CN117012131A - 栅极驱动器和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及栅极驱动器和显示装置。所述栅极驱动器包括：信号发生器，被配置为产生栅极信号并且向第一输出端子输出栅极信号；以及反相信号发生器，被配置为基于栅极信号产生反相栅极信号并且向第二输出端子输出反相栅极信号，其中，反相信号发生器包括：第一晶体管，连接在被连接到第二输出端子的第一节点和第一驱动电源端子之间并且是PMOS晶体管；以及第二晶体管，连接在第一节点和第二驱动电源端子之间并且是NMOS晶体管，并且其中，被连接到第一输出端子的第二节点连接到第一晶体管和第二晶体管中的每一者的栅极电极。

Description

栅极驱动器和显示装置
技术领域
一些实施例的方面一般涉及栅极驱动器和包括栅极驱动器的显示装置。
背景技术
平板显示装置可以被用作显示装置，并且由于平板显示装置的轻质和薄的特性，随着时间的推移通常已经取代了阴极射线管显示装置。作为这种平板显示装置的代表性示例，存在液晶显示装置、有机发光显示装置和量子点显示装置等。
显示装置可以包括多个像素，并且这些像素可以包括晶体管和电容器等。被包括在像素中的晶体管已经仅被配置为包括多晶硅的P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，或者仅被配置为包括金属氧化物半导体的N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。
近来，被包括在像素中的晶体管可以包括PMOS晶体管和NMOS晶体管两者。当被包括在像素中的晶体管包括PMOS晶体管和NMOS晶体管两者时，新的栅极驱动器可以被额外地提供给显示装置以驱动PMOS晶体管和NMOS晶体管。在这种情况下，由于新的栅极驱动器的额外提供，显示装置的功耗和无用空间可能增加。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅是为了加强对背景的理解，并且因此，在本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
本公开的一些实施例的方面包括栅极驱动器。
本公开的一些实施例的方面包括包含栅极驱动器的显示装置。
根据一些实施例，一种栅极驱动器可以包括：信号发生器，被配置为产生栅极信号并且向第一输出端子输出所述栅极信号；以及反相信号发生器，被配置为基于所述栅极信号产生反相栅极信号并且向第二输出端子输出所述反相栅极信号。根据一些实施例，所述反相信号发生器可以包括：第一晶体管，连接在被连接到所述第二输出端子的第一节点和第一驱动电源端子之间并且是PMOS晶体管；以及第二晶体管，连接在所述第一节点和第二驱动电源端子之间并且是NMOS晶体管。另外，根据一些实施例，连接到所述第一输出端子的第二节点可以连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一者的栅极电极。
根据一些实施例，所述栅极信号和所述反相栅极信号可以是相对于彼此反相且具有相同电压电平的信号。
根据一些实施例，与所述栅极信号对应的电压可以被施加到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一者的所述栅极电极。
根据一些实施例，所述第二晶体管还可以包括下栅极电极。
根据一些实施例，所述第一晶体管和所述第二晶体管可以是串联连接的。
根据一些实施例，被施加到所述第二节点的电压可以与被施加到所述第二驱动电源端子的电压不同。
根据一些实施例，一种显示装置可以包括：显示面板，包括第一像素行至第m像素行，其中，m是大于或等于2的整数，在所述第一像素行至所述第m像素行中的每一者中布置多个像素；以及栅极驱动器，包括被配置为分别产生第一栅极信号至第m栅极信号的第一信号发生器至第m信号发生器以及被配置为分别产生第一反相栅极信号至第m反相栅极信号的第一反相信号发生器至第m反相信号发生器。这里，由所述第一信号发生器至所述第m信号发生器之中的第(n-1)信号发生器产生的第(n-1)栅极信号、由所述第一反相信号发生器至所述第m反相信号发生器之中的第(n-1)反相信号发生器产生的第(n-1)反相栅极信号、由所述第一信号发生器至所述第m信号发生器之中的第n信号发生器产生的第n栅极信号以及由所述第一反相信号发生器至所述第m反相信号发生器之中的第n反相信号发生器产生的第n反相栅极信号可以被提供到所述第一像素行至所述第m像素行之中的第n像素行，其中，n是1和m之间的整数。
根据一些实施例，所述第(n-1)栅极信号和所述第(n-1)反相栅极信号可以是相对于彼此反相且具有相同电压电平的信号。另外，所述第n栅极信号和所述第n反相栅极信号可以是相对于彼此反相且具有相同电压电平的信号。
根据一些实施例，布置在所述第n像素行中的所述像素中的每一者可以包括：发光元件，被配置为基于驱动电流输出光并且包括第一端子和第二端子；第一像素晶体管，包括被施加第一电源电压的第一端子、连接到所述发光元件的所述第一端子的第二端子以及栅极端子，并且所述第一像素晶体管被配置为产生所述驱动电流；以及第二像素晶体管，包括被施加数据电压的第一端子、连接到所述第一像素晶体管的所述第一端子的第二端子以及被施加所述第n栅极信号的栅极端子。
根据一些实施例，布置在所述第n像素行中的所述像素中的每一者还可以包括：第三像素晶体管，包括连接到所述第一像素晶体管的所述第二端子的第一端子、连接到所述第一像素晶体管的所述栅极端子的第二端子以及被施加所述第n反相栅极信号的第一栅极端子。
根据一些实施例，所述第三像素晶体管还可以包括：第二栅极端子，连接到所述第三像素晶体管的所述第一栅极端子，并且被配置为起到背栅极的作用。另外，根据一些实施例，所述第三像素晶体管可以是NMOS晶体管。
根据一些实施例，布置在所述第n像素行中的所述像素中的每一者还可以包括：第四像素晶体管，包括被施加第一初始化电压的第一端子、连接到所述第三像素晶体管的所述第二端子的第二端子以及被施加所述第(n-1)反相栅极信号的第一栅极端子。
根据一些实施例，所述第四像素晶体管还可以包括：第二栅极端子，连接到所述第四像素晶体管的所述第一栅极端子，并且被配置为起到背栅极的作用。另外，根据一些实施例，所述第四像素晶体管可以是NMOS晶体管。
根据一些实施例，布置在所述第n像素行中的所述像素中的每一者还可以包括：第五像素晶体管，包括被施加第二初始化电压的第一端子、连接到所述发光元件的所述第一端子的第二端子以及被施加所述第(n-1)栅极信号的栅极端子。
根据一些实施例，所述第一像素晶体管、所述第二像素晶体管和所述第五像素晶体管可以是PMOS晶体管。
根据一些实施例，一种显示装置可以包括：基底，包括显示区域和外围区域；第一像素开关元件，在所述基底上位于所述显示区域中，并且所述第一像素开关元件包括包含金属氧化物半导体的第一有源层、在所述第一有源层上的第一栅极电极以及在所述第一有源层下面的第一下栅极电极；第一开关元件，在所述基底上位于所述外围区域中，并且所述第一开关元件包括包含金属氧化物半导体的第二有源层、在所述第二有源层上的第二栅极电极以及在所述第二有源层下面的第二下栅极电极；以及像素结构，在所述第一像素开关元件上在所述显示区域中。根据一些实施例，所述第一下栅极电极和所述第二下栅极电极可以在相互不同的层上。
根据一些实施例，所述显示装置还可以包括：第二像素开关元件，包括第三有源层、在所述第三有源层上的第三栅极电极以及在所述第三栅极电极上且与所述第三栅极电极一起被定义为电容器的电极图案。
根据一些实施例，所述第一下栅极电极和所述电极图案可以在同一层上。另外，根据一些实施例，所述第二下栅极电极和所述第三栅极电极可以在同一层上。
根据一些实施例，所述显示装置还可以包括：栅极绝缘层，覆盖所述第三有源层，并且在所述基底上位于所述显示区域和所述外围区域中；以及层间绝缘层，覆盖所述第三栅极电极和所述第二下栅极电极，并且在所述栅极绝缘层上在所述显示区域和所述外围区域中。
根据一些实施例，所述第一下栅极电极的底表面可以与所述层间绝缘层接触。另外，根据一些实施例，所述第二下栅极电极的底表面可以与所述栅极绝缘层接触。
因此，根据一些实施例的栅极驱动器可以包括包含反相器的第二信号发生器，使得所述栅极驱动器可以同时输出第一栅极信号和第二栅极信号，所述第二栅极信号与所述第一栅极信号具有相同的电压电平并且所述第二栅极信号具有相对于所述第一栅极信号的信号形状反相的反相信号形状。
另外，根据一些实施例的显示装置可以包括被配置为产生第一栅极信号和第二栅极信号的栅极驱动器，使得所述栅极驱动器可以通过使用所述第一栅极信号和所述第二栅极信号产生被提供到像素的四个栅极信号。因为所述显示装置仅包括一个栅极驱动器，所以所述显示装置的无用空间可以相对减少。
此外，根据一些实施例的显示装置可以包括与第四有源层间隔开相对远的第二下栅极电极，使得第二开关元件的阈值电压可以偏移。因此，可以防止或减少在第一开关元件和所述第二开关元件中出现的短路电流的情况。
附图说明
图1是示出根据一些实施例的栅极驱动器的电路图。
图2是用于描述图1的栅极驱动器的图。
图3是示出根据一些实施例的显示装置的框图。
图4是示出被包括在图3的显示装置中的像素的电路图。
图5是用于描述用于驱动图4的像素的信号的时序图。
图6是用于描述图3中的栅极驱动器和像素的框图。
图7是示出根据一些实施例的栅极驱动器的电路图。
图8是示出根据一些实施例的显示装置的平面图。
图9是沿着图8的线I-I'截取的截面图。
图10是示出根据一些实施例的栅极驱动器的电路图。
图11是示出根据一些实施例的包括显示装置的电子装置的框图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细说明本公开的实施例。
图1是示出根据一些实施例的栅极驱动器的电路图，并且图2是用于描述图1的栅极驱动器的图。
