CN117019866A - 一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000005070 sampling Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 26
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 46
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 14
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 14
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 11
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 claims description 11
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims description 6
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 4
- 208000025962 Crush injury Diseases 0.000 claims description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 3
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012255 powdered metal Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B1/00—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations
- B21B1/08—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations for rolling structural sections, i.e. work of special cross-section, e.g. angle steel
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B45/00—Devices for surface or other treatment of work, specially combined with or arranged in, or specially adapted for use in connection with, metal-rolling mills
- B21B45/004—Heating the product
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B45/00—Devices for surface or other treatment of work, specially combined with or arranged in, or specially adapted for use in connection with, metal-rolling mills
- B21B45/02—Devices for surface or other treatment of work, specially combined with or arranged in, or specially adapted for use in connection with, metal-rolling mills for lubricating, cooling, or cleaning
- B21B45/0203—Cooling
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21D—WORKING OR PROCESSING OF SHEET METAL OR METAL TUBES, RODS OR PROFILES WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21D22/00—Shaping without cutting, by stamping, spinning, or deep-drawing
- B21D22/02—Stamping using rigid devices or tools
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21D—WORKING OR PROCESSING OF SHEET METAL OR METAL TUBES, RODS OR PROFILES WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21D37/00—Tools as parts of machines covered by this subclass
- B21D37/10—Die sets; Pillar guides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/06—Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4835—Cleaning, e.g. removing of solder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法，包括以下步骤：S1、处理材料，S2、熔炼材料，S3、热轧加工，S4、冷轧加工，S5、冲压加工，S6、镀银加工，S7、切片加工，S8、抽检产品，S9、分析问题。该具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法，为了提高其生产的良品率，通过在生产出的一百组产品中抽出五组进行全面检验，对半导体引线框架的内部组件进行检测，并将检测到的产品问题进行记录，上传到企业的终端中进行储存，一天的生产结束后对抽检出的产品问题进行分析，通过将多组问题进行综合对比，将出现问题较多的部分查找出来，并对其相对应的生产环节进行调整，对出现的问题进行解决。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体为一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法。
背景技术
集成电路板是微型的电子器件，芯片与引线框架都是集成电路板的关键组件；引线框架作为芯片的载体，可实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，属于电路板形成电气回路的关键结构件，它起到了与外部导线连接的桥梁作用，大部分半导体集成块中都是需要使用引线框架的，引线框架是电子信息产业中重要的基础材料。铜合金材料具有优异的机械强度以及较好的导电性能，加之生产成本相对低廉，因而被广泛应用于半导体引线框架等电子电器件制造业领域。
在对集成电路板进行生产时，需要使用到引线框架，引线框架是芯片的载体，可使芯片内部的电路与外引线进行连接，大部分半导体集成块中都需要使用引线框架，现有的半导体引线框架在制备时难以对产品的质量进行控制，生产出的半导体引线框架中存在较多的残次品，影响半导体引线框架的制备效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法，以解决上述背景技术提出的现有的半导体引线框架难以对生产质量进行控制的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法，包括以下步骤：
S1、准备铜合金制备所需的原材料，并进行预处理；
S2、将处理好的原材料投入熔炼设备中进行熔炼混合；
S3、制备好的铜合金原料在冷却成型后，送入热轧机中进行热轧加工；
S4、热轧加工结束后进行冷轧加工，并进行退火处理；
S5、通过模具对处理好的铜合金进行冲压成型；
S6、对成型后的半导体引线框架进行镀银处理；
S7、将镀银处理后的半导体引线框架进行清洗，并对其进行切片，完成制备；
S8、通过检测仪器对制备好的产品进行检验，并抽取部分产品进行检验，记录抽检结果；
S9、将一天中的抽检结果进行对比分析，并制作成图表，突出主要问题，改进相关的生产环节。
优选的，所述S1中制备铜合金的原材料为镍、硅、锌、锡和铜，按照重量配比为1.5％镍、0.6％硅、0.4％锌、0.15％锡和97.35％铜，所述铜合金的原材料会通过球磨机进行研磨，将镍、硅、锌、锡和铜研磨成粒径为40-80μm的镍粉、硅粉、锌粉、锡粉和铜粉，研磨结束后进行分装。
优选的，所述将S1中处理好的粉末投入高频炉中进行熔炼，熔炼分为两次进行，一次熔炼温度设置为1200℃，加入锌粉、锡粉和铜粉进行熔炼，熔化后进行搅拌混合，二次加热加入镍粉与硅粉，加热温度设置为1350℃，熔炼完毕后浇注到模具中进行冷却。
优选的，所述将S2中冷却的铜合金金属块从模具中取出，加热到900℃-1000℃后送入热轧机中进行热轧加工，将铜合金金属块的厚度加工至7-9mm，冷却后经铣面去除铜合金金属块表面的氧化皮。
优选的，所述S3的冷轧加工中将压下率设置为50％-60％，并降低温度至600℃，进行退火处理，处理时间为1.5min，再将冷轧机的压下率调整为40％-50％，并降低温度至550℃，退火时间设置为1.5min，最后将冷轧机的压下率调整为30％-40％，并降低温度至400℃，退火时间设置为2min。
优选的，所述S5中在冲压机机上安装相应的半导体引线框架模具，对S4中加工完毕的铜合金进行成型处理，得到半导体引线框架半成品。
优选的，所述S6中将S4中成型处理的半导体引线框架半成品送入镀银浴中进行镀银加工，镀银加工时，搅拌轴的转速设置为180r/min，加工温度设置为25-30℃，搅拌时间设置为2h。
优选的，所述S6中镀银完成的半导体引线框架半成品通过切片机进行切片，加工成半导体引线框架设计的尺寸。
优选的，所述S8中，检测仪器为半导体引线框架视觉检测机，检测半导体引线框架共面性、强度、弯曲视觉检测错冲、漏冲、脏污、氧化、刺、压伤、漏镀、镀偏等缺陷。
优选的，所述S8中抽检比例为每100个半导体引线框架中检测5个。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：在对集成电路板进行生产时，需要使用到引线框架，引线框架是芯片的载体，可使芯片内部的电路与外引线进行连接，大部分半导体集成块中都需要使用引线框架，在制备半导体引线框架时，首先熔炼出铜合金，并通过热轧机中与冷轧加工，对其外形和强度进行加工，然后通过冲压机与模具进行成型加工，随后进行镀银加工，结束后进行切片，完成对半导体引线框架的制备，在对半导体引线框架进行制备时，为了提高其生产的良品率，通过在生产出的一百组产品中抽出五组进行全面检验，全面检验时将不局限于产品的外观方面，需要对半导体引线框架的内部组件进行检测，并将检测到的产品问题进行记录，上传到企业的终端中进行储存，一天的生产结束后对抽检出的产品问题进行分析，通过将多组问题进行综合对比，将出现问题较多的部分查找出来，并对其相对应的生产环节进行调整，对出现的问题进行解决，通过对每天检测仪器与抽检的结果进行综合对比分析，可及时发生相关生产环节出现的问题，并及时进行解决，提高半导体引线框架制备的良品率，如此通过上述操作可完成对半导体引线框架的制备，并对半导体引线框架制备过程中出现的问题及时进行解决，提高半导体引线框架制备的质量与效率。
附图说明
图1为本发明制备方法流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法，包括以下步骤：
S1、准备铜合金制备所需的镍、硅、锌、锡和铜，并将其研磨成粉末，然后进行过筛，完成对铜合金原材料的预处理；
S2、将处理好的镍、硅、锌、锡和铜的金属粉末投入高频炉中进行熔炼混合，混合时将原料分为两组，首先熔炼锌、锡和铜，然后再将镍和硅加入高频炉中进行熔炼；
S3、将熔炼混合好的铜合金金属液导入模具中进行冷却，在冷却成型后，送入热轧机中进行热轧加工，方便后续的冷轧加工；
S4、热轧加工结束后将铜合金送入冷轧机中进行加工，并进行退火处理，提高铜合金的强度和导电率，并对将其厚度加工到与半导体引线框架相匹配的尺寸；
S5、冷轧结束后的铜合金会被送入冲压机中，通过精密模具对铜合金进行成型加工；
S6、对成型后的半导体引线框架进行镀银处理，提升半导体引线框架的导电性与散热性，得到半导体引线框架的半成品；
S7、将镀银处理后的铜合金进行清洗，并根据半导体引线框架的尺寸对其进行切片，完成制备；
S8、通过检测仪器对制备好的产品进行检验，并抽取部分产品进行检验，记录抽检结果；
S9、将一天中的抽检结果进行对比分析，并制作成图表，突出主要问题，改进相关的生产环节。
S1中制备铜合金的原材料为镍、硅、锌、锡和铜，按照重量配比为1.5％镍、0.6％硅、0.4％锌、0.15％锡和97.35％铜，铜合金的原材料会通过球磨机进行研磨，将镍、硅、锌、锡和铜研磨成粒径为40-80μm的镍粉、硅粉、锌粉、锡粉和铜粉，研磨结束后进行分装；将S1中处理好的粉末投入高频炉中进行熔炼，熔炼分为两次进行，一次熔炼温度设置为1200℃，加入锌粉、锡粉和铜粉进行熔炼，熔化后进行搅拌混合，二次加热加入镍粉与硅粉，加热温度设置为1350℃，熔炼完毕后浇注到模具中进行冷却；将S2中冷却的铜合金金属块从模具中取出，加热到900℃-1000℃后送入热轧机中进行热轧加工，将铜合金金属块的厚度加工至7-9mm，冷却后经铣面去除铜合金金属块表面的氧化皮；S3的冷轧加工中将压下率设置为50％-60％，并降低温度至600℃，进行退火处理，处理时间为1.5min，再将冷轧机的压下率调整为40％-50％，并降低温度至550℃，退火时间设置为1.5min，最后将冷轧机的压下率调整为30％-40％，并降低温度至400℃，退火时间设置为2min；S5中在冲压机机上安装相应的半导体引线框架模具，对S4中加工完毕的铜合金进行成型处理，得到半导体引线框架半成品；S6中将S4中成型处理的半导体引线框架半成品送入镀银浴中进行镀银加工，镀银加工时，搅拌轴的转速设置为180r/min，加工温度设置为25-30℃，搅拌时间设置为2h；S6中镀银完成的半导体引线框架半成品通过切片机进行切片，加工成半导体引线框架设计的尺寸；S8中，检测仪器为半导体引线框架视觉检测机，检测半导体引线框架共面性、强度、弯曲视觉检测错冲、漏冲、脏污、氧化、刺、压伤、漏镀、镀偏等缺陷；S8中抽检比例为每100个半导体引线框架中检测5个。
综上所述，在对集成电路板进行生产时，需要使用到引线框架，引线框架是芯片的载体，可使芯片内部的电路与外引线进行连接，大部分半导体集成块中都需要使用引线框架，在制备半导体引线框架时，通过将镍、硅、锌、锡和铜投入球磨机中进行研磨，并使用过筛进行筛选，研磨完毕的金属粉末将被投入高频炉中进行熔炼，粉末状的金属可更快进行熔化，同时也更加容易与其余的金属进行混合，熔炼完毕的金属可被混合为铜合金，在模具中的冷却后会形成金属块，将铜合金送入热轧机中进行进行矫直，然后送入冷轧机中进行冷轧加工，冷轧加工将会提升铜合金的硬度和导电率，并使其外形发生变化，逐渐趋近于半导体引线框架的厚度，经过多次的冷轧加工后，可完成铜合金的强度加工，此时可将其放置到冲压机上，通过精密模具对铜合金进行成型加工，加工完毕后送入镀银浴中进行镀银加工，提升半导体引线框架的导电性与散热性，电镀后铜合金将被进行切片，制作成半导体引线框架的设计尺寸，完成对半导体引线框架的制备，在对半导体引线框架进行制备时，为了提高其生产的良品率，通过在生产出的一百组产品中抽出五组进行全面检验，全面检验时将不局限于产品的外观方面，需要对半导体引线框架的内部组件进行检测，并将检测到的产品问题进行记录，上传到企业的终端中进行储存，一天的生产结束后对抽检出的产品问题进行分析，通过将多组问题进行综合对比，将出现问题较多的部分查找出来，并对其相对应的生产环节进行调整，对出现的问题进行解决，对问题较少的部分进行记录，若是一直出现相同的问题则对其进行处理，若是出现频率较低，可被认为是意外情况所导致的，并非生产环节出现问题，通过对每天检测仪器与抽检的结果进行综合对比分析，可及时发生相关生产环节出现的问题，并及时进行解决，提高半导体引线框架制备的良品率，如此通过上述操作可完成对半导体引线框架的制备，并对半导体引线框架制备过程中出现的问题及时进行解决，提高半导体引线框架制备的质量与效率，本说明中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。
尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、准备铜合金制备所需的原材料，并进行预处理；
S2、将处理好的原材料投入熔炼设备中进行熔炼混合；
S3、制备好的铜合金原料在冷却成型后，送入热轧机中进行热轧加工；
S4、热轧加工结束后进行冷轧加工，并进行退火处理；
S5、通过模具对处理好的铜合金进行冲压成型；
S6、对成型后的半导体引线框架进行镀银处理；
S7、将镀银处理后的半导体引线框架进行清洗，并对其进行切片，完成制备；
S8、通过检测仪器对制备好的产品进行检验，并抽取部分产品进行检验，记录抽检结果；
S9、将一天中的抽检结果进行对比分析，并制作成图表，突出主要问题，改进相关的生产环节。
2.根据权利要求1所述的一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法，其特征在于：所述S1中制备铜合金的原材料为镍、硅、锌、锡和铜，按照重量配比为1.5％镍、0.6％硅、0.4％锌、0.15％锡和97.35％铜，所述铜合金的原材料会通过球磨机进行研磨，将镍、硅、锌、锡和铜研磨成粒径为40-80μm的镍粉、硅粉、锌粉、锡粉和铜粉，研磨结束后进行分装。
3.根据权利要求1所述的一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法，其特征在于：所述将S1中处理好的粉末投入高频炉中进行熔炼，熔炼分为两次进行，一次熔炼温度设置为1200℃，加入锌粉、锡粉和铜粉进行熔炼，熔化后进行搅拌混合，二次加热加入镍粉与硅粉，加热温度设置为1350℃，熔炼完毕后浇注到模具中进行冷却。
4.根据权利要求1所述的一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法，其特征在于：所述将S2中冷却的铜合金金属块从模具中取出，加热到900℃-1000℃后送入热轧机中进行热轧加工，将铜合金金属块的厚度加工至7-9mm，冷却后经铣面去除铜合金金属块表面的氧化皮。
5.根据权利要求1所述的一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法，其特征在于：所述S3的冷轧加工中将压下率设置为50％-60％，并降低温度至600℃，进行退火处理，处理时间为1.5min，再将冷轧机的压下率调整为40％-50％，并降低温度至550℃，退火时间设置为1.5min，最后将冷轧机的压下率调整为30％-40％，并降低温度至400℃，退火时间设置为2min。
6.根据权利要求1所述的一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法，其特征在于：所述S5中在冲压机机上安装相应的半导体引线框架模具，对S4中加工完毕的铜合金进行成型处理，得到半导体引线框架半成品。
7.根据权利要求1所述的一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法，其特征在于：所述S6中将S4中成型处理的半导体引线框架半成品送入镀银浴中进行镀银加工，镀银加工时，搅拌轴的转速设置为180r/min，加工温度设置为25-30℃，搅拌时间设置为2h。
8.根据权利要求1所述的一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法，其特征在于：所述S6中镀银完成的半导体引线框架半成品通过切片机进行切片，加工成半导体引线框架设计的尺寸。
9.根据权利要求1所述的一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法，其特征在于：所述S8中，检测仪器为半导体引线框架视觉检测机，检测半导体引线框架共面性、强度、弯曲视觉检测错冲、漏冲、脏污、氧化、刺、压伤、漏镀、镀偏等缺陷。
10.根据权利要求1所述的一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法，其特征在于：所述S8中抽检比例为每100个半导体引线框架中检测5个。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310960190.0A CN117019866A (zh) | 2023-08-01 | 2023-08-01 | 一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202310960190.0A CN117019866A (zh) | 2023-08-01 | 2023-08-01 | 一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117019866A true CN117019866A (zh) | 2023-11-10 |
Family
ID=88623775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310960190.0A Pending CN117019866A (zh) | 2023-08-01 | 2023-08-01 | 一种具有抽检对比功能的半导体引线框架的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117019866A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117892093A (zh) * | 2024-03-13 | 2024-04-16 | 富迪科技(南京)有限公司 | 一种监测参数数据交互处理方法、处理系统及处理设备 |
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2023
- 2023-08-01 CN CN202310960190.0A patent/CN117019866A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN117892093A (zh) * | 2024-03-13 | 2024-04-16 | 富迪科技(南京)有限公司 | 一种监测参数数据交互处理方法、处理系统及处理设备 |
| CN117892093B (zh) * | 2024-03-13 | 2024-05-24 | 富迪科技(南京)有限公司 | 一种监测参数数据交互处理方法、处理系统及处理设备 |
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