CN116896955A - 包括传感器的显示装置 - Google Patents

包括传感器的显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116896955A
CN116896955A CN202310355325.0A CN202310355325A CN116896955A CN 116896955 A CN116896955 A CN 116896955A CN 202310355325 A CN202310355325 A CN 202310355325A CN 116896955 A CN116896955 A CN 116896955A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
emitting element
light
layer
driving circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310355325.0A
Other languages
English (en)
Inventor
李哲坤
朴喜真
宋姬林
李柔辰
田武经
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN116896955A publication Critical patent/CN116896955A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • G09F9/335—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes being organic light emitting diodes [OLED]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1306—Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors
    • H10K39/34—Organic image sensors integrated with organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/08—Details of timing specific for flat panels, other than clock recovery
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2354/00—Aspects of interface with display user
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了一种包括传感器的显示装置，所述显示装置包括：基体层；以及像素层，包括参考像素单元和传感器。参考像素单元包括发射第一颜色光的第一发光元件和第二发光元件。传感器包括：光检测元件，与参考像素单元对应设置；以及传感器驱动电路，电连接到光检测元件。第一发光元件和第二发光元件中的每个包括：阳极电极；以及发光层。第一发光元件的发光层具有与第二发光元件的发光层相同的尺寸，并且第一发光元件的阳极电极具有与第二发光元件的阳极电极的尺寸不同的尺寸。

Description

包括传感器的显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括参考像素的显示装置。
背景技术
显示装置提供使用户能够看到在其上显示的信息的各种功能。一些显示装置进一步提供感测触摸输入的自然方式。例如，显示装置可以被构造为向用户显示图像并感测用户的输入。近来的显示装置包括用于检测用户的生物信息(诸如识别指纹)的功能。
生物信息识别方法包括用于检测在电极之间形成的电容的改变的电容方法、用于使用光学传感器检测入射光的光学方法、以及用于使用压电材料感测振动的超声方法。
发明内容
一种显示装置包括：基体层；以及像素层，设置在基体层上并且包括多个参考像素单元和多个传感器。多个参考像素单元中的每个包括发射第一颜色光的第一发光元件和第二发光元件。多个传感器中的每个包括：至少一个光检测元件，被设置为与多个参考像素单元中的一个参考像素单元对应；以及传感器驱动电路，电连接到光检测元件。第一发光元件和第二发光元件中的每个包括：阳极电极；以及发光层，设置在阳极电极上。第一发光元件的发光层具有与第二发光元件的发光层相同的尺寸，并且第一发光元件的阳极电极具有与第二发光元件的阳极电极的尺寸不同的尺寸。
一种显示装置包括：基体层；以及像素层，设置在基体层上并且包括多个像素和多个传感器。多个传感器中的每个包括：k个光检测元件，彼此电连接；以及传感器驱动电路，电连接到k个光检测元件中的一个光检测元件。多个像素之中的与传感器驱动电路至少部分地叠置的第一发光元件包括第一阳极电极。多个像素之中的不与传感器驱动电路叠置并且输出与第一发光元件相同颜色光的第二发光元件包括第二阳极电极。第一阳极电极具有与第二阳极电极的形状不同的形状。
附图说明
附图被包括以提供对发明构思的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分。附图示出了发明构思的实施例并且与描述一起用于解释发明构思的原理。在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的透视图；
图2是根据实施例的显示装置的剖视图；
图3是根据实施例的显示装置的框图；
图4A和图4B是根据示例实施例的显示面板的一些区域的放大平面图；
图5A是示出图4A中所示的发光层的平面图；
图5B是图5A中所示的部分区域AA1的放大图；
图5C是图5A中所示的部分区域AA2的放大图；
图6A是示出根据发明构思的实施例的像素和传感器的电路图；
图6B是用于解释图6A中所示的像素和传感器的操作的波形图；
图7是根据实施例的图4A中所示的显示面板的部分区域BB1的放大图；
图8A是示出图6A中所示的第j补偿扫描信号和第一节点的电位的波形图；
图8B是图8A中所示的第一区域TT1的放大波形图；
图9是根据实施例的图4A中所示的显示面板的部分区域BB1的放大视图；
图10A是示出图6A中所示的第j补偿扫描信号和第一节点的电位的波形图；
图10B是图10A中所示的第二区域TT2的放大波形图；
图11A是根据实施例的显示面板的部分区域的放大平面图；
图11B是示出图11A中所示的发光层的平面图；
图12A是根据实施例的图11A中所示的显示面板的部分区域CC1的放大图；
图12B是根据实施例的图11A中所示的显示面板的部分区域CC1的放大图；
图13是示出根据实施例的显示面板的像素的剖视图；以及
图14A和图14B是示出根据实施例的显示面板的发光元件和光检测元件的剖视图。
具体实施方式
在本说明书中，当元件(或区域、层、部件等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，意味着它可以直接放置在/连接到/结合到其他组件，或者第三组件可以布置在它们之间。
在整个说明书和附图中，同样的附图标记可以指同样的元件。“和/或”包括由相关组件定义的一个或更多个组合的全部。
将理解的是，术语“第一”和“第二”在这里用于描述各种组件，但是这些组件不必受这些术语的限制。以上术语用于将一个组件与另一组件区分开。例如，在不脱离发明构思的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，反之亦然。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
另外，诸如“在……下方”、“下侧”、“在……上”和“上侧”的术语用于描述附图中所示的组件的关系。这些术语被描述为基于图中所示的方向的相对概念。
在发明构思的各种实施例中，术语“包括”、“包含”及其变型指定属性、区域、固定数量、步骤、工艺、元件和/或组件，但是不排除其他属性、区域、固定数量、步骤、工艺、元件和/或组件。
在下文中，将参照附图描述发明构思的实施例。
图1是根据实施例的显示装置的透视图，图2是根据实施例的显示装置的剖视图。
参照图1和图2，根据发明构思的实施例的显示装置DD可以具有基本上矩形的形状，矩形形状具有在第一方向DR1上延伸的一对长边和在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸的一对短边。然而，发明构思不必限于此，并且显示装置DD可以具有诸如圆形或多边形的各种形状。
显示装置DD可以是根据电信号激活的装置。显示装置DD可以包括各种实施例。例如，显示装置DD可以应用于诸如智能手表、平板电脑、笔记本计算机、智能电视等的电子装置。
在下文中，与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面基本上垂直的法线方向被定义为第三方向DR3。在本说明书中，“在平面图中”的含义可以意味着从第三方向DR3观看的状态。
显示装置DD的上表面可以被定义为显示表面IS，并且可以与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行。由显示装置DD产生的图像IM可以通过显示表面IS提供到用户。
显示表面IS可以被划分为透射区域TA和边框区域BZA。透射区域TA可以是其中显示图像IM的区域。用户通过透射区域TA识别图像IM。在本实施例中，透射区域TA以具有倒圆(圆形)顶点的矩形形状示出。然而，这是通过示例的方式示出的，并且透射区域TA可以具有各种形状，并且不必限于任何一个实施例。
边框区域BZA与透射区域TA相邻。边框区域BZA可以具有预定颜色。边框区域BZA可以至少部分地围绕透射区域TA。因此，透射区域TA的形状可以基本上由边框区域BZA限定。然而，这是作为示例示出的，并且边框区域BZA可以被设置为仅与透射区域TA的一侧相邻，或者可以省略边框区域BZA。
显示装置DD可以感测外部输入。外部输入可以包括从显示装置DD的外部提供的各种类型的输入。例如，外部输入可以包括通过身体的一部分(诸如用户的手US_F)的接触，或者通过单独装置(例如，有源笔或数字转换器)的接触，并且也包括相邻显示装置DD或以预定距离施加的外部输入(例如，悬停)。另外，外部输入可以具有各种形式(诸如力、压力、温度、光等)。
显示装置DD可以检测用户的生物信息。能够检测用户的生物信息的生物信息检测区域可以设置在显示装置DD的显示表面IS上。生物信息检测区域可以设置在透射区域TA的整个区域中，或者可以设置在透射区域TA的一个或更多个部分区域中。图1示出了整个透射区域TA被用作作为发明构思的示例的生物信息检测区域。
显示装置DD可以包括窗WM、显示模块DM和壳体EDC。在本实施例中，窗WM和壳体EDC组合以形成显示装置DD的外观。
窗WM的前表面限定显示装置DD的显示表面IS。窗WM可以包括光学透明的绝缘材料。例如，窗WM可以包括玻璃或塑料。窗WM可以具有多层结构或单层结构。例如，窗WM可以包括用粘合剂粘合的多个塑料膜，或者可以包括用粘合剂粘合的玻璃基底和塑料膜。
显示模块DM可以包括显示面板DP和输入检测层ISL。显示面板DP可以根据电信号显示图像，输入检测层ISL可以检测外部输入。外部输入可以以各种形式提供。
根据发明构思的实施例的显示面板DP可以是发光显示面板，但是不具体限于此。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光材料，无机发光显示面板的发光层可以包括无机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点和量子棒。在下文中，显示面板DP被描述为有机发光显示面板。
参照图2，显示面板DP包括基体层BL、像素层PXL和封装层TFE。根据发明构思的显示面板DP可以是柔性显示面板，柔性显示面板是可以弯曲至显著程度而不会破裂或承受其他形式的损坏的显示面板。然而，发明构思不必限于此。例如，显示面板DP可以是沿着折叠轴折叠的可折叠显示面板，或者可以是刚性显示面板。
基体层BL可以包括合成树脂层。合成树脂层可以是聚酰亚胺树脂层，并且其材料不特别限于此。另外，基体层BL可以包括玻璃基底、金属基底或有机/无机复合材料基底。
像素层PXL设置在基体层BL上。像素层PXL可以包括电路层DP_CL和元件层DP_ED。电路层DP_CL设置在基体层BL与元件层DP_ED之间。电路层DP_CL包括至少一个绝缘层和电路元件。在下文中，包括在电路层DP_CL中的绝缘层被称为中间绝缘层。中间绝缘层包括至少一个中间无机层和至少一个中间有机层。电路元件可以包括像素驱动电路和传感器驱动电路，像素驱动电路包括在用于显示图像的多个像素的每个中，传感器驱动电路包括在用于识别外部信息的多个传感器的每个中。外部信息可以是生物信息。作为发明构思的示例，传感器可以是指纹识别传感器、接近传感器、虹膜识别传感器等。此外，传感器可以是以光学方式识别生物信息的光学传感器。电路层DP_CL还可以包括电连接到像素驱动电路和/或传感器驱动电路的信号线。
元件层DP_ED可以包括发光元件和光检测元件，发光元件包括在像素中的每个中，光检测元件包括在传感器中的每个中。作为发明构思的示例，光检测元件可以是光电二极管。光检测元件可以是感测或响应于由用户的指纹反射的光的传感器。稍后将参照图13、图14A和图14B详细描述电路层DP_CL和元件层DP_ED。
封装层TFE封装元件层DP_ED。封装层TFE可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。无机层可以包括无机材料，并且可以保护元件层DP_ED免受湿气/氧的影响。无机膜可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层，但是不特别限于此。有机层可以包括有机材料，并且可以保护元件层DP_ED免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。
输入检测层ISL可以形成在显示面板DP上。输入检测层ISL可以直接设置在封装层TFE上。根据发明构思的实施例，可以通过连续工艺在显示面板DP上形成输入检测层ISL。例如，当输入检测层ISL直接设置在显示面板DP上时，粘合膜不设置在输入检测层ISL与封装层TFE之间。可选地，粘合膜可以设置在输入检测层ISL与显示面板DP之间。在这种情况下，输入检测层ISL可以不与显示面板DP通过连续工艺制造，而是在通过与显示面板DP的工艺分开的工艺制造之后，通过粘合膜将输入检测层ISL固定到显示面板DP的上表面。
输入检测层ISL可以检测外部输入(例如，用户的触摸)，将检测的外部输入改变为预定输入信号，并且将输入信号提供到显示面板DP。输入检测层ISL可以包括用于检测外部输入的多个检测电极。检测电极可以以电容方式检测外部输入。显示面板DP可以从输入检测层ISL接收输入信号，并且可以产生与输入信号对应的图像。
显示模块DM还可以包括滤色器层CFL。作为发明构思的示例，滤色器层CFL可以设置在输入检测层ISL上。然而，发明构思不必限于此。滤色器层CFL可以设置在显示面板DP与输入检测层ISL之间。滤色器层CFL可以包括多个滤色器和黑矩阵。
下面描述关于输入检测层ISL和滤色器层CFL的结构的细节。
根据实施例的显示装置DD还可以包括粘合层AL。窗WM可以通过粘合层AL附接到输入检测层ISL。粘合层AL可以包括光学透明粘合剂、光学透明粘合剂树脂或压敏粘合剂(PSA)。
壳体EDC结合到窗WM。壳体EDC结合到窗WM以在其间限定预定内部空间。显示模块DM可以容纳在内部空间中。壳体EDC可以包括具有相对高刚性的材料。例如，壳体EDC可以包括由玻璃、塑料或金属或者其组合制成的多个框架和/或板。壳体EDC可以稳定地保护容纳在内部空间中的显示装置DD的组件免受外部冲击。用于供应显示装置DD的整体操作所需的电力的电池模块可以设置在显示模块DM与壳体EDC之间。