参照图1和图2，栅极驱动器140可以包括第一信号发生器141(或信号发生器)和第二信号发生器142(或反相信号发生器)。在这种情况下，第一信号发生器141可以包括第一驱动器1210、第二驱动器1220和输出单元1230。另外，第二信号发生器142可以包括第八晶体管M8和第九晶体管M9。
输出单元1230可以包括第四晶体管M4和第五晶体管M5。输出单元1230可以基于第一节点N1和第二节点N2的电压控制被供应到第一输出端子1004的电压。第四晶体管M4可以连接在第一驱动电源端子VGH和第四节点N4之间，并且第四晶体管M4的栅极电极可以连接到第一节点N1。第四晶体管M4可以基于被施加到第一节点N1的电压来控制第一驱动电源端子VGH和第一输出端子1004之间的连接。在这种情况下，第一输出端子1004可以连接到第四节点N4(或第五节点N5)。第五晶体管M5可以连接在第一输出端子1004和第四输入端子1006之间，并且第五晶体管M5的栅极电极可以连接到第二节点N2。第五晶体管M5可以基于被施加到第二节点N2的电压来控制第一输出端子1004和第四输入端子1006之间的连接。输出单元1230可以作为缓冲器而被驱动。根据一些实施例，第四晶体管M4和/或第五晶体管M5可以具有其中多个晶体管并联连接的配置。
第一驱动器1210可以包括第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3。第一驱动器1210可以基于被供应到第二输入端子1002和第三输入端子1003的时钟信号来控制第三节点N3的电压。第一晶体管M1可以连接在第一输入端子1001和第三节点N3之间，并且第一晶体管M1的栅极电极可以连接到第二输入端子1002。第一晶体管M1可以基于被供应到第二输入端子1002的时钟信号来控制第一输入端子1001和第三节点N3之间的连接。在这种情况下，前一级的栅极信号(或栅极起始信号)可以被提供到第一输入端子1001。第二晶体管M2和第三晶体管M3可以串联连接在第三节点N3和第一驱动电源端子VGH之间。第二晶体管M2可以连接在第三晶体管M3和第三节点N3之间，并且第二晶体管M2的栅极电极可以连接到第三输入端子1003。第二晶体管M2可以基于被供应到第三输入端子1003的时钟信号来控制第三晶体管M3和第三节点N3之间的连接。第三晶体管M3可以连接在第二晶体管M2和第一驱动电源端子VGH之间，并且第三晶体管M3的栅极电极可以连接到第一节点N1。第三晶体管M3可以基于第一节点N1的电压来控制第二晶体管M2和第一驱动电源端子VGH之间的连接。根据一些实施例，相同的时钟信号可以被施加到第三输入端子1003和第四输入端子1006。
第二驱动器1220可以包括第六晶体管M6、第七晶体管M7、第一电容器C1和第二电容器C2。第二驱动器1220可以基于第二输入端子1002和第三节点N3的电压来控制第一节点N1的电压。第一电容器C1可以连接在第二节点N2和第四节点N4之间。第一电容器C1可以基于第五晶体管M5的导通和截止而充入电压。第二电容器C2可以连接在第一节点N1和第一驱动电源端子VGH之间。第二电容器C2可以充入被施加到第一节点N1的电压。第六晶体管M6可以连接在第一节点N1和第二输入端子1002之间，并且第六晶体管M6的栅极电极可以连接到第三节点N3。第六晶体管M6可以基于第三节点N3的电压来控制第一节点N1和第二输入端子1002之间的连接。第七晶体管M7可以连接在第一节点N1和第二驱动电源端子VGL之间，并且第七晶体管M7的栅极电极可以连接到第二输入端子1002。第七晶体管M7可以基于第二输入端子1002的时钟信号来控制第一节点N1和第二驱动电源端子VGL之间的连接。
因此，第一信号发生器141可以向第一输出端子1004输出第一栅极信号(例如，图3的第一栅极信号GW或栅极信号)。
第八晶体管M8可以连接在第三驱动电源端子VGH1和第六节点N6之间，并且第八晶体管M8的栅极电极可以连接到第五节点N5。
第九晶体管M9可以连接在第四驱动电源端子VGL1和第六节点N6之间，并且第九晶体管M9的第一栅极电极可以连接到第五节点N5。第九晶体管M9的第二栅极电极可以连接到第九晶体管M9的第一栅极电极，并且可以起到背栅极电极或下栅极电极的作用。
根据一些实施例，第五节点N5可以将第四节点N4连接到第一输出端子1004，并且第八晶体管M8和第九晶体管M9可以基于被施加到第五节点N5的电压(即，与第一栅极信号对应的电压)来控制第三驱动电源端子VGH1和第四驱动电源端子VGL1与第二输出端子1005之间的连接。在这种情况下，第二输出端子1005可以连接到第六节点N6。另外，第八晶体管M8可以是PMOS晶体管，并且第九晶体管M9可以是NMOS晶体管。换句话说，第八晶体管M8和第九晶体管M9可以起到CMOS晶体管的作用。
图1中的第八晶体管M8和第九晶体管M9可以起到如图2中所示的反相器的作用。换句话说，反相器可以将被输出到第一输出端子1004的信号反相。此外，可以向第三驱动电源端子VGH1和第一驱动电源端子VGH提供具有相同电压电平的电压，并且可以向第四驱动电源端子VGL1和第二驱动电源端子VGL提供具有相同电压电平的电压。
因此，第二信号发生器142可以向第二输出端子1005输出第二栅极信号(例如，图3的第二栅极信号GC或反相栅极信号)。如上所述，第一栅极信号和第二栅极信号可以是相对于彼此反相且具有相同的电压电平的信号。
因为根据本公开的一些实施例的栅极驱动器140包括包含反相器的第二信号发生器142，所以与第一栅极信号具有相同的电压电平并且具有相对于第一栅极信号的信号形状被反相的信号形状的第二栅极信号可以与第一栅极信号同时被输出。
图3是示出根据一些实施例的显示装置的框图。
参照图3，显示装置100可以包括包含多个像素PX的显示面板110、控制器150、数据驱动器120、栅极驱动器140、发射驱动器190和电源单元160等。
显示面板110可以包括多条数据线DL、多条第一栅极线GWL、多条第二栅极线GCL、多条发射线EML、多条第一电源电压线ELVDDL、多条第二电源电压线ELVSSL、多条第一初始化电压线VINTL、多条第二初始化电压线VAINTL以及连接到这些线的多个像素PX。
像素PX中的每一者可以包括至少五个像素晶体管、至少一个像素电容器以及发光元件，并且显示面板110可以是发光显示面板。根据一些实施例，显示面板110可以是有机发光显示装置的显示面板。根据一些实施例，显示面板110可以包括无机发光显示装置(ILED)的显示面板、量子点显示装置(QDD)的显示面板、液晶显示装置(LCD)的显示面板、场发射显示装置(FED)的显示面板、等离子体显示装置(PDP)的显示面板或电泳显示装置(EPD)的显示面板。
控制器150(例如，时序控制器(T-CON))可以从外部主机处理器(例如，应用处理器(AP)、图形处理单元(GPU)或图形卡)接收图像数据IMG和输入控制信号CON。图像数据IMG可以是包括红色图像数据(或红色像素数据)、绿色图像数据(或绿色像素数据)和蓝色图像数据(或蓝色像素数据)的RGB图像数据(或RGB像素数据)。另外，图像数据IMG可以包括关于驱动频率的信息。控制信号CON可以包括垂直同步信号、水平同步信号、输入数据使能信号和主时钟信号等，但实施例不限于此。
控制器150可以通过将用于校正图像质量的算法(例如，动态电容补偿(DCC)等)应用于从外部主机处理器供应的图像数据IMG将图像数据IMG转换为输入图像数据IDATA。根据一些实施例，当控制器150不包括用于改善图像质量的算法时，图像数据IMG可以作为输入图像数据IDATA被输出。控制器150可以将输入图像数据IDATA供应到数据驱动器120。
控制器150可以基于输入控制信号CON产生用于控制数据驱动器120的操作的数据控制信号CTLD、用于控制栅极驱动器140的操作的栅极控制信号CTLG以及用于控制发射驱动器190的操作的发射控制信号CTLE。例如，栅极控制信号CTLG可以包括垂直起始信号和栅极时钟信号等，并且数据控制信号CTLD可以包括水平起始信号和数据时钟信号等。
栅极驱动器140可以基于从控制器150接收的栅极控制信号CTLG产生第一栅极信号GW和第二栅极信号GC。栅极驱动器140可以分别向连接到第一栅极线GWL和第二栅极线GCL的像素PX输出第一栅极信号GW和第二栅极信号GC。根据一些实施例，栅极驱动器140可以通过仅使用第一栅极信号GW和第二栅极信号GC提供被提供到像素PX的四个栅极信号。
发射驱动器190可以基于从控制器150接收的发射控制信号CTLE产生发射信号EM。发射驱动器190可以向连接到发射线EML的像素PX输出发射信号EM。
电源单元160可以产生第一初始化电压VINT、第二初始化电压VAINT、第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS，并且可以分别经由第一初始化电压线VINTL、第二初始化电压线VAINTL、第一电源电压线ELVDDL和第二电源电压线ELVSSL向像素PX提供第一初始化电压VINT、第二初始化电压VAINT、第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。
数据驱动器120可以从控制器150接收数据控制信号CTLD和输入图像数据IDATA。数据驱动器120可以通过使用由伽马基准电压发生器产生的伽马基准电压将数字输入图像数据IDATA转换为模拟数据电压。在这种情况下，通过转换得到的模拟数据电压将被定义为数据电压VDATA。数据驱动器120可以基于数据控制信号CTLD向连接到数据线DL的像素PX输出数据电压VDATA。根据一些实施例，数据驱动器120和控制器150可以被实现为单个集成电路，并且这种集成电路可以被称为时序控制器-嵌入式数据驱动器(TED)。
