CN116997998A - 基板处理装置、加热装置以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种技术，其具备：处理室，其对基板进行处理；加热部，其对所述处理室内的基板进行加热；以及壳体，其具有所述加热部和所述处理室，所述加热部具有：外管；内管，其配置于所述外管的内侧；以及加热线，其构成为在所述内管的内侧空间配置电力线，并在所述外管与所述内管之间配置与所述电力线不同的电力线。

Description

基板处理装置、加热装置以及半导体装置的制造方法
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置、加热装置以及半导体装置的制造方法。
背景技术
通常，在半导体装置的制造工序中，使用一种对晶圆等基板进行预定的工艺处理的基板处理装置。作为工艺处理，例如有依次供给多种气体来进行的成膜处理，在进行成膜处理时，有时利用预定的加热部对基板进行加热(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-209557号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本公开的目的在于提供一种加热效率高的基板处理装置。
用于解决问题的方案
根据本公开的一个方案，提供一种技术，具备：
处理室，其对基板进行处理；
加热部，其对所述处理室内的基板进行加热；以及
壳体，其具有所述加热部和所述处理室，
所述加热部具有：
外管；
内管，其配置于所述外管的内侧；以及
加热线，其构成为在所述内管的内侧空间配置电力线，并在所述外管与所述内管之间配置与所述电力线不同的电力线。
发明效果
根据本公开，能够提供一种加热效率高的基板处理装置。
附图说明
图1的(a)是在本发明的一个方式中优选使用的基板处理装置的概略结构图，是从图1的(b)的A-A方向观察处理容器101部分的俯视图。图1的(b)是以图1的(a)的B-B线剖视图表示处理容器101部分的图。图1的(c)是以图1的(a)的C-C线剖视图表示处理容器101部分的图。
图2的(a)是示意性地示出通过将在本公开的一个方式中优选使用的加热器23以沿着长度方向的面切断而得到的截面的图。图2的(b)是以图2的(a)的D-D线剖视图示出在本公开的一个方式中优选使用的加热器23的图。
图3是在本公开的其他方式中优选使用的基板处理装置的概略结构图，是处理容器101部分的俯视图。
图4的(a)是在本发明的其他方式中优选使用的处理容器101部分的俯视图，是说明所配置的加热器23的数量的说明图。图4的(b)是本公开的其它方式中优选使用的处理容器101部分的俯视图，是说明所配置的加热器23的数量和待处理的晶圆200的数量的说明图。图4的(c)是在本公开的其他方式中优选使用的处理容器101部分的俯视图，是主要说明配置的加热器23的数量和待处理的晶圆200的数量的说明图。
具体实施方式
<本公开的一个方式>
以下，主要参照图1的(a)、图1的(b)、图1的(c)、图2的(a)、图2的(b)对本公开的一个方式进行说明。此外，在以下的说明中使用的附图均是示意性的，附图上的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必与现实的情况一致。另外，在多个附图的相互之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也未必一致。
(1)基板处理装置的整体结构
基板处理装置100具有用于对晶圆200进行处理的壳体即处理容器101。处理容器101例如由铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料构成为密闭容器。在处理容器101的内部、即中空部形成有构成对晶圆200进行处理的处理空间的处理室101a。在处理容器101的侧壁101b设置有晶圆搬入搬出口102和开闭晶圆搬入搬出口102的闸阀103，能够经由晶圆搬入搬出口102向处理容器101的内外搬送晶圆200。在与侧壁101b相对的位置的处理容器101的侧壁101c设置有开口部101d，在开口部101d的上部和下部附近设置有壁部101e作为侧壁101c的一部分。另外，如图1的(c)所示，在与处理容器101的长度方向垂直的剖视图中，在处理容器101的底部设有作为底部的一部分的凸状构造101f。并且，在处理容器101连接有未图示的真空泵、压力控制器等气体排气系统，能够使用该气体排气系统将处理容器101内调整为预定压力。
在处理容器101的内部设置有作为载置并支撑晶圆200的基板载置部的基板载置台210。如图1的(c)所示，基板载置台210在主视时构成为门型，如图1的(a)所示，在俯视时构成为矩形状。更具体而言，基板载置台210具备载置晶圆200的基板载置面210a和从基板载置面210a的两侧部分别向下方延伸的两个侧板部210b。侧板部210b的下端部以能够滑动的方式固定于导轨221。
基板载置面210a与晶圆200直接接触，因此优选由例如石英(SiO2)、氧化铝(Al2O3)等材质构成。例如，优选在基板载置面210a载置由石英、氧化铝等构成的作为支撑板的基座，在该基座上载置并支撑晶圆200。
如图1的(b)、图1的(c)所示，在基板载置台210(侧板部210b)的下端侧连结有作为在处理容器101内使基板载置台210和基板载置面上的晶圆200往复运动的移动部的滑动机构220。滑动机构220固定于处理容器101的底部附近。滑动机构220能够使基板载置台210和基板载置面上的晶圆200在处理容器101的长度方向的一端侧与另一端侧之间沿水平方向往复移动。滑动机构220例如能够通过进给丝杠(滚珠丝杠)、以电动马达M为代表的驱动源等的组合来实现。
在基板载置台210的基板载置面210a的下方配置有对晶圆200进行加热的加热器单元230。加热器单元230构成为具备多根(例如六根)作为加热部的加热器23。加热部也称为加热装置。加热器23分别构成为大致圆筒形状，沿着处理容器101的长边方向(长度方向)配置。
此外，基板载置台210构成为在加热器单元230的外侧滑动，加热器单元230固定于滑动的基板载置台210的内侧。
加热器单元230(加热器23)由支撑部240支撑。支撑部240具有支柱部240a和箱部240b。支柱部240a设于处理容器101的底部(凸状构造101f)上，配置于支柱部240a的上端部，利用上方开放的形状的箱部240b支撑加热器单元230。
加热器单元230从处理容器101的长度方向的一端部跨越到另一端部地设置。加热器单元230的长度方向的一端部配置于处理容器101内的侧壁101b附近，另一端部贯通设置于侧壁101c的开口部101d，被壁部101e从上下方向支撑。加热器单元230(加热器23)的长度方向是与基板载置台210的移动方向相同的方向。关于加热器单元230(加热器23)的结构的详细情况在后面叙述。
晶圆升降机构150在基板载置台210(基板载置面210a)的下方待机。在晶圆升降机构150配置有多个(例如三根)升降销151。晶圆升降机构150使升降销151升降，晶圆升降机构150和升降销151如后所述，在搬入搬出晶圆200时使用。在基板载置台212上，供升降销151贯通的未图示的贯通孔分别设置于与升降销151对应的位置。
在基板载置台210的上方侧设置有作为针对基板载置台210上的晶圆200的气体供给机构的盒式机头组件300。盒式机头组件300超过晶圆200的外周端而构成，从处理容器101的短边方向的一端侧跨到另一端侧而设置。
如图1的(a)所示，盒式机头组件300例如构成为具备一个原料气体盒330和反应气体盒340、350。反应气体盒340以从两侧夹着原料气体盒330的方式配置。
原料气体盒330由未图示的原料气体供给管线、原料气体排气管线、惰性气体供给管线、惰性气体排气管线(包括共用排气管线的结构)构成。反应气体盒340、350由未图示的反应气体供给管线、反应气体排气管线、惰性气体供给管线、惰性气体排气管线(包括共用排气管线的结构)构成。在各供给管线配置未图示的开闭阀、控制流量的质量流量控制器、各气体供给源，在各排气管线配置未图示的压力控制器、排气泵，由此构成为使原料气体与反应气体空间分离。
作为原料气体，例如可以使用包含作为构成形成在晶圆200上的膜的主元素的硅(Si)的硅烷系气体。作为硅烷系气体，例如可以使用包含Si和卤素的气体、即卤代硅烷气体。卤素包括氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)、碘(I)等。作为卤代硅烷气体，例如可以使用包含Si和Cl的氯硅烷气体。具体而言，可以使用二氯硅烷(DCS、简称SiH2Cl2)气体、六氯乙硅烷(Si2Cl6、简称：HCDS)。另外，作为原料气体，除了氯硅烷气体以外，还可以使用包含钛(Ti)等金属的气体。例如作为含Ti气体，能够使用四氯化钛(TiCl4)。
作为反应气体，例如可以使用作为氮化气体(氮化剂)的含氮(N)和氢(H)气体。例如，可以使用氨(NH3)气、二氮烯(N2H2)气、肼(N2H4)气、N3H8气等氮化氢系气体。
作为惰性气体，例如能够使用氮气(N2)、氩气(Ar)、氦气(He)、氖气(Ne)、氙气(Xe)等稀有气体。
如图1所示，基板处理装置100具有作为控制基板处理装置100的各部的动作的控制部的控制器110。控制器110构成为至少具备运算部120以及存储部130这样的硬件资源的计算机装置。控制器110与上述的各结构连接，根据上位控制器、操作者等的指示，从存储部130读取预定软件即控制程序、工艺制程(以下，将它们简称为“程序”)，根据其内容控制各结构的动作。即，控制器110构成为，通过硬件资源执行预定软件即程序，从而硬件资源与预定软件协同地控制基板处理装置100的各部的动作。此外，在本说明书中，在使用程序这样的术语的情况下，有时仅包含控制程序单体，有时仅包含工艺制程单体，或者有时包含这两者。
以上那样的控制器110可以构成为专用的计算机，也可以构成为通用的计算机。例如，准备存储有上述程序的外部存储装置140，使用该外部存储装置140将程序安装于通用的计算机，由此能够构成本实施方式中的控制器110。此外，外部存储装置140例如包括磁带、软盘、硬盘等磁盘、CD、DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器、存储卡等半导体存储器等。另外，用于向计算机供给程序的手段不限于经由外部存储装置140供给的情况。例如，可以使用互联网、专用线路等通信手段，也可以从上位装置经由接收部接收信息，不经由外部存储装置140地供给程序。
控制器110中的存储部130以及能够与控制器110连接的外部存储装置140构成为计算机可读取的存储介质。以下，将它们统称为存储介质。此外，在本说明书中，在使用存储介质这样的术语的情况下，存在仅包括作为存储装置的存储部130单体的情况、仅包括外部存储装置140单体的情况、或者包括这两者的情况。
(2)加热器23的结构
如图2的(a)、图2的(b)所示，加热器23主要具有作为外管的主加热器管500、作为内管的绝缘管510、以及作为加热线的发热体540。
主加热器管500具有大致圆筒形状的主部505，在主部505的长度方向(轴向)的一端侧设置有被支撑部504，其在设置于处理容器101时贯通处理容器101的开口部101d并被壁部101e支撑。在主部505(被支撑部504)的一端部设置有使后述的发热体540连通的开口部502，在主部505的另一端部设置有盖部503。在开口部502(被支撑部504)设有O型密封圈23a，构成为在主加热器管500(加热器23)设置于处理容器101时能够保持主加热器管500内的气密性。
在主加热器管500的外侧，以覆盖主加热器管500的外周的方式设置有反射器保护管520。主加热器管500构成为插入到大致圆筒形状的反射器保护管520的内侧。
在反射器保护管520与主加热器管500之间设置有确定反射器保护管520的内部(内侧)的主加热器管500的位置的定位部501。更具体而言，在反射器保护管520的圆筒部的内周面设置有定位部501，其构成为与主加热器管500之间产生摩擦，防止反射器保护管520的滑动，确定位置。这样，通过设置定位部501，能够确定反射器保护管520的内部的主加热器管500的位置，例如在搬送加热器23时，能够使反射器保护管520与主加热器管500不偏移。此外，定位部501只要能够设定主加热器管500与反射器保护管520的位置关系即可，例如也可以在主加热器管500设置定位部501。
主加热器管500例如由石英构成。
反射器保护管520具有圆筒部，在圆筒部的长度方向(轴向)的一端部设置有开口部522，在另一端部设置有盖部523。反射器保护管520的圆筒部和盖部523内包空洞部，形成于该空洞部的空间由真空气氛或惰性气体气氛构成。在使空间内为真空气氛的情况下，从设置于反射器保护管520的盖部523的吸引供给口521吸引空间内的空气等，在使空间内为惰性气体气氛的情况下，从吸引供给口521向空间内供给惰性气体。在任一情况下，这些空间内都维持减压状态。另外，吸引供给口521例如也作为防止惰性气体向空间外漏出的密封材料而发挥作用。
在形成于反射器保护管520的圆筒部的空间内，以朝向形成于上方的处理室101a开放的方式具备例如半圆筒形状的反射器530。在主加热器管500的盖部503与反射器保护管520的盖部523之间设置有空隙V。
构成为反射器530的热反射率比配置于加热器23的下方的处理容器101的底壁的热反射率高。
反射器保护管520例如由石英构成。反射器530例如由钼(MO)、铂(Pt)构成。
在主加热器管500的内侧配置有构成为圆筒状的绝缘管510。绝缘管510例如由Al2O3、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、钛酸铝(Al2O3·TiO2)的陶瓷、石英、SiC构成。
在主加热器管500的内侧配置有作为加热线的发热体540。发热体540构成为将绝缘管510配置于其间并以预定的间距卷绕成螺旋状。在主加热器管500与绝缘管510之间配置有经由套筒580与发热体540连接的电力线(例如，电力供给线)560。在绝缘管510的内侧空间配置有经由套筒590与发热体540连接的电力线(例如，电力输出线)570。在主加热器管500的被支撑部504的内侧配置有电力线560、570。例如，构成为通过从电力线560供给的电流流过发热体540，从发热体540产生热。
在加热器23的下方设置有使晶圆200(基板载置台210)移动的滑动机构220。反射器530设置在发热体540与滑动机构220之间。另外，反射器530设置在发热体540与晶圆升降机构150之间。通过设为这样的配置，能够使热量不向设于反射器530的下方且不需要加热的滑动机构220、晶圆升降机构150移动。在滑动机构220、晶圆升降机构150中，由于使用例如不耐热的零件、润滑脂等，因此期望不像上述那样使热移动。
在绝缘管510的内侧配置有用于控制、监视发热体540的温度的热电偶550。加热器23基于由热电偶550检测出的温度信息，对通电情况进行反馈控制。由此，加热器23构成为能够将支撑于基板载置台210的晶圆200的温度维持为预定温度。
(3)基板处理工序的概要
接着，作为半导体装置的制造工序的一个工序，对使用基板处理装置100在晶圆200上形成薄膜的工序进行说明。此外，在以下的说明中，构成基板处理装置100的各部的动作由控制器110控制。
在本方式中，以从原料气体供给管线供给HCDS气体作为原料气体、从惰性气体供给管线供给N2气体作为惰性气体、从反应气体供给管线供给NH3气体作为反应气体的情况为例进行说明。
(基板搬入工序：S101)
在基板搬入工序S101中，将晶圆200搬入处理容器101内。具体而言，打开在设置于基板处理装置100的处理容器101的侧面的晶圆搬入搬出口102设置的闸阀103，使用未图示的晶圆移载机将晶圆200搬入处理容器101内。此时，使晶圆升降机构150上升至晶圆200的搬入(搬送)位置，在升降销151的上端部载置晶圆200。之后，使晶圆升降机构150下降，将晶圆200载置于基板载置台210的基板载置面210a上。然后，使晶圆移载机向处理容器101外退避，关闭闸阀103而闭塞晶圆搬入搬出口102，将处理容器101内密闭。
(压力、温度调整工序：S102)
在压力、温度调整工序S102中，将晶圆200搬入处理容器101内，载置于基板载置面210a上后，调整处理容器101内的压力及温度。此时，基于由热电偶550检测出的值，例如向加热器23供给电力，以使晶圆200成为所需的处理温度、例如400～750℃的范围内的预定的温度。晶圆200的加热至少在对晶圆200的处理结束之前的期间持续进行。
(基板处理工序：S103)
处理容器101内成为所需的处理压力，晶圆200成为所需的处理温度后，进行基板处理工序S103。在基板处理工序S103中，从原料气体盒330和反应气体盒340、350分别供给处理气体。具体而言，从原料气体盒330向下方供给HCDS气体、N2气体。N2气体具有气体屏蔽的作用，以使HCDS气体不向反应气体盒340、350的下方扩散，即，使HCDS气体在空间上从其他空间分离。从反应气体盒340、350向下方供给NH3气体。另外，在反应气体盒340、350的下方侧空间，利用未图示的匹配器和高频电源生成等离子体。
与这些气体供给并行地，使气体排气系统运转，以将处理室101a维持为所需的压力的方式进行控制。在原料气体盒330的下方空间分离的状态稳定后，驱动滑动机构220，使载置有晶圆200的基板载置台210在反应气体盒340、原料气体盒330、反应气体盒350之间往复移动。由此，晶圆200通过原料气体盒330和反应气体盒340、350的下方。
以下的说明着眼于原料气体、反应气体，明确了晶圆200的流动。晶圆200的表面按照以下的顺序暴露于各种气体中，将其作为一个循环，重复该循环，由此形成所需的膜。
HCDS气体(原料气体盒330)→NH3气体(反应气体盒350)→HCDS气体(原料气体盒330)→NH3气体(反应气体盒340)
在原料气体盒330的下方，供给到晶圆200上的HCDS被分解，形成含Si层。在下一个反应气体盒350的下方，向在原料气体盒330的下方形成的含Si层供给等离子体状态的NH3而对含Si层进行改性，形成SiN层。在下一个原料气体盒330的下方，在反应气体盒350的下方改性后的SiN层上形成含Si层。在下一个反应气体盒340的下方，向在原料气体盒330的下方形成的含Si层供给NH3等离子体而对含Si层进行改性，形成SiN层。这样，通过使基板载置台210往复，能够对晶圆200实施上述的处理，形成所需的膜。
作为基板处理工序S103中的处理条件，可例示下述条件。
处理温度：400～750℃，优选600～700℃
处理压力：10～3000Pa，优选50～300Pa
HCDS气体供给流量：0.1～1.0slm，优选为0.25～0.5slm
NH3气体供给流量(各管线)：0.1～3.0slm、优选0.5～1.0slm
N2气体供给流量(各管线)：0.1～3.0slm、优选0.5～1.0slm
每一个循环的时间：0.5～30秒
在晶圆200上形成预定组成、预定膜厚的SiN膜后，从惰性气体管线向处理容器101内供给N2气体作为吹扫气体，从排气管线排气。由此，处理容器101内被吹扫，残留在处理容器101内的气体、反应副产物等从处理容器101内被去除。之后，将处理容器101内的气氛置换为惰性气体(惰性气体置换)，将处理容器101内的压力变更为预定的搬送压力或者恢复为常压(恢复为大气压)。
(基板搬出工序：S104)
在基板处理工序S103中形成所需的膜后，进行基板搬出工序(S104)。在基板搬出工序(S104)中，以与基板搬入工序(S101)相反的步骤，使用晶圆移载机将处理完毕的晶圆200向处理容器101外搬出。
对待处理的晶圆200分别进行以上说明的从基板搬入工序(S101)至基板搬出工序(S104)的一系列处理。即，更换晶圆200进行预定次数的上述一系列处理(S101～S104)。当对全部待处理的晶圆200的处理完成时，结束基板处理工序。
(4)本方式的效果
根据本方式，能够得到以下所示的一个或多个效果。
(a)在加热器23的内侧配置绝缘管510，在绝缘管510的内侧空间配置电力线570，在主加热器管500和绝缘管510之间配置与电力线570不同的电力线560，构成发热体540，由此，发热体540将绝缘管510配置在中间并卷绕成螺旋状地配置，因此，能够防止发热体540彼此接触。由此，发热体540能够减小与加热器23的长度方向垂直的剖视时的直径，因此能够使加热器23小型化，结果，能够实现基板处理装置的小型化。另外，与配置于绝缘管510的内侧空间的电力线570连接的发热体540配置于绝缘管510的内侧，因此能够实现加热器23的小型化，结果，能够实现基板处理装置的小型化。
(b)通过由绝缘性部件构成绝缘管510，能够将发热体540卷绕于绝缘管510，因此能够使加热器23进一步小型化，结果，能够实现基板处理装置的进一步小型化。
(c)通过在反射器保护管520内保护反射器530，能够抑制反射器530与外部气体接触，能够提高晶圆200的加热效率。
(d)通过由真空气氛或惰性气体气氛构成反射器保护管520内的配置反射器530的空间，能够抑制反射器530的氧化，因此能够提高反射器530的热反射率，抑制经时变化。
(e)反射器530由钼或铂构成，由此能够实现高的热反射率。另外，通过构成为反射器530的热反射率比配置于加热器23的下方的处理容器101的底壁的热反射率高，能够进一步提高晶圆200的加热效率。
(f)反射器530构成为朝向处理室101a开放，由此能够向处理室101a侧放射热，并且能够不使热向处理室101a下方移动，因此能够高效地对配置于处理室101a内的晶圆200进行加热。
(g)被支撑部504贯通处理容器101，由壁部101e支撑，由此，即使电流流过发热体540而使主加热器管500热膨胀，也能够防止破损。另外，通过将电力线560、570分别配置在被支撑部504的内侧，被支撑部504能够被壁部101e支撑。
(h)通过在主加热器管500的盖部503与反射器保护管520之间设置空隙V，在电流流过发热体540而主加热器管500热膨胀的情况下，空隙V吸收主加热器管500的热膨胀，能够防止加热器23破损。
(i)通过在处理容器101的底部(凸状构造101f)设置支撑加热器23的支撑部240，能够防止加热器23移动，能够将晶圆200与加热器23的距离维持为相等。
(j)通过使加热器23的长度方向与所述基板载置台210的移动方向为同一方向，能够在处理容器101的长边方向(长度方向)上配置多个加热器23，能够有效地利用处理容器101内的空间。
<本公开的其他方式>
以上，具体说明了本公开的方式。然而，本公开并不限定于上述的方式，能够在不脱离其主旨的范围内进行各种变更。
在上述方式中，以加热器23的长度方向与基板载置台210的移动方向为同一方向的情况为例进行了说明。本公开并不限定于上述的方式，例如，如图3所示，也能够适当地应用于加热器23的长度方向是与基板载置台210的移动方向交叉的方向的情况。在此情况下，也能够得到与上述方式相同的效果。
在上述方式中，以具备六根加热器23而构成的加热器单元230为例进行了说明。本公开并不限定于上述的方式，例如，如图4的(a)所示，也能够适当地应用于使用具备三根加热器23而构成的加热器单元的情况。在此情况下，也能够得到与上述方式相同的效果。此外，在图4的(a)中，省略了基板载置台210、盒式机头组件300等。在后述的图4的(b)、图4的(c)中也同样。
在上述的方式中，以具备六根加热器23而构成的加热器单元230和对晶圆200逐片进行处理的单片式的基板处理装置100为例进行了说明。本公开并不限定于上述的方式，例如，如图4的(b)所示，也能够适当地应用于使用具备五根加热器23而构成的加热器单元和处理2张晶圆200的基板处理装置的情况。同样地，例如，如图4的(c)所示，也能够适当地应用于使用具备五根加热器23而构成的加热器单元和处理4张晶圆200的基板处理装置的情况。另外，如图4的(c)所示，也可以适用于在加热器23的上方配置辅助加热器23的加热功能的辅助加热器231的情况。另外，本公开例如也能够适当地应用于使用处理5～8张晶圆200的多片式的基板处理装置的情况。在这些情况下，也能够得到与上述方式相同的效果。
在上述的方式中，对在处理容器101内配置有加热器23的例子进行了说明。本公开不限定于上述的方式，例如也能够适当地应用于在处理容器101之外配置有加热器(加热器单元)的情况。在此情况下，也能够得到与上述方式相同的效果。
在使用这些基板处理装置的情况下，也能够以与上述方式、变形例中的处理步骤、处理条件同样的处理步骤、处理条件进行各处理，能够得到与上述方式、变形例同样的效果。
上述的方式、变形例能够适当组合使用。此时的处理过程、处理条件例如能够设为与上述的方式、变形例中的处理过程、处理条件相同。
<本公开的优选方式>
以下，对本公开的优选方式进行附记。
(附记1)
根据本公开的一个方式，提供一种技术，具备：
处理室，其对基板进行处理；
加热部，其对所述处理室内的基板进行加热；以及
壳体，其具有所述加热部和所述处理室，
所述加热部具有：
外管；
内管，其配置于所述外管的内侧；以及
加热线，其构成为在所述内管的内侧空间配置电力线，并在所述外管与所述内管之间配置与所述电力线不同的电力线。
(附记2)
根据本公开的另一个方式，提供一种加热部，具有：
外管；
内管，其配置于所述外管的内侧；以及
加热线，其构成为在所述内管的内侧空间配置电力线，并在所述外管与所述内管之间配置与所述电力线不同的电力线。
(附记3)
根据本公开的又一个方式，提供一种半导体装置的制造方法，具有：
向配备于壳体内的加热部供给电力的工序，该加热部具有：外管；内管，其配置于所述外管的内侧；以及加热线，其构成为在所述内管的内侧空间配置电力线，并在所述外管与所述内管之间配置与所述电力线不同的电力线；以及
在向所述加热部供给电力的状态下，在配备于所述壳体内的处理室中对基板进行处理的工序。
(附记4)
根据本公开的又一个方式，提供一种程序，其通过计算机使基板处理装置执行：
向配备于壳体内的加热部供给电力的步骤，该加热部具有：外管；内管，其配置于所述外管的内侧；以及加热线，其构成为在所述内管的内侧空间配置电力线，并在所述外管与所述内管之间配置与所述电力线不同的电力线；以及
在向所述加热部供给电力的状态下，在配备于所述壳体内的处理室中对基板进行处理的步骤。
符号说明
200—晶圆(基板)；101—处理容器；101a—处理室；23—加热器；230—加热器单元；500—主加热器管；510—绝缘管；540—发热体。

Claims (21)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
处理室，其对基板进行处理；
加热部，其对所述处理室内的基板进行加热；以及
壳体，其具有所述加热部和所述处理室，
所述加热部具有：
外管；
内管，其配置于所述外管的内侧；以及
加热线，其构成为在所述内管的内侧空间配置电力线，并在所述外管与所述内管之间配置与所述电力线不同的电力线。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有反射器保护管，该反射器保护管设置于所述外管的外周，并具备反射器。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述反射器保护管与所述外管之间设置有定位部，该定位部确定所述反射器保护管的内部中的所述外管的位置。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述定位部设置于所述反射器保护管。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述反射器构成为朝向所述处理室开放。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述反射器保护管设有配置所述反射器的空间，
所述空间由真空气氛或惰性气体气氛构成。
7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
构成为所述反射器的热反射率比配置于所述加热部的下方的所述壳体的底壁的热反射率高。
8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述加热部的下方设置有使所述基板移动的移动部，
所述反射器设置于所述加热线与所述移动部之间。
9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述反射器由钼或铂构成。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述外管具备：被支撑部，其贯通所述壳体，并且被构成所述壳体的壁部支撑；以及主部，其构成为与所述被支撑部连续。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
所述电力线构成为配置于所述被支撑部的内侧。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述内管的内侧配置有热电偶。
13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述内管由绝缘性部件构成。
14.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述外管的一端部设置有使所述加热线连通的开口部，并在另一端部设置有盖部，
在所述盖部与所述反射器保护管之间设置有空隙。
15.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述壳体的长度方向上配置有多个所述加热部。
16.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述处理室设置有能够在载置有所述基板的状态下移动的基板载置部，所述加热部的长度方向为与所述基板载置部的移动方向相同的方向。
17.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述壳体的底部设有支撑所述加热部的支撑部。
18.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于
所述反射器设置在所述加热线与使所述基板升降的晶圆升降机构之间。
19.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述处理室设置有能够在载置有所述基板的状态下移动的基板载置部，所述加热部的长度方向为与所述基板载置部的移动方向交叉的方向。
20.一种加热装置，其特征在于，具有：
外管；
内管，其配置于所述外管的内侧；以及
加热线，其构成为在所述内管的内侧空间配置电力线，并在所述外管与所述内管之间配置与所述电力线不同的电力线。
21.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
向配备于壳体内的加热部供给电力的工序，该加热部具有：外管；内管，其配置于所述外管的内侧；以及加热线，其构成为在所述内管的内侧空间配置电力线，并在所述外管与所述内管之间配置与所述电力线不同的电力线；以及
在向所述加热部供给电力的状态下，在配备于所述壳体内的处理室中对基板进行处理的工序。
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