CN117013968A - 功率放大电路及射频功放模组 - Google Patents

功率放大电路及射频功放模组 Download PDF

Info

Publication number
CN117013968A
CN117013968A CN202311229679.7A CN202311229679A CN117013968A CN 117013968 A CN117013968 A CN 117013968A CN 202311229679 A CN202311229679 A CN 202311229679A CN 117013968 A CN117013968 A CN 117013968A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resistor
triode
power
electrode
field effect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202311229679.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN117013968B (zh
Inventor
邵一祥
毛斌科
郭嘉帅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Volans Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Volans Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Volans Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen Volans Technology Co Ltd
Priority to CN202311229679.7A priority Critical patent/CN117013968B/zh
Publication of CN117013968A publication Critical patent/CN117013968A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN117013968B publication Critical patent/CN117013968B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018557Coupling arrangements; Impedance matching circuits
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明属于射频技术领域,其公开了一种功率放大电路及射频功放模组,其中,所述功率放大电路包括信号输入端、第一级功率放大器、耦合器、级间匹配电路、末级功率放大器、输出匹配电路以及信号输出端,所述末级功率放大器包括第一场效应管;所述功率放大电路还包括功率检测模块、多个电容并联组成的电容组件、第一三极管、第一电阻、一个或多个三极管串联组成的三极管组件、第二电阻、第一电容、第三电阻、第一电感、第二电容以及变容二极管。本发明的功率放大电路不仅可以优化放大器的幅度调制‑相位调制性能,且技术实现简单,成本较低。

Description

功率放大电路及射频功放模组
技术领域
本发明涉及射频技术领域,尤其涉及一种功率放大电路及射频功放模组。
背景技术
时分通信系统(TDD)的射频前端模组100主要包括用于放大射频芯片输出(TX)的射频信号的功率放大组件101、用于接收(RX)信号通路的接收电路组件102、用于切换发射和接收通路的射频开关组件103以及用于控制其它组件工作状态的逻辑控制组件(图未示)。其中,接收电路组件通常包括一个低噪声放大器(LNA),以上各组件装配于基板上,通过打线的方式连接在一起,并封装以完成整个模组,如图1至图3所示。
在无记忆效应功率放大器中,放大器的幅度调制-幅度调制失真(AM-AM)和幅度调制-相位调制失真(AM-PM)对时分通信系统的ACLR性能影响极大。其中,幅度调制-相位调制失真的一大来源是晶体管等效电容的非线性变化,即随着放大器输入功率的增加,晶体管等效电容的变化会使输出信号和输入信号的相位差发生变化,从而导致ACLR性能恶化,具体为末级放大器晶体管的栅极和源极电容(Cgs)在不同工作区间的非线性变化是形成幅度调制-相位调制失真的主要原因,如当末级放大器由截止区转向饱和区时,随着输入功率的增加,晶体管的栅极和源极电容也会随之变大。
