CN116914688A - 高边开关输出短路保护电路 - Google Patents

Abstract

一种高边开关输出短路保护电路，包括打嗝电路、二极管D3、电容C4、消隐电阻R8、开关管Q2、第一分压电路、比较器和参考电压产生电路。打嗝电路包括开关管Q1、电容C5等。二极管D3的阳极和高边开关的受控端分别连接推挽驱动电路的输出端，二极管D3的阴极与消隐电阻R8的第一端连接，消隐电阻R8另一端分别与开关管Q1的第二导通端、电容C4的一端和第一分压电路的第一端连接。第一分压电路和参考电压产生电路的输出端分别与比较器的第一和第二输入端连接，比较器输出端与开关管Q2的受控端连接，开关管Q2的第一和第二导通端分别与推挽驱动电路的受控端和高边开关的第二导通端连接。本发明实施成本低，响应速度快，静态电流小。

Description

高边开关输出短路保护电路

技术领域

本发明涉及保护电路技术。

背景技术

高边输出是指电源经过高边开关连接负载，负载再接地。高边开关电路一般都设有具有短路过流保护功能的短路保护电路。现有的高边开关输出短路保护电路主要有以下三种结构：1、采用采样电阻加上运放、比较器构成；2、采用采样电路加上镜像电流源构成；3、采样集成电流检测放大器做电流检测。

现有的高边开关输出短路保护电路消耗的静态电流大，此外，运放、比较器等模拟器件需要额外的LDO器件来供电，导致静态电流进一步增加。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种实施成本低、响应速度快、静态电流小的高边开关输出短路保护电路。

本发明实施例提供了一种高边开关输出短路保护电路，高边开关的第一导通端和第二导通端分别与电压输入端Vin和电压输出端Vout连接，高边开关的受控端与推挽驱动电路的输出端Vdri连接，高边开关的第二导通端与推挽驱动电路的接地端连接，高边开关输出短路保护电路包括打嗝电路、二极管D3、电容C4、消隐电阻R8、二极管D1b、开关管Q2、第一分压电路、比较器和参考电压产生电路；打嗝电路包括开关管Q1、电容C5、二极管D4、限流电阻R12和偏置电阻R10，开关管Q1的第一导通端、偏置电阻R10的第一端和二极管D4的阴极分别与推挽驱动电路的电源输入端Vpdr连接，二极管D4 的阳极与限流电阻R12的第一端连接，限流电阻R12的第二端与电容C5的一端连接，电容C5的另一端与推挽驱动电路的输出端Vdri连接；限流电阻R12的第二端与电容C5的一端的共接点分别连接偏置电阻R10的第二端和开关管Q1的受控端；开关管Q1在第一导通端与受控端的电压差大于开关管Q1的导通阈值电压时导通；二极管D3的阳极连接推挽驱动电路的输出端Vdri，二极管D3的阴极与消隐电阻R8的第一端连接，消隐电阻R8的另一端分别与开关管Q1的第二导通端、电容C4的一端和第一分压电路的第一端连接，电容C4的另一端接地，第一分压电路的输出端分别与比较器的第一输入端和电压输入端Vin连接，第一分压电路的第二端与所述高边开关的第二导通端连接；比较器的第二输入端与参考电压产生电路的输出端连接，比较器的输出端与开关管Q2的受控端连接，开关管Q2的第一导通端与推挽驱动电路的受控端连接，开关管Q2的第二导通端与高边开关的第二导通端连接；比较器用于在第二输入端的电压大于第一输入端的电压时，控制开关管Q2断开，以使能够通过推挽驱动电路驱动所述高边开关导通，在第二输入端的电压小于第一输入端的电压时，控制开关管Q2导通，以使推挽驱动电路控制所述高边开关关断。

进一步地，高边开关输出短路保护电路包括比较器供电电路，比较器供电电路包括二级管D1、限流电阻R1、稳压二极管ZD1和电容C1；二极管D1的阳极连接推挽驱动电路的电源输入端Vpdr，二极管D1的阴极与限流电阻R1的第一端连接，限流电阻R1的第二端与稳压二极管ZD1的阴极连接，稳压二极管ZD1的阳极与高边开关的第二导通端连接，电容C1与稳压二极管ZD1并联连接，且电容C1的两端分别与比较器的电源正极和电源负极连接。