图3是根据实施例的显示装置的框图。
参照图3，显示装置DD包括显示面板DP、面板驱动器和驱动控制器100。作为发明构思的示例，面板驱动器包括数据驱动器200、扫描驱动器300、发射驱动器350、电压生成器400和读出电路500。
驱动控制器100接收图像信号RGB和控制信号CTRL。驱动控制器100通过转换图像信号RGB的数据格式来产生图像数据DATA，以满足与数据驱动器200的接口的规范。驱动控制器100输出第一控制信号SCS、第二控制信号ECS、第三控制信号DCS和第四控制信号RCS。
数据驱动器200从驱动控制器100接收第三控制信号DCS和图像数据DATA。数据驱动器200将图像数据DATA转换为数据信号，并且将数据信号输出到下面描述的多条数据线DL1至DLm。数据信号是与图像数据DATA的灰度值对应的模拟电压。
扫描驱动器300从驱动控制器100接收第一控制信号SCS。扫描驱动器300可以响应于第一控制信号SCS将扫描信号输出到扫描线。
电压生成器400产生显示面板DP的操作所需的电压。在本实施例中，电压生成器400产生第一驱动电压ELVDD、第二驱动电压ELVSS、第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2。
显示面板DP包括与透射区域TA(图1中所示)对应的显示区域DA和与边框区域BZA(图1中所示)对应的非显示区域NDA。
显示面板DP可以包括设置在显示区域DA中的多个像素PX和设置在显示区域DA中的多个传感器FX。作为发明构思的示例，多个传感器FX中的每个可以设置在彼此相邻的两个像素PX之间。多个像素PX和多个传感器FX可以在第一方向DR1和第二方向DR2上交替地设置。然而，发明构思不必限于此。例如，两个或更多个像素PX设置在多个传感器FX之中的在第一方向DR1上彼此相邻的两个传感器FX之间，并且两个或更多个像素PX可以设置在多个传感器FX之中的在第二方向DR2上彼此相邻的两个传感器FX之间。
显示面板DP还包括初始化扫描线SIL1至SILn、补偿扫描线SCL1至SCLn、写入扫描线SWL1至SWLn、黑色扫描线SBL1至SBLn、发射控制线EML1至EMLn、数据线DL1至DLm以及读出线RL1至RLh。初始化扫描线SIL1至SILn、补偿扫描线SCL1至SCLn、写入扫描线SWL1至SWLn、黑色扫描线SBL1至SBLn以及发射控制线EML1至EMLn在第二方向DR2上延伸。初始化扫描线SIL1至SILn、补偿扫描线SCL1至SCLn、写入扫描线SWL1至SWLn、黑色扫描线SBL1至SBLn以及发射控制线EML1至EMLn在第一方向DR1上彼此间隔开。数据线DL1至DLm以及读出线RL1至RLh在第一方向DR1上延伸，并且在第二方向DR2上彼此间隔开。
多个像素PX分别电连接到初始化扫描线SIL1至SILn、补偿扫描线SCL1至SCLn、写入扫描线SWL1至SWLn、黑色扫描线SBL1至SBLn、发射控制线EML1至EMLn以及数据线DL1至DLm。例如，多个像素PX中的每个可以电连接到四条扫描线。然而，电连接到每个像素PX的扫描线的数量不必限于此，并且可以改变。
多个传感器FX分别电连接到写入扫描线SWL1至SWLn以及读出线RL1至RLh。多个传感器FX中的每个可以电连接到一条扫描线。然而，发明构思不必限于此。电连接到每个传感器FX的扫描线的数量可以变化。作为发明构思的示例，读出线RL1至RLh的数量可以与数据线DL1至DLm的数量的1/2对应。然而，发明构思不必限于此。可选地，读出线RL1至RLh的数量可以与数据线DL1至DLm的数量的1/4或1/8对应。
扫描驱动器300可以设置在显示面板DP的非显示区域NDA中。扫描驱动器300从驱动控制器100接收第一控制信号SCS。扫描驱动器300响应于第一控制信号SCS将初始化扫描信号输出到初始化扫描线SIL1至SILn，并且将补偿扫描信号输出到补偿扫描线SCL1至SCLn。此外，扫描驱动器300可以响应于第一控制信号SCS将写入扫描信号输出到写入扫描线SWL1至SWLn，并且将黑色扫描信号输出到黑色扫描线SBL1至SBLn。可选地，扫描驱动器300可以包括第一扫描驱动器和第二扫描驱动器。第一扫描驱动器可以输出初始化扫描信号和补偿扫描信号，第二扫描驱动器可以输出写入扫描信号和黑色扫描信号。
发射驱动器350可以设置在显示面板DP的非显示区域NDA中。发射驱动器350从驱动控制器100接收第二控制信号ECS。发射驱动器350可以响应于第二控制信号ECS将发射控制信号输出到发射控制线EML1至EMLn。可选地，扫描驱动器300可以电连接到发射控制线EML1至EMLn。在这种情况下，可以省略发射驱动器350，并且扫描驱动器300可以将发射控制信号输出到发射控制线EML1至EMLn。
读出电路500从驱动控制器100接收第四控制信号RCS。读出电路500可以响应于第四控制信号RCS而从读出线RL1至RLh接收检测信号。读出电路500可以处理从读出线RL1至RLh接收的检测信号，并且将经处理的检测信号S_FS提供到驱动控制器100。驱动控制器100可以基于经处理的检测信号S_FS来识别生物信息。
图4A和图4B是根据示例实施例的显示面板的一些区域的放大平面图。
参照图4A，显示面板DP包括多个像素PXR、PXG1、PXG2和PXB以及多个传感器FX。
多个像素PXR、PXG1、PXG2和PXB可以被分组为多个参考像素单元RPU。作为发明构思的示例，每个参考像素单元RPU可以包括四个像素：两个第一像素PXG1和PXG2(在下文中，第一绿色像素和第二绿色像素)、第三像素PXR(在下文中，红色像素)和第四像素PXB(在下文中，蓝色像素)。然而，包括在每个参考像素单元RPU中的像素的数量不必限于此。可选地，每个参考像素单元RPU可以包括三个像素，例如，第一绿色像素PXG1(或第二绿色像素PXG2)、红色像素PXR和蓝色像素PXB。
第一绿色像素PXG1和第二绿色像素PXG2分别包括第一发光元件ED_G1和第二发光元件ED_G2(在下文中，第一绿色发光元件和第二绿色发光元件)，红色像素PXR包括第三发光元件ED_R(在下文中，红色发光元件)，蓝色像素PXB包括第四发光元件ED_B(在下文中，蓝色发光元件)。作为发明构思的示例，第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的每个输出第一颜色光(例如，绿色光)，红色发光元件ED_R输出与第一颜色光不同的第二颜色光(例如，红色光)，蓝色发光元件ED_B输出与第一颜色光和第二颜色光不同的第三颜色光(例如，蓝色光)。从第一绿色发光元件ED_G1输出的绿色光可以具有与从第二绿色发光元件ED_G2输出的绿色光相同的波段。
在第一方向DR1和第二方向DR2上，红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B可以交替且重复地设置。第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2在第一方向DR1上交替且重复地布置，并且在第二方向DR2上交替且重复地设置。第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2可以在第一方向DR1和第二方向DR2上设置在与红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B不同的行和不同的列中。
作为发明构思的示例，红色发光元件ED_R可以具有比第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2大的尺寸。另外，蓝色发光元件ED_B可以具有大于或等于红色发光元件ED_R的尺寸的尺寸。发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B中的每个的尺寸不必限于此，并且可以进行不同地修改和应用。例如，在发明构思的另一实施例中，发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B可以具有相同的尺寸。
第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2可以具有与红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B不同的形状。作为发明构思的示例，红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B中的每个可以具有在第一方向DR1上比在第二方向DR2上长的八边形形状。红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B可以具有相同的尺寸或不同的尺寸，但是具有相同的形状。红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B中的每个的形状不必限于此。例如，红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B中的每个可以具有八边形形状(八边形形状在第一方向DR1和第二方向DR2上具有相同的长度)，并且也可以具有正方形形状和矩形形状中的一个。
第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的每个可以具有八边形形状，八边形形状具有在第二方向DR2上比在第一方向DR1上的长度长的长度。作为发明构思的示例，第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2具有相同的尺寸和相同的形状。然而，第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2的形状不必限于此。第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的每个可以具有八边形形状(八边形形状在第一方向DR1和第二方向DR2上具有相同的长度)，或者具有正方形形状和矩形形状中的一个。
第一绿色发光元件ED_G1电连接到第一绿色像素驱动电路G1_PD。例如，第一绿色发光元件ED_G1包括第一绿色阳极电极G1_AE和第一绿色发光层G1_EL，第一绿色阳极电极G1_AE通过接触孔电连接到第一绿色像素驱动电路G1_PD。第二绿色发光元件ED_G2电连接到第二绿色像素驱动电路G2_PD。例如，第二绿色发光元件ED_G2包括第二绿色阳极电极G2_AE和第二绿色发光层G2_EL，第二绿色阳极电极G2_AE通过接触孔电连接到第二绿色像素驱动电路G2_PD。
第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL可以具有相同的尺寸。第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL可以具有相同的形状或不同的形状。作为发明构思的示例，第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL在同一平面上具有不同的形状。第一绿色阳极电极G1_AE和第二绿色阳极电极G2_AE可以具有不同的尺寸和不同的形状。
红色发光元件ED_R电连接到红色像素驱动电路R_PD。例如，红色发光元件ED_R包括红色阳极电极R_AE和红色发光层R_EL，并且红色阳极电极R_AE通过接触孔电连接到红色像素驱动电路R_PD。蓝色发光元件ED_B电连接到蓝色像素驱动电路B_PD。例如，蓝色发光元件ED_B包括蓝色阳极电极B_AE和蓝色发光层B_EL，并且蓝色阳极电极B_AE通过接触孔电连接到蓝色像素驱动电路B_PD。
传感器FX中的每个包括光检测单元LSU和传感器驱动电路O_SD。光检测单元LSU可以包括至少一个光检测元件。作为发明构思的示例，光检测单元LSU包括k个光检测元件，并且k个光检测元件中的一个光检测元件电连接到传感器驱动电路O_SD。这里，k可以是2或更大的整数。图4A示出了k为2的情况。当k为2时，光检测单元LSU包括两个光检测元件(在下文中，称为第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2)。作为发明构思的示例，两个光检测元件(即，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2)可以被设置为与一个参考像素单元RPU对应。然而，被设置为与每个参考像素单元RPU对应的光检测元件的数量不必限于此。例如，一个光检测元件可以被设置为与每个参考像素单元RPU对应。
第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每个在第二方向DR2上设置在红色发光元件ED_R与蓝色发光元件ED_B之间。第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每个可以在第一方向DR1上与第一绿色发光元件ED_G1或第二绿色发光元件ED_G2相邻设置。在第一参考像素单元行中，第一光检测元件OPD1和第一绿色发光元件ED_G1在第一方向DR1上彼此相邻，第二光检测元件OPD2和第二绿色发光元件ED_G2在第一方向DR1上彼此相邻。位于第一参考像素单元行中的第一光检测元件OPD1和位于第二参考像素单元行中的第二绿色发光元件ED_G2在第一方向DR1上彼此相邻，位于第一参考像素单元行中的第二光检测元件OPD2和位于第二参考像素单元行中的第一绿色发光元件ED_G1在第一方向DR1上彼此相邻。作为发明构思的示例，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每个设置在沿第一方向DR1彼此相邻的第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2之间。
第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每个可以具有相同的尺寸和相同的形状。第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每个可以具有比红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B小的尺寸。作为发明构思的示例，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每个可以具有小于或等于第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2的尺寸的尺寸。然而，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每个的尺寸不特别限于此，并且可以以各种修改来应用。第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每个可以具有与红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B的形状不同的形状。作为发明构思的示例，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每个可以具有正方形形状。第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每个的形状不必限于此。可选地，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每个可以具有在第一方向DR1上比在第二方向DR2上长的矩形形状。
