选为25wt％～40wt％。通过使Si-N为75wt％以下，TCR的最大值与最小值之差难以变大。通过使Si-N大于25wt％，Cr-Si系膜成为氮化膜，因此TCR的绝对值难以变大。
本发明的Cr-Si系膜可以含有Fe、Al等金属杂质，该金属杂质的含量(wt％)越少越好。金属杂质是本发明的Cr-Si系膜所包含的Cr以外的金属元素。在金属杂质量少的情况下，TCR的偏差容易变小，另外，容易减小TCR。金属杂质量的合计量优选为1wt％以下、进一步优选为0.5wt％以下、更优选为0.1wt％以下。金属杂质量的合计量例如可列举0wt％以上、0.001wt％以上、0.005wt％以上、或0.01wt％以上。
接下来，对本发明的Cr-Si系膜的制造方法进行说明。
本发明的Cr-Si系膜的制造方法是利用溅射法(Sputtering)用以铬和硅作为主要成分的溅射靶进行成膜的方法，进而，可以通过如下方法来制造：利用溅射法用以铬和硅作为主要成分的溅射靶进行成膜，然后在非氧气氛下且800℃以下进行加热处理。或者，本发明的Cr-Si系膜也可以通过利用溅射法同时用铬和硅各自的溅射靶进行成膜的方法来制造。优选可列举Cr-Si系膜的制造方法，上述Cr-Si系膜的制造方法具有通过使用了以铬和硅为主要成分的溅射靶的溅射法进行成膜的工序。另外，“主要成分”是指含有率为99wt％以上的成分。更详细而言，“以铬和硅作为主要成分”是指，在溅射靶的总质量中所占的铬的质量与硅的质量的合计为99wt％以上。更优选溅射靶的99wt％以上是铬与硅的合金。
供于本发明的制造方法的溅射靶的纯度为99％以上，优选纯度为99.5％以上的溅射靶，另外，优选氧量少。纯度是指溅射靶中的主要成分的含有率，作为纯度的单位的“％”是指“wt％”。这样的溅射靶的制造方法没有限定，但以下示出其一例。
＜溅射靶的制造工序＞
可以以成为与目标Cr-Si系膜相同的组成等特定的组成范围的方式制备(即，混合)Cr粉末和Si粉末而制成混合粉末，使用该混合粉末并通过粉末冶金法、熔解法等方法制作溅射靶。具体而言，例如，通过具有合金粉末制备工序和烧结工序的制造方法得到溅射靶，所述合金粉末制备工序中通过合金粉末、气体雾化法、快淬薄带(薄带连铸)法或电弧熔化法制备合金粉末，所述烧结工序中对该合金粉末进行烧结。合金粉末优选为通过气体雾化法制作的粉末。
(合金粉末制备工序)
用于合金粉末制备工序的原料使用了纯铬(金属铬)和纯硅(金属硅)。纯铬和纯硅的纯度分别优选为99.9质量％以上(3N以上)、更优选为99.99质量％以上(4N以上)、进一步优选为99.999质量％以上(5N以上)。
在原料制备工序中，优选利用气体雾化法对原料粉末进行处理。在气体雾化法中，通过高频感应熔炼，在熔融温度下将纯铬和纯硅熔融而得到熔融金属，一边滴加该熔融金属一边对其喷射高压气体，由此得到包含微细的结晶组织的合金粉末。
气体雾化法中的熔融金属的温度优选为熔融温度+50℃以上且熔融温度+300℃以下、更优选为熔融温度+100℃以上且熔融温度+250℃以下。在此，“熔融温度”是指纯铬和纯硅这两者熔融的温度，可列举1300℃以上且1500℃以下。
(烧结工序)
通过对合金粉末进行烧结，得到溅射靶。烧结优选通过热压等加压烧结进行烧结。在加压烧结中对合金粉末施加的压力(烧结压力)为1MPa以上即可，且为50MPa以下、优选为20MPa以下、进一步优选为10MPa以下。
烧结工序中的烧结温度可举出1100℃以上且1400℃以下。保持上述烧结压力和烧结温度的时间(烧结时间)可举出1小时以上且5小时以下。