本发明至少具有以下优点和特点：

1、本发明实施例的高边开关输出保护电路由分立器件构成，器件数量少，成本低；

2、本发明实施例响应速度快，能快速拉断高边开关；

3、与电流采样电路使用运放（本身消耗静态电流）、并需要LDO为运放供电的传统方式相比，本发明实施例未使用运放实现了短路过流的监测，减少了静态电流的消耗；此外，比较器的供电电路采用分立器件搭建，与采用LDO供电的方式相比，减少了静态电流的消耗；

4、本发明实施例的高边开关输出短路保护为打嗝（Hiccup）模式，打嗝周期可调，当短路条件撤除后，最多经过一个打嗝周期，输出即可自动恢复；

5、采用MOSFET的导通电阻Rdson来检测电流，相比使用采样电阻的方案，不增加输入到输出的阻抗（压降，损耗）；

6、采用D1a和D1b封装在同一片芯片里，做热耦合，补偿了温度变化对短路保护点的影响。

附图说明

图1示出了根据本发明一实施例的高边开关输出短路保护电路的电路原理图。

图2示出了根据本发明一实施例的推挽驱动电路的电路示意图。

图3示出了根据本发明一实施例的高边开关输出短路保护电路的工作流程示意图。

实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。

图1示出了根据本发明一实施例的高边开关输出短路保护电路的电路原理图，请参阅图1。高边开关1的第一导通端和第二导通端分别与电压输入端Vin和电压输出端Vout连接，高边开关1的受控端与推挽驱动电路22的输出端Vdri连接，高边开关1的第二导通端与推挽驱动电路22的接地端连接，推挽驱动电路22的电源输入端Vpdr与升压电路21的输出端连接，升压电路21的输入端与电压输入端Vin连接。

在本实施例中，高边开关1由NMOS管Q3构成，高边开关1的受控端MOS_Gate、第一导通端和第二导通端MOS_Source分别为NMOS管Q3的栅极、漏极和源极。升压电路21为Boost升压电路。推挽驱动电路22的电路结构如图2所示。推挽驱动电路22包括NPN三极管Q4和PNP三极管Q5，NPN三极管Q4和PNP三极管Q5的基极均与推挽驱动电路的受控端G1连接，NPN三极管Q4和PNP三极管Q5的发射极均与推挽驱动电路的输出端Vdri连接，NPN三极管Q4的集电极与推挽驱动电路的电源输入端Vpdr连接，PNP三极管Q5的集电极与高边开关1的第二导通端连接。PNP三极管Q5的集电极构成推挽驱动电路22的接地端。在其它的实施例中，高边开关1采用其它类型的开关。

根据本发明一实施例的一种高边开关输出短路保护电路包括打嗝电路3、二极管D3、电容C4、消隐电阻R8、开关管Q2、第一分压电路41、比较器5、参考电压产生电路6和比较器供电电路7。

打嗝电路3包括开关管Q1、电容C5、二极管D4、限流电阻R12和偏置电阻R10。开关管Q1的第一导通端、偏置电阻R10的第一端和二极管D4的阴极分别与推挽驱动电路的电源输入端Vpdr连接，二极管D4 的阳极与限流电阻R12的第一端连接，限流电阻R12的第二端与电容C5的一端连接，电容C5的另一端与推挽驱动电路22的输出端Vdri连接；限流电阻R12的第二端与电容C5的一端的共接点分别连接偏置电阻R10的第二端和开关管Q1的受控端。

在本实施例中，开关管Q1为PNP三极管，开关管Q1的受控端、第一导通端和第二导通端分别为PNP三极管的基极、发射极和集电极；开关管Q1的第一导通端与限流电阻R9的第一端连接，限流电阻R9的第二端和二极管D4的阴极分别与推挽驱动电路22的电源输入端Vpdr连接；开关管Q1的受控端与限流电阻R11的第一端连接，限流电阻R12的第二端与电容C5的一端的共接点分别连接偏置电阻R10的第二端和限流电阻R11的第二端。

二极管D3的阳极连接推挽驱动电路22的输出端Vdri，二极管D3的阴极与消隐电阻R8的第一端连接，消隐电阻R8的另一端分别与开关管Q1的第二导通端、电容C4的一端和第一分压电路41的第一端连接，电容C4的另一端接地，第一分压电路41的输出端分别与比较器5的第一输入端IN+和电压输入端Vin连接，第一分压电路41的第二端与高边开关1的第二导通端连接。