传感器驱动电路O_SD电连接到第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的一个(例如，第一光检测元件OPD1)。传感器驱动电路O_SD可以在第一方向DR1上具有与红色像素驱动电路R_PD和蓝色像素驱动电路B_PD相同的长度。在平面图中，传感器驱动电路O_SD可以与第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的一个(例如，第一光检测元件OPD1)至少部分地叠置。在平面图中，传感器驱动电路O_SD可以与第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的一个(例如，第一绿色发光元件ED_G1)至少部分地叠置。
第一光检测元件OPD1包括第一感测阳极电极O_AE1和第一光电转换层O_RL1，第二光检测元件OPD2包括第二感测阳极电极O_AE2和第二光电转换层O_RL2。第一感测阳极电极O_AE1通过接触孔直接连接到传感器驱动电路O_SD。
传感器FX中的每个还可以包括用于使第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2电连接的布线RW。布线RW电连接到第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2。作为发明构思的示例，布线RW可以与第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2一体地形成。
布线RW、第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2可以与阳极电极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE设置在同一层。在这种情况下，布线RW、第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2可以包括与阳极电极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE相同的材料，并且可以通过同一工艺设置。
第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2可以通过布线RW并联电连接到传感器驱动电路O_SD。因此，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2可以由传感器驱动电路O_SD同时地导通或同时地截止。
如图4B中所示，当k为4时，光检测单元LSUa可以包括四个光检测元件(在下文中，第一光检测元件OPD1、第二光检测元件OPD2、第三光检测元件OPD3和第四光检测元件OPD4)。第一光检测元件OPD1、第二光检测元件OPD2、第三光检测元件OPD3和第四光检测元件OPD4中的一个(例如，第三光检测元件OPD3)电连接到传感器驱动电路O_SDa。
传感器FX中的每个还可以包括使第一光检测元件OPD1、第二光检测元件OPD2、第三光检测元件OPD3和第四光检测元件OPD4电连接的三条布线(在下文中称为第一布线RW1、第二布线RW2和第三布线RW3)。第一布线RW1电连接四个光检测元件OPD1、OPD2、OPD3和OPD4之中在第一方向DR1上相邻的两个光检测元件(即，第一光检测元件OPD1和第三光检测元件OPD3)。第二布线RW2电连接四个光检测元件OPD1、OPD2、OPD3和OPD4之中在第二方向DR2上彼此相邻的两个光检测元件(即，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2)。第三布线RW3电连接四个光检测元件OPD1、OPD2、OPD3和OPD4之中在第二方向DR2上彼此相邻的两个光检测元件(即，第三光检测元件OPD3和第四光检测元件OPD4)。
第一光检测元件OPD1包括第一感测阳极电极O_AE1和第一光电转换层O_RL1，第二光检测元件OPD2包括第二感测阳极电极O_AE2和第二光电转换层O_RL2。第三光检测元件OPD3包括第三感测阳极电极O_AE3和第三光电转换层O_RL3，第四光检测元件OPD4包括第四感测阳极电极O_AE4和第四光电转换层O_RL4。第三感测阳极电极O_AE3通过接触孔直接连接到传感器驱动电路O_SDa。传感器驱动电路O_SDa可以在第一方向DR1上具有比红色像素驱动电路R_PD和蓝色像素驱动电路B_PD大的长度。因此，在平面图中，传感器驱动电路O_SDa可以被设置为与第一光检测元件OPD1至第四光检测元件OPD4中的两个(例如，第一光检测元件OPD1和第三光检测元件OPD3)至少部分地叠置。在平面图中，传感器驱动电路O_SDa可以与两个绿色发光元件(例如，第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2)至少部分地叠置。
第一布线RW1电连接到第一感测阳极电极O_AE1和第三感测阳极电极O_AE3，第二布线RW2电连接到第一感测阳极电极O_AE1和第二感测阳极电极O_AE2。第三布线RW3电连接到第三感测阳极电极O_AE3和第四感测阳极电极O_AE4。作为发明构思的示例，第一布线RW1至第三布线RW3可以与第一感测阳极电极O_AE1至第四感测阳极电极O_AE4一体地形成。
第一布线RW1、第二布线RW2和第三布线RW3以及第一感测阳极电极O_AE1至第四感测阳极电极O_AE4可以与阳极电极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE设置在同一层。在这种情况下，第一布线RW1、第二布线RW2和第三布线RW3以及第一感测阳极电极O_AE1至第四感测阳极电极O_AE4包括与阳极电极R_AE、G1_AE、G2_AE和B_AE相同的材料，并且可以通过同一工艺设置。
第一光检测元件OPD1、第二光检测元件OPD2、第三光检测元件OPD3和第四光检测元件OPD4可以通过第一布线RW1、第二布线RW2和第三布线RW3并联电连接到传感器驱动电路O_SDa。因此，第一光检测元件OPD1、第二光检测元件OPD2、第三光检测元件OPD3和第四光检测元件OPD4可以通过传感器驱动电路O_SDa同时地导通或同时地截止。
传感器驱动电路O_SD或传感器驱动电路O_SDa可以包括多个晶体管。作为发明构思的示例，传感器驱动电路O_SD或传感器驱动电路O_SDa以及像素驱动电路R_PD、G1_PD、G2_PD和B_PD可以通过同一工艺同时形成。此外，扫描驱动器300(参照图3)可以包括与传感器驱动电路O_SD或传感器驱动电路O_SDa以及像素驱动电路R_PD、G1_PD、G2_PD和B_PD通过同一工艺形成的晶体管。
图5A是示出图4A中所示的发光层的平面图，图5B是图5A中所示的部分区域AA1的放大图，图5C是图5A中所示的部分区域AA2的放大图。
参照图5A至图5C，红色发光层R_EL包括在第一方向DR1上延伸的第一边R_S1和第二边R_S2、在第二方向DR2上延伸的第三边R_S3和第四边R_S4以及相对于第一方向DR1和第二方向DR2倾斜的第一倾斜边R_CS1、第二倾斜边R_CS2、第三倾斜边R_CS3和第四倾斜边R_CS4。第一边R_S1和第二边R_S2的长度可以大于第三边R_S3和第四边R_S4的长度。然而，发明构思不必限于此。可选地，当红色发光层R_EL具有在第二方向DR2上比在第一方向DR1上长的八边形形状时，第三边R_S3和第四边R_S4的长度可以大于第一边R_S1和第二边R_S2的长度。
在红色发光层R_EL中，第一倾斜边R_CS1、第二倾斜边R_CS2、第三倾斜边R_CS3和第四倾斜边R_CS4可以具有相同的长度。图5A至图5C中的第一倾斜边R_CS1、第二倾斜边R_CS2、第三倾斜边R_CS3和第四倾斜边R_CS4中的每条可以具有线型形状。然而，发明构思不必限于此。可选地，第一倾斜边R_CS1、第二倾斜边R_CS2、第三倾斜边R_CS3和第四倾斜边R_CS4中的每条可以具有弯曲形状。
红色发光元件ED_R的发射区域的形状可以由红色发光层R_EL的形状限定。因此，红色发光层R_EL的形状可以被称为红色发光元件ED_R的发射区域的形状或红色发光元件ED_R的形状。
蓝色发光层B_EL包括在第一方向DR1上延伸的第一边B_S1和第二边B_S2、在第二方向DR2上延伸的第三边B_S3和第四边B_S4以及相对于第一方向DR1和第二方向DR2倾斜的第一倾斜边B_CS1、第二倾斜边B_CS2、第三倾斜边B_CS3和第四倾斜边B_CS4。第一边B_S1和第二边B_S2的长度可以大于第三边B_S3和第四边B_S4的长度。然而，发明构思不必限于此。可选地，当蓝色发光层B_EL具有在第二方向DR2上比在第一方向DR1上长的八边形形状时，第三边B_S3和第四边B_S4的长度可以大于第一边B_S1和第二边B_S2的长度。
在蓝色发光层B_EL中，第一倾斜边B_CS1、第二倾斜边B_CS2、第三倾斜边B_CS3和第四倾斜边B_CS4的长度可以相同。图5A至图5C中的第一倾斜边B_CS1、第二倾斜边B_CS2、第三倾斜边B_CS3和第四倾斜边B_CS4中的每条可以具有线型形状。然而，发明构思不必限于此。可选地，第一倾斜边B_CS1、第二倾斜边B_CS2、第三倾斜边B_CS3和第四倾斜边B_CS4中的每条可以具有弯曲形状。
蓝色发光元件ED_B的发射区域的形状可以由蓝色发光层B_EL的形状限定。因此，蓝色发光层B_EL的形状可以被称为蓝色发光元件ED_B的发射区域的形状或蓝色发光元件ED_B的形状。
图5A至图5C示出了红色发光层R_EL和蓝色发光层B_EL中的每个在第一方向DR1和第二方向DR2中的任何一个上具有细长形状，但是发明构思不必限于此。例如，红色发光层R_EL和蓝色发光层B_EL中的每个可以具有八边形形状，八边形形状在第一方向DR1和第二方向DR2上具有相同的长度。
第一绿色发光层G1_EL包括在第一方向DR1上延伸的第一边G1_S1和第二边G1_S2、在第二方向DR2上延伸的第三边G1_S3和第四边G1_S4以及相对于第一方向DR1和第二方向DR2倾斜的第一倾斜边G1_CS1、第二倾斜边G1_CS2、第三倾斜边G1_CS3和第四倾斜边G1_CS4。在第一绿色发光层G1_EL中，第一边G1_S1和第二边G1_S2的长度可以与第三边G1_S3和第四边G1_S4的长度不同。第一边G1_S1和第二边G1_S2的长度可以比第三边G1_S3和第四边G1_S4的长度短。第一绿色发光层G1_EL的第一边G1_S1与第二边G1_S2之间的间隔可以大于第一绿色发光层G1_EL的第三边G1_S3与第四边G1_S4之间的间隔。例如，第一绿色发光层G1_EL的第一边G1_S1与第二边G1_S2之间的间隔为约18.96μm，而第一绿色发光层G1_EL的第三边G1_S3与第四边G1_S4之间的间隔可以为约13.92μm。
在第一绿色发光层G1_EL中，彼此面对的第一倾斜边G1_CS1和第四倾斜边G1_CS4的长度可以相同，并且彼此面对的第二倾斜边G1_CS2和第三倾斜边G1_CS3的长度可以相同。第一倾斜边G1_CS1和第二倾斜边G1_CS2的长度可以彼此不同，第三倾斜边G1_CS3和第四倾斜边G1_CS4的长度可以彼此不同。作为发明构思的示例，当蓝色发光层B_EL具有比红色发光层R_EL大的尺寸时，第一绿色发光层G1_EL的第一倾斜边G1_CS1和第四倾斜边G1_CS4的长度可以大于第一绿色发光层G1_EL的第二倾斜边G1_CS2和第三倾斜边G1_CS3的长度。另外，第一绿色发光层G1_EL的第二倾斜边G1_CS2与第三倾斜边G1_CS3之间的间隔可以大于第一绿色发光层G1_EL的第一倾斜边G1_CS1与第四倾斜边G1_CS4之间的间隔。例如，第一绿色发光层G1_EL的第二倾斜边G1_CS2与第三倾斜边G1_CS3之间的间隔可以为约17.72μm，而第一绿色发光层G1_EL的第一倾斜边G1_CS1和第四倾斜边G1_CS4之间的间隔可以为约15.98μm。
第一绿色发光层G1_EL的第一倾斜边G1_CS1和第四倾斜边G1_CS4可以平行于相邻的蓝色发光层B_EL的第一倾斜边B_CS1或第四倾斜边B_CS4。第一绿色发光层G1_EL的第二倾斜边G1_CS2和第三倾斜边G1_CS3可以平行于相邻的红色发光层R_EL的第二倾斜边R_CS2或第三倾斜边R_CS3。可选地，第一倾斜边G1_CS1、第二倾斜边G1_CS2、第三倾斜边G1_CS3和第四倾斜边G1_CS4中的每条可以具有弯曲形状。
第一绿色发光层G1_EL的第一倾斜边G1_CS1与相邻的蓝色发光层B_EL的第四倾斜边B_CS4间隔开第一间隔d1，第一绿色发光层G1_EL的第四倾斜边G1_CS4与相邻的蓝色发光层B_EL的第一倾斜边B_CS1间隔开第二间隔d2。第一绿色发光层G1_EL的第二倾斜边G1_CS2与相邻的红色发光层R_EL的第三倾斜边R_CS3间隔开第三间隔d3，第一绿色发光层G1_EL的第三倾斜边G1_CS3与相邻的红色发光层R_EL的第二倾斜边R_CS2间隔开第四间隔d4。作为发明构思的示例，第一间隔d1至第四间隔d4可以彼此相等。例如，第一间隔d1至第四间隔d4中的每个可以为约22.11μm。
第二绿色发光层G2_EL包括在第一方向DR1上延伸的第一边G2_S1和第二边G2_S2、在第二方向DR2上延伸的第三边G2_S3和第四边G2_S4以及相对于第一方向DR1和第二方向DR2倾斜的第一倾斜边G2_CS1、第二倾斜边G2_CS2、第三倾斜边G2_CS3和第四倾斜边G2_CS4。在第二绿色发光层G2_EL中，第一边G2_S1和第二边G2_S2的长度可以与第三边G2_S3和第四边G2_S4的长度不同。第二绿色发光层G2_EL的第一边G2_S1与第二边G2_S2之间的间隔可以大于第二绿色发光层G2_EL的第三边G2_S3与第四边G2_S4之间的间隔。例如，第二绿色发光层G2_EL的第一边G2_S1与第二边G2_S2之间的间隔为约18.96μm，而第二绿色发光层G2_EL的第三边G2_S3与第四边G2_S4之间的间隔可以为约13.92μm。
在第二绿色发光层G2_EL中，彼此面对的第一倾斜边G2_CS1和第四倾斜边G2_CS4的长度可以相同，彼此面对的第二倾斜边G2_CS2和第三倾斜边G2_CS3的长度可以相同。第一倾斜边G2_CS1和第二倾斜边G2_CS2的长度可以彼此不同，第三倾斜边G2_CS3和第四倾斜边G2_CS4的长度可以彼此不同。作为发明构思的示例，当蓝色发光层B_EL具有比红色发光层R_EL大的尺寸时，第二绿色发光层G2_EL的第一倾斜边G2_CS1和第四倾斜边G2_CS4的长度可以小于第二绿色发光层G2_EL的第二倾斜边G2_CS2和第三倾斜边G2_CS3的长度。另外，第二绿色发光层G2_EL的第一倾斜边G2_CS1与第四倾斜边G2_CS4之间的间隔可以大于第二绿色发光层G2_EL的第二倾斜边G2_CS2与第三倾斜边G2_CS3之间的间隔。例如，第二绿色发光层G2_EL的第一倾斜边G2_CS1与第四倾斜边G2_CS4之间的间隔可以为约17.72μm，而第二绿色发光层G2_EL的第二倾斜边G2_CS2和第三倾斜边G2_CS3之间的间隔可以为约15.98μm。
第二绿色发光层G2_EL的第一倾斜边G2_CS1和第四倾斜边G2_CS4可以平行于相邻的红色发光层R_EL的第一倾斜边R_CS1或第四倾斜边R_CS4。第二绿色发光层G2_EL的第二倾斜边G2_CS2和第三倾斜边G2_CS3可以平行于相邻的蓝色发光层B_EL的第二倾斜边B_CS2或第三倾斜边B_CS3。可选地，第一倾斜边G2_CS1、第二倾斜边G2_CS2、第三倾斜边G2_CS3和第四倾斜边G2_CS4中的每条可以具有弯曲形状。
第二绿色发光层G2_EL的第一倾斜边G2_CS1与相邻的红色发光层R_EL的第四倾斜边R_CS4间隔开第一间隔d1，第二绿色发光层G2_EL的第四倾斜边G2_CS4与相邻的红色发光层R_EL的第一倾斜边R_CS1间隔开第二间隔d2。第二绿色发光层G2_EL的第二倾斜边G2_CS2与相邻的蓝色发光层B_EL的第三倾斜边B_CS3间隔开第三间隔d3，第二绿色发光层G2_EL的第三倾斜边G2_CS3与相邻的蓝色发光层B_EL的第二倾斜边B_CS2间隔开第四间隔d4。作为发明构思的示例，第一间隔d1至第四间隔d4可以彼此相等。例如，第一间隔d1至第四间隔d4中的每个可以为约22.11μm。