相关技术中,降低功率放大器的幅度调制-相位调制失真影响的方法有很多种,如数字预失真(DPD),虽然这种方式能降低功率放大器的幅度调制-相位调制失真,但其技术实现复杂,且成本较高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种功率放大电路及射频功放模组,以解决相关技术中降低功率放大器的幅度调制-相位调制失真影响的方法,不仅技术实现复杂,且成本较高的问题。
为了解决上述技术问题,第一方面,本发明提供了一种功率放大电路,其包括信号输入端、第一级功率放大器、耦合器、级间匹配电路、末级功率放大器、输出匹配电路以及信号输出端;所述末级功率放大器包括第一场效应管;所述第一级功率放大器的输入端连接至所述信号输入端,所述耦合器的输入端连接至所述第一级功率功率放大器的输出端,所述级间匹配电路的输入端连接至所述耦合器的第一输出端,所述第一场效应管的栅极分别连接至所述级间匹配电路的输出端以及电源电压,所述第一场效应管的源极接地,所述第一场效应管的漏极连接至所述电源电压,所述输出匹配电路的输入端连接至所述第一场效应管的漏极,所述输出匹配电路的输出端连接至所述信号输出端;
所述功率放大电路还包括功率检测模块、多个电容并联组成的电容组件、第一三极管、第一电阻、三极管组件、第二电阻、第一电容、第三电阻、第一电感、第二电容以及变容二极管;其中,所述三极管组件为一个三极管,或为多个三极管串联组成;
所述功率检测模块的输入端连接至所述耦合器的第二输出端;
所述电容组件的第一端均连接至所述功率检测模块的输出端,所述电容组件的第二端均接地,用于滤除直流信号中的射频干扰信号以及平滑所述直流信号;
所述第一三极管的基极连接至所述功率检测模块的输出端;
所述第一电阻的第一端连接至所述第一三极管的集电极,所述第一电阻的第二端连接至所述电源电压;
所述三极管组件的第一端连接至所述第一三极管的发射极;
所述第二电阻的第一端连接至所述三极管组件的第二端;
所述第一电容的第一端连接至所述第二电阻的第二端,所述第一电容的第二端接地;
所述第三电阻的第一端连接至所述第二电阻的第二端;
所述第一电感的第一端连接至所述第三电阻的第二端;
所述第二电容的第一端连接至所述第一电感的第二端,所述第二电容的第二端连接至所述第一场效应管的栅极;
所述变容二极管的负极连接至所述第一电感的第二端,所述变容二极管的正极接地。
优选的,所述功率放大电路还包括连接于所述第一三极管的基极和所述功率检测模块的输出端之间的多级直流放大电路,所述直流放大电路的级数为偶数,所述直流放大电路用于使所述直流信号的输入特性和输出特性正向。
优选的,所述直流放大电路包括第一级直流放大电路和第二级直流放大电路,所述第一级直流放大电路和所述第二级直流放大电路用于调整所述直流信号的相位;
所述第一级直流放大电路包括第四电阻、第五电阻、第二三极管、第六电阻以及第七电阻;所述第二级直流放大电路包括第八电阻、第三三极管、第九电阻以及第十电阻;
所述第四电阻的第一端连接至所述功率检测模块的输出端,所述第四电阻的第二端连接至所述电源电压;
所述第五电阻的第一端连接至所述功率检测模块的输出端,所述第五电阻的第二端接地;
所述第二三极管的基极连接至所述功率检测模块的输出端;
所述第六电阻的第一端连接至所述第二三极管的集电极,所述第六电阻的第二端连接至所述电源电压;
所述第七电阻的第一端连接至所述第二三极管的发射极,所述第七电阻的第二端接地;
所述第八电阻的第一端连接至所述第二三极管的集电极;
所述第三三极管的基极连接至所述第八电阻的第二端;
所述第九电阻的第一端连接至所述第三三极管的集电极,所述第九电阻的第二端连接至所述电源电压;
所述第十电阻的第一端连接至所述第三三极管的发射极,所述第十电阻的第二端接地;
所述第一三极管的基极连接至所述第三三极管的集电极。
优选的,所述电容组件包括相互并联的第三电容和第四电容。
优选的,所述三极管组件包括依次串联的第四三极管和第五三极管;
所述第四三极管的基极和所述第四三极管的集电极作为所述三极管组件的第一端;
所述第五三极管的基极和所述第五三极管的集电极分别连接至所述第四三极管的发射极,所述第五三极管的发射极作为所述三极管组件的第二端。
优选的,所述功率放大电路还包括连接至所述第二电阻的第二端的可调电阻模块;所述可调电阻模块用于调整所述第二电阻输出的电压;所述可调电阻模块包括第二场效应管、第十一电阻、第十二电阻以及第十三电阻;
所述第二场效应管的漏极连接至所述第二电阻的第二端,所述第二场效应管的源极接地;
所述第十一电阻的第一端连接至所述第二场效应管的栅极,所述第十一电阻的第二端连接至所述电源电压;
所述第十二电阻的第一端连接至所述第二场效应管的栅极,所述第十二电阻的第二端接地;
所述第十三电阻的第一端连接至外部器件的管脚,所述外部器件的管脚连接至所述第二场效应管的栅极,所述第十三电阻的第二端接地。
优选的,所述功率放放大模组还包括电流源;所述电流源的两端分别连接至所述第一场效应管的栅极和所述电源电压。
优选的,所述功率放放大模组还包括第二电感;所述第二电感的两端分别连接至所述第一场效应管的漏极和所述电源电压。