在本实施例中，第一分压电路41包括电阻R5、电阻R6、二极管D1b和电阻R7，电阻R5的第一端构成第一分压电路的第一端，电阻R5的第二端与电阻R6的第一端连接，电阻R6的第二端构成第一分压电路的第二端。二极管D1b的阳极分别连接电阻R5的第二端和电阻R6的第一端，电阻R5的第二端、电阻R6的第一端和二极管D1b的阳极的共接点构成第一分压电路41的输出端；二极管D1b的阴极经分压电阻R7与电压输入端Vin连接。Vdri和Vin分别对高边开关1的第二导通端进行分压，并通过叠加得到比较器5的第一输入端IN+的输入电压。较佳地，第一分压电路41包括滤波电容C3，滤波电容C3的一端分别与电阻R6的第一端和二极管D1b的阳极连接，滤波电容C3的另一端与电阻R6的第二端连接。

比较器5的第二输入端与参考电压产生电路6的输出端连接，比较器5的输出端与开关管Q2的受控端连接，开关管Q2的第一导通端与推挽驱动电路22的受控端G1连接，开关管Q2的第二导通端与高边开关1的第二导通端连接。比较器5用于在第二输入端的电压大于第一输入端的电压时，控制开关管Q2断开，以使能够通过推挽驱动电路22驱动高边开关1导通，在第二输入端的电压小于第一输入端的电压时，控制开关管Q2导通，以使推挽驱动电路22控制高边开关1关断。

比较器供电电路7用于为比较器5提供电源。由于比较器5直接通过外部电源供电，进一步降低了静态电流的消耗。

在本实施例中，比较器5为低静态电流快速比较器。开关管Q2为NMOS管，开关管Q2的受控端、第一导通端和第二导通端分别为NMOS管的栅极、漏极和源极，开关管Q2的栅极经栅极驱动电阻R4与比较器5的输出端连接。比较器供电电路7包括二级管D1、限流电阻R1、稳压二极管ZD1和电容C1。二极管D1的阳极连接推挽驱动电路的电源输入端Vpdr，二极管D1的阴极与限流电阻R1的第一端连接，限流电阻R1的第二端与稳压二极管ZD1的阴极连接，稳压二极管ZD1的阳极与高边开关1的第二导通端连接，电容C1与稳压二极管ZD1并联连接，且电容C1的两端分别与比较器5的电源正极和电源负极连接。其中，稳压二极管ZD1用于产生一个电压给比较器5供电，电容C1作为比较器5的旁路电容，充当其电源。

在其它的实施例中，开关管Q2为三极管或达林顿管。

在本实施例中，参考电压产生电路6包括第二分压电路，第二分压电路与电容C1并联连接，且第二分压电路的输出端连接比较器5的第二输入端。第二分压电路包括电阻R2和电阻R3，电阻R2的第一端和电容C1的一端与比较器5的电源正极连接，电阻R2的第二端与电阻R3的第一端连接，电阻R3的第二端和电容C1的另一端与比较器5的电源负极连接。

进一步地，第二分压电路包括二极管D1a和滤波电容C2，二极管D1a的阳极分别与电阻R2的第二端和比较器5的第二输入端连接，二极管D1a的阴极与电阻R3的第一端连接。较佳地，二极管D1a与二极管D1b封装在同一块芯片中，提供热耦合，与温度解耦，从而能实现宽温度范围的短路保护。滤波电容C2的一端与第二分压电路的输出端连接，滤波电容C2的另一端与比较器5的电源负极连接。

二极管D1b的正向导通压降受温度影响很大，如不设置二极管D1a，在工作环境温差较大的情况下，短路保护的保护点偏差较大，甚至会有几十安培的差异；而如果设置二极管D1a，由于二极管D1a与二极管D1b的正向压降随温度一起变化，则能做很好的温度补偿。如果本实施例的高边开关输出短路保护电路的工作环境温度变化不大，则无需设置二极管D1a。