第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL可以具有相同的尺寸和不同的形状。作为发明构思的示例，第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL在同一平面上具有不同的形状。例如，第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL可以具有不同的形状，但是可以具有在第一方向DR1和第二方向DR2上相对于彼此对称的形状。第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2的发射区域的形状可以由第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL中的每个的形状限定。因此，第一绿色发光层G1_EL的形状可以被称为第一绿色发光元件ED_G1的发射区域的形状或第一绿色发光元件ED_G1的形状，第二绿色发光层G2_EL中的每个的形状可以被称为第二绿色发光元件ED_G2的发射区域的形状或第二绿色发光元件ED_G2的形状。
第一光电转换层O_RL1和第二光电转换层O_RL2具有相同的形状。第一光电转换层O_RL1和第二光电转换层O_RL2可以具有与红色发光层R_EL和蓝色发光层B_EL不同的形状。作为发明构思的示例，第一光电转换层O_RL1和第二光电转换层O_RL2中的每个可以具有正方形形状。第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2的光接收区域的形状可以分别由第一光电转换层O_RL1和第二光电转换层O_RL2的形状限定。因此，第一光电转换层O_RL1的形状可以被称为第一光检测元件OPD1的光接收区域的形状或第一光检测元件OPD1的形状，第二光电转换层O_RL2的形状可以被称为第二光检测元件OPD2的光接收区域的形状或第二光检测元件OPD2的形状。
第一光电转换层O_RL1和第二光电转换层O_RL2中的每个包括在第一方向DR1上延伸的第一竖直边VS1和第二竖直边VS2以及在第二方向DR2上延伸的第一水平边HS1和第二水平边HS2。作为示例，第一竖直边VS1和第二竖直边VS2的长度可以与第一水平边HS1和第二水平边HS2的长度相同。第一竖直边VS1和第二竖直边VS2以及第一水平边HS1和第二水平边HS2可以具有小于或等于红色发光层R_EL的第一边R_S1至第四边R_S4或蓝色发光层B_EL的第一边B_S1至第四边B_S4中的至少一条的长度。可选地，第一光电转换层O_RL1和第二光电转换层O_RL2中的每个可以具有在第一方向DR1或第二方向DR2上伸长的矩形形状。
第一光电转换层O_RL1和第二光电转换层O_RL2中的每个的第一竖直边VS1和第二竖直边VS2可以分别与相邻的红色发光层R_EL和蓝色发光层B_EL间隔开第五间隔d5和第六间隔d6。作为发明构思的示例，第五间隔d5和第六间隔d6可以彼此相等。例如，第五间隔d5和第六间隔d6可以为约16.5μm。第一光电转换层O_RL1的第一水平边HS1与相邻的第一绿色发光层G1_EL间隔开第七间隔d7，第一光电转换层O_RL1的第二水平边HS2与相邻的第二绿色发光层G2_EL间隔开第八间隔d8。第二光电转换层O_RL2的第一水平边HS1与相邻的第二绿色发光层G2_EL间隔开第七间隔d7，第二光电转换层O_RL2的第二水平边HS2与相邻的第一绿色发光层G1_EL间隔开第八间隔d8。作为发明构思的示例，第七间隔d7和第八间隔d8可以彼此不同。例如，第七间隔d7可以为约16.5μm，而第八间隔d8可以为约17.8μm。可选地，第七间隔d7和第八间隔d8可以彼此相等。
图6A是示出根据发明构思的实施例的像素和传感器的电路图，图6B是用于解释图6A中所示的像素和传感器的操作的波形图。
图6A示例性地示出了图3中所示的多个像素PX之中的一个像素(例如，红色像素PXR)的等效电路图。可以假设在已经省略了对各种元件的描述的程度上，这些元件可以至少类似于已经在说明书内的其他地方描述的对应元件。例如，多个像素PX中的每个具有与红色像素PXR的电路结构的描述相同的电路结构。此外，图6A示例性地示出了图3中所示的多个传感器FX之中的一个传感器FX的等效电路图。可以假设多个传感器FX中的每个具有相同的电路结构。
参照图6A，红色像素PXR电连接到数据线DL1至DLm之中的第i数据线DLi、初始化扫描线SIL1至SILn之中的第j初始化扫描线SILj、补偿扫描线SCL1至SCLn之中的第j补偿扫描线SCLj、写入扫描线SWL1至SWLn之中的第j写入扫描线SWLj、黑色扫描线SBL1至SBLn之中的第j黑色扫描线SBLj以及发射控制线EML1至EMLn之中的第j发射控制线EMLj。
红色像素PXR包括红色发光元件ED_R和红色像素驱动电路R_PD。红色发光元件ED_R可以是发光二极管。作为发明构思的示例，红色发光元件ED_R可以是包括有机发光层的有机发光二极管。
红色像素驱动电路R_PD包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5、第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2以及一个电容器Cst。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5、第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的至少一个可以是具有低温多晶硅(LTPS)半导体层的晶体管。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5、第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的一些可以是P型晶体管，并且其余可以是N型晶体管。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第五晶体管T5以及第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2可以是PMOS晶体管，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以是NMOS晶体管。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5、第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的至少一个可以是具有低温多晶硅(LTPS)半导体层的晶体管。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4是氧化物半导体晶体管，而第一晶体管T1、第二晶体管T2和第五晶体管T5、第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2可以是LTPS晶体管。
根据发明构思的红色像素驱动电路R_PD的构造不必限于图6A中所示的实施例。图6A中所示的红色像素驱动电路R_PD仅是示例，并且可以修改红色像素驱动电路R_PD的构造。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5、第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2中的全部可以是P型晶体管或N型晶体管。
第j初始化扫描线SILj、第j补偿扫描线SCLj、第j写入扫描线SWLj、第j黑色扫描线SBLj和第j发射控制线EMLj可以将第j初始化扫描信号SIj、第j补偿扫描信号SCj、第j写入扫描信号SWj、第j黑色扫描信号SBj和第j发射控制信号EMj分别传输到红色像素PXR。第i数据线DLi将第i数据信号Di传输到红色像素PXR。第i数据信号Di可以具有与输入到显示装置DD(参照图3)的图像信号RGB(参照图3)对应的电压电平。
第一驱动电压线VL1和第二驱动电压线VL2中的每个可以分别将第一驱动电压ELVDD和第二驱动电压ELVSS传输到红色像素PXR。此外，第一初始化电压线VL3和第二初始化电压线VL4可以分别将第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2传输到红色像素PXR。
第一晶体管T1电连接在接收第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线VL1与红色发光元件ED_R之间。第一晶体管T1包括经由第一发射控制晶体管ET1电连接到第一驱动电压线VL1的第一电极、经由第二发射控制晶体管ET2电连接到红色发光元件ED_R的红色阳极电极R_AE(见图5A)的第二电极以及电连接到电容器Cst的一端(例如，第一节点N1)的第三电极(例如，栅电极)。第一晶体管T1可以根据第二晶体管T2的开关操作接收从第i数据线DLi传输的第i数据信号Di，并且向红色发光元件ED_R供应驱动电流Id。
第二晶体管T2电连接在第i数据线DLi与第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2包括电连接到第i数据线DLi的第一电极、电连接到第一晶体管T1的第一电极的第二电极以及电连接到第j写入扫描线SWLj的第三电极(例如，栅电极)。第二晶体管T2根据通过第j写入扫描线SWLj接收的写入扫描信号SWj导通，以将从第i数据线DLi传输的第i数据信号Di传输到第一晶体管T1的第一电极。
第三晶体管T3电连接在第一晶体管T1的第二电极与第一节点N1之间。第三晶体管T3包括电连接到第一晶体管T1的第三电极的第一电极、电连接到第一晶体管T1的第二电极的第二电极以及电连接到第j补偿扫描线SCLj的第三电极(例如，栅电极)。第三晶体管T3根据通过第j补偿扫描线SCLj接收的第j补偿扫描信号SCj导通，以通过将第一晶体管T1的第三电极和第二电极彼此连接来使第一晶体管T1二极管连接。
第四晶体管T4电连接在第一初始化电压VINT1施加到其的第一初始化电压线VL3与第一节点N1之间。第四晶体管T4包括电连接到第一初始化电压VINT1传输到其的第一初始化电压线VL3的第一电极、电连接到第一节点N1的第二电极以及电连接到第j初始化扫描线SILj的第三电极(例如，栅电极)。第四晶体管T4根据通过第j初始化扫描线SILj接收的第j初始化扫描信号SIj导通。导通的第四晶体管T4将第一初始化电压VINT1传输到第一节点N1，以使第一晶体管T1的第三电极的电位(即，第一节点N1的电位)初始化。
第一发射控制晶体管ET1包括电连接到第一驱动电压线VL1的第一电极、电连接到第一晶体管T1的第一电极的第二电极以及电连接到第j发射控制线EMLj的第三电极(例如，栅电极)。
第二发射控制晶体管ET2包括电连接到第一晶体管T1的第二电极的第一电极、电连接到红色发光元件ED_R的红色阳极电极R_AE(参照图4A和图4B)的第二电极以及电连接到第j发射控制线EMLj的第三电极(例如，栅电极)。
第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2根据经由第j发射控制线EMLj传输的第j发射控制信号EMj同时地接通。通过导通的第一发射控制晶体管ET1施加的第一驱动电压ELVDD可以通过二极管连接的第一晶体管T1得到补偿，然后传输到红色发光元件ED_R。
第五晶体管T5包括电连接到第二初始化电压VINT2传输到其的第二初始化电压线VL4的第一电极、电连接到第二发射控制晶体管ET2的第二电极的第二电极以及电连接到黑色扫描线SBLj的第三电极(例如，栅电极)。第二初始化电压VINT2可以具有等于或低于第一初始化电压VINT1的电压电平。
如上所述，电容器Cst的一端电连接到第一晶体管T1的第三电极，另一端电连接到第一驱动电压线VL1。红色发光元件ED_R的阴极电极可以电连接到传输第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线VL2。第二驱动电压ELVSS可以具有比第一驱动电压ELVDD低的电压电平。作为发明构思的示例，第二驱动电压ELVSS可以具有比第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2低的电压电平。
参照图6A和图6B，第j发射控制信号EMj在非发射区段NEP期间具有高电平。在非发射区段NEP中，第j初始化扫描信号SIj被激活。在第j初始化扫描信号SIj的激活区段AP1(在下文中，称为第一激活区段)期间，当通过第j初始化扫描线SILj提供高电平的第j初始化扫描信号SIj时，第四晶体管T4响应于具有高电平的第j初始化扫描信号SIj而导通。第一初始化电压VINT1通过导通的第四晶体管T4传输到第一晶体管T1的第三电极，并且第一节点N1利用第一初始化电压VINT1被初始化。因此，第一激活区段AP1可以被定义为红色像素PXR的初始化区段。
接下来，第j补偿扫描信号SCj被激活，并且在第j补偿扫描信号SCj的激活区段AP2(在下文中，称为第二激活区段)期间，当通过第j补偿扫描线SCLj供应高电平的第j补偿扫描信号SCj时，第三晶体管T3导通。第一晶体管T1通过导通的第三晶体管T3而被二极管连接，并且在正向方向上被偏置。第一激活区段AP1可以不与第二激活区段AP2叠置。
第j写入扫描信号SWj在第二激活区段AP2中被激活。第j写入扫描信号SWj在激活区段AP4(在下文中，称为第四激活区段)期间具有低电平。在第四激活区段AP4期间，第二晶体管T2由具有低电平的第j写入扫描信号SWj导通。然后，从第i数据线DLi供应的第i数据信号Di中的减小了第一晶体管T1的阈值电压Vth的补偿电压“Di-Vth”施加到第一晶体管T1的第三电极。例如，第一晶体管T1的第三电极的电位可以是补偿电压“Di-Vth”。第四激活区段AP4可以与第二激活区段AP2至少部分地叠置。第二激活区段AP2的持续时间可以大于第四激活区段AP4的持续时间。
第一驱动电压ELVDD和补偿电压“Di-Vth”被施加到电容器Cst的两端，并且与两端之间的电压差对应的电荷可以存储在电容器Cst中。这里，第j补偿扫描信号SCj的高电平区段可以被称为红色像素PXR的补偿区段。
第j黑色扫描信号SBj在第j补偿扫描信号SCj的第二激活区段AP2中被激活。第j黑色扫描信号SBj在激活区段AP3(在下文中，称为第三激活区段)期间具有低电平。在第三激活区段AP3期间，第五晶体管T5通过经由第j黑色扫描线SBLj接收低电平的第j黑色扫描信号SBj导通。驱动电流Id的通过第五晶体管T5的一部分可以作为旁路电流Ibp通过第五晶体管T5逸出。第三激活区段AP3可以与第二激活区段AP2至少部分地叠置。第二激活区段AP2的持续时间可以大于第三激活区段AP3的持续时间。第三激活区段AP3可以在第四激活区段AP4之前，并且可以不与第四激活区段AP4叠置。
当红色像素PXR显示黑色图像时，如果即使第一晶体管T1的最小驱动电流作为驱动电流Id流动，红色发光元件ED_R也发射光，则红色像素PXR不能正常地显示黑色图像。因此，根据发明构思的实施例的红色像素PXR中的第五晶体管T5可以将第一晶体管T1的最小驱动电流的一部分作为旁路电流Ibp分配到除了朝向红色发光元件ED_R的电流路径之外的电流路径。这里，第一晶体管T1的最小驱动电流意味着在第一晶体管T1的栅极-源极电压Vgs小于阈值电压Vth的条件下流过第一晶体管T1的电流，使得第一晶体管T1截止。在以这种方式截止第一晶体管T1的条件下，流过第一晶体管T1的最小驱动电流(例如，约10pA或更小的电流)传输到红色发光元件ED_R以显示黑色灰度图像。当红色像素PXR显示黑色图像时，虽然旁路电流Ibp对最小驱动电流的影响相对较大，但是在显示诸如通常图像或白色图像的图像的情况下，可以说旁路电流Ibp对驱动电流Id具有较小影响。因此，当显示黑色图像时，减小了通过第五晶体管T5从驱动电流Id逸出的旁路电流Ibp的量的电流(即，发光电流Ied)提供到红色发光元件ED_R，从而可以清楚地表示黑色图像。因此，红色像素PXR可以通过使用第五晶体管T5来实现准确的黑色灰度图像，结果，可以增大对比度。
