CN117023504A - 一种二维mems微镜和制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种二维MEMS微镜和制备方法，其二维MEMS微镜包括：第一SOI晶圆；第二SOI晶圆：第二SOI晶圆上刻蚀带有多个空槽的环状动齿和设置在空槽内并与动齿垂直连接的扭转梁；动齿与扭转梁连接处设为圆角；第三SOI晶圆：第三SOI晶圆上刻蚀带有多个第二隔离槽的上静齿；第二SOI晶圆和第三SOI晶圆均刻蚀微间隙；第一SOI晶圆、第二S0I晶圆和第三S0I晶圆键合；第一S0I晶圆、第二SOI晶圆和第三SOI晶圆的硅器件层厚度为60至150μm；本发明实现了采用三片S0I键合，上S0I刻蚀出的上静齿用于抵消或减轻微镜自身重力，并使微镜在静电力作用下能够严格沿扭转轴进行偏转且在扭转梁位置处设计为圆角结构，防止应力集中导致扭转梁的断裂。
Description
技术领域
本发明涉及二维微镜，具体涉及一种二维MEMS微镜和制备方法。
背景技术
MEMS微镜是一种在外部激励条件下微镜可发生扭转的微器件，驱动方式可分为电磁驱动、静电驱动、热电驱动以及压电驱动。其中，静电驱动的MEMS微镜是利用静电吸合力来实现微镜的偏转，本质上是一种电压驱动型器件，因其制作工艺相对简单、成本低、响应速度快等优势成为近年来诸多科研人员的研究方向。
随着科技的发展，市场和科研领域对大尺寸MEMS微镜的需求也逐渐攀升，在光通信、成像显示等领域中具有广阔应用前景。作为大尺寸的二维MEMS微镜，由于受到自身重力作用，微镜会有一定的向下位移(重力位移)。为了减小自身重力位移，通常采用加宽扭转梁或加宽外部框架的方式，但加宽扭转梁不仅会增大所需的驱动电压，而且当扭转梁加宽到一定程度时会发生微镜弯曲现象，即有静电力驱动一侧微镜偏转位移大，无静电力驱动一侧微镜偏转位移小，甚至几乎不偏转，对微镜平整度具有致命影响，难以实现微镜的整体偏转；采用加宽外部框架的方法只能略微减少微镜重力位移，过宽的外部框架反而会加剧微镜的重力位移。更重要的是，对于绝大多数二维结构的微镜而言，其扭转的方向并不是严格沿扭转梁偏转，当微镜尺寸较小或微镜应用场景不严苛时这种不沿扭转梁偏转的情况可以忽略，但微镜尺寸较大时，这种情况便不可忽视。
发明内容
针对现有技术大尺寸的二维微镜(8)在扭转梁(7)偏转时容易断裂，本发明提供了一种二维MEMS微镜，包括：
第一SOI晶圆(1)；
第二SOI晶圆(2)：所述第二SOI晶圆(2)上刻蚀带有多个空槽的环状动齿(6)和设置在所述空槽内并与所述动齿(6)垂直连接的扭转梁(7)；
所述动齿(6)与所述扭转梁(7)连接处设为圆角；
第三SOI晶圆(3)：所述第三SOI晶圆(3)上刻蚀带有多个第二隔离槽的上静齿(10)；
所述第二SOI晶圆(2)和所述第三SOI晶圆(3)均刻蚀微间隙；
所述第一SOI晶圆(1)、所述第二SOI晶圆(2)和所述第三SOI晶圆(3)键合；
所述第一SOI晶圆(1)、所述第二SOI晶圆(2)和所述第三SOI晶圆(3)的硅器件层厚度为60至150μm。
优选的，所述第二SOI晶圆(2)还包括多根加强筋(9)和微镜(8)；
多根所述加强筋(9)和所述微镜(8)分别刻蚀在所述第二SOI晶圆(2)两侧；
多根所述加强筋(9)设置为圆形和井字形，所述两种结构的所述加强筋(9)相互连接；
所述微镜(8)设为圆形。
优选的，所述第一SOI晶圆(1)包括第一微镜腔(5)和带有多个第一隔离槽的下静齿(4)；
所述下静齿(4)和所述第一微镜腔(5)均刻蚀在所述第一SOI晶圆(1)上；
所述第一微镜腔(5)呈圆形设置在所述下静齿(4)内；
所述第一微镜腔(5)与所述微镜(8)共用一条中心轴。
优选的，所述第三SOI晶圆(3)还包括多个PAD(11)和第二微镜腔(12)；