因为根据本公开的一些实施例的显示装置100包括被配置为产生第一栅极信号GW和第二栅极信号GC的栅极驱动器140，所以栅极驱动器140可以通过使用第一栅极信号GW和第二栅极信号GC产生被提供到像素PX的四个栅极信号。因此，因为显示装置100仅包括一个栅极驱动器140，所以显示装置100的无用空间可以相对减少。
图4是示出被包括在图3的显示装置中的像素的电路图，并且图5是用于描述用于驱动图4的像素的信号的时序图。参照图3，例如，像素PX可以布置在被包括在显示装置100中的显示面板110中的第一像素行至第m像素行(其中m是大于或等于2的整数)中，并且图4示出了布置在第一像素行至第m像素行之中的第n像素行中的像素PX[n](其中n是1和m之间的整数)。
参照图4和图5，显示装置100可以包括像素PX[n]，并且像素PX[n]可以包括像素电路PC和有机发光元件OLED(或发光元件)。在这种情况下，像素电路PC可以包括第一像素晶体管TR1、第二像素晶体管TR2、第三像素晶体管TR3、第四像素晶体管TR4、第五像素晶体管TR5、第六像素晶体管TR6和第七像素晶体管TR7以及像素存储电容器CST等。另外，像素电路PC可以连接到第一电源电压线ELVDDL、第二电源电压线ELVSSL、第一初始化电压线VINTL、第二初始化电压线VAINTL、数据线DL、第一栅极线GWL[n-1]和GWL[n]、第二栅极线GCL[n-1]和GCL[n]以及发射线EML[n]等，并且有机发光元件OLED可以连接像素电路PC和第二电源电压线ELVSSL。第一像素晶体管TR1可以与驱动晶体管对应，并且第二像素晶体管TR2、第三像素晶体管TR3、第四像素晶体管TR4、第五像素晶体管TR5、第六像素晶体管TR6和第七像素晶体管TR7可以与开关晶体管对应。第一像素晶体管TR1、第二像素晶体管TR2、第三像素晶体管TR3、第四像素晶体管TR4、第五像素晶体管TR5、第六像素晶体管TR6和第七像素晶体管TR7中的每一者可以包括第一端子、第二端子和栅极端子(例如，在第三像素晶体管TR3和第四像素晶体管TR4中的每一者的情况下的第一栅极端子)。根据一些实施例，第一端子可以是源极端子，并且第二端子可以是漏极端子。根据一些实施例，第一端子可以是漏极端子，并且第二端子可以是源极端子。
根据一些实施例，第一像素晶体管TR1、第二像素晶体管TR2、第五像素晶体管TR5、第六像素晶体管TR6和第七像素晶体管TR7中的每一者可以是PMOS晶体管，并且可以具有包括多晶硅的沟道。另外，第三像素晶体管TR3和第四像素晶体管TR4中的每一者可以是NMOS晶体管，并且可以具有包括金属氧化物半导体的沟道。此外，第三像素晶体管TR3和第四像素晶体管TR4中的每一者还可以包括第二栅极端子(例如，背栅极端子或下栅极端子)。
有机发光元件OLED可以基于驱动电流ID输出光。有机发光元件OLED可以包括第一端子和第二端子。根据一些实施例，有机发光元件OLED的第一端子可以接收第一电源电压ELVDD，并且有机发光元件OLED的第二端子可以接收第二电源电压ELVSS。在这种情况下，可以从电源单元160(参见图3)分别经由第一电源电压线ELVDDL和第二电源电压线ELVSSL提供第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。例如，有机发光元件OLED的第一端子可以是阳极端子，并且有机发光元件OLED的第二端子可以是阴极端子。根据一些实施例，有机发光元件OLED的第一端子可以是阴极端子，并且有机发光元件OLED的第二端子可以是阳极端子。
第一电源电压ELVDD可以被施加到第一像素晶体管TR1的第一端子。第一像素晶体管TR1的第二端子可以连接到有机发光元件OLED的第一端子。第一初始化电压VINT可以被施加到第一像素晶体管TR1的栅极端子。在这种情况下，可以从电源单元160经由第一初始化电压线VINTL提供第一初始化电压VINT。
第一像素晶体管TR1可以产生驱动电流ID。根据一些实施例，第一像素晶体管TR1可以在饱和区中操作。在这种情况下，第一像素晶体管TR1可以基于第一像素晶体管TR1的栅极端子和源极端子之间的电压差产生驱动电流ID。另外，可以基于被供应到有机发光元件OLED的驱动电流ID的大小来表示灰度级。根据一些实施例，第一像素晶体管TR1可以在线性区中操作。在这种情况下，可以基于在一帧内驱动电流被供应到有机发光元件OLED的时间之和来表示灰度级。
第二像素晶体管TR2的栅极端子可以接收第一栅极信号GW[n]。在这种情况下，可以从栅极驱动器140经由第一栅极线GWL[n]提供第一栅极信号GW[n]。第二像素晶体管TR2的第一端子可以接收数据电压VDATA。在这种情况下，可以从数据驱动器120经由数据线DL提供数据电压VDATA。第二像素晶体管TR2的第二端子可以连接到第一像素晶体管TR1的第一端子。如图5中所示，还参照图4，第二像素晶体管TR2可以在第一栅极信号GW[n]的激活周期期间向第一像素晶体管TR1的源极端子供应数据电压VDATA。在这种情况下，第二像素晶体管TR2可以在线性区中操作。
再次参照图4，第三像素晶体管TR3的第一栅极端子可以接收第二栅极信号GC[n]。在这种情况下，可以从栅极驱动器140经由第二栅极线GCL[n]提供第二栅极信号GC[n]。第三像素晶体管TR3的第一端子可以连接到第一像素晶体管TR1的栅极端子。第三像素晶体管TR3的第二端子可以连接到第一像素晶体管TR1的第二端子。换句话说，第三像素晶体管TR3可以连接在第一像素晶体管TR1的栅极端子和第一像素晶体管TR1的第二端子之间。
如图5中所示，还参照图4，第三像素晶体管TR3可以在第二栅极信号GC[n]的激活周期期间将第一像素晶体管TR1的栅极端子连接到第一像素晶体管TR1的第二端子。在这种情况下，第三像素晶体管TR3可以在线性区中操作。也就是说，第三像素晶体管TR3可以在第二栅极信号GC[n]的激活周期期间以二极管方式连接第一像素晶体管TR1。换句话说，第三像素晶体管TR3可以响应于第二栅极信号GC[n]以二极管方式连接第一像素晶体管TR1。因为第一像素晶体管TR1是以二极管方式连接的，所以在第一像素晶体管TR1的第一端子和第一像素晶体管TR1的栅极端子之间可能出现与第一像素晶体管TR1的阈值电压对应的电压差。在这种情况下，阈值电压可以具有负值。结果，在第一栅极信号GW[n]的激活周期期间，通过对被供应到第一像素晶体管TR1的第一端子的数据电压VDATA和电压差(即，阈值电压)求和而得到的电压可以被供应到第一像素晶体管TR1的栅极端子。换句话说，数据电压VDATA可以被第一像素晶体管TR1的阈值电压补偿，并且补偿后的数据电压VDATA可以被供应到第一像素晶体管TR1的栅极端子。
如上所述，第三像素晶体管TR3还可以包括第二栅极端子。第三像素晶体管TR3的第二栅极端子可以连接到第三像素晶体管TR3的第一栅极端子，并且可以接收第二栅极信号GC[n]。
另外，第三像素晶体管TR3可以是NMOS晶体管，并且NMOS晶体管可以相对地减少漏电流。例如，当在第三像素晶体管TR3中产生漏电流时，第一像素晶体管TR1的栅极端子的电压可能增加，并且驱动电流ID可能减小，使得亮度可能降低。因此，当以低频率驱动显示装置100时，为了减少处于高灰度级的第三像素晶体管TR3的漏电流，第三像素晶体管TR3可以被配置为NMOS晶体管。
再次参照图4，第四像素晶体管TR4的第一栅极端子可以接收第二栅极信号GC[n-1]，第二栅极信号GC[n-1]被提供到布置在第一像素行至第m像素行之中的第(n-1)像素行中的像素PX[n-1](参见图6)。在这种情况下，可以从栅极驱动器140经由第二栅极线GCL[n-1]提供被提供到布置在第(n-1)行中的像素PX[n-1]的第二栅极信号GC[n-1]。第四像素晶体管TR4的第一端子可以接收第一初始化电压VINT。第四像素晶体管TR4的第二端子可以连接到第一像素晶体管TR1的栅极端子(或第三像素晶体管TR3的第一端子)。
如图5中所示，还参照图4，第四像素晶体管TR4可以在被提供到布置在第(n-1)行中的像素PX[n-1]的第二栅极信号GC[n-1]的激活周期期间向第一像素晶体管TR1的栅极端子供应第一初始化电压VINT。在这种情况下，第四像素晶体管TR4可以在线性区中操作。换句话说，第四像素晶体管TR4可以在被提供到布置在第(n-1)行中的像素PX[n-1]的第二栅极信号GC[n-1]的激活周期期间将第一像素晶体管TR1的栅极端子初始化为第一初始化电压VINT。根据一些实施例，第一初始化电压VINT可以具有充分低于在前一帧中通过像素存储电容器CST保持的数据电压VDATA的电压电平的电压电平，并且第一初始化电压VINT可以被供应到第一像素晶体管TR1的栅极端子。根据一些实施例，第一初始化电压VINT可以具有充分高于在前一帧中通过像素存储电容器CST保持的数据电压VDATA的电压电平的电压电平，并且第一初始化电压VINT可以被供应到第一像素晶体管TR1的栅极端子。
如上所述，第四像素晶体管TR4还可以包括第二栅极端子。第四像素晶体管TR4的第二栅极端子可以连接到第四像素晶体管TR4的第一栅极端子，并且可以接收被提供到布置在第(n-1)行中的像素PX[n-1]的第二栅极信号GC[n-1]。
另外，第四像素晶体管TR4可以是NMOS晶体管，并且NMOS晶体管可以相对地减少漏电流。例如，当在第四像素晶体管TR4中产生漏电流时，第一像素晶体管TR1的栅极端子的电压可能增加，并且驱动电流ID可能减小，使得亮度可能降低。因此，当以低频率驱动显示装置100时，为了减少处于高灰度级的第四像素晶体管TR4的漏电流，第四像素晶体管TR4可以被配置为NMOS晶体管。
再次参照图4，第五像素晶体管TR5的栅极端子可以接收发射信号EM[n]。在这种情况下，可以从发射驱动器190经由发射线EML[n]提供发射信号EM[n]。第五像素晶体管TR5的第一端子可以接收第一电源电压ELVDD。第五像素晶体管TR5的第二端子可以连接到第一像素晶体管TR1的第一端子。
