CN116953310A - 导电探针、其制造方法及具有导电探针的探针卡装置 - Google Patents

Abstract

一种导电探针、其制造方法及具有导电探针的探针卡装置,导电探针包含一柱状本体。柱状本体定义有一长度方向，柱状本体沿此长度方向具有彼此相对的第一接触面与第二接触面，第一接触面呈十字状或X字型，用以接触一待测物的一导接凸柱。如此，透过以上架构，本揭露的导电探针能够缩小对导接凸柱所产生的针痕尺寸，从而避免降低导电探针的导电效率以及半导体元件的可靠性。

Description

导电探针、其制造方法及具有导电探针的探针卡装置

技术领域

本发明有关于一种导电探针，尤指一种其端面呈十字状的导电探针、其制造方法及具有导电探针的探针卡装置。

背景技术

一般而言，半导体元件，例如晶粒(Die)、晶圆(Wafer)，在裸晶测试阶段(ChipProbe；CP)会被放入一测试台内，测试台上方的探针卡所配置的探针得以受控向下触压半导体元件的导接凸柱(Pillar)，以对此半导体元件进行电性检测。

然而，当探针卡的探针分别一一触压半导体元件的导接凸柱，每个探针难免会压迫对应的导接凸柱的表面，对导接凸柱的顶面造成特定尺寸的针痕(例如刮痕或凹陷)。若这些针痕的尺寸过大时，将降低每个导接凸柱的导电效率，从而影响半导体元件的可靠性。

由此可见，上述技术显然仍存在不便与缺陷，而有待加以进一步改良。因此，如何能有效地解决上述不便与缺陷，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域亟需改进的目标。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种导电探针、其制造方法及具有导电探针的探针卡装置，用以解决以上先前技术所提到的困难。

本发明的一实施例提供一种导电探针。导电探针包含一柱状本体。柱状本体定义有一长度方向，柱状本体沿此长度方向具有一第一接触面与一第二接触面。第一接触面与第二接触面彼此相对，第一接触面呈十字状或X字型，用以接触一待测物的一导接凸柱。

依据本发明一或多个实施例，在上述的导电探针中，第一接触面包含一中央区、二第一延伸区及二第二延伸区。此些第一延伸区从中央区的二相对端朝外延伸，且沿一第一轴向同轴延伸，第一轴向正交长度方向。此些第二延伸区从中央区的另二相对端朝外延伸，且沿一第二轴向同轴延伸，第二轴向相交第一轴向，且正交长度方向。其中一第一延伸区位于此些第二延伸区之间，且其中一第二延伸区位于此些第一延伸区之间。

依据本发明一或多个实施例，在上述的导电探针中，所述第一延伸区与所述第二延伸区的夹角为正角，且第一轴向与第二轴向彼此正交。

依据本发明一或多个实施例，在上述的导电探针中，所述第一延伸区与所述第二延伸区的夹角为钝角，与另一第二延伸区的夹角为锐角。

依据本发明一或多个实施例，在上述的导电探针中，柱状本体更具有一弧状凹部，弧状凹部位于中央区，用以接收导接凸柱的一部分。

依据本发明一或多个实施例，在上述的导电探针中，柱状本体为一十字柱体，且柱状本体的一横截面呈十字状。

依据本发明一或多个实施例，在上述的导电探针中，柱状本体由彼此同轴连接的一第一区段及一第二区段所组成。第一区段的一横截面呈十字状，且第一区段的横截面的外型不同于第二区段的一横截面的外型。第一接触面为第一区段的一端面，且第二接触面为第二区段的一端面。

依据本发明一或多个实施例，在上述的导电探针中，第一区段与第二区段的长度比例为3:7或2:8。

依据本发明一或多个实施例，在上述的导电探针中，柱状本体包含二第一凹口部及二第二凹口部。此些第一凹口部分别凹设于柱状本体的一侧，且沿长度方向延伸。此些第二凹口部分别凹设于柱状本体的另侧，且沿长度方向延伸。柱状本体的一端面透过此些第一凹口部与此些第二凹口部共同定义出所述第一接触面。