图3示出了根据本发明一实施例的高边开关输出短路保护电路的工作流程示意图。

以下以本发明实施例的高边开关输出短路保护电路工作于12V车载电源系统时说明其工作原理，在12V车载电源系统中，输入电压输入端Vin的电压为14V。根据本发明实施例的高边开关输出短路保护电路具有五种工况：

工况1、高边开关电路正常启动：

上述的高边开关电路包括高边开关、升压电路、推挽驱动电路以及高边开关输出短路保护电路。电压输入端Vin输入14V工作电压，经升压电路升压后输出26V电压给推挽驱动电路22的电源输入端Vpdr和二极管D1，稳压管ZD1被反向击穿后导通，起到稳压作用，电容C1储能，为比较器U1提供电源。电阻R2、二极管D1a和电阻R3分压，滤波电容C2储能，在比较器U1的第二输入端IN-建立起参考电压Vref。

开关管Q1导通，电容C4迅速储能，而电容C5缓慢储能，直到其储能完毕，开关管Q1关断。开关管Q1开通期间，能够维持电容C4上的电压；开关管Q1关断后，电容C4慢慢放电。电容C4的放电路径有两条：一是电流经电阻R5、二极管D1b和电阻R7，流向电压输入端Vin，二是电流经电阻R5、电阻R6流向高边开关1的第二导通端MOS_Source。在高边开关1未导通时，高边开关1的第二导通端MOS_Source的电位为地电位。

电容C4放电结束，比较器U1的第二输入端IN-的电压高于第一输入端IN+的电压，比较器U1发生负跳变，比较器U1输出低电平，开关管Q2关断，推挽驱动电路22下方的PNP三极管Q5关断，推挽驱动电路22上方的NPN三极管Q4导通，推挽驱动电路22的输出端Vdri得电，驱动NMOS管Q3导通，高边开关正常输出。

Vdri得电后，通过二极管D3、消隐电阻R8向电容C4充电，消隐电阻R8和电容C4组成消隐电路，提供启动时消隐（即短暂地屏蔽过流保护，为初次启动及打嗝后的重启均提供了消隐时间（Blanking time）），消隐电阻R8的存在让电容C4的充电不会太快，使得比较器U1的第一输入端IN+的电位比第二输入端IN-的电位低，避免正常启动时误保护。电容C5通过电阻R12、二极管D4、NPN三极管Q4放电，开关管Q1保持关断。开关管Q1在第一导通端与受控端的电压差大于开关管Q1的导通阈值电压时导通。

工况2、高边开关电路启动后正常工作：

借助所设置的分压电路的分压比，比较器U1的第一输入端IN+的电位始终比第二输入端IN-的电位低，比较器U1输出低电平，开关管Q2处于关断状态，高边开关（NMOS管Q3）导通。

工况3、在高边开关工作期间，高边开关的输出对地短路：

在NMOS管Q3工作期间，发生NMOS管Q3的输出对地短路，NMOS管Q3的源极（第二导通端MOS_Source）的电压突然跌落，使得NMOS管Q3两端的压降突然增大，即电压输入端Vin到第二导通端MOS_Source之间的压差突然增大。因为有电容C1和电容C2的存在，比较器U1的参考电压Vref保持不变。由于电容C4两端的电压不变，电容C4与NMOS管Q3的第二导通端MOS_Source之间的压差增大，经电阻R5和电阻R6分压后的电压（即比较器U1第一输入端的电压）升高，超过比较器U1第二输入端的电压，比较器U1正跳变，输出高电平，开关管Q2导通，推挽驱动电路22下方的PNP三极管Q5导通，推挽驱动电路22上方的NPN三极管Q4关断，从而使得NMOS管Q3关断。此时，电压输入端Vin与电压输出端Vout彼此断开，与电压输出端Vout相连的电气设备不能获得工作电压。

推挽驱动电路22的驱动拉断后，推挽驱动电路22的电源输入端Vpdr到推挽驱动电路22的输出端Vdri之间的路径被切断，电容C5通过限流电阻R12和二极管D4放电的路径被切断，输出端Vdri的电位下降，推挽驱动电路22的电源输入端Vpdr经过两条充电路径给电容C5充电：一条充电路径是经限流电阻R9、开关管Q1和限流电阻R11给电容C5充电，另一条充电路径是经限流电阻R9和偏置电阻R10给电容C5充电。推挽驱动电路22的电源输入端Vpdr同时还给电容C4充电，维持比较器U1第一输入端IN+的高电位。

当电容C5充满电后，开关管Q1关断。电容C4通过两条放电路径放电：一是电流经电阻R5、二极管D1b和电阻R7，流向电压输入端Vin，二是电流经电阻R5、电阻R6流向NMOS管Q3的第二导通端MOS_Source。电容C4的电位慢慢下降，同时，比较器U1的第一输入端IN+的电位也慢慢下降。当比较器U1的第一输入端IN+的输入电压下降到比第二输入端IN-的电压低时，比较器U1的输出负跳变，开关管Q2关断，推挽驱动电路22的驱动打开，驱动NMOS管Q3导通，高边开关电路重新启动。推挽驱动电路22建立起电源输入端Vpdr到输出端Vdri之间的电流通道，电容C5经限流电阻R12、二极管D4以及NPN三极管Q4放电。

如果高边开关输出短路移除，高边开关电路恢复正常工作，NMOS管Q3的第二导通端MOS_Source的电位上升到与电压输入端Vin的输入电压相接近的电位；如果短路状况仍然存在，短路电流（流过NMOS管Q3的电流）到达保护点（过流阈值）后，NMOS管Q3的压降（NMOS管Q3的导通电阻Rdson与短路电流的乘积）变大，短路保护电路再次保护，高边开关关断，然后经过一个打嗝周期后，高边开关再次导通。打嗝周期是由电容C5缓慢充电、 以及电容C5充满后电容C4缓慢放电这两个时间段构成的。

工况4、在高边开关电路启动前已发生高边开关输出对地短路：

高边开关电路启动过程如工况1，然后如工况3进入短路。

工况5、高边开关输出对地短路，在短路保护电路处于打嗝状态中，短路故障移除：

NMOS管Q3导通，恢复正常工作，NMOS管Q3导通后，NMOS管Q3的第二导通端MOS_Source的电位上升到与电压输入端Vin的输入电压接近的电位。

本发明本实施例的高边输出保护电路由分立器件构成，器件数量少，成本低，静态电流小，同时具有较快的保护响应速度。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种高边开关输出短路保护电路，所述高边开关的第一导通端和第二导通端分别与电压输入端Vin和电压输出端Vout连接，所述高边开关的受控端与推挽驱动电路的输出端Vdri连接，所述高边开关的第二导通端与推挽驱动电路的接地端连接，其特征在于，所述的高边开关输出短路保护电路包括打嗝电路、二极管D3、电容C4、消隐电阻R8、开关管Q2、第一分压电路、比较器和参考电压产生电路；

打嗝电路包括开关管Q1、电容C5、二极管D4、限流电阻R12和偏置电阻R10，开关管Q1的第一导通端、偏置电阻R10的第一端和二极管D4的阴极分别与推挽驱动电路的电源输入端Vpdr连接，二极管D4 的阳极与限流电阻R12的第一端连接，限流电阻R12的第二端与电容C5的一端连接，电容C5的另一端与推挽驱动电路的输出端Vdri连接；限流电阻R12的第二端与电容C5的一端的共接点分别连接偏置电阻R10的第二端和开关管Q1的受控端；开关管Q1在第一导通端与受控端的电压差大于开关管Q1的导通阈值电压时导通；二极管D3的阳极连接推挽驱动电路的输出端Vdri，二极管D3的阴极与消隐电阻R8的第一端连接，消隐电阻R8的另一端分别与开关管Q1的第二导通端、电容C4的一端和第一分压电路的第一端连接，电容C4的另一端接地，第一分压电路的输出端分别与比较器的第一输入端和电压输入端Vin连接，第一分压电路的第二端与所述高边开关的第二导通端连接；

比较器的第二输入端与所述参考电压产生电路的输出端连接，比较器的输出端与开关管Q2的受控端连接，开关管Q2的第一导通端与推挽驱动电路的受控端连接，开关管Q2的第二导通端与高边开关的第二导通端连接；所述比较器用于在第二输入端的电压大于第一输入端的电压时，控制开关管Q2断开，以使能够通过推挽驱动电路驱动所述高边开关导通，在第二输入端的电压小于第一输入端的电压时，控制开关管Q2导通，以使推挽驱动电路控制所述高边开关关断。

2.根据权利要求1所述的高边开关输出短路保护电路，其特征在于，所述高边开关输出短路保护电路包括比较器供电电路，所述比较器供电电路包括二级管D1、限流电阻R1、稳压二极管ZD1和电容C1；

二极管D1的阳极连接推挽驱动电路的电源输入端Vpdr，二极管D1的阴极与限流电阻R1的第一端连接，限流电阻R1的第二端与稳压二极管ZD1的阴极连接，稳压二极管ZD1的阳极与所述高边开关的第二导通端连接，电容C1与稳压二极管ZD1并联连接，且电容C1的两端分别与比较器的电源正极和电源负极连接。

3.根据权利要求2所述的高边开关输出短路保护电路，其特征在于，所述参考电压产生电路包括第二分压电路，所述第二分压电路与电容C1并联连接，且第二分压电路的输出端连接所述比较器的第二输入端。

4.根据权利要求3所述的高边开关输出短路保护电路，其特征在于，所述第二分压电路包括电阻R2和电阻R3，电阻R2的第一端和电容C1的一端与比较器的电源正极连接，电阻R2的第二端与电阻R3的第一端连接，电阻R3的第二端和电容C1的另一端与比较器的电源负极连接。

5.根据权利要求4所述的高边开关输出短路保护电路，其特征在于，所述第二分压电路包括二极管D1a，二极管D1a的阳极与电阻R2的第二端和所述比较器的第二输入端连接，二极管D1a的阴极与电阻R3的第一端连接；

二极管D1a与二极管D1b封装在同一块芯片中。

6.根据权利要求3所述的高边开关输出短路保护电路，其特征在于，所述参考电压产生电路包括滤波电容C2，滤波电容C2的一端与所述第二分压电路的输出端连接，滤波电容C2的另一端与比较器的电源负极连接。

7.根据权利要求1所述的高边开关输出短路保护电路，其特征在于，所述推挽驱动电路包括NPN三极管Q4和PNP三极管Q5，NPN三极管Q4和PNP三极管Q5的基极均与推挽驱动电路的受控端连接，NPN三极管Q4和PNP三极管Q5的发射极均与推挽驱动电路的输出端Vdri连接，NPN三极管Q4的集电极与推挽驱动电路的电源输入端Vpdr连接，PNP三极管Q5的集电极与高边开关的第二导通端连接。

8.根据权利要求1所述的高边开关输出短路保护电路，其特征在于，所述第一分压电路包括电阻R5、电阻R6、二极管D1b和电阻R7，电阻R5的第一端构成第一分压电路的第一端，电阻R5的第二端与电阻R6的第一端连接，电阻R6的第二端构成第一分压电路的第二端；

二极管D1b的阳极分别连接电阻R5的第二端和电阻R6的第一端，电阻R5的第二端、电阻R6的第一端和二极管D1b的阳极的共接点构成第一分压电路的输出端；二极管D1b的阴极经分压电阻R7与电压输入端Vin连接。

9.根据权利要求1所述的高边开关输出短路保护电路，其特征在于，开关管Q1为PNP三极管，开关管Q1的受控端、第一导通端和第二导通端分别为PNP三极管的基极、发射极和集电极；

开关管Q1的第一导通端与限流电阻R9的第一端连接，限流电阻R9的第二端和二极管D4的阴极与推挽驱动电路的电源输入端Vpdr连接；开关管Q1的受控端与限流电阻R11的第一端连接，限流电阻R12的第二端与电容C5的一端的共接点分别连接偏置电阻R10的第二端和限流电阻R11的第二端。

10.根据权利要求1所述的高边开关输出短路保护电路，其特征在于，开关管Q2为NMOS管，开关管Q2的受控端、第一导通端和第二导通端分别为NMOS管的栅极、漏极和源极；

开关管Q2的栅极经栅极驱动电阻R4与所述比较器的输出端连接。

11.根据权利要求1所述的高边开关输出短路保护电路，其特征在于，所述高边开关由NMOS管Q3构成，高边开关的受控端、第一导通端和第二导通端分别为NMOS管Q3的栅极、漏极和源极。

12.根据权利要求1或11所述的高边开关输出短路保护电路，其特征在于，所述推挽驱动电路的电源输入端Vpdr与升压电路的输出端连接，所述升压电路的输入端与电压输入端Vin连接。