CN116864464A - 一种半导体封装结构及其使用方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种半导体封装结构及其使用方法，属于半导体制作技术领域，包括封装基座,所述封装基座的侧壁安装有多个引脚，所述封装基座的顶端设置有封装内板，所述封装内板的顶端固定安装有封装夹板，所述封装夹板的顶部设置有封装上板，所述封装内板、封装夹板和封装上板之间围成安全槽，所述安全槽的内部设置有阻隔板。该发明在火灾发生时，通过不同活性气体在高温下的扩散作用，实现了对装置周围火势进行暂时的阻燃作用，为抢救设备元器件争取了一定时间；通过金属块的吸热作用来降低外界的接触温度，缓解了火灾时的高温影响，并通过金属的热传导进一步的加强了耐高温薄膜的破裂，保障了阻燃工序的稳定性以及及时性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制作领域，具体而言，涉及一种半导体封装结构及其使用方法。
背景技术
半导体在封装的过程中需要考虑的点众多，其中主要为防震、防磁以及散热的处理。
经检索，公开号为CN114843234B提出了一种半导体封装结构，该文案中表述了该方案通过铜板将半导体芯片的热量导入导热杆的内部，使导热杆散失热量进行散热，通过散热风扇提高导热杆的散热效率，由此实现了此装置的高效散热功能，便于将装置内部的半导体芯片热量导出，防止装置影响散热，提高了此装置的功能性。
上述方案主要适用于装置正常使用时的散热，虽提高了散热效率，但在设备所处环境发生火灾状况时，该结构的设置也会导致半导体内部组件的快速损坏，故而公开号为CN114843234B文案中提及的结构更适用于中低成本的半导体装置中进行设置，而在高成本的半导体装置中，火灾发生时更需要一种具有一定保护功能的封装结构。
如何发明一种半导体封装结构及其使用方法来改善这些问题，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
为了弥补以上不足，本发明提供了一种半导体封装结构及其使用方法，旨在改善火灾情况下半导体封装结构没有保护功能容易损毁的问题。
本发明提供一种半导体封装结构及其使用方法，包括：
封装基座,所述封装基座的侧壁安装有多个引脚，所述封装基座的顶端设置有封装内板，所述封装内板的顶端固定安装有封装夹板，所述封装夹板的顶部设置有封装上板，所述封装内板、封装夹板和封装上板之间围成安全槽，所述安全槽的内部设置有阻隔板；
绝热机构,所述绝热机构设置于所述封装内板的顶端，所述绝热机构用于发生火灾时对内部半导体构成的集成电路进行绝热保护；
导热机构,所述导热机构设置于所述安全槽内部，所述导热机构用于对半导体构成的集成电路正常使用时的散热和火灾发生时的热量传导。
优选的；
所述安全槽的出口端平面采用双内凹结构设置，所述阻隔板侧壁设置有密封圈，所述阻隔板与所述安全槽的侧壁之间紧密贴合。
优选的；
所述绝热机构包括绝热板、储气内管、第一导热块、第一储气腔、第二储气腔、耐高温薄膜、气推组件和转向组件，所述绝热板设置于所述封装内板的顶端，所述储气内管安装于所述封装内板、封装夹板和绝热板的组件内部，所述第一导热块设置于所述绝热板的侧壁，所述气推组件设置于所述储气内管的内部，所述第一储气腔开设于所述储气内管靠近第一导热块的一端，所述第二储气腔开设于所述储气内管远离第一导热块的一端，所述气推组件将所述第一储气腔与第二储气腔进行分隔，所述耐高温薄膜设置于所述第二储气腔远离第一导热块的一端，所述第一储气腔位于绝热板的内部。
优选的；
所述气推组件包括开设于所述储气内管侧壁的滑槽，所述滑槽的内部滑动连接有气动滑块，所述气动滑块朝向第一储气腔的一端与所述滑槽之间固定安装有绝缘弹簧，火灾未发生时，所述绝缘弹簧未发生形变，所述气动滑块的侧壁套设有密封圈。
优选的；
所述转向组件包括第一拐角块和第二拐角块，所述第一拐角块和第二拐角块皆安装于所述储气内管的出口端，所述第一拐角块安装于所述储气内管远离阻隔板的一端，所述第二拐角块安装于所述储气内管靠近阻隔板的一端，所述第一拐角块的侧壁截面采用弧形结构设置，所述弧形结构弯曲朝向安全槽的出口端，所述第二拐角块的侧壁截面采用直角结构设置。
优选的；
所述导热机构包括传热片、传热内槽、第二导热块、导热探头和导热腔，所述传热片固定安装于所述安全槽的内部，所述传热内槽开设于所述传热片的内部，所述第二导热块设置于所述传热片的侧壁，所述导热探头与所述第二导热块的侧壁之间进行固定连接，所述导热腔开设于所述导热探头与所述第二导热块的内部，所述导热腔与所述传热内槽之间相连通，所述第二导热块设置于所述传热片靠近底端的侧壁上。
优选的；
所述第一导热块贯穿绝热板并延长至第一储气腔端，所述第一储气腔内部填充有活性气体，所述第二储气腔内部填充有惰性气体，所述第二导热块的设置位置与所述耐高温薄膜之间相适配，所述导热探头的侧壁与所述耐高温薄膜之间保持贴合，所述导热探头的侧壁截面采用圆弧形结构设置，所述传热内槽内部设置有金属块，所述金属块的熔点小于所述传热片，所述传热片、封装内板、封装上板、第一导热块和阻隔板采用同种导热金属材质制作，所述金属块的熔点大于300℃，所述耐高温薄膜最低忍耐高温大于200℃。
本发明还提出了一种半导体封装结构使用方法，包括：
S1：所述封装内板、封装夹板和绝热板组件内部设置有储气内管，高温情况下所述储气内管内部的活性气体活性增强，所述第一储气腔内部气压上升；
S2:所述气动滑块在第一储气腔内部气压的作用下进行移动，并挤压所述第二储气腔内部的惰性气体，所述耐高温薄膜受到所述第二储气腔内部惰性气体和气动滑块的共同挤压作用；
S3:所述安全槽内部设置有传热片，所述传热片内部开设有传热内槽，所述传热内槽内部的金属块在高温作用下发生熔化并流向于第二导热块端后进入导热探头内，高温融化的金属溶液进入所述导热探头后向与导热探头相贴合的耐高温薄膜传导热量，在金属块熔化的过程中进行安全槽内部的热量吸收；
S3:所述耐高温薄膜在所述第二储气腔内部惰性气体和气动滑块的共同挤压以及所述导热探头端的热作用下，所述耐高温薄膜发生破碎排出所述第二储气腔内部的惰性气体，经由所述第一拐角块、第二拐角块和安全槽的导向作用，所述惰性气体对外界进行火势阻燃。
本发明的有益效果是：
1、利用在火灾发生时，通过不同活性气体在高温下的扩散作用，实现了对装置周围火势进行暂时的阻燃作用，为抢救设备元器件争取了一定时间。
2、通过金属块的吸热作用来降低外界的接触温度，缓解了火灾时的高温影响，并通过金属的热传导进一步的加强了耐高温薄膜的破裂，保障了阻燃工序的稳定性以及及时性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本发明实施方式提供的一种半导体封装结构及其使用方法整体结构示意图；
图2是本发明实施方式提供的一种半导体封装结构及其使用方法第一拆分结构示意图；
图3是本发明实施方式提供的一种半导体封装结构及其使用方法的上端封装结构示意图；
图4是本发明实施方式提供的一种半导体封装结构及其使用方法第二拆分结构示意图；
图5是本发明实施方式提供的一种半导体封装结构及其使用方法的俯视结构示意图；
图6是本发明实施方式提供的一种半导体封装结构及其使用方法A结构放大示意图；
图7是本发明实施方式提供的一种半导体封装结构及其使用方法B结构放大示意图；
图8是本发明实施方式提供的一种半导体封装结构及其使用方法侧视结构示意图；
图9是本发明实施方式提供的一种半导体封装结构及其使用方法左视结构示意图；
图10是本发明实施方式提供的一种半导体封装结构及其使用方法第三拆分结构示意图；
图11是本发明实施方式提供的一种半导体封装结构及其使用方法导热块结构示意图。
图中：100、封装基座；101、引脚；102、封装内板；103、封装夹板；104、封装上板；105、安全槽；106、阻隔板；200、绝热机构；201、绝热板；202、储气内管；203、第一导热块；204、滑槽；205、气动滑块；206、绝缘弹簧；207、第一储气腔；208、第二储气腔；209、耐高温薄膜；210、第一拐角块；211、第二拐角块；300、导热机构；301、传热片；302、传热内槽；303、第二导热块；304、导热探头；305、导热腔。
具体实施方式
为使本发明实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
参照图1-2，一种半导体封装结构，包括：
封装基座100,封装基座100的侧壁安装有多个引脚101，封装基座100的顶端设置有封装内板102，封装内板102的顶端固定安装有封装夹板103，封装夹板103的顶部设置有封装上板104，封装内板102、封装夹板103和封装上板104之间围成安全槽105，安全槽105的内部设置有阻隔板106；
绝热机构200,绝热机构200设置于封装内板102的顶端，绝热机构200用于发生火灾时对内部半导体构成的集成电路进行绝热保护；
导热机构300,导热机构300设置于安全槽105内部，导热机构300用于对半导体构成的集成电路正常使用时的散热和火灾发生时的热量传导。
参照图3-4，进一步进行阐述：
安全槽105的出口端平面采用双内凹结构设置，阻隔板106侧壁设置有密封圈，阻隔板106与安全槽105的侧壁之间紧密贴合。
需要说明的是：105采用双内凹结构设置，即为水平端的内凹，以及竖直端的向下内凹结构，此结构的设置可以增加气体的排出速率，而阻隔板106与安全槽105之间的侧壁紧密贴合，才能保证安全槽105的内部两端的气体不会发生向中部流动的对冲现象。
参照图5、6和图10，进一步进行阐述：
绝热机构200包括绝热板201、储气内管202、第一导热块203、第一储气腔207、第二储气腔208、耐高温薄膜209、气推组件和转向组件，绝热板201设置于封装内板102的顶端，储气内管202安装于封装内板102、封装夹板103和绝热板201的组件内部，第一导热块203设置于绝热板201的侧壁，气推组件设置于储气内管202的内部，第一储气腔207开设于储气内管202靠近第一导热块203的一端，第二储气腔208开设于储气内管202远离第一导热块203的一端，气推组件将第一储气腔207与第二储气腔208进行分隔，耐高温薄膜209设置于第二储气腔208远离第一导热块203的一端，第一储气腔207位于绝热板201的内部。
参照图6和7，进一步进行阐述：
气推组件包括开设于储气内管202侧壁的滑槽204，滑槽204的内部滑动连接有气动滑块205，气动滑块205朝向第一储气腔207的一端与滑槽204之间固定安装有绝缘弹簧206，火灾未发生时，绝缘弹簧206未发生形变，气动滑块205的侧壁套设有密封圈。
需要说明的是：火灾没发生时，绝缘弹簧206未发生形变说明在使用时绝缘弹簧206处于常规状态，此时第一储气腔207与第二储气腔208内部气体的气压力相同，气动滑块205的侧壁套设密封圈为了保护第一储气腔207内部的气体不外泄，在遇到火灾发生时，不会因为气体的外泄而增大火情。
参照图5和6，进一步进行阐述：
转向组件包括第一拐角块210和第二拐角块211，第一拐角块210和第二拐角块211皆安装于储气内管202的出口端，第一拐角块210安装于储气内管202远离阻隔板106的一端，第二拐角块211安装于储气内管202靠近阻隔板106的一端，第一拐角块210的侧壁截面采用弧形结构设置，弧形结构弯曲朝向安全槽105的出口端，第二拐角块211的侧壁截面采用直角结构设置。
需要说明的是：第一拐角块210的侧壁截面采用弧形结构设置且该弧形结构弯曲朝向安全槽105的出口端，第二拐角块211的侧壁截面采用直角结构设置，通过第二拐角块211直角的拦截和第一拐角块210弧形角的引导，配合阻隔板106可以对储气内管202内部排出的气体进行物理导向功能。
参照图5和6，进一步进行阐述：
导热机构300包括传热片301、传热内槽302、第二导热块303、导热探头304和导热腔305，传热片301固定安装于安全槽105的内部，传热内槽302开设于传热片301的内部，第二导热块303设置于传热片301的侧壁，导热探头304与第二导热块303的侧壁之间进行固定连接，导热腔305开设于导热探头304与第二导热块303的内部，导热腔305与传热内槽302之间相连通，第二导热块303设置于传热片301靠近底端的侧壁上。
参照图5、6和10，进一步进行阐述：
第一导热块203贯穿绝热板201并延长至第一储气腔207端，第一储气腔207内部填充有活性气体，第二储气腔208内部填充有惰性气体，第二导热块303的设置位置与耐高温薄膜209之间相适配，导热探头304的侧壁与耐高温薄膜209之间保持贴合，导热探头304的侧壁截面采用圆弧形结构设置，传热内槽302内部设置有金属块，金属块的熔点小于传热片301，传热片301、封装内板102、封装上板104、第一导热块203和阻隔板106采用同种导热金属材质制作，金属块的熔点大于300℃，耐高温薄膜209最低忍耐高温大于200℃。
需要说明的是：导热探头304的侧壁与耐高温薄膜209之间保持贴合为了保障导热机构300在进行热量传导时，导热探头304能与耐高温薄膜209之间发生接触，而导热探头304的侧壁截面采用圆弧形结构设置，则为了保障在装置移动时，不会由于导热探头304侧壁尖锐的结构设置而导致耐高温薄膜209发生破碎，此外，金属块的熔点小于传热片301，则表示传热内槽302内部的金属块在火灾发生时相比于传热片301会优先发生熔化。
一种半导体封装结构的使用方法，包括：
S1：封装内板102、封装夹板103和绝热板201组件内部设置有储气内管202，高温情况下储气内管202内部的活性气体活性增强，第一储气腔207内部气压上升；
S2:气动滑块205在第一储气腔207内部气压的作用下进行移动，并挤压第二储气腔208内部的惰性气体，耐高温薄膜209受到第二储气腔208内部惰性气体和气动滑块205的共同挤压作用；
S3:安全槽105内部设置有传热片301，传热片301内部开设有传热内槽302，传热内槽302内部的金属块在高温作用下发生熔化并流向于第二导热块303端后进入导热探头304内，高温融化的金属溶液进入导热探头304后向与导热探头304相贴合的耐高温薄膜209传导热量，在金属块熔化的过程中进行安全槽105内部的热量吸收；
S3:耐高温薄膜209在第二储气腔208内部惰性气体和气动滑块205的共同挤压以及导热探头304端的热作用下，耐高温薄膜209发生破碎排出第二储气腔208内部的惰性气体，经由第一拐角块210、第二拐角块211和安全槽105的导向作用，惰性气体对外界进行火势阻燃。
实施例一
本发明中，第一导热块203,、传热片301、封装内板102、封装上板104和阻隔板106采用同种金属材质制作(可采用钨合金，熔点在2600℃左右)，耐高温薄膜209可采用PI膜(可在400℃以下使用)。
绝热板201是采用绝热材质，第一储气腔207位于绝热板201的内部，内部填充有活性气体，第二储气腔208内部填充有惰性气体，但第一导热块203贯穿绝热板201与第一储气腔207内部活性气体发生接触，从而使得第一储气腔207内的活性气体能够接受外界火灾发生时传递的热量。
当无火灾发生时，封装基座100内部安装的半导体集成电路在运行时产生热量，由于钨合金材料的导热性，热量根据封装内板102到封装夹板103、封装内板102到传热片301、封装内板102到阻隔板106,然后封装夹板103、传热片301和阻隔板106到封装上板104的顺序进行热量传递，从而实现背景技术中所提及文案的支柱导热功能此为现有技术，不加以详细赘述。
当装载该半导体的装置的外部发生火灾时，高温情况下储气内管202内部的活性气体活性增强，第一储气腔207内部气压上升，气动滑块205在第一储气腔207内部气压的作用下进行移动，并挤压第二储气腔208内部的惰性气体，耐高温薄膜209在第二储气腔208内部惰性气体和气动滑块205的共同挤压作用下发生破碎，排出第二储气腔208内部的惰性气体，经由第一拐角块210、第二拐角块211和安全槽105的导向作用，惰性气体对外界进行火势阻燃，由于安全槽105的双内凹结构设置，即为水平端的内凹，以及竖直端的向下内凹结构，此结构的设置可以增加气体的排出速率，此外通过阻隔板106与安全槽105之间的侧壁紧密贴合，保证了安全槽105的内部两端的气体不会发生向中部流动的对冲现象，从而利用在火灾发生时，通过不同活性气体在高温下的扩散作用，实现了对装置周围火势进行暂时的阻燃作用，为抢救设备元器件争取了一定时间。
实施例二
实施例一中，在高温情况下，由于热传导的作用，内部元器件会受到一定的影响，此外，耐高温薄膜209在气压不足时无法发生破碎，耽误了阻燃时间，降低了对半导体所装载的集成电路的保护效率，为解决上述问题，进一步进行引申：
根据图4和10可知，其中，传热内槽302内部设置有金属块(可采用铝合金材质，熔点为600℃)，金属块的熔点小于传热片301，该金属块在火灾发生时相比于传热片301会优先发生熔化，与此同时，保障了在装载该半导体集成电路的设备工作时，熔点设置高于该设备运行的常温，则不会容易发生金属块的偶然性熔化现象。
当封装上板104端感受到火势时，由于热传导的作用，封装上板104端的热量作用于传热片301,传热内槽302内部的金属块接收热量开始熔化，此时金属块开始变成金属溶液，此过程中，通过金属块的吸热作用来降低外界的接触温度，缓解了火灾时的高温影响。
由于第二导热块303设置于传热片301的靠近底端的侧壁上，此时金属溶液向下流入第二导热块303中并充满导热探头304，导热探头304端与耐高温薄膜209之间相贴合，结合实施例一，在外部导热探头304高温作用下，以及耐高温薄膜209第二储气腔208内部惰性气体和气动滑块205的共同挤压作用，耐高温薄膜209发生破碎并排出第二储气腔208内部的惰性气体，经由第一拐角块210、第二拐角块211和安全槽105的导向作用，惰性气体对外界进行火势阻燃，在此过程中，相比实施例一，并通过金属的热传导进一步的加强了耐高温薄膜209的破裂，保障了阻燃工序的稳定性以及及时性。
在本发明的描述中，需要说明的是，电机具体的型号规格需根据该装置的实际规格等进行选型确定，具体选型计算方法采用本领域现有技术，故不再详细赘述，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖向”、“水平”、“顶端”、“底端”、“内部”、‘外部’、“顺时针”、“逆时针”、“轴向、“径向”、“周向”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简要描述，而不是指示或暗示所指的位置或元件必须具有特定的方位、以特定的方向构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”应为广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
Claims (8)
1.一种半导体封装结构及其使用方法，其特征在于，包括：
封装基座(100),所述封装基座(100)的侧壁安装有多个引脚(101)，所述封装基座(100)的顶端设置有封装内板(102)，所述封装内板(102)的顶端固定安装有封装夹板(103)，所述封装夹板(103)的顶部设置有封装上板(104)，所述封装内板(102)、封装夹板(103)和封装上板(104)之间围成安全槽(105)，所述安全槽(105)的内部设置有阻隔板(106)；
绝热机构(200),所述绝热机构(200)设置于所述封装内板(102)的顶端，所述绝热机构(200)用于发生火灾时对内部半导体构成的集成电路进行绝热保护；
导热机构(300),所述导热机构(300)设置于所述安全槽(105)内部，所述导热机构(300)用于对半导体构成的集成电路正常使用时的散热和火灾发生时的热量传导。
2.根据权利要求1所述的一种半导体封装结构及其使用方法，其特征在于，所述安全槽(105)的出口端平面采用双内凹结构设置，所述阻隔板(106)侧壁设置有密封圈，所述阻隔板(106)与所述安全槽(105)的侧壁之间紧密贴合。
3.根据权利要求2所述的一种半导体封装结构及其使用方法，其特征在于，所述绝热机构(200)包括绝热板(201)、储气内管(202)、第一导热块(203)、第一储气腔(207)、第二储气腔(208)、耐高温薄膜(209)、气推组件和转向组件，所述绝热板(201)设置于所述封装内板(102)的顶端，所述储气内管(202)安装于所述封装内板(102)、封装夹板(103)和绝热板(201)的组件内部，所述第一导热块(203)设置于所述绝热板(201)的侧壁，所述气推组件设置于所述储气内管(202)的内部，所述第一储气腔(207)开设于所述储气内管(202)靠近第一导热块(203)的一端，所述第二储气腔(208)开设于所述储气内管(202)远离第一导热块(203)的一端，所述气推组件将所述第一储气腔(207)与第二储气腔(208)进行分隔，所述耐高温薄膜(209)设置于所述第二储气腔(208)远离第一导热块(203)的一端，所述第一储气腔(207)位于绝热板(201)的内部。
4.根据权利要求3所述的一种半导体封装结构及其使用方法，其特征在于，所述气推组件包括开设于所述储气内管(202)侧壁的滑槽(204)，所述滑槽(204)的内部滑动连接有气动滑块(205)，所述气动滑块(205)朝向第一储气腔(207)的一端与所述滑槽(204)之间固定安装有绝缘弹簧(206)，火灾未发生时，所述绝缘弹簧(206)未发生形变，所述气动滑块(205)的侧壁套设有密封圈。
5.根据权利要求4所述的一种半导体封装结构及其使用方法，其特征在于，所述转向组件包括第一拐角块(210)和第二拐角块(211)，所述第一拐角块(210)和第二拐角块(211)皆安装于所述储气内管(202)的出口端，所述第一拐角块(210)安装于所述储气内管(202)远离阻隔板(106)的一端，所述第二拐角块(211)安装于所述储气内管(202)靠近阻隔板(106)的一端，所述第一拐角块(210)的侧壁截面采用弧形结构设置，所述弧形结构弯曲朝向安全槽(105)的出口端，所述第二拐角块(211)的侧壁截面采用直角结构设置。
6.根据权利要求5所述的一种半导体封装结构及其使用方法，其特征在于，所述导热机构(300)包括传热片(301)、传热内槽(302)、第二导热块(303)、导热探头(304)和导热腔(305)，所述传热片(301)固定安装于所述安全槽(105)的内部，所述传热内槽(302)开设于所述传热片(301)的内部，所述第二导热块(303)设置于所述传热片(301)的侧壁，所述导热探头(304)与所述第二导热块(303)的侧壁之间进行固定连接，所述导热腔(305)开设于所述导热探头(304)与所述第二导热块(303)的内部，所述导热腔(305)与所述传热内槽(302)之间相连通，所述第二导热块(303)设置于所述传热片(301)靠近底端的侧壁上。
7.根据权利要求1所述的一种半导体封装结构及其使用方法，其特征在于，所述第一导热块(203)贯穿绝热板(201)并延长至第一储气腔(207)端，所述第一储气腔(207)内部填充有活性气体，所述第二储气腔(208)内部填充有惰性气体，所述第二导热块(303)的设置位置与所述耐高温薄膜(209)之间相适配，所述导热探头(304)的侧壁与所述耐高温薄膜(209)之间保持贴合，所述导热探头(304)的侧壁截面采用圆弧形结构设置，所述传热内槽(302)内部设置有金属块，所述金属块的熔点小于所述传热片(301)，所述传热片(301)、封装内板(102)、封装上板(104)、第一导热块(203)和阻隔板(106)采用同种导热金属材质制作，所述金属块的熔点大于300℃，所述耐高温薄膜(209)最低忍耐高温大于200℃。
8.本发明还提出了一种半导体封装结构使用方法，其特征在于，包括：
S1：所述封装内板(102)、封装夹板(103)和绝热板(201)组件内部设置有储气内管(202)，高温情况下所述储气内管(202)内部的活性气体活性增强，所述第一储气腔(207)内部气压上升；
S2:所述气动滑块(205)在第一储气腔(207)内部气压的作用下进行移动，并挤压所述第二储气腔(208)内部的惰性气体，所述耐高温薄膜(209)受到所述第二储气腔(208)内部惰性气体和气动滑块(205)的共同挤压作用；
S3:所述安全槽(105)内部设置有传热片(301)，所述传热片(301)内部开设有传热内槽(302)，所述传热内槽(302)内部的金属块在高温作用下发生熔化并流向于第二导热块(303)端后进入导热探头(304)内，高温融化的金属溶液进入所述导热探头(304)后向与导热探头(304)相贴合的耐高温薄膜(209)传导热量，在金属块熔化的过程中进行安全槽(105)内部的热量吸收；
S3:所述耐高温薄膜(209)在所述第二储气腔(208)内部惰性气体和气动滑块(205)的共同挤压以及所述导热探头(304)端的热作用下，所述耐高温薄膜(209)发生破碎排出所述第二储气腔(208)内部的惰性气体，经由所述第一拐角块(210)、第二拐角块(211)和安全槽(105)的导向作用，所述惰性气体对外界进行火势阻燃。
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