多个所述PAD(11)和所述第二微镜腔(12)均刻蚀在所述第三SOI晶圆(3)上；
所述多个PAD(11)均匀刻蚀在所述第三SOI晶圆(3)边角处；
所述第二微镜腔(12)呈圆形镂空状设置于所述上静齿(10)内；
所述第二微镜腔(12)与所述第一微镜腔(5)共用一条中心轴。
优选的，所述动齿(6)包括内动齿和外动齿；
所述内动齿与外动齿呈垂直梳齿结构。
优选的，所述下静齿(4)包括内下静齿和外下静齿；
所述内下静齿与外下静齿呈垂直梳齿结构；
所述下静齿(4)与所述动齿(6)呈垂直梳齿结构。
优选的，所述上静齿(10)包括内上静齿和外上镜齿；
所述内上静齿与外上静齿呈垂直梳齿结构；
上静齿(10)与所述动齿(6)呈垂直梳齿结构。
本发明还提供了一种二维MEMS微镜制备方法，包括：
将第一SOI晶圆(1)、第二SOI晶圆(2)和第三SOI晶圆(3)进行刻蚀并键合，获得二维MEMS微镜；
对所述MEMS微镜进行表面金属化和释放。
优选的，所述将第一SOI晶圆(1)、第二SOI晶圆(2)和第三SOI晶圆(3)进行刻蚀并键合，获得二维MEMS微镜，包括：
对所述第一SOI晶圆(1)进行刻蚀并将所述第二SOI晶圆(2)刻蚀出微间隙；
刻蚀后的所述第一SOI晶圆(1)与所述第二SOI晶圆(2)键合；
键合后对所述第二SOI晶圆(2)进行减薄后再次进行刻蚀，并对所述第三SOI晶圆(3)刻蚀出微间隙；
刻蚀后的所述第二SOI晶圆(2)与所述第三SOI晶圆(3)键合；
键合后对所述第三SOI晶圆(3)进行减薄并再次刻蚀，得到所述二维MEMS微镜(8)。
优选的，所述将第一SOI晶圆(1)、第二SOI晶圆(2)和第三SOI晶圆(3)进行刻蚀，包括：
将第一SOI晶圆(1)做为基底晶圆并依次刻蚀出隔离槽、第一微镜腔(5)和下静齿(4)；
将第二SOI晶圆(2)做为中间晶圆并依次刻蚀出微间隙、加强筋(9)、动齿(6)、扭转梁(7)和微镜(8)；
将第三SOI晶圆(3)做为上层晶圆并依次刻蚀出微间隙、隔离槽、上静齿(10)、PAD(11)和第二微镜腔(12)。
与最接近的现有技术相比，本发明具有的有益效果：
1、本发明提供了本发明涉及一种二维MEMS微镜和制备方法，其二维MEMS微镜包括：第一SOI晶圆1；第二SOI晶圆2：第二SOI晶圆2上刻蚀带有多个空槽的环状动齿6和设置在空槽内并与动齿6垂直连接的扭转梁7；动齿6与扭转梁7连接处设为圆角；第三SOI晶圆3：第三SOI晶圆3上刻蚀带有多个第二隔离槽的上静齿10；第二SOI晶圆2和第三SOI晶圆3均刻蚀微间隙；第一SOI晶圆1、第二SOI晶圆2和第三SOI晶圆3键合；第一SOI晶圆1、第二SOI晶圆2和第三SOI晶圆3的硅器件层厚度为60至150μm；本发明实现了采用3片SOI键合，上SOI刻蚀出的上静齿用于抵消或减轻微镜8自身重力，并使微镜8在静电力作用下能够严格沿扭转轴进行偏转且在扭转梁7位置处设计为圆角结构，防止应力集中导致扭转梁7的断裂。。
附图说明
图1是本发明的二维MEMS微镜的示意图；
图2是本发明的第一SOI晶圆的下静齿和第一微镜腔的示意图；
图3是本发明的第二SOI晶圆的动齿、扭转梁、微镜和加强筋的示意图；
图4是本发明的第三SOI晶圆的上静齿、PAD和第二微镜腔的示意图；
图5是本发明的扭转梁结构的示意图；
图6是本发明的SOI晶圆键合前预留间隙结构的示意图；
图7是无静电力补偿时镜面偏转和有静电补偿时镜面偏转的对比示意图；
图8是无静电力补偿时镜面重力位移和有静电补偿时镜面重力位移的对比示意图；
图中；1、第一SOI晶圆；2、第二SOI晶圆；3、第三SOI晶圆；4、下静齿；5、第一微镜腔；6、动齿；7、扭转梁；8、微镜；9、加强筋；10、上静齿；11、PAD；12、第二微镜腔。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。
