CN117012658A - 一种芯片倒装互连方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种芯片倒装互连方法，涉及半导体技术领域。本发明通过将将芯片与读出电路进行预互连，并记录预互连时芯片反射光斑的预连位置；将预互连的所述芯片与所述读出电路分离；基于分离后的所述读出电路上的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置；基于所述目标位置将分离后的所述芯片与所述读出电路进行互连，能够解决现有的因芯片自身质量原因导致芯片反射光斑与读出电路反射光斑无法调至重合、进而造成芯片倒装互连失败的问题，有效的提高了芯片倒装互连的良品率，降低了制造成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片倒装互连方法。
背景技术
红外焦平面探测器是将红外辐射能转换为电能或其他物理量的器件，红外焦平面探测器分为红外光量子探测(光电伏特效应、光伏型)和热探测(热电效应、光导型)两类。
红外焦平面探测器广泛应用于红外热成像、红外遥感、搜救等领域。倒装互连技术是制备红外焦平面探测器的关键技术之一，其主要工艺过程是将红外探测器芯片与读出电路芯片通过铟柱压焊在一起，使得红外探测器探测到的光信号通过读出电路芯片进行处理和输出。
在实际生产过程中，由于制造工艺的限制，探测器芯片表面会存在波纹、翘曲变形、缺陷等问题，这些问题会影响调平时探测器芯片反射光斑的清晰度，使芯片反射光斑出现重影或模糊不清(如图3所示)，进而导致无法准确的将芯片反射光斑与读出电路反射光斑调至重合(如图4所示)、无法将芯片调平，在这种情况下进行互连，会导致芯片的某一个角或者某一个边互连失败。
发明内容
本发明实施例提供一种芯片倒装互连方法，能够解决因芯片自身质量原因导致的芯片与读出电路倒装互连失败的问题。
本申请实施例提供一种芯片倒装互连方法，包括：
将芯片与读出电路进行预互连，并记录预互连时芯片反射光斑的预连位置；
将预互连的所述芯片与所述读出电路分离；
基于分离后的所述读出电路上的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置；
基于所述目标位置将分离后的所述芯片与所述读出电路进行互连。
在一个实施方式中，所述将芯片与读出电路进行预互连前，还包括：
将所述读出电路吸附在倒装焊机的压焊平台上，将所述芯片吸附在所述倒装焊机的焊接臂上；通过调节所述焊接臂使所述芯片与所述读出电路对准、平行；设定预互连压力、预互连温度，并将所述芯片与读出电路进行预互连。
在一个实施方式中，所述将预互连的所述芯片与所述读出电路分离，包括：从所述倒装焊机上取下预互连后的所述芯片及所述读出电路；将预互连后的所述芯片及所述读出电路浸泡在乙醇中，并通过超声波清洗将预互连后的所述芯片及所述读出电路分离，得到分离的所述芯片及所述读出电路。
在一个实施方式中，所述基于分离后的所述读出电路上的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置，包括：测量分离后的所述读出电路上多处焊料的焊料高度；基于多处所述焊料的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置，以使在互连时能够调平所述芯片。
在一个实施方式中，所述基于多处所述焊料的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置，包括：计算多处所述焊料之间的多个焊料高度差；若多个所述焊料高度差均小于等于第一预设高度差，则预互连正常；若多个所述焊料高度差中至少一个焊料高度差大于所述第一预设高度差，则预互连异常，并基于所述至少一个焊料高度差及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置。
在一个实施方式中，所述若多个所述焊料高度差中至少一个焊料高度差大于所述第一预设高度差，则预互连异常，并基于所述至少一个焊料高度差及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置，还包括：若分离后的所述读出电路上第一对角处的焊料高度差小于第二预设高度差，且所述第一对角处的焊料高度均高于或低于第二对角处的焊料高度时，则所述芯片翘曲，无法正常互连。
