CN116940154A - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括包括显示区，显示区包括岛区和开孔区，岛区自中心朝向开孔区依次设置有像素区和边缘区，像素区包括至少一层无机层，边缘区包括至多一层无机层，边缘区至少一个位置处无机层的总厚度小于像素区的至少一个位置处的无机层的总厚度。本公开的显示基板，可以降低靠近开孔区的边缘区的杨氏模量，缓解开孔区周围的应力集中，有利于提高显示基板的拉伸性能。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极体(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是近年来逐渐发展起来的显示照明技术，尤其在显示行业，OLED显示由于具有高响应、高对比度、可柔性化等优点，被视为拥有广泛的应用前景。

在可拉伸显示中，由于显示面板的拉伸量有限，通常采用将基板图案化来增加拉伸量，类似于剪纸，可以采用现有的设备和工艺来开发可拉伸显示装置。对于剪纸式的拉伸结构，开孔边缘承受的应变最大，需要提高开孔边缘的拉伸量。

发明内容

本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

作为本公开实施例的第一个方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括显示区，显示区包括岛区和开孔区，岛区自中心朝向开孔区依次设置有像素区和边缘区，像素区包括至少一层无机层，边缘区包括至多一层无机层，边缘区至少一个位置处无机层的总厚度小于像素区的至少一个位置处的无机层的总厚度。

在一些可能的实现方式中，边缘区的无机层的总厚度为0。

在一些可能的实现方式中，岛区自中心朝向开孔区还设置有隔断区，隔断区位于像素区和边缘区之间，隔断区包括至少一层无机层，隔断区的无机层的总厚度小于像素区的无机层的总厚度，隔断区的无机层的总厚度大于边缘区的无机层的总厚度。

在一些可能的实现方式中，岛区自中心朝向开孔区还设置有过渡区，过渡区位于隔断区与边缘区之间，过渡区包括至少一层无机层，过渡区的无机层的总厚度小于隔断区的无机层的总厚度，过渡区的无机层的总厚度大于边缘区的无机层的总厚度。

在一些可能的实现方式中，岛区自中心朝向开孔区依次设置有第一边界、第四边界和第五边界，第一边界内为像素区，像素区设置有基底以及依次设置在基底一侧的控制结构层、平坦化层、无机封装层和有机封装层，第四边界和第五边界之间为边缘区，第五边界的背离边缘区的一侧为开孔区，无机封装层的朝向开孔区一侧的边界与第四边界重合，边缘区设置有基底和有机封装层。

在一些可能的实现方式中，岛区还设置有第二边界，第二边界位于第一边界和第四边界之间，第一边界和第二边界之间为隔断区，显示基板还包括位于基底与控制结构层之间的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层位于像素区和隔断区，第二无机绝缘层的朝向开孔区一侧的边界与第二边界重合，隔断区还设置有基底、平坦化层、无机封装层和有机封装层。

在一些可能的实现方式中，像素区还设置有第一无机绝缘层，第一无机绝缘层位于平坦化层和无机封装层之间，显示基板还包括第三边界，第一无机绝缘层的朝向开孔区一侧的边界与第三边界重合；

在平行于基底的方向上，第三边界位于第二边界与第四边界之间，或者，第三边界位于第一边界和第二边界之间。

在一些可能的实现方式中，像素区还包括设置在平坦化层和无机封装层之间的第一无机绝缘层；

岛区还包括第三边界，第一无机绝缘层的朝向开孔区一侧的边界与第三边界重合，在平行于基底的方向上，第三边界位于第一边界和第四边界之间。

在一些可能的实现方式中，边缘区还包括平坦化层。

在一些可能的实现方式中，像素区还包括位于平坦化层和无机封装层之间的像素定义层，边缘区还包括像素定义层。

在一些可能的实现方式中，边缘区还包括平坦化层。

在一些可能的实现方式中，显示基板还包括第六边界，在平行于基底的方向上，第六边界位于第一边界和第二边界之间，位于边缘区的像素定义层延伸至隔断区的边界与第六边界重合。

在一些可能的实现方式中，平坦化层在隔断区开设有至少一个隔离槽，第六边界位于靠近第二边界的隔离槽与第二边界之间。

在一些可能的实现方式中，像素区还包括设置在平坦化层和无机封装层之间的第一无机绝缘层；

显示基板还包括第三边界，第一无机绝缘层的朝向开孔区一侧的边界与第三边界重合；

在平行于基底的方向上，第三边界位于第六边界与第二边界之间；或者，第三边界位于第二边界和第四边界之间。

在一些可能的实现方式中，显示基板还包括位于控制结构层之间的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层位于像素区，第三无机绝缘层的朝向开孔区一侧的边界与第一边界重合。

在一些可能的实现方式中，显示基板还包括设置在平坦化层和无机封装层之间的第一无机钝化层，第一无机钝化层至少位于像素区和隔断区，第一无机钝化层在隔断区开设有至少一个隔离孔，平坦化层在隔断区开设有至少一个隔离槽，至少一个隔离槽与至少一个隔离孔一一对应，隔离槽的朝向第一无机钝化层一侧的边缘在基底上的正投影位于隔离孔的边缘在基底上的正投影的外围。

在一些可能的实现方式中，像素区还设置有第一无机绝缘层和发光子像素，第一无机绝缘层位于平坦化层和无机封装层之间，发光子像素位于第一无机绝缘层和无机封装层之间，发光子像素包括依次设置在第一无机绝缘层和无机封装层之间的第一电极层、发光层和第二电极层。

在一些可能的实现方式中，显示区还包括桥区，桥区用于连接相邻两个岛区，桥区自中心朝向开孔区依次设置有第一边界、第四边界和第五边界，第一边界与第五边界之间的区域在岛区和桥区的结构相同。

作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，显示基板包括显示区，显示区包括岛区和开孔区，岛区自中心朝向开孔区依次设置有第一边界、第四边界和第五边界，第一边界内为像素区，第四边界和第五边界之间为边缘区，第五边界的背离边缘区的一侧为开孔区，方法包括：

在基底的一侧依次形成位于像素区的控制结构层、平坦化层；

在平坦化层的背离基底的一侧形成无机封装层，无机封装层自像素区朝向开孔区延伸，无机封装层的朝向开孔区一侧的边界与第四边界重合；

在无机封装层的背离基底的一侧形成有机封装层，有机封装层位于像素区、边缘区以及第一边界和第四边界之间的区域。

在一些可能的实现方式中，岛区还设置有第三边界，第三边界位于第一边界和第四边界之间，在平坦化层的背离基底的一侧形成无机封装层，包括：

在平坦化层的背离基底的一侧形成第一无机绝缘层，第一无机绝缘层位于像素区以及第一边界和第三边界限定的区域，第一无机绝缘层的朝向开孔区一侧的边界与第三边界重合；

在第一无机绝缘层的背离基底的一侧形成位于像素区的第一电极层；

在第一电极层的背离基底的一侧形成位于像素区的像素定义层；

在像素定义层的背离基底的一侧形成位于像素区的发光层；

在发光层的背离基底的一侧形成位于像素区的第二电极层；

在第二电极层的背离基底的一侧形成无机封装层。

在一些可能的实现方式中，第一无机绝缘层包括第一无机钝化层和第二无机钝化层，在平坦化层的背离基底的一侧形成第一无机绝缘层，包括：

在平坦化层的背离基底的一侧形成第一无机钝化层，第一无机钝化层开设有位于第一边界和第三边界之间的至少一个隔离孔；

以第一无机钝化层为掩膜，对至少一个隔离孔位置的平坦化层进行刻蚀，形成至少一个隔离槽，隔离槽的朝向第一无机钝化层一侧的边缘在基底上的正投影位于隔离孔的边缘在基底上的正投影的外围；

采用化学气相沉积工艺在第一无机钝化层的背离基底的一侧形成第二无机钝化层。

作为本公开实施例的第三方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括本公开实施例中的显示基板。

本公开实施例的技术方案，靠近开孔区的边缘区至少一个位置处无机层的总厚度小于像素区的至少一个位置处的无机层的总厚度，从而可以降低靠近开孔区的边缘区的杨氏模量，缓解开孔区周围的应力集中，有利于提高显示基板的拉伸性能。

上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

附图说明

在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本公开范围的限制。

图1为一种显示基板的结构示意图；

图2为一种显示基板的显示区的平面示意图；

图3为图2所示显示基板在本公开一实施例中的A-A截面结构示意图；

图4为图2所示显示基板在本公开另一实施例中的A-A截面结构示意图；

图5为图2所示显示基板在本公开另一实施例中的A-A截面结构示意图；

图6为图2所示显示基板在本公开另一实施例中的A-A截面结构示意图；

图7a为本公开一实施例显示基板中形成源漏电极层后的示意图；

图7b为本公开一实施例显示基板中形成第二无机绝缘层后的示意图；

图7c为本公开一实施例显示基板中形成平坦化层后的示意图；

图7d为本公开一实施例显示基板中形成隔离孔后的示意图；

图7e为本公开一实施例显示基板中形成隔离槽后的示意图；

图7f为本公开一实施例显示基板中形成第一无机绝缘层后的示意图；

图7g为本公开一实施例显示基板中形成无机封装层后的示意图。

附图标记说明：

11、岛区；111、像素区；112、边缘区；113、隔断区；12、开孔区；31、基底；32、控制结构层；33、平坦化层；331、隔离槽；332、第三过孔；34、无机封装层；35、有机封装层；36、第一无机绝缘层；361、第一无机钝化层； 362、第二无机钝化层；371、第一电极层；372、像素定义层；373、发光层； 374、第二电极层；38、第二无机绝缘层；381、无机阻挡层；382、无机缓冲层； 39、支撑层。

具体实施方式

在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例，不同的实施例在不冲突的情况下可以任意结合。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。

本公开实施例提供一种显示基板，包括显示区，显示区包括岛区和开孔区，岛区自中心朝向开孔区依次设置有像素区和边缘区，像素区包括至少一层无机层，边缘区包括至多一层无机层，边缘区至少一个位置处无机层的总厚度小于像素区的至少一个位置处的无机层的总厚度。

本公开实施例的显示基板，靠近开孔区的边缘区至少一个位置处无机层的总厚度小于像素区的至少一个位置处的无机层的总厚度，从而可以降低靠近开孔区的边缘区的杨氏模量，缓解开孔区周围的应力集中，有利于提高显示基板的拉伸性能。

在一个实施例中，边缘区的无机层的总厚度为0。这样的方式，使得边缘区不再设置无机膜层，进一步降低了靠近开孔区的边缘区的杨氏模量，更好地缓解开孔区周围的应力集中，进一步提高显示基板的拉伸性能。

在一个实施例中，岛区自中心朝向开孔区还设置有隔断区，隔断区位于像素区和边缘区之间，隔断区包括至少一层无机层，隔断区的无机层的总厚度小于像素区的无机层的总厚度，隔断区的无机层的总厚度大于边缘区的无机层的总厚度。

在一个实施例中，岛区自中心朝向开孔区还设置有过渡区，过渡区位于隔断区与边缘区之间，过渡区包括至少一层无机层，过渡区的无机层的总厚度小于隔断区的无机层的总厚度，过渡区的无机层的总厚度大于边缘区的无机层的总厚度。

下面通过显示基板的具体结构详细说明本公开实施例的技术方案。在下面实施例中，无机层可以包括无机封装层、第一无机绝缘层、第二无机绝缘层、第一无机钝化从、第二无机钝化层、无机缓冲层、无机阻挡层、第一栅绝缘层、第二栅绝缘层等由无机材质形成的膜层。

图1为一种显示基板的结构示意图，图2为一种显示基板的显示区的平面示意图。如图1所示，显示装置可以为可拉伸显示装置，可拉伸显示装置可以包括显示区DA和非显示区ND，显示区DA用来显示图像，非显示区ND用于设置控制电路及电子元件，显示区DA可以包括阵列排布的像素单元PX。如图 2所示，显示区DA可以包括岛区11、桥区13和开孔区12，岛区11用于设置发光子像素和控制电路，桥区13用于设置连接相邻岛区的金属走线，例如电源线、信号线等，开孔区12为变形预留空间。

图3为图2所示显示基板在本公开一实施例中的A-A截面结构示意图。在一种实施方式中，如图2和图3所示，显示基板可以包括显示区，显示区可以包括岛区11和开孔区12，岛区11自中心朝向开孔区12依次设置有第一边界 21、第四边界24和第五边界25。

第一边界21内为像素区111，像素区111设置有基底31，以及依次设置在基底31一侧的控制结构层32、平坦化层33、无机封装层34和有机封装层35。第四边界24与第五边界25之间的距离大于0，第四边界24与第五边界25之间为边缘区112，第五边界25的背离边缘区112的一侧为开孔区12。无机封装层34的朝向开孔区12一侧的边界与第四边界24重合，边缘区112设置有基底 31和有机封装层35。边缘区112至少一个位置处无机层的总厚度小于像素区 111的至少一个位置处的无机层的总厚度，示例性地，边缘区112的无机层的总厚度小于像素区111的无机层的总厚度。示例性地，有机封装层35位于像素区111和边缘区112。示例性地，有机封装层35还可以位于第一边界21与第四边界24之间的区域。

示例性地，边缘区112没有无机层，亦即，边缘区112的无机层的厚度为 0。

在一种实施方式中，第四边界24与第五边界25之间的距离可以为1μm～10 μm(包括端点值)，例如，第四边界24与第五边界25之间的距离可以为1μ m、5μm或10μm。

本公开实施例的显示基板，无机封装层34的朝向开孔区12一侧的边界与第四边界24重合，使得边缘区112不再设置有无机封装层34，进而使得边缘区112不再设置无机层，即边缘区112的无机层的总厚度为0，从而可以降低靠近开孔区12的边缘区112的杨氏模量，缓解开孔区12周围的应力集中，有利于提高显示基板的拉伸性能。

另外，本公开实施例的显示基板中，限定像素区111的第一边界21位于第四边界24的内侧，无机封装层34的朝向开孔区12一侧的边界(即外边界)与第四边界24重合，无机封装层34不再设置在边缘区112，避免了无机封装层 34通过开孔区12暴露，同时延长了无机封装层34的外边界与像素区111的路径长度，避免水氧沿无机封装层34进去像素区111，进一步提高了显示基板的封装信赖性。

另外，边缘区112设置有基底31和有机封装层35，有机封装层35可以对边缘区112进行膜层填充，保证边缘区112的上表面与像素区111的上表面平齐，减小像素区111与边缘区112之间的段差，有利于提高显示基板的显示效果。

示例性地，基底31可以为柔性基底，基底31的材料可以包括聚合物树脂，例如，基底31的材料可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基酯(polyallylate)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CAT)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等中的一种或多种。

示例性地，平坦化层33的材料可以为有机绝缘材料，例如，平坦化层33 的材料可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯(BCB)和酚醛树脂中的一种或多种。

示例性地，无机封装层34的材料可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛、氧化铝中的一种或多种，无机封装层34可以为单个膜层，也可以为多个无机层堆叠的复合层。无机封装层34可以有效防止氧气和湿气渗透到发光元件中。

示例性地，有机封装层35的材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂中的一种或多种。有机封装层35可以保护显示基板中的发光元件免受例如灰尘等外来物质的影响。

在一种实施方式中，岛区11还可以设置有第二边界22，第二边界22可以位于第一边界21和第四边界24之间。第一边界21和第二边界22之间可以为隔断区113。

在一种实施方式中，如图3所示，显示基板还可以包括第二无机绝缘层38，第二无机绝缘层38可以位于基底31与控制结构层32之间，第二无机绝缘层 38可以位于像素区111和隔断区113。第二无机绝缘层38的朝向开孔区12一侧的边界与第二边界22重合。

示例性地，第二无机绝缘层38可以为单个膜层，或者，第二无机绝缘层 38可以为复合膜层。例如，第二无机绝缘层38可以包括叠层设置的无机阻挡层381和无机缓冲层382。无机阻挡层381可以为氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_X)、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化锌、氧化铪、氧化锆等无机绝缘材料的单层或叠层，无机阻挡层381可以为多层复合结构，例如无机阻挡层381 可以为SiN_X/SiO₂或SiO₂/SiN_X/SiO₂的多层复合结构。

隔断区113设置有基底31、第二无机绝缘层38、平坦化层33、无机封装层34和有机封装层35。第二边界22与第四边界24之间可以为过渡区。

需要说明的是，控制结构层32中可以包括栅电极、源电极、漏电极等电极和金属走线，因此，控制结构层32中可以包括第三无机绝缘层。因此，位于像素区111的无机膜层的层数大于隔断区113中的无机膜层的层数，隔断区113 中的无机膜层的层数大于边缘区112中的无机膜层的层数(边缘区112中的无机膜层的层数为0)，也就是说，像素区111的无机层的总厚度大于隔断区113 的无机层的总厚度，隔断区113的无机层的总厚度大于边缘区112的无机层的总厚度。从而，由像素区111至边缘区112，各个区内的无机膜层的层数是逐渐减小的，使得岛区11的杨氏模量自中心朝向开孔区12呈逐渐降低的趋势，从而可以更好地缓解开孔区12周边的应力，防止开孔区12周边应力集中。

示例性地，过渡区位于隔断区113与边缘区112之间，过渡区的无机层的总厚度可以小于隔断区113的无机层的总厚度，过渡区的无机层的总厚度可以大于边缘区112的无机层的总厚度。

在一种实施方式中，如图3所示，控制结构层32可以包括依次设置在第二无机绝缘层38的背离基底31的一侧的有源层321、第一栅绝缘层322、第一栅电极323、第二栅绝缘层324、第二栅电极325、中间介电层326和源漏金属层 327。第三无机绝缘层可以包括第一栅绝缘层322、第二栅绝缘层324和中间介电层326。第三无机绝缘层可以位于像素区，第三无机绝缘层的朝向开孔区12 一侧的边界与第一边界21重合。

示例性地，无机缓冲层382、第一栅绝缘层322、第二栅绝缘层324、中间介电层326分别可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化锌、氧化铪、氧化锆等无机绝缘材料的单层或多层复合层。

在一种实施方式中，如图3所示，显示基板还可以包括位于像素区111的第一无机绝缘层36，第一无机绝缘层36可以位于平坦化层33和无机封装层 34之间。

在一种实施方式中，如图3所示，像素区111还包括依次设置在第一无机绝缘层36和无机封装层34之间的发光子像素，示例性地，显示基板还可以包括依次叠层设置在第一无机绝缘层36和无机封装层34之间的第一电极层371、像素定义层372、发光层373和第二电极层374。发光子像素可以为OLED器件，OLED器件可以包括第一电极层371、发光层373和第二电极层374。

需要说明的是，发光子像素还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层等。为了便于显示，图中未示出空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层等膜层。

在一种实施方式中，如图3所示，岛区11还可以设置有第三边界23，第一无机绝缘层36的朝向开孔区12一侧的边界与第三边界23重合。在平行于基底31的方向上，第三边界23可以位于第二边界22和第四边界24之间。第二边界22与第四边界24之间可以为过渡区114。

这样的结构，第三边界23可以将过渡区114划分为两个子区域，可以将第二边界22与第三边界23之间的区域叫做第一子过渡区，将第三边界23与第四边界24之间的区域叫做第二子过渡区。从图3中可以看出，通过设置第一无机绝缘层36的朝向开孔区12一侧的边界与第三边界23重合，且第三边界23可以位于第二边界22和第四边界24之间，在隔断区113与边缘区112之间增加设置了第一子过渡区和第二子过渡区。

如图3所示，像素区111的无机膜层依次包括第二无机绝缘层38、第三无机绝缘层、第一无机绝缘层36和无机封装层34，隔断区113的无机膜层依次包括第二无机绝缘层38、第一无机绝缘层36和无机封装层34，第一子过渡区的无机膜层包括第一无机绝缘层36和无机封装层34，第二子过渡区的无机膜层包括无机封装层34，边缘区的无机膜层为0。从而使得像素区111、隔断区 113、第一子过渡区、第二子过渡区和边缘区112，相邻两个区内的无机膜层的层数减小梯度降低，使得自像素区111至边缘区112，杨氏模量的减小更平缓，更加有利于开孔区周边应力平缓释放，提供显示基板的可拉伸性能。

图4为图2所示显示基板在本公开另一实施例中的A-A截面结构示意图。在一个实施例中，如图4所示，第三边界23可以位于第一边界21和第二边界 22之间。这样的方式，第三边界23可以将隔断区113划分为第一子隔断区和第二子隔断区，第一边界21和第三边界23之间为第一子隔断区，第三边界23 和第二边界22之间为第二子隔断区。从而使得像素区111、第一子隔断区、第二子隔断区、过渡区114和边缘区112，相邻两个区内的无机膜层的层数减小梯度降低，使得自像素区111至边缘区112，杨氏模量的减小更平缓，有利于开孔区周边应力平缓释放，提供显示基板的可拉伸性能。

在一种实施方式中，如图4所示，在隔断区113，平坦化层33开设有至少一个隔离槽331，第三边界23位于靠近第二边界22的隔离槽与第二边界22之间。

需要说明的是，隔离槽331可以延长第一无机绝缘层36的路径和弯曲度，将第三边界23设置在位于靠近第二边界22的隔离槽与第二边界22之间，从而，至少一个隔离槽331的裸露表面均可以设置第一无机绝缘层36，保证了第一无机绝缘层36的路径长度和延伸弯曲度，保证了第一无机绝缘层36可以更好地阻挡水氧进入。

在一种实施方式中，如图3和图4所示，隔离槽331的深度可以为预设深度，使得第二无机绝缘层38通过隔离槽331暴露。第一无机绝缘层36在隔离槽331内可以与第二无机绝缘层38接触。

在一种实施方式中，如图3所示，第一无机封装层36可以包括第一无机钝化层361，第一无机钝化层361至少位于像素111和隔断区113。第一无机钝化层361在隔断区113可以开设有至少一个隔离孔361a，隔离孔361a与隔离槽 331一一对应。

示例性地，隔离槽331的朝向第一无机钝化层361的一侧的边缘在基底31 上的正投影位于隔离孔361a的边缘在基底31上的正投影的外围，从而，隔离槽331的朝向第一无机钝化层361的一侧边缘相对于隔离孔361a的边缘内凹，如图3和图4所示。在制备过程中，可以以第一无机钝化层361为掩膜，对平坦化层33进行刻蚀，在隔离孔位置形成隔离槽331。平坦化层33的材质为有机物，第一无机钝化层361的材质为无机物，因此，通过刻蚀工艺形成的隔离槽331的上侧边缘相对于隔离孔的边缘内凹。

在发光子像素为OLED器件时，OLED器件可以包括共用膜层例如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和第二电极层374。在制备OLED 器件时，可以采用蒸镀工艺在显示基板整面上形成空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和第二电极层374。在隔断区113，隔离槽331的上侧边缘的内凹结构可以断开膜层的连接，使得隔离槽331内的空穴注入层与第一无机钝化层361上表面的空穴注入层断开，隔离槽331内的空穴传输层与第一无机钝化层361上表面的空穴传输层断开，隔离槽331内的电子传输层与第一无机钝化层361上表面的电子传输层断开，隔离槽331内的电子注入层与第一无机钝化层361上表面的电子注入层断开，隔离槽331内的第二电极层374与第一无机钝化层361上表面的第二电极层374断开，如图3和图4所示。从而，位于像素区的OLED器件的共用膜层与像素区之外的共用膜层断开。

这样的结构，通过设置隔离槽331，且隔离槽331的朝向第一无机钝化层 361的一侧的边缘在基底31上的正投影位于隔离孔361a的边缘在基底31上的正投影的外围，可以断开发光子像素的共用膜层的连接，避免水汽通过隔断区 113进入像素区111，进一步保护了发光子像素。

隔离槽331的朝向第一无机钝化层361一侧的边缘与隔离孔361a的边缘之间的距离可以根据需要设定，通过控制刻蚀时间的长短，可以控制隔离槽331 的上边缘与隔离孔361a的边缘之间的距离。

在一种实施方式中，如图3和图4所示，第一无机绝缘层36还可以包括第二无机钝化层362，第二无机钝化层362可以位于第一无机钝化层361的背离基底31的一侧。在制备过程中，可以采用化学气相沉积工艺形成第二无机钝化层362，以避免第二无机钝化层362被隔离槽331隔断，从而，在隔断区的第二无机钝化层362为连续的膜层，第二无机钝化层362可以在隔离槽331内与第二无机绝缘层38接触。

在一个实施例中，如图3所示，隔断区113设置有第一无机绝缘层36、第二电极层374和无机封装层34，在隔断区113，第二电极层374位于第一无机绝缘层36的背离基底31的一侧，无机封装层34位于第二电极层374的背离基底31的一侧。从而，在隔离槽331内，第二无机绝缘层38、第一无机绝缘层 36、第二电极层374和无机封装层34依次叠层设置。隔离槽331将位于隔断区 113的第二电极层374断开，从而，可以将发光子像素封闭在像素区111，可以更好地防止水氧侵蚀发光子像素。

在一种实施方式中，隔离槽331的数量可以为两个或更多个，两个或更多个隔离槽331可以沿第一边界21至第二边界22的方向依次排列。

在一种实施方式中，如图3和图4所示，岛区11还可以设置第三边界23，第一无机绝缘层36的朝向开孔区12一侧的边界与第三边界23重合。在平行于基底31的方向上，第三边界23位于第一边界21和第四边界24之间。

在一种实施方式中，如图4所示，边缘区112还可以包括平坦化层33。相对于像素区设置有平坦化层33、像素定义层372和有机封装层35，设置边缘区 112还可以包括平坦化层33，使得边缘区包括平坦化层33和有机封装层35，可以减小边缘区112与像素区111的段差。

图5为图2所示显示基板在本公开另一实施例中的A-A截面结构示意图。如图5所示，显示基板还可以包括像素定义层372，像素定义层372可以位于像素区111，像素定义层372位于平坦化层33和有机封装层35之间。边缘区 112还可以包括像素定义层372。

相对于像素区111设置有平坦化层33、像素定义层372和有机封装层35，设置边缘区112还可以包括像素定义层372，使得边缘区112包括像素定义层 372和有机封装层35，可以减小边缘区112与像素区111的段差。

图6为图2所示显示基板在本公开另一实施例中的A-A截面结构示意图。如图6所示，边缘区112还可以包括像素定义层372和平坦化层33。相对于像素区111设置有平坦化层33、像素定义层372和有机封装层35，设置边缘区 112112还可以包括像素定义层372和平坦化层33，使得边缘区112包括平坦化层33、像素定义层372和有机封装层35，进一步减小边缘区112与像素区111 的段差。

在一种实施方式中，如图5所示，显示基板还可以包括第六边界26，在平行于基底31的方向上，第六边界26位于第一边界21和第二边界22之间，位于边缘区112的像素定义层372延伸至隔断区113的边界与第六边界26重合。示例性地，第六边界26位于靠近第二边界22的隔离槽331与第二边界22之间，也就是说，位于像素定义层372要避开隔离槽331，防止像素定义层372形成在隔离槽331上方，以便隔离槽331可以起到隔断膜层的作用。在具体实施例中，第六边界26与第五边界25之间的距离可以根据需要设置，但要保证第六边界26避让隔离槽331，以便隔离槽331在蒸镀工艺中可以起到隔断蒸镀膜层的作用。

在一种实施方式中，如图5所示，像素区111还包括设置在平坦化层33和无机封装层34之间的第一无机绝缘层36。显示基板还包括第三边界23，第一无机绝缘层36的朝向开孔区12一侧的边界与第三边界23重合。

示例性地，在平行于基底31的方向上，第三边界23可以位于第六边界26 与第二边界22之间，如图6所示。

示例性地，第三边界23可以位于第二边界22和第四边界24之间。

在一种实施方式中，如图3、图4、图5和图6所示，显示基板还可以包括支撑层39，支撑层39可以位于像素定义层372和无机封装层34之间。示例性地，支撑层39可以位于像素定义层372与发光层373之间。示例性地，支撑层 39可以与像素定义层372为一体结构，且同时制备形成。或者，支撑层39与像素定义层372采用两次制备工艺形成。

在示例性实施例中，无机缓冲层382、第一栅绝缘层322、第二栅绝缘层 324、中间介电层326均可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化锌、氧化铪、氧化锆等无机绝缘材料的单层或多层复合结构。

第一栅电极323、第二栅电极325、源漏电极层、金属走线(例如电源走线、信号走线)可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金 (MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层321可以采用多晶硅、非晶硅、氧化物半导体或有机半导体等材料。平坦化层33的材料可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯(BCB)和酚醛树脂等有机绝缘材料中的一种或多种。

第一无机钝化层361、第二无机钝化层362可以采用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化锌、氧化铪、氧化锆等无机绝缘材料中的一种或多种，可以是单层、多层或复合层。第一电极层371可以为OLED 器件的阳极，第一电极层371可以采用银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)等及其混合物的反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO) 中的至少一种，也可以具有类似ITO/Ag/ITO的多层结构。像素定义层372和支撑层39的材料均可以采用聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB和酚醛树脂中的一种或多种有机绝缘材料。

空穴注入层用于注入空穴；空穴传输层具有优异的空穴传输性能并且用于通过抑制未结合的电子在光产生层中的运动来增加空穴与电子复合的机会；空穴无机阻挡层用于抑制未结合的空穴在光产生层中的运动；电子传输层用于将电子平稳地传输到光产生层；电子注入层用于注入电子；发光层373通过注入的电子和空穴的复合而发光。

第二电极层374可以采用一些低功函数金属，如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/ 钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍 (Ni)、金(Au)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、氟化钡(BaF)、钡(Ba)或它们的化合物或混合物，比如Ag和Mg的混合物。

无机封装层34可以包括至少一个无机膜以有效地防止氧气或湿气渗透到发光子像素中。无机封装层34可以是氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或多个无机层交替地堆叠的多层膜。有机封装层35 包括至少一个有机膜以保护发光子像素免受诸如灰尘的外来物质的影响。有机封装层35可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂等有机材料，或者有机封装层35可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。

在一种实施方式中，显示基板还可以包括桥区13，如图2所示，桥区13 用于连接相邻两个岛区11，桥区13可以自中心朝向开孔区12依次设置有第一边界21、第四边界24和第五边界25，桥区13还可以设置有位于第一边界21 和第五边界25之间的第二边界22、第三边界23、第六边界26。示例性地，岛区11的各个边界可以延伸设置在桥区13的中心与开孔区12之间。在桥区13 中，第一边界21的内侧可以设置金属走线，例如电源线和信号线，金属走线可以连接相邻两个岛区11。

需要说明的是，桥区13的第一边界21内侧的结构可以与岛区11的第一边界21内侧的结构不相同，桥区13的第一边界21至第五边界25之间的结构与岛区11的第一边界21至第五边界25之间的结构可以相同，也就是说，第一边界21与第五边界25之间的区域在岛区11和桥区13的结构可以相同。

本公开实施例的显示基板，靠近开孔区的边缘区的无机层的总厚度可以为 0，降低了开孔区周边的杨氏模量，可以有效缓解开孔区周边的应力集中，提高显示基板的可拉伸性能。

以上实施例中只是示例性地示出了显示基板的结构，可以理解的是，显示基板的结构并不限于以上实施例中的结构，只要满足自像素区朝向开孔区，各个区的无机层厚度依次减小即可。

本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，显示基板包括显示区，显示区包括岛区和开孔区，岛区自中心朝向开孔区依次设置有第一边界、第四边界和第五边界，第一边界内为像素区，第四边界和第五边界之间为边缘区，第五边界的背离边缘区的一侧为开孔区，方法包括：

在基底的一侧依次形成位于像素区的控制结构层、平坦化层；

在平坦化层的背离基底的一侧形成无机封装层，无机封装层自像素区朝向开孔区延伸，无机封装层的朝向开孔区一侧的边界与第四边界重合；

在无机封装层的背离基底的一侧形成有机封装层，有机封装层位于像素区、边缘区以及第一边界和第四边界之间的区域。

在一种实施方式中，岛区还设置有第三边界，第三边界位于第一边界和第四边界之间，在平坦化层的背离基底的一侧形成无机封装层，包括：在平坦化层的背离基底的一侧形成第一无机绝缘层，第一无机绝缘层位于像素区以及第一边界和第三边界限定的区域，第一无机绝缘层的朝向开孔区一侧的边界与第三边界重合；在第一无机绝缘层的背离基底的一侧形成位于像素区的第一电极层；在第一电极层的背离基底的一侧形成位于像素区的像素定义层，像素定义层开设有多个开口，第一电极通过对应的开口暴露；在像素定义层的背离基底的一侧形成位于像素区的发光层，发光层位于开口；在发光层的背离基底的一侧形成位于像素区的第二电极层；在第二电极层的背离基底的一侧形成无机封装层。

在一种实施方式中，第一无机绝缘层包括第一无机钝化层和第二无机钝化层，在平坦化层的背离基底的一侧形成第一无机绝缘层，包括：在平坦化层的背离基底的一侧形成第一无机钝化层，第一无机钝化层开设有位于第一边界和第三边界之间的至少一个隔离孔；以第一无机钝化层为掩膜，对至少一个隔离孔位置的平坦化层进行刻蚀，形成至少一个隔离槽，隔离槽的朝向第一无机钝化层一侧的边缘在基底上的正投影位于隔离孔的边缘在基底上的正投影的外围；采用化学气相沉积工艺在第一无机钝化层的背离基底的一侧沉积第二无机钝化层。

下面通过图3所示显示基板的制备过程进一步说明本公开实施例的技术方案。可以理解的是，本文中所说的“图案化”，当图案化的材质为无机材质或金属时，“图案化”包括涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等工艺，当图案化的材质为有机材质时，“图案化”包括掩模曝光、显影等工艺，本文中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。

S11：在基底31的一侧依次形成位于像素区的控制结构层、平坦化层。该步骤可以包括：

在基底31的一侧依次形成位于岛区的阻挡薄膜和缓冲薄膜。

在缓冲薄膜的背离基底31的一侧形成有源层321；在有源层321的背离基底31的一侧形成位于岛区的第一栅绝缘薄膜；在第一栅绝缘薄膜背离基底31 的一侧形成第一栅电极323；在第一栅电极323的背离基底31的一侧形成第二栅绝缘薄膜；在第二栅绝缘薄膜背离基底31的一侧形成第二栅电极325；在第二栅电极325背离基底31的一侧形成中间介电薄膜；采用图案化工艺对叠层设置的第一栅绝缘薄膜、第二栅绝缘薄膜和中间介电薄膜进行处理，去除位于像素区之外的第一栅绝缘薄膜、第二栅绝缘薄膜和中间介电薄膜，并形成暴露有源层的第一过孔和第二过孔，从而形成第一栅绝缘层322、第二栅绝缘层324 和中间介电层326，第一栅绝缘层322、第二栅绝缘层324和中间介电层326 的朝向开孔区一侧的边界与第一边界21重合；在中间介电层326的背离基底31的一侧形成源电极和漏电极，源电极和漏电极分别通过第一过孔和第二过孔与有源层321电连接，如图7a所示，图7a为本公开一实施例显示基板中形成源漏电极层后的示意图。

采用图案化工艺对阻挡薄膜和缓冲薄膜进行处理，去除位于第二边界22 外侧的阻挡薄膜和缓冲薄膜，形成无机阻挡层381和无机缓冲层382，无机阻挡层381和无机缓冲层382的朝向开孔区一侧的边界与第二边界22重合，如图 7b所示，图7b为本公开一实施例显示基板中形成第二无机绝缘层后的示意图。

在控制结构层的背离基底的一侧形成平坦化层33，该步骤可以包括：在源漏电极层的背离基底31的一侧形成平坦化薄膜，对平坦化薄膜进行曝光、显影，形成平坦化层33，平坦化层33开设有第三过孔332，漏电极通过第三过孔暴露。同时，辅助边界333之外的平坦化薄膜被去除，辅助边界333位于第二边界22 的左侧，如图7c所示，图7c为本公开一实施例显示基板中形成平坦化层后的示意图。

S12：在平坦化层的背离基底的一侧形成无机封装层，该步骤可以包括：

在平坦化层33的背离基底31的一侧形成第一无机钝化层361，第一无机钝化层361开设有位于第一边界21和第二边界22之间的至少一个隔离孔361a，如图7d所示，图7d为本公开一实施例显示基板中形成隔离孔后的示意图；以第一无机钝化层361为掩膜，对至少一个隔离孔361a位置的平坦化层33进行刻蚀，形成至少一个隔离槽331，隔离槽331的朝向第一无机钝化层361一侧的边缘在基底31上的正投影位于隔离孔361a的边缘在基底31上的正投影的外围，如图7e所示，图7e为本公开一实施例显示基板中形成隔离槽后的示意图；采用化学气相沉积工艺在第一无机钝化层361的背离基底31的一侧沉积第二钝化薄膜，第二钝化薄膜在隔离槽331上侧形成连续膜层；采用图案化工艺对第一无机钝化层361和第二钝化薄膜进行处理，在第三过孔位置形成第四过孔 36a，去除第三边界23之外的第一钝化薄膜和第二钝化薄膜，形成第一无机钝化层361和第二无机钝化层362，第一无机钝化层361和第二无机钝化层362 的朝向开孔区一侧的边界均与第三边界23重合，如图7f所示，图7f为本公开一实施例显示基板中形成第一无机绝缘层后的示意图。

在第二无机钝化层362的背离基底31的一侧形成位于像素区的第一电极层 371，第一电极层371包括多个第一电极；在第一电极层371的背离基底31的一侧形成位于像素区的像素定义层372，像素定义层372开设有多个开口，多个开口与多个第一电极一一对应，第一电极通过对应的开口暴露，其中，位于第一边界21之外的像素定义薄膜被去除，在形成像素定义层372的同时，形成支撑层39；在像素定义层372和支撑层39的背离基底31的一侧形成位于像素区的发光层373，发光层372位于对应的开口；在发光层373的背离基底31 的一侧形成位于像素区的第二电极层374。示例性地，可以采用蒸镀工艺在显示基板的整个表面蒸镀第二电极层374，在隔离槽331的作用下，第二电极层 374被隔断，如图7g所示，图7g为本公开一实施例显示基板中形成无机封装层后的示意图。

在第二电极层374的背离基底31的一侧形成无机封装层34。该步骤可以包括：在第二电极层374的背离基底31的一侧沉积无机封装薄膜；对无机封装薄膜和第二电极层374进行第一次图案化处理，去除位于开孔区12的无机封装薄膜和第二电极层；以无机封装薄膜为掩膜，对开孔区12的基底31进行刻蚀，形成开孔区12的开孔，从而形成第五边界25；对无机封装薄膜进行第二次图案化处理，去除第四边界24朝向开孔区12一侧的无机封装薄膜而形成无机封装层34，无机封装层34的朝向开孔区一侧的边界与第四边界24重合，如图7g 所示。

其中，在采用蒸镀工艺形成OLED器件的共用膜层以及第二电极层374时，共用膜层和第二电极层374在隔离槽331的上侧被隔断，如图7g所示。

S13：在无机封装层34的背离基底31的一侧形成有机封装层35，有机封装层35位于像素区、边缘区以及第一边界和第四边界之间的区域，如图3所示。

在图4所示实施例中，在形成平坦化层33时，可以保留第一边界21与第五边界25之间的平坦化薄膜，从而，可以形成图4所示结构的显示基板。

在图5所示实施例中，在形成像素定义层和支撑层时，可以保留第六边界和第五边界之间的像素定义薄膜和支撑薄膜，从而，可以形成图5所示结构的显示基板。

在图6所示实施例中，在形成平坦化层时，可以保留第一边界21与第五边界25之间的平坦化薄膜，在形成像素定义层372时，可以保留第六边界26和第五边界25之间的像素定义薄膜，从而，可以形成图6所示结构的显示基板。

本公开实施例的显示基板的制备方法，在不增加新的工艺和流程下，通过改变膜层图案的方式，去除了开孔区周边的无机膜层，缓解了开孔区周边的应力集中，提高了显示基板的可拉伸性能。

基于前述实施例的发明构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为可拉伸显示装置，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在本说明书的描述中，A与B重合，指的是A与B大致重合，或者，A与 B在工艺误差允许范围内重合。

在本说明书的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。为了简化本公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本公开。此外，本公开可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。

以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (22)

1.一种显示基板，其特征在于，包括显示区，所述显示区包括岛区和开孔区，所述岛区自中心朝向所述开孔区依次设置有像素区和边缘区，所述像素区包括至少一层无机层，所述边缘区包括至多一层无机层，所述边缘区至少一个位置处无机层的总厚度小于所述像素区的至少一个位置处的无机层的总厚度。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述边缘区的无机层的总厚度为0。

3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述岛区自中心朝向所述开孔区还设置有隔断区，所述隔断区位于所述像素区和所述边缘区之间，所述隔断区包括至少一层无机层，所述隔断区的无机层的总厚度小于所述像素区的无机层的总厚度，所述隔断区的无机层的总厚度大于所述边缘区的无机层的总厚度。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述岛区自中心朝向所述开孔区还设置有过渡区，所述过渡区位于所述隔断区与所述边缘区之间，所述过渡区包括至少一层无机层，所述过渡区的无机层的总厚度小于所述隔断区的无机层的总厚度，所述过渡区的无机层的总厚度大于所述边缘区的无机层的总厚度。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述岛区自中心朝向所述开孔区依次设置有第一边界、第四边界和第五边界，所述第一边界内为所述像素区，所述像素区设置有基底以及依次设置在所述基底一侧的控制结构层、平坦化层、无机封装层和有机封装层，所述第四边界和所述第五边界之间为所述边缘区，所述第五边界的背离所述边缘区的一侧为所述开孔区，所述无机封装层的朝向所述开孔区一侧的边界与所述第四边界重合，所述边缘区设置有所述基底和所述有机封装层。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述岛区还设置有第二边界，所述第二边界位于所述第一边界和所述第四边界之间，所述第一边界和所述第二边界之间为隔断区，所述显示基板还包括位于所述基底与所述控制结构层之间的第二无机绝缘层，所述第二无机绝缘层位于所述像素区和所述隔断区，所述第二无机绝缘层的朝向所述开孔区一侧的边界与所述第二边界重合，所述隔断区还设置有所述基底、所述平坦化层、所述无机封装层和所述有机封装层。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述像素区还设置有第一无机绝缘层，所述第一无机绝缘层位于所述平坦化层和所述无机封装层之间，所述显示基板还包括第三边界，所述第一无机绝缘层的朝向所述开孔区一侧的边界与所述第三边界重合；

在平行于所述基底的方向上，所述第三边界位于所述第二边界与所述第四边界之间，或者，所述第三边界位于所述第一边界和所述第二边界之间。

8.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述像素区还包括设置在所述平坦化层和所述无机封装层之间的第一无机绝缘层；

所述岛区还包括第三边界，所述第一无机绝缘层的朝向所述开孔区一侧的边界与所述第三边界重合，在平行于所述基底的方向上，所述第三边界位于所述第一边界和所述第四边界之间。

9.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述边缘区还包括所述平坦化层。

10.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述像素区还包括位于所述平坦化层和所述无机封装层之间的像素定义层，所述边缘区还包括所述像素定义层。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述边缘区还包括所述平坦化层。

12.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第六边界，在平行于所述基底的方向上，所述第六边界位于所述第一边界和所述第二边界之间，位于所述边缘区的所述像素定义层延伸至所述隔断区的边界与所述第六边界重合。

13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述平坦化层在所述隔断区开设有至少一个隔离槽，所述第六边界位于靠近所述第二边界的隔离槽与所述第二边界之间。

14.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述像素区还包括设置在所述平坦化层和所述无机封装层之间的第一无机绝缘层，

所述显示基板还包括第三边界，所述第一无机绝缘层的朝向所述开孔区一侧的边界与所述第三边界重合；

在平行于所述基底的方向上，所述第三边界位于所述第六边界与所述第二边界之间；或者，所述第三边界位于所述第二边界和所述第四边界之间。

15.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述控制结构层之间的第三无机绝缘层，所述第三无机绝缘层位于所述像素区，所述第三无机绝缘层的朝向所述开孔区一侧的边界与所述第一边界重合。

16.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在所述平坦化层和所述无机封装层之间的第一无机钝化层，所述第一无机钝化层至少位于所述像素区和所述隔断区，所述第一无机钝化层在所述隔断区开设有至少一个隔离孔，所述平坦化层在所述隔断区开设有至少一个隔离槽，所述至少一个隔离槽与所述至少一个隔离孔一一对应，所述隔离槽的朝向所述第一无机钝化层一侧的边缘在所述基底上的正投影位于所述隔离孔的边缘在所述基底上的正投影的外围。

17.根据权利要求5-16中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述像素区还设置有第一无机绝缘层和发光子像素，所述第一无机绝缘层位于所述平坦化层和所述无机封装层之间，所述发光子像素位于所述第一无机绝缘层和所述无机封装层之间，所述发光子像素包括依次设置在所述第一无机绝缘层和所述无机封装层之间的第一电极层、发光层和第二电极层。

18.根据权利要求5-16中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示区还包括桥区，所述桥区用于连接相邻两个岛区，所述桥区自中心朝向所述开孔区依次设置有所述第一边界、所述第四边界和所述第五边界，所述第一边界与所述第五边界之间的区域在所述岛区和所述桥区的结构相同。

19.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括显示区，所述显示区包括岛区和开孔区，所述岛区自中心朝向所述开孔区依次设置有第一边界、第四边界和第五边界，所述第一边界内为像素区，所述第四边界和所述第五边界之间为边缘区，所述第五边界的背离所述边缘区的一侧为所述开孔区，所述方法包括：

在基底的一侧依次形成位于所述像素区的控制结构层、平坦化层；

在所述平坦化层的背离所述基底的一侧形成无机封装层，所述无机封装层自所述像素区朝向所述开孔区延伸，所述无机封装层的朝向所述开孔区一侧的边界与所述第四边界重合；

在所述无机封装层的背离所述基底的一侧形成有机封装层，所述有机封装层位于所述像素区、所述边缘区以及所述第一边界和所述第四边界之间的区域。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述岛区还设置有第三边界，所述第三边界位于所述第一边界和所述第四边界之间，在所述平坦化层的背离所述基底的一侧形成无机封装层，包括：

在所述平坦化层的背离所述基底的一侧形成第一无机绝缘层，所述第一无机绝缘层位于所述像素区以及所述第一边界和所述第三边界限定的区域，所述第一无机绝缘层的朝向所述开孔区一侧的边界与所述第三边界重合；

在所述第一无机绝缘层的背离所述基底的一侧形成位于所述像素区的第一电极层，所述第一电极层包括多个第一电极；

在所述第一电极层的背离所述基底的一侧形成位于所述像素区的像素定义层，所述像素定义层开设有多个开口，所述第一电极通过对应的所述开口暴露；

在所述像素定义层的背离所述基底的一侧形成位于所述像素区的发光层，所述发光层位于所述开口；

在所述发光层的背离所述基底的一侧形成位于所述像素区的第二电极层；

在所述第二电极层的背离所述基底的一侧形成所述无机封装层。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述第一无机绝缘层包括第一无机钝化层和第二无机钝化层，在所述平坦化层的背离所述基底的一侧形成第一无机绝缘层，包括：

在所述平坦化层的背离所述基底的一侧形成第一无机钝化层，所述第一无机钝化层开设有位于所述第一边界和所述第三边界之间的至少一个隔离孔；

以所述第一无机钝化层为掩膜，对所述至少一个隔离孔位置的平坦化层进行刻蚀，形成至少一个隔离槽，所述隔离槽的朝向所述第一无机钝化层一侧的边缘在所述基底上的正投影位于所述隔离孔的边缘在所述基底上的正投影的外围；

采用化学气相沉积工艺在所述第一无机钝化层的背离所述基底的一侧形成第二无机钝化层。

22.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-18中任一项所述的显示基板。