如图5中所示，还参照图4，第五像素晶体管TR5可以在发射信号EM[n]的激活周期期间向第一像素晶体管TR1的第一端子供应第一电源电压ELVDD。相反，第五像素晶体管TR5可以在发射信号EM[n]的非激活周期期间切断第一电源电压ELVDD的供应。在这种情况下，第五像素晶体管TR5可以在线性区中操作。因为第五像素晶体管TR5在发射信号EM[n]的激活周期期间向第一像素晶体管TR1的第一端子供应第一电源电压ELVDD，所以第一像素晶体管TR1可以产生驱动电流ID。另外，因为第五像素晶体管TR5在发射信号EM[n]的非激活周期期间切断第一电源电压ELVDD的供应，所以被供应到第一像素晶体管TR1的第一端子的数据电压VDATA可以被供应到第一像素晶体管TR1的栅极端子。
再次参照图4，第六像素晶体管TR6的栅极端子可以接收发射信号EM[n]。第六像素晶体管TR6的第一端子可以连接到第一像素晶体管TR1的第二端子。第六像素晶体管TR6的第二端子可以连接到有机发光元件OLED的第一端子。
如图5中所示，第六像素晶体管TR6可以在发射信号EM[n]的激活周期期间向有机发光元件OLED供应由第一像素晶体管TR1产生的驱动电流ID。在这种情况下，第六像素晶体管TR6可以在线性区中操作。换句话说，因为第六像素晶体管TR6在发射信号EM[n]的激活周期期间向有机发光元件OLED供应由第一像素晶体管TR1产生的驱动电流ID，所以有机发光元件OLED可以输出光。另外，因为第六像素晶体管TR6在发射信号EM[n]的非激活周期期间将第一像素晶体管TR1和有机发光元件OLED彼此电隔离，所以被供应到第一像素晶体管TR1的第一端子的数据电压VDATA可以被供应到第一像素晶体管TR1的栅极端子。
再次参照图4，第七像素晶体管TR7的栅极端子可以接收被提供到布置在第一像素行至第m像素行之中的第(n-1)像素行中的像素PX[n-1]的第一栅极信号GW[n-1]。在这种情况下，可以从栅极驱动器140经由第一栅极线GWL[n-1]提供第一栅极信号GW[n-1]。第七像素晶体管TR7的第一端子可以接收第二初始化电压VAINT。第七像素晶体管TR7的第二端子可以连接到有机发光元件OLED的第一端子。
如图5中所示，还参照图4，第七像素晶体管TR7可以在被提供到布置在第(n-1)行中的像素PX[n-1]的第一栅极信号GW[n-1]的激活周期期间向有机发光元件OLED的第一端子供应第二初始化电压VAINT。在这种情况下，第七像素晶体管TR7可以在线性区中操作。换句话说，第七像素晶体管TR7可以在被提供到布置在第(n-1)行中的像素PX[n-1]的第一栅极信号GW[n-1]的激活周期期间将有机发光元件OLED的第一端子初始化为第二初始化电压VAINT。根据一些实施例，替代被提供到布置在第(n-1)行中的像素PX[n-1]的第一栅极信号GW[n-1]，被提供到布置在第一像素行至第m像素行之中的第(n+1)像素行中的像素的第一栅极信号可以被提供到第七像素晶体管TR7的栅极端子。
再次参照图4，像素存储电容器CST可以连接在第一电源电压线ELVDDL和第一像素晶体管TR1的栅极端子之间。像素存储电容器CST可以包括第一端子和第二端子。例如，像素存储电容器CST的第一端子可以接收第一电源电压ELVDD，并且像素存储电容器CST的第二端子可以连接到第一像素晶体管TR1的栅极端子。
如图5中所示，还参照图4，像素存储电容器CST可以在第一栅极信号GW[n]的非激活周期期间保持第一像素晶体管TR1的栅极端子的电压电平。第一栅极信号GW[n]的非激活周期可以包括发射信号EM[n]的激活周期，并且由第一像素晶体管TR1产生的驱动电流ID可以在发射信号EM[n]的激活周期期间被供应到有机发光元件OLED。因此，由第一像素晶体管TR1产生的驱动电流ID可以基于由像素存储电容器CST保持的电压电平被供应到有机发光元件OLED。
根据一些实施例，第一栅极信号GW[n]和第二栅极信号GC[n]可以是相对于彼此反相且具有相同的电压电平的信号。另外，被提供到布置在第(n-1)行中的像素PX[n-1]的第一栅极信号GW[n-1]和被提供到布置在第(n-1)行中的像素PX[n-1]的第二栅极信号GC[n-1]可以是相对于彼此反相且具有相同的电压电平的信号。
然而，尽管根据本公开的像素电路PC已经被描述为包括一个驱动晶体管、六个开关晶体管和一个存储电容器，但本公开的配置不限于此。例如，像素电路PC可以具有包括至少一个驱动晶体管、至少四个开关晶体管和至少一个存储电容器的配置。
另外，尽管根据本公开的被包括在像素PX(参见图3)中的发光元件已经被描述为包括有机发光元件OLED，但本公开的配置不限于此。例如，发光元件可以包括量子点(QD)发光元件和无机发光二极管等。
图6是用于描述图3中的栅极驱动器和像素的框图。参照图3，例如，显示面板110可以包括布置像素PX的第一像素行至第m像素行(其中m是大于或等于2的整数)。图6示出了连接到布置在第一像素行至第m像素行之中的第(n-1)像素行和第n像素行(其中n是1和m之间的整数)中的像素PX[n-1]和PX[n]的第一信号发生器141_n-1和141_n以及第二信号发生器142_n-1和142_n。
参照图2和图6，栅极驱动器140可以包括多个第一信号发生器141和多个第二信号发生器142。
第一信号发生器141之中的第一信号发生器141_n-1和第二信号发生器142之中的第二信号发生器142_n-1可以连接到布置在第(n-1)像素行中的像素PX[n-1]。
基于时钟信号CLK，从连接到布置在第(n-2)像素行中的像素的第一信号发生器产生的第一栅极信号GW[n-2]可以经由第一栅极线GWL[n-2]被提供到第一信号发生器141_n-1的输入端子IN，并且第一栅极信号GW[n-1]可以被输出到第一信号发生器141_n-1的输出端子OUT。从第一信号发生器141_n-1产生的第一栅极信号GW[n-1]可以经由第一栅极线GWL[n-1]被提供到像素PX[n-1]、像素PX[n]和第一信号发生器141_n。
另外，从第一信号发生器141_n-1输出的第一栅极信号GW[n-1]可以被提供到第二信号发生器142_n-1，并且被提供到第二信号发生器142_n-1的第一栅极信号GW[n-1]可以经由第二信号发生器142_n-1被转换为第二栅极信号GC[n-1]。从第二信号发生器142_n-1输出的第二栅极信号GC[n-1]可以经由第二栅极线GCL[n-1]被提供到像素PX[n-1]和像素PX[n]。
此外，从连接到布置在第(n-2)像素行中的像素的第一信号发生器产生的第一栅极信号GW[n-2]可以经由第一栅极线GWL[n-2]被提供到像素PX[n-1]，并且从连接到布置在第(n-2)像素行中的像素的第二信号发生器产生的第二栅极信号GC[n-2]可以经由第二栅极线GCL[n-2]被提供到像素PX[n-1]。
第一信号发生器141之中的第一信号发生器141_n和第二信号发生器142之中的第二信号发生器142_n可以连接到布置在第n像素行中的像素PX[n]。
基于时钟信号CLK，从第一信号发生器141_n-1产生的第一栅极信号GW[n-1]可以经由第一栅极线GWL[n-1]被提供到第一信号发生器141_n的输入端子IN，并且第一栅极信号GW[n]可以被输出到第一信号发生器141_n的输出端子OUT。从第一信号发生器141_n产生的第一栅极信号GW[n]可以经由第一栅极线GWL[n]被提供到像素PX[n]、布置在第(n+1)像素行中的像素和连接到布置在第(n+1)像素行中的像素的第一信号发生器。
另外，从第一信号发生器141_n输出的第一栅极信号GW[n]可以被提供到第二信号发生器142_n，并且被提供到第二信号发生器142_n的第一栅极信号GW[n]可以经由第二信号发生器142_n被转换为第二栅极信号GC[n]。从第二信号发生器142_n输出的第二栅极信号GC[n]可以经由第二栅极线GCL[n]被提供到像素PX[n]和布置在第(n+1)像素行中的像素。
此外，如上所述，从第一信号发生器141_n-1产生的第一栅极信号GW[n-1]可以经由第一栅极线GWL[n-1]被提供到像素PX[n]，并且从第二信号发生器142_n-1产生的第二栅极信号GC[n-1]可以经由第二栅极线GCL[n-1]被提供到像素PX[n]。
根据被包括在传统显示装置中的像素电路，四个栅极信号可以被提供以驱动被包括在像素电路中的像素晶体管。为了产生四个栅极信号，传统显示装置可以包括至少两个栅极驱动器。在这种情况下，因为传统显示装置具有相对大数量的栅极驱动器和连接到栅极驱动器的布线，所以传统显示装置的无用空间可能相对增加。
参照图3，因为根据本公开的一些实施例的显示装置100包括被配置为产生第一栅极信号GW和第二栅极信号GC的栅极驱动器140，所以栅极驱动器140可以通过仅使用第一栅极信号GW和第二栅极信号GC提供被提供到像素PX的四个栅极信号。因此，栅极驱动器140的尺寸可以相对减小，并且显示装置100的无用空间可以减少。
参照图2和图3，因为根据本公开的一些实施例的显示装置100包括栅极驱动器140，栅极驱动器140包括被配置为产生第一栅极信号GW的第一信号发生器141和被配置为产生第二栅极信号GC的第二信号发生器142，所以被提供到像素PX的四个栅极信号可以仅由一个栅极驱动器140产生。因此，因为显示装置100仅包括一个栅极驱动器140，所以显示装置100的无用空间可以减少。
图7是示出根据一些实施例的栅极驱动器的电路图。除了第五晶体管M5之外，图7中示出的栅极驱动器145可以具有与参照图1描述的栅极驱动器140的配置基本相同或相似的配置。在图7中，将省略对与参照图1描述的组件基本相同或相似的组件的冗余描述。
参照图7，栅极驱动器145可以包括第一信号发生器141和第二信号发生器142。在这种情况下，第一信号发生器141可以包括第一驱动器1210、第二驱动器1220和输出单元1230。另外，第二信号发生器142可以包括第八晶体管M8和第九晶体管M9。