本发明的一实施例提供一种导电探针。导电探针包含一第一区段。第一区段包含一中轴体、二第一侧翼及二第二侧翼。中轴体具有一长度方向。第一侧翼分别位于中轴体的二相对侧，且共同沿长度方向延伸。第二侧翼分别位于中轴体的另二相对侧，且共同沿长度方向延伸。其中一第一侧翼位于第二侧翼之间，且其中一第二侧翼位于第一侧翼之间，中轴体、第一侧翼与第二侧翼沿长度方向共同形成一接触面，接触面用以接触一待测物的一导接凸柱。

依据本发明一或多个实施例，在上述的导电探针中，所述第一侧翼与所述第二侧翼的夹角为正角。

依据本发明一或多个实施例，在上述的导电探针中，所述第一侧翼与所述第二侧翼的夹角为钝角，与另一第二侧翼的夹角为锐角。

依据本发明一或多个实施例，在上述的导电探针中，第一区段更具有一弧状凹部，弧状凹部凹设于接触面上，用以接收导接凸柱的一部分。

依据本发明一或多个实施例，在上述的导电探针中，接触面呈十字状或X字型。

依据本发明一或多个实施例，上述的导电探针还包含一第二区段。第二区段同轴连接第一区段，第二区段的横截面呈矩形。

依据本发明一或多个实施例，在上述的导电探针中，第一区段与第二区段的长度比例为3:7或2:8。

本发明的一实施例提供一种探针卡装置。探针卡装置包含一电路板、一探针模块、一空间转换层及至少一个如上述的导电探针。电路板具有多个接点。探针模块包含一载针座与多个定位口。这些定位口依据一阵列方式排列，且每个定位口贯设于载针座上。空间转换层位于电路板与探针模块之间，具有多个电路路径。导电探针固定于其中一定位口内，且透过其中一电路路径电连接其中一接点。

依据本发明一或多个实施例，在上述的导电探针中，柱状本体被所述定位口的二相对内侧所直接夹持，并被定位于载针座上。

依据本发明一或多个实施例，在上述的导电探针中，此些定位口分别呈十字状、X字型或矩形。

本发明的一实施例提供一种导电探针的制造方法，包含步骤如下。提供一基板；形成一第一光阻层于基板上；蚀刻出一第一柱状凹槽于第一光阻层上；形成一第一金属层于第一柱状凹槽与第一光阻层上；形成一第二光阻层于第一金属层相对基板的一面；蚀刻出一第二柱状凹槽于第二光阻层上；形成一第二金属层于第二柱状凹槽内，且与第一金属层一体成形为一导电探针；以及移除基板、第一光阻层及第二光阻层，以取出上述导电探针，此导电探针的横截面呈十字状。

如此，透过以上各实施例的所述架构，本揭露的导电探针能够缩小对导接凸柱所产生的针痕尺寸，从而避免降低导电探针的导电效率以及半导体元件的可靠性。

以上所述仅是用以阐述本发明所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等，本发明的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：

图1为本发明一实施例的导电探针的立体图；

图2A为图1的导电探针接触一待测物的导接凸柱的局部侧视图；

图2B为图2A的上视图；

图3为本发明一实施例的导电探针的立体图；

图4A为本发明一实施例的导电探针的立体图；

图4B为图4A的导电探针接触一待测物的导接凸柱的局部侧视图；

图5为本发明一实施例的导电探针的立体图；

图6A为本发明一实施例的探针卡装置的示意图；

图6B为图6A的载针座的正视图；

图7为本发明一实施例的导电探针的制造方法的流程图；以及

图8A至图8H为图7的各步骤的操作示意图。

【符号说明】

10～15:导电探针

100、101:柱状本体

102:长度方向

110、110A:第一接触面

111:中央区

112:第一延伸区

113:第二延伸区

120、121:第二接触面

130:中轴体

140:第一侧翼

150:第二侧翼

160:第一凹口部

170:第二凹口部

210:第一区段

220:第二区段

221:端面

230:弧状凹部

300:探针卡装置

310:电路板

311:接点

320:中介层

321:导电通道

330:空间转换层

331:电路路径

340:探针模块

341:上导板

342:下导板

343:载针座

344:定位口

345:内侧

401～408:步骤

410:基板

411:硅基板

412:金属镀层

420:第一光阻层

421:面

430:第一柱状凹槽

440:第一金属层

441:部分

442:另部分

450:第二光阻层

451:一面

460:第二柱状凹槽

470:第二金属层

A1:第一轴向

A2:第二轴向

C:顶点

DUT:待测物

L:导接凸柱

M:针痕

Q:象限

θ1、θ2、θ:夹角

具体实施方式

以下将以附图揭露本发明的多个实施例，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明各实施例中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。

图1为本发明一实施例的导电探针10的立体图，图2A为图1的导电探针10接触一待测物DUT的导接凸柱L的局部侧视图，图2B为图2A的上视图。如图1至图2B所示，导电探针10包含一柱状本体100。柱状本体100定义有一长度方向102，柱状本体100沿此长度方向102具有彼此相对的第一接触面110与第二接触面120，第一接触面110呈十字状。故，当导电探针10触压一待测物(Device Under Test，后称DUT)时，待测物DUT为半导体元件，例如晶粒(Die)、晶圆(Wafer)，导电探针10透过其第一接触面110接触待测物DUT的其中一导接凸柱L(例如铜柱；Copper Pillar)，以对导接凸柱L的顶面造成特定尺寸的针痕M。在本实施例中，举例来说，导电探针10是由微机电制程所加工而成的小尺寸微型探针，然而，本发明不限于此。

如此，由于其端面为十字状的设计可以约束针痕M在图2B中的四个象限Q的扩展，本实施例的导电探针10不仅缩小导电探针10对导接凸柱L的触压面积，而降低导电探针10对导接凸柱L所压出的针痕M尺寸(如44.4％的面积减少率)，从而改善导电探针10的导电效率及半导体元件的可靠性。

举例来说，相较于已知形状对导接凸柱L所压出的针痕M的尺寸为占导接凸柱L总面积的25～36％，本实施例呈十字状的第一接触面110可以缩小针痕M的尺寸至23～32％，意即，具有2～4％的改善空间。如此，因为针痕M的尺寸越小，导接凸柱L的顶面镀层的残留物就越少，残留物掉落的机会越少，其顶面镀层的材料损失越少，从而能够提高导电探针10的导电效率及半导体元件的可靠性。

更具体地，第一接触面110包含一中央区111、二第一延伸区112及二第二延伸区113。此些第一延伸区112从中央区111的二相对端朝外延伸，且沿一第一轴向A1同轴延伸，第一轴向A1正交长度方向102。此些第二延伸区113从中央区111的另二相对端朝外延伸，且沿一第二轴向A2同轴延伸，第二轴向A2相交第一轴向A1，且正交长度方向102。其中一第一延伸区112位于第二延伸区113之间，且其中一第二延伸区113位于第一延伸区112之间。如图1所示，第一延伸区112与第二延伸区113的夹角θ大致为90度(即正角)，且第一轴向A1与第二轴向A2彼此正交。中央区111、第一延伸区112及第二延伸区113分别呈矩形，以致共同组成上述的十字状端面。

故，当导电探针10触压待测物DUT的导接凸柱L时，由于导接凸柱L的顶点C对应第一接触面110的中央区111，使得导接凸柱L的第一延伸区112及第二延伸区113能够对称地接触导接凸柱L，从而提供防滑功效。

举例来说，在本实施例中，柱状本体100为沿直线延伸的十字柱体，意即，柱状本体100的任一横截面呈十字状。更具体地，导电探针10包含一中轴体130、二第一侧翼140及二第二侧翼150。中轴体130为矩形柱状，具有如上述的长度方向102。第一侧翼140分别位于中轴体130的二相对侧，且共同沿长度方向102延伸。第二侧翼150分别位于中轴体130的另二相对侧，且共同沿长度方向102延伸。其中一第一侧翼140位于第二侧翼150之间，且其中一第二侧翼150位于第一侧翼140之间，中轴体130、第一侧翼140与第二侧翼150沿长度方向102共同形成上述的第一接触面110。换句话说，柱状本体100包含二第一凹口部160及二第二凹口部170。第一凹口部160分别凹设于柱状本体100的一侧，且沿长度方向102延伸。第二凹口部170分别凹设于柱状本体100的另侧，且沿长度方向102延伸。柱状本体100的末端面透过第一凹口部160与第二凹口部170共同定义出第一接触面110。在本实施例中，如图1所示，每个第一侧翼140与其相邻的第二侧翼150的夹角θ大致为90度(即正角)。

如此，若导电探针10内部的电流分布不均匀时，依据集肤效应(skin effect)，导电探针10内的电流会集中在导体的表面。故，由于本实施例的导电探针10呈十字状或X字型柱体，相较于已知的矩形柱体设计，本实施例的导电探针10并未增大了导电探针10的总表面积，也不致影响导电探针10的电流流量。

图3为本发明一实施例的导电探针11的立体图。如图3所示，本实施例的导电探针11与图1的导电探针10大致相同，其差异在于，本实施例的导电探针11还包含一第二区段220。第二区段220连接上述的十字柱体(后称第一区段210)且与第一区段210彼此共轴，换句话说，上述的十字柱体(后称第一区段210)连接至第二区段220相对第二接触面121的端面221，且所述长度方向102为第一区段210与第二区段220的轴心。

第二区段220的外型与第一区段210的外型不同。举例来说，第二区段220为沿直线延伸的矩形柱，意即，第二区段220的任一横截面呈矩形，且第二接触面121为第二区段220相对第一区段210的矩形端面。如此，由于本实施例的导电探针11并非全部为十字柱体的结构，能够相对地提高导电探针11的整体结构强度。

再者，因应提高导电探针11的结构强度的理由下，在本实施例中，第一区段210与第二区段220的长度比例为3:7或2:8。然而，本发明不限第一区段210与第二区段220的长度比例，本发明具有通常知识者可以是实际需求或限制调整第一区段210与第二区段220的长度比例。

图4A为本发明一实施例的导电探针12的立体图。图4B为图4A的导电探针12接触一待测物DUT的导接凸柱L的局部侧视图。如图4A与图4B所示，本实施例的导电探针12与图1的导电探针10大致相同，其差异在于，导电探针12的第一接触面110更具有一弧状凹部230，弧状凹部230的大部分主要配置于中央区111，且朝第二接触面120的方向凹陷。故，当导电探针12的第一接触面110接触待测物DUT的导接凸柱L时，第一接触面110的弧状凹部230能够接收导接凸柱L的一部分，不仅让第一接触面110的中央区111更顺利地定位至导接凸柱L的顶点C，更能降低导电探针12因滑动而远离导接凸柱L的机会。然而，本发明不限于此，其他实施例中，本实施例的导电探针12也可能加上如图3所述的第二区段220。

图5为本发明一实施例的导电探针13的立体图。如图5所示，本实施例的导电探针13与图1的导电探针10大致相同，其差异在于，相较于柱状本体100为十字柱体，本实施例的柱状本体101为X字状柱体，任一横截面呈X字状，且第一接触面110A呈X字状。

更具体地，第一轴向A1与第二轴向A2彼此相交，但不彼此正交。第一侧翼140与其中一第二侧翼150的夹角θ1为锐角，与另一第二侧翼150的夹角θ2为钝角，且第一延伸区112与第二延伸区113的夹角θ1为锐角，且与另一第二延伸区113的夹角θ2为钝角。然而，本发明不限于此，其他实施例中，本实施例的导电探针13也可能加上如图3所述的第二区段220。

图6A为本发明一实施例的探针卡装置300的示意图，图6B为图6A的探针卡装置300的载针座343的正视图。如图6A与图6B所示，探针卡装置300包含一电路板310、一中介层320、一空间转换层330、一探针模块340及多个导电探针14。电路板310具有多个接点311。此些接点311间隔排列于电路板310上。中介层320位于电路板310与空间转换层330之间，且中介层320配置有多个导电通道321。此些导电通道321间隔排列于中介层320上。每个导电通道321电连接其中一接点311。空间转换层330位于中介层320与探针模块340之间，且空间转换层330配置有多个电路路径331。此些电路路径331间隔排列于空间转换层330上。每个电路路径331电连接其中一导电通道321。探针模块340包含一上导板341、一下导板342、一载针座343与多个定位口344。载针座343夹合于上导板341与下导板342之间。这些定位口344依据一阵列方式排列于载针座343上，且每个定位口344贯设于载针座343上。每个导电探针14固定于其中一定位口344内。每个导电探针14的第二接触面120电连接其中一电路路径331，且透过对应的电路路径331电连接电路板310的接点311，且其第一接触面110用以电连接待测物DUT的导接凸柱L(第2图)。须了解到，第二接触面120只须直接触压至电路路径331，无须透过焊料焊接至电路路径331上。

更具体地，定位口344呈十字状，定位口344的尺寸小于等于柱状本体100的尺寸，使得柱状本体100被定位口344的二相对内侧345所直接夹持，并被定位于载针座343上。然而，本发明不限于此，其他实施例中，定位口344也可能为X字型或矩形。

图7为本发明一实施例的导电探针的制造方法的流程图。图8A至图8H为图7的各步骤的操作示意图。如图7、图8A至图8H所示，导电探针的制造方法包含步骤401至步骤408，如下。

在步骤401中，提供一基板410(图8A)。在步骤402中，形成一第一光阻层420于基板410的一面(图8B)。在步骤403中，蚀刻出一第一柱状凹槽430于第一光阻层420上(图8C)。在步骤404中，形成一第一金属层440于第一柱状凹槽430与第一光阻层420上(图8D)。在步骤405中，形成一第二光阻层450于第一金属层440相对基板410的一面451(图8E)。在步骤406中，蚀刻出一第二柱状凹槽460于第二光阻层450上(图8F)。在步骤407中，形成一第二金属层470于第二柱状凹槽460内，且与第一金属层440一体成形为一导电探针15(图8G)。在步骤408中，移除基板410、第一光阻层420及第二光阻层450，以取出上述具十字状剖面的导电探针15(图8G及图8H)。

如图8A所示，在步骤401中，更具体地，是将一硅基板411经由一电镀程序而形成一金属镀层412于此硅基板411的外表面。如图8C所示，在步骤403中，更具体地，透过微影制程(photolithography)的曝光和显影及蚀刻制程(etching)在第一光阻层420相对基板410的一面421上蚀刻出所述第一柱状凹槽430，第一柱状凹槽430呈直线状，且沿上述长度方向102(参考图1)延伸，且第一柱状凹槽430的任一横截面呈矩形。如图8D所示，在步骤404中，更具体地，第一金属层440的一部分441完全填满于第一柱状凹槽430内，第一金属层440的另部分442覆盖于第一光阻层420相对基板410的此面421。如图8F所示，在步骤406中，更具体地，透过微影制程(photolithography)的曝光和显影及蚀刻制程(etching)在第二光阻层450相对基板410的一面451上蚀刻出所述第二柱状凹槽460，第二柱状凹槽460呈直线状，且沿上述长度方向102(参考图1)延伸，且第二柱状凹槽460的任一横截面呈矩形，并且第二柱状凹槽460平行第一柱状凹槽430，第二柱状凹槽460的尺寸等于第一柱状凹槽430的尺寸。如图8G所示，在步骤407中，更具体地，第二金属层470完全填满于第二柱状凹槽460内，且只位于第二柱状凹槽460内。

最后，上述所揭露的各实施例中，并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，皆可被保护于本发明中。因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (20)

1.一种导电探针，其特征在于，包含：

一柱状本体，定义有一长度方向，该柱状本体沿该长度方向具有彼此相对的一第一接触面与一第二接触面，该第一接触面呈十字状或X字型，用以接触一待测物的一导接凸柱。

2.根据权利要求1所述的导电探针，其特征在于，该第一接触面包含：

一中央区；

二第一延伸区，从该中央区的二相对端朝外延伸，且沿一第一轴向同轴延伸，该第一轴向正交该长度方向；以及

二第二延伸区，从该中央区的另二相对端朝外延伸，且沿一第二轴向同轴延伸，该第二轴向相交该第一轴向，且正交该长度方向，

其中该些第一延伸区其中之一位于该些第二延伸区之间，且该些第二延伸区其中之一位于该些第一延伸区之间。

3.根据权利要求2所述的导电探针，其特征在于，该其中一第一延伸区与该其中一第二延伸区的夹角为正角，且该第一轴向与该第二轴向彼此正交。

4.根据权利要求2所述的导电探针，其特征在于，该其中一第一延伸区与该其中一第二延伸区的夹角为钝角，与另一该些第二延伸区的夹角为锐角。

5.根据权利要求2所述的导电探针，其特征在于，该柱状本体更具有一弧状凹部，该弧状凹部位于该中央区，用以接收该导接凸柱的一部分。

6.根据权利要求1所述的导电探针，其特征在于，该柱状本体为一十字柱体，且该柱状本体的一横截面呈十字状。

7.根据权利要求1所述的导电探针，其特征在于，该柱状本体由彼此同轴连接的一第一区段及一第二区段所组成，该第一区段的一横截面呈十字状，且该第一区段的该横截面的外型不同于该第二区段的一横截面的外型，

其中该第一接触面为该第一区段的一端面，且该第二接触面为该第二区段的一端面。

8.根据权利要求7所述的导电探针，其特征在于，该第一区段与该第二区段的长度比例为3:7或2:8。

9.根据权利要求1所述的导电探针，其特征在于，该柱状本体包含：

二第一凹口部，分别凹设于该柱状本体的一侧，且沿该长度方向延伸；以及

二第二凹口部，分别凹设于该柱状本体的另侧，且沿该长度方向延伸，

其中该柱状本体的一端面透过该些第一凹口部与该些第二凹口部共同定义出该第一接触面。

10.一种导电探针，其特征在于，包含：

一第一区段，包含：

一中轴体，具有一长度方向；

二第一侧翼，分别位于该中轴体的二相对侧，且共同沿该长度方向延伸；以及

二第二侧翼，分别位于该中轴体的另二相对侧，且共同沿该长度方向延伸，

其中该些第一侧翼其中之一位于该些第二侧翼之间，且该些第二侧翼其中之一位于该些第一侧翼之间，该中轴体、该些第一侧翼与该些第二侧翼沿该长度方向共同形成一接触面，该接触面用以接触一待测物的一导接凸柱。

11.根据权利要求10所述的导电探针，其特征在于，该其中一第一侧翼与该其中一第二侧翼的夹角为正角。

12.根据权利要求10所述的导电探针，其特征在于，该其中一第一侧翼与该其中一第二侧翼的夹角为钝角，与另一该些第二侧翼的夹角为锐角。

13.根据权利要求10所述的导电探针，其特征在于，该第一区段更具有一弧状凹部，该弧状凹部凹设于该接触面上，用以接收该导接凸柱的一部分。

14.根据权利要求10所述的导电探针，其特征在于，该接触面呈十字状或X字型。

15.根据权利要求10所述的导电探针，其特征在于，还包含：

一第二区段，同轴连接该第一区段，其中该第二区段的横截面呈矩形。

16.根据权利要求15所述的导电探针，其特征在于，该第一区段与该第二区段的长度比例为3:7或2:8。

17.一种探针卡装置，其特征在于，包含：

一电路板，具有多个接点；

一探针模块，包含一载针座与多个定位口，该些定位口依据一阵列方式排列，且每一该些定位口贯设于该载针座上；

一空间转换层，位于该电路板与该探针模块之间，具有多个电路路径；以及

至少一个如权利要求1所述的导电探针，固定于该些定位口其中之一内，且透过该些电路路径其中之一电连接该些接点其中之一。

18.根据权利要求17所述的探针卡装置，其特征在于，该柱状本体被该其中一定位口的二相对内侧所直接夹持，并被定位于该载针座上。

19.根据权利要求17所述的探针卡装置，其特征在于，该些定位口分别呈十字状、X字型或矩形。

20.一种导电探针的制造方法，其特征在于，包含：

提供一基板；

形成一第一光阻层于该基板上；

蚀刻出一第一柱状凹槽于该第一光阻层上；

形成一第一金属层于该第一柱状凹槽与该第一光阻层上；

形成一第二光阻层于该第一金属层相对该基板的一面；

蚀刻出一第二柱状凹槽于该第二光阻层上；

形成一第二金属层于该第二柱状凹槽内，且与该第一金属层一体成形为一导电探针；以及

移除该基板、该第一光阻层及该第二光阻层，以取出该导电探针，其中该导电探针的横截面呈十字状。