CN117026379A - 一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置 - Google Patents
一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117026379A CN117026379A CN202311071433.1A CN202311071433A CN117026379A CN 117026379 A CN117026379 A CN 117026379A CN 202311071433 A CN202311071433 A CN 202311071433A CN 117026379 A CN117026379 A CN 117026379A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crucible
- heater
- indium phosphide
- crystal
- rod
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 title claims abstract description 22
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 75
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 12
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明提供一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置，涉及半导体晶体制备技术领域。该半导体晶体生长及原位退火的方法，包括以下过程：S1.首先将坩埚盖焊接或烧结至坩埚上，然后向坩埚内部放置固体氧化硼和固体磷化铟，然后将坩埚放置到坩埚支撑上端；S2.封闭主炉体和上炉盖，通过充放气管道给系统抽真空至10‑2Pa‑10Pa，然后充入惰性气体至3‑5MPa。本发明中，该方法可以降低LEC晶体生长中机械震动带来的提拉影响，通过中心液面在离心力下连续下降，同时实现晶体的生长，同时还可以利用高速离心运动下，在生长界面建立起高的温度梯度，提高生长界面的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体晶体制备技术领域，具体为一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置。
背景技术
InP材料是一种重要的化合物半导体材料，InP基微电子器件具有高频、低噪声、高效率、抗辐照等特点。磷化铟在5G网络、太赫兹通信、毫米波通信与探测等领域应用广泛。
常用的生长磷化铟晶体的方法有两种：一种是垂直温度梯度凝固技术（VGF），一种是液封直拉技术（LEC）。VGF法可以生长低缺陷晶体，由于生长界面温度梯度小，因而成品率很低。LEC法生长的晶体缺陷密度高，但是成品率高，另外LEC系统中的籽晶杆提拉需要步进电机进行控制，因而生长单晶很难实现生长界面速率的稳定连续，同时晶体还需要设置热屏等退火装置。因此制备低缺陷高成品率的磷化铟晶体的难度很大。
因此，本领域技术人员提供了一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
发明内容
（一）解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置，解决了VGF法成品率低，LEC法生长的晶体缺陷密度高，其生长单晶很难实现生长界面速率的稳定连续，同时晶体还需要设置热屏等退火装置，因此制备低缺陷高成品率的磷化铟晶体的难度很大的问题。
（二）技术方案
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：
一种半导体晶体生长及原位退火的方法，包括以下过程：
S1.首先将坩埚盖焊接或烧结至坩埚上，然后向坩埚内部放置固体氧化硼和固体磷化铟，然后将坩埚放置到坩埚支撑上端；
S2.封闭主炉体和上炉盖，通过充放气管道给系统抽真空至10-2Pa-10Pa，然后充入惰性气体至3-5MPa；
S3.通过加热器I、加热器II、加热器III和下加热器给固体磷化铟、固体氧化硼加热直至形成磷化铟熔体和液态氧化硼；
S4.启动籽晶杆使其以0.5-20r/min的速度转动，坩埚杆使其以0.5-20r/min的速度转动，二者同向转动，相对转速为5-15r/min；
S5.下降籽晶杆，使得籽晶与磷化铟熔体接触，调节加热器I、加热器II、加热器III和下加热器，通过热电偶I，热电偶II，热电偶III的显示值反馈磷化铟熔体的温度；
S6.逐渐降低磷化铟熔体的温度直至籽晶上长出磷化铟晶体，继续让磷化铟熔体降温，直至磷化铟晶体尺寸达到所需尺寸R；
S7.使坩埚和籽晶杆同时转动，二者的角加速度相同，逐渐提高旋转速度，使得磷化铟熔体中间液面逐渐下降，两边向坩埚壁上方运动；
S8.通过观察窗观看磷化铟熔体的运动情况，同时调节加热器I、加热器II、加热器III和下加热器的功率，控制磷化铟晶体的横向生长速率，通过坩埚旋转的加速度控制纵向生长速率，最终使磷化铟熔体完全形成管状，进而获得长直径单晶；
S9.通过观察窗观看磷化铟熔体的运动情况，向上提拉磷化铟熔体使其脱离底部的液态氧化硼5mm以上，然后逐渐给系统以1K/min-50K/min的速率给管状的磷化铟熔体降温，直至800℃以下，然后同时以相同的角加速度给坩埚和籽晶杆降低速度直至为0，进而获得磷化铟晶体。
进一步地，所述步骤S7中通过设置3个以上的辅助转轮与坩埚支撑接触，保证坩埚稳定转动，并防止坩埚的离心震动，且坩埚支撑内部深度大于坩埚的高度。
进一步地，所述步骤S7中的坩埚旋转速度的设计最大值不低于：
其中，R的单位为cm；n的单位为r/min。
进一步地，所述步骤S9结束后，还包括以下过程：待磷化铟熔体的温度低于20℃，给系统放气至常压后，升籽晶杆直至磷化铟晶体移动出坩埚，取出磷化铟晶体。
进一步地，一种半导体晶体生长及原位退火的装置，包括主炉体、上炉盖、保温套、坩埚和坩埚支撑，所述保温套固定设置在主炉体的内部下端，所述保温套的内部从上到下依次设置有加热器I、加热器II和加热器III，所述坩埚支撑通过下端通过坩埚杆固定连接主炉体内部的下端中部，所述坩埚支撑的下端设置有下加热器，且所述加热器I、加热器II和加热器III分布设置在坩埚支撑的外壁，所述坩埚设置在坩埚支撑的内部且与坩埚支撑内壁紧贴，所述坩埚支撑内部深度大于坩埚的高度，所述坩埚的上端焊接或烧结连接有坩埚盖，且坩埚盖的中部开设有贯通的通孔，所述坩埚内部设置有氧化硼和磷化铟溶体。
进一步地，所述保温套的侧壁内部设置有热电偶I和热电偶II，且所述热电偶I和热电偶II分别设置在加热器I和加热器II以及加热器II和加热器III之间的间隙中，所述坩埚杆的内部设置有热电偶III，所述热电偶III的上端与坩埚底部相接触。
进一步地，所述上炉盖中部连接有籽晶杆，所述籽晶杆的靠上端设置有称重器，所述籽晶杆的底部连接有籽晶，所述籽晶下端外壁连接有磷化铟晶体，所述上炉盖上靠近籽晶杆处设置有观察窗。
进一步地，所述主炉体的内侧壁中部连接有多个固定架，所述固定架端部转动设置有辅助转轮，所述辅助转轮至少设置三个，且辅助转轮与坩埚支撑外壁相接触。
进一步地，所述主炉体的侧壁靠下端连通有充放气管道，且所述主炉体的侧壁靠上端设置有压力表。
（三）有益效果
本发明提供了一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置。具备以下有益效果：
1、本发明提供了一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置，通过离心降低生长液面的方法生长晶体，同时在离心形成的熔体或者多晶体管道中对晶体进行原位退火，降低晶体的热应力，该方法可以降低LEC晶体生长中机械震动带来的提拉影响，通过中心液面在离心力下连续下降，同时实现晶体的生长，同时还可以利用高速离心运动下，在生长界面建立起高的温度梯度，提高生长界面的稳定性。
附图说明
图1为本发明的晶体原位退火炉结构示意图；
图2为本发明的原料装炉示意图；
图3为本发明的晶体水平方向生长状态示意图；
图4为本发明的晶体在离心力下向下生长状态示意图；
图5为本发明的晶体在离心力下向下生长完毕状态示意图；
图6为本发明的坩埚盖结构示意图；
图7为本发明的坩埚体结构示意图。
其中，1、主炉体；2、上炉盖；3、称重器；4、辅助转轮；5、加热器I；6、加热器II；7、加热器III；8、下部加热器；9、保温套；10、籽晶；11、氧化硼；12、坩埚；12-1、坩埚盖；13、磷化铟熔体；14、籽晶杆；15、磷化铟晶体；16、坩埚杆；17、热电偶I；18、热电偶II；19、热电偶III；20、坩埚支撑；21、充放气管道；22、压力表；23、观察窗；24固定架。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1：
如图1-7所示，本发明实施例提供一种半导体晶体生长及原位退火的方法，包括以下过程：
S1.首先将坩埚盖12-1焊接或烧结至坩埚12上，然后向坩埚12内部放置固体氧化硼11和固体磷化铟，然后将坩埚12放置到坩埚支撑20上端；
S2.封闭主炉体1和上炉盖2，通过充放气管道21给系统抽真空至10-2Pa-10Pa，然后充入惰性气体至3-5MPa；
S3.通过加热器I5、加热器II6、加热器III7和下加热器8给固体磷化铟、固体氧化硼11加热直至形成磷化铟熔体13和液态氧化硼11；
S4.启动籽晶杆14使其以0.5-20r/min的速度转动，坩埚杆16使其以0.5-20r/min的速度转动，二者同向转动，相对转速为5-15r/min；
S5.下降籽晶杆14，使得籽晶10与磷化铟熔体13接触，调节加热器I5、加热器II6、加热器III7和下加热器8，通过热电偶I17，热电偶II18，热电偶III19的显示值反馈磷化铟熔体13的温度；
S6.逐渐降低磷化铟熔体13的温度直至籽晶10上长出磷化铟晶体15，继续让磷化铟熔体13降温，直至磷化铟晶体15尺寸达到所需尺寸R；
S7.使坩埚12和籽晶杆14同时转动，二者的角加速度相同，逐渐提高旋转速度，使得磷化铟熔体13中间液面逐渐下降，两边向坩埚12壁上方运动；
S8.通过观察窗23观看磷化铟熔体13的运动情况，同时调节加热器I5、加热器II6、加热器III7和下加热器8的功率，控制磷化铟晶体15的横向生长速率，通过坩埚12旋转的加速度控制纵向生长速率，最终使磷化铟熔体13完全形成管状，进而获得长直径单晶；
S9.通过观察窗23观看磷化铟熔体13的运动情况，向上提拉磷化铟熔体13使其脱离底部的液态氧化硼11 5mm以上，然后逐渐给系统以1K/min-50K/min的速率给管状的磷化铟熔体13降温，直至800℃以下，然后同时以相同的角加速度给坩埚12和籽晶杆14降低速度直至为0，进而获得磷化铟晶体15。
步骤S7中通过设置3个以上的辅助转轮4与坩埚支撑20接触，保证坩埚12稳定转动，并防止坩埚12的离心震动，且坩埚支撑20内部深度大于坩埚12的高度。
步骤S7中的坩埚12旋转速度的设计最大值不低于：
其中，R的单位为cm；n的单位为r/min。
步骤S9结束后，还包括以下过程：待磷化铟熔体13的温度低于20℃，给系统放气至常压后，升籽晶杆14直至磷化铟晶体15移动出坩埚12，取出磷化铟晶体15。
该半导体晶体生长及原位退火的装置，包括主炉体1、上炉盖2、保温套9、坩埚12和坩埚支撑20，保温套9固定设置在主炉体1的内部下端，保温套9的内部从上到下依次设置有加热器I5、加热器II6和加热器III7，坩埚支撑20通过下端通过坩埚杆16固定连接主炉体1内部的下端中部，坩埚支撑20的下端设置有下加热器8，且加热器I5、加热器II6和加热器III7分布设置在坩埚支撑20的外壁，坩埚12设置在坩埚支撑20的内部且与坩埚支撑20内壁紧贴，坩埚支撑20内部深度大于坩埚12的高度，坩埚12的上端焊接或烧结连接有坩埚盖12-1，且坩埚盖12-1的中部开设有贯通的通孔，坩埚12内部设置有氧化硼11和磷化铟溶体13；
保温套9的侧壁内部设置有热电偶I17和热电偶II18，且热电偶I17和热电偶II18分别设置在加热器I5和加热器II6以及加热器II6和加热器III7之间的间隙中，坩埚杆16的内部设置有热电偶III19，热电偶III19的上端与坩埚12底部相接触。
上炉盖2中部连接有籽晶杆14，籽晶杆14的靠上端设置有称重器3，籽晶杆14的底部连接有籽晶10，籽晶10下端外壁连接有磷化铟晶体15，上炉盖2上靠近籽晶杆14处设置有观察窗23。
主炉体1的内侧壁中部连接有多个固定架24，固定架24端部转动设置有辅助转轮4，辅助转轮4至少设置三个，且辅助转轮4与坩埚支撑20外壁相接触，主炉体1的侧壁靠下端连通有充放气管道21，且主炉体1的侧壁靠上端设置有压力表22。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (9)
1.一种半导体晶体生长及原位退火的方法，其特征在于，包括以下过程：
S1.首先将坩埚盖（12-1）焊接或烧结至坩埚（12）上，然后向坩埚（12）内部放置固体氧化硼（11）和固体磷化铟，然后将坩埚（12）放置到坩埚支撑（20）上端；
S2.封闭主炉体（1）和上炉盖（2），通过充放气管道（21）给系统抽真空至10-2Pa-10Pa，然后充入惰性气体至3-5MPa；
S3.通过加热器I（5）、加热器II（6）、加热器III（7）和下加热器（8）给固体磷化铟、固体氧化硼（11）加热直至形成磷化铟熔体（13）和液态氧化硼（11）；
S4.启动籽晶杆（14）使其以0.5-20r/min的速度转动，坩埚杆（16）使其以0.5-20r/min的速度转动，二者同向转动，相对转速为5-15r/min；
S5.下降籽晶杆（14），使得籽晶（10）与磷化铟熔体（13）接触，调节加热器I（5）、加热器II（6）、加热器III（7）和下加热器（8），通过热电偶I（17），热电偶II（18），热电偶III（19）的显示值反馈磷化铟熔体（13）的温度；
S6.逐渐降低磷化铟熔体（13）的温度直至籽晶（10）上长出磷化铟晶体（15），继续让磷化铟熔体（13）降温，直至磷化铟晶体（15）尺寸达到所需尺寸R；
S7.使坩埚（12）和籽晶杆（14）同时转动，二者的角加速度相同，逐渐提高旋转速度，使得磷化铟熔体（13）中间液面逐渐下降，两边向坩埚（12）壁上方运动；
S8.通过观察窗（23）观看磷化铟熔体（13）的运动情况，同时调节加热器I（5）、加热器II（6）、加热器III（7）和下加热器（8）的功率，控制磷化铟晶体（15）的横向生长速率，通过坩埚（12）旋转的加速度控制纵向生长速率，最终使磷化铟熔体（13）完全形成管状，进而获得长直径单晶；
S9.通过观察窗（23）观看磷化铟熔体（13）的运动情况，向上提拉磷化铟熔体（13）使其脱离底部的液态氧化硼（11）5mm以上，然后逐渐给系统以1K/min-50K/min的速率给管状的磷化铟熔体（13）降温，直至800℃以下，然后同时以相同的角加速度给坩埚（12）和籽晶杆（14）降低速度直至为0，进而获得磷化铟晶体（15）。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶体生长及原位退火的方法，其特征在于，所述步骤S7中通过设置3个以上的辅助转轮（4）与坩埚支撑（20）接触，保证坩埚（12）稳定转动，并防止坩埚（12）的离心震动，且坩埚支撑（20）内部深度大于坩埚（12）的高度。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶体生长及原位退火的方法，其特征在于，所述步骤S7中的坩埚（12）旋转速度的设计最大值不低于：
其中，R的单位为cm；n的单位为r/min。
4.根据权利要求1所述的一种半导体晶体生长及原位退火的方法，其特征在于，所述步骤S9结束后，还包括以下过程：待磷化铟熔体（13）的温度低于20℃，给系统放气至常压后，升籽晶杆（14）直至磷化铟晶体（15）移动出坩埚（12），取出磷化铟晶体（15）。
5.根据权利要求1-4任一所述的一种半导体晶体生长及原位退火的装置，其特征在于，包括主炉体（1）、上炉盖（2）、保温套（9）、坩埚（12）和坩埚支撑（20），所述保温套（9）固定设置在主炉体（1）的内部下端，所述保温套（9）的内部从上到下依次设置有加热器I（5）、加热器II（6）和加热器III（7），所述坩埚支撑（20）通过下端通过坩埚杆（16）固定连接主炉体（1）内部的下端中部，所述坩埚支撑（20）的下端设置有下加热器（8），且所述加热器I（5）、加热器II（6）和加热器III（7）分布设置在坩埚支撑（20）的外壁，所述坩埚（12）设置在坩埚支撑（20）的内部且与坩埚支撑（20）内壁紧贴，所述坩埚支撑（20）内部深度大于坩埚（12）的高度，所述坩埚（12）的上端焊接或烧结连接有坩埚盖（12-1），且坩埚盖（12-1）的中部开设有贯通的通孔，所述坩埚（12）内部设置有氧化硼（11）和磷化铟溶体（13）。
6.根据权利要求5所述的一种半导体晶体生长及原位退火的装置，其特征在于，所述保温套（9）的侧壁内部设置有热电偶I（17）和热电偶II（18），且所述热电偶I（17）和热电偶II（18）分别设置在加热器I（5）和加热器II（6）以及加热器II（6）和加热器III（7）之间的间隙中，所述坩埚杆（16）的内部设置有热电偶III（19），所述热电偶III（19）的上端与坩埚（12）底部相接触。
7.根据权利要求5所述的一种半导体晶体生长及原位退火的装置，其特征在于，所述上炉盖（2）中部连接有籽晶杆（14），所述籽晶杆（14）的靠上端设置有称重器（3），所述籽晶杆（14）的底部连接有籽晶（10），所述籽晶（10）下端外壁连接有磷化铟晶体（15），所述上炉盖（2）上靠近籽晶杆（14）处设置有观察窗（23）。
8.根据权利要求5所述的一种半导体晶体生长及原位退火的装置，其特征在于，所述主炉体（1）的内侧壁中部连接有多个固定架（24），所述固定架（24）端部转动设置有辅助转轮（4），所述辅助转轮（4）至少设置三个，且辅助转轮（4）与坩埚支撑（20）外壁相接触。