输出单元1230可以包括第四晶体管M4和第五晶体管M5。输出单元1230可以基于第一节点N1的电压来控制被供应到第一输出端子1004的电压。第四晶体管M4可以连接在第一驱动电源端子VGH和第四节点N4之间，并且第四晶体管M4的栅极电极可以连接到第一节点N1。第四晶体管M4可以基于被施加到第一节点N1的电压来控制第一驱动电源端子VGH和第一输出端子1004之间的连接。在这种情况下，第一输出端子1004可以连接到第四节点N4(或第五节点N5)。第五晶体管M5可以连接在第一输出端子1004和第四输入端子1006之间，并且第五晶体管M5的栅极电极可以连接到第一节点N1。第五晶体管M5可以基于被施加到第一节点N1的电压来控制第一输出端子1004和第四输入端子1006之间的连接。根据一些实施例，第四晶体管M4可以是PMOS晶体管，并且第五晶体管M5可以是NMOS晶体管。
第二驱动器1220可以包括第六晶体管M6、第七晶体管M7和第二电容器C2。第二驱动器1220可以基于第二输入端子1002和第三节点N3的电压来控制第一节点N1的电压。第二电容器C2可以连接在第一节点N1和第一驱动电源端子VGH之间。第二电容器C2可以充入被施加到第一节点N1的电压。第六晶体管M6可以连接在第一节点N1和第二输入端子1002之间，并且第六晶体管M6的栅极电极可以连接到第三节点N3。第六晶体管M6可以基于第三节点N3的电压来控制第一节点N1和第二输入端子1002之间的连接。第七晶体管M7可以连接在第一节点N1和第二驱动电源端子VGL之间，并且第七晶体管M7的栅极电极可以连接到第二输入端子1002。第七晶体管M7可以基于第二输入端子1002的时钟信号来控制第一节点N1和第二驱动电源端子VGL之间的连接。
根据一些实施例，当与图1的栅极驱动器140相比时，因为图7的栅极驱动器145包括被配置为NMOS晶体管的第五晶体管M5，所以栅极驱动器145可以不包括图1的第一电容器C1(例如，升压电容器)。
因为根据本公开的一些实施例的栅极驱动器145不包括升压电容器(即，图1中的第一电容器C1)，所以栅极驱动器145的功耗可以相对降低。
图8是示出根据一些实施例的显示装置的平面图。
参照图8，显示装置1000可以包括显示区域10和外围区域20。多个像素结构600可以位于显示区域10中，并且焊盘电极470、栅极驱动器、数据驱动器、发射驱动器和布线等可以位于外围区域20中。
可以经由像素结构600在显示区域10中显示图像，并且驱动信号可以经由焊盘电极470被提供到像素结构600。
然而，尽管根据本公开的显示区域10、外围区域20和像素结构600中的每一者已经被描述为当在平面图中观看时具有矩形形状，但形状不限于此。例如，显示区域10、外围区域20和像素结构600中的每一者当在平面图中观看时可以具有三角形形状、菱形形状、其它多边形形状、圆形形状、轨道形状或椭圆形形状。
图9是沿着图8的线I-I'截取的截面图。
参照图9，显示装置1000可以包括基底510、缓冲层515、第一像素开关元件650、第二像素开关元件655、第一开关元件950、第二开关元件955、第一电极图案580、第二电极图案880、第一栅极绝缘层550、第一层间绝缘层590、第二层间绝缘层595、第二栅极绝缘层555、保护绝缘层560、第一平坦化层670、第二平坦化层675、连接电极680、像素结构600和像素限定层710等。
在这种情况下，第一像素开关元件650可以包括第一有源层530、第一栅极电极570、第一源极电极610和第一漏极电极630，并且第二像素开关元件655可以包括第一下栅极电极620、第二有源层535、第二栅极电极575、第二源极电极615和第二漏极电极635。另外，第一开关元件950可以包括第三有源层830、第三栅极电极870、第三源极电极910和第三漏极电极930，并且第二开关元件955可以包括第二下栅极电极920、第四有源层835、第四栅极电极875、第四源极电极915和第四漏极电极935。此外，像素结构600可以包括下电极690、发光层730和上电极740。
可以提供包括透明或不透明材料的基底510。基底510可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂石英基底(F掺杂石英基底)、钠钙玻璃基底和无碱玻璃基底等。根据一些实施例，基底510可以被配置为具有柔性的透明树脂基底。可以被用作基底510的透明树脂基底的示例可以包括聚酰亚胺基底。在这种情况下，聚酰亚胺基底可以具有包括第一聚酰亚胺层、屏障膜层和第二聚酰亚胺层等的堆叠结构。
因为显示装置1000包括显示区域10和外围区域20，所以基底510也可以被分为显示区域10和外围区域20。
缓冲层515可以位于基底510上。换句话说，缓冲层515可以布置在整个基底510上方。缓冲层515可以防止或减少金属原子或杂质从基底510扩散到第一像素开关元件650和第一开关元件950的情况，并且可以在用于形成第一有源层530和第三有源层830的结晶过程中控制传热速率，以获得基本均匀的第一有源层530和第三有源层830。另外，当基底510的表面不均匀时，缓冲层515可以用于改善基底510的表面的平坦度。依据基底510的类型，可以在基底510上提供至少两个缓冲层515，或者可以不提供缓冲层515。缓冲层515可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
第一有源层530可以在缓冲层515上位于显示区域10中，并且第三有源层830可以在缓冲层515上位于外围区域20中。第一有源层530和第三有源层830中的每一者可以包括金属氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅或多晶硅)或有机半导体等。根据一些实施例，第一有源层530和第三有源层830中的每一者可以包括多晶硅。第一有源层530和第三有源层830中的每一者可以具有源极区、漏极区和位于源极区和漏极区之间的沟道区。
第一栅极绝缘层550可以位于缓冲层515、第一有源层530和第三有源层830上。换句话说，第一栅极绝缘层550可以布置在整个缓冲层515上方。第一栅极绝缘层550可以以均匀的厚度沿着第一有源层530和第三有源层830的轮廓布置，以在缓冲层515上覆盖第一有源层530和第三有源层830。根据一些实施例，第一栅极绝缘层550可以在缓冲层515上充分覆盖第一有源层530和第三有源层830，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不在第一有源层530和第三有源层830的周围产生台阶。
第一栅极绝缘层550可以包括硅化合物和金属氧化物等。例如，第一栅极绝缘层550可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)和氧化钛(TiOx)等。根据一些实施例，第一栅极绝缘层550可以具有包括多个绝缘层的多层结构。这些绝缘层可以具有相互不同的材料和相互不同的厚度。
第一栅极电极570可以在第一栅极绝缘层550上位于显示区域10中，并且第三栅极电极870可以在第一栅极绝缘层550上位于外围区域20中。换句话说，第一栅极电极570可以布置在第一栅极绝缘层550的一部分(第一有源层530位于该部分下面)上，以与第一有源层530的沟道区重叠，并且第三栅极电极870可以布置在第一栅极绝缘层550的一部分(第三有源层830位于该部分下面)上，以与第三有源层830的沟道区重叠。第一栅极电极570和第三栅极电极870中的每一者可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。根据一些实施例，第一栅极电极570和第三栅极电极870中的每一者可以具有包括多个金属层的多层结构。这些金属层可以具有相互不同的材料和相互不同的厚度。
第二下栅极电极920可以在第一栅极绝缘层550上位于外围区域20中，同时与第三栅极电极870间隔开。换句话说，第二下栅极电极920可以位于第一栅极绝缘层550的一部分(第四有源层835位于该部分上)上，以与第四有源层835重叠。
根据一些实施例，第二下栅极电极920可以与第一栅极电极570和第三栅极电极870位于同一层上，并且可以与第一栅极电极570和第三栅极电极870包括相同的材料。例如，第二下栅极电极920可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化铬(CrNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SrRuxOy)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)和氧化铟锌(IZO)等。
根据一些实施例，第二下栅极电极920可以起到第二开关元件955的背栅极的作用，并且可以起到被配置为阻挡外部光穿透到第四有源层835中的光阻挡层的作用。另外，第二下栅极电极920可以电连接到第四栅极电极875。
第一层间绝缘层590可以位于第一栅极绝缘层550、第一栅极电极570和第三栅极电极870以及第二下栅极电极920上。换句话说，第一层间绝缘层590可以布置在整个第一栅极绝缘层550上方。第一层间绝缘层590可以以均匀的厚度沿着第一栅极电极570和第三栅极电极870以及第二下栅极电极920的轮廓布置，以在第一栅极绝缘层550上覆盖第一栅极电极570和第三栅极电极870以及第二下栅极电极920。
根据一些实施例，第一层间绝缘层590可以在第一栅极绝缘层550上充分覆盖第一栅极电极570和第三栅极电极870以及第二下栅极电极920，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不在第一栅极电极570和第三栅极电极870以及第二下栅极电极920的周围产生台阶。第一层间绝缘层590可以包括硅化合物和金属氧化物等。根据一些实施例，第一层间绝缘层590可以具有包括多个绝缘层的多层结构。这些绝缘层可以具有相互不同的材料和相互不同的厚度。
第一电极图案580可以在第一层间绝缘层590上位于显示区域10中，并且第二电极图案880可以在第一层间绝缘层590上位于外围区域20中。换句话说，第一电极图案580可以位于第一层间绝缘层590上以与第一栅极电极570重叠，并且第二电极图案880可以位于第一层间绝缘层590上以与第三栅极电极870重叠。第一电极图案580可以与第一栅极电极570一起起到电容器的作用，并且第二电极图案880可以与第三栅极电极870一起起到电容器的作用。
第一电极图案580和第二电极图案880中的每一者可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。根据一些实施例，第一电极图案580和第二电极图案880中的每一者可以具有包括多个金属层的多层结构。这些金属层可以具有相互不同的材料和相互不同的厚度。
第一下栅极电极620可以在第一层间绝缘层590上位于显示区域10中，同时与第一电极图案580间隔开。换句话说，第一下栅极电极620可以位于第一层间绝缘层590的一部分(第二有源层535位于该部分上方)上，以与第二有源层535重叠。根据一些实施例，第一下栅极电极620可以与第一电极图案580和第二电极图案880位于同一层上，并且可以与第一电极图案580和第二电极图案880包括相同的材料。另外，第一下栅极电极620可以起到第二像素开关元件655的背栅极的作用，并且可以起到被配置为阻挡外部光穿透到第二有源层535中的光阻挡层的作用。此外，第一下栅极电极620可以电连接到第二栅极电极575。
第二层间绝缘层595可以位于第一层间绝缘层590、第一电极图案580和第二电极图案880以及第一下栅极电极620上。换句话说，第二层间绝缘层595可以布置在整个第一层间绝缘层590上方。第二层间绝缘层595可以以均匀的厚度沿着第一电极图案580和第二电极图案880以及第一下栅极电极620的轮廓布置，以在第一层间绝缘层590上覆盖第一电极图案580和第二电极图案880以及第一下栅极电极620。
根据一些实施例，第二层间绝缘层595可以在第一层间绝缘层590上充分覆盖第一电极图案580和第二电极图案880以及第一下栅极电极620，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不在第一电极图案580和第二电极图案880以及第一下栅极电极620的周围产生台阶。第二层间绝缘层595可以包括硅化合物和金属氧化物等。根据一些实施例，第二层间绝缘层595可以具有包括多个绝缘层的多层结构。这些绝缘层可以具有相互不同的材料和相互不同的厚度。
第二有源层535可以在第二层间绝缘层595上位于显示区域10中，并且第四有源层835可以在第二层间绝缘层595上位于外围区域20中。换句话说，第二有源层535可以位于第二层间绝缘层595上以与第一下栅极电极620重叠，并且第四有源层835可以位于第二层间绝缘层595上以与第二下栅极电极920重叠。第二有源层535和第四有源层835中的每一者可以包括金属氧化物半导体、无机半导体或有机半导体等。
根据一些实施例，第二有源层535和第四有源层835中的每一者可以包括金属氧化物半导体。换句话说，第二有源层535和第四有源层835中的每一者可以是金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层包括包含铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)和镁(Mg)等的二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)和四元化合物(ABxCyDz)等。例如，第二有源层535和第四有源层835中的每一者可以包括氧化锌(ZnOx)、氧化镓(GaOx)、氧化钛(TiOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌镁(ZMO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌锆(ZnZrxOy)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓铪(IGHO)、氧化锡铝锌(TAZO)和氧化铟镓锡(IGTO)等。第二有源层535和第四有源层835中的每一者可以具有源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区。
第二栅极绝缘层555可以位于第二层间绝缘层595以及第二有源层535和第四有源层835上。换句话说，第二栅极绝缘层555可以布置在整个第二层间绝缘层595上方。第二栅极绝缘层555可以以均匀的厚度沿着第二有源层535和第四有源层835的轮廓布置，以在第二层间绝缘层595上覆盖第二有源层535和第四有源层835。
根据一些实施例，第二栅极绝缘层555可以在第二层间绝缘层595上充分覆盖第二有源层535和第四有源层835，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不在第二有源层535和第四有源层835的周围产生台阶。第二栅极绝缘层555可以包括硅化合物和金属氧化物等。根据一些实施例，第一栅极绝缘层550可以具有包括多个绝缘层的多层结构。这些绝缘层可以具有相互不同的材料和相互不同的厚度。
第二栅极电极575可以在第二栅极绝缘层555上位于显示区域10中，并且第四栅极电极875可以在第二栅极绝缘层555上位于外围区域20中。换句话说，第二栅极电极575可以位于第二栅极绝缘层555的一部分(第二有源层535位于该部分下面)上，以与第二有源层535的沟道区重叠，并且第四栅极电极875可以位于第二栅极绝缘层555的一部分(第四有源层835位于该部分下面)上，以与第四有源层835的沟道区重叠。第二栅极电极575和第四栅极电极875中的每一者可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或者彼此组合使用。
根据一些实施例，第二栅极电极575和第四栅极电极875中的每一者可以具有包括多个金属层的多层结构。这些金属层可以具有相互不同的材料和相互不同的厚度。
保护绝缘层560可以位于第二栅极绝缘层555以及第二栅极电极575和第四栅极电极875上。换句话说，保护绝缘层560可以布置在整个第二栅极绝缘层555上方。保护绝缘层560可以在第二栅极绝缘层555上充分覆盖第二栅极电极575和第四栅极电极875，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不在第二栅极电极575和第四栅极电极875的周围产生台阶。
根据一些实施例，保护绝缘层560可以以均匀的厚度沿着第二栅极电极575和第四栅极电极875的轮廓布置，以在第二栅极绝缘层555上覆盖第二栅极电极575和第四栅极电极875。保护绝缘层560可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。根据一些实施例，保护绝缘层560可以具有包括多个绝缘层的多层结构。这些绝缘层可以具有相互不同的材料和相互不同的厚度。
第一源极电极610、第一漏极电极630、第二源极电极615和第二漏极电极635可以在保护绝缘层560上位于显示区域10中，并且第三源极电极910、第三漏极电极930、第四源极电极915和第四漏极电极935可以在保护绝缘层560上位于外围区域20中。
第一源极电极610可以贯穿第一栅极绝缘层550、第一层间绝缘层590、第二层间绝缘层595、第二栅极绝缘层555和保护绝缘层560的第一部分，以连接到第一有源层530的源极区，并且第一漏极电极630可以贯穿第一栅极绝缘层550、第一层间绝缘层590、第二层间绝缘层595、第二栅极绝缘层555和保护绝缘层560的第二部分，以连接到第一有源层530的漏极区。
第三源极电极910可以贯穿第一栅极绝缘层550、第一层间绝缘层590、第二层间绝缘层595、第二栅极绝缘层555和保护绝缘层560的第三部分，以连接到第三有源层830的源极区，并且第三漏极电极930可以贯穿第一栅极绝缘层550、第一层间绝缘层590、第二层间绝缘层595、第二栅极绝缘层555和保护绝缘层560的第四部分，以连接到第三有源层830的漏极区。
第二源极电极615可以贯穿第二栅极绝缘层555和保护绝缘层560的第一部分，以连接到第二有源层535的源极区，并且第二漏极电极635可以贯穿第二栅极绝缘层555和保护绝缘层560的第二部分，以连接到第二有源层535的漏极区。
第四源极电极915可以贯穿第二栅极绝缘层555和保护绝缘层560的第三部分，以连接到第四有源层835的源极区，并且第四漏极电极935可以贯穿第二栅极绝缘层555和保护绝缘层560的第四部分，以连接到第四有源层835的漏极区。
因此，可以提供包括第一有源层530、第一栅极电极570、第一源极电极610和第一漏极电极630的第一像素开关元件650，并且可以提供包括第一下栅极电极620、第二有源层535、第二栅极电极575、第二源极电极615和第二漏极电极635的第二像素开关元件655。根据一些实施例，第一像素开关元件650可以是图4的第一像素晶体管TR1、第二像素晶体管TR2、第五像素晶体管TR5、第六像素晶体管TR6和第七像素晶体管TR7中的一者，并且第二像素开关元件655可以是图4的第三像素晶体管TR3和第四像素晶体管TR4中的一者。
另外，可以提供包括第三有源层830、第三栅极电极870、第三源极电极910和第三漏极电极930的第一开关元件950，并且可以提供包括第二下栅极电极920、第四有源层835、第四栅极电极875、第四源极电极915和第四漏极电极935的第二开关元件955。根据一些实施例，第一开关元件950可以是图1的第八晶体管M8，并且第二开关元件955可以是图1的第九晶体管M9。
然而，尽管显示装置1000(参见图8)已经被描述为在显示区域10中包括两个晶体管和一个电容器并且在外围区域20中包括两个晶体管和一个电容器，但本公开的配置不限于此。例如，显示装置1000可以在显示区域10和外围区域20中包括至少四个晶体管和至少一个电容器。
参照图1和图9，在包括第八晶体管M8和第九晶体管M9的第二信号发生器142中可能出现短路电流。例如，当第五节点N5的电压等于第四驱动电源端子VGL1的电压时，栅极-源极电压(Vgs)可能是0伏，并且可能出现从第三驱动电源端子VGH1流向第四驱动电源端子VGL1的短路电流。为了防止或减少短路电流的情况，使第九晶体管M9(其为NMOS晶体管)的阈值电压偏移是有必要的。
根据一些实施例，为了使第二开关元件955的阈值电压偏移，第二下栅极电极920可以与第四有源层835间隔开相对远。换句话说，被配置为起到背栅极的作用的第一下栅极电极620和被配置为起到背栅极的作用的第二下栅极电极920可以布置在相互不同的层上。根据一些实施例，第二下栅极电极920可以通过与第一有源层530和第三有源层830使用相同的材料而与第一有源层530和第三有源层830布置在同一层上，或者可以位于缓冲层515和基底510之间。
第一平坦化层670可以位于保护绝缘层560、第一源极电极610、第二源极电极615、第三源极电极910和第四源极电极915以及第一漏极电极630、第二漏极电极635、第三漏极电极930和第四漏极电极935上。换句话说，第一平坦化层670可以布置在整个保护绝缘层560上方。第一平坦化层670可以具有相对厚的厚度，并且可以具有基本平坦的顶表面。第一平坦化层670可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。根据一些实施例，第一平坦化层670可以包括有机绝缘材料。例如，第一平坦化层670可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂、硅氧烷基树脂、丙烯酸基树脂和环氧基树脂等。
连接电极680可以在第一平坦化层670上位于显示区域10中。连接电极680可以贯穿第一平坦化层670的一部分，以连接到第一漏极电极630。连接电极680可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。根据一些实施例，连接电极680可以具有包括多个金属层的多层结构。这些金属层可以具有相互不同的材料和相互不同的厚度。
第二平坦化层675可以位于第一平坦化层670和连接电极680上。换句话说，第二平坦化层675可以布置在整个第一平坦化层670上方。第二平坦化层675可以具有相对厚的厚度，并且可以具有基本平坦的顶表面。第二平坦化层675可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。根据一些实施例，第二平坦化层675可以包括有机绝缘材料。
下电极690可以位于第二平坦化层675上。下电极690可以贯穿第二平坦化层675的一部分，以连接到连接电极680，并且下电极690可以电连接到第一像素开关元件650。下电极690可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。根据一些实施例，下电极690可以具有包括多个金属层的多层结构。这些金属层可以具有相互不同的材料和相互不同的厚度。
像素限定层710可以位于第二平坦化层675以及下电极690的一部分上。换句话说，像素限定层710可以暴露下电极690的一部分。像素限定层710可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。根据一些实施例，像素限定层710可以包括有机绝缘材料。
发光层730可以位于下电极690上。发光层730可以具有包括有机发光层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等的多层结构。发光层730的有机发光层可以通过使用用于根据子像素发射不同颜色的光(即，红光、绿光、蓝光等)的发光材料中的至少一种来形成。可替代地，发光层730的有机发光层可以通过堆叠用于产生不同颜色的光(诸如红光、绿光和蓝光)的多种发光材料来形成以在整体上发射白光。在这种情况下，滤色器可以位于发光层730(发光层730位于下电极690上)上。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一者。根据一些实施例，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以包括感光树脂或彩色光致抗蚀剂。
上电极740可以位于发光层730上。上电极740可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。根据一些实施例，上电极740可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，这些金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
因此，可以提供包括下电极690、发光层730和上电极740的像素结构600，并且可以提供显示装置1000(参见图8)，显示装置1000包括基底510、缓冲层515、第一像素开关元件650、第二像素开关元件655、第一开关元件950、第二开关元件955、第一电极图案580、第二电极图案880、第一栅极绝缘层550、第一层间绝缘层590、第二层间绝缘层595、第二栅极绝缘层555、保护绝缘层560、第一平坦化层670、第二平坦化层675、连接电极680、像素结构600和像素限定层710。
因为根据本公开的一些实施例的显示装置1000包括与第四有源层835间隔开相对远的第二下栅极电极920，所以第二开关元件955的阈值电压可以被偏移。因此，可以防止或减少在第一开关元件950和第二开关元件955中出现的短路电流的情况。
图10是示出根据一些实施例的栅极驱动器的电路图。除了第五驱动电源端子VGL2之外，图10中示出的栅极驱动器147可以具有与参照图1描述的栅极驱动器140的配置基本相同或相似的配置。在图10中，将省略对与参照图1描述的组件基本相同或相似的组件的冗余描述。
参照图10，栅极驱动器147可以包括第一信号发生器141和第二信号发生器142。在这种情况下，第一信号发生器141可以包括第一驱动器1210、第二驱动器1220和输出单元1230。另外，第二信号发生器142可以包括第八晶体管M8和第九晶体管M9。
第八晶体管M8可以连接在第三驱动电源端子VGH1和第六节点N6之间，并且第八晶体管M8的栅极电极可以连接到第五节点N5。
第九晶体管M9可以连接在第五驱动电源端子VGL2和第六节点N6之间，并且第九晶体管M9的第一栅极电极可以连接到第五节点N5。第九晶体管M9的第二栅极电极可以连接到第九晶体管M9的第一栅极电极，并且可以起到背栅极电极或下栅极电极的作用。
根据一些实施例，第八晶体管M8和第九晶体管M9可以基于被施加到第五节点N5的电压来控制第三驱动电源端子VGH1和第五驱动电源端子VGL2与第二输出端子1005之间的连接。在这种情况下，第二输出端子1005可以连接到第六节点N6。另外，第八晶体管M8可以是PMOS晶体管，并且第九晶体管M9可以是NMOS晶体管。换句话说，第八晶体管M8和第九晶体管M9可以起到CMOS晶体管的作用。此外，可以向第三驱动电源端子VGH1和第一驱动电源端子VGH提供具有相同电压电平的电压，并且可以向第五驱动电源端子VGL2和第二驱动电源端子VGL提供具有相互不同的电压电平的电压。例如，可以向第一驱动电源端子VGH和第三驱动电源端子VGH1提供大约8伏的电压，可以向第二驱动电源端子VGL提供大约-8伏的电压，并且可以向第五驱动电源端子VGL2提供-7伏的电压。在这种情况下，被施加到第五节点N5的电压可以与第五驱动电源端子VGL2的电压不同，并且栅极-源极电压(Vgs)可以是-1伏。因此，可以防止从第三驱动电源端子VGH1流向第五驱动电源端子VGL2的短路电流的情况发生。
因为根据本公开的一些实施例的栅极驱动器147包括第五驱动电源端子VGL2，第五驱动电源端子VGL2被提供与被提供到第二驱动电源端子VGL的电压不同的电压，所以可以防止或减少在第二信号发生器142中出现的短路电流的情况。
图11是示出根据一些实施例的包括显示装置的电子装置的框图。
参照图11，电子装置1100可以包括主机处理器1110、存储器装置1120、存储装置1130、输入/输出(I/O)装置1140、电源1150和显示装置1160。电子装置1100还可以包括用于与视频卡、声卡、存储卡、通用串行总线(USB)装置和其他电子装置等进行通信的多个端口。
主机处理器1110可以执行各种计算功能。在实施例中，主机处理器1110可以是应用处理器(AP)、图形处理单元(GPU)、微处理器和中央处理单元(CPU)等。主机处理器1110可以经由地址总线、控制总线和数据总线等耦接到其他组件。此外，主机处理器1110可以耦接到诸如外围组件互连(PCI)总线的扩展总线。
存储器装置1120可以存储用于电子装置1100的操作的数据。例如，存储器装置1120可以包括诸如可擦除可编程只读存储器(EPROM)装置、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)装置、闪存装置、相变随机存取存储器(PRAM)装置、电阻随机存取存储器(RRAM)装置、纳米浮栅存储器(NFGM)装置、聚合物随机存取存储器(PoRAM)装置、磁随机存取存储器(MRAM)装置和铁电随机存取存储器(FRAM)装置等的至少一个非易失性存储器装置和/或诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置、静态随机存取存储器(SRAM)装置和移动DRAM装置等的至少一个易失性存储器装置。
存储装置1130可以包括固态驱动(SSD)装置、硬盘驱动(HDD)装置和CD-ROM装置等。I/O装置1140可以包括诸如键盘、小键盘、鼠标装置、触摸板和触摸屏等的输入装置以及诸如打印机和扬声器等的输出装置。电源1150可以为电子装置1100的操作提供电力。显示装置1160可以经由总线或其它通信链路连接到其它组件。
显示装置1160可以包括包含多个像素的显示面板、控制器、数据驱动器、栅极驱动器、发射驱动器和电源单元等。在这种情况下，栅极驱动器可以包括第一信号发生器和第二信号发生器。因为根据一些实施例的显示装置1160包括包含被配置为产生第一栅极信号的第一信号发生器和被配置为产生第二栅极信号的第二信号发生器的栅极驱动器，所以可以仅通过一个栅极驱动器产生被提供到像素的四个栅极信号。因此，因为显示装置1160仅包括一个栅极驱动器，所以显示装置1160的无用空间可以减少。
根据一些实施例，电子装置1100可以被实现为诸如蜂窝电话、智能电话、个人计算机(PC)、平板PC、数字电视机、3D电视机、虚拟现实(VR)装置、家用电子产品、膝上型计算机、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、数码相机、音乐播放器、便携式游戏机、汽车导航系统等的电子装置。
前述内容是对本发明的说明，并且不被解释为对本发明进行限制。虽然已经描述了本发明的一些实施例的方面，但本领域技术人员将容易理解，在实质上不脱离本发明的一些实施例的新颖性教导和特性的情况下，在实施例中许多修改是可能的。因此，所有的这些修改旨在被包括在如权利要求及其等同物中限定的本发明的范围内。因此，将理解的是，前述内容是对本发明的说明，并且不被解释为局限于所公开的实施例，并且可以对所公开的实施例以及其它实施例作出修改。
根据本公开的实施例的方面可以应用于包括显示装置的各种电子装置。例如，本发明的一些实施例的方面可以应用于诸如车辆显示装置、船舶显示装置、飞行器显示装置、便携式通信装置、展示显示装置、信息传输显示装置和医疗显示装置的许多电子装置。

Claims (20)

1.一种栅极驱动器，其中，所述栅极驱动器包括：
信号发生器，被配置为产生栅极信号并且向第一输出端子输出所述栅极信号；以及
反相信号发生器，被配置为基于所述栅极信号产生反相栅极信号并且向第二输出端子输出所述反相栅极信号，
其中，所述反相信号发生器包括：
第一晶体管，连接在被连接到所述第二输出端子的第一节点和第一驱动电源端子之间并且是PMOS晶体管；以及
第二晶体管，连接在所述第一节点和第二驱动电源端子之间并且是NMOS晶体管，并且
其中，连接到所述第一输出端子的第二节点被连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一者的栅极电极。
2.根据权利要求1所述的栅极驱动器，其中，所述栅极信号和所述反相栅极信号是相对于彼此反相且具有相同电压电平的信号。
3.根据权利要求1所述的栅极驱动器，其中，与所述栅极信号对应的电压被施加到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一者的所述栅极电极。
4.根据权利要求1所述的栅极驱动器，其中，所述第二晶体管还包括下栅极电极。
5.根据权利要求1所述的栅极驱动器，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是串联连接的。
6.根据权利要求1所述的栅极驱动器，其中，被施加到所述第二节点的电压与被施加到所述第二驱动电源端子的电压不同。
7.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
显示面板，包括第一像素行至第m像素行，其中，m是大于或等于2的整数，在所述第一像素行至所述第m像素行中的每一者中布置多个像素；以及
栅极驱动器，包括被配置为分别产生第一栅极信号至第m栅极信号的第一信号发生器至第m信号发生器以及被配置为分别产生第一反相栅极信号至第m反相栅极信号的第一反相信号发生器至第m反相信号发生器，
其中，由所述第一信号发生器至所述第m信号发生器之中的第n-1信号发生器产生的第n-1栅极信号、由所述第一反相信号发生器至所述第m反相信号发生器之中的第n-1反相信号发生器产生的第n-1反相栅极信号、由所述第一信号发生器至所述第m信号发生器之中的第n信号发生器产生的第n栅极信号以及由所述第一反相信号发生器至所述第m反相信号发生器之中的第n反相信号发生器产生的第n反相栅极信号被提供到所述第一像素行至所述第m像素行之中的第n像素行，其中，n是1和m之间的整数。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第n-1栅极信号和所述第n-1反相栅极信号是相对于彼此反相且具有相同电压电平的信号，并且
其中，所述第n栅极信号和所述第n反相栅极信号是相对于彼此反相且具有相同电压电平的信号。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，布置在所述第n像素行中的所述多个像素中的每一者包括：
发光元件，被配置为基于驱动电流输出光并且包括第一端子和第二端子；
第一像素晶体管，包括被施加第一电源电压的第一端子、连接到所述发光元件的所述第一端子的第二端子以及栅极端子，并且所述第一像素晶体管被配置为产生所述驱动电流；以及
第二像素晶体管，包括被施加数据电压的第一端子、连接到所述第一像素晶体管的所述第一端子的第二端子以及被施加所述第n栅极信号的栅极端子。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，布置在所述第n像素行中的所述多个像素中的每一者还包括：
第三像素晶体管，包括连接到所述第一像素晶体管的所述第二端子的第一端子、连接到所述第一像素晶体管的所述栅极端子的第二端子以及被施加所述第n反相栅极信号的第一栅极端子。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第三像素晶体管还包括：第二栅极端子，连接到所述第三像素晶体管的所述第一栅极端子，并且所述第二栅极端子被配置为起到背栅极的作用，并且
其中，所述第三像素晶体管是NMOS晶体管。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，布置在所述第n像素行中的所述多个像素中的每一者还包括：
第四像素晶体管，包括被施加第一初始化电压的第一端子、连接到所述第三像素晶体管的所述第二端子的第二端子以及被施加所述第n-1反相栅极信号的第一栅极端子。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第四像素晶体管还包括：第二栅极端子，连接到所述第四像素晶体管的所述第一栅极端子，并且所述第二栅极端子被配置为起到背栅极的作用，并且
其中，所述第四像素晶体管是NMOS晶体管。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，布置在所述第n像素行中的所述多个像素中的每一者还包括：
第五像素晶体管，包括被施加第二初始化电压的第一端子、连接到所述发光元件的所述第一端子的第二端子以及被施加所述第n-1栅极信号的栅极端子。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一像素晶体管、所述第二像素晶体管和所述第五像素晶体管是PMOS晶体管。
16.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和外围区域；
第一像素开关元件，在所述基底上位于所述显示区域中，并且所述第一像素开关元件包括包含金属氧化物半导体的第一有源层、在所述第一有源层上的第一栅极电极以及在所述第一有源层下面的第一下栅极电极；
第一开关元件，在所述基底上位于所述外围区域中，并且所述第一开关元件包括包含金属氧化物半导体的第二有源层、在所述第二有源层上的第二栅极电极以及在所述第二有源层下面的第二下栅极电极；以及
像素结构，在所述第一像素开关元件上位于所述显示区域中，
其中，所述第一下栅极电极和所述第二下栅极电极在相互不同的层上。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
第二像素开关元件，包括第三有源层、在所述第三有源层上的第三栅极电极以及在所述第三栅极电极上且与所述第三栅极电极一起被定义为电容器的电极图案。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第一下栅极电极和所述电极图案在同一层上，并且
其中，所述第二下栅极电极和所述第三栅极电极在同一层上。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
栅极绝缘层，覆盖所述第三有源层，并且所述栅极绝缘层在所述基底上位于所述显示区域和所述外围区域中；以及
层间绝缘层，覆盖所述第三栅极电极和所述第二下栅极电极，并且所述层间绝缘层在所述栅极绝缘层上位于所述显示区域和所述外围区域中。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第一下栅极电极的底表面与所述层间绝缘层接触，并且
其中，所述第二下栅极电极的底表面与所述栅极绝缘层接触。
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