优选的,所述功率放放大模组还包括耦合信号放大器;所述耦合信号放大器的输入端连接至所述耦合器的第二输出端;所述功率检测模块的输入端连接至所述耦合信号放大器的输出端。
第二方面,本发明提供了一种射频功放模组,其包括如上所述的功率放大电路。
与相关技术相比,本发明中的功率放大电路仅通过在耦合器、变容二极管以及末级功率放大器的第一场效应管之间增设耦合信号放大器、功率检测模块、多个电容并联组成的电容组件、第一三极管、第一电阻、多个三极管串联组成的三极管组件、第二电阻、第一电容、第三电阻、第一电感、第二电容以及变容二极管,这样便可以当其输入功率增加时,使直流信号的电压提高,从而使得变容二极管的电容量减小,以补偿第一场效应管的栅极和源极之间的电容的增加,使得第一场效应管的栅极和源极的总电容平衡,进而优化放大器的幅度调制-相位调制性能,且技术实现简单,成本较低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
图1为相关技术提供的一种射频前端功放模组的电路结构图;
图2为相关技术提供的一种射频前端功放模组的平面结构图;
图3为相关技术提供的一种射频前端功放模组的截面图;
图4为本实施例提供的一种运用于射频功放模组中的功率放大电路的电路结构图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一
本发明实施例提供了一种功率放大电路200,结合图4所示,其包括信号输入端(图未示)、第一级功率放大器201、耦合器202、级间匹配电路203、末级功率放大器204、输出匹配电路205以及信号输出端(图未示),末级功率放大器204包括第一场效应管Q1;第一级功率放大器201的输入端连接至信号输入端,耦合器202的输入端连接至第一级功率功率放大器的输出端,级间匹配电路203的输入端连接至耦合器202的第一输出端,第一场效应管Q1的栅极分别连接至级间匹配电路203的输出端以及电源电压VCC,第一场效应管Q1的源极接地,第一场效应管Q1的漏极连接至电源电压VCC,输出匹配电路205的输入端连接至第一场效应管Q1的漏极,输出匹配电路205的输出端连接至信号输出端。
具体地,功率放大电路200还包括功率检测模块206、多个电容并联组成的电容组件207、第一三极管Q2、第一电阻R1、一个或多个三极管串联组成的三极管组件208、第二电阻R2、第一电容C1、第三电阻R3、第一电感L1、第二电容C2以及变容二极管VC1。其中,所述三极管组件208为一个三极管,或为多个三极管串联组成。
其中,功率检测模块206的输入端连接至耦合器202的第二输出端,用于将耦合器202输出的射频信号转换为直流信号。即输入的射频信号越大,其输出的直流电压幅度则越大。
电容组件207中的每个电容的第一端均连接至功率检测模块206的输出端,电容组件207中的每个电容的第二端分别接地,用于滤除直流信号中的射频干扰信号以及平滑直流信号。若被放大的射频信号有较强的峰均比,那直流信号则会带有较大的起伏波动,会影响功率检测的准确性,因此需要通过该电容组件207组成的滤波电路来滤除,以使直流信号变得平滑,根据实际情况,可用大小电容值不同的多个电容组成,每个电容的电容值通常在数十PF至数百NF之间。
第一三极管Q2的基极连接至功率检测模块206的输出端,用于对直流信号进行电流放大。
第一电阻R1的第一端连接至第一三极管Q2的集电极,第一电阻R1的第二端连接至电源电压VCC,用于为第一三极管Q2的集电极提供电流。
三极管组件208的第一端连接至第一三极管Q2的发射极,用于调整开启电压。
第二电阻R2的第一端连接至三极管组件208的第二端。
第一电容C1的第一端连接至第二电阻R2的第二端,第一电容C1的第二端接地,用于滤除高频信号。
第三电阻R3的第一端连接至第二电阻R2的第二端,用于调整变容二极管VC1的直流电流。
第一电感L1的第一端连接至第三电阻R3的第二端,用于对第三电阻R3与变容二极管VC1之间进行高频隔离,还用于滤除高频信号。
第二电容C2的第一端连接至第一电感L1的第二端,第二电容C2的第二端连接至第一场效应管Q1的栅极。
变容二极管VC1的负极连接至第一电感L1的第二端,变容二极管VC1的正极接地。
本实施例中,功率放放大模组还包括耦合信号放大器212;耦合信号放大器212的输入端连接至耦合器202的第二输出端,用于放大耦合器202输出的射频信号;功率检测模块206的输入端连接至耦合信号放大器212的输出端。即当耦合器202的输出信号足够大时,可以根据实际情况取消耦合信号放大器212的直连。
本实施例中,耦合信号放大器212、功率检测模块206、多个电容并联组成的电容组件207、第一三极管Q2、第一电阻R1、多个三极管串联组成的三极管组件208、第二电阻R2、可调电阻模块210、第一电容C1、第三电阻R3、第一电感L1、第二电容C2以及变容二极管VC1共同组成相位补偿电路;耦合器202的耦合管脚输出信号至该相位补偿网络。
