CN117038813A - 一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管，制备方法包括：在衬底上依次生长外延层、电流扩展层；在电流扩展层上依次涂布粘度不同的光刻胶，进行曝光、显影处理，露出电流扩展层；通过两种腐蚀液分别对电流扩展层进行腐蚀，以形成扩展层凹部和避让空间；中和、冲洗后进行烘烤，使得光刻胶软化下垂，将避让空间封闭；对外延层表面进行刻蚀，以形成外延层凹部；分别在外延层凹部和电流扩展层上制备N型电极和P型电极，得到目标倒装发光二极管；通过本申请，中和残留腐蚀液防止的酸性物质挥发以及烘烤使得光刻胶软化封闭电流扩展层的侧壁，减少外延层凹部凸点，提高了二极管的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管制备技术领域，具体涉及一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管。
背景技术
近年来，发光二极管芯片高效、节能、环保、应用广泛，倒装发光二极管芯片更是具有可超大电流使用、散热能力强、光效高等优点而成为研究的重点。
现有的倒装发光二极管制备过程中主要包括，先在外延层上制备电流扩展层，然后在电流扩展层上涂布光刻胶，然后曝光、显影去除掉部分光刻胶，暴露出其下方的电流扩展层，然后利用腐蚀溶液去除掉暴露出的电流扩展层，形成电流扩展层凹部，暴露出这部分电流扩展层下面的外延层，然后利用电感耦合等离子体刻蚀工艺去除掉部分外延层，形成外延层凹部，然后去除光刻胶。
然而，在腐蚀液腐蚀电流扩展层的过程中，少量的腐蚀液会吸附在光刻胶上，腐蚀液中的酸性等物质容易挥发至暴露出的外延层表面形成凝珠，在电感耦合等离子体刻蚀工艺中，凝珠会与电流扩展层反应产生副产物，造成外延层凹部凸点，最终造成倒装发光二极管芯片可靠性降低，抗静电击穿能力减弱，影响产品的质量。
发明内容
基于此，本发明的目的是提供一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管，以解决现有技术中的问题。
本发明一方面提供一种倒装发光二极管制备方法，包括以下步骤：
提供一衬底，并在所述衬底上依次生长外延层、电流扩展层；
在所述电流扩展层上依次涂布第一光刻胶和第二光刻胶，并进行曝光显影处理去除部分第一光刻胶和第二光刻胶，以露出部分电流扩展层，其中，所述第一光刻胶的粘度小于所述第二光刻胶的粘度；
对曝光显影处理后的电流扩展层进行一次腐蚀直至所述外延层，以形成扩展层凹部，并对所述扩展层凹部的侧壁的电流扩展层进行二次腐蚀，以在所述第一光刻胶底部形成预设长度的避让空间，得到第一外延结构；
对所述第一外延结构依次进行酸碱中和、冲洗以及烘烤，以使所述第一光刻胶和所述第二光刻胶软化下垂将所述避让空间封闭，形成第二外延结构；
对所述第二外延结构的外延层进行刻蚀，以形成外延层凹部，去除所述第一光刻胶和所述第二光刻胶，并分别在所述外延层凹部和所述第二外延结构的电流扩展层上制备N型电极和P型电极，以得到目标倒装发光二极管。
优选地，所述外延层包括N型半导体层、有源发光层、P型半导体层。
优选地，所述第一光刻胶的粘度为20cps-30cps，厚度为0.5μm-1μm，所述第二光刻胶的粘度为300cps-400cps，厚度为2μm-5μm。
优选地，进行一次腐蚀时的腐蚀液为体积比为1:1-1:1.5的HCL与FeCl3混合溶液，进行二次腐蚀时的腐蚀液为体积比为1:4-1:6的HCL与FeCl3混合溶液。
优选地，所述预设长度为3μm-5μm。
优选地，所述对所述第一外延结构依次进行酸碱中和、冲洗以及烘烤，以使所述第一光刻胶和所述第二光刻胶软化下垂将所述避让空间封闭具体包括：
将腐蚀后的外延结构浸泡在KOH溶液中，中和吸附在所述第一光刻胶和所述第二光刻胶表面的腐蚀液；