在一个实施方式中，所述基于分离后的所述读出电路上的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置，包括：基于所述焊料高度差的产生位置及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标方向；基于所述焊料高度差确定所述芯片反射光斑的目标距离；基于所述目标方向、所述目标距离及所述预连位置确定所述目标位置。
在一个实施方式中，所述基于所述焊料高度差确定所述芯片反射光斑的目标距离，包括：建立所述焊料高度差、所述焊料高度差的产生位置与所述目标距离的第一对应关系；基于所述焊料高度差、所述焊料高度差的产生位置及所述第一对应关系确定所述目标距离。
在一个实施方式中，所述基于所述目标位置将分离后的所述芯片与所述读出电路进行互连，包括：将所述读出电路吸附在倒装焊机的压焊平台上，将所述芯片吸附在所述倒装焊机的焊接臂上；将所述芯片反射光斑移至所述目标位置，设定互连温度、互连压力；使所述焊接臂向下移动以实施互连操作。
在一个实施方式中，所述芯片是探测器芯片，所述焊料是铟柱。
与现有技术相比，本申请实施例通过将将芯片与读出电路进行预互连，并记录预互连时芯片反射光斑的预连位置；将预互连的所述芯片与所述读出电路分离；基于分离后的所述读出电路上的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置；基于所述目标位置将分离后的所述芯片与所述读出电路进行互连，能够解决现有的因芯片自身质量原因导致芯片反射光斑与读出电路反射光斑无法调至重合、进而造成芯片倒装互连失败的问题，有效的提高了芯片倒装互连的良品率，降低了制造成本。
附图说明
在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。
图1是本发明一实施例提供的芯片倒装焊机示意图；
图2是本发明一实施例提供的芯片倒装互连状态示意图；
图3是本发明一实施例提供的芯片反射光斑示意图；
图4是本发明一实施例提供的现有芯片反射光斑与读出电路反射光斑调重合示意图；
图5是本发明一实施例提供的倒装互连失败的芯片示意图；
图6是本发明一实施例提供的芯片倒装互连方法流程图；
图7是本发明一实施例提供的分离后的读出电路示意图。
附图标记：
10、倒装焊机；110、焊接臂；120、压焊平台；210、芯片；2101、芯片反射光斑；230、读出电路；2301、焊料；2302、读出电路反射光斑；240、盲元。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
如图1所示，倒装互连是依靠倒装倒装焊机10来完成焊接操作的工艺，其主要操作步骤为：将读出电路230的铟柱向上放在倒装焊机10的压焊平台120中心的真空吸孔上，通过真空吸附的方式将读出电路230固定在压焊平台120上；将芯片210正面向下放在压焊平台120旁边的样品架上，通过焊接臂110将芯片210吸起来；移动压焊平台120至焊接臂110下方，通过显微镜观察然后操作倒装焊机10将芯片210与读出电路230上的对准标记对齐；调节焊接臂110上的万向轴，使芯片210的正面与读出电路230的正面平行；设定好互连压力、互连温度和时间等参数，操纵焊接臂110向下移动，将芯片210与读出电路230压焊在一起(如图2所示)。
由倒装互连的工艺可知，使芯片210正面与读出电路230表面平行是倒装互连能否成功的关键。倒装焊机10采用的方法是将一束光通过棱镜的折射后转变成方向相反的两束光(如图1中箭头所示)分别垂直射向芯片210和读出电路230的表面，将两束光的反射光斑显示在电脑屏幕上。由于压焊平台120只能水平移动，无法倾斜，所以读出电路反射光斑2302也是固定在屏幕中心无法移动；焊接臂110上设有万向球轴，可以自由调节方向，因此芯片反射光斑2101可以通过调节万向轴来移动。当芯片反射光斑2101与读出电路反射光斑2302重合时，可确保两个焊接平面平行。
然而在实际生产过程中，由于制造工艺的限制，芯片210表面会存在波纹、翘曲变形、缺陷等问题，这些问题会影响调平时芯片反射光斑2101的清晰度，使芯片反射光斑出现重影或模糊不清(如图3所示)，进而导致无法准确的将芯片反射光斑2101与读出电路反射光斑2302调至重合(如图4所示)、无法将芯片210调平，在这种情况下进行互连，会导致芯片210的某一个角或者某一个边互连失败，如图5所示，图中黑色区域，是由于调平时芯片210的芯片反射光斑2101模糊，无法与读出电路反射光斑2302准确重合，出现调平偏差，该黑色区域中芯片210未能与读出电路230的焊料2301相连，导致出现盲元240，由于制备芯片的材料昂贵、芯片的制作工艺复杂且耗时，倒装互连工艺的失败将使红外探测器的制造成本和时间成本大大增加。