烧结的环境只要是可抑制Cr-Si系烧结体的氧化的气氛，就没有特别限制。为了进一步抑制Cr-Si系烧结体的氧化，烧结工序的气氛优选为真空、或惰性气氛，进一步优选为真空气氛或减压气氛。
通过上述工序，得到溅射靶。如果所得到的溅射靶中含有大量的杂质，则对膜的物性造成不良影响，因此优选得到纯度99.5％以上的溅射靶。另外，优选溅射靶中的氧量少。若氧量多，则成为颗粒产生的原因，从而生产成品率变差。
以下，针对本发明的Cr-Si系膜的制造方法的一例，对每个工序进行说明。
(2)溅射工序
通过利用溅射法用上述溅射靶进行成膜，即，通过使用上述溅射靶的溅射法进行成膜，由此得到膜。溅射法(Sputtering)可以适当选择选自由DC溅射法、RF溅射法、AC溅射法、DC磁控溅射法、RF磁控溅射法和离子束溅射法组成的组中的至少任一种。从能够大面积地、均匀且高速成膜的方面考虑，溅射法优选DC磁控溅射法或RF磁控溅射法。
溅射功率优选为0.6W/cm2以上且10W/cm2以下。为0.6W/cm2以上时，成膜速度变快，生产率不易降低。另一方面，溅射功率为10W/cm2以下时，则对靶的负荷小，破裂的可能性降低。
溅射时，使用氩气和氮气作为导入气体来进行成膜，但根据需要也可以使用氧气、氢气等。
(3)加热处理工序
也可以在适当的温度条件下对所得到的膜进行加热处理。由此，能够进一步减小TCR的绝对值。加热处理工序的温度优选为800℃以下、或700℃以下，并且优选为150℃以上、200℃以上、300℃以上或500℃以上。通过使加热处理工序的温度为800℃以下，膜的生产效率难以降低。另一方面，若加热处理工序的温度为150℃以上，则TCR的绝对值容易变小。加热处理的时间例如可列举0.5小时以上且10小时以下。
加热处理优选在非氧气氛下进行加热。另外，在含有氧的气氛中，因加热而发生氧化，膜物性劣化，因此加热处理优选在非氧气氛下进行。非氧气氛是指不含氧的气氛，具体而言，例如可举出选自真空气氛、氩气氛及氮气氛的组中的至少任一种，优选真空气氛，特别优选10Pa以下的真空气氛。
作为本发明的另一实施方式，可举出以下实施方式。
(1)一种Cr-Si系膜，其特征在于，其为包含铬(Cr)、硅(Si)的Cr-Si系膜，膜的组成范围为Cr/(Cr+Si)＝0.25～0.75，且平均TCR的绝对值为±50ppm以下。
(2)如(1)所述的Cr-Si系膜，其特征在于，还含有氮(N)，Si-N＝25wt％～75wt％。
(3)如(1)或(2)所述的Cr-Si系膜，其特征在于，30℃～150℃的范围以10℃为间隔测定的TCR的最大值与最小值之差为100ppm以下。
(4)一种(1)～(3)中任一项所述的Cr-Si系膜的制造方法，其特征在于，通过溅射法用以铬和硅作为主要成分的溅射靶进行成膜，然后在非氧气氛下在800℃以下进行加热处理。
实施例
以下，通过实施例更具体地说明本发明，但本发明并不限于此。应予说明，本实施例和比较例中的各测定如下进行。
(1)Cr-Si系膜的成膜条件
＜溅射靶的制作＞
将纯度4N的Cr粉末与纯度5N的Si粉末以成为表1所示的溅射靶的组成的方式混合，在碳制的坩埚内以熔解温度1600℃进行熔解，由此制成1600℃的熔融金属。应予说明，表1所示的靶组成与粉末的投入组成相同。通过气体雾化法将其制成Cr-Si合金粉末。将所得到的Cr-Si合金粉末放入碳制的坩埚中，在以下的条件下进行热压，由此进行加压烧结，从而制作具有期望的组成的Cr-Si烧结体。
(烧结条件)
·烧结炉：热压炉
·升温速度：200℃/小时
·升温气氛：真空(5Pa以下)
·烧结温度：1250℃
·烧结压力：20MPa
·烧结时间：3小时
将所得到的烧结体加工成直径4英寸的溅射靶。
＜溅射工序＞
通过使用所得到的溅射靶的溅射法进行成膜，由此制作具有所期望的组成的实施例和比较例的Cr-Si系膜。各实施例和比较例的Cr-Si系膜在表1所示的条件下进行成膜。详细的成膜条件如下所示。
(溅射条件)
·装置：DC磁控溅射装置(爱发科(Ulvac)公司制造)
·磁场强度：1000Gauss(靶正上方、水平成分)
·靶基板间距离：90mm
·基板温度：室温(约25℃)
·导入气体的种类(溅射气氛)：氩(Ar)或氩和氮(N2)
·导入气体分压：于表1所示的氮分压(N2/(Ar+N2))下实施。
·使用基板：玻璃基板(康宁(corning)EagleXG)厚度为0.8mm
·溅射功率：200W(2.5W/cm2)
·目标膜厚：100nm
另外，在表1中，氮分压(N2/(Ar+N2))表示为将Ar+N2的总量设为100％时的N2的比例(％)。
(成膜后的后处理条件)
将成膜于基材的Cr-Si系膜在真空中以表2所示的加热处理温度进行60分钟热处理。
利用以下方法对膜的组成、结晶性、电特性进行测定。
(膜的组成)
膜的组成是使用一般的测定装置(Eurofins EAG制造的RBS-400分析终端站)，通过RBS法(卢瑟福背散射谱法)进行定量。
(电阻率)
膜的电阻率使用8403型AC/DC霍尔测量系统(东阳特克尼卡制造)进行测定。图1及图2表示后述的实施例1及比较例1的电阻率与温度的关系。
(2)TCR以及平均TCR的计算方法
对于从30℃至150℃的膜的电阻率(Ω·cm)，使用8403型AC/DC霍尔测量系统(东阳特克尼卡制造)以10℃为间隔测定了电阻率R(R30至R150)，根据各温度下的电阻率R(Ω·cm)、30℃下的电阻率R30(Ω·cm)与各温度T(℃)，通过下述式在40℃至150℃的范围内算出了TCR。
TCR(ppm/℃)＝(R-R30)/(R30×(T-30))×106
平均TCR为在40℃至150℃的范围内求出的各TCR的值的相加平均值。
(3)TCR的最大值与最小值之差的计算方法
对(2)中求出的40℃至150℃的范围的TCR求出最大值与最小值之差。
(实施例1)
使用表1所示的Cr-Si组成(靶组成)的溅射靶，在表1所示的成膜条件下通过溅射法对Cr-Si系膜进行成膜。对于得到的Cr-Si系膜，在真空下(5Pa以下)，以表2所示的处理温度进行膜的加热处理。对于得到的Cr-Si系膜，测定平均TCR、各温度的TCR最大值、各温度的TCR最小值、TCR的最大值-最小值、30℃下的电阻率。结果示于表2。
(实施例2～实施例3、实施例6、实施例8及实施例9)
将溅射靶的组成及成膜条件(成膜时的气氛气体(导入气体)、N2/(Ar+N2)及膜厚)调整为表1所示的溅射靶的组成及成膜条件，将Cr-Si系膜的热处理温度变更为Cr-Si系膜的热处理温度(表2所示的处理温度)，除此以外，在与实施例1相同的条件下制作Cr-Si系膜。对于所得到的Cr-Si系膜，测定平均TCR、各温度的TCR最大值、各温度的TCR最小值、TCR的最大值-最小值、30℃下的电阻率。结果示于表2。
(实施例4)
制作溅射靶时，将气体雾化法中的熔融金属的温度调整为1700℃，将烧结体制作时的烧结温度变更为1350℃，将溅射靶的组成及成膜条件变更为表1所示的溅射靶的组成及成膜条件，以及不进行成膜后的加热处理，除此以外，在与实施例1相同的条件下得到Cr-Si系膜。
(实施例5)
制作溅射靶时，将气体雾化法中的熔融金属的温度调整为1700℃，将烧结体制作时的烧结温度变更为1350℃，将溅射靶的组成及成膜条件调整为表1所示的溅射靶的组成及成膜条件，将Cr-Si系膜的热处理温度变更为Cr-Si系膜的热处理温度(表2所示的处理温度)，除此以外，在与实施例1相同的条件下得到Cr-Si系膜。
(实施例7)
在表1所示的成膜条件下通过溅射进行成膜，以及不进行成膜后的加热处理，除此以外，利用与实施例1相同的方法得到Cr-Si系膜。
(比较例1、比较例2和比较例4)
将溅射靶的组成及成膜条件变更为表1所示的溅射靶的组成及成膜条件，将成膜后的Cr-Si系膜的热处理温度变更为表2所示的处理温度，除此以外，在与实施例1相同的条件下制作。对于所得到的Cr-Si系膜，测定平均TCR、各温度的TCR最大值、各温度的TCR最小值、TCR的最大值-最小值、30℃下的电阻率。结果示于表2。
(比较例3)
制作溅射靶时，将气体雾化法中的熔融金属的温度变更为1730℃，将烧结体制作时的烧结温度变更为1350℃，将溅射靶的组成及成膜条件变更为表1所示的溅射靶的组成及成膜条件，以及将成膜后的Cr-Si系膜的热处理温度变更为表2所示的处理温度，除此以外，在与实施例1相同的条件下进行制作。对于所得到的Cr-Si系膜，测定平均TCR、各温度的TCR最大值、各温度的TCR最小值、TCR的最大值-最小值、30℃下的电阻率。结果示于表2。
[表1]
[表2]
在上表中，处理温度一栏中记载的“-”表示未进行热处理。另外，在上表和图1以及图2中，电阻率的“○○E-××”的记载是指○○乘以10的负××乘方而得到的值，例如，“1.3E-03”表示1.3×10^(-3)，是指1.3乘以10的负3次幂而得到的值。
本发明的Cr-Si系膜的TCR的绝对值、平均TCR的绝对值、以及TCR的最大值与最小值之差小，作为电阻器的特性优异。
Claims (9)
1.一种Cr-Si系膜，其特征在于，其为包含铬(Cr)和硅(Si)的Cr-Si系膜，膜的组成范围为Cr/(Cr+Si)＝0.25～0.75，在40℃～150℃的温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的绝对值均为0ppm/℃以上且100ppm/℃以下。
2.根据权利要求1所述的Cr-Si系膜，其中，在所述温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的最大值与最小值之差为100ppm/℃以下。
3.根据权利要求1或2所述的Cr-Si系膜，其中，在所述温度范围内以10℃为间隔测定的TCR的绝对值均为0ppm/℃以上且50ppm/℃以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的Cr-Si系膜，其中，在所述温度范围内以10℃为间隔测定的平均TCR的绝对值为0ppm/℃以上且50ppm/℃以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的Cr-Si系膜，其中，膜的组成范围为Cr/(Cr+Si)＝0.3～0.5。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的Cr-Si系膜，其中，所述Cr-Si系膜还含有氮(N)。
7.根据权利要求6所述的Cr-Si系膜，其中，Si-N＝25wt％～75wt％。
8.一种权利要求1～7中任一项所述的Cr-Si系膜的制造方法，其特征在于，通过溅射法用以铬和硅作为主要成分的溅射靶进行成膜。
9.根据权利要求8所述的Cr-Si系膜的制造方法，其中，将通过溅射法成膜的Cr-Si系膜进一步在非氧气氛下、800℃以下进行加热处理。
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