将中和后的外延结构固定在甩干机上，同时采用去离子水进行旋转冲洗，停止冲洗后进行旋转甩干；
对甩干后的外延结构进行第一次烘烤，然后重复进行旋转冲洗、甩干，然后进行第二次烘烤，以使得所述第一光刻胶和所述第二光刻胶软化下垂，其端部与所述外延层接触，将所述避让空间封闭。
优选地，在所述旋转冲洗过程中，所述甩干机的转速为600r/min-800r/min，所述去离子水的温度为70℃-90℃，在所述旋转甩干过程中，所述甩干机的转速为2000r/min-2400r/min，所述第一次烘烤的时间为2min-3min，温度为130℃-150℃，所述第二次烘烤的时间为20min-30min，温度为110℃-120℃。
优选地，所述分别在所述外延层凹部和所述第二外延结构的电流扩展层上制备N型电极和P型电极具体包括：
在所述外延层凹部和所述第二外延结构的电流扩展层表面涂布负性光刻胶，通过曝光、显影分别去除所述外延层凹部和部分所述第二外延结构的电流扩展层表面的负性光刻胶；
在所述外延层凹部和所述第二外延结构的电流扩展层的表面依次蒸镀Ni/Ti/Ni/Au/Ti金属；
依次去除剩余负性光刻胶上的金属层和剩余负性光刻胶，以分别在所述外延层凹部和所述第二外延结构的电流扩展层上形成所述N型电极和所述P型电极。
优选地，所述制备方法还包括：
在得到的所述倒装发光二极管远离衬底的表面按预设周期蒸镀Ti2O5和SiO2的叠层，形成布拉格反射层；
在所述布拉格反射层表面涂布光刻胶，然后曝光、显影去除部分光刻胶，在去除光刻胶的所述布拉格反射层的表面进行刻蚀，直至所述N型电极和所述P型电极，以形成N型电极孔和P型电极孔；
在所述布拉格反射层、所述N型电极孔和所述P型电极孔表面涂布负性光刻胶，然后曝光、显影去除所述N型电极孔和所述P型电极孔表面的负性光刻胶；
在所述布拉格反射层、所述N型电极孔和所述P型电极孔上依次蒸镀Al/Ti/Ni/Au金属；
依次去除剩余负性光刻胶的金属层和剩余所有的光刻胶，以分别在所述N型电极孔和所述P型电极孔内得到N型焊盘和P型焊盘。
本发明的有益效果是：本发明提供一种倒装发光二极管制备方法，通过配置浓度不同的第一腐蚀液和第二腐蚀液，依次对露出的电流扩展层进行腐蚀处理，两腐蚀液腐蚀对电流扩展层的腐蚀方向不同，以使得在晶圆上扩展层凹部和避让空间，通过碱液对残留的酸性腐蚀液进行中和，防止残留的HCL挥发至暴露出的外延层表面形成凝珠，避免在后续的电感耦合等离子体刻蚀形成外延层凹部过程中，凝珠可能会复制转移到外延层上造成外延层凹部凸点，进一步的，对晶圆进行冲洗，烘烤操作，使得第一光刻胶和所述第二光刻胶的端部与P型半导体层接触，将所述避让空间封闭，完全包裹住电流扩展层的侧壁，有效的避免后续利用电感耦合等离子体刻蚀工艺去除掉部分外延层的过程中，反应气体与电流扩展层侧壁发生反应产生副产物，这些副产物会吸附在外延层上，而造成外延层凹部凸点；提高了发光二极管可靠性和抗静电击穿能力。
本发明另一方面提供一种倒装发光二极管，采用上述任意一项所述的倒装发光二极管制备方法制备得到。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
图1为本发明提供的倒装发光二极管制备方法的流程图；
图2为发明提供的倒装发光二极管生长外延层结构示意图；
图3为发明提供的倒装发光二极管生长电流扩展层结构示意图；
图4为发明提供的倒装发光二极管生长涂布光刻胶结构示意图；
图5为发明提供的倒装发光二极管刻蚀扩展层凹部结构示意图；
图6为发明提供的倒装发光二极管形成避让空间结构示意图；
图7为发明提供的倒装发光二极管光刻胶软化结构示意图；
图8为发明提供的倒装发光二极管刻蚀外延层凹部结构示意图；
图9为发明提供的倒装发光二极管生长电极结构示意图；
图10为发明提供的倒装发光二极管生长布拉格反射层结构示意图；
图11为发明提供的倒装发光二极管形成电极通孔结构示意图；
图12为发明提供的倒装发光二极管形成电极焊盘结构示意图。
主要元件符号说明：
10、衬底；11、N型半导体层；12、有源发光层；13、P型半导体层；14、电流扩展层；15、第一光刻胶；16、第二光刻胶；17、扩展层凹部；18、避让空间；19、外延层凹部；20、N型电极；21、P型电极；22、布拉格反射层；23、N型电极孔；24、P型电极孔；25、N型焊盘；26、P型焊盘。
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例一
请参阅图1，所示为本发明第一实施例中的倒装发光二极管制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
步骤一，提供一衬底，并在所述衬底上依次生长外延层、电流扩展层；
需要解释的是，在本实施例中，衬底可以选用蓝宝石衬底、SiO2蓝宝石复合衬底、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、氧化锌衬底、GaAs衬底中的一种，蓝宝石衬底具有制备工艺成熟、性价比高、易于清洗和处理，高温下有很好的稳定性，应用比较广泛。在本实施例中，选用蓝宝石衬底，如图2所示，在金属有机气相生长(Metal～organic Chemical VaporDeposition简称MOCVD)设备中，在衬底10上生长外延层，可选的，外延层包括依次生长在衬底10的N型半导体层11、有源发光层12、P型半导体层13，如图3所示，在生长P型半导体层13上继续生长电流扩展层14，具体的，在本实施例中，电流扩展层14为ITO(氧化铟锡)扩展层，可以采用磁控溅射技术在P型半导体层13沉积ITO形成电流扩展层。
步骤二，在所述电流扩展层上依次涂布第一光刻胶和第二光刻胶，并进行曝光显影处理去除部分第一光刻胶和第二光刻胶，以露出部分电流扩展层，其中，所述第一光刻胶的粘度小于所述第二光刻胶的粘度。
如图4所示，采用旋涂法依次在电流扩展层上涂布第一光刻胶15和第二光刻胶16，可选的，第一光刻胶15的粘度远小于第二光刻胶16的粘度，优选的，在本实施例中，第一光刻胶的粘度为20cps-30cps，第一光刻胶的粘度为300cps-400cps。可选的，第一光刻胶的厚度为0.5μm-1μm，第二光刻胶的厚度为2μm-5μm；如图5所示，涂布好第一光刻胶15和第二光刻胶16后，对第一光刻胶15和第二光刻胶16进行曝光、显影处理，去除部分第一光刻胶15和第二光刻胶16，暴露出部分第一光刻15下面的电流扩展层。
步骤三，对曝光显影处理后的电流扩展层进行一次腐蚀直至所述外延层，以形成扩展层凹部，并对所述扩展层凹部的侧壁的电流扩展层进行二次腐蚀，以在所述第一光刻胶底部形成预设长度的避让空间，得到第一外延结构。
在具体实施时，进行一次腐蚀时的腐蚀液为体积比为1:1-1:1.5的HCL与FeCl3混合溶液，进行二次腐蚀时的腐蚀液为体积比为1:4-1:6的HCL与FeCl3混合溶液，腐蚀液主要是对由ITO制成的电流扩展层14进行腐蚀，应当理解的是，在配置腐蚀液时，HCL溶液和FeCl3的浓度是相同的。可选的，第一腐蚀液的温度为60℃-70℃；第二腐蚀液的温度为40℃-50℃；第一腐蚀液中的HCL体积比大于第二腐蚀液中的HCL体积比，第一腐蚀液的温度更高、酸性更强，第一腐蚀液腐蚀电流扩展层的速率大于第二腐蚀液腐蚀电流扩展层的速率；如图6所示，先通过第一腐蚀液腐蚀步骤二中暴露出的电流扩展层，腐蚀深度直至P型半导体层13，形成扩展层凹部17，然后采用第二腐蚀液进行腐蚀，第二腐蚀液主要用于腐蚀电流扩展层中侧壁的电流扩展层，也即在本实施例中第一腐蚀液腐蚀电流扩展层与第二腐蚀液腐蚀电流扩展层的方向不同，电流扩展层的侧壁经过第二腐蚀液的腐蚀，在第一光刻胶底部形成预设长度为a的避让空间18，优选的，a为3μm-5μm；可选的，通过控制第二腐蚀液的配比或腐蚀时间等参数，可以调整a的长度。
在具体实施时，在步骤二中，第一光刻胶的粘度为20cps-30cps，第二光刻胶的粘度为300cps-400cps，第一光刻胶的厚度为0.5μm-1μm，第二光刻胶的粘度为2μm-5μm。与电流扩展层接触的第一光刻胶的粘度和厚度大于第二光刻胶的粘度和厚度，一方面有利于电流扩展层侧壁的腐蚀形成避让空间，另一方面可以有效的防止形成避让空间后光刻胶的塌陷，进而造成电流扩展层边缘花边，引起尖端放电，使得发光二极管芯片抗静电能力减弱。
步骤四，对所述第一外延结构依次进行酸碱中和、冲洗以及烘烤，以使所述第一光刻胶和所述第二光刻胶软化下垂将所述避让空间封闭，形成第二外延结构。
在具体实施时，第一腐蚀液和第二腐蚀液均为HCL溶液与FeCl3溶液的混合，腐蚀液容易吸附在光刻胶上，腐蚀液中的HCL容易挥发至暴露出的外延层表面形成凝珠，避免在后续的电感耦合等离子体刻蚀形成外延层凹部过程中，凝珠可能会复制转移到外延层上造成外延层凹部凸点，造成外延层凹部凸点，最终造成倒装发光二极管芯片可靠性降低，优选的，在本实施例中，将腐蚀后的晶圆浸泡在KOH溶液中，通过KOH碱性溶液中和吸附在所述第一光刻胶和第二光刻胶表面的酸性腐蚀液，完成酸碱中和后，将晶圆固定在甩干机上，利用甩干机对晶圆进行旋转，同时采用去离子水进行旋转冲洗，停止冲洗后进行旋转甩干；优选的，在旋转冲洗过程中，甩干机的转速为600r/min-800r/min，去离子水的温度为70℃-90℃，旋转冲洗的时间为3min-5min，在旋转甩干过程中，甩干机的转速为2000r/min-2400r/min；旋转甩干的时间为30s-40s。进一步的，为了提高清洗效果，在旋转甩干后可以再循环一次旋转冲洗、旋转甩干操作。
经过冲洗、甩干后，对甩干后的晶圆进行第一次烘烤，第一次烘烤可以采用热板从衬底面对晶圆进行加热烘烤，烘烤时间为120s-180s，烘烤温度为130℃-180℃；然后再重复进行旋转冲洗、甩干，进行第二次烘烤，第二次烘烤可以采用烤箱进行，烘烤时间为20min-30min，烘烤温度为110℃-120℃；以使得所述第一光刻胶和所述第二光刻胶软化下垂，如图7所示，第一光刻胶和所述第二光刻胶的端部与P型半导体层13接触，将所述避让空间封闭。通过烘烤使得第一光刻胶和所述第二光刻胶软化坍塌，使得第一光刻胶和所述第二光刻胶的端部与P型半导体层13接触，完全包裹住电流扩展层14的侧壁，有效的避免后续利用电感耦合等离子体刻蚀工艺去除掉部分外延层的过程中，反应气体与电流扩展层侧壁发生反应产生副产物，这些副产物会吸附在外延层上，而造成外延层凹部凸点。
步骤五，对所述第二外延结构的外延层进行刻蚀，以形成外延层凹部，去除所述第一光刻胶和所述第二光刻胶，并分别在所述外延层凹部和所述第二外延结构的电流扩展层上制备N型电极和P型电极，以得到目标倒装发光二极管。
在具体实施时，如图8所示，利用电感耦合等离子体工艺去除掉部分外延层，形成外延层凹部19，电感耦合等离子体工艺利用的气体包括Cl2、BCL3、Ar2、N2，然后利用醇类及酮类去胶液去除剩余的第一光刻胶和第二光刻胶。
在具体实施时，在外延层凹部和电流扩展层表面涂布负性光刻胶，通过曝光、显影分别去除外延层凹部和部分电流扩展层表面的负性光刻胶；然后电子束蒸镀技术在外延层凹部和电流扩展层整个表面依次蒸镀Ni/Ti/Ni/Au/Ti金属；形成金属层，然后采用蓝膜剥离技术去除掉剩余负性光刻胶上面的金属层，保留置于外延层凹部及部分电流扩展层上的金属层，最后去除剩余的负性光刻胶，形成N型电极20和P型电极21，具体的，如图9所示，置于外延层凹部之上的为N型电极20，置于电流扩展层之上的为P型电极21。
本发明提供的倒装发光二极管制备方法，首先通过衬底上生长外延层、电流扩展层，然后在电流扩展层上涂布粘度和厚度均不同的第一光刻胶和第二光刻胶，第一光刻胶的粘度和厚度均小于第二光刻胶的粘度和厚度，通过进行曝光、显影处理，去除部分第一光刻胶和第二光刻胶，露出部分电流扩展层，通过配置浓度不同的第一腐蚀液和第二腐蚀液，依次对露出的电流扩展层进行腐蚀处理，两腐蚀液腐蚀对电流扩展层的腐蚀方向不同，以使得在晶圆上扩展层凹部和避让空间，通过碱液对残留的酸性腐蚀液进行中和，防止残留的HCL挥发至暴露出的外延层表面形成凝珠，避免在后续的电感耦合等离子体刻蚀形成外延层凹部过程中，凝珠可能会复制转移到外延层上造成外延层凹部凸点，进一步的，对晶圆进行冲洗，烘烤操作，使得第一光刻胶和所述第二光刻胶的端部与P型半导体层13接触，将所述避让空间封闭，完全包裹住电流扩展层14的侧壁，有效的避免后续利用电感耦合等离子体刻蚀工艺去除掉部分外延层的过程中，反应气体与电流扩展层侧壁发生反应产生副产物，这些副产物会吸附在外延层上，而造成外延层凹部凸点；提高了倒装发光二极管可靠性和抗静电击穿能力。
实施例二
本实施例当中的倒装发光二极管制备方法与第一实施例当中的倒装发光二极管制备方法的不同之处在于：倒装发光二极管制备方法还包括：
如图10所示，在得到的倒装发光二极管远离衬底的表面通过电子束按预设周期蒸镀Ti2O5和SiO2的叠层，形成布拉格反射层22；可选的，预设周期为20-40，在本实施例中，预设周期为30，在布拉格反射层22表面涂布光刻胶，然后曝光、显影去除部分光刻胶，暴露出下面的布拉格反射层22；如图11所示，在去除光刻胶的布拉格反射层22的表面进行刻蚀，直至N型电极20和P型电极21，以形成N型电极孔23和P型电极孔24；接着在布拉格反射层22、N型电极孔23和P型电极孔24表面涂布负性光刻胶，然后曝光、显影去除N型电极孔23和P型电极孔24表面的负性光刻胶；利用电子束蒸镀工艺依次蒸镀Al/Ti/Ni/Au金属，如图12所示，依次去除剩余负性光刻胶的金属层和剩余所有的光刻胶，以分别在N型电极孔和P型电极孔内得到N型焊盘25和P型焊盘26，N型焊盘25通过N型电极孔23与N型电极20形成电性连接，P型焊盘26通过P型电极孔24与P型电极21形成电性连接。
实施例三
本实施例提供一种倒装发光二极管，采用实施例一或实施例二任意一项倒装发光二极管制备方法制备得到。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种倒装发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，并在所述衬底上依次生长外延层、电流扩展层；
在所述电流扩展层上依次涂布第一光刻胶和第二光刻胶，并进行曝光显影处理去除部分第一光刻胶和第二光刻胶，以露出部分电流扩展层，其中，所述第一光刻胶的粘度小于所述第二光刻胶的粘度；
对曝光显影处理后的电流扩展层进行一次腐蚀直至所述外延层，以形成扩展层凹部，并对所述扩展层凹部的侧壁的电流扩展层进行二次腐蚀，以在所述第一光刻胶底部形成预设长度的避让空间，得到第一外延结构；
对所述第一外延结构依次进行酸碱中和、冲洗以及烘烤，以使所述第一光刻胶和所述第二光刻胶软化下垂将所述避让空间封闭，形成第二外延结构；
对所述第二外延结构的外延层进行刻蚀，以形成外延层凹部，去除所述第一光刻胶和所述第二光刻胶，并分别在所述外延层凹部和所述第二外延结构的电流扩展层上制备N型电极和P型电极，以得到目标倒装发光二极管。
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管制备方法，其特征在于，所述外延层包括N型半导体层、有源发光层、P型半导体层。
3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶的粘度为20cps-30cps，厚度为0.5μm-1μm，所述第二光刻胶的粘度为300cps-400cps，厚度为2μm-5μm。
4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管制备方法，其特征在于，进行一次腐蚀时的腐蚀液为体积比为1:1-1:1.5的HCL与FeCl3混合溶液，进行二次腐蚀时的腐蚀液为体积比为1:4-1:6的HCL与FeCl3混合溶液。
5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管制备方法，其特征在于，所述预设长度为3μm-5μm。
6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管制备方法，其特征在于，所述对所述第一外延结构依次进行酸碱中和、冲洗以及烘烤，以使所述第一光刻胶和所述第二光刻胶软化下垂将所述避让空间封闭具体包括：
将腐蚀后的外延结构浸泡在KOH溶液中，中和吸附在所述第一光刻胶和所述第二光刻胶表面的腐蚀液；
将中和后的外延结构固定在甩干机上，同时采用去离子水进行旋转冲洗，停止冲洗后进行旋转甩干；
对甩干后的外延结构进行第一次烘烤，然后重复进行旋转冲洗、甩干，然后进行第二次烘烤，以使得所述第一光刻胶和所述第二光刻胶软化下垂，其端部与所述外延层接触，将所述避让空间封闭。
7.根据权利要求5所述的倒装发光二极管制备方法，其特征在于，在所述旋转冲洗过程中，所述甩干机的转速为600r/min-800r/min，所述去离子水的温度为70℃-90℃，在所述旋转甩干过程中，所述甩干机的转速为2000r/min-2400r/min，所述第一次烘烤的时间为2min-3min，温度为130℃-150℃，所述第二次烘烤的时间为20min-30min，温度为110℃-120℃。
8.根据权利要求1所述的倒装发光二极管制备方法，其特征在于，所述分别在所述外延层凹部和所述第二外延结构的电流扩展层上制备N型电极和P型电极具体包括：
在所述外延层凹部和所述第二外延结构的电流扩展层表面涂布负性光刻胶，通过曝光、显影分别去除所述外延层凹部和部分所述第二外延结构的电流扩展层表面的负性光刻胶；
在所述外延层凹部和所述第二外延结构的电流扩展层的表面依次蒸镀Ni/Ti/Ni/Au/Ti金属；
依次去除剩余负性光刻胶上的金属层和剩余负性光刻胶，以分别在所述外延层凹部和所述第二外延结构的电流扩展层上形成所述N型电极和所述P型电极。
9.根据权利要求1所述的倒装发光二极管制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在得到的所述倒装发光二极管远离衬底的表面按预设周期蒸镀Ti2O5和SiO2的叠层，形成布拉格反射层；
在所述布拉格反射层表面涂布光刻胶，然后曝光、显影去除部分光刻胶，在去除光刻胶的所述布拉格反射层的表面进行刻蚀，直至所述N型电极和所述P型电极，以形成N型电极孔和P型电极孔；
在所述布拉格反射层、所述N型电极孔和所述P型电极孔表面涂布负性光刻胶，然后曝光、显影去除所述N型电极孔和所述P型电极孔表面的负性光刻胶；
在所述布拉格反射层、所述N型电极孔和所述P型电极孔上依次蒸镀Al/Ti/Ni/Au金属；
依次去除剩余负性光刻胶的金属层和剩余所有的光刻胶，以分别在所述N型电极孔和所述P型电极孔内得到N型焊盘和P型焊盘。
10.一种倒装发光二极管，其特征在于，根据权利要求1～9任意一项所述的倒装发光二极管制备方法制备得到。
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| CN202311206629.7A CN117038813A (zh) | 2023-09-19 | 2023-09-19 | 一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管 |
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