为了解决上述技术问题，如图6所示，第一方面，本申请至少一实施例提供了一种芯片210倒装互连方法，包括：
S101：将芯片210与读出电路230进行预互连，并记录预互连时芯片反射光斑2101的预连位置；
需要说明的是，针对因芯片210自身的质量问题导致的芯片反射光斑2101不清晰，进而造成无法将芯片反射光斑2101和读出电路反射光斑2302调至重合的问题，可先将所述芯片210与所述读出电路230先进行试连接，即预互连，然后根据预互连的结果对所述芯片反射光斑2101的位置进行调整，以便将所述芯片210与所述读出电路230调至平行。
需要说明的是，因是根据预互连的结果对所述芯片反射光斑2101的位置进行调整，故对所述芯片反射光斑2101的位置进行调整的依据是所述芯片反射光斑2101的初始位置，即预连位置，故需记录下所述预连位置，以便后续根据所述预连位置进行计算所述目标位置。
需要说明的是，可仅在进行倒装互连时发现所述芯片反射光斑2101不清晰时使用本方法，也可在对倒装互连结果存在疑问时使用本方法。
在一些实施例中，所述将芯片210与读出电路230进行预互连前，还包括：将所述读出电路230吸附在倒装焊机10的压焊平台120上，将所述芯片210吸附在所述倒装焊机的焊接臂110上；通过调节所述焊接臂110使所述芯片210与所述读出电路230对准、平行；设定预互连压力、预互连温度，并将所述芯片210与读出电路230进行预互连。
需要说明的是，使所述芯片210与所述读出电路230对准、调平通常是通过将所述芯片反射光斑2101与所述读出电路反射光斑2302重合，无法调至重合时，如芯片反射光斑2101存在重影时，可将包括重影在内的所述芯片反射光斑2101的中心与所述读出电路反射光斑2302调至重合，以便减少后续调整距离；也可考虑将所述芯片反射光斑2101中清晰部分的中心与所述读出电路反射光斑2302调至重合。
需要说明的是，所述预互连压力、所述预互连温度通常低于正常互连时的互连压力和互连温度，如预互连压力为1/3互连压力、预互连温度为室温，以使所述芯片210与所述读出电路230不会牢固连接，便于后续将所述芯片210与所述读出电路230分离。
S102：将预互连的所述芯片210与所述读出电路230分离；
需要说明的是，需要根据预互连的结果对所述芯片反射光斑2101的位置进行调整，故需要将预互连后的所述芯片210与所述读出电路230分离，才能观察到预互连的结果。
在一些实施例中，所述将预互连的所述芯片210与所述读出电路230分离，包括：从所述倒装焊机10上取下预互连后的所述芯片210及所述读出电路230；将预互连后的所述芯片210及所述读出电路230浸泡在乙醇中，并通过超声波清洗将预互连后的所述芯片210及所述读出电路230分离，得到分离的所述芯片210及所述读出电路230。
需要说明的是，所述乙醇为无水乙醇，选用无水乙醇是因为：一、纯净，不会带来其他污染；二、稳定，不会与读出电路230及芯片210发生化学反应；三、容易去除，吹干即可。当然，也可以使用其他类似的试剂代替，例如去离子水等。
需要说明的是，可将预互连后的所述芯片210及所述读出电路230一起浸泡在盛有无水乙醇的烧杯中，将烧杯放入超声清洗槽中，利用超声波将所述芯片210与所述读出电路230分离。由于预互连时没有施加温度(预互连温度为室温)，且压力仅为正常互连压力的1/3，因此芯片210与读出电路230还没有牢固的连接在一起，利用超声波可轻易地将所述芯片210与所述读出电路230分离。
需要说明的是，在将所述芯片210和所述读出电路230分离后可将所述芯片210及所述读出电路230清洗干净，以便保护所述芯片210及所述读出电路230，及观察预互连的结果。所述预互连的结果通常是：在预互连时，所述芯片210压接在所述读出电路230的焊料2301上，会使所述焊料2301的高度发生变化，所述读出电路230上多处焊料高度的不同反映了所述芯片210处于未调平状态，及所述芯片210需向哪个方向、位置进行调整。
S103：基于分离后的所述读出电路230上的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑2101的目标位置；
在一些实施例中，所述基于分离后的所述读出电路230上的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑2101的目标位置，包括：测量分离后的所述读出电路230上多处焊料2301的焊料高度；基于多处所述焊料2301的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑2101的目标位置，以使在互连时能够调平所述芯片210。
需要说明的是，通常使用显微镜测量所述焊料高度，因仅测量一个位置处的焊料高度无法观察出预互连的效果，故需测量所述读出电路230上多个位置处的焊料高度，因在矩形或方形的板件上，其四角处的变形比较有代表性，如图7所示，故可选取所述读出电路230上的四个角处的焊料高度进行测量，即位置A、位置B、位置C、位置D，也可选取其他位置进行测量，对此本申请并不做具体限定。
在一些实施例中，所述基于多处所述焊料2301的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑2101的目标位置，包括：计算多处所述焊料2301之间的多个焊料高度差；若多个所述焊料高度差均小于等于第一预设高度差，则预互连正常；若多个所述焊料高度差中至少一个焊料高度差大于所述第一预设高度差，则预互连异常，并基于所述至少一个焊料高度差及所述预连位置确定所述芯片反射光斑2101的目标位置。
需要说明的是，由于存在芯片210加工精度、读出电路230加工精度及倒装互连的精度的原因，允许多处所述焊料2301之间存在合适的焊料高度差，即在所述焊料高度差小于等于所述第一预设高度差时，认定预互连正常，通常所述第一预设高度差为0.5微米。示例性地，如图7所示，即位置A与位置B、位置B与位置C、位置C与位置D、位置A与位置D之间的焊料高度差均小于等于0.5微米时，认定预互连正常，可将所述芯片反射光斑2101移至所述预连位置后，进行倒装互连。
需要说明的是，若多个所述焊料高度差中至少一个焊料高度差大于所述第一预设高度差，则说明预互连异常，此时若按照所述预连位置进行互连会使得芯片210倒装互连失败，此时可根据所述焊料高度差进行计算得到所述芯片反射光斑2101的目标位置。
在一些实施例中，所述若多个所述焊料高度差中至少一个焊料高度差大于所述第一预设高度差，则预互连异常，并基于所述至少一个焊料高度差及所述预连位置确定所述芯片反射光斑2101的目标位置，还包括：若分离后的所述读出电路230上第一对角处的焊料高度差小于第二预设高度差，且所述第一对角处的焊料高度均高于或低于第二对角处的焊料高度时，则所述芯片210翘曲，无法正常互连。
需要说明的是，所述第二预设高度差通常较所述第一预设高度差小，可根据实际情况设置所述第二预设高度差的数值，如0.1微米、0.2微米等；在芯片预互连异常时，还可分为可进行调整、修正的芯片210和不可进行调整、修正的芯片210，示例性地，如图7所示，若位置A处的焊料高度最高，且位置A处的焊料高度与位置B、位置C、位置D之间的焊料高度差大于所述第一预设高度差，且位置B、位置C、位置D之间焊料高度差小于所述第二预设高度差，则说明芯片210未调平(芯片210在位置A对应处向上倾斜)，可通过调整所述芯片210的角度将所述芯片210调至与所述读出电路230向平行；若位置A、位置C处的焊料高度相近(焊料高度差小于所述第二预设高度差)，且所述位置A、位置C处的焊料高度均高于所述位置B、位置D处的焊料高度(即位置A、位置C处与位置B、位置D处的焊料高度差大于所述第一预设高度差)，则说明芯片210翘曲严重，无法进行正常互连，此时即可将判定为翘曲严重的芯片210，可将判定为翘曲严重的芯片210取下，对其分类处置，换用其他的芯片210继续进行互连，通过这种判断方式可以在芯片210互连时发现存在问题的芯片210，以免将存在问题的芯片210进行互连，进而造成互连失败、降低产品良率、增加制造成本。
在一些实施例中，所述基于分离后的所述读出电路230上的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑2101的目标位置，包括：基于所述焊料高度差的产生位置及所述预连位置确定所述芯片反射光斑2101的目标方向；基于所述焊料高度差确定所述芯片反射光斑2101的目标距离；基于所述目标方向、所述目标距离及所述预连位置确定所述目标位置。
需要说明的是，所述目标位置以所述预连位置为基准确定，相对于所述预连位置而言，所述目标位置具有目标方向和目标距离，在确定所述目标方向时需先确定所述焊料高度差的产生位置，如位置A和位置C之间的焊料高度差，及位置A的焊料高度大于位置B的焊料高度，或位置B的焊料高度大于位置A的焊料高度，若位置A的焊料高度大于位置B的焊料高度，此时芯片210上与位置A对应处向上倾斜，可将所述芯片反射光斑2101向位置A处移动，此时位置A处相对于所述预连位置即是所述目标方向。
在一些实施例中，所述基于所述焊料高度差确定所述芯片反射光斑2101的目标距离，包括：建立所述焊料高度差、所述焊料高度差的产生位置与所述目标距离的第一对应关系；基于所述焊料高度差、所述焊料高度差的产生位置及所述第一对应关系确定所述目标距离。
需要说明的是，在确定了所述目标方向后，为了准确的调整所述芯片210，需定量的计算出所述芯片反射光斑2101的需移动的目标距离，通常可根据实际经验进行总结，得到所述焊料高度差、所述焊料高度差的产生位置与所述目标距离的第一对应关系，所述第一对应关系可以是分段函数、或线性函数等，如，当焊料高度差大于0.5微米，且小于等于1微米时，所述目标距离为3个单位，焊料高度差每增加0.5微米，所述目标距离增加3个单位，所述第一对应关系可根据实际需要进行调整。
需要说明的是，所述焊料2301的产生位置包括所述焊料2301的相对高度(如，位置A处的焊料2301高于位置B处的焊料2301，或位置B处的焊料2301高于位置A处的焊料2301)、焊料2301之间的平面距离，通过建立所述第一对应关系可方便、准确的计算出所述目标距离，减少人为判断的不准确性。
S104：基于所述目标位置将分离后的所述芯片210与所述读出电路230进行互连。
在一些实施例中，所述基于所述目标位置将分离后的所述芯片210与所述读出电路230进行互连，包括：将所述读出电路230吸附在倒装焊机10的压焊平台120上，将所述芯片210吸附在所述倒装焊机的焊接臂110上；将所述芯片210的反射光斑移至所述目标位置，设定互连温度、互连压力；使所述焊接臂110向下移动以实施互连操作。
需要说明的是，在对所述芯片反射光斑2101进行调整时，可先将所述芯片反射光斑2101移至所述预连位置，然后在根据所述目标方向和所述目标距离移动所述芯片反射光斑2101至所述目标位置；也可在计算出所述目标位置后，直接将所述芯片反射光斑2101移至所述目标位置。
示例性地，如图7所示，位置A、位置B、位置C、位置D处的焊料高度分别为8微米、8.4微米、8.3微米、8.8微米，位置D处的焊料最高，最高点(位置D)与最低点(位置A)的焊料高差为0.8微米，需要将芯片反射光斑2101由所述预连位置向右下角移动3个单位。芯片反射光斑2101移至所述目标位置后，即可用正常的互连压力和互连温度进行互连，其中，所述互连压力为12KG、所述互连温度为100℃。
在一些实施例中，所述芯片210是探测器芯片210，所述焊料2301是铟柱。
需要说明的是，因铟的质地非常软、可塑性强、有延展性、可压成片。故可采用铟柱作为焊料2301，以使所述芯片210与所述读出电路230焊接(互连)更加容易。
综上所述，本申请实施例通过将所述芯片210与读出电路230进行预互连，并记录预互连时所述芯片反射光斑2101的预连位置；将预互连的所述芯片210与所述读出电路230分离；基于分离后的所述读出电路230上的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑2101的目标位置；基于所述目标位置将分离后的所述芯片210与所述读出电路230进行互连，能够解决现有的因芯片210自身质量原因导致芯片反射光斑2101与读出电路反射光斑2302无法调至重合、进而造成芯片210倒装互连失败的问题，有效的提高了芯片210倒装互连的良品率，降低了制造成本。
虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
Claims (10)
1.一种芯片倒装互连方法，其特征在于，包括：
将芯片与读出电路进行预互连，并记录预互连时芯片反射光斑的预连位置；
将预互连的所述芯片与所述读出电路分离；
基于分离后的所述读出电路上的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置；
基于所述目标位置将分离后的所述芯片与所述读出电路进行互连。
2.根据权利要求1所述的芯片倒装互连方法，其特征在于，所述将芯片与读出电路进行预互连前，还包括：
将所述读出电路吸附在倒装焊机的压焊平台上，将所述芯片吸附在所述倒装焊机的焊接臂上；
通过调节所述焊接臂使所述芯片与所述读出电路对准、平行；
设定预互连压力、预互连温度，并将所述芯片与读出电路进行预互连。
3.根据权利要求1所述的芯片倒装互连方法，其特征在于，所述将预互连的所述芯片与所述读出电路分离，包括：
从所述倒装焊机上取下预互连后的所述芯片及所述读出电路；
将预互连后的所述芯片及所述读出电路浸泡在乙醇中，并通过超声波清洗将预互连后的所述芯片及所述读出电路分离，得到分离的所述芯片及所述读出电路。
4.根据权利要求1所述的芯片倒装互连方法，其特征在于，所述基于分离后的所述读出电路上的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置，包括：
测量分离后的所述读出电路上多处焊料的焊料高度；
基于多处所述焊料的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置，以使在互连时能够调平所述芯片。
5.根据权利要求4所述的芯片倒装互连方法，其特征在于，所述基于多处所述焊料的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置，包括：
计算多处所述焊料之间的多个焊料高度差；
若多个所述焊料高度差均小于等于第一预设高度差，则预互连正常；
若多个所述焊料高度差中至少一个焊料高度差大于所述第一预设高度差，则预互连异常，并基于所述至少一个焊料高度差及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置。
6.根据权利要求5所述的芯片倒装互连方法，其特征在于，所述若多个所述焊料高度差中至少一个焊料高度差大于所述第一预设高度差，则预互连异常，并基于所述至少一个焊料高度差及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置，还包括：
若分离后的所述读出电路上第一对角处的焊料高度差小于第二预设高度差，且所述第一对角处的焊料高度均高于或低于第二对角处的焊料高度时，则所述芯片翘曲，无法正常互连。
7.根据权利要求5或6所述的芯片倒装互连方法，其特征在于，所述基于分离后的所述读出电路上的焊料高度及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标位置，包括：
基于所述焊料高度差的产生位置及所述预连位置确定所述芯片反射光斑的目标方向；
基于所述焊料高度差确定所述芯片反射光斑的目标距离；
基于所述目标方向、所述目标距离及所述预连位置确定所述目标位置。
8.根据权利要求7所述的芯片倒装互连方法，其特征在于，所述基于所述焊料高度差确定所述芯片反射光斑的目标距离，包括：
建立所述焊料高度差、所述焊料高度差的产生位置与所述目标距离的第一对应关系；
基于所述焊料高度差、所述焊料高度差的产生位置及所述第一对应关系确定所述目标距离。
9.根据权利要求7所述的芯片倒装互连方法，其特征在于，所述基于所述目标位置将分离后的所述芯片与所述读出电路进行互连，包括：
将所述读出电路吸附在倒装焊机的压焊平台上，将所述芯片吸附在所述倒装焊机的焊接臂上；
将所述芯片反射光斑移至所述目标位置，设定互连温度、互连压力；
使所述焊接臂向下移动以实施互连操作。
10.根据权利要求1所述的芯片倒装互连方法，其特征在于，所述芯片是探测器芯片，所述焊料是铟柱。
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|---|---|---|---|
| CN202310935355.9A CN117012658B (zh) | 2023-07-27 | 2023-07-27 | 一种芯片倒装互连方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2023
- 2023-07-27 CN CN202310935355.9A patent/CN117012658B/zh active Active
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| CN117012658B (zh) | 2024-04-12 |
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