具体地,功率放大电路200还包括连接于第一三极管Q2的基极和功率检测模块206的输出端之间的多级直流放大电路209,直流放大电路209的级数为偶数,直流放大电路209用于使直流信号的输入特性和输出特性正向。直流放大电路209的级数根据上级器件的输出电压的大小决定,若上级器件的输出电压足够大,则可以不需要增设直流放大电路209。直流放大电路209配合第一三极管Q2还可以起到保持直流信号的相位的作用。
本实施例中,直流放大电路209包括第一级直流放大电路209和第二级直流放大电路209,第一级直流放大电路209和第二级直流放大电路209用于调整直流信号的相位。
第一级直流放大电路209包括第四电阻R4、第五电阻R5、第二三极管Q3、第六电阻R6以及第七电阻R7;第二级直流放大电路209包括第八电阻R8、第三三极管Q4、第九电阻R9以及第十电阻R10。
第四电阻R4的第一端连接至功率检测模块206的输出端,第四电阻R4的第二端连接至电源电压VCC。
第五电阻R5的第一端连接至功率检测模块206的输出端,第五电阻R5的第二端接地。
第二三极管Q3的基极连接至功率检测模块206的输出端。
第六电阻R6的第一端连接至第二三极管Q3的集电极,第六电阻R6的第二端连接至电源电压VCC。
第七电阻R7的第一端连接至第二三极管Q3的发射极,第七电阻R7的第二端接地。
第八电阻R8的第一端连接至第二三极管Q3的集电极,用于调整直流信号的输出电压。
第三三极管Q4的基极连接至第八电阻R8的第二端。
第九电阻R9的第一端连接至第三三极管Q4的集电极,第九电阻R9的第二端连接至电源电压VCC。
第十电阻R10的第一端连接至第三三极管Q4的发射极,第十电阻R10的第二端接地。
第一三极管Q2的基极连接至第三三极管Q4的集电极。
具体地,电容组件207包括相互并联的第三电容C3和第四电容C4。其中,其中,第三电容C3的第一端和第四电容C4的第一端均连接至功率检测模块206的输出端,第三电容C3的第二端和第四电容C4的第二端分别接地。
具体地,三极管组件208包括依次串联的第四三极管Q5和第五三极管Q6。
其中,第四三极管Q5的基极和第四三极管Q5的集电极作为三极管组件208的第一端。
第五三极管Q6的基极和第五三极管Q6的集电极分别连接至第四三极管Q5的发射极,第五三极管Q6的发射极作为三极管组件208的第二端。
当然,根据实际情况,三极管组件208还可以使用一个或更多个组成;本实施例采用两个串联组成,每个三极管的基极和发射极的导通电压差为V12
如c点电压为Vc,则d点电压为Vd=Vc-V12Q2-V12Q5-V12Q6;且只有在Vc>V12Q2+V12Q5+V12Q6,Vd才有电压输出。
本实施例中,第四三极管Q5和第五三极管Q6用于设定控制阈值,只有在输入功率电压Vc>V12Q2+V12Q5+V12Q6,控制才生效,否则第一三极管Q2、第四三极管Q5以及第五三极管Q6处于截止状态,控制不生效。
具体地,功率放大电路200还包括连接至第二电阻R2的第二端的可调电阻模块210;可调电阻模块210用于调整第二电阻R2输出的电压。
其中,可调电阻模块210包括第二场效应管Q7、第十一电阻R11、第十二电阻R12以及第十三电阻R13。
第二场效应管Q7的漏极连接至第二电阻R2的第二端,第二场效应管Q7的源极接地。
第十一电阻R11的第一端连接至第二场效应管Q7的栅极,第十一电阻R11的第二端连接至电源电压VCC。
第十二电阻R12的第一端连接至第二场效应管Q7的栅极,第十二电阻R12的第二端接地。
第十三电阻R13的第一端连接至外部器件的管脚P1,外部器件的管脚P1连接至第二场效应管Q7的栅极,第十三电阻R13的第二端接地。
本实施例中,可调电阻模块210用于调整a点电压Va,由于内部b点引出;第十三电阻R13连接至器件外部,其具体阻值在系统板设计时确定;第十一电阻R11、第十二电阻R12以及第十三电阻R13共同决定第二场效应管Q7的栅极电压,即为b点的电压Vb。
Vb决定第二场效应管Q7的漏极和源极之间的电阻Rds,本实施例选用N沟道FET,则Vb升高,Rds减小。
Va经过第三电阻R3和第一电感L1输出至变容二极管VC1的负极;第一电感L1需要靠近变容二极管VC1的负极摆放。
本实施例通过设置外部器件的管脚P1,用来引出b点电路,这样在应用时,通过在外部器件的管脚P1接入不同阻值的第十三电阻R13,从而可以满足不同的控制要求,以优化输出性能。
具体地,功率放放大模组还包括电流源211;电流源211的两端分别连接至第一场效应管Q1的栅极和电源电压VCC。
具体地,功率放放大模组还包括第二电感L2;第二电感L2的两端分别连接至第一场效应管Q1的漏极和电源电压VCC。
其中,电源流以及第二电感L2均用于提供直流偏置。
具体地,功率放大电路200的射频信号由信号输入端输入至第一级功率放大器201,经过第一级功率放大器201放大后输出至耦合器202,主信号经过级间匹配输出至第一场效应晶体管,再次经过放大后输出匹配至50欧,最后经过信号输出端向外输出。
本实施例中的功率放大电路200仅通过在耦合器202、变容二极管VC1以及末级功率放大器204的第一场效应管Q1之间增设耦合信号放大器212、功率检测模块206、多个电容并联组成的电容组件207、第一三极管Q2、第一电阻R1、多个三极管串联组成的三极管组件208、第二电阻R2、第一电容C1、第三电阻R3、第一电感L1、第二电容C2以及变容二极管VC1,这样便可以当其输入功率增加时,使直流信号的电压提高,使Va提高,使e点的电压Ve提高,从而使得变容二极管VC1的电容量减小,以补偿第一场效应管Q1的栅极和源极之间的电容的增加,使得第一场效应管Q1的栅极和源极的总电容平衡,进而优化放大器的幅度调制-相位调制性能,且技术实现简单,成本较低,同时还能减少辐射、降低能耗,并延长产品的使用寿命。
实施例二
本实施例提供了一种射频功放模组,其包括实施例一中的功率放大电路200。由于本实施例中的射频功放模组包含了实施例一中的功率放大电路200,因此其也能达到实施例一中功率放大电路200所达到的技术效果,在此不作赘述。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种功率放大电路,所述功率放大电路包括信号输入端、第一级功率放大器、耦合器、级间匹配电路、末级功率放大器、输出匹配电路以及信号输出端;所述末级功率放大器包括第一场效应管;所述第一级功率放大器的输入端连接至所述信号输入端,所述耦合器的输入端连接至所述第一级功率功率放大器的输出端,所述级间匹配电路的输入端连接至所述耦合器的第一输出端,所述第一场效应管的栅极分别连接至所述级间匹配电路的输出端以及电源电压,所述第一场效应管的源极接地,所述第一场效应管的漏极连接至所述电源电压,所述输出匹配电路的输入端连接至所述第一场效应管的漏极,所述输出匹配电路的输出端连接至所述信号输出端;其特征在于,
所述功率放大电路还包括功率检测模块、多个电容并联组成的电容组件、第一三极管、第一电阻、三极管组件、第二电阻、第一电容、第三电阻、第一电感、第二电容以及变容二极管;其中,所述三极管组件为一个三极管,或为多个三极管串联组成;
所述功率检测模块的输入端连接至所述耦合器的第二输出端;
所述电容组件的第一端均连接至所述功率检测模块的输出端,所述电容组件的第二端均接地,用于滤除直流信号中的射频干扰信号以及平滑所述直流信号;
所述第一三极管的基极连接至所述功率检测模块的输出端;
所述第一电阻的第一端连接至所述第一三极管的集电极,所述第一电阻的第二端连接至所述电源电压;
所述三极管组件的第一端连接至所述第一三极管的发射极;
所述第二电阻的第一端连接至所述三极管组件的第二端;
所述第一电容的第一端连接至所述第二电阻的第二端,所述第一电容的第二端接地;
所述第三电阻的第一端连接至所述第二电阻的第二端;
所述第一电感的第一端连接至所述第三电阻的第二端;
所述第二电容的第一端连接至所述第一电感的第二端,所述第二电容的第二端连接至所述第一场效应管的栅极;
所述变容二极管的负极连接至所述第一电感的第二端,所述变容二极管的正极接地。
2.如权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,所述功率放大电路还包括连接于所述第一三极管的基极和所述功率检测模块的输出端之间的多级直流放大电路,所述直流放大电路的级数为偶数,所述直流放大电路用于使所述直流信号的输入特性和输出特性正向。
3.如权利要求2所述的功率放大电路,其特征在于,所述直流放大电路包括第一级直流放大电路和第二级直流放大电路,所述第一级直流放大电路和所述第二级直流放大电路用于调整所述直流信号的相位;
所述第一级直流放大电路包括第四电阻、第五电阻、第二三极管、第六电阻以及第七电阻;所述第二级直流放大电路包括第八电阻、第三三极管、第九电阻以及第十电阻;
所述第四电阻的第一端连接至所述功率检测模块的输出端,所述第四电阻的第二端连接至所述电源电压;
所述第五电阻的第一端连接至所述功率检测模块的输出端,所述第五电阻的第二端接地;
所述第二三极管的基极连接至所述功率检测模块的输出端;
所述第六电阻的第一端连接至所述第二三极管的集电极,所述第六电阻的第二端连接至所述电源电压;
所述第七电阻的第一端连接至所述第二三极管的发射极,所述第七电阻的第二端接地;
所述第八电阻的第一端连接至所述第二三极管的集电极;
所述第三三极管的基极连接至所述第八电阻的第二端;
所述第九电阻的第一端连接至所述第三三极管的集电极,所述第九电阻的第二端连接至所述电源电压;
所述第十电阻的第一端连接至所述第三三极管的发射极,所述第十电阻的第二端接地;
所述第一三极管的基极连接至所述第三三极管的集电极。
4.如权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,所述电容组件包括相互并联的第三电容和第四电容。
5.如权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,所述三极管组件包括依次串联的第四三极管和第五三极管;
所述第四三极管的基极和所述第四三极管的集电极作为所述三极管组件的第一端;
所述第五三极管的基极和所述第五三极管的集电极分别连接至所述第四三极管的发射极,所述第五三极管的发射极作为所述三极管组件的第二端。
6.如权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,所述功率放大电路还包括连接至所述第二电阻的第二端的可调电阻模块;所述可调电阻模块用于调整所述第二电阻输出的电压;
所述可调电阻模块包括第二场效应管、第十一电阻、第十二电阻以及第十三电阻;
所述第二场效应管的漏极连接至所述第二电阻的第二端,所述第二场效应管的源极接地;
所述第十一电阻的第一端连接至所述第二场效应管的栅极,所述第十一电阻的第二端连接至所述电源电压;
所述第十二电阻的第一端连接至所述第二场效应管的栅极,所述第十二电阻的第二端接地;
所述第十三电阻的第一端连接至外部器件的管脚,所述外部器件的管脚连接至所述第二场效应管的栅极,所述第十三电阻的第二端接地。
7.如权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,所述功率放大电路还包括电流源;所述电流源的两端分别连接至所述第一场效应管的栅极和所述电源电压。
8.如权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,所述功率放大电路还包括第二电感;所述第二电感的两端分别连接至所述第一场效应管的漏极和所述电源电压。
9.如权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,所述功率放大电路还包括耦合信号放大器;所述耦合信号放大器的输入端连接至所述耦合器的第二输出端;所述功率检测模块的输入端连接至所述耦合信号放大器的输出端。
10.一种射频功放模组,其特征在于,所述射频功放模组包括如权利要求1至9任意一项所述的功率放大电路。
CN202311229679.7A 2023-09-22 2023-09-22 功率放大电路及射频功放模组 Active CN117013968B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311229679.7A CN117013968B (zh) 2023-09-22 2023-09-22 功率放大电路及射频功放模组

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311229679.7A CN117013968B (zh) 2023-09-22 2023-09-22 功率放大电路及射频功放模组

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN117013968A true CN117013968A (zh) 2023-11-07
CN117013968B CN117013968B (zh) 2023-12-05

Family

ID=88572902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311229679.7A Active CN117013968B (zh) 2023-09-22 2023-09-22 功率放大电路及射频功放模组

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117013968B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020093377A1 (en) * 2000-11-27 2002-07-18 Keiichi Sakuno Power amplification circuit and communication device using the same
CN108768312A (zh) * 2018-07-23 2018-11-06 上海亮牛半导体科技有限公司 利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构及方法
US20220294401A1 (en) * 2019-12-24 2022-09-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplifier circuit, high frequency circuit, and communication apparatus
WO2023051298A1 (zh) * 2021-09-30 2023-04-06 华为技术有限公司 一种功率放大电路、功率放大器及发射机
CN116232246A (zh) * 2023-02-08 2023-06-06 深圳飞骧科技股份有限公司 射频功率放大器
CN116707556A (zh) * 2023-08-02 2023-09-05 深圳飞骧科技股份有限公司 调整发射功率的模组、射频前端模组及无线发射设备

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020093377A1 (en) * 2000-11-27 2002-07-18 Keiichi Sakuno Power amplification circuit and communication device using the same
CN108768312A (zh) * 2018-07-23 2018-11-06 上海亮牛半导体科技有限公司 利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构及方法
US20220294401A1 (en) * 2019-12-24 2022-09-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplifier circuit, high frequency circuit, and communication apparatus
WO2023051298A1 (zh) * 2021-09-30 2023-04-06 华为技术有限公司 一种功率放大电路、功率放大器及发射机
CN116232246A (zh) * 2023-02-08 2023-06-06 深圳飞骧科技股份有限公司 射频功率放大器
CN116707556A (zh) * 2023-08-02 2023-09-05 深圳飞骧科技股份有限公司 调整发射功率的模组、射频前端模组及无线发射设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN117013968B (zh) 2023-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106452377B (zh) 一种自适应补偿的射频功率放大器
US7944306B2 (en) Dual bias control circuit
US9935585B2 (en) RF amplifier operational in different power modes
CN101764582A (zh) 用于功率放大器的自混合自适应偏置电路的系统和方法
EP1719244B1 (en) Dynamically biased amplifier
WO2019019494A1 (zh) 一种偏置电路及功率放大电路
CN110868165B (zh) 多适应性可切换片上低噪声放大器及工作方法
CN114679140B (zh) 高线性度射频功率放大器
CN112202408A (zh) 一种GaN工艺的共源共栅射频放大器
CN104272587A (zh) 级联放大器以及放大电路
CN111193477B (zh) 一种复合放大器
CN117013968B (zh) 功率放大电路及射频功放模组
CN216390921U (zh) 功率放大器
CN105207633A (zh) 功率放大器
CN106559050B (zh) 一种自适应负载的差分放大电路
CN113572437B (zh) 一种带有直通选择结构的GaAs自偏置低噪声放大器
CN109327194A (zh) 一种宽带高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器
CN114268281A (zh) 一种功率放大电路与射频前端模组
JP4739717B2 (ja) 歪補償回路
CN115395905A (zh) 功率放大器偏置电路、功率放大电路及通信设备
CN113346848A (zh) 一种基于hbt工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路
KR100591062B1 (ko) 역방향 다이오드를 이용한 전치 왜곡형 선형 전력 증폭기
KR100600995B1 (ko) 바이패스 커패시터를 이용한 전치 왜곡형 선형 전력 증폭기
CN115882795B (zh) 一种具备线性化补偿结构的功率放大器
CN220190860U (zh) 射频放大电路以及射频前端模组

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant