CN116973726A - Ic老化测试方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及集成电路测试技术领域，尤其涉及一种IC老化测试方法、装置、设备及存储介质，本发明通过根据待测试IC芯片的规格参数确定不同IC老化测试下对应的测试参数，以便于控制测试的工作量，同时通过多种老化测试模型对待测试IC芯片进行测试，提高了老化测试的精度，避免了现有技术中集成电路芯片老化测试的精度不高的技术问题，对集成电路芯片的设计有正面影响。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路测试技术领域，尤其涉及一种IC老化测试方法、装置、设备及存储介质。
背景技术
市场对于集成电路芯片的集成度越来越高，集成电路芯片的工作性能和使用寿命除了受到集成电路芯片中各器件的使用寿命和性能的影响外，还受到集成电路芯片的老化程度影响，目前对于集成电路芯片的老化程度测试精度不高，对于集成电路芯片的设计帮助有限。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种IC老化测试方法、装置、设备及存储介质，旨在解决现有技术中集成电路芯片老化测试的精度不高的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种IC老化测试方法，所述方法包括以下步骤：
响应于IC老化测试指令，获取待测试IC芯片的规格参数；
根据所述规则参数确定IC老化测试模式对应的测试参数，所述IC老化测试模式包括：温度老化模式、湿度老化模式、超载老化模式以及循环老化模式；
根据所述温度老化模式、湿度老化模式、超载老化模式以及循环老化模式中的至少一种与对应的测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，得到老化测试结果。
可选地，所述IC老化测试模式包括：温度老化模式；
所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，包括：
在所述IC老化测试模式为温度老化模式时，根据所述待测试IC芯片的正常工作温度区间确定目标温度测试区间；
获取所述待测试IC芯片所处环境的当前环境温度；
在所述目标温度测试区间内，基于所述当前环境温度与预设温度调整策略调整所述待测试IC芯片的工作温度；
给所述待测试IC芯片施加第一输入信号，并统计不同工作温度下所述待测试IC芯片的第一输出信号；
根据所述第一输出信号与所述第一输入信号得到温度老化模式的老化测试结果。
可选地，所述IC老化测试模式还包括：湿度老化模式；
所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，还包括：
在所述IC老化测试模式为湿度老化模式时，根据所述待测试IC芯片的正常工作湿度区间确定目标湿度测试区间；
给所述待测试IC芯片施加第二输入信号，并统计不同工作湿度下所述待测试IC芯片的第二输出信号；
根据所述第二输出信号与所述第二输入信号得到湿度老化模式的老化测试结果。
可选地，所述IC老化测试模式还包括：超载老化模式；
所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，还包括：
在所述IC老化测试模式为超载老化模式时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压确定目标电压测试区间，所述目标电压测试区间的最大值大于所述额定工作电压；
基于预设电压调整策略给所述待测试IC芯片施加初始电压；
增大所述初始电压，直至所述待测试IC芯片的电压不小于所述目标电压测试区间的最大值；
间隔预设时长后，统计所述待测试IC芯片中各电子器件的故障率；
根据所述故障率确定超载老化模式的老化测试结果。
可选地，所述根据所述待测试IC芯片的额定工作电压确定目标电压测试区间，包括：
确定所述待测试IC芯片的芯片类型；
在所述芯片类型为高压芯片时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压与第一补偿系数确定目标电压测试区间；
在所述芯片类型为普通芯片时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压与第二补偿系数确定目标电压测试区间，所述第二补偿系数小于所述第一补偿系数。
可选地，所述间隔预设时长后，统计所述待测试IC芯片中各电子器件的故障率，包括：
获取所述待测试IC芯片中各电子器件的总数；
根据所述待测试IC芯片的芯片规格参数确定故障电子器件数量；
根据所述预设时长、所述实际故障数量以及所述故障电子器件数量计算得到所述待测试IC芯片中各电子器件的故障率。
可选地，所述IC老化测试模式还包括：循环老化模式；
所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，还包括：
在所述IC老化测试模式为循环老化模式时，确定所述待测试IC芯片的目标温度测试区间、目标湿度测试区间以及目标电压测试区间；
给所述待测试IC芯片施加第三输入信号；
间隔预设调整周期，控制所述待测试IC芯片的工作温度、工作湿度以及工作电压中的至少一项在其对应的测试区间内进行循环调整，并统计对应调整周期内的第三输出信号；
根据所述第三输入信号与所述第三输出信号得到循环老化模式的老化测试结果。
此外，为实现上述目的，本发明还提出一种IC老化测试装置，所述IC老化测试装置包括：
获取模块，用于响应于IC老化测试指令，获取待测试IC芯片的规格参数；
确定模块，用于根据所述规则参数确定IC老化测试模式对应的测试参数；
测试模块，用于根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，得到老化测试结果。
此外，为实现上述目的，本发明还提出一种IC老化测试设备，所述IC老化测试设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的IC老化测试程序，所述IC老化测试程序配置为实现如上文所述的IC老化测试方法的步骤。
此外，为实现上述目的，本发明还提出一种存储介质，所述存储介质上存储有IC老化测试程序，所述IC老化测试程序被处理器执行时实现如上文所述的IC老化测试方法的步骤。
本发明公开了一种IC老化测试方法，所述IC老化测试方法包括：响应于IC老化测试指令，获取待测试IC芯片的规格参数；根据所述规则参数确定IC老化测试模式对应的测试参数；根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，得到老化测试结果，与现有技术相比，本发明通过根据待测试IC芯片的规格参数确定不同IC老化测试下对应的测试参数，以便于控制测试的工作量，同时通过多种老化测试模型对待测试IC芯片进行测试，提高了老化测试的精度，避免了现有技术中集成电路芯片老化测试的精度不高的技术问题，对集成电路芯片的设计有正面影响。
附图说明
图1是本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的IC老化测试设备的结构示意图；
图2为本发明IC老化测试方法第一实施例的流程示意图；
图3为本发明IC老化测试方法第二实施例的流程示意图；
图4为本发明IC老化测试方法第三实施例的流程示意图；
图5为本发明IC老化测试装置第一实施例的结构框图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
参照图1，图1为本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的IC老化测试设备结构示意图。
如图1所示，该IC老化测试设备可以包括：处理器1001，例如中央处理器(CentralProcessing Unit，CPU)，通信总线1002、用户接口1003，网络接口1004，存储器1005。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。用户接口1003可以包括显示屏(Display)、输入单元比如键盘(Keyboard)，可选用户接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口。网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如无线保真(Wireless-Fidelity，Wi-Fi)接口)。存储器1005可以是高速的随机存取存储器(RandomAccess Memory，RAM)，也可以是稳定的非易失性存储器(Non-Volatile Memory，NVM)，例如磁盘存储器。存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。
本领域技术人员可以理解，图1中示出的结构并不构成对IC老化测试设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
如图1所示，作为一种存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及IC老化测试程序。
在图1所示的IC老化测试设备中，网络接口1004主要用于与网络服务器进行数据通信；用户接口1003主要用于与用户进行数据交互；本发明IC老化测试设备中的处理器1001、存储器1005可以设置在IC老化测试设备中，所述IC老化测试设备通过处理器1001调用存储器1005中存储的IC老化测试程序，并执行本发明实施例提供的IC老化测试方法。
本发明实施例提供了一种IC老化测试方法，参照图2，图2为本发明一种IC老化测试方法第一实施例的流程示意图。
本实施例中，所述IC老化测试方法包括以下步骤：
步骤S10：响应于IC老化测试指令，获取待测试IC芯片的规格参数。
需要说明的是，本实施例的执行主体可以是具有数据传输、数据处理以及程序运行等功能的设备，例如：芯片老化测试板或者芯片测试机，还可以是其他具有相同或者相似功能的IC老化测试设备，本实施例对此不做具体限制，在本实施例以及下述实施例中，将会以芯片测试机为例进行说明。
应当理解的是，IC芯片是指(Integrated Circuit，IC)集成电路芯片，可以是大量的微电子元器件(晶体管、电阻、电容等)形成的集成电路放在一块塑基上，做成的一块芯片，本实施例对此不做具体限制。
值得说明的是，IC老化测试指令用于控制芯片测试机对待测试的IC芯片进行老化测试，在本实施例中，对待测试IC芯片进行老化测试是指在较短的时间内，通过集成电路芯片的工作状态，预估集成电路芯片的使用寿命，并通过集成电路芯片的数据处理效率或者输出信号确定其工作性能。
可以理解的是，待测试IC芯片的规格参数包括但不限于待测试IC芯片的额定工作电压、额定工作功率、正常工作温度区间以及正常工作湿度区间等，还可以包括待测试IC芯片中集成的电子器件的类别或者数量等，本实施例对此不做具体限制。
步骤S20：根据所述规则参数确定IC老化测试模式对应的测试参数，所述IC老化测试模式包括：温度老化模式、湿度老化模式、超载老化模式以及循环老化模式。
应当理解的是，本实施例中为了提高IC芯片老化测试的精准度，存在多个测试模式，分别模拟IC芯片在不同使用场景下的老化程度，并预估其使用寿命以及工作性能，其中，IC老化测试模式包括：温度老化模式、湿度老化模型、超载老化模式以及循环老化模式等。
在具体实现中，不同的使用场景下的老化程度不同，在模拟这个使用场景时，需要限定该使用场景下的测试参数，以提高老化测试的精准度，例如：在考虑温度变化对于IC芯片老化程度的影响时，需要保证IC芯片所处的环境温度不能过高，也不能过低，以避免直接损坏IC芯片上集成的电子器件，对老化测试造成影响。
可以理解的是，本实施例中，根据IC老化测试模式的不同，测试参数可以分为：温度老化模式对应的温度测试区间、湿度老化模型对应的湿度测试区间、超载老化模式对应的电压测试区间以及循环老化模式下各种测试参数的组合，本实施例对此不做具体限制。
步骤S30：根据所述温度老化模式、湿度老化模式、超载老化模式以及循环老化模式中的至少一种与对应的测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，得到老化测试结果。
需要说明的是，在对IC芯片进行老化测试时，一般会结合IC芯片的输入信号与输出信号综合对比，例如：输入信号为计算1000个数据包内的计算公式，输出信号若是只能输出500个数据，则表示IC芯片的数据处理性能较差，上述说明只作为举例说明，并非是唯一的执行方式。
进一步地，本实施例可以同时进行温度老化模式与湿度老化模式的芯片测试，在执行温度老化模式下的芯片测试时，所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，包括：
在所述IC老化测试模式为温度老化模式时，根据所述待测试IC芯片的正常工作温度区间确定目标温度测试区间；
获取所述待测试IC芯片所处环境的当前环境温度；
在所述目标温度测试区间内，基于所述当前环境温度与预设温度调整策略调整所述待测试IC芯片的工作温度；
给所述待测试IC芯片施加第一输入信号，并统计不同工作温度下所述待测试IC芯片的第一输出信号；
根据所述第一输出信号与所述第一输入信号得到温度老化模式的老化测试结果。
值得说明的是，在温度老化模式下对待测试IC芯片进行温度调整的预设温度调整策略为：以当前环境温度作为初始温度，先增大，直至增大到目标温度测试区间的最大值，再逐渐减小，直至减小到目标温度测试区间的最小值。
在具体实现中，在每一次调整温度后，都可以将第一输出信号施加给待测试的IC芯片，并统计待测试IC芯片对应的第一输出信号，根据第一输入信号与第一输出信号判断其温度老化模式的工作性能。
进一步地，所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，还包括：
在所述IC老化测试模式为湿度老化模式时，根据所述待测试IC芯片的正常工作湿度区间确定目标湿度测试区间；
给所述待测试IC芯片施加第二输入信号，并统计不同工作湿度下所述待测试IC芯片的第二输出信号；
根据所述第二输出信号与所述第二输入信号得到湿度老化模式的老化测试结果。
可以理解是，湿度对于IC芯片的工作性能影响相对较小，在调整时保证在目标湿度测试区间内，所有的湿度都经过测试即可，此外，在每一次调整湿度后，都可以将第二输出信号施加给待测试的IC芯片，并统计待测试IC芯片对应的第二输出信号，根据第二输入信号与第人输出信号判断其湿度老化模式的工作性能。
本实施例公开了一种IC老化测试方法，所述IC老化测试方法包括：响应于IC老化测试指令，获取待测试IC芯片的规格参数；根据所述规则参数确定IC老化测试模式对应的测试参数；根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，得到老化测试结果，本实施例通过根据待测试IC芯片的规格参数确定不同IC老化测试下对应的测试参数，以便于控制测试的工作量，同时通过多种老化测试模型对待测试IC芯片进行测试，提高了老化测试的精度，避免了现有技术中集成电路芯片老化测试的精度不高的技术问题，对集成电路芯片的设计有正面影响。
参考图3，图3为本发明一种IC老化测试方法第二实施例的流程示意图。
基于上述第一实施例，在本实施例中，所述步骤S30，包括：
步骤S301：在所述IC老化测试模式为超载老化模式时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压确定目标电压测试区间，所述目标电压测试区间的最大值大于所述额定工作电压。
需要说明的是，在超载老化模式下，给待测试IC芯片施加的电压可以比正常工作时的额定电压更高，模拟待测试IC芯片的老化过程，因此，超载老化模式下施加给待测试IC芯片的目标电压测试区间的最大值可以大于待测试IC芯片的额定工作电压。
进一步地，所述根据所述待测试IC芯片的额定工作电压确定目标电压测试区间，包括：
确定所述待测试IC芯片的芯片类型；
在所述芯片类型为高压芯片时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压与第一补偿系数确定目标电压测试区间；
在所述芯片类型为普通芯片时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压与第二补偿系数确定目标电压测试区间，所述第二补偿系数小于所述第一补偿系数。
应当说明的是，由于不同类型的IC芯片，其能够承受的电压也更高，对于集成的电子器件的性能更好的高压芯片，其超载的电压值更大；而普通芯片，虽然能够短时间内超载运行，但是为了避免电子器件大量损坏，其对应的超载电压相对较小。
例如：高压芯片与普通芯片的额定工作电压为12V，那么高压芯片对应的第一补偿系数可以为1.2，普通芯片对应的第二补偿系数可以为1.1，那么高压芯片对应的目标电压测试区间应当在0-14.4V，而普通芯片对应的目标电压测试区间应当在0-13.2V。
步骤S302：基于预设电压调整策略给所述待测试IC芯片施加初始电压。
值得说明的是，预设电压调整策略可以是将施加给待测试IC芯片的电压由0逐渐增大，直至目标电压测试区间的最大值，防止电压突变导致的待测试IC芯片上集成的电子器件的损坏。
其中，初始电压为0，所述初始电压还可以是待测试IC芯片的待机电压，本实施例对此不做具体限制。
步骤S303：增大所述初始电压，直至所述待测试IC芯片的电压不小于所述目标电压测试区间的最大值。
在具体实现中，增大施加给待测试IC芯片上的电压时，可以是每次增加一定的电压阈值，例如：每次增加0.1V，减少因为电压突变导致电子器件损坏的可能性。
步骤S304：间隔预设时长后，统计所述待测试IC芯片中各电子器件的故障率。
可以理解的是，预设时长可以是1min，本实施例对此不做具体限制。
应当理解的是，统计各电子器件的故障率可以用于量化IC芯片在超载时的老化程度，一般来说故障率越高，老化程度越严重；故障率越低，老化程度越轻。
进一步地，所述间隔预设时长后，统计所述待测试IC芯片中各电子器件的故障率，包括：
间隔预设时长后，获取所述待测试IC芯片中各电子器件的总数；
根据所述待测试IC芯片的芯片规格参数确定故障电子器件数量；
根据所述预设时长、所述实际故障数量以及所述故障电子器件数量计算得到所述待测试IC芯片中各电子器件的故障率。
应当说明的是，在超载状态下，待测试IC芯片中必定存在部分集成器件由于规格不匹配进而损坏，这些损坏的集成电子器件为理论故障的电子器件，实际故障数量是指在超载老化测试之后，所有损坏的电子器件的总和。
在具体实现中，计算故障率的公式如下：
其中，λ是指故障率，r是指故障电子器件数量，n是指总器件数量之和，t是指预设时长。
步骤S305：根据所述故障率确定超载老化模式的老化测试结果。
在具体实现中，故障率的单位是fit，定义为在109小时内，出现一次故障为1fit，根据故障率可以预估在超载老化模式下的待测试IC芯片的使用寿命。
本实施例通过对待测试IC芯片进行超载老化测试，提供了一种老化测试的技术构思，便于在设计集成电路芯片时，可以根据超载老化模式的老化测试结果对芯片的电路结构进行调整。
参考图4，图4为本发明一种IC老化测试方法第二实施例的流程示意图。
基于上述第一实施例，在本实施例中，所述步骤S30，还包括：
步骤S301`：在所述IC老化测试模式为循环老化模式时，确定所述待测试IC芯片的目标温度测试区间、目标湿度测试区间以及目标电压测试区间。
需要说明的是，循环老化模式下对待测试IC芯片进行老化测试具体表现为：在目标温度测试区间、目标湿度测试区间以及目标电压测试区间内，控制待测试IC芯片的温度、湿度以及电压中的至少一项进行反复调整，以统计对应的输出信号，综合得到待测试IC芯片的老化测试结果。
步骤S302`：给所述待测试IC芯片施加第三输入信号。
步骤S303`：间隔预设调整周期，控制所述待测试IC芯片的工作温度、工作湿度以及工作电压中的至少一项在其对应的测试区间内进行循环调整，并统计对应调整周期内的第三输出信号。
应当理解的是，预设调整周期可以设置为2min，本实施例对此不做具体限制。
在具体实现中，控制所述待测试IC芯片的工作温度、工作湿度以及工作电压中的至少一项在其对应的测试区间内进行循环调整，可以按照先调整工作温度、工作湿度以及工作电压中的任一项，再调整工作温度、工作湿度以及工作电压中的任两项的组合，最后对调整工作温度、工作湿度以及工作电压全部进行调整，且先后顺序不限定，保证所有参数的组合进行老化测试即可。
步骤S304`：根据所述第三输入信号与所述第三输出信号得到循环老化模式的老化测试结果。
本实施例通过对待测试IC芯片进行循环老化测试，提供了一种老化测试的技术构思，便于在设计集成电路芯片时，可以根据循环老化模式的老化测试结果对芯片的电路结构进行调整，增加IC芯片的鲁棒性。
此外，本发明实施例还提出一种存储介质，所述存储介质上存储有IC老化测试程序，所述IC老化测试程序被处理器执行时实现如上文所述的IC老化测试方法的步骤。
由于本存储介质采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
参照图5，图5为本发明IC老化测试装置第一实施例的结构框图。
如图5所示，本发明实施例提出的IC老化测试装置包括：
获取模块10，用于响应于IC老化测试指令，获取待测试IC芯片的规格参数。
确定模块20，用于根据所述规则参数确定IC老化测试模式对应的测试参数。
测试模块30，用于根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，得到老化测试结果。
在一实施例中，所述测试模块30，还用于在所述IC老化测试模式为温度老化模式时，根据所述待测试IC芯片的正常工作温度区间确定目标温度测试区间；获取所述待测试IC芯片所处环境的当前环境温度；在所述目标温度测试区间内，基于所述当前环境温度与预设温度调整策略调整所述待测试IC芯片的工作温度；给所述待测试IC芯片施加第一输入信号，并统计不同工作温度下所述待测试IC芯片的第一输出信号；根据所述第一输出信号与所述第一输入信号得到温度老化模式的老化测试结果。
在一实施例中，所述测试模块30，还用于在所述IC老化测试模式为湿度老化模式时，根据所述待测试IC芯片的正常工作湿度区间确定目标湿度测试区间；给所述待测试IC芯片施加第二输入信号，并统计不同工作湿度下所述待测试IC芯片的第二输出信号；根据所述第二输出信号与所述第二输入信号得到湿度老化模式的老化测试结果。
在一实施例中，所述测试模块30，还用于在所述IC老化测试模式为超载老化模式时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压确定目标电压测试区间，所述目标电压测试区间的最大值大于所述额定工作电压；基于预设电压调整策略给所述待测试IC芯片施加初始电压；增大所述初始电压，直至所述待测试IC芯片的电压不小于所述目标电压测试区间的最大值；间隔预设时长后，统计所述待测试IC芯片中各电子器件的故障率；根据所述故障率确定超载老化模式的老化测试结果。
在一实施例中，所述测试模块30，还用于确定所述待测试IC芯片的芯片类型；在所述芯片类型为高压芯片时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压与第一补偿系数确定目标电压测试区间；在所述芯片类型为普通芯片时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压与第二补偿系数确定目标电压测试区间，所述第二补偿系数小于所述第一补偿系数。
在一实施例中，所述测试模块30，还用于获取所述待测试IC芯片中各电子器件的总数；根据所述待测试IC芯片的芯片规格参数确定故障电子器件数量；根据所述预设时长、所述实际故障数量以及所述故障电子器件数量计算得到所述待测试IC芯片中各电子器件的故障率。
在一实施例中，所述测试模块30，还用于在所述IC老化测试模式为循环老化模式时，确定所述待测试IC芯片的目标温度测试区间、目标湿度测试区间以及目标电压测试区间；给所述待测试IC芯片施加第三输入信号；间隔预设调整周期，控制所述待测试IC芯片的工作温度、工作湿度以及工作电压中的至少一项在其对应的测试区间内进行循环调整，并统计对应调整周期内的第三输出信号；根据所述第三输入信号与所述第三输出信号得到循环老化模式的老化测试结果。
本实施例公开了一种IC老化测试方法，所述IC老化测试方法包括：响应于IC老化测试指令，获取待测试IC芯片的规格参数；根据所述规则参数确定IC老化测试模式对应的测试参数；根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，得到老化测试结果，本实施例通过根据待测试IC芯片的规格参数确定不同IC老化测试下对应的测试参数，以便于控制测试的工作量，同时通过多种老化测试模型对待测试IC芯片进行测试，提高了老化测试的精度，避免了现有技术中集成电路芯片老化测试的精度不高的技术问题，对集成电路芯片的设计有正面影响。
应当理解的是，以上仅为举例说明，对本发明的技术方案并不构成任何限定，在具体应用中，本领域的技术人员可以根据需要进行设置，本发明对此不做限制。
需要说明的是，以上所描述的工作流程仅仅是示意性的，并不对本发明的保护范围构成限定，在实际应用中，本领域的技术人员可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部来实现本实施例方案的目的，此处不做限制。
另外，未在本实施例中详尽描述的技术细节，可参见本发明任意实施例所提供的IC老化测试方法，此处不再赘述。
此外，需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如只读存储器(Read Only Memory，ROM)/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种IC老化测试方法，其特征在于，所述IC老化测试方法包括：
响应于IC老化测试指令，获取待测试IC芯片的规格参数；
根据所述规则参数确定IC老化测试模式对应的测试参数，所述IC老化测试模式包括：温度老化模式、湿度老化模式、超载老化模式以及循环老化模式；
根据所述温度老化模式、湿度老化模式、超载老化模式以及循环老化模式中的至少一种与对应的测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，得到老化测试结果。
2.如权利要求1所述的IC老化测试方法，其特征在于，所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，包括：
在所述IC老化测试模式为温度老化模式时，根据所述待测试IC芯片的正常工作温度区间确定目标温度测试区间；
获取所述待测试IC芯片所处环境的当前环境温度；
在所述目标温度测试区间内，基于所述当前环境温度与预设温度调整策略调整所述待测试IC芯片的工作温度；
给所述待测试IC芯片施加第一输入信号，并统计不同工作温度下所述待测试IC芯片的第一输出信号；
根据所述第一输出信号与所述第一输入信号得到温度老化模式的老化测试结果。
3.如权利要求1所述的IC老化测试方法，其特征在于，所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，还包括：
在所述IC老化测试模式为湿度老化模式时，根据所述待测试IC芯片的正常工作湿度区间确定目标湿度测试区间；
给所述待测试IC芯片施加第二输入信号，并统计不同工作湿度下所述待测试IC芯片的第二输出信号；
根据所述第二输出信号与所述第二输入信号得到湿度老化模式的老化测试结果。
4.如权利要求1所述的IC老化测试方法，其特征在于，所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，还包括：
在所述IC老化测试模式为超载老化模式时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压确定目标电压测试区间，所述目标电压测试区间的最大值大于所述额定工作电压；
基于预设电压调整策略给所述待测试IC芯片施加初始电压；
增大所述初始电压，直至所述待测试IC芯片的电压不小于所述目标电压测试区间的最大值；
间隔预设时长后，统计所述待测试IC芯片中各电子器件的故障率；
根据所述故障率确定超载老化模式的老化测试结果。
5.如权利要求4所述的IC老化测试方法，其特征在于，所述根据所述待测试IC芯片的额定工作电压确定目标电压测试区间，包括：
确定所述待测试IC芯片的芯片类型；
在所述芯片类型为高压芯片时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压与第一补偿系数确定目标电压测试区间；
在所述芯片类型为普通芯片时，根据所述待测试IC芯片的额定工作电压与第二补偿系数确定目标电压测试区间，所述第二补偿系数小于所述第一补偿系数。
6.如权利要求4所述的IC老化测试方法，其特征在于，所述间隔预设时长后，统计所述待测试IC芯片中各电子器件的故障率，包括：
间隔预设时长后，获取所述待测试IC芯片中各电子器件的总数；
根据所述待测试IC芯片的芯片规格参数确定故障电子器件数量；
根据所述预设时长、所述实际故障数量以及所述故障电子器件数量计算得到所述待测试IC芯片中各电子器件的故障率。
7.如权利要求1-6中任一项所述的IC老化测试方法，其特征在于，所述根据所述IC老化测试模式与所述测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，还包括：
在所述IC老化测试模式为循环老化模式时，确定所述待测试IC芯片的目标温度测试区间、目标湿度测试区间以及目标电压测试区间；
给所述待测试IC芯片施加第三输入信号；
间隔预设调整周期，控制所述待测试IC芯片的工作温度、工作湿度以及工作电压中的至少一项在其对应的测试区间内进行循环调整，并统计对应调整周期内的第三输出信号；
根据所述第三输入信号与所述第三输出信号得到循环老化模式的老化测试结果。
8.一种IC老化测试装置，其特征在于，所述IC老化测试装置包括：
获取模块，用于响应于IC老化测试指令，获取待测试IC芯片的规格参数；
确定模块，用于根据所述规则参数确定IC老化测试模式对应的测试参数，所述IC老化测试模式包括：温度老化模式、湿度老化模式、超载老化模式以及循环老化模式；
测试模块，用于根据所述温度老化模式、湿度老化模式、超载老化模式以及循环老化模式中的至少一种与对应的测试参数对所述待测试IC芯片进行老化测试，得到老化测试结果。
9.一种IC老化测试设备，其特征在于，所述IC老化测试设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的IC老化测试程序，所述IC老化测试程序配置为实现如权利要求1至7中任一项所述的IC老化测试方法。
10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质上存储有IC老化测试程序，所述IC老化测试程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的IC老化测试方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310816829.8A CN116973726A (zh) | 2023-07-04 | 2023-07-04 | Ic老化测试方法、装置、设备及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310816829.8A CN116973726A (zh) | 2023-07-04 | 2023-07-04 | Ic老化测试方法、装置、设备及存储介质 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116973726A true CN116973726A (zh) | 2023-10-31 |
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ID=88470446
Family Applications (1)
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| CN202310816829.8A Pending CN116973726A (zh) | 2023-07-04 | 2023-07-04 | Ic老化测试方法、装置、设备及存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116973726A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116933099A (zh) * | 2023-07-20 | 2023-10-24 | 苏州艾驰博特检测科技有限公司 | 一种汽车零部件老化测试方法、系统及介质 |
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2023
- 2023-07-04 CN CN202310816829.8A patent/CN116973726A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN116933099A (zh) * | 2023-07-20 | 2023-10-24 | 苏州艾驰博特检测科技有限公司 | 一种汽车零部件老化测试方法、系统及介质 |
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