接下来，从第j发射控制线EMLj供应的第j发射控制信号EMj从高电平改变为低电平。第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2通过低电平发射控制信号EMj导通。然后，根据第一晶体管T1的第三电极的电压与第一驱动电压ELVDD之间的电压差产生驱动电流Id，并且驱动电流Id通过第二发射控制晶体管ET2供应到红色发光元件ED_R，使得电流Ied流过红色发光元件ED_R。
返回参照图6A，传感器FX电连接到读出线RL1至RLh之中的第d读出线RLd、第j写入扫描线SWLj和复位控制线RCL。
传感器FX包括光检测单元LSU和传感器驱动电路O_SD。光检测单元LSU可以包括彼此并联电连接的k个光检测元件。当k为2时，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2可以彼此并联电连接。第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每个可以是光电二极管。作为发明构思的示例，第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2中的每个可以是包括有机材料作为光电转换层的有机光电二极管。第一光检测元件OPD1的第一阳极电极O_AE1(见图4A)和第二光检测元件OPD2的第二阳极电极O_AE2(见图4A)电连接到第一感测节点SN1，并且第一光检测元件OPD1的第一阴极电极和第二光检测元件OPD2的第二阴极电极可以电连接到传输第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线VL2。当k为4时，第一光检测元件OPD1至第四光检测元件OPD4(参照图4B)可以彼此并联电连接。
传感器驱动电路O_SD包括三个晶体管ST1至ST3。三个晶体管ST1至ST3可以分别是复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3。复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的至少一个可以是氧化物半导体晶体管。作为发明构思的示例，复位晶体管ST1可以是氧化物半导体晶体管，而放大晶体管ST2和输出晶体管ST3可以是LTPS晶体管。然而，发明构思不必限于此，并且至少复位晶体管ST1和输出晶体管ST3可以是氧化物半导体晶体管，而放大晶体管ST2可以是LTPS晶体管。
另外，复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的一些可以是P型晶体管，而一些可以是N型晶体管。作为发明构思的示例，放大晶体管ST2和输出晶体管ST3可以是PMOS晶体管，并且复位晶体管ST1可以是NMOS晶体管。然而，发明构思不必限于此，复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的全部可以是N型晶体管或P型晶体管。
复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的一些(例如，复位晶体管ST1)可以是与红色像素PXR的第三晶体管T3和第四晶体管T4相同类型的晶体管。放大晶体管ST2和输出晶体管ST3可以是与红色像素PXR的第一晶体管T1、第二晶体管T2和第五晶体管T5、第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2相同类型的晶体管。
根据发明构思的传感器驱动电路O_SD的电路构造不必限于图6A中所示的布置。图6A中所示的传感器驱动电路O_SD仅是示例，并且传感器驱动电路O_SD的构造可以被修改。
复位晶体管ST1包括经由复位电压线VL5接收复位电压Vrst的第一电极、电连接到第一感测节点SN1的第二电极以及接收复位控制信号RST的第三电极。复位晶体管ST1可以响应于复位控制信号RST将第一感测节点SN1的电位复位到复位信号RST。复位控制信号RST可以是通过复位控制线RCL提供的信号。然而，发明构思不必限于此。可选地，复位控制信号RST可以是通过第j补偿扫描线SCLj供应的第j补偿扫描信号SCj。例如，复位晶体管ST1可以接收从第j补偿扫描线SCLj供应的第j补偿扫描信号SCj作为复位控制信号RST。作为发明构思的示例，至少在复位控制信号RST的激活区段期间，复位电压Vrst可以具有比第二驱动电压ELVSS低的电压电平。复位电压Vrst可以是以比第二驱动电压ELVSS低的电压电平保持的DC电压。
复位晶体管ST1可以包括串联电连接的多个子复位晶体管。例如，复位晶体管ST1可以包括两个子复位晶体管(在下文中，称为第一子复位晶体管和第二子复位晶体管)。在这种情况下，第一子复位晶体管的第三电极和第二子复位晶体管的第三电极电连接到复位控制线RCL。此外，第一子复位晶体管的第二电极和第二子复位晶体管的第一电极可以彼此电连接。另外，复位电压Vrst可以施加到第一子复位晶体管的第一电极，第二子复位晶体管的第二电极可以电连接到第一感测节点SN1。然而，子复位晶体管的数量不必限于此，并且可以不同地修改。
放大晶体管ST2包括接收感测驱动电压SLVD的第一电极、电连接到第二感测节点SN2的第二电极以及电连接到第一感测节点SN1的第三电极。放大晶体管ST2可以根据第一感测节点SN1的电位导通，以将感测驱动电压SLVD施加到第二感测节点SN2。作为发明构思的示例，感测驱动电压SLVD可以是第一驱动电压ELVDD、第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2中的一者。当感测驱动电压SLVD是第一驱动电压ELVDD时，放大晶体管ST2的第一电极可以电连接到第一驱动电压线VL1。当感测驱动电压SLVD是第一初始化电压VINT1时，放大晶体管ST2的第一电极可以电连接到第一初始化电压线VL3，而当感测驱动电压SLVD是第二初始化电压VINT2时，放大晶体管ST2的第一电极可以电连接到第二初始化电压线VL4。
输出晶体管ST3包括电连接到第二感测节点SN2的第一电极、电连接至第d读出线RLd的第二电极以及接收输出控制信号的第三电极。输出晶体管ST3可以响应于输出控制信号将检测信号FSd传输到第d读出线RLd。输出控制信号可以是通过第j写入扫描线SWLj供应的第j写入扫描信号SWj。例如，输出晶体管ST3可以接收从写入扫描线SWLj供应的第j写入扫描信号SWj作为输出控制信号。
传感器FX的光检测单元LSU可以在发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B的发射区段期间暴露于光。光可以是从发光元件ED_R、ED_G1、ED_G2和ED_B中的任何一个输出的光。
如果用户的手US_F(见图1)触摸显示表面IS(见图1)，则第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2可以产生与由指纹的脊或脊之间的谷反射的光对应的光电荷，并且产生的光电荷可以累积在第一感测节点SN1中。
放大晶体管ST2可以是产生与第一感测节点SN1的输入到第三电极的电荷量成比例的源-漏电流的源极跟随器放大器。
在第四激活区段AP4期间，低电平第j写入扫描信号SWj通过第j写入扫描线SWLj供应到输出晶体管ST3。当输出晶体管ST3响应于低电平第j写入扫描信号SWj导通时，与流过放大晶体管ST2的电流对应的检测信号FSd可以输出到第d读出线RLd。
接下来，当在复位区段期间通过复位控制线RCL供应具有高电平的复位控制信号RST时，复位晶体管ST1导通。复位区段可以被定义为复位控制线RCL的激活区段(即，复位控制信号RST的高电平区段)。可选地，当复位晶体管ST1由PMOS晶体管形成时，具有低电平的复位控制信号RST可以在复位区段期间供应到复位控制线RCL。在复位区段期间，第一感测节点SN1可以被复位到与复位电压Vrst对应的电位。作为发明构思的示例，复位电压Vrst可以具有比第二驱动电压ELVSS低的电压电平。
接下来，当复位区段结束时，光检测单元LSU可以产生与接收的光对应的光电荷，并且产生的光电荷可以累积在第一感测节点SN1中。
图7是根据实施例的图4A中所示的显示面板的部分区域BB1的放大图。图8A是示出图6A中所示的第j补偿扫描信号和第一节点的电位的波形图，图8B是图8A所示的第一区域TT1的放大波形图。
参照图7，第一绿色发光元件ED_G1电连接到第一绿色像素驱动电路G1_PD。例如，第一绿色发光元件ED_G1包括第一绿色阳极电极G1_AE和第一绿色发光层G1_EL，第一绿色阳极电极G1_AE通过接触孔电连接到第一绿色像素驱动电路G1_PD。第一绿色像素驱动电路G1_PD包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5(见图6A)、第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2(见图6A)以及一个电容器Cst(见图6A)。
为了便于解释，图7示出了包括在第一绿色像素驱动电路G1_PD中的第一晶体管T1(见图6A)的栅电极G1_GT。第一晶体管T1的栅电极G1_GT可以包括第一端部G1_EP1、第二端部G1_EP2以及使第一端部G1_EP1和第二端部G1_EP2端部G1_EP连接的连接部G1_LP。第一端部G1_EP1可以电连接到第三晶体管T3和第四晶体管T4(见图6A)，第二端部G1_EP2可以电连接到电容器Cst(见图6A)。在平面图中，栅电极G1_GT的第二端部G1_EP2可以与第一绿色阳极电极G1_AE至少部分地叠置。栅电极G1_GT的第二端部G1_EP2和第一绿色阳极电极G1_AE的叠置区域可以被称为第一叠置区域OA1。
第二绿色发光元件ED_G2电连接到第二绿色像素驱动电路G2_PD。例如，第二绿色发光元件ED_G2包括第二绿色阳极电极G2_AE和第二绿色发光层G2_EL，第二绿色阳极电极G2_AE通过接触孔电连接到第二绿色像素驱动电路G2_PD。第二绿色像素驱动电路G2_PD包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5(见图6A)、第一发射控制晶体管ET1和第二发射控制晶体管ET2(见图6A)以及一个电容器Cst(见图6A)。
为了便于解释，图7还示出了包括在第二绿色像素驱动电路G2_PD中的第一晶体管T1(见图6A)的栅电极G2_GT。第一晶体管T1的栅电极G2_GT可以包括第一端部G2_EP1、第二端部G2_EP2以及使第一端部G2_EP1和第二端部G2_EP2连接的连接部G2_LP。第一端部G2_EP1可以电连接到第三晶体管T3和第四晶体管T4(见图6A)，第二端部G2_EP2可以电连接到电容器Cst(见图6A)。在平面图中，栅电极G2_GT的第二端部G2_EP2可以与第二绿色阳极电极G2_AE至少部分地叠置。栅电极G2_GT的第二端部G2_EP2和第二绿色阳极电极G2_AE的叠置区域可以被称为第二叠置区域OA2。
作为发明构思的示例，第一叠置区域OA1可以与第二叠置区域OA2不同。例如，第一叠置区域OA1可以小于第二叠置区域OA2。
作为发明构思的示例，在平面图中，第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2中的一个可以与传感器驱动电路O_SD至少部分地叠置。图7示出了其中第一绿色发光元件ED_G1与传感器驱动电路O_SD至少部分地叠置而第二绿色发光元件ED_G2不与传感器驱动电路O_SD叠置的情况。然而，第二绿色发光元件ED_G2可以与传感器驱动电路O_SD至少部分地叠置，而第一绿色发光元件ED_G1可以不与传感器驱动电路O_SD叠置。
当第一绿色发光元件ED_G1与传感器驱动电路O_SD至少部分地叠置时，第一绿色阳极电极G1_AE的面积可以大于第二绿色阳极电极G2_AE的面积。当第二绿色发光元件ED_G2与传感器驱动电路O_SD至少部分地叠置时，第二绿色阳极电极G2_AE的面积可以大于第一绿色阳极电极G1_AE的面积。第一绿色阳极电极G1_AE和第二绿色阳极电极G2_AE可以具有不同的尺寸和不同的形状。由于第一绿色阳极电极G1_AE和第二绿色阳极电极G2_AE之间的尺寸和形状的差异，第一叠置区域OA1和第二叠置区域OA2可以彼此不同。
图8A示出了提供到第三晶体管T3(参照图6A)的第j补偿扫描信号SCj和第一节点N1(参照图6A)处的电位。当第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2均等地布置在第j行中时，第一绿色像素驱动电路G1_PD和第二绿色像素驱动电路G2_PD可以接收第j补偿扫描信号SCj。这里，第一绿色像素驱动电路G1_PD的第一节点N1的电位可以被称为“G1_N1”，第二绿色像素驱动电路G2_PD的第一节点N1的电位可以被称为“G2_N1”。可以通过与第j补偿扫描信号SCj结合来降低第一节点N1的电位。
如图8B中所示，当第一叠置区域OA1和第二叠置区域OA2彼此不同时，在第一绿色像素驱动电路G1_PD和第二绿色像素驱动电路G2_PD之间可能出现第j补偿扫描信号SCj的结合电平的差异。结果，在第一绿色像素驱动电路G1_PD的第一节点N1的电位G1_N1与第二绿色像素驱动电路G2_PD的第一节点N1的电位G2_N1之间可能发生偏差。
作为发明构思的示例，当第一叠置区域OA1和第二叠置区域OA2彼此不同时，第一节点N1的电位G1_N1和G2_N1之间的偏差为约0.008V至约0.011V。由于第一节点N1的电位偏差，在第一绿色发光元件ED_G1与第二绿色发光元件ED_G2之间可能发生亮度偏差。
图9是根据实施例的图4A中所示的显示面板的部分区域BB1的放大图。图10A是示出图6A中所示的第一扫描信号和第一节点的电位的波形图，图10B是图10A中所示的第二区域的放大波形图。
参照图9，第一绿色阳极电极G1_AEa和第二绿色阳极电极G2_AE可以具有不同的尺寸和不同的形状。
在第一绿色像素驱动电路G1_PD中，第一晶体管T1(参照图6A)的栅电极G1_GT可以包括第一端部G1_EP1、第二端部G1_EP2a以及使第一端部G1_EP1和第二端部G1_EP2a连接的连接部G1_LP。栅电极G1_GT的第二端部G1_EP2a可以在平面图中与第一绿色阳极电极G1_AEa至少部分地叠置，以形成第一叠置区域OA1a。
在第二绿色像素驱动电路G2_PD中，第一晶体管T1(参照图6A)的栅电极G2_GT可以包括第一端部G2_EP1、第二端部G2_EP2以及使第一端部G2_EP1和第二端部G2_EP2连接的连接部G2_LP。栅电极G2_GT的第二端部G2_EP2可以在平面图中与第二绿色阳极电极G2_AE至少部分地叠置，以形成第二叠置区域OA2。
作为发明构思的示例，尽管第一绿色阳极电极G1_AEa的尺寸和形状与第二绿色阳极电极G2_AE的尺寸和形状不同，但是第一叠置区域OA1a和第二叠置区域OA2可以相同。为了使第一叠置区域OA1a和第二叠置区域OA2彼此相等，图9中所示的第一绿色阳极电极G1_AEa的形状可以被改变为与图7中所示的第一绿色阳极电极G1_AE的形状不同。通过改变第一绿色阳极电极G1_AEa的形状和尺寸，第一叠置区域OA1a可以等于第二叠置区域OA2。这里，与图7中所示的栅电极G1_GT的第二端部G1_EP2的形状相比，栅电极G1_GT的第二端部G1_EP2a的形状可以不改变。