以下实施例的详细描述和附图用于示例性地说明本公开的原理，但不能用来限制本公开的范围，本公开可以以许多不同的形式实现，不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
本公开提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。
需要说明的是，在本公开的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是大于或等于两个；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
此外，本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“垂直”并不是严格意义上的垂直，而是在误差允许范围之内。“平行”并不是严格意义上的平行，而是在误差允许范围之内。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。
还需要说明的是，在本公开的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。当描述到特定器件位于第一器件和第二器件之间时，在该特定器件与第一器件或第二器件之间可以存在居间器件，也可以不存在居间器件。
本公开使用的所有术语与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
实施例1
结合图1本发明提供了一种二维MEMS微镜，包括：
第一SOI绝缘体上硅晶圆1；
第二SOI晶圆2：第二SOI晶圆2上刻蚀带有多个空槽的环状动齿6和设置在空槽内并与动齿6垂直连接的扭转梁7；
动齿6与扭转梁7连接处设为圆角；
第三SOI晶圆3：第三SOI晶圆3上刻蚀带有多个第二隔离槽的上静齿10；
第二SOI晶圆2和第三SOI晶圆3均刻蚀微间隙；
第一SOI晶圆1、第二SOI晶圆2和所述第三SOI晶圆3键合；
第一SOI晶圆1、第二SOI晶圆2和所述第三SOI晶圆3的硅器件层厚度为60至150μm；采用3片SOI晶圆键合，第三SOI晶圆3刻蚀出的上静齿用于抵消或减轻微镜8自身重力，并使微镜8在静电力作用下能够严格沿扭转轴进行偏转；
在扭转梁7位置处设计为圆角结构，防止应力集中导致扭转梁7的断裂。
第二SOI晶圆2还包括多根加强筋9和微镜8；
多根加强筋9和微镜8分别刻蚀在第二SOI晶圆2两侧；
多根加强筋9设置为圆形和井字形，两种结构的加强筋9相互连接；
微镜8设为圆形；
多根加强筋9贴合微镜8设置于动齿6内；加强筋9主要作用是在微镜8微镜8减薄的同时抑制微镜8的形变。
第一SOI晶圆1包括第一微镜腔5和带有多个第一隔离槽的下静齿4；
下静齿4和第一微镜腔5均刻蚀在第一SOI晶圆1上；
第一微镜腔5呈圆形设置在下静齿4内；
第一微镜腔5与微镜8共用一条中心轴；镜腔与微镜8共用一个中心轴可以使镜片反转时，不会发生碰撞；由于第一SOI晶圆设置微镜腔，第二SOI晶圆2沿扭转梁7发生偏转时，第二SOI晶圆2不会碰撞到第一SOI晶圆1。
第三SOI晶圆3还包括多个PAD11和第二微镜腔12；
多个PAD11和第二微镜腔12均刻蚀在第三SOI晶圆3上；
多个PAD11均匀刻蚀在第三SOI晶圆3边角处；
第二微镜腔12呈圆形镂空状设置于上静齿10内；
第二微镜腔12与第一微镜腔5共用一条中心轴；第一SOI晶圆1和第三SOI晶圆3可施加不同电压到PAD11使得微镜8仅沿X轴或Y轴或任意方向进行偏转，微镜8的偏转方向和角度大小取决于电压施加的位置和大小。例如，在a位置施加电压V1，在b位置施加电压V2，在c位置施加电压V3，在d位置施加电压V4，在e位置施加电压V5，在f位置施加电压V6可使微镜8仅沿X轴偏转，沿其他方向的偏转与上述施加电信号的方式类似；镜腔与微镜8共用一个中心轴可以使镜片反转时，不会发生碰撞。
动齿6包括内动齿和外动齿；
内动齿与外动齿呈垂直梳齿结构。
下静齿4包括内下静齿和外下静齿；
内下静齿与外下静齿呈垂直梳齿结构；
下静齿4与动齿6呈垂直梳齿结构；动齿6在上静齿10、下静齿4静电力共同作用下运动，进而带微镜8沿扭转梁7发生偏转。
上静齿10包括内上静齿和外上镜齿；
内上静齿与外上静齿呈垂直梳齿结构；
上静齿10与动齿6呈垂直梳齿结构；动齿6在上静齿10、下静齿4静电力共同作用下运动，进而带微镜8沿扭转梁7发生偏转。
实施例2
结合图2、图3、图4、图5和图6，每一片SOI晶圆从上往下依次是器件层刻蚀静齿或动齿6或镜面、埋氧层绝缘层和硅衬底层(handlayer)较厚，硅衬底层用于支撑器件层，埋氧层起电绝缘作用，防止施加在器件层上的电信号串扰到其他部位；
该二维微镜8由第一SOI晶圆1、第二SOI晶圆2和第三SOI晶圆3键合而成；
第一SOI晶圆1包括：隔离槽、微镜腔和下静齿4；
第二SOI晶圆22包括：动齿6、扭转梁7、微镜8和加强筋9；
第三SOI晶圆33包括：隔离槽、上静齿、PAD11和微镜腔；
键合时第一SOI晶圆1已经刻蚀了梳齿，如果键合时该梳齿区域与第二SOI晶圆2无间隙则会导致第二SOI晶圆2触碰梳齿，可能会造成梳齿的断裂，有了间隙，第二SOI晶圆2就不会触及第一SOI晶圆1的梳齿；
同理，键合的时候第二SoI晶圆2和第三SOI晶圆3都已经刻蚀了梳齿，如果键合的时候第二SOI晶圆2梳齿区域与第三SOI晶圆3没有间隙的话，第三SOI晶圆3就会触碰梳齿，可能会造成梳齿的断裂，有了间隙，第三SOI晶圆3就不会触及第二SOI晶圆2的梳齿。
下静齿4和动齿6构成垂直梳齿结构，动齿6和上静齿构成垂直梳齿结构，动齿6与扭转梁7连接，动齿6在上、下静齿4静电力共同作用下运动，进而带镜面沿扭转梁7发生偏转。
第一SOI晶圆1和第三SOI晶圆3可施加不同电压使得微镜8仅沿X轴或Y轴或任意方向进行偏转，微镜8的偏转方向和角度大小取决于电压施加的位置和大小。例如，在a位置施加电压V1，在b位置施加电压V2，在c位置施加电压V3，在d位置施加电压V4，在e位置施加电压V5，在f位置施加电压V6可使微镜8仅沿x轴偏转，沿其他方向的偏转与上述施加电信号的方式类似。
第一SOI晶圆1和第二SOI晶圆2的埋氧层厚度以及硅器件层厚度可以根据实际需要进行选择，在一个比较优的实施方式中，第一SOI晶圆1、第二SOI晶圆2和第三SOI晶圆3的埋氧层的厚度为1到3μm，硅器件层厚度为60到150μm，微镜尺寸为1cm。
实施例3
结合图7和图8，本发明还提供了一种上述大尺寸二维MEMS微镜的制造方法，该流程包括如下步骤：
步骤1，将第一SOI晶圆1作为基底晶圆，在基底晶圆上刻蚀形成隔离槽、下静齿4和微镜腔；
步骤2，将第二SOI晶圆2作为中间晶圆，在中间晶圆上加工形成加强筋、动齿6、镜面和扭转梁7；
步骤3，将第三SOI晶圆3作为上层晶圆，在基底晶圆上刻蚀形成隔离槽、上静齿和微镜腔；
下面结合一个优选实施例进行说明。
在本优选实施例中，第一SOI晶圆1为基底晶圆1，首先在基底晶圆1上刻蚀出隔离槽和微镜腔，然后在基底晶圆1上刻蚀出下静齿4。
第二SOI晶圆2为中间晶圆，首先在中间晶圆上出微间隙，然后在镜面对应位置处刻蚀出加强筋9。微间隙深度一般设计为0.5μm至几微米，加强筋9主要作用是在微镜8镜面减薄的同时抑制镜面的形变。
第三SOI晶圆3为上层晶圆，首先在上层晶圆上刻蚀出微间隙，然后上层晶圆3上刻蚀出隔离槽，最后在上层晶圆3上刻蚀出上静齿。
将第一SOI晶圆1和第二SOI晶圆2键合，对第二SOI晶圆22进行减薄至器件层，在第二SOI晶圆22器件层表面刻蚀动齿6、镜面和扭转梁7
将第二SOI晶圆2和第三SOI晶圆3键合，对第三SOI晶圆3进行减薄，首先在第三SOI晶圆3表面刻蚀出PAD11，最后在第三SOI晶圆3表面刻蚀出镜腔。
对上述键合后的MEMS微镜进行表面金属化和释放。
本实施例中提供的一种基于垂直梳齿结构驱动的大尺寸二维MEMS微镜，该结构由扭转梁7、上静齿、下静齿4、动齿6、微镜8和驱动电极组成，具有镜面尺寸大、能够沿扭转轴分析偏转等特点。
实施例4
本发明还提供了一种二维MEMS微镜制备方法，包括：
将第一SOI晶圆1、第二SOI晶圆2和第三SOI晶圆3进行刻蚀并键合，获得二维MEMS微镜；
对MEMS微镜进行表面金属化和释放。
将第一SOI晶圆1、第二SOI晶圆2和第三SOI晶圆3进行刻蚀并键合，获得二维MEMS微镜，包括：
对第一SOI晶圆1进行刻蚀并将第二SOI晶圆2刻蚀出微间隙；
刻蚀后的第一SOI晶圆1与第二SOI晶圆2键合；
键合后对第二SOI晶圆2进行减薄后再次进行刻蚀，并对第三SOI晶圆3刻蚀出微间隙；
刻蚀后的第二SOI晶圆2与第三SOI晶圆3键合；
键合后对第三SOI晶圆3进行减薄并再次刻蚀，得到二维MEMS微镜8。
将第一SOI晶圆1、第二SOI晶圆2和第三SOI晶圆3进行刻蚀，包括：
将第一SOI晶圆1做为基底晶圆并依次刻蚀出隔离槽、第一微镜腔5和下静齿4；
将第二SOI晶圆2做为中间晶圆并依次刻蚀出微间隙、加强筋9、动齿6、扭转梁7和微镜8；
将第三SOI晶圆3做为上层晶圆并依次刻蚀出微间隙、隔离槽、上静齿10、PAD11和第二微镜腔12；在SOI键合之前，在镜面所在SOI和上静齿所在SOI预先刻蚀出间隙，防止上一层SOI片键合时触及下一层SOI表面的梳齿，造成梳齿断裂问题。
以上仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均包含在申请待批的本发明的权利要求范围之内。
Claims (10)
1.一种二维MEMS微镜，其特征在于，包括：
第一SOI晶圆(1)；
第二SOI晶圆(2)：所述第二SOI晶圆(2)上刻蚀带有多个空槽的环状动齿(6)和设置在所述空槽内并与所述动齿(6)垂直连接的扭转梁(7)；
所述动齿(6)与所述扭转梁(7)连接处设为圆角；
第三SOI晶圆(3)：所述第三SOI晶圆(3)上刻蚀带有多个第二隔离槽的上静齿(10)；
所述第二SOI晶圆(2)和所述第三SOI晶圆(3)均刻蚀微间隙；
所述第一SOI晶圆(1)、所述第二SOI晶圆(2)和所述第三SOI晶圆(3)键合；
所述第一SOI晶圆(1)、所述第二SOI晶圆(2)和所述第三SOI晶圆(3)的硅器件层厚度为60至150μm。
2.根据权利要求1所述的微镜，其特征在于，所述第二SOI晶圆(2)还包括多根加强筋(9)和微镜(8)；
多根所述加强筋(9)和所述微镜(8)分别刻蚀在所述第二SOI晶圆(2)两侧；
多根所述加强筋(9)设置为圆形和井字形，所述两种结构的所述加强筋(9)相互连接；
所述微镜(8)设为圆形。
3.根据权利要求2所述的微镜，其特征在于，所述第一SOI晶圆(1)包括第一微镜腔(5)和带有多个第一隔离槽的下静齿(4)；
所述下静齿(4)和所述第一微镜腔(5)均刻蚀在所述第一SOI晶圆(1)上；
所述第一微镜腔(5)呈圆形设置在所述下静齿(4)内；
所述第一微镜腔(5)与所述微镜(8)共用一条中心轴。
4.根据权利要求3所述的微镜，其特征在于，所述第三SOI晶圆(3)还包括多个PAD(11)和第二微镜腔(12)；
多个所述PAD(11)和所述第二微镜腔(12)均刻蚀在所述第三SOI晶圆(3)上；
所述多个PAD(11)均匀刻蚀在所述第三SOI晶圆(3)边角处；
所述第二微镜腔(12)呈圆形镂空状设置于所述上静齿(10)内；
所述第二微镜腔(12)与所述第一微镜腔(5)共用一条中心轴。
5.根据权利要求1所述的微镜，其特征在于，所述动齿(6)包括内动齿和外动齿；
所述内动齿与所述外动齿呈垂直梳齿结构。
6.根据权利要求5所述的微镜，其特征在于，所述下静齿(4)包括内下静齿和外下静齿；
所述内下静齿与所述外下静齿呈垂直梳齿结构；
所述下静齿(4)与所述动齿(6)呈垂直梳齿结构。
7.根据权利要求5所述的微镜，其特征在于，所述上静齿(10)包括内上静齿和外上镜齿；
所述内上静齿与所述外上静齿呈垂直梳齿结构；
所述上静齿(10)与所述动齿(6)呈垂直梳齿结构。
8.一种二维MEMS微镜制备方法，用于制备权利要求1-8中任一项所得二维MEMS微镜，其特征在于，包括：
将第一SOI晶圆(1)、第二SOI晶圆(2)和第三SOI晶圆(3)进行刻蚀并键合，获得二维MEMS微镜；
对所述MEMS微镜进行表面金属化和释放。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述将第一SOI晶圆(1)、第二SOI晶圆(2)和第三SOI晶圆(3)进行刻蚀并键合，获得二维MEMS微镜，包括：
对所述第一SOI晶圆(1)进行刻蚀并将所述第二SOI晶圆(2)刻蚀出微间隙；
刻蚀后的所述第一SOI晶圆(1)与所述第二SOI晶圆(2)键合；
键合后对所述第二SOI晶圆(2)进行减薄后再次进行刻蚀，并对所述第三SOI晶圆(3)刻蚀出微间隙；
刻蚀后的所述第二SOI晶圆(2)与所述第三SOI晶圆(3)键合；
键合后对所述第三SOI晶圆(3)进行减薄并再次刻蚀，得到所述二维MEMS微镜(8)。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述将第一SOI晶圆(1)、第二SOI晶圆(2)和第三SOI晶圆(3)进行刻蚀，包括：
将第一SOI晶圆(1)做为基底晶圆并依次刻蚀出隔离槽、第一微镜腔(5)和下静齿(4)；
将第二SOI晶圆(2)做为中闻晶圆并依次刻蚀出微闻隙、加强筋(9)、动齿(6)、扭转梁(7)和微镜(8)；
将第三SOI晶圆(3)做为上层晶圆并依次刻蚀出微间隙、隔离槽、上静齿(10)、PAD(11)和第二微镜腔(12)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310959811.3A CN117023504A (zh) | 2023-08-01 | 2023-08-01 | 一种二维mems微镜和制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310959811.3A CN117023504A (zh) | 2023-08-01 | 2023-08-01 | 一种二维mems微镜和制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117023504A true CN117023504A (zh) | 2023-11-10 |
Family
ID=88623763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310959811.3A Pending CN117023504A (zh) | 2023-08-01 | 2023-08-01 | 一种二维mems微镜和制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117023504A (zh) |
-
2023
- 2023-08-01 CN CN202310959811.3A patent/CN117023504A/zh active Pending
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