9.根据权利要求5所述的一种半导体晶体生长及原位退火的装置，其特征在于，所述主炉体（1）的侧壁靠下端连通有充放气管道（21），且所述主炉体（1）的侧壁靠上端设置有压力表（22）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311071433.1A CN117026379A (zh) | 2023-08-24 | 2023-08-24 | 一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311071433.1A CN117026379A (zh) | 2023-08-24 | 2023-08-24 | 一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117026379A true CN117026379A (zh) | 2023-11-10 |
Family
ID=88633527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311071433.1A Pending CN117026379A (zh) | 2023-08-24 | 2023-08-24 | 一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117026379A (zh) |
-
2023
- 2023-08-24 CN CN202311071433.1A patent/CN117026379A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8123855B2 (en) | Device and process for growing Ga-doped single silicon crystals suitable for making solar cells | |
| CN108060454B (zh) | 一种vgf法制备砷化镓晶体的装置及方法 | |
| CN113638048B (zh) | 一种vgf法生长磷化铟单晶的方法 | |
| CN111809229B (zh) | 一种锑化铟单晶的制备方法及其装置 | |
| JP2003277197A (ja) | ＣｄＴｅ単結晶およびＣｄＴｅ多結晶並びにその製造方法 | |
| CN112981532A (zh) | 一种pvt法生长碳化硅晶体的方法及装置 | |
| CN111020689A (zh) | 晶体生长装置及方法 | |
| US20230340691A1 (en) | Production method for silicon monocrystal | |
| CN113308738B (zh) | 注入合成后连续lec与vgf结合制备化合物半导体晶体的方法 | |
| CN103469304B (zh) | 多支成形蓝宝石长晶装置及其长晶方法 | |
| CN112553684A (zh) | 超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒 | |
| CN117026379A (zh) | 一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置 | |
| CN205295534U (zh) | 一种高速单晶生长装置 | |
| CN109881253B (zh) | 半导体晶体的生长装置及方法 | |
| CN102534771A (zh) | 一种磷化镓单晶的生长方法 | |
| CN111074346A (zh) | 一种提拉法制备高纯单晶锗的装置及方法 | |
| CN213652724U (zh) | 连续拉晶单晶炉的热场结构 | |
| CN113308739B (zh) | 注入合成后连续lec与vgf结合制备化合物半导体晶体的系统 | |
| CN210856408U (zh) | 一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉 | |
| CN211497865U (zh) | 一种提拉法制备高纯单晶锗的装置 | |
| CN114592236A (zh) | 一种p型掺镓硅单晶的生长方法 | |
| CN103266346B (zh) | 一种引上法生长yvo4晶体的生长设备及基于该生长设备的生长方法 | |
| CN117071053A (zh) | 一种lec生长系统中通过vgf制备化合物晶体的方法 | |
| CN105603506B (zh) | 动态温梯法生长大尺寸单晶的装置及方法 | |
| CN116200823B (zh) | 一种晶体生长装置及碘化铯晶体生长方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |