CN116981281A - 有机电致发光器件及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机电致发光器件及显示装置，有机电致发光器件包括层叠设置的多个发光单元，每一所述发光单元包括依次层叠设置的空穴传输区、发光层和电子传输区，至少一所述发光单元的所述空穴传输区包括第一低折射层，所述第一低折射层包括折射率小于1.8的空穴传输材料。本发明能够提高叠层器件的电流效率等性能。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是自发光器件，其具有轻薄、柔性、高对比度、宽色域等优点，其中，叠层器件具有多层堆叠设置的发光单元，其逐渐得到广泛关注和应用。然而，现有叠层器件的电流效率等性能有待进一步提高。
发明内容
本发明提供一种有机电致发光器件及显示装置，能够提高叠层器件的电流效率等性能，有效克服现有技术存在的缺陷。
本发明的一方面，提供一种有机电致发光器件，包括层叠设置的多个发光单元，每一所述发光单元包括依次层叠设置的空穴传输区、发光层和电子传输区，至少一所述发光单元的所述空穴传输区包括第一低折射层，所述第一低折射层包括折射率小于1.8的空穴传输材料。
根据本发明的一实施方式，所述折射率小于1.8的空穴传输材料的折射率大于1.2；和/或，所述第一低折射层中，所述折射率小于1.8的空穴传输材料的质量百分含量大于或等于95％。
根据本发明的一实施方式，还包括与所述发光单元层叠设置的第一电极，所述多个所述发光单元中，最靠近所述第一电极的所述发光单元的所述空穴传输区包括所述第一低折射层；优选地，所述第一电极为阳极；优选地，所述多个发光单元的所述空穴传输区均分别包括所述第一低折射层；优选地，所述发光层为红光发光层、绿光发光层或蓝光发光层。
根据本发明的一实施方式，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的一种或多种，所述第一低折射层为所述空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一者。
根据本发明的一实施方式，所述空穴注入层还包括第一p型掺杂材料，所述空穴注入层中，所述第一p型掺杂材料的质量百分含量为0.5％～5％；和/或，所述第一低折射层为所述空穴注入层，其中，所述第一低折射层的厚度为5nm～30nm，和/或，所述折射率小于1.8的空穴传输材料的折射率为n1，所述第一低折射层的厚度为H1，6nm＜n1×H1＜54nm；和/或，所述第一低折射层为所述空穴传输层，其中，所述第一低折射层的厚度为5nm～200nm，和/或，所述折射率小于1.8的空穴传输材料的折射率为n2，所述第一低折射层的厚度为H2，6nm＜n2×H2＜360nm；和/或，所述第一低折射层为所述电子阻挡层，其中，所述第一低折射层的厚度为3nm～50nm，和/或，所述折射率小于1.8的空穴传输材料的折射率为n3，所述第一低折射层的厚度为H3，6nm＜n3×H3＜54nm。
根据本发明的一实施方式，还包括第一电极，优选所述第一电极为阳极，其中，最靠近所述第一电极的所述空穴传输区包括所述空穴注入层，该空穴注入层为所述第一低折射层；和/或，最靠近所述第一电极的所述空穴传输区包括空穴传输层，该空穴传输层为所述第一低折射层；优选地，每一所述发光单元的所述空穴传输区均分别包括所述空穴传输层，每一所述发光单元的所述空穴传输区的所述空穴传输层均分别为所述第一低折射层；和/或，最靠近所述第一电极的所述空穴传输区包括电子阻挡层，该电子阻挡层为所述第一低折射层；优选地，每一所述发光单元的所述空穴传输区均分别包括所述电子阻挡层，每一所述发光单元的所述空穴传输区的所述电子阻挡层均分别为所述第一低折射层。
根据本发明的一实施方式，至少两个所述发光单元的所述空穴传输区包括所述空穴传输层，优选每一所述发光单元的所述空穴传输区均分别包括所述空穴传输层；优选地，所述有机电致发光器件还包括与所述发光单元层叠设置的第一电极，优选所述第一电极为阳极，其中，越靠近所述第一电极的所述空穴传输层的空穴迁移率越小，优选地，相邻两个所述空穴传输层的空穴迁移率的比值为1.1～2；和/或，至少两个所述发光单元的所述空穴传输区包括所述电子阻挡层，优选每一所述发光单元的所述空穴传输区均分别包括所述电子阻挡层；优选地，所述有机电致发光器件还包括与所述发光单元层叠设置的第一电极，优选所述第一电极为阳极，其中，越靠近所述第一电极的所述电子阻挡层的空穴迁移率越小，优选地，相邻两个所述电子阻挡层的空穴迁移率的比值为1.1～2。
根据本发明的一实施方式，还包括与所述第一低折射层相邻的第一相邻层，所述第一低折射层的折射率大于或小于所述第一相邻层的折射率；优选地，所述第一低折射层的折射率与所述第一相邻层的折射率的差值小于或等于0.5；优选地，所述第一低折射层为空穴注入层，所述第一相邻层为空穴传输层；优选地，所述第一低折射层为空穴传输层，所述第一相邻层包括与所述第一低折射层的一侧相邻的空穴注入层、以及与所述第一低折射层的另一侧相邻的电子阻挡层或所述发光层；或者，所述第一相邻层包括与所述第一低折射层的一侧相邻的p型电荷生成层、以及与所述第一低折射层的另一侧相邻的电子阻挡层；优选地，所述第一低折射层为电子阻挡层，所述第一相邻层包括与所述第一低折射层的一侧相邻的空穴传输层、以及与所述第一低折射层的另一侧相邻的所述发光层。
根据本发明的一实施方式，还包括位于每两个相邻的所述发光单元之间的电荷生成层，所述电荷生成层包括n型电荷生成层和p型电荷生成层；其中，至少一所述电荷生成层还包括位于所述n型电荷生成层与所述p型电荷生成层之间的金属层；优选地，与包括所述金属层的所述电荷生成层的所述p型电荷生成层相邻的所述空穴传输区包括所述第一低折射层；优选地，所述金属层包括元素周期表第IIIA族金属和/或过渡金属，优选地，所述金属层包括铝、银、金、钼、钛中的一种或多种；和/或，至少一所述p型电荷生成层为第二低折射层，所述第二低折射层包括折射率小于1.8的第二主体材料；
优选地，所述折射率小于1.8的第二主体材料的折射率大于1.2；优选地，所述折射率小于1.8的第二主体材料的折射率为n4，所述第二低折射层的厚度为H4，6nm＜n4×H4＜36nm；优选地，所述第二低折射层的厚度H2为5nm～20nm；优选地，所述有机电致发光器件包括与所述第二低折射层相邻的第二相邻层，所述第二低折射层的折射率大于或小于所述第二相邻层的折射率；优选地，所述第二低折射层的折射率与所述第二相邻层的折射率的差值小于或等于0.5；优选地，所述第二相邻层包括空穴传输层和/或n型电荷生成层；和/或，所述p型电荷生成层还包括第二p型掺杂材料，所述p型电荷生成层中，所述第二p型掺杂材料的质量百分含量为3％～10％。
本发明的另一方面，提供一种显示装置，包括上述有机电致发光器件。
本发明提供的有机电致发光器件中，使至少一个发光单元的空穴传输区包括第一低折射层，第一低折射层包括折射率小于1.8的空穴传输材料，能够有效提高叠层器件的电流效率，同时还可以使叠层器件兼具较低的驱动电压和较高的寿命等性能。
附图说明
图1为本发明一实施例的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为本发明另一实施例的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的方案，下面对本发明作进一步地详细说明。以下所列举具体实施方式只是对本发明的原理和特征进行描述，所举实例仅用于解释本发明，并非限定本发明的范围。基于本发明实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
叠层器件(叠层OLED(tandem OLED))具有多层堆叠设置的发光单元，通常在每相邻的两个发光单元之间设置电荷生成层(CGL)，以使电荷有效地分配到各发光单元，电荷生成层具有PN结，其包括依次堆叠的N型电荷生成层(N-CGL)和P型电荷生成层(P-CGL)。受限于叠层器件的结构以及其电荷生成层等膜层的电荷提供能力等因素，使得叠层器件的电流效率等性能较低。
举例来说，相对于单层OLED器件，叠层器件中的发光层更靠近电极，使得电极的表面等离子激元(SPP)淬灭作用较大，导致叠层器件具有较高的光学损耗，电流效率较低。
有鉴于此，本发明实施例提供一种有机电致发光器件，如图1和图2所示，该有机电致发光器件包括层叠设置的多个发光单元，每一发光单元包括依次层叠设置的空穴传输区、发光层和电子传输区，至少一发光单元的空穴传输区包括第一低折射层，第一低折射层包括折射率小于1.8的空穴传输材料。
本发明实施例的有机电致发光器件为叠层器件，在第一低折射层中引入折射率小于1.8的空穴传输材料，使其能够发挥空穴传输功能，与此同时，通过使至少一个发光单元包括该第一低折射层，能够有效提高叠层器件的电流效率，同时还可以使叠层器件兼具较低的驱动电压和较高的寿命等性能。
根据发明人的研究分析，使至少一发光单元的空穴传输区包括第一低折射层，即在至少一个发光单元的空穴传输区引入折射率小于1.8的空穴传输材料，可以在保持微腔厚度的同时提高发光层与电极之间的距离，减弱电极的SPP作用(或称SPP淬灭作用)，进而降低叠层器件的光学损耗，提高其电流效率等性能。
具体地，上述发光层可以为红光发光层、绿光发光层或蓝光发光层，本发明实施例中，通过设置第一低折射层，可以提高红光叠层器件(发光层为红光发光层)、绿光叠层器件(发光层为绿光发光层)和蓝光叠层器件(发光层为蓝光发光层)的电流效率等性能，其中，相对而言，绿光发光层和蓝光发光层受电极SPP淬灭作用影响更为严重，因此，绿光叠层器件和蓝光叠层器件的电流效率更差，而本发明实施例可以显著提高绿光叠层器件和蓝光叠层器件的电流效率等性能。
具体地，上述折射率小于1.8的空穴传输材料的折射率可以大于1.2，示例性地，该折射率小于1.8的空穴传输材料的折射率例如为1.25、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.75或其中的任意两者组成的范围。
一般情况下，第一低折射层中，折射率小于1.8的空穴传输材料的质量百分含量大于或等于95％，例如为95％、95.5％、96％、96.5％、97％、97.5％、98％、98.5％、99％、99.5％、100％(如下述空穴传输层和电子阻挡层)或其中的任意两者组成的范围，第一低折射层的折射率基本等于其中的空穴传输材料的折射率，即第一低折射层的折射率小于1.8，利于进一步提高叠层器件的电流效率等性能。
本发明实施例中，所述的折射率均是指对波长为450nm～630nm的光的折射率。
具体地，如图1和图2所示，上述有机电致发光器件还包括与发光单元层叠设置的第一电极和第二电极，上述多个发光单元位于第一电极和第二电极之间、并沿第一电极至第二电极的方向依次层叠设置，第二电极与第一电极的极性相反，例如，第一电极为阳极，第二电极为阴极，每一发光单元中，其空穴传输区更靠近第一电极，电子传输区更靠近第二电极。
举例来说，上述发光单元的数量可以为两个(叠层器件为二阶微腔结构)、三个(叠层器件为三阶微腔结构)、四个(叠层器件为四阶微腔结构)等。以图1或图2所示的叠层器件为例，其发光单元的数量为两个，即分别为沿第一电极至第二电极的方向依次层叠设置的第一发光单元和第二发光单元，第一发光单元包括发光层EML-1，第二发光单元包括发光层EML-2。
此外，如图1和图2所示，上述有机电致发光器件还可以包括位于每相邻的两个发光单元之间的电荷生成层，电荷生成层包括沿第一电极至第二电极的方向层叠设置的n型电荷生成层n-CGL和p型电荷生成层p-CGL，这样可以使电荷有效地分配到各发光单元中，提高各发光单元的电流效率。
通常，越靠近第一电极的发光单元，其发光层与第一电极的距离越近，第一电极对该发光单元产生的SPP淬灭作用越强，因此，一般优选最靠近第一电极的发光单元(如图1和图2所示的第一发光单元)的空穴传输区包括第一低折射层，这样可以更为显著地降低第一电极的SPP淬灭作用，进一步提高器件的电流效率等性能，其余发光单元(如图1和图2所示的第二发光单元)的空穴传输区可以包括或不包括第一低折射层(即空穴传输区的空穴传输材料的折射率不小于1.8)，优选这些发光单元的空穴传输区均分别包括第一低折射层(即上述多个发光单元(如图1和图2所示的第一发光单元和第二发光单元)的空穴传输区均分别包括第一低折射层)，这样可以进一步提高器件的电流效率等性能。
一般情况下，上述空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的一种或多种。上述多个发光单元中，可以是一个或至少两个发光单元的空穴传输区包括空穴注入层，一般最靠近第一电极的发光单元(如图1和图2所示的第一发光单元)的空穴传输区包括空穴注入层；可以是一个或至少两个发光单元的空穴传输区包括空穴传输层，优选每一发光单元(如图1和图2所示的第一发光单元和第二发光单元)的空穴传输区均分别包括空穴传输层；可以是一个或至少两个发光单元的空穴传输区包括电子阻挡层，优选每一发光单元(如图1和图2所示的第一发光单元和第二发光单元)的空穴传输区均分别包括电子阻挡层。
举例来说，如图1和图2所示，第一发光单元的空穴传输区包括沿第一电极至第二电极的方向依次层叠设置的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL-1和电子阻挡层EBL-1，第二发光单元的空穴传输区包括沿第一电极至第二电极的方向层叠设置的空穴传输层HTL-2和电子阻挡层EBL-2。
上述空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层均分别包括空穴传输材料，第一低折射层可以为空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一者，即上述叠层器件的至少一个发光单元的空穴传输区包括空穴传输材料的折射率小于1.8的空穴注入层、空穴传输材料的折射率小于1.8的空穴传输层和空穴传输材料的折射率小于1.8的电子阻挡层中的至少一者。
在一些实施例中，最靠近第一电极的发光单元(如图1和图2所示的第一发光单元)的空穴传输区(即最靠近第一电极的空穴传输区)包括空穴注入层，该空穴注入层为第一低折射层，即该空穴注入层中的空穴传输材料的折射率n1小于1.8；和/或，最靠近第一电极的空穴传输区包括空穴传输层，该空穴传输层为第一低折射层，即该空穴传输层中的空穴传输材料的折射率n2小于1.8；和/或，最靠近第一电极的空穴传输区包括电子阻挡层，该电子阻挡层为第一低折射层，即该电子阻挡层中的空穴传输材料的折射率n3小于1.8。由此，使得最靠近第一电极的发光单元的空穴传输区包括第一低折射层。
在一些具体实施例中，在图1和图2所示的叠层器件中，其第一发光单元的空穴传输区中的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL-1和电子阻挡层EBL-1中的至少一者为第一低折射层，使得最靠近第一电极的发光单元的空穴传输区包括第一低折射层。
在一些优选实施例中，每一发光单元的空穴传输区的空穴传输层均分别为第一低折射层，即每一发光单元的空穴传输层中的空穴传输材料的折射率n2均分别小于1.8，这样利于进一步提高叠层器件的电流效率等性能。其中，这些空穴传输层的空穴传输材料的折射率具体可以相等或不相等(如图1和图2所示的叠层器件中，其第一发光单元中的空穴传输层HTL-1的空穴传输材料的折射率可以等于或不等于第二发光单元中的空穴传输层HTL-2的空穴传输材料的折射率)。
在一些优选实施例中，每一发光单元的空穴传输区的电子阻挡层均分别为第一低折射层，即每一发光单元的电子阻挡层中的空穴传输材料的折射率n3均分别小于1.8，这样利于进一步提高叠层器件的发光效率等性能。其中，这些电子阻挡层的空穴传输材料的折射率具体可以相等或不相等(如图1和图2所示的叠层器件中，其第一发光单元中的电子阻挡层EBL-1的空穴传输材料的折射率可以等于或不等于第二发光单元中的电子阻挡层EBL-2的空穴传输材料的折射率)。
在一些实施例中，第一低折射层为空穴注入层，该第一低折射层(空穴传输材料的折射率小于1.8的空穴注入层)中，折射率小于1.8的空穴传输材料的折射率为n1(即n1＜1.8)，该第一低折射层的厚度为H1，6nm＜n1×H1＜54nm，亦即，当叠层器件的至少一个发光单元的空穴传输区包括空穴传输材料的折射率小于1.8的空穴注入层时，该空穴注入层的厚度H1和空穴传输材料的折射率n1满足6nm＜n1×H1＜54nm，这样利于进一步提高叠层器件的效率等性能，根据发明人的研究分析，控制n1与H1的层乘积(即n1×H1)在上述范围内，可以使空穴注入层具有更为适宜的光学厚度等性质，从而进一步优化叠层器件性能。
示例性地，n1×H1可以为7nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm、50nm、53nm或其中的任意两者组成的范围。
示例性地，空穴传输材料的折射率小于1.8的空穴注入层中，其空穴传输材料的折射率n1例如为1.25、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.75或其中的任意两者组成的范围。
此外，空穴传输材料的折射率小于1.8的空穴注入层的厚度H1可以为5nm～30nm，例如5nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm或其中的任意两者组成的范围。
以图1或图2所示的叠层器件为例，当其第一发光单元中的空穴注入层HIL为第一低折射层时，其中的空穴传输材料的折射率n1＜1.8，该空穴注入层HIL的厚度为H1可以为5nm～30nm，并可以满足6nm＜n1×H1＜54nm。
在一些实施例中，第一低折射层为空穴传输层，该第一低折射层(空穴传输材料的折射率小于1.8的空穴传输层)中，折射率小于1.8的空穴传输材料的折射率为n2(即n2＜1.8)，该第一低折射层的厚度为H2，6nm＜n2×H2＜360nm，亦即，当叠层器件的至少一个发光单元的空穴传输区包括空穴传输材料的折射率小于1.8的空穴传输层时，该空穴传输层的厚度H2和空穴传输材料的折射率n2满足6nm＜n2×H2＜360nm，这样利于进一步提高叠层器件的效率等性能，根据发明人的研究分析，控制n2与H2的层乘积(即n2×H2)在上述范围内，可以使空穴传输层具有更为适宜的光学厚度等性质，从而进一步优化叠层器件性能。
示例性地，n2×H2可以为7nm、10nm、30nm、50nm、70nm、100nm、130nm、150nm、180nm、200nm、230nm、250nm、280nm、300nm、330nm、355nm或其中的任意两者组成的范围。
示例性地，空穴传输材料的折射率小于1.8的空穴传输层中，其空穴传输材料的折射率n2例如为1.25、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.75或其中的任意两者组成的范围。
此外，空穴传输材料的折射率小于1.8的空穴传输层的厚度H2可以为5nm～200nm，例如5nm、30nm、50nm、80nm、100nm、130nm、150nm、180nm、200nm或其中的任意两者组成的范围。
以图1或图2所示的叠层器件为例，可以是其第一发光单元的空穴传输层HTL-1为第一低折射层，此时，第一发光单元的空穴传输层HTL-1的空穴传输材料的折射率n2＜1.8，该空穴传输层HTL-1的厚度H2可以为5nm～200nm，并可以满足6nm＜n2×H2＜360nm；或者第二发光单元的空穴传输层HTL-2为第一低折射层，此时，第二发光单元的空穴传输层HTL-2的空穴传输材料的折射率n2＜1.8，该空穴传输层HTL-2的厚度H2可以为5nm～200nm，并可以满足6nm＜n2×H2＜360nm；或者第一发光单元的空穴传输层HTL-1和第二发光单元的空穴传输层HTL-2均分别为第一低折射层，此时，第一发光单元的空穴传输层HTL-1和第二发光单元的空穴传输层HTL-2可以均分别满足：空穴传输材料的折射率n2＜1.8，空穴传输层的厚度H2可以为5nm～200nm，6nm＜n2×H2＜360nm。
在一些实施例中，第一低折射层为电子阻挡层，该第一低折射层(空穴传输材料的折射率小于1.8的电子阻挡层)中，折射率小于1.8的空穴传输材料的折射率为n3(即n3＜1.8)，该第一低折射层的厚度为H3，6nm＜n3×H3＜54nm，亦即，当叠层器件的至少一个发光单元的空穴传输区包括空穴传输材料的折射率小于1.8的电子阻挡层时，该电子阻挡层的厚度H3和空穴传输材料的折射率n3满足6nm＜n3×H3＜54nm，这样利于进一步提高叠层器件的效率等性能，根据发明人的研究分析，控制n3与H3的层乘积(即n3×H3)在上述范围内，可以使电子阻挡层具有更为适宜的光学厚度等性质，从而进一步优化叠层器件性能。
示例性地，n3×H3可以为7nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm、50nm、53nm或其中的任意两者组成的范围。
示例性地，空穴传输材料的折射率小于1.8的电子阻挡层中，其空穴传输材料的折射率n3例如为1.25、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.75或其中的任意两者组成的范围。
此外，空穴传输材料的折射率小于1.8的电子阻挡层的厚度H3可以为3nm～50nm，例如3nm、5nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm、50nm或其中的任意两者组成的范围。
以图1或图2所示的叠层器件为例，可以是其第一发光单元的电子阻挡层EBL-1为第一低折射层，此时，第一发光单元的电子阻挡层EBL-1的空穴传输材料的折射率n3＜1.8，该电子阻挡层EBL-1的厚度H3可以为3nm～50nm，并可以满足6nm＜n3×H3＜54nm；或者第二发光单元的电子阻挡层EBL-2为第一低折射层，此时，第二发光单元的电子阻挡层EBL-2的空穴传输材料的折射率n2＜1.8，该电子阻挡层EBL-2的厚度H2可以为3nm～50nm，并可以满足6nm＜n3×H3＜54nm；或者第一发光单元的电子阻挡层EBL-1和第二发光单元的电子阻挡层EBL-2均分别为第一低折射层，此时，第一发光单元的电子阻挡层EBL-1和第二发光单元的电子阻挡层EBL-2可以均分别满足：空穴传输材料的折射率n3＜1.8，电子阻挡层的厚度H3可以为3nm～50nm，6nm＜n3×H3＜54nm。
具体地，空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的空穴传输材料的质量百分含量可以各自独立地大于或等于95％，例如，空穴传输层中的空穴传输材料的质量百分含量为100％(即空穴传输层全部由空穴传输材料形成)，电子阻挡层中的空穴传输材料的质量百分含量为100％(即电子阻挡层全部由空穴传输材料形成)，这些层的折射率或空穴迁移率与其所包括的空穴传输材料基本一致。
在一些实施例中，上述空穴注入层可以包括第一p型掺杂材料，空穴注入层中，第一p型掺杂材料的质量百分含量可以为0.5％～5％，例如0.5％、1％、1.5％、2％、2.5％、3％、3.5％、4％、4.5％、5％或其中的任意两者组成的范围，这样可以提高空穴注入层的空穴传输能力，进一步优化叠层器件的性能。
此外，当第一低折射层为空穴注入层时，第一p型掺杂材料的含量在上述范围(0.5％～5％)内，基本不影响该空穴注入层(空穴传输材料的折射率小于1.8的空穴注入层)的折射率，即该空穴注入层的折射率基本等于其中的空穴传输材料的折射率，亦即该空穴注入层的折射率小于1.8，这样利于进一步提高叠层器件的电流效率等性能。
此外，上述有机电致发光器件还包括与第一低折射层相邻的第一相邻层，与第一低折射层相邻的第一相邻层和该第一低折射层直接接触，二者之间没有其他膜层，第一低折射层的折射率大于或小于第一相邻层的折射率，第一低折射层的折射率与第一相邻层的折射率的差值具体可以小于或等于0.5，例如小于或等于0.4、小于或等于0.3、小于或等于0.2、小于或等于0.1等，这样可以防止第一低折射层与第一相邻层的折射率过大而导致的界面反射等不利影响，从而进一步优化微腔效果，提高器件的电流效率等性能。
示例性地，第一低折射层的折射率与第一相邻层的折射率的差值为0、0.01、0.03、0.05、0.07、0.08、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45、0.5或其中的任意两者组成的范围。
其中，第一相邻层可以位于第一低折射层的一侧(如位于第一低折射层面向第一电极的一侧、或者位于第一低折射层面向第二电极的一侧)，或者，也可以位于第一低折射层的相对两侧(即第一低折射层的相对两侧的膜层的折射率均分别与第一低折射层的折射率不同，例如第一低折射层的相对两侧的膜层的折射率均分别与第一低折射层的折射率的差值小于或等于0.5，该相对两侧分别为第一低折射层面向第一电极的一侧和第一低折射层面向第二电极的一侧)。
在一些实施例中，第一低折射层为空穴注入层，第一相邻层可以为空穴传输层。举例来说，如图1和图2所示的第一发光单元的空穴传输区中，其空穴注入层HIL为第一低折射层，此时，该空穴注入层HIL的第一相邻层为空穴传输层HTL-1(即空穴注入层HIL的折射率大于或小于空穴传输层HTL-1的折射率)。
在一些实施例中，第一低折射层为空穴传输层，第一相邻层包括与第一低折射层的一侧(面向第一电极的一侧)相邻的空穴注入层、以及与第一低折射层的另一侧(面向第二电极的一侧)相邻的电子阻挡层或发光层。
当空穴传输区包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层、且空穴传输层为第一低折射层时，该空穴传输层的相对两侧的第一相邻层分别为空穴注入层和电子阻挡层(即空穴传输层的折射率大于或小于空穴注入层的折射率、且大于或等于电子阻挡层的折射率)。以如图1和图2所示的第一发光单元的空穴传输区为例，当其空穴传输层HTL-1为第一低折射层时，第一相邻层包括空穴注入层HIL和电子阻挡层EBL-1。
当空穴传输区由层叠设置的空穴注入层和空穴传输层组成(未设置电子阻挡层)、且空穴传输层为第一低折射层时，该空穴传输层位于空穴注入层和发光层之间，其相对两侧的第一相邻层分别为空穴注入层和发光层(即空穴传输层的折射率大于或小于空穴注入层的折射率、且大于或等于与其相邻的发光层的折射率)。
在其他实施例中，叠层器件中的某一个或某几个发光单元的空穴传输区也可以不包括空穴注入层(如图1和图2所示的第二发光单元的空穴传输区)，这些空穴传输区例如仅设置有空穴传输层，当该空穴传输层为第一低折射层时，其第一相邻层为与其相邻的发光层；或者，这些空穴传输区包括空穴传输层和电子阻挡层，当空穴传输层为第一低折射层时，其第一相邻层包括与其一侧相邻的p型电荷生成层、以及与其另一侧相邻的电子阻挡层，p型电荷生成层和电子阻挡层分别位于该空穴传输层的相对两侧。以如图1和图2所示的第二发光单元的空穴传输区为例，当其空穴传输层HTL-2为第一低折射层时，第一相邻层包括p型电荷生成层p-CGL和电子阻挡层EBL-2。
在一些实施例中，第一低折射层为电子阻挡层，第一相邻层包括与第一低折射层的一侧相邻的空穴传输层、以及与第一低折射层的另一侧相邻的发光层。举例来说，如图1和图2所示，第一发光单元中，电子阻挡层EBL-1位于空穴传输层HTL-1和发光层EML-1之间，当电子阻挡层EBL-1为第一低折射层时，其相对两侧的第一相邻层分别为空穴传输层HTL-1和发光层EML-1(即电子阻挡层EBL-1的折射率大于或小于空穴传输层HTL-1的折射率、且大于或等于与发光层EML-1的折射率)；第二发光单元中，电子阻挡层EBL-2位于空穴传输层HTL-2和发光层EML-2之间，当电子阻挡层EBL-2为第一低折射层时，其相对两侧的第一相邻层分别为空穴传输层HTL-2和发光层EML-2(即电子阻挡层EBL-2的折射率大于或小于空穴传输层HTL-2的折射率、且大于或等于与发光层EML-2的折射率)。
此外，当某一或某些空穴传输层不是第一低折射层(即该空穴传输层中的空穴传输材料的折射率不小于1.8)时，与其相邻的膜层(如空穴注入层、电子阻挡层或发光层)的折射率也可以大于或等于该空穴传输层的折射率，二者的差值具体可以小于或等于0.5，例如小于或等于0.4、小于或等于0.3、小于或等于0.2、小于或等于0.1等，举例来说，二者的差值可以为0、0.01、0.03、0.05、0.07、0.08、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45、0.5或其中的任意两者组成的范围。
此外，当某一或某些电子阻挡层不是第一低折射层(即该空穴传输层中的空穴传输材料的折射率不小于1.8)时，与其相邻的膜层(如空穴传输层或发光层)的折射率也可以大于或等于该空穴传输层的折射率，二者的差值具体可以小于或等于0.5，例如小于或等于0.4、小于或等于0.3、小于或等于0.2、小于或等于0.1等，举例来说，二者的差值可以为0、0.01、0.03、0.05、0.07、0.08、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45、0.5或其中的任意两者组成的范围。
在一些具体实施例中，在如图1所示的叠层器件中，第一发光单元中，空穴注入层HIL、空穴传输层HTL-1、电子阻挡层EBL-1和发光层EML-1中的每相邻的两者的折射率均不同，例如，每相邻的两者的折射率的差值均小于或等于0.5；第二发光单元中，空穴传输层HTL-2为第一低折射层，空穴传输层HTL-2、电子阻挡层EBL-2和发光层EML-2中的每相邻的两者的折射率均不同，例如，每相邻的两者的折射率的差值均小于或等于0.5。
此外，上述叠层器件中，越靠近第一电极的空穴传输层的空穴迁移率越小，相邻两个空穴传输层的空穴迁移率的比值具体可以为1.1～2，例如1.1、1.3、1.5、1.8、2或其中的任意两者组成的范围，这样可以弥补最靠近第一电极的发光单元相邻的电荷生成层的电子产生能力不足等问题，从而提高载流子平衡，进一步提高叠层器件的效率等性能。其中，该相邻两个空穴传输层可以均分别为第一低折射层。
举例来说，如图1和图2所示，第一发光单元的空穴传输层HTL-1的空穴迁移率小于第二发光单元中的空穴传输层HTL-2的空穴迁移率，二者的差值可以为1.1～2，例如1.1、1.3、1.5、1.8、2或其中的任意两者组成的范围。
此外，越靠近第一电极的电子阻挡层的空穴迁移率越小，相邻两个电子阻挡层的空穴迁移率的比值具体可以为1.1-2，例如1.1、1.3、1.5、1.8、2或其中的任意两者组成的范围，这样可以弥补最靠近第一电极的发光单元相邻的电荷生成层的电子产生能力不足等问题，从而提高载流子平衡，进一步提高叠层器件的效率等性能。其中，该相邻两个电子阻挡层可以均分别为第一低折射层。
举例来说，如图1所示，第一发光单元的电子阻挡层EBL-1的空穴迁移率小于第二发光单元中的电子阻挡层EBL-2的空穴迁移率，二者的差值可以为1.1～2，例如1.1、1.3、1.5、1.8、2或其中的任意两者组成的范围。
一般情况下，所述的空穴迁移率为空间电荷限制电流空穴迁移率，其可以通过本领域常规方法测得。
具体地，上述p型电荷生成层包括第二主体材料和第二p型掺杂材料。
在一些实施例中，至少一p型电荷生成层为第二低折射层，第二低折射层包括折射率小于1.8的第二主体材料。
具体地，上述折射率小于1.8的第二主体材料的折射率n4可以大于1.2，示例性地，该折射率小于1.8的第二主体材料的折射率n4例如为1.25、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.75或其中的任意两者组成的范围。
一般情况下，第二低折射层中，折射率小于1.8的第二主体材料的质量百分含量大于或等于90％，例如为90％、91％、92％、93％、94％、95％、96％、97％或其中的任意两者组成的范围，第二低折射层的折射率基本等于其中的第二主体材料的折射率n4，即第二低折射层的折射率小于1.8，利于进一步提高叠层器件的电流效率等性能。
具体地，上述p型电荷生成层还可以包括第二p型掺杂材料，p型电荷生成层中，第二p型掺杂材料的质量百分含量为3％～10％，例如3％、4％、5％、6％、7％、8％、9％、10％或其中的任意两者组成的范围，这样可以进一步提高叠层器件的性能。
此外，当p型电荷生成层为第二低折射层时，其第二p型掺杂材料的含量在上述范围(3％～10％)内，基本不影响该p型电荷生成层的折射率，即该p型电荷生成层的折射率基本等于其中的第二主体材料的折射率，亦即该p型电荷生成层的折射率小于1.8，这样利于进一步提高叠层器件的电流效率等性能。
在一些实施例中，折射率小于1.8的第二主体材料的折射率为n4，第二低折射层的厚度为H4，6nm＜n4×H4＜36nm，这样利于进一步提高叠层器件的效率等性能，根据发明人的研究分析，控制n4与H4的层乘积(即n4×H4)在上述范围内，可以使p型电荷生成层具有更为适宜的光学厚度等性质，从而进一步优化叠层器件性能。
示例性地，n4×H4可以为6nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、36nm其中的任意两者组成的范围。
此外，第二低折射层的厚度H2可以为5nm～20nm，例如5nm、8nm、10nm、13nm、15nm、18nm、20nm或其中的任意两者组成的范围。
在一些实施例中，上述有机电致发光器件包括与第二低折射层相邻的第二相邻层，与第二低折射层相邻的第二相邻层和该第二低折射层直接接触，二者之间没有其他膜层，第二低折射层的折射率大于或小于第二相邻层的折射率，第二低折射层的折射率与第二相邻层的折射率的差值具体可以小于或等于0.5，例如小于或等于0.4、小于或等于0.3、小于或等于0.2等，这样可以防止第二低折射层与第二相邻层的折射率过大而导致的界面反射等不利影响，从而进一步优化微腔效果，提高器件的电流效率等性能。
示例性地，第二低折射层的折射率与第二相邻层的折射率的差值为0.05、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45、0.5或其中的任意两者组成的范围。
具体地，第二相邻层可以包括与第二低折射层相邻的空穴传输层和/或n型电荷生成层，n型电荷生成层位于第二低折射层面向第一电极的一侧，空穴传输层位于第二低折射层面向第二电极的一侧。
此外，在一些实施例中，如图2所示，至少一电荷生成层还包括位于n型电荷生成层与p型电荷生成层之间的金属层，这样可以降低叠层器件的驱动电压，并提高器件的稳定性，具体可表现在，在器件的工作过程中其电压变化程度更小。
具体地，上述金属层可以包括元素周期表第IIIA族金属和/或过渡金属，例如包括铝、银、金、钼、钛中的一种或多种。
在一些实施例中，与包括金属层的电荷生成层的p型电荷生成层相邻的空穴传输区(如图2中的第二发光单元的空穴传输区)包括第一低折射层，该第一低折射层可以是空穴传输层和/或电子阻挡层等(以图2所示的叠层器件为例，其第二发光单元中的空穴传输层HTL-2和/或电子阻挡层EBL-2为第一低折射层)，这样可以进一步提高叠层器件的电流效率等性能。
上述器件中，第一电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电荷生成层、第二电极等膜层可采用符合预设折射率等性质要求的本领域常规材料，对此不作特别限制。
示例性地，阳极包括铟锡氧化物(或称氧化铟锡，即ITO)、铟锌氧化物(或称氧化铟锌，即IZO)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等氧化物透明导电材料和它们的任意组合。
示例性地，阴极材料可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等金属或合金以及它们之间的任意组合。
示例性地，空穴注入层中，空穴传输材料可以包括芳胺化合物，具体可以包括三芳胺化合物，例如包括HTM1或NPB等；第一p型掺杂材料可以包括NDP-9。
示例性地，空穴传输层的空穴传输材料可以包括芳胺化合物，具体可以包括三芳胺类化合物，例如包括HTM1、HTM2、NPB、专利文献CN104718636B中的空穴传输材料、专利文献US8394510B2或CN101535256B中空穴输送层所用的如通式(1-d)所示的芳香族胺衍生物(该芳香胺衍生物的具体结构详见US8394510B2或CN101535256B，不再赘述)等中的一种或多种，但不局限于此。
示例性地，电子阻挡层的空穴传输材料可以包括芳胺化合物，具体可以包括三芳胺类化合物，例如包括BCzPh、专利文献US8394510B2或CN101535256B中的如通式(1-d)所示的芳香族胺衍生物(关于该芳香胺衍生物的具体结构详见US8394510B2或CN101535256B，不再赘述)等中的一种或多种，但不局限于此。
此外，p型电荷生成层中的第二主体材料为空穴传输材料，其可以包括芳胺化合物，具体可以包括三芳胺化合物，例如，第二主体材料可以包括HTM1、NPB、专利文献CN104718636B中的空穴传输材料等中的一种或几种，但不局限于此。
示例性地，p型电荷生成层中的第二p型掺杂材料可以包括NDP-9，但不局限于此。
此外，n型电荷生成层包括第三主体材料和n型掺杂材料，第三主体材料例如包括B-Phen，n型掺杂材料例如包括Li，但不局限于此。
在一些实施例中，n型电荷生成层中，n型掺杂材料的质量百分含量可以为1％～10％，例如1％、2％、3％、4％、5％、6％、7％、8％、9％、10％或其中的任意两者组成的范围。
此外，发光层可以包括第一主体材料和客体材料，可采用本领域常规主体材料和客体材料形成发光层，举例来说，上述叠层器件为蓝光器件，其发光层为蓝光发光层，第一主体材料例如包括α,β-AND，客体材料例如包括t-DABNA，但不局限于此。
具体地，上述发光层中，客体材料的质量百分含量可以为0.5％～15％，例如0.5％、1％、2％、3％、4％、5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％、15％或其中的任意两者组成的范围。
一般情况下，当上述发光层为蓝光发光层或红光发光层时，其中的客体材料的质量百分含量可以为0.5％～5％，例如0.5％、1％、1.5％、2％、2.5％、3％、3.5％、4％、4.5％、5％或其中的任意两者组成的范围。当上述发光层为绿光发光层时，其中的客体材料的质量百分含量可以为1％～15％，例如1％、2％、3％、4％、5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％、15％或其中的任意两者组成的范围。
此外，电子传输区可以包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一者。上述多个发光单元中，可以是一个或至少两个发光单元的电子传输区包括电子注入层，一般最靠近第二电极的发光单元(如图1和图2所示的第二发光单元)的电子传输区包括电子注入层；可以是一个或至少两个发光单元的电子传输区包括电子传输层，优选每一发光单元(如图1和图2所示的第一发光单元和第二发光单元)的电子传输区均分别包括电子传输层；可以是一个或至少两个发光单元的电子传输区包括空穴阻挡层，优选每一发光单元(如图1和图2所示的第一发光单元和第二发光单元)的电子传输区均分别包括空穴阻挡层。
举例来说，如图1和图2所示，第一发光单元的电子传输区包括沿第一电极至第二电极的方向依次层叠设置的空穴阻挡层HBL-1和电子传输层EIL-1，第二发光单元的电子传输区包括沿第一电极至第二电极的方向依次层叠设置的空穴阻挡层HBL-2、电子传输层EIL-2和电子注入层HIL。
示例性地，电子注入层可以包括LiQ、LiF、NaCl、CsF、Li2O、Cs2CO3、BaO、Na、Li、Ca、Mg、Yb中的一种或多种，但不局限于此。
此外，电子传输层可以包括电子传输材料和掺杂材料，电子传输材料例如包括DppyA，掺杂材料例如包括LiQ、LiF、NaCl、CsF、Li2O、Cs2CO3、BaO、Na、Li、Ca、Mg、Ag、Yb中的一种或多种，但不局限于此。
在一些实施例中，电子传输层中，掺杂材料的质量百分含量可以为30％～70％，例如30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％或其中的任意两者组成的范围。
示例性地，电子阻挡层可以包括CzPhPy，但不局限于此。
具体地，上述有机电致发光器件可以为顶发射器件(顶发射叠层器件)。
在一些实施例中，如图1和图2所示，上述有机电致发光器件还可以包括设于第二电极背离第一电极的一侧的光取出层CPL，这样可以进一步优化器件的光色和效率等性能。光取出层CPL的材料可以是本领域这类层的常规材料，但不局限于此。
一般情况下，上述有机电致发光器件包括基板，阳极可以通过溅射或沉积阳极材料的方式形成于基板上，其余层可通过真空热蒸镀、旋转涂覆、打印等本领域常规方式形成，不再赘述。其中，基板可以为具有机械强度、热稳定性、防水性、透明度优异的玻璃或聚合物材料，此外，作为显示器用的基板上也可以带有薄膜晶体管(TFT)。
本发明实施例的显示装置包括上述有机电致发光器件。该显示装置具体可以为OLED显示器等显示器件，以及包括该显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。该显示装置与上述有机电致发光器件相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。
以下通过具体实施例对本发明的有机电致发光器件进行进一步的介绍。以下实施例和对比例中，所述的折射率是对波长为460nm左右的光的折射率。
实施例1
本实施例1的有机电致发光器件为顶发射叠层器件，其结构如图1所示，各膜层材料和厚度等性质见表1。
表1
实施例2：与实施例1的区别在于，HIL和p-CGL的折射率小于1.8，其余条件与实施例1相同，具体见表2。
表2
实施例3和实施例4：与实施例1的区别在于，HTL-1、HTL-2的空穴迁移率不同，具体见表3，其余条件与实施例1相同。
表3
实施例5：与实施例1的区别在于，p-CGL与n-CGL之间设有金属层(叠层器件的结构如图2所示)，该金属层的材料为Ag，厚度为1nm，其余条件与实施例1相同。
对比例1：与实施例1的区别在于，HIL、HTL-1、EBL-1、HTL-2、EBL-2的折射率均大于1.8，具体见表4，其余条件与实施例1相同。
表4
测得各实施例和对比例的器件的电压(点亮时的驱动电压)、电流效率(器件达到亮度1050nits时的电流效率)、LT95寿命，结果见表5。
其中，LT95寿命测试过程如下：使用亮度计在初始1000cd/m2亮度下，保持恒定的电流，测量有机电致发光器件的亮度降为950cd/m2的时间，单位为小时(h)。
表5
| 实施例 | 电压(V) | 电流效率(cd/A) | LT95寿命(h) |
| 对比例1 | 6.55 | 13 | 1000 |
| 实施例1 | 6.5 | 16 | 1100 |
| 实施例2 | 6.55 | 17 | 1050 |
| 实施例3 | 6.5 | 18 | 1000 |
| 实施例4 | 6.6 | 14 | 900 |
| 实施例5 | 6.4 | 18 | 1050 |
可以看到，相对于对比例1，实施例1～实施例5的叠层器件的空穴传输区引入第一低折射层，能够提高器件的电流效率等性能，同时使器件保持较低的驱动电压(不高于6.6)和较高的寿命(LT95不低于900h)。
具体地，相对于对比例1，实施例1的HTL-1、HTL-2采用折射率小于1.8的空穴传输材料，能够提高器件的电流效率和寿命，并降低驱动电压。
具体地，相对于实施例1，实施例2的HTL-1、HTL-2、HIL和p-CGL均分别采用折射率小于1.8的空穴传输材料，能够进一步提高器件的电流效率。
具体地，相对于实施例1，实施例4的HTL-1的空穴迁移率大于HTL-2的空穴迁移率，器件的效率和寿命等性能差于实施例1；相对于实施例1，实施例3的HTL-1的空穴迁移率小于HTL-2的空穴迁移率，器件的电流效率进一步提高。由此表明，越靠近阳极的空穴传输层的空穴迁移率越小，能够进一步提高器件的电流效率等性能。
具体地，相对于实施例1，实施例5在n型电荷生成层与p型电荷生成层之间引入金属层，能够进一步提高器件的电流效率，并降低驱动电压。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括层叠设置的多个发光单元，每一所述发光单元包括依次层叠设置的空穴传输区、发光层和电子传输区，至少一所述发光单元的所述空穴传输区包括第一低折射层，所述第一低折射层包括折射率小于1.8的空穴传输材料。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，
所述折射率小于1.8的空穴传输材料的折射率大于1.2；
和/或，所述第一低折射层中，所述折射率小于1.8的空穴传输材料的质量百分含量大于或等于95％。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括与所述发光单元层叠设置的第一电极，所述多个发光单元中，最靠近所述第一电极的所述发光单元的所述空穴传输区包括所述第一低折射层；
优选地，所述第一电极为阳极；
优选地，所述多个发光单元的所述空穴传输区均分别包括所述第一低折射层；
优选地，所述发光层为红光发光层、绿光发光层或蓝光发光层。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的一种或多种，所述第一低折射层为所述空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一者。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，
所述空穴注入层还包括第一p型掺杂材料，所述空穴注入层中，所述第一p型掺杂材料的质量百分含量为0.5％～5％；
和/或，所述第一低折射层为所述空穴注入层，其中，所述第一低折射层的厚度为5nm～30nm，和/或，所述折射率小于1.8的空穴传输材料的折射率为n1，所述第一低折射层的厚度为H1，6nm＜n1×H1＜54nm；
和/或，所述第一低折射层为所述空穴传输层，其中，所述第一低折射层的厚度为5nm～200nm，和/或，所述折射率小于1.8的空穴传输材料的折射率为n2，所述第一低折射层的厚度为H2，6nm＜n2×H2＜360nm；
和/或，所述第一低折射层为所述电子阻挡层，其中，所述第一低折射层的厚度为3nm～50nm，和/或，所述折射率小于1.8的空穴传输材料的折射率为n3，所述第一低折射层的厚度为H3，6nm＜n3×H3＜54nm。
6.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括第一电极，优选所述第一电极为阳极，其中，
最靠近所述第一电极的所述空穴传输区包括所述空穴注入层，该空穴注入层为所述第一低折射层；
和/或，
最靠近所述第一电极的所述空穴传输区包括空穴传输层，该空穴传输层为所述第一低折射层；
优选地，每一所述发光单元的所述空穴传输区均分别包括所述空穴传输层，每一所述发光单元的所述空穴传输区的所述空穴传输层均分别为所述第一低折射层；
和/或，
最靠近所述第一电极的所述空穴传输区包括电子阻挡层，该电子阻挡层为所述第一低折射层；
优选地，每一所述发光单元的所述空穴传输区均分别包括所述电子阻挡层，每一所述发光单元的所述空穴传输区的所述电子阻挡层均分别为所述第一低折射层。
7.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，
至少两个所述发光单元的所述空穴传输区包括所述空穴传输层；
优选地，每一所述发光单元的所述空穴传输区均分别包括所述空穴传输层；
优选地，所述有机电致发光器件还包括与所述发光单元层叠设置的第一电极，优选所述第一电极为阳极，其中，越靠近所述第一电极的所述空穴传输层的空穴迁移率越小；
优选地，相邻两个所述空穴传输层的空穴迁移率的比值为1.1～2；
和/或，
至少两个所述发光单元的所述空穴传输区包括所述电子阻挡层；
优选地，每一所述发光单元的所述空穴传输区均分别包括所述电子阻挡层；
优选地，所述有机电致发光器件还包括与所述发光单元层叠设置的第一电极，优选所述第一电极为阳极，其中，越靠近所述第一电极的所述电子阻挡层的空穴迁移率越小，优选地，相邻两个所述电子阻挡层的空穴迁移率的比值为1.1～2。
8.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括与所述第一低折射层相邻的第一相邻层，所述第一低折射层的折射率大于或小于所述第一相邻层的折射率；
优选地，所述第一低折射层的折射率与所述第一相邻层的折射率的差值小于或等于0.5；
优选地，所述第一低折射层为空穴注入层，所述第一相邻层为空穴传输层；
优选地，所述第一低折射层为空穴传输层，所述第一相邻层包括与所述第一低折射层的一侧相邻的空穴注入层、以及与所述第一低折射层的另一侧相邻的电子阻挡层或所述发光层；或者，所述第一相邻层包括与所述第一低折射层的一侧相邻的p型电荷生成层、以及与所述第一低折射层的另一侧相邻的电子阻挡层；
优选地，所述第一低折射层为电子阻挡层，所述第一相邻层包括与所述第一低折射层的一侧相邻的空穴传输层、以及与所述第一低折射层的另一侧相邻的所述发光层。
9.根据权利要求1-8任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括位于每两个相邻的所述发光单元之间的电荷生成层，所述电荷生成层包括n型电荷生成层和p型电荷生成层；其中，
至少一所述电荷生成层还包括位于所述n型电荷生成层与所述p型电荷生成层之间的金属层；
优选地，与包括所述金属层的所述电荷生成层的所述p型电荷生成层相邻的所述空穴传输区包括所述第一低折射层；
优选地，所述金属层包括元素周期表第IIIA族金属和/或过渡金属，优选地，所述金属层包括铝、银、金、钼、钛中的一种或多种；
和/或，
至少一所述p型电荷生成层为第二低折射层，所述第二低折射层包括折射率小于1.8的第二主体材料；
优选地，所述折射率小于1.8的第二主体材料的折射率大于1.2；
优选地，所述折射率小于1.8的第二主体材料的折射率为n4，所述第二低折射层的厚度为H4，6nm＜n4×H4＜36nm；
优选地，所述第二低折射层的厚度H2为5nm～20nm；
优选地，所述有机电致发光器件包括与所述第二低折射层相邻的第二相邻层，所述第二低折射层的折射率大于或小于所述第二相邻层的折射率；
优选地，所述第二低折射层的折射率与所述第二相邻层的折射率的差值小于或等于0.5；
优选地，所述第二相邻层包括空穴传输层和/或n型电荷生成层；
和/或，
所述p型电荷生成层还包括第二p型掺杂材料，所述p型电荷生成层中，所述第二p型掺杂材料的质量百分含量为3％～10％。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的有机电致发光器件。
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