参照图6A、图9、图10A和图10B，当第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2均等地布置在第j行中时，第一绿色像素驱动电路G1_PD和第二绿色像素驱动电路G2_PD可以接收第j补偿扫描信号SCj。这里，第一绿色像素驱动电路G1_PD的第一节点N1的电位可以被称为“G1_N1a”，第二绿色像素驱动电路G2_PD的第一节点N1的电位可以被称为“G2_N1”。可以通过与第j补偿扫描信号SCj结合来降低第一节点N1的电位。
如图10B中所示，当第一叠置区域OA1a和第二叠置区域OA2彼此相等时，第一绿色像素驱动电路G1_PD和第二绿色像素驱动电路G2_PD之间的第j补偿扫描信号SCj的结合电平可以几乎没有差异。结果，在第一绿色像素驱动电路G1_PD的第一节点N1的电位G1_N1a与第二绿色像素驱动电路G2_PD的第一节点N1的电位G2_N1之间可以几乎没有偏差。
作为发明构思的示例，当第一叠置区域OA1a和第二叠置区域OA2彼此相等时，第一节点N1的电位G1_N1a和G2_N1之间的偏差为约0.001V至约0.002V。这样，当第一节点N1的电位偏差减小时，第一绿色发光元件ED_G1与第二绿色发光元件ED_G2之间的亮度偏差可以基本上不发生。因此，能够提高显示面板DP整体的画质。
图11A是根据实施例的显示面板的部分区域的放大平面图，图11B是示出图11A中所示的发光层的平面图。图12A是根据实施例的图11A中所示的显示面板的部分区域CC1的放大图，图12B是根据实施例的图11A中所示的显示面板的部分区域CC1的放大图。然而，在图11A中所示的组件之中，相同的附图标记用于与图4A中所示的组件相同的组件，并且在已经省略了对各种元件的描述的程度上，这些元件可以至少类似于已经在说明书内其他地方描述的对应的元件。
参照图11A和图11B，第一绿色发光元件ED_G1a和第二绿色发光元件ED_G2a可以具有相同的尺寸和相同的形状。作为发明构思的示例，第一绿色发光元件ED_G1a和第二绿色发光元件ED_G2a中的每个可以具有八边形形状，八边形形状在第一方向DR1和第二方向DR2上具有相同的长度。然而，发明构思不必限于此。例如，第一绿色发光元件ED_G1a和第二绿色发光元件ED_G2a中的每个可以具有正方形形状和矩形形状中的一者。
第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL中的每个可以包括在第一方向DR1上延伸的第一边G_S1和第二边G_S2、在第二方向DR2上延伸的第三边G_S3和第四边G_S4以及相对于第一方向DR1和第二方向DR2倾斜的第一倾斜边G_CS1、第二倾斜边G_CS2、第三倾斜边G_CS3和第四倾斜边G_CS4。第一边G_S1和第二边G_S2的长度可以与第三边G_S3和第四边G_S4的长度相同。
第一倾斜边G_CS1和第四倾斜边G_CS4彼此面对，并且第二倾斜边G_CS2和第三倾斜边G_CS3彼此面对。第一倾斜边G_CS1至第四倾斜边G_CS4的长度可以相同。
第一绿色发光元件ED_G1和第二绿色发光元件ED_G2的发射区域的形状可以由第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL中的每个的形状限定。因此，第一绿色发光层G1_EL的形状可以被称为第一绿色发光元件ED_G1a的发射区域的形状或第一绿色发光元件ED_G1a的形状，第二绿色发光层G2_EL中的每个的形状可以被称为第二绿色发光元件ED_G2a的发射区域的形状或第二绿色发光元件ED_G2a的形状。作为发明构思的示例，第一绿色发光层G1_EL和第二绿色发光层G2_EL可以具有相同的尺寸和相同的形状。
第一光电转换层O_RL1和第二光电转换层O_RL2具有相同的形状。第一光电转换层O_RL1和第二光电转换层O_RL2可以具有与红色发光层R_EL和蓝色发光层B_EL不同的形状。作为发明构思的示例，第一光电转换层O_RL1和第二光电转换层O_RL2中的每个可以具有矩形形状。第一光检测元件OPD1和第二光检测元件OPD2的光接收区域的形状可以分别由第一光电转换层O_RL1和第二光电转换层O_RL2的形状限定。因此，第一光电转换层O_RL1的形状可以被称为第一光检测元件OPD1的光接收区域的形状或第一光检测元件OPD1的形状，第二光电转换层O_RL2的形状可以被称为第二光检测元件OPD2的光接收区域的形状或第二光检测元件OPD2的形状。
第一光电转换层O_RL1和第二光电转换层O_RL2中的每个包括在第一方向DR1上延伸的第一竖直边VS1和第二竖直边VS2以及在第二方向DR2上延伸的第一水平边HS1和第二水平边HS2。作为示例，第一竖直边VS1和第二竖直边VS2的长度可以与第一水平边HS1和第二水平边HS2的长度不同。例如，第一竖直边VS1和第二竖直边VS2的长度可以大于第一水平边HS1和第二水平边HS2的长度。
参照图12A，包括在第一绿色像素驱动电路G1_PD中的第一晶体管T1(参照图6A)的栅电极G1_GT可以包括第一端部G1_EP1、第二端部G1_EP2以及使第一端部G1_EP1和第二端部G1_EP2连接的连接部G1_LP。栅电极G1_GT的第二端部G1_EP2可以在平面图中与第一绿色阳极电极G1_AEa至少部分地叠置，以形成第一叠置区域OA1。
第二绿色像素驱动电路G2_PD中的第一晶体管T1(参照图6A)的栅电极G2_GT可以包括第一端部G2_EP1、第二端部G2_EP2以及使第一端部G2_EP1和第二端部G2_EP2连接的连接部G2_LP。栅电极G2_GT的第二端部G2_EP2可以在平面图中与第二绿色阳极电极G2_AE至少部分地叠置，以形成第二叠置区域OA2。作为发明构思的示例，第一叠置区域OA1可以与第二叠置区域OA2不同。例如，第一叠置区域OA1可以小于第二叠置区域OA2。
作为发明构思的示例，在平面图中，第一绿色发光元件ED_G1a和第二绿色发光元件ED_G2a中的一个可以与传感器驱动电路O_SD至少部分地叠置。图12A示出了其中第一绿色发光元件ED_G1a与传感器驱动电路O_SD至少部分地叠置而第二绿色发光元件ED_G2a不与传感器驱动电路O_SD叠置的情况。然而，第二绿色发光元件ED_G2a可以与传感器驱动电路O_SD至少部分地叠置，而第一绿色发光元件ED_G1a可以不与传感器驱动电路O_SD叠置。
当第一绿色发光元件ED_G1a与传感器驱动电路O_SD至少部分地叠置时，第一绿色阳极电极G1_AE的面积可以大于第二绿色阳极电极G2_AE的面积。当第二绿色发光元件ED_G2与传感器驱动电路O_SD至少部分地叠置时，第二绿色阳极电极G2_AE的面积可以大于第一绿色阳极电极G1_AE的面积。第一绿色阳极电极G1_AE和第二绿色阳极电极G2_AE可以具有不同的尺寸和不同的形状。由于第一绿色阳极电极G1_AE和第二绿色阳极电极G2_AE之间的尺寸和形状的差异，第一叠置区域OA1和第二叠置区域OA2会彼此不同。
第一绿色阳极电极G1_AE和第二绿色阳极电极G2_AE可以具有不同的尺寸和不同的形状。然而，尽管第一绿色阳极电极G1_AE的尺寸和形状与第二绿色阳极电极G2_AE的尺寸和形状不同，但是第一叠置区域OA1和第二叠置区域OA2可以相同。
参照图12B，在第一绿色像素驱动电路G1_PD中，第一晶体管T1(参照图6A)的栅电极G1_GT可以包括第一端部G1_EP1、第二端部G1_EP2a以及使第一端部G1_EP1和第二端部G1_EP2a连接的连接部G1_LP。栅电极G1_GT的第二端部G1_EP2a可以在平面图中与第一绿色阳极电极G1_AE至少部分地叠置，以形成第一叠置区域OA1a。
在第二绿色像素驱动电路G2_PD中，第一晶体管T1(参照图6A)的栅电极G2_GT可以包括第一端部G2_EP1、第二端部G2_EP2以及使第一端部G2_EP1和第二端部G2_EP2连接的连接部G2_LP。栅电极G2_GT的第二端部G2_EP2可以在平面图中与第二绿色阳极电极G2_AE至少部分地叠置，以形成第二叠置区域OA2。
作为发明构思的示例，第一叠置区域OA1a可以与第二叠置区域OA2相同。为了使第一叠置区域OA1a和第二叠置区域OA2彼此相等，图12B中所示的第一绿色阳极电极G1_AEa的形状可以改变为与图12A中所示的第一绿色阳极电极G1_AE的形状不同。通过改变第一绿色阳极电极G1_AEa的形状和尺寸，第一叠置区域OA1a可以等于第二叠置区域OA2。这里，栅电极G1_GT的第二端部G1_EP2a的尺寸和形状可以与图12A中所示的栅电极G1_GT的第二端部G1_EP2的尺寸和形状相同。
这样，当第一叠置区域OA1a和第二叠置区域OA2彼此相等时，可以防止第一绿色发光元件ED_G1与第二绿色发光元件ED_G2之间的亮度偏差发生。因此，能够提高显示面板DP整体的画质。
图13是示出根据实施例的显示面板的像素的剖视图，图14A和图14B是示出根据实施例的显示面板的发光元件和光检测元件的剖视图。
参照图13和图14A，显示面板DP可以包括基体层BL、设置在基体层BL上的电路层DP_CL、元件层DP_ED和封装层TFE。
基体层BL可以包括合成树脂层。合成树脂层可以包括热固性树脂。特别地，合成树脂层可以是聚酰亚胺树脂层，并且其材料不特别限于此。合成树脂层可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、氨基甲酸乙酯树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰胺树脂和/或苝树脂。另外，基体层BL可以包括玻璃基底、金属基底或有机/无机复合材料基底。
至少一个无机层形成在基体层BL的上表面上。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和/或氧化铪。无机层可以以多层形成。多层无机层可以构成下面描述的阻挡层BRL和/或缓冲层BFL。可以选择性地设置阻挡层BRL和缓冲层BFL。
阻挡层BRL防止异物从外部引入。阻挡层BRL可以包括氧化硅层和氮化硅层。这些层中的每个可以以多个设置，并且氧化硅层和氮化硅层可以交替地堆叠。
缓冲层BFL可以设置在阻挡层BRL上。缓冲层BFL增大基体层BL与半导体图案和/或导电图案之间的接合力。缓冲层BFL可以包括氧化硅层和氮化硅层。氧化硅层和氮化硅层可以交替地堆叠。
半导体图案设置在缓冲层BFL上。在下文中，直接设置在缓冲层BFL上的半导体图案被定义为第一半导体图案。第一半导体图案可以包括硅半导体。第一半导体图案可以包括多晶硅。然而，发明构思不必限于此，并且第一半导体图案可以包括非晶硅。
图13仅示出了第一半导体图案的一部分，并且第一半导体图案还可以设置在像素PXR(参照图6A)的另一区域中。第一半导体图案根据其是否掺杂而具有不同的电特性。第一半导体图案可以包括掺杂区域和非掺杂区域。掺杂区域可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域，N型晶体管包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区域。
掺杂区域比非掺杂区域更导电并且基本上用作电极或信号线。非掺杂区域实际上与晶体管的有源(或沟道)对应。例如，第一半导体图案的一部分可以是有源晶体管，另一部分可以是晶体管的源极或漏极，另一部分可以是连接信号线(或连接电极)。
如图13中所示，第一晶体管T1的第一电极S1、沟道部分A1和第二电极D1由第一半导体图案形成。第一晶体管T1的第一电极S1和第二电极D1从沟道部分A1在相反方向上延伸。
图13示出了由半导体图案形成的连接信号线CSL的一部分。在平面图中，连接信号线CSL可以电连接到第二发射控制晶体管ET2(参照图6A)的第二电极。
第一绝缘层10设置在缓冲层BFL上。第一绝缘层10共同与多个像素PX(参照图3)至少部分地叠置并且覆盖第一半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和/或氧化铪。在本实施例中，第一绝缘层10可以是单层氧化硅层。除了第一绝缘层10之外，稍后将描述的电路层DP_CL的绝缘层可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种。
第一晶体管T1的第三电极G1设置在第一绝缘层10上。第三电极G1可以是金属图案的一部分。第一晶体管T1的第三电极G1与第一晶体管T1的沟道部分A1至少部分地叠置。在掺杂第一半导体图案的工艺中，第一晶体管T1的第三电极G1可以用作掩模。
覆盖第三电极G1的第二绝缘层20设置在第一绝缘层10上。第二绝缘层20共同与多个像素PX至少部分地叠置。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。在本实施例中，第二绝缘层20可以是单层氧化硅层。
上电极UE可以设置在第二绝缘层20上。上电极UE可以与第三电极G1至少部分地叠置。上电极UE可以是金属图案的一部分或掺杂半导体图案的一部分。第三电极G1的一部分和与该部分至少部分地叠置的上电极UE可以限定电容器Cst(参照图6A)。在发明构思的实施例中，可以省略上电极UE。
在发明构思的实施例中，第二绝缘层20可以用绝缘图案代替。上电极UE设置在绝缘图案上。上电极UE可以用作用于从第二绝缘层20形成绝缘图案的掩模。
覆盖上电极UE的第三绝缘层30设置在第二绝缘层20上。在本实施例中，第三绝缘层30可以是单层氧化硅层。半导体图案设置在第三绝缘层30上。在下文中，直接设置在第三绝缘层30上的半导体图案被定义为第二半导体图案。第二半导体图案可以包括金属氧化物。氧化物半导体可以包括晶体氧化物半导体或非晶体氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以包括锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)和钛(Ti)的金属氧化物或者金属(诸如，锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)和钛(Ti))及其氧化物的混合物。氧化物半导体可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌铟(ZIO)、氧化铟(InO)、氧化钛(TiO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化锌锡(ZTO)等。
图13仅示出了第二半导体图案的一部分，第二半导体图案还可以设置在像素PXR(参照图6A)的另一区域中。第二半导体图案可以包括根据金属氧化物是否被还原而划分的多个区域。其中金属氧化物被还原的区域(在下文中，还原区域)具有比其中金属氧化物未被还原的区域(在下文中，非还原区域)高的导电性。还原区域基本上具有电极或信号线的作用。非还原区域基本上与晶体管的沟道部分对应。例如，第二半导体图案的一部分可以是晶体管的沟道部分，而另一部分可以是晶体管的第一电极或第二电极。
如图13中所示，第三晶体管T3的第一电极S3、沟道部分A3和第二电极D3由第二半导体图案形成。第一电极S3和第二电极D3包括由金属氧化物半导体还原的金属。第一电极S3和第二电极D3可以具有距第二半导体图案的上表面的预定厚度，并且包括包含还原金属的金属层。
覆盖第二半导体图案的第四绝缘层40设置在第三绝缘层30上。在本实施例中，第四绝缘层40可以是单层氧化硅层。第三晶体管T3的第三电极G3设置在第三绝缘层30上。第三电极G3可以是金属图案的一部分。第三晶体管T3的第三电极G3与第三晶体管T3的沟道部分A3至少部分地叠置。
在发明构思的实施例中，第四绝缘层40可以用绝缘图案代替。第三晶体管T3的第三电极G3设置在绝缘图案上。在本实施例中，在平面图中，第三电极G3可以具有与绝缘图案相同的形状。在本实施例中，为了便于描述，示出了一个第三电极G3，但是第三晶体管T3可以包括两个第三电极。
覆盖第三电极G3的第五绝缘层50设置在第四绝缘层40上。在本实施例中，第五绝缘层50可以包括氧化硅层和氮化硅层。第五绝缘层50可以包括交替地堆叠的多个氧化硅层和氮化硅层。
第四晶体管T4(参照图6A)的第一电极和第二电极可以与第三晶体管T3的第一电极S3和第二电极D3通过同一工艺形成。另外，传感器FX(见图6A)的复位晶体管ST1(见图6A)的第一电极和第二电极以及输出晶体管ST3(见图6A)的第一电极和第二电极可以通过与第三晶体管T3的第一电极S3和第二电极D3的工艺相同的工艺同时形成。
至少一个绝缘层进一步设置在第五绝缘层50上。如在本实施例中，第六绝缘层60和第七绝缘层70可以设置在第五绝缘层50上。第六绝缘层60和第七绝缘层70可以是有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第六绝缘层60和第七绝缘层70可以是单聚酰亚胺类树脂层。然而，发明构思的实施例不必限于此，并且第六绝缘层60和第七绝缘层70可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和/或苝类树脂。
第一连接电极CNE10可以设置在第五绝缘层50上。第一连接电极CNE10可以通过穿透第一绝缘层10至第五绝缘层50的第一接触孔CH1电连接到连接信号线CSL，第二连接电极CNE20可以通过穿过第六绝缘层60的接触孔CH-60电连接到第一连接电极CNE10。在发明构思的实施例中，可以省略第五绝缘层50至第七绝缘层70中的至少一个。
元件层DP_ED包括红色发光元件ED_R和像素限定膜PDL。红色发光元件ED_R的红色阳极电极R_AE设置在第七绝缘层70上。红色发光元件ED_R的红色阳极电极R_AE可以通过穿透第七绝缘层70的接触孔CH-70电连接到第二连接电极CNE20。
像素限定膜PDL的开口部OP暴露红色发光元件ED_R的红色阳极电极R_AE的至少一部分。像素限定膜PDL的开口部OP可以限定发射区域PXA。例如，多个像素PX(参照图3)可以以规则的方式设置在显示面板DP(参照图3)的平面上。其中设置有多个像素PX的区域可以被定义为像素区域，并且一个像素区域可以包括发射区域PXA和与发射区域PXA相邻的非发射区域NPXA。非发射区域NPXA可以至少部分地围绕发射区域PXA。
空穴控制层HCL可以公共地设置在发射区域PXA和非发射区域NPXA中。诸如空穴控制层HCL的公共层可以公共地形成在多个像素PX中。空穴控制层HCL可以包括空穴传输层和空穴注入层。
红色发光层R_EL设置在空穴控制层HCL上。红色发光层R_EL可以仅设置在与开口部OP对应的区域中。红色发光层R_EL可以单独地形成在多个像素PX中的每个中。
尽管在本实施例中已经示例性地示出了图案化的红色发光层R_EL，但是发明构思不必限于此。公共发光层可以公共地设置在多个像素PX中。在这种情况下，公共发光层可以产生白光或蓝光。
电子控制层ECL设置在红色发光层R_EL上。电子控制层ECL可以包括电子传输层和电子注入层。红色发光元件ED_R的阴极电极R_CE设置在电子控制层ECL上。电子控制层ECL和阴极电极R_CE公共地设置在多个像素PX中。
封装层TFE设置在阴极电极R_CE上。封装层TFE可以覆盖多个像素PX。在本实施例中，封装层TFE直接覆盖阴极电极R_CE。在发明构思的实施例中，显示面板DP还可以包括直接覆盖阴极电极R_CE的覆盖层。在发明构思的实施例中，红色发光元件ED_R的堆叠结构可以具有与图13中所示的结构竖直地反转的结构。
参照图14A和图14B，第一电极层设置在电路层DP_CL上。像素限定膜PDL形成在第一电极层上。第一电极层可以包括红色阳极电极R_AE、绿色阳极电极G1_AE和蓝色阳极电极B_AE。像素限定膜PDL的第一开口部OP1、第二开口部OP2和第三开口部OP3分别暴露红色阳极电极R_AE、绿色阳极电极G1_AE和蓝色阳极电极B_AE的至少一部分。在发明构思的实施例中，像素限定膜PDL还可以包括黑色材料。像素限定膜PDL还可以包括诸如炭黑或苯胺黑的黑色有机染料/颜料。像素限定膜PDL可以通过混合蓝色有机材料和黑色有机材料形成。像素限定膜PDL还可以包括拒液有机材料。
如图14A中所示，显示面板DP可以包括第一发射区域PXA-R、第二发射区域PXA-G和第三发射区域PXA-B以及与第一发射区域PXA-R、第二发射区域PXA-G和第三发射区域PXA-B相邻的第一非发射区域NPXA-R、第二非发射区域NPXA-G和第三非发射区域NPXA-B。非发射区域NPXA-R、NPXA-G和NPXA-B可以包围对应的发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。在本实施例中，第一发射区域PXA-R被限定为与由第一开口部OP1暴露的红色阳极电极R_AE的部分区域对应。第二发射区域PXA-G被限定为与由第二开口部OP2暴露的绿色阳极电极G1_AE的部分区域对应。第三发射区域PXA-B被限定为与由第三开口部OP3暴露的蓝色阳极电极B_AE的部分区域对应。非像素区域NPA可以限定在第一非发射区域NPXA-R、第二非发射区域NPXA-G和第三非发射区域NPXA-B之间。
发光层可以设置在第一电极层上。发光层可以包括红色发光层R_EL、绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL。红色发光层R_EL、绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL可以分别设置在与第一开口部OP1、第二开口部OP2和第三开口部OP3对应的区域中。红色发光层R_EL、绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL可以分别形成在红色像素PXR、绿色像素PXG1和蓝色像素PXB(参照图4A)中。红色发光层R_EL、绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL中的每个可以包括有机材料和/或无机材料。红色发光层R_EL、绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL可以产生预定颜色的光。例如，红色发光层R_EL可以产生红光，绿色发光层G1_EL可以产生绿光，蓝色发光层B_EL可以产生蓝光。
尽管在本实施例中示出了图案化的红色发光层R_EL、绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL作为示例，但是一个发光层可以公共地设置在第一发射区域PXA-R、第二发射区域PXA-G和第三发射区域PXA-B中。在这种情况下，发光层可以产生白光或蓝光。另外，发光层可以具有称为串联的多层结构。
红色发光层R_EL、绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL中的每个可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料作为发光材料。可选地，红色发光层R_EL、绿色发光层G1_EL和蓝色发光层B_EL中的每个可以包括量子点材料作为发光材料。量子点的核可以选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。
第二电极层设置在发光层上。第二电极层可以包括红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G1_CE和蓝色阴极电极B_CE。红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G1_CE和蓝色阴极电极B_CE可以彼此电连接。作为发明构思的示例，红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G1_CE和蓝色阴极电极B_CE可以具有彼此一体的形状。在这种情况下，红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G1_CE和蓝色阴极电极B_CE可以公共地设置在第一发射区域PXA-R、第二发射区域PXA-G和第三发射区域PXA-B、第一非发射区域NPXA-R、第二非发射区域NPXA-G和第三非发射区域NPXA-B以及非像素区域NPA中。
元件层DP_ED还可以包括光检测元件OPD1和OPD2(见图4A)。光检测元件OPD1和OPD2中的每个可以是光电二极管。像素限定膜PDL还可以包括被设置为与光检测元件OPD1和OPD2对应的第四开口部OP4。
第一光检测元件OPD1可以包括第一阳极电极O_AE1、第一光电转换层O_RL1和第一阴极电极O_CE1。第一阳极电极O_AE1可以与第一电极层设置在同一层。例如，第一阳极电极O_AE1可以设置在电路层DP_CL上，并且可以与红色阳极电极R_AE、绿色阳极电极G1_AE和蓝色阳极电极B_AE通过同一工艺同时地形成。
像素限定膜PDL的第四开口部OP4暴露第一阳极电极O_AE1的至少一部分。第一光电转换层O_RL1设置在通过第四开口部OP4暴露的第一阳极电极O_AE1上。第一光电转换层O_RL1可以包括有机光敏材料。第一阴极电极O_CE1可以设置在第一光电转换层O_RL1上。第一阴极电极O_CE1可以与红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G1_CE和蓝色阴极电极B_CE通过同一工艺同时地形成。作为发明构思的示例，第一阴极电极O_CE1可以与红色阴极电极R_CE、绿色阴极电极G1_CE和蓝色阴极电极B_CE具有一体的形状。
第一阳极电极O_AE1和第一阴极电极O_CE1中的每个可以接收电信号。第一阴极电极O_CE1可以接收与第一阳极电极O_AE1的信号不同的信号。因此，可以在第一阳极电极O_AE1与第一阴极电极O_CE1之间形成预定电场。第一光电转换层O_RL1产生与入射在传感器FX(见图6A)上的光对应的电信号。第一光电转换层O_RL1可以吸收入射光的能量以产生电荷。例如，第一光电转换层O_RL1可以包括光敏半导体材料。
在第一光电转换层O_RL1中产生的电荷改变第一阳极电极O_AE1与第一阴极电极O_CE1之间的电场。在第一光电转换层O_RL1中产生的电荷量可以根据光是否入射在第一光检测元件OPD1上、入射在第一光检测元件OPD1上的光量和强度而变化。因此，在第一阳极电极O_AE1与第一阴极电极O_CE1之间形成的电场可以变化。根据发明构思的第一光检测元件OPD1可以通过第一阳极电极O_AE1与第一阴极电极O_CE1之间的电场的改变来获取用户的指纹信息。
然而，这通过示例的方式示出，并且第一光检测元件OPD1可以包括具有第一光电转换层O_RL1作为有源层的光电晶体管。在这种情况下，第一光检测元件OPD1可以通过检测流过光电晶体管的电流量来获取指纹信息。根据发明构思的实施例的第一光检测元件OPD1可以包括能够响应于光的量的改变而生成电信号的各种光电转换元件，但是不必限于任何一个实施例。
封装层TFE设置在元件层DP_ED上方。封装层TFE至少包括无机层或有机层。在发明构思的实施例中，封装层TFE可以包括两个无机层和设置在两个无机层之间的有机层。在发明构思的实施例中，封装层TFE可以包括交替地堆叠的多个无机层和多个有机层。
封装无机层保护红色发光元件ED_R、绿色发光元件ED_G1和蓝色发光元件ED_B以及第一光检测元件OPD1免受湿气/氧的影响，并且封装有机层保护红色发光元件ED_R、绿色发光元件ED_G1和蓝色发光元件ED_B以及第一光检测元件OPD1免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。封装无机层可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层，但是发明构思的实施例不特别限于此。封装有机层可以包括丙烯酰类有机层，并且不特别限于此。
显示装置DD(见图1)包括设置在显示面板DP上的输入检测层ISL和设置在输入检测层ISL上的滤色器层CFL。
输入检测层ISL可以直接设置在封装层TFE上。输入检测层ISL包括第一导电层ICL1、绝缘层IL、第二导电层ICL2和保护层PL。第一导电层ICL1可以设置在封装层TFE上。图14A和图14B示出了其中第一导电层ICL1直接设置在封装层TFE上的结构，但是发明构思不必限于此。输入检测层ISL还可以包括设置在第一导电层ICL1与封装层TFE之间的基体绝缘层。在这种情况下，封装层TFE可以被基体绝缘层覆盖，并且第一导电层ICL1可以设置在基体绝缘层上。作为发明构思的示例，基体绝缘层可以包括无机绝缘材料。
绝缘层IL可以覆盖第一导电层ICL1。第二导电层ICL2设置在绝缘层IL上。尽管示出了其中输入检测层ISL包括第一导电层ICL1和第二导电层ICL2的结构，但是发明构思不必限于此。例如，输入检测层ISL可以仅包括第一导电层ICL1和第二导电层ICL2中的一个。
保护层PL可以设置在第二导电层ICL2上。保护层PL可以包括有机绝缘材料。保护层PL可以用于保护第一导电层ICL1和第二导电层ICL2免受湿气/氧的影响，并且可以用于保护第一导电层ICL1和第二导电层ICL2免受异物的影响。
滤色器层CFL可以设置在输入检测层ISL上。滤色器层CFL可以直接设置在保护层PL上。滤色器层CFL可以包括第一滤色器CF_R、第二滤色器CF_G和第三滤色器CF_B。第一滤色器CF_R具有第一颜色，第二滤色器CF_G具有第二颜色，第三滤色器CF_B具有第三颜色。作为发明构思的示例，第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是蓝色。
滤色器层CFL还可以包括虚设滤色器DCF。作为发明构思的示例，当其中设置有光电转换层ORL的区域被定义为感测区域SA，并且感测区域SA的外围被定义为非感测区域NSA时，虚设滤色器DCF可以被设置为与感测区域SA对应。虚设滤色器DCF可以与感测区域SA和非感测区域NSA至少部分地叠置。作为发明构思的示例，虚设滤色器DCF可以具有与第一滤色器CF_R、第二滤色器CF_G和第三滤色器CF_B中的一个相同的颜色。作为发明构思的示例，虚设滤色器DCF可以具有与第二滤色器CF_G相同的绿色。
滤色器层CFL还可以包括黑矩阵BM。黑矩阵BM可以被设置为与非像素区域NPA对应。黑矩阵BM可以在非像素区域NPA中与第一导电层ICL1和第二导电层ICL2至少部分地叠置。作为发明构思的示例，黑矩阵BM可以与非像素区域NPA以及第一非发射区域NPXA-R、第二非发射区域NPXA-G和第三非发射区域NPXA-B至少部分地叠置。黑矩阵BM可以不与第一发射区域PXA-R、第二发射区域PXA-G和第三发射区域PXA-B叠置。
滤色器层CFL还可以包括外涂层OCL。外涂层OCL可以包括有机绝缘材料。外涂层OCL可以以足以去除第一滤色器CF_R、第二滤色器CF_G和第三滤色器CF_B之间的台阶差的厚度设置。只要具有预定的厚度并且是能够使滤色器层CFL的上表面平坦化的材料，外涂层OCL在尺寸、形状和材料组成方面就没有特别限制，并且可以包括例如丙烯酸酯类有机材料。
参照图14B，当显示装置DD(参照图1)操作时，红色发光元件ED_R、绿色发光元件ED_G1和蓝色发光元件ED_B中的每个可以输出光。红色发光元件ED_R输出红色波段中的红光，绿色发光元件ED_G1输出绿色波段中的绿光，蓝色发光元件ED_B输出蓝色波段中的蓝光。
作为发明构思的示例，第一光检测元件OPD1可以从红色发光元件ED_R、绿色发光元件ED_G1和蓝色发光元件ED_B之中的特定发光元件(例如，绿色发光元件ED_G1)接收光。例如，第一光检测元件OPD1可以接收被用户的指纹反射的第二反射光Lg2，从绿色发光元件ED_G1输出的绿光Lg1可以被用户的指纹反射，从而形成第二反射光Lg2。第二反射光Lg2可以是绿色波段中的绿光。虚设滤色器DCF设置在传感器FX(见图6A)(例如，传感器FX中的第一光检测元件OPD1)上。虚设滤色器DCF可以具有绿色。因此，第二反射光Lg2可以穿过虚设滤色器DCF并入射在第一光检测元件OPD1上。
从红色发光元件ED_R和蓝色发光元件ED_B输出的红光和蓝光也可以被用户的手US_F反射。例如，第一反射光Lr2可以不穿过虚设滤色器DCF而被吸收，从红色发光元件ED_R输出的红色光Lr1可以被用户的手US_F反射，从而形成第一反射光Lr2。因此，第一反射光Lr2不穿过虚设滤色器DCF并且可以不入射在第一光检测元件OPD1上。同样，即使蓝光被用户的手US_F反射，它也可以被虚设滤色器DCF吸收。因此，仅第二反射光Lg2可以提供到第一光检测元件OPD1。
根据发明构思的实施例，通过增大设置在显示面板中的光检测元件的数量，可以增大由显示面板中的传感器接收的光的总量，结果，可以提高传感器的感测性能。
另外，当第一绿色发光元件和第二绿色发光元件中的每个的阳极电极的形状不同时，通过防止或去除在第一绿色发光元件与第二绿色发光元件之间产生的亮度偏差，可以提高显示装置的整体图像质量。
尽管已经描述了发明构思的各种实施例，但是理解的是，发明构思不必限于这些实施例，而是本领域普通技术人员可以在本公开的精神和范围内进行各种改变和修改。

Claims (27)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体层；以及
像素层，设置在所述基体层上并且包括多个参考像素单元和多个传感器，
其中，所述多个参考像素单元中的每个包括发射第一颜色光的第一发光元件和第二发光元件，
其中，所述多个传感器中的每个包括：
至少一个光检测元件，与所述多个参考像素单元中的一个参考像素单元对应；以及
传感器驱动电路，电连接到所述至少一个光检测元件，
其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每个包括：
阳极电极；以及
发光层，设置在所述阳极电极上，
其中，所述第一发光元件的所述发光层具有与所述第二发光元件的所述发光层相同的尺寸，并且
其中，所述第一发光元件的所述阳极电极具有与所述第二发光元件的所述阳极电极的尺寸不同的尺寸。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件在第一方向和与所述第一方向正交的第二方向上交替地设置。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件中的一者与所述传感器驱动电路至少部分地叠置，并且
其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件中的另一者不与所述传感器驱动电路叠置。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个参考像素单元中的每个包括：
第一像素驱动电路，电连接到所述第一发光元件；以及
第二像素驱动电路，电连接到所述第二发光元件，
其中，所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路中的每个包括：
第一晶体管，电连接在接收第一驱动电压的第一驱动电压线与对应的发光元件之间；以及
第二晶体管，电连接在数据线和所述第一晶体管之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一像素驱动电路的所述第一晶体管的栅电极与所述第一发光元件的所述阳极电极至少部分地叠置，以形成第一叠置区域，并且
其中，所述第二像素驱动电路的所述第一晶体管的所述栅电极与所述第二发光元件的所述阳极电极至少部分地叠置，以形成第二叠置区域。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一叠置区域在尺寸上等于所述第二叠置区域。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述多个参考像素单元中的每个还包括：
第三发光元件，被构造为输出与所述第一颜色光不同的第二颜色光；以及
第四发光元件，被构造为输出与所述第一颜色光和所述第二颜色光中的每个不同的第三颜色光，
其中，所述光检测元件在第一方向上设置在所述第一发光元件与所述第二发光元件之间，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上设置在所述第三发光元件与所述第四发光元件之间。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述多个参考像素单元中的每个还包括：
第三像素驱动电路，电连接到所述第三发光元件；以及
第四像素驱动电路，电连接到所述第四发光元件，
其中，所述传感器驱动电路在所述第一方向上设置在所述第一像素驱动电路与所述第四像素驱动电路之间。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第四发光元件的发光层具有与所述第三发光元件的发光层相同的形状，并且具有比所述第三发光元件的所述发光层大的尺寸，
其中，所述第三发光元件和所述第四发光元件中的每个的所述发光层具有八边形形状，所述八边形形状在所述第一方向上比在所述第二方向上长，并且
其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每个的所述发光层具有八边形形状，所述八边形形状在所述第二方向上比在所述第一方向上长。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每个的所述发光层具有在所述第一方向上延伸的第一边和第二边、在所述第二方向上延伸的第三边和第四边以及相对于所述第一方向和所述第二方向倾斜的第一倾斜边至第四倾斜边，并且
其中，所述第一边和所述第二边的长度短于所述第三边和所述第四边的长度。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，在所述第一发光元件的所述发光层中，在所述第一倾斜边至所述第四倾斜边之中，彼此面对的所述第一倾斜边和所述第四倾斜边具有比彼此面对的所述第二倾斜边和所述第三倾斜边短的长度，并且
其中，在所述第二发光元件的所述发光层中，在所述第一倾斜边至所述第四倾斜边之中，彼此面对的所述第一倾斜边和所述第四倾斜边具有比彼此面对的所述第二倾斜边和所述第三倾斜边长的长度。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第三发光元件和所述第四发光元件中的每个的所述发光层具有在所述第一方向上延伸的第一边和第二边、在所述第二方向上延伸的第三边和第四边以及相对于所述第一方向和所述第二方向倾斜的第一倾斜边至第四倾斜边，并且
其中，所述第一边和所述第二边的长度比所述第三边和所述第四边的长度长。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一发光元件的所述第一倾斜边和所述第三发光元件的所述第四倾斜边间隔开第一间隔，
其中，所述第一发光元件的所述第四倾斜边和所述第三发光元件的所述第一倾斜边间隔开第二间隔，
其中，所述第一发光元件的所述第二倾斜边和所述第四发光元件的所述第三倾斜边间隔开第三间隔，并且
其中，所述第一发光元件的所述第三倾斜边和所述第四发光元件的所述第三倾斜边间隔开第四间隔。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一间隔至所述第四间隔彼此相等。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个传感器中的每个包括与所述传感器驱动电路并联电连接的k个光检测元件，
其中，所述传感器驱动电路电连接到所述k个光检测元件之中的一个光检测元件，并且
其中，k是大于或等于2的整数。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述k个光检测元件中的每个包括：
感测阳极电极；以及
光电转换层，设置在所述感测阳极电极上，
其中，所述传感器驱动电路直接连接到所述一个光检测元件的所述感测阳极电极。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述多个传感器中的每个还包括将所述k个光检测元件彼此电连接的布线。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述k个光检测元件具有彼此相同的形状，并且
其中，所述k个光检测元件中的每个具有与所述第一发光元件和所述第二发光元件的形状不同的形状。
19.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体层；以及
像素层，设置在所述基体层上并且包括多个像素和多个传感器，
其中，所述多个传感器中的每个包括：k个光检测元件，彼此电连接；以及传感器驱动电路，电连接到所述k个光检测元件中的一个光检测元件，
其中，所述多个像素之中的与所述传感器驱动电路至少部分地叠置的第一发光元件包括第一阳极电极，
其中，所述多个像素之中的不与所述传感器驱动电路叠置并且输出与所述第一发光元件相同颜色光的第二发光元件包括第二阳极电极，并且
其中，所述第一阳极电极具有与所述第二阳极电极的形状不同的形状。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述多个像素包括：
第一像素驱动电路，电连接到所述第一发光元件；以及
第二像素驱动电路，电连接到所述第二发光元件，
其中，所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路中的每个包括：第一晶体管，电连接在接收第一驱动电压的第一驱动电压线与对应的发光元件之间；以及第二晶体管，电连接在数据线和所述第一晶体管之间。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第一像素驱动电路的所述第一晶体管的栅电极与所述第一发光元件的所述第一阳极电极至少部分地叠置，以形成第一叠置区域，并且
其中，所述第二像素驱动电路的所述第一晶体管的栅电极与所述第二发光元件的所述第二阳极电极至少部分地叠置，以形成第二叠置区域。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述第一叠置区域在尺寸上等于所述第二叠置区域。
23.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第一发光元件还包括设置在所述第一阳极电极上的第一发光层，
其中，所述第二发光元件还包括设置在所述第二阳极电极上的第二发光层，
其中，所述第一发光层和所述第二发光层中的每个包括在第一方向上延伸的第一边和第二边、在与所述第一方向正交的第二方向上延伸的第三边和第四边以及相对于所述第一方向和所述第二方向倾斜的第一倾斜边至第四倾斜边，并且
其中，所述第一边和所述第二边的长度短于所述第三边和所述第四边的长度。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，在所述第一发光层的所述第一倾斜边至所述第四倾斜边之中，彼此面对的所述第一倾斜边和所述第四倾斜边具有比彼此面对的所述第二倾斜边和所述第三倾斜边长的长度，并且
其中，在所述第二发光层的所述第一倾斜边至所述第四倾斜边之中，彼此面对的所述第一倾斜边和所述第四倾斜边具有比彼此面对的所述第二倾斜边和所述第三倾斜边短的长度。
25.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第一发光元件与第三发光元件间隔开第一间隔，所述第三发光元件输出与所述第一发光元件的颜色光不同的颜色光，
其中，所述第一发光元件与第四发光元件间隔开第二间隔，所述第四发光元件输出与所述第一发光元件的颜色光和所述第三发光元件的颜色光不同的颜色光，并且
其中，所述第一间隔在尺寸上等于所述第二间隔。
26.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述k个光检测元件中的每个在第一方向上设置在所述第一发光元件与所述第二发光元件之间，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上设置在所述第三发光元件与所述第四发光元件之间。
27.根据权利要求26所述的显示装置，其中，在所述第二方向上，所述k个光检测元件中的每个与所述第三发光元件之间的间隔在尺寸上等于所述k个光检测元件中的每个与所述第四发光元件之间的间隔。
CN202310355325.0A 2022-04-04 2023-04-04 包括传感器的显示装置 Pending CN116896955A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2022-0041762 2022-04-04
KR1020220041762A KR20230143266A (ko) 2022-04-04 2022-04-04 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116896955A true CN116896955A (zh) 2023-10-17

Family

ID=88192977

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310355325.0A Pending CN116896955A (zh) 2022-04-04 2023-04-04 包括传感器的显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230320161A1 (zh)
KR (1) KR20230143266A (zh)
CN (1) CN116896955A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230143266A (ko) 2023-10-12
US20230320161A1 (en) 2023-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN117280408A (zh) 显示设备
CN115915867A (zh) 显示装置
CN116896955A (zh) 包括传感器的显示装置
US11955078B2 (en) Display device
US20230326233A1 (en) Display device
CN219834824U (zh) 显示设备
EP4207105A1 (en) Display device
US11922717B2 (en) Display device
US20230326404A1 (en) Display device
KR20240053721A (ko) 표시 장치
US20230316801A1 (en) Display device
EP4227914A1 (en) Display device
KR20230159656A (ko) 표시 장치
KR20230165927A (ko) 표시 장치
KR20240053722A (ko) 표시 장치 및 이의 구동 방법
KR20230143237A (ko) 표시 장치
KR20230151573A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20240048048A (ko) 표시 장치
KR20230144158A (ko) 표시 장치
CN115937909A (zh) 电子装置
CN116981292A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication