CN115937909A - 电子装置 - Google Patents

Abstract

电子装置包括：基底层；像素界定膜，配置在所述基底层上并界定有第一开口部和第二开口部；发光元件，配置在所述基底层上并与所述第一开口部重叠；光感测元件，配置在所述基底层上并与所述第二开口部重叠，并且，包括光电二极管以及与所述光电二极管接触的导电图案；像素晶体管，连接到所述发光元件；以及感应晶体管，连接到所述光感测元件，所述光感测元件配置在配置有所述像素晶体管的层和配置有所述发光元件的层之间。

Description

电子装置

技术领域

本发明涉及一种电子装置，详细而言，涉及一种能够识别生物信息的电子装置。

背景技术

为了提供图像信息，正在使用各种形式的电子装置，这种电子装置提供感测用户的输入等能够与用户有机沟通的各种功能。尤其，最近的电子装置一同包括用于感测用户的指纹的功能。

作为指纹识别方式，具有感测在电极之间形成的电容变化的电容方式、利用光传感器来感测入射的光的光学方式、利用压电体等感测振动的超声波方式等。另一方面，当包括光学方式的传感器时，需要通过阻断由外部光等引起的噪声来提高指纹识别性能。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种包括具备用于生物信息识别的传感器的显示面板的电子装置。

根据本发明的一实施例的电子装置包括：基底层；像素界定膜，配置在所述基底层上并界定有第一开口部和第二开口部；发光元件，配置在所述基底层上并与所述第一开口部重叠；光感测元件，配置在所述基底层上并与所述第二开口部重叠，并且包括光电二极管以及与所述光电二极管接触的导电图案；像素晶体管，连接到所述发光元件；以及感应晶体管，连接到所述光感测元件，所述光感测元件配置在配置有所述像素晶体管的层和配置有所述发光元件的层之间。

可以是，所述导电图案包括透明导电性氧化物。

可以是，所述像素晶体管包括第一半导体图案以及第一电极，所述感应晶体管包括配置在与所述第一半导体图案相同的层上的半导体图案以及配置在与所述第一电极相同的层上的电极。

可以是，根据本发明的一实施例的电子装置还包括：第一导电图案，连通到所述第一半导体图案；以及第二导电图案，连通到所述感应晶体管的半导体图案并配置在与所述第一导电图案相同的层上，所述光电二极管与所述第二导电图案接触。

可以是，根据本发明的一实施例的电子装置还包括：第二像素晶体管，与所述像素晶体管电连接，所述第二像素晶体管包括第二半导体图案和第二电极，所述第二半导体图案包括与所述第一半导体图案不同的物质。

可以是，所述第二半导体图案和所述第二电极配置在配置有所述第一电极的层和配置有所述第一导电图案的层之间。

可以是，根据本发明的一实施例的电子装置还包括：金属图案，配置在所述第二半导体图案下侧，所述金属图案配置在与所述第一电极相同的层中。

可以是，所述第二半导体图案包括氧化物半导体，所述第一半导体图案包括多晶硅。

可以是，根据本发明的一实施例的电子装置还包括：第三导电图案，配置在所述第一导电图案和所述发光元件之间并连通到所述第一导电图案和所述发光元件；以及第四导电图案，连通到所述光感测元件，所述第三导电图案和所述第四导电图案配置在相同的层中。

可以是，根据本发明的一实施例的电子装置还包括：滤色器层，配置在所述发光元件上并包括黑色矩阵，在所述黑色矩阵中界定有与所述第一开口部以及所述第二开口部的每一个重叠的开口部。

可以是，所述像素界定膜包括染料或者颜料。

可以是，根据本发明的一实施例的电子装置还包括：输入感测层，配置在所述滤色器层和所述发光元件之间。

可以是，所述输入感测层包括彼此连接的网格线，在平面上，所述网格线与所述像素界定膜重叠。

根据本发明的一实施例的电子装置包括：基底层；电路层，配置在所述基底层上并包括像素晶体管、光感测元件以及与所述光感测元件连通的感应晶体管；像素界定膜，配置在所述电路层上并包括染料或者颜料，并且界定有第一开口部以及与所述第一开口部隔开而与所述光感测元件重叠的第二开口部；发光元件，与所述第一开口部重叠；封装层，配置在所述发光元件上；以及滤色器层，配置在所述封装层上并包括黑色矩阵，所述光感测元件包括：光电二极管，配置在所述光感测元件上；以及透明电极，配置在所述光电二极管上。

可以是，所述像素晶体管以及所述感应晶体管包括配置在相同的层上的半导体图案和配置在相同的层上的电极。

可以是，根据本发明的一实施例的电子装置还包括：导电图案，连通到所述感应晶体管的所述半导体图案，所述光电二极管配置为接触在所述导电图案上。

可以是，根据本发明的一实施例的电子装置还包括：第二像素晶体管，与所述像素晶体管隔开并连接到所述发光元件，所述第二像素晶体管包括配置在分别与所述半导体图案以及所述电极不同的层上的第二半导体图案以及第二电极。

可以是，所述第二像素晶体管包括氧化物半导体。

可以是，所述像素晶体管和所述感应晶体管包括多晶硅。

根据本发明的一实施例的电子装置还包括：输入感测层，配置在所述滤色器层和所述封装层之间。

根据本发明，可以将包括光电二极管的光感测元件装配在显示面板中。由此，可以将识别用户的生物信息的功能隐含在显示面板中，从而可以提高用户的便利性。

附图说明

图1是根据本发明的一实施例的电子装置的立体图。

图2是根据本发明的一实施例的电子装置的截面图。

图3是根据本发明的一实施例的电子装置的框图。

图4是放大根据本发明的实施例的显示面板的一部分区域的平面图。

图5是示出根据本发明的一实施例的像素驱动电路以及传感器驱动电路的电路图。

图6是根据本发明的一实施例的电子装置的截面图。

图7是根据本发明的一实施例的电子装置的截面图。

图8a至图8m是示出根据本发明的一实施例的电子装置的制造方法的截面图。

(附图标记说明)

EP：电子面板            ED_R：第一发光元件

PE：光感测元件          T1：像素晶体管

ST：感应晶体管

具体实施方式

在本说明书中，当提及某构成要件(或区域、层、部分等)“在”另外构成要件“上”、“连接于”或“结合于”另外构成要件时，意指某构成要件可以直接配置/连接/结合在另外构成要件上或者也可以在它们之间配置有第三构成要件。

相同的附图标记指代相同的构成要件。另外，在附图中，构成要件的厚度、比例及尺寸是为了技术内容的有效说明而放大的。

“和/或”将相关的构成所能定义的一个以上的组合全部包括。

第一、第二等术语可用于说明多种构成要件，但所述构成要件并不被所述术语所限制。所述术语仅用于将一个构成要件与另外构成要件区分的目的。例如，在不脱离本发明的权利范围的情况下，第一构成要件可命名为第二构成要件，类似地，第二构成要件也可命名为第一构成要件。只要在文脉上没有明确表示为不同，单数表达包括复数表达。

另外，“下方”、“下侧”、“上方”、“上侧”等术语用于说明附图中示出的构成的关联关系。所述术语是相对性概念，以附图中表示的方向为基准进行说明。

只要没有不同地定义，本说明书中使用的所有术语(包括技术术语及科学术语)具有与本发明所属技术领域的人员通常所理解的含义相同的含义。另外，在通常使用的词典中所定义的术语之类术语应解释为具有与相关技术的脉络上含义相同的含义，只要没有解释为理想或过于形式化的含义，可以明确性地在此定义。

“包括”或“具有”等术语应理解为用于指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、工作、构成要件、部件或它们的组合的存在，并不是预先排除一个或其以上的其它特征或者数字、步骤、工作、构成要件、部件或它们的组合的存在或附加可能性。

以下，将参照附图说明本发明的实施例。

图1是根据本发明的一实施例的电子装置的立体图，图2是根据本发明的一实施例的电子装置的截面图。

参照图1以及图2，电子装置EA可以是根据电信号激活的装置。例如，电子装置EA可以适用于智能电话、智能手表、平板、笔记本、计算机、智能电视等电子装置。在本实施例中，示例性示出了电子装置EA是智能电话的情况。

电子装置EA在正面IS中显示图像IM。正面IS可以是通过彼此交叉的第一方向DR1以及第二方向DR2界定的平面。在本实施例中，可以是，第三方向DR3分别交叉于第一方向DR1以及第二方向DR2，并界定电子装置EA的厚度方向。

正面IS可以区分为透射区域TA以及边框区域BZA。透射区域TA可以是显示图像IM的区域。用户通过透射区域TA识别图像IM。在本实施例中，透射区域TA示出为顶点为倒圆角的四边形形状。然而，其是示例性示出的，透射区域TA可以具有各种形状，不限于任一个实施例。

边框区域BZA与透射区域TA相邻。边框区域BZA可以具有预定的颜色。边框区域BZA可以包围透射区域TA。由此，透射区域TA的形状实质上可以通过边框区域BZA界定。然而，其是示例性示出的，边框区域BZA也可以配置为仅与透射区域TA的任一侧相邻，也可以省略。

另一方面，在本实施例中，电子装置EA可以感测施加到正面IS的外部输入。作为外部输入，在本实施例中，外部输入示出为用户的手US_F。然而，其是示例性示出的，外部输入可以包括从电子装置EA外部提供的各种形式的输入。例如，外部输入不仅包括由用户的手等身体的一部分引起的接触，还包括电磁笔、光、热或者压力等各种形式的外部输入。

另外，外部输入的施加可以不仅包括与电子装置EA直接接触，还包括接近电子装置EA或以预定的距离相邻而施加的外部输入(例如，悬停)。另一方面，示例性示出了感测到外部输入的位置是正面IS，但不限于此，也可以不必与显示图像的区域一致，可以提供在各种位置。

另外，电子装置EA可以感测用户的生物信息。生物信息可以包括能够通过指纹、掌纹、体温等用户的身体感测的各种信息。在本实施例中，生物信息可以是通过用户的手US_F感测的指纹。在本实施例中，用于感测生物信息的区域可以提供在正面IS的整个区域中。然而，其是示例性说明的，根据本发明的一实施例的电子装置EA也可以将用于感测生物信息的区域提供在与外部输入的感测区域不同的一部分区域中，不限于任一个实施例。

参照图2，电子装置EA可以包括窗体WM、电子面板EP以及壳体EDC。在本实施例中，窗体WM和壳体EDC结合而构成电子装置EA的外观。

窗体WM的正面界定电子装置EA的正面IS。窗体WM可以包括光学透明的绝缘物质。例如，窗体WM可以包括玻璃或者塑料。窗体WM可以具有多层结构或者单层结构。例如，窗体WM可以包括用粘合剂结合的多个塑料膜或包括用粘合剂结合的玻璃基板和塑料膜。

电子面板EP可以包括显示面板DP以及输入感测层ISL。可以是，显示面板DP根据电信号显示图像，输入感测层ISL感测从外部施加的外部输入。外部输入可以提供为各种形式。

根据本发明的一实施例的显示面板DP可以是发光型显示面板，不受特别限制。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板或者量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光物质，无机发光显示面板的发光层可以包括无机发光物质。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点以及量子棒等。以下，显示面板DP说明为有机发光显示面板。

显示面板DP包括基底层BL、电路层DP_CL、元件层DP_ED以及封装层TFE。根据本发明的显示面板DP可以是柔性(flexible)显示面板。由此，显示面板DP可以折叠或卷曲。然而，其是示例性说明的，显示面板DP也可以是刚性(rigid)显示面板或可拉伸(stretchable)显示面板，不限于任一个实施例。

基底层BL可以包括合成树脂层。合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，其材料不受特别限制。此外，基底层BL可以包括玻璃基板、金属基板或者有机/无机复合材料基板等。

电路层DP_CL配置在基底层BL上。电路层DP_CL包括至少一个绝缘层和电路元件。以下，包括在电路层DP_CL中的绝缘层指代为中间绝缘层。中间绝缘层包括至少一个中间无机膜和至少一个中间有机膜。电路元件可以包括包括在用于显示图像的多个像素的每一个中的像素驱动电路以及包括在用于识别外部信息的多个传感器的每一个中的传感器驱动电路等。外部信息可以是生物信息。

另一方面，电路层DP_CL可以包括传感器。传感器可以是指纹识别传感器、接近传感器、虹膜识别传感器等。另外，传感器可以是以光学方式识别生物信息的光学式传感器。光学式指纹传感器可以感测被用户的指纹反射的光。作为本发明的一例，光学式指纹传感器可以包括光电二极管。另一方面，电路层DP_CL可以还包括连接到像素驱动电路以及传感器驱动电路的信号线。

元件层DP_ED可以包括包括在像素的每一个中的发光元件。发光元件可以包括有机发光元件、无机发光元件、量子点发光元件。

封装层TFE密封元件层DP_ED。封装层TFE可以包括至少一个有机膜以及至少一个无机膜。无机膜可以包括无机物质，并保护元件层DP_ED以免受水分/氧气的影响。无机膜可以包括硅氮化物层、硅氮氧化物层、硅氧化物层、钛氧化物层或者铝氧化物层等，但不受其特别限制。有机膜可以包括有机物质，并保护元件层DP_ED以免受灰尘粒子之类异物的影响。

在电子面板EP上可以形成有输入感测层ISL。输入感测层ISL可以直接配置在封装层TFE上。根据本发明的一实施例，输入感测层ISL可以通过连续工艺而形成在显示面板DP上。即，当输入感测层ISL直接配置在显示面板DP上时，粘合膜不配置在输入感测层ISL和封装层TFE之间。但是，替代地，在输入感测层ISL和显示面板DP之间可以配置有内部粘合膜。此时，输入感测层ISL并非与显示面板DP通过连续工艺制造，在通过与显示面板DP分开的工艺制造之后，可以通过内部粘合膜固定到显示面板DP的上面。

输入感测层ISL可以通过感测外部的输入(例如，用户的触摸)来转换为预定的输入信号，并将输入信号向显示面板DP提供。输入感测层ISL可以包括用于感测外部的输入的多个感测电极。感测电极可以以电容方式感测外部的输入。显示面板DP可以从输入感测层ISL接收输入信号，并生成与输入信号相对应的图像。另一方面，其是示例性示出的，在根据本发明的一实施例的电子装置中，也可以省略输入感测层ISL。

滤色器层CFL可以配置在显示面板DP上。作为本发明的一例，滤色器层CFL可以配置在输入感测层ISL上。滤色器层CFL可以包括多个滤色器以及黑色矩阵。另一方面，其是示例性示出的，在根据本发明的一实施例的电子装置中，滤色器层CFL也可以配置在显示面板DP和输入感测层ISL之间或者省略。

根据本发明的一实施例的电子装置EA可以还包括粘合层AL。窗体WM可以通过粘合层AL附着到输入感测层ISL。粘合层AL可以包括光学透明粘合剂(Optical ClearAdhesive)、光学透明粘合树脂(Optically Clear Adhesive Resin)或者压敏粘合剂(PSA，Pressure Sensitive Adhesive)。

壳体EDC与窗体WM结合。壳体EDC与窗体WM结合而提供预定的内部空间。电子面板EP可以容纳在内部空间中。壳体EDC可以包括具有相对高的刚性的物质。例如，壳体EDC可以包括玻璃、塑料或者金属，或者包括通过它们的组合构成的多个框架和/或板。壳体EDC可以稳定地保护容纳在内部空间中的电子装置EA的构成以免受外部冲击的影响。虽然未示出，在窗体WM和壳体EDC之间可以配置有供应电子装置EA的整体工作所需的电源的电池模组等。

图3是根据本发明的一实施例的电子装置的框图，图4是放大根据本发明的实施例的显示面板的一部分区域的平面图。以下，将参照图3以及图4说明本发明。

如图3所示，电子装置EA包括显示面板DP、面板驱动器以及驱动控制器100。作为本发明的一例，面板驱动器包括数据驱动器200、扫描驱动器300、发光驱动器350、电压发生器400以及读出电路500。

驱动控制器100接收图像信号RGB以及控制信号CTRL。驱动控制器100生成转换图像信号RGB的数据格式的图像数据信号DATA以与数据驱动器200的接口规格相匹配。驱动控制器100输出第一控制信号SCS、第二控制信号ECS、第三控制信号DCS以及第四控制信号RCS。

数据驱动器200从驱动控制器100接收第三控制信号DCS以及图像数据信号DATA。数据驱动器200将图像数据信号DATA转换为数据信号，并将数据信号输出到后述的多个数据线DL1-DLm。数据信号是与图像数据信号DATA的灰度级值相对应的模拟电压。

扫描驱动器300从驱动控制器100接收第一控制信号SCS。扫描驱动器300可以响应于第一控制信号SCS而向扫描线输出扫描信号。

电压发生器400产生显示面板DP的工作所需的电压。在此实施例中，电压发生器400产生第一驱动电压ELVDD、第二驱动电压ELVSS、第一初始化电压VINT1、第二初始化电压VINT2、复位电压VRST。

显示面板DP可以包括与透射区域TA(图1中示出)相对应的显示区域DA以及与边框区域BZA(图1中示出)相对应的非显示区域NDA。

显示面板DP可以包括配置在显示区域DA中的多个像素PX以及配置在显示区域DA中的多个传感器FX。作为本发明的一例，多个传感器FX的每一个可以配置在彼此相邻的两个像素PX之间。多个像素PX以及多个传感器FX可以在第一及第二方向DR1、DR2上交替配置。

显示面板DP还包括初始化扫描线SIL1～SILn、补偿扫描线SCL1～SCLn、写入扫描线SWL1～SWLn+1、发光控制线EML1～EMLn、数据线DL1～DLm以及读出线RL1～RLm。初始化扫描线SIL1～SILn、补偿扫描线SCL1～SCLn、写入扫描线SWL1～SWLn+1以及发光控制线EML1～EMLn在第二方向DR2上延伸。初始化扫描线SIL1～SILn、补偿扫描线SCL1～SCLn、写入扫描线SWL1～SWLn+1以及发光控制线EML1～EMLn在第一方向DR1上彼此隔开排列。数据线DL1～DLm以及读出线RL1～RLm在第一方向DR1上延伸，并在第二方向DR2上彼此隔开排列。

多个像素PX分别电连接于初始化扫描线SIL1～SILn、补偿扫描线SCL1～SCLn、写入扫描线SWL1～SWLn+1、发光控制线EML1～EMLn以及数据线DL1～DLm。多个像素PX的每一个可以电连接于四个扫描线。例如，如图3所示，第一行的像素PX可以连接于第一初始化扫描线SIL1、第一补偿扫描线SCL1、第一及第二写入扫描线SWL1、SWL2。另外，第二行的像素PX可以连接于第二初始化扫描线SIL2、第二补偿扫描线SCL2、第二以及第三写入扫描线SWL2、SWL3。

多个传感器FX分别电连接于初始化扫描线SIL1～SILn、补偿扫描线SCL1～SCLn以及读出线RL1～RLm。多个传感器FX的每一个可以电连接于两个扫描线。例如，如图3所示，第一行的传感器FX可以连接于第一初始化扫描线SIL1以及第一补偿扫描线SCL1。另外，第二行的传感器FX可以连接于第二初始化扫描线SIL2以及第二补偿扫描线SCL2。

扫描驱动器300可以配置在显示面板DP的非显示区域NDA中。扫描驱动器300从驱动控制器100接收第一控制信号SCS。第一控制信号SCS可以包括起始信号以及多个时钟信号。扫描驱动器300可以响应于第一控制信号SCS而向初始化扫描线SIL1～SILn输出初始化扫描信号，向补偿扫描线SCL1～SCLn输出补偿扫描信号，向写入扫描线SWL1～SWLn+1输出写入扫描信号。

发光驱动器350可以配置在显示面板DP的非显示区域NDA中。发光驱动器350从驱动控制器100接收第二控制信号ECS。发光驱动器350可以响应于第二控制信号ECS而向发光控制线EML1～EMLn输出发光控制信号。替代地，扫描驱动器300可以连接于发光控制线EML1～EMLn。此时，扫描驱动器300可以向发光控制线EML1～EMLn输出发光控制信号。

读出电路500从驱动控制器100接收第四控制信号RCS。读出电路500可以响应于第四控制信号RCS而从读出线RL1～RLm接收感测信号。读出电路500可以加工从读出线RL1～RLm接收的感测信号，并将加工的感测信号S_FS向驱动控制器100提供。驱动控制器100可以基于感测信号S_FS识别生物信息。

参照图4，显示面板DP包括像素PXR、PXG、PXB以及传感器FX。像素PXR、PXG、PXB的每一个包括发光元件ED_R、ED_G、ED_B以及像素驱动电路PDC。传感器FX的每一个包括光感测元件PE以及传感器驱动电路SDC。

像素PXR、PXG、PXB以及传感器FX在第一方向DR1上交替配置，并在第二方向DR2上交替配置。像素PXR、PXG、PXB包括：包括输出第一颜色(例如，红色R)的光的发光元件(以下，称为第一发光元件ED_R)的第一像素PXR、包括输出第二颜色(例如，绿色G)的光的发光元件(以下，称为第二发光元件ED_G)的第二像素PXG以及包括输出第三颜色(例如，蓝色B)的光的发光元件(以下，称为第三发光元件ED_B)的第三像素PXB。

在第一及第二方向DR1、DR2上，第一像素PXR以及第三像素PXB可以配置为彼此交替重复。第二像素PXG可以沿第一及第二方向DR1、DR2排列。

在第一及第二方向DR1、DR2上，传感器FX的每一个可以配置在彼此相邻的第一像素PXR以及第三像素PXB之间。另外，在第一及第二方向DR1、DR2上，传感器FX的每一个可以配置在两个第二像素PXG之间。但是，像素PXR、PXG、PXB以及传感器FX的排列结构不限于此。

在本实施例中，第一发光元件ED_R可以具有大于第二发光元件ED_G的尺寸。另外，第三发光元件ED_B可以具有大于或等于第一发光元件ED_R的尺寸。然而，其是示例性示出的，第一至第三发光元件ED_R、ED_G、ED_B的每一个的尺寸不限于此，可以不同地改变来适用。例如，在本发明的一实施例中，第一至第三发光元件ED_R、ED_G、ED_B也可以具有彼此相同的尺寸。

另外，示例性示出了第一至第三发光元件ED_R、ED_G、ED_B的每一个具有四边形形状，但不限于此，第一至第三发光元件ED_R、ED_G、ED_B的每一个的形状可以不同地改变为多边形、圆形、椭圆形等。另外，第一至第三发光元件ED_R、ED_G、ED_B的形状也可以彼此不同。即，也可以是，第二发光元件ED_G具有圆形状，第一以及第三发光元件ED_R、ED_B具有四边形形状。

光感测元件PE可以具有比第一以及第三发光元件ED_R、ED_B小的尺寸。作为本发明的一例，光感测元件PE可以具有小于或等于第二发光元件ED_G的尺寸。但是，光感测元件PE的尺寸不限于此，可以不同地改变来适用。示例性示出了光感测元件PE具有四边形形状，但不限于此，光感测元件PE的形状可以不同地改变为多边形、圆形、椭圆形等。

第一至第三发光元件ED_R、ED_G、ED_B的每一个与相对应的像素驱动电路PDC电连接。像素驱动电路PDC可以包括多个晶体管以及电容器。连接到第一至第三发光元件ED_R、ED_G、ED_B的每一个的像素驱动电路PDC可以具有相同的电路构成。

光感测元件PE与相对应的传感器驱动电路SDC电连接。传感器驱动电路SDC可以包括多个晶体管。作为本发明的一例，传感器驱动电路SDC和像素驱动电路PDC可以通过相同的工艺同时形成。另外，扫描驱动器300可以包括通过与像素驱动电路PDC以及传感器驱动电路SDC相同的工艺形成的晶体管。

像素驱动电路PDC从电压发生器400接收第一驱动电压ELVDD、第二驱动电压ELVSS、第一及第二初始化电压VINT1、VINT2。传感器驱动电路SDC从电压发生器400接收第一驱动电压ELVDD、第二驱动电压ELVSS以及复位电压VRST。将后述针对像素驱动电路PDC以及传感器驱动电路SDC的详细说明。

图5是示出根据本发明的一实施例的像素驱动电路以及传感器驱动电路的电路图。图5中示例性示出了图3所示的多个像素PX中的一个像素PXij的等效电路图。多个像素PX的每一个具有相同的电路结构，因此针对所述像素PXij的电路结构进行说明，省略针对其余像素的具体说明。另外，图5中示例性示出了图3所示的多个传感器FX中的一个传感器FXij的等效电路图。多个传感器FX的每一个具有相同的电路结构，因此针对所述传感器FXij的电路结构进行说明，省略针对其余传感器的具体说明。

参照图5，所述像素PXij连通于数据线DL1～DLm中的第i个数据线DLi(以下，数据线)、初始化扫描线SIL1～SILn中的第j个初始化扫描线SILj(以下，初始化扫描线)、补偿扫描线SCL1～SCLn中的第j个补偿扫描线SCLj(以下，补偿扫描线)、写入扫描线SWL1～SWLn+1中的第j个以及第j+1个扫描线SWLj、SWLj+1(以下，第一及第二写入扫描线)、发光控制线EML1～EMLn中的第j个发光控制线EMLj(以下，发光控制线)。

像素PXij包括发光元件ED以及像素驱动电路PDC。发光元件ED可以是发光二极管。作为本发明的一例，发光元件ED可以是包括有机发光层的有机发光二极管。

像素驱动电路PDC包括第一至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7以及一个电容器Cst。第一至第七晶体管T1～T7的每一个可以是具有低温多晶硅(low-temperaturepolycrystalline silicon，LTPS)半导体层的晶体管。第一至第七晶体管T1～T7中的一部分可以是P-类型晶体管，其余一部分可以是N-类型晶体管。例如，可以是，第一至第七晶体管T1～T7中的第一、第二、第五至第七晶体管T1、T2、T5～T7是PMOS晶体管，第三以及第四晶体管T3、T4是将氧化物半导体作为半导体层的NMOS晶体管。在一实施例中，可以是，第一至第七晶体管T1～T7中的至少一个是N-类型晶体管，其余是P-类型晶体管。根据本发明的像素驱动电路PDC的构成不限于图5所示的实施例。图5所示的像素驱动电路PDC仅为一个示例，像素驱动电路PDC的构成可以通过改变来实施。例如，第一至第七晶体管T1～T7可以均为P-类型晶体管或N-类型晶体管。

初始化扫描线SILj、补偿扫描线SCLj、第一及第二写入扫描线SWLj、SWLj+1以及发光控制线EMLj可以分别将第j个初始化扫描信号GIj(以下，称为初始化扫描信号)、第j个补偿扫描信号GCj(以下，称为补偿扫描信号)、第j个以及第j+1个写入扫描信号GWj、GWj+1(以下，称为第一及第二写入扫描信号)以及第j个发光控制信号EMj(以下，称为发光控制信号)向像素PXij传输。数据线DLi将数据信号Di向像素PXij传输。数据信号Di可以具有与输入到电子装置EA(参照图3)的图像信号RGB(参照图3)相对应的电压电平。

第一及第二驱动电压线VL1、VL2可以分别将第一驱动电压ELVDD以及第二驱动电压ELVSS向像素PXij传输。另外，第一及第二初始化电压线VL3、VL4可以分别将第一初始化电压VINT1以及第二初始化电压VINT2向像素PXij传输。

第一晶体管T1连通在接收第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线VL1和发光元件ED之间。第一晶体管T1包括经由第五晶体管T5而与第一驱动电压线VL1连接的第一电极、经由第六晶体管T6而与发光元件ED的阳极(anode)电连接的第二电极、与电容器Cst的一端连接的第三电极。第一晶体管T1可以根据第二晶体管T2的开关工作接收数据线DLi所传输的数据信号Di而向发光元件ED供应驱动电流。

第二晶体管T2连通在数据线DLi和第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2包括与数据线DLi连接的第一电极、与第一晶体管T1的第一电极连接的第二电极以及与第一写入扫描线SWLj连接的第三电极。第二晶体管T2可以根据通过第一写入扫描线SWLj接收的第一写入扫描信号GWj导通而将从数据线DLi传输的数据信号Di向第一晶体管T1的第一电极传输。

第三晶体管T3连通在所述第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1之间。第三晶体管T3包括与第一晶体管T1的第三电极连接的第一电极、与第一晶体管T1的第二电极连接的第二电极、与补偿扫描线SCLj连接的第三电极。第三晶体管T3可以根据通过补偿扫描线SCLj接收的补偿扫描信号GCj导通而将第一晶体管T1的第三电极和第二电极彼此连接，从而对第一晶体管T1进行二极管连接。

第四晶体管T4连通在被施加第二初始化电压VINT2的第二初始化电压线VL4和第一节点N1之间。第四晶体管T4包括与第一晶体管T1的第三电极连接的第一电极、与传输第二初始化电压VINT2的第二初始化电压线VL4连接的第二电极以及与初始化扫描线SILj连接的第三电极。第四晶体管T4根据通过初始化扫描线SILj接收的初始化扫描信号GIj导通。导通的第四晶体管T4通过将第二初始化电压VINT2向第一晶体管T1的第三电极传输来初始化第一晶体管T1的第三电极的电位(即，第一节点N1的电位)。

第五晶体管T5包括与第一驱动电压线VL1连接的第一电极、与第一晶体管T1的第一电极连接的第二电极以及连接到发光控制线EMLj的第三电极。第五晶体管T5可以指代为第一发光控制晶体管。

第六晶体管T6包括与第一晶体管T1的第二电极连接的第一电极、连接到发光元件ED的阳极的第二电极以及连接到发光控制线EMLj的第三电极。第六晶体管T6可以指代为第二发光控制晶体管。

第五晶体管T5以及第六晶体管T6根据通过发光控制线EMLj接收的发光控制信号EMj同时导通。通过导通的第五晶体管T5施加的第一驱动电压ELVDD可以通过二极管连接的第一晶体管T1进行补偿之后传输到发光元件ED。

第七晶体管T7包括连接到传输第一初始化电压VINT1的第一初始化电压线VL3的第一电极、与第六晶体管T6的第二电极连接的第二电极以及与第二写入扫描线SWLj+1连接的第三电极。第一初始化电压VINT1可以具有低于或等于第二初始化电压VINT2的电压电平。

如前面所说明，电容器Cst的一端与第一晶体管T1的第三电极连接，另一端与第一驱动电压线VL1连接。发光元件ED的阴极(cathode)可以与传输第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线VL2连接。第二驱动电压ELVSS可以具有低于第一驱动电压ELVDD的电压电平。作为本发明的一例，第二驱动电压ELVSS可以具有低于第一及第二初始化电压VINT1、VINT2的电压电平。

若通过初始化扫描线SILj提供高电平的初始化扫描信号GIj，则第四晶体管T4响应于高电平的初始化扫描信号GIj而导通。第二初始化电压VINT2通过导通的第四晶体管T4传输到第一晶体管T1的第三电极，通过第二初始化电压VINT2初始化第一节点N1。因此，初始化扫描信号GIj的高电平时段可以是像素PXij的初始化时段。

接着，若通过补偿扫描线SCLj供应高电平的补偿扫描信号GCj，则第三晶体管T3导通。第一晶体管T1通过导通的第三晶体管T3而二极管连接，并正向偏置。另外，第二晶体管T2通过低电平的第一写入扫描信号SWj导通。这样的话，在从数据线DLi供应的数据信号Di中减少了第一晶体管T1的阈值电压(threshold voltage)(Vth)的补偿电压施加到第一晶体管T1的第三电极。

可以是，在电容器Cst的两端被施加第一驱动电压ELVDD和补偿电压(“Di-Vth”)，与两端电压差相对应的电荷存储到电容器Cst。在此，补偿扫描信号GCj的高电平时段可以指代为像素PXij的补偿时段。

另一方面，第七晶体管T7通过第二写入扫描线SWLj+1接收低电平的第二写入扫描信号GWj+1而导通。通过第七晶体管T7，驱动电流的一部分可以作为旁路电流通过第七晶体管T7流出。

若即使在显示黑色图像的第一晶体管T1的最小电流作为驱动电流流动的情况下发光元件ED也发光，则无法正常地显示黑色图像。因此，根据本发明的一实施例的像素PXij中的第七晶体管T7可以将第一晶体管T1的最小电流的一部分作为旁路电流分配到除了发光元件ED侧的电流路径之外的其它电流路径。在此，第一晶体管T1的最小电流意指由于第一晶体管T1的栅极-源极电压(Vgs)小于阈值电压(Vth)而在使第一晶体管T1截止的条件下的电流。在这种使第一晶体管T1截止的条件下的最小驱动电流传输到发光元件ED而表示为黑色亮度的图像。可以认为，当显示黑色图像的最小驱动电流流动时，旁路电流的旁路传输的影响较大，而另一方面，当显示常规图像或者白色图像之类图像的大的驱动电流流动时，几乎没有旁路电流的影响。因此，当显示黑色图像的驱动电流流动时，发光元件ED的发光电流以能够确切地表示黑色图像的程度具有最小的电流量，其中，所述发光元件ED的发光电流是从驱动电流中减少了通过第七晶体管T7流出的旁路电流的电流量。因此，可以通过利用第七晶体管T7实现正确的黑色亮度图像来提高对比度。

接着，从发光控制线EMLj供应的发光控制信号EMj从高电平改变为低电平。第五晶体管T5以及第六晶体管T6通过低电平的发光控制信号EMj导通。这样的话，根据第一晶体管T1的第三电极的电压和第一驱动电压ELVDD之间的电压差产生驱动电流，驱动电流通过第六晶体管T6供应到发光元件ED而发光电流流过发光元件ED。

传感器FXij连通于读出线RL1～RLm中的第i个读出线RLi(以下，称为读出线)、第j-1个写入扫描线SWLj-1以及第j个信号线SLj(以下，称为信号线)。另外，所述传感器FXij可以连通于第一至第三感应驱动电压线VL5、VL6、VL7。

传感器FXij包括光感测元件PE以及传感器驱动电路SDC。光感测元件PE可以包括光电二极管(photo-diode)。作为本发明的一例，光感测元件PE可以包括光电二极管作为光电转换层，所述光电二极管包括无机物质。可以是，光感测元件PE的阳极连接于第一感应节点SN1，阴极连接于第三感应驱动电压线VL7。第三感应驱动电压线VL7提供偏置电压Vbias。

传感器驱动电路SDC包括三个晶体管ST1～ST3。三个晶体管ST1～ST3可以分别是放大晶体管ST1、输出晶体管ST2以及复位晶体管ST3。放大晶体管ST1、输出晶体管ST2、复位晶体管ST3中的一部分可以是P-类型晶体管，一部分可以是N-类型晶体管。作为本发明的一例，放大晶体管ST1以及输出晶体管ST2可以是PMOS晶体管，复位晶体管ST3可以是NMOS晶体管。但是，不限于此，放大晶体管ST1、输出晶体管ST2以及复位晶体管ST3均可以是N-类型晶体管或均可以是P-类型晶体管。

根据本发明的传感器驱动电路SDC的电路构成不限于图5。图5所示的传感器驱动电路SDC仅为一个示例，传感器驱动电路SDC的构成可以通过改变来实施。

放大晶体管ST1包括连接到第一感应驱动电压线VL5的第一电极、与输出晶体管ST2连接的第二电极以及与第一感应节点SN1连接的第三电极。第一感应驱动电压线VL5可以提供各种电压。例如，第一感应驱动电压线VL5可以提供栅极低电压、初始化电压VINT或者第一驱动电压ELVDD。在本实施例中，示出了第一感应驱动电压线VL5提供第一驱动电压ELVDD。放大晶体管ST1可以根据第一感应节点SN1的电位导通而向输出晶体管ST2施加第一驱动电压ELVDD。

另一方面，当第一感应驱动电压线VL5提供第一驱动电压ELVDD时，第一感应驱动电压线VL5可以与第一驱动电压线VL1相同，但不限于此，第一感应驱动电压线VL5也可以形成为与第一驱动电压线VL1独立，不限于任一个实施例。

输出晶体管ST2包括与放大晶体管ST1连接的第一电极、与读出线RLi连接的第二电极以及连接到接收第j-1个写入扫描信号GWj-1的第j-1个写入扫描线SWLj-1的第三电极。输出晶体管ST2可以响应于第j-1个写入扫描信号GWj-1而将感测信号向读出线RLi传输。

复位晶体管ST3包括连接到接收复位电压VRST的第二感应驱动电压线VL6的第一电极、与第一感应节点SN1连接的第二电极以及连接到接收复位信号Reset的信号线SLj的第三电极。复位晶体管ST3可以响应于复位信号Reset而将第一感应节点SN1的电位复位为复位电压VRST。作为本发明的一例，复位电压VRST可以具有低于第二驱动电压ELVSS的电压电平。例如，复位电压VRST可以是栅极低电压。然而，其是示例性说明的，复位电压VRST可以是能够复位第一感应节点SN1的各种电压，不限于任一个实施例。另一方面，虽然未示出，复位晶体管ST3也可以包括串联连接在第二感应驱动电压线VL6和第一感应节点SN1之间的多个子复位晶体管。

在本实施例中，使复位晶体管ST3导通的信号线SLj可以提供为与连接到像素驱动电路PDC的扫描线(例如，写入扫描线、补偿扫描线以及初始化扫描线)独立。然而，其是示例性示出的，可以是，信号线SLj通过利用扫描线中的一部分来提供，复位信号Reset是扫描信号中的任一个，不限于任一个实施例。

光感测元件PE可以通过接收从像素PXij的发光元件ED输出的光被用户的手反射而入射的光来感测指纹信息。具体地，若用户的手US_F(参照图1)触摸正面IS(参照图1)，则光感测元件PE可以生成与被指纹的脊线(ridge)或者脊线之间的谷(valley)反射的光相对应的光电荷，并且，生成的光电荷蓄积到第一感应节点SN1。

放大晶体管ST1可以是与输入到第三电极的第一感应节点SN1的电荷量成比例地产生源极-漏极电流的源极跟随放大器(source follower amplifier)。

如此，可以是，在显示面板DP(参照图4)中设置有像素PXij以及传感器FXij，传感器FXij通过形成在显示面板DP中的信号线驱动。由此，可以省略通过单独的粘合层等进行的传感器组装工艺。另外，可以通过一个面板显示图像的同时感测用户的生物信息，从而可以提供用户的便利性提高的电子装置。

图6是根据本发明的一实施例的电子装置的截面图。以下，将参照图6说明本发明。

如图6所示，电子装置EA(参照图2)包括基底层10、显示面板DP以及滤色器层CFL。基底层10可以与图2所示的基底层BL相对应。

基底层10可以包括合成树脂层。合成树脂层可以包括热固性树脂。尤其，合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，其材料不受特别限制。合成树脂层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂以及苝类树脂中的至少任一个。此外，基底层10可以包括玻璃基板、金属基板或者有机/无机复合材料基板等。

在基底层10上配置有电路层DP_CL。电路层DP_CL可以包括多个绝缘层21、22、23、24、25、26、27、28、29、多个驱动元件ST、SC、T1、T2以及光感测元件PE。可以是，绝缘层21、22、23、24、25、26、27、28、29包括第一至第九绝缘层21、22、23、24、25、26、27、28、29，驱动元件ST、SC、T1、T2包括感应晶体管ST、感应电容器SC、第一像素晶体管T1以及第二像素晶体管T2。

第一绝缘层21可以包括无机层。无机层可以包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物、锆氧化物以及铪氧化物中的至少一个。无机层可以形成为多层。多层无机层可以构成阻挡层(barrier layer)和/或缓冲层(buffer layer)。可以选择性地配置阻挡层和缓冲层。

阻挡层防止从外部流入异物。阻挡层可以包括硅氧化物层以及硅氮化物层。它们的每一个可以提供为多个，硅氧化物层和硅氮化物层可以交替层叠。

缓冲层可以配置在阻挡层上。缓冲层提高基底层10和半导体图案和/或导电图案之间的结合力。缓冲层可以包括硅氧化物层以及硅氮化物层。硅氧化物层和硅氮化物层可以交替层叠。

第一像素晶体管T1可以与图5所示的第一晶体管T1相对应。第一像素晶体管T1包括第一控制电极G1以及第一半导体图案A1。第一半导体图案A1配置在第一绝缘层21和第二绝缘层22之间，第一控制电极G1配置在第二绝缘层22和第三绝缘层23之间。

第一半导体图案A1可以包括半导体物质。例如，第一半导体图案A1可以包括多晶硅。然而，其是示例性说明的，第一半导体图案A1也可以包括非晶硅、单晶硅或者氧化物半导体，不限于任一个实施例。

在本实施例中，第一半导体图案A1可以包括沟道、源极以及漏极。沟道可以形成在在平面上与第一半导体图案A1中的第一控制电极G1重叠的区域中。源极以及漏极可以形成为隔着沟道隔开。源极以及漏极可以是与沟道相比具有相对高的导电性的部分。例如，源极以及漏极可以是第一半导体图案A1中的掺杂区域。P-类型的晶体管包括用P型掺杂剂掺杂的掺杂区域，N-类型的晶体管包括用N型掺杂剂掺杂的掺杂区域。

源极以及漏极可以分别与图5中的第一晶体管T1的第一电极以及第二电极相对应。另一方面，其是示例性示出的，第一像素晶体管T1的源极以及漏极也可以提供为与第一半导体图案A1接触的电极，不限于任一个实施例。

第一控制电极G1配置在第二绝缘层22上并配置为在平面上与第一半导体图案A1重叠。第一控制电极G1可以是金属图案的一部分。第一控制电极G1可以在掺杂第一半导体图案A1的工艺中起到掩模作用。第一控制电极G1可以与图5中的第一晶体管T1的第三电极相对应。

第二绝缘层22以及第三绝缘层23的每一个可以包括无机层和/或有机层，并且，可以具有单层或者多层结构。无机层可以包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物、锆氧化物以及铪氧化物中的至少一个。后述的绝缘层可以是无机层和/或有机层，并且，可以具有单层或者多层结构。无机层可以包括上述的物质中的至少任一个。

另一方面，电子装置EA可以还包括配置在第一控制电极G1上的上电极UE。上电极UE配置在第三绝缘层23和第四绝缘层24之间。上电极UE可以是金属图案的一部分。

上电极UE配置为与第一控制电极G1隔着第三绝缘层23隔开。上电极UE可以和第一控制电极G1形成电容器。电容器可以与图5所示的电容器Cst相对应或者构成电容器Cst的一部分。由此，可以防止由于电容器Cst导致的像素驱动电路PDC(参照图4)的面积增加，因此，能够有利于高分辨率电路设计。然而，其是示例性示出的，也可以省略上电极UE。

第二像素晶体管T2包括第二半导体图案A2以及第二控制电极G2。第二半导体图案A2配置在第四绝缘层24和第五绝缘层25之间，第二控制电极G2配置在第六绝缘层26和第五绝缘层25之间。第三绝缘层23覆盖第一像素晶体管T1。由此，第二像素晶体管T2可以在形成第一像素晶体管T1之后形成。

第二半导体图案A2配置在与第一半导体图案A1不同的层上。第二半导体图案A2可以由与第一半导体图案A1不同的物质形成。例如，第二半导体图案A2可以包括氧化物半导体。然而，其是示例性说明的，第一半导体图案A1也可以包括多晶硅、非晶硅或者单晶硅，不限于任一个实施例。另外，第二半导体图案A2也可以配置在与第一半导体图案A1相同的层上，不限于任一个实施例。

第二半导体图案A2包括与第二控制电极G2重叠的沟道、隔着沟道隔开的源极以及漏极。可以是，源极以及漏极分别与图5的第二晶体管T2的第一电极以及第二电极相对应，第二控制电极G2与第三电极相对应。以下，针对第二半导体图案A2以及第二控制电极G2的详细说明与针对第一半导体图案A1以及第一控制电极G1的说明相对应，将省略重复的说明。

另一方面，电子装置EA可以还包括与第二控制电极G2重叠并配置在第二半导体图案A2下侧的下电极BE。下电极BE可以配置在与上电极UE相同的层上。下电极BE可以是金属图案的一部分。

下电极BE可以防止由从基底层10入射的光导致的第二半导体图案A2的损坏。另外，下电极BE可以接收电信号而使第二晶体管T2具有双-栅极结构。另一方面，其是示例性示出的，在根据本发明的一实施例的电子装置EA中，也可以省略下电极BE。

感应晶体管ST包括半导体图案SA以及控制电极SG。半导体图案SA配置在与第一半导体图案A1相同的层上。半导体图案SA可以由与第一半导体图案A1相同的物质通过相同的工艺同时形成。然而，其是示例性说明的，半导体图案SA也可以配置在与第一半导体图案A1不同的层上或者由与第一半导体图案A1不同的物质形成，不限于任一个实施例。

半导体图案SA包括与控制电极SG重叠的沟道、隔着沟道隔开的源极以及漏极。可以是，源极以及漏极分别与图5的复位晶体管ST3的第一电极以及第二电极相对应，控制电极SG与第三电极相对应。以下，针对半导体图案SA以及控制电极SG的详细说明与针对第一半导体图案A1以及第一控制电极G1的说明相对应，将省略重复的说明。

感应电容器SC包括第一电容器电极SC1以及第二电容器电极SC2。第一电容器电极SC1和第二电容器电极SC2配置为隔着第二绝缘层22隔开。

第一电容器电极SC1可以配置在与第一半导体图案A1相同的层上。第一电容器电极SC1可以由与第一半导体图案A1相同的半导体物质形成，并将整个区域提供为掺杂区域，从而具有导电性。第二电容器电极SC2可以配置在与第一控制电极G1相同层上。第二电容器电极SC2可以包括金属。另一方面，其是示例性示出的，第一电容器电极SC1以及第二电容器电极SC2可以配置在与第一半导体图案A1以及第一控制电极G1不同的层上或者由不同的物质形成，不限于任一个实施例。

第六绝缘层26配置在第五绝缘层25上而覆盖第二像素晶体管T2。在第六绝缘层26上可以形成有多个导电图案CP1、CP2、CP3、CP4、CP5、CP6、CP7。导电图案CP1、CP2、CP3、CP4、CP5、CP6、CP7被第七绝缘层27覆盖。驱动元件可以通过导电图案CP1、CP2、CP3、CP4、CP5、CP6、CP7彼此电连接。导电图案CP1、CP2、CP3、CP4、CP5、CP6、CP7可以包括第一至第七导电图案CP1、CP2、CP3、CP4、CP5、CP6、CP7。

第一导电图案CP1和第二导电图案CP2连通于第一像素晶体管T1。可以是，第一导电图案CP1连接于第一像素晶体管T1的漏极(第一晶体管的第二电极)，第二导电图案CP2连接于第一像素晶体管T1的源极(第一晶体管的第一电极)。

第三导电图案CP3和第四导电图案CP4连通于第二像素晶体管T2。可以是，第三导电图案CP3连接于第二像素晶体管T2的漏极(第二晶体管的第一电极)，第四导电图案CP4连接于第二像素晶体管T2的源极(第二晶体管的第二电极)。

第五导电图案CP5和第六导电图案CP6连通于感应晶体管ST。可以是，第五导电图案CP5连接于感应晶体管ST的源极(复位晶体管的第一电极)，第六导电图案CP6连接于感应晶体管ST的漏极(复位晶体管的第二电极)。

另一方面，第六导电图案CP6也可以连通于感应电容器SC。第六导电图案CP6和第七导电图案CP7可以分别连接于第二电容器电极SC2和第一电容器电极SC1。

光感测元件PE配置在第六导电图案CP6上。光感测元件PE可以包括光二极管PIN以及阴极CC。光二极管PIN可以通过贯通第七绝缘层27来与第六导电图案CP6接触。第六导电图案CP6可以与光感测元件PE的阳极相对应。然而，其是示例性示出的，在第六导电图案CP6和光二极管PIN之间也可以配置有起到阳极功能的单独的导电图案，不限于任一个实施例。

第七绝缘层27可以是单层的硅氧化物层。然而，其是示例性说明的，如上所述，第七绝缘层27可以包括无机层和/或有机层，并且，可以具有单层或者多层结构。另外，无机层可以包括上述的无机物中的至少任一个。

光二极管PIN可以包括硅类二极管，并且，可以包括具有各种接合形式的结构。例如，光二极管PIN可以包括PN型二极管、PIN型二极管、肖特基二极管(schottky diode)或者雪崩二极管(avalanche diode)。本实施例中示例性示出了PIN型二极管。

光二极管PIN可以包括依次层叠的P型区域PR、本征区域IR以及N型区域NR。P型区域PR、本征区域IR以及N型区域NR的每一个可以包括半导体物质。例如，可以是，P型区域PR包括P型非晶硅，本征区域IR包括I型非晶硅，N型区域NR包括N型非晶硅。

阴极CC配置在光二极管PIN上。阴极CC可以与N型区域NR接触。阴极CC具有导电性。例如，阴极CC可以包括透明导电性氧化物。由此，从提供给正面IS(参照图1)的用户的指纹反射的光可以穿过阴极CC并稳定地到达光二极管PIN。然而，其是示例性说明的，阴极CC可以包括金属或者金属氧化物，也可以提供为与光二极管PIN的一部分重叠的面，不限于任一个实施例。

第八绝缘层28覆盖光感测元件PE。在第八绝缘层28上可以提供有多个导电图案CP8、CP9、CP10、CP11、CP12。导电图案CP8、CP9、CP10、CP11、CP12可以包括第八至第十二导电图案CP8、CP9、CP10、CP11、CP12。

第八导电图案CP8可以通过贯通第七绝缘层27和第八绝缘层28来连通于第一像素晶体管T1。第九导电图案CP9可以是连接像素驱动电路PDC的驱动元件的导电图案中的一部分。另外，第九导电图案CP9也可以阻断从上侧接收的光达到第二像素晶体管T2。

第十导电图案CP10连通于感应晶体管ST。第十导电图案CP10通过第五导电图案CP5向感应晶体管ST提供电信号。例如，第十导电图案CP10可以与传输复位电压VRST(参照图5)的第二感应驱动电压线VL6(参照图5)相对应。

第十一导电图案CP11连通于光感测元件PE。第十一导电图案CP11可以通过贯通第八绝缘层28来连接于阴极CC。因此，第十一导电图案CP11可以与第三感应驱动电压线VL7(参照图5)相对应。光感测元件PE可以通过第十一导电图案CP11接收偏置电压。然而，其是示例性说明的，第十一导电图案CP11可以接收各种电压，不限于任一个实施例。

第十二导电图案CP12连通于感应电容器SC。第十二导电图案CP12可以通过贯通地七绝缘层27和第八绝缘层28来与连通到第一电容器电极SC1的第七导电图案CP7连接。第十二导电图案CP12可以接收偏置电压。然而，其是示例性说明的，第十二导电图案CP12可以接收公共电压或其它各种电压，不限于任一个实施例。

第九绝缘层29配置在第八绝缘层28上而覆盖导电图案CP8、CP9、CP10、CP11、CP12。第八绝缘层28以及第九绝缘层29的每一个可以是单层的聚酰亚胺类树脂层。然而，其是示例性说明的，第八绝缘层28以及第九绝缘层29的每一个可以是有机层和/或无机层，并且，可以具有单层或者多层结构。有机层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂以及苝类树脂中的至少任一个。无机层可以包括上述的无机物中的至少任一个。

电路层DP_CL上配置有元件层DP_ED。元件层DP_ED包括发光元件ED、像素界定膜31以及间隔体32。发光元件ED可以包括第一电极E1、发光层EE以及第二电极E2。发光元件ED的第一电极E1配置在第九绝缘层29上。发光元件ED的第一电极E1可以通过贯通第九绝缘层29来与第八导电图案CP8连接。

在像素界定膜31中可以界定有第一开口部31_OPP以及第二开口部31_OPS。第一开口部31_OPP以及第二开口部31_OPS通过贯通像素界定膜31来界定。

第一开口部31_OPP与发光区域PXA重叠。第一开口部31_OPP可以界定从发光元件ED产生光的区域。第一开口部31_OPP暴露发光元件ED的第一电极E1的至少一部分。

第二开口部31_OPS与感应区域SEA重叠。第二开口部31_OPS可以界定从施加到正面IS的用户的指纹反射的光入射到光感测元件PE的区域。光感测元件PE通过接收穿过第二开口部31_OPS的光来感测指纹信息。

另一方面，在本实施例中，像素界定膜31可以具有黑颜色。由此，像素界定膜31可以还包括单独的黑色物质。例如，像素界定膜31可以还包括碳黑或者苯胺黑等黑色有机染料/颜料。像素界定膜31可以通过混合蓝色有机物质和黑色有机物质来形成。另外，像素界定膜31可以还包括拒液性有机物。然而，其是示例性说明的，在像素界定膜31中，也可以省略染料/颜料。

间隔体32配置在像素界定膜31上。在本实施例中，间隔体32可以配置在像素界定膜31中的一部分中。间隔体32支承在形成发光层EE时利用的掩模，并且，防止掩模导致的面板损坏。示出了间隔体32由与像素界定膜31相同的物质形成，但是，其是示例性示出的，间隔体32也可以由与像素界定膜31不同的物质形成。另外，间隔体32和像素界定膜31也可以形成为具有一体的形状，不限于任一个实施例。

发光层EE配置在第一开口部31_OPP中。发光层EE可以仅配置在与开口部31_OPP相对应的区域中。发光层EE可以形成为与多个像素PX(参照图3)的每一个分离。

本实施例中示例性示出了图案化的发光层EE，但是，发光层EE可以共同配置在多个像素PX中。此时，发光层EE可以生成白色光或者蓝色光。另外，发光层EE可以具有多层结构。

在发光层EE上配置有第二电极E2。第二电极E2共同配置在多个像素PX中。在第二电极E2上配置有封装层TFE。封装层TFE可以覆盖多个像素PX。在本实施例中，封装层TFE直接覆盖第二电极E2。

封装层TFE可以包括第一层41、第二层42以及第三层43。第一层41、第二层42以及第三层43的每一个可以是无机层或者有机层。例如，在本实施例中，第一层41、第二层42以及第三层43的每一个可以是无机层、有机层、无机层。封装层TFE可以包括交替层叠的多个无机层和多个有机层。

封装层TFE的无机层保护发光元件ED以免受水分/氧气的影响，封装层TFE的有机层保护发光元件ED以免受灰尘粒子之类异物的影响。无机层可以包括硅氮化物层、硅氮氧化物层、硅氧化物层、钛氧化物层或者铝氧化物层等，不限于任一个实施例。有机层可以包括丙烯酸系列有机层，不限于任一个实施例。

滤色器层CFL配置在封装层TFE上。滤色器层CFL可以包括多个绝缘层50、51、黑色矩阵BM以及滤色器CF。绝缘层50、51可以包括第一保护层50以及第二保护层51。黑色矩阵BM实质上可以界定非发光区域NPA。黑色矩阵BM可以通过阻断入射的光来防止光入射到除了发光区域PXA或感应区域SEA之外的其它区域。由此，可以防止由外部光导致的识别到下方驱动元件等的不良，从而可以改善识别性。

滤色器CF和黑色矩阵BM配置在第一保护层50和第二保护层51之间。第一保护层50和第二保护层51的每一个可以是有机物和/或无机物。另一方面，在根据本发明的一实施例的电子装置中，也可以省略第一保护层50和第二保护层51中的任一个。

根据本发明，用于指纹感测的感应区域SEA和显示图像的发光区域PXA可以提供在一个显示面板DP上。另外，光感测元件PE可以提供在电路层CP_CL中，从而可以通过一个面板显示图像的同时感测指纹。

图7是根据本发明的一实施例的电子装置的截面图。为了便于说明，图7中示出了与图6相对应的区域。以下，针对与图6中说明的构成相同的构成，将赋予相同的附图标记并省略重复的说明。

如图7所示，电子装置EA(参照图2)可以还包括输入感测层ISL。示出了输入感测层ISL配置在显示面板DP和滤色器层CFL之间，但是，其是示例性示出的，可以不同地设计输入感测层ISL的位置，不限于任一个实施例。

输入感测层ISL可以包括多个绝缘层61、62、63以及导电层ML1、ML2。导电层ML1、ML2的每一个配置在彼此不同的层上。在本实施例中，导电层ML1、ML2的每一个可以包括网格线。网格线配置为与非发光区域NPA重叠。由此，可以防止在发光区域PXA或感应区域SEA中识别的问题。然而，其是示例性示出的，导电层ML1、ML2的每一个可以包括透明导电性氧化物，并且，也可以配置为与发光区域PXA或感应区域SEA重叠，不限于任一个实施例。

根据本发明，通过一个面板，可以不仅显示图像，还感测从外部施加的触摸或者感测用户的生物信息。由此，可以提供具有各种功能的电子装置，从而可以提高用户的便利性。

图8a至图8m是示出根据本发明的一实施例的电子装置的制造方法的截面图。图8a至图8m中示出了与图6相对应的区域。以下，将参照图8a至图8m说明本发明。

如图8a所示，形成第一像素晶体管T1、第二像素晶体管T2、感应晶体管ST以及感应电容器SC。另外，通过多个导电图案CP1、CP2、CP3、CP4、CP5、CP6形成用于电连接各驱动元件的路径。

之后，如图8b所示，形成初始绝缘层27_I。初始绝缘层27_I可以通过蒸镀无机物来形成。初始绝缘层27_I可以通过覆盖导电图案CP1、CP2、CP3、CP4、CP5、CP6来电绝缘。

之后，如图8c所示，通过在初始绝缘层27_I中形成开口部27_OP来形成第七绝缘层27。开口部27_OP通过贯通第七绝缘层27来暴露第六导电图案CP6的一部分。

之后，如图8d所示，形成光二极管PIN。光二极管PIN可以通过依次层叠P型区域PR、本征区域IR以及N型区域NR来形成。P型区域PR、本征区域IR以及N型区域NR的每一个可以通过蒸镀/图案化半导体层来形成，但不限于此。

之后，如图8e所示，形成阴极CC。阴极CC可以通过蒸镀/图案化透明导电性氧化物来形成，但不限于此。阴极CC直接形成在光二极管PIN上，从而N型区域NR和阴极CC直接接触。

之后，如图8f所示，形成第八绝缘层28。在第八绝缘层28中可以形成有分别暴露第五导电图案CP5、第七导电图案CP7以及第一导电图案CP1的开口部28_OP1、28_OP2、28_OP3。第八绝缘层28可以通过蒸镀/图案化有机物来形成，但不限于此。

之后，如图8g所示，形成多个导电图案CP8、CP9、CP10、CP11、CP12。多个导电图案CP8、CP9、CP10、CP11、CP12可以填充开口部的每一个或者形成在周边而形成电压移动路径。

之后，如图8h所示，形成第九绝缘层29。在第九绝缘层29中可以形成有暴露第八导电图案CP8的开口部29_OP。第九绝缘层29可以通过蒸镀/图案化有机物来形成，但不限于此。

之后，如图8i所示，形成发光元件ED的第一电极E1。第一电极E1可以通过蒸镀/图案化导电性物质来形成，但不限于此。

之后，如图8j所示，形成像素界定膜31。在像素界定膜31中可以形成有与第一电极E1重叠的第一开口部31_OPP以及与光感测元件PE重叠的第二开口部31_OPS。像素界定膜31可以通过蒸镀/图案化绝缘物质来形成，但不限于此。另外，在本实施例中，像素界定膜31可以通过混合黑色染料/颜料等来形成。

之后，如图8k所示，形成间隔体32。间隔体32可以形成在像素界定膜31上。间隔体32可以由绝缘物质形成，并且，可以由与像素界定膜31相同或不同的物质形成。另一方面，在本实施例中，间隔体32可以通过与像素界定膜31分开的工艺形成，但是，像素界定膜31和间隔体32也可以通过半色调掩模等利用一个工艺形成，不限于任一个实施例。

之后，如8l所示，形成发光层EE。发光层EE可以选择性地形成在第一开口部31_OPP中。发光层EE可以通过印刷工艺或图案化工艺形成，但不限于任一个实施例。之后，如图8m所示，通过依次进行后续工艺来形成电子装置EA(参照图2)。

根据本发明，可以在电路层DP_CL形成工艺中形成光感测元件PE，从而省略光感测元件PE的组装工艺。另外，可以将光感测元件PE提供为与显示面板DP一体化，因此，可以提高便利性。

以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但对于本技术领域的熟练人员或者在本技术领域中具有通常知识的人员来说，能够理解可以在不超出所附的权利要求书中记载的本发明的构思以及技术领域的范围内，对本发明进行多种修改及变更。因此，本发明的技术范围并非通过说明书的详细说明中记载的内容来限定，而是应通过权利要求书的范围来限定。

Claims (20)

1.一种电子装置，其中，包括：

基底层；

像素界定膜，配置在所述基底层上并界定有第一开口部和第二开口部；

发光元件，配置在所述基底层上并与所述第一开口部重叠；

光感测元件，配置在所述基底层上并与所述第二开口部重叠，并且包括光电二极管以及与所述光电二极管接触的导电图案；

像素晶体管，连接到所述发光元件；以及

感应晶体管，连接到所述光感测元件，

所述光感测元件配置在配置有所述像素晶体管的层和配置有所述发光元件的层之间。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，

所述导电图案包括透明导电性氧化物。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，

所述像素晶体管包括第一半导体图案以及第一电极，

所述感应晶体管包括配置在与所述第一半导体图案相同的层上的半导体图案以及配置在与所述第一电极相同的层上的电极。

4.根据权利要求3所述的电子装置，其中，

所述电子装置还包括：

第一导电图案，连通到所述第一半导体图案；以及

第二导电图案，连通到所述感应晶体管的半导体图案并配置在与所述第一导电图案相同的层上，

所述光电二极管与所述第二导电图案接触。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其中，

所述电子装置还包括：

第二像素晶体管，与所述像素晶体管电连接，

所述第二像素晶体管包括第二半导体图案和第二电极，

所述第二半导体图案包括与所述第一半导体图案不同的物质。

6.根据权利要求5所述的电子装置，其中，

所述第二半导体图案和所述第二电极配置在配置有所述第一电极的层和配置有所述第一导电图案的层之间。

7.根据权利要求5所述的电子装置，其中，

所述电子装置还包括：

金属图案，配置在所述第二半导体图案下侧，

所述金属图案配置在与所述第一电极相同的层中。

8.根据权利要求5所述的电子装置，其中，

所述第二半导体图案包括氧化物半导体，

所述第一半导体图案包括多晶硅。

9.根据权利要求4所述的电子装置，其中，

所述电子装置还包括：

第三导电图案，配置在所述第一导电图案和所述发光元件之间并连通到所述第一导电图案和所述发光元件；以及

第四导电图案，连通到所述光感测元件，

所述第三导电图案和所述第四导电图案配置在相同的层中。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其中，

所述电子装置还包括：

滤色器层，配置在所述发光元件上并包括黑色矩阵，

在所述黑色矩阵中界定有与所述第一开口部以及所述第二开口部的每一个重叠的开口部。

11.根据权利要求10所述的电子装置，其中，

所述像素界定膜包括染料或者颜料。

12.根据权利要求10所述的电子装置，其中，

所述电子装置还包括：

输入感测层，配置在所述滤色器层和所述发光元件之间。

13.根据权利要求12所述的电子装置，其中，

所述输入感测层包括彼此连接的网格线，

在平面上，所述网格线与所述像素界定膜重叠。

14.一种电子装置，其中，包括：

基底层；

电路层，配置在所述基底层上并包括像素晶体管、光感测元件以及与所述光感测元件连通的感应晶体管；

像素界定膜，配置在所述电路层上并包括染料或者颜料，并且界定有第一开口部以及与所述第一开口部隔开而与所述光感测元件重叠的第二开口部；

发光元件，与所述第一开口部重叠；

封装层，配置在所述发光元件上；以及

滤色器层，配置在所述封装层上并包括黑色矩阵，

所述光感测元件包括：

光电二极管，配置在所述光感测元件上；以及

透明电极，配置在所述光电二极管上。

15.根据权利要求14所述的电子装置，其中，

所述像素晶体管以及所述感应晶体管包括配置在相同的层上的半导体图案和配置在相同的层上的电极。

16.根据权利要求15所述的电子装置，其中，

所述电子装置还包括：

导电图案，连通到所述感应晶体管的所述半导体图案，

所述光电二极管配置为接触在所述导电图案上。

17.根据权利要求16所述的电子装置，其中，

所述电子装置还包括：

第二像素晶体管，与所述像素晶体管隔开并连接到所述发光元件，

所述第二像素晶体管包括配置在分别与所述半导体图案以及所述电极不同的层上的第二半导体图案以及第二电极。

18.根据权利要求17所述的电子装置，其中，

所述第二像素晶体管包括氧化物半导体。

19.根据权利要求14所述的电子装置，其中，

所述像素晶体管和所述感应晶体管包括多晶硅。

20.根据权利要求14所述的电子装置，其中，

所述电子装置还包括：

输入感测层，配置在所述滤色器层和所述封装层之间。

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