CN116861832A - 一种芯片仿真模型的修正方法、装置、设备及介质 - Google Patents
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- 238000004088 simulation Methods 0.000 title claims abstract description 141
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 120
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 17
- 230000005477 standard model Effects 0.000 claims description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 45
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 15
- 235000013599 spices Nutrition 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/36—Circuit design at the analogue level
- G06F30/367—Design verification, e.g. using simulation, simulation program with integrated circuit emphasis [SPICE], direct methods or relaxation methods
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本发明公开一种芯片仿真模型的修正方法、装置、设备及介质,该方法包括:首先根据初始数据形成初始模型曲线,其次确定预设选择窗,通过预设选择窗多次扫描初始模型曲线,获得多个修正模型曲线,其中,修正模型曲线为预设选择窗内的所述初始模型曲线,再次根据每个修正模型曲线对应的修正模型数据生成仿真波形,最后将每个仿真波形与标准波形进行对比,确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据。由于将每个修正模型曲线对应的修正模型数据生成的仿真波形与标准波形进行对比,将误差参数最小的修正模型数据作为最终修正数据,从而可以减少初始模型曲线中的无效稳态时间,提高了芯片仿真模型支持的最高频率,进而提高芯片仿真模型的仿真精度。
Description
技术领域
本发明涉及电路仿真领域,特别涉及一种芯片仿真模型的修正方法、装置、设备及介质。
背景技术
输入/输出缓冲器信息规范(Input/Output Buffer InformationSpecification,IBIS)模型是当下仿真主要使用的仿真模型类型,相比于仿真电路模拟器(Simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型,IBIS模型具有仿真效率高,仿真时间短且不会泄露芯片内部设计细节等优点。但由于IBIS模型是由SPICE模型转换而来,在提高仿真效率的同时,会导致仿真精度的下降,造成仿真结果眼图失真,比如抖动现象,边沿不连续,某个边沿在前一个边沿尚未结束时出现,因此,如何在保证仿真效率的前提下不影响仿真精度成为高速电路仿真中的一个重大挑战。
发明内容
本发明提供一种芯片仿真模型的修正方法、装置、设备及介质,用以解决仿真模型如何在提高仿真效率的同时不影响仿真精度的问题。
第一方面,本发明实施例提供一种芯片仿真模型的修正方法,该方法包括:
根据初始数据形成初始模型曲线;
确定预设选择窗,通过所述预设选择窗多次扫描所述初始模型曲线,获得多个修正模型曲线,其中,所述修正模型曲线为预设选择窗内的所述初始模型曲线;
根据每个所述修正模型曲线对应的修正模型数据生成仿真波形;
将每个所述仿真波形与标准波形进行对比,确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据。
在一种可能的实施方式中,所述确定预设选择窗包括确定预设选择窗的宽度和确定预设选择窗的长度,所述确定预设选择窗的宽度包括:
获取所述芯片仿真模型支持的最高频率;
根据预设规则,选择比所述最高频率的倒数小0.5%~5%的数值作为所述预设选择窗的宽度。
在一种可能的实施方式中,所述确定预设选择窗的宽度之后,所述通过所述预设选择窗多次扫描所述初始模型曲线之前,还包括:
根据所述初始模型曲线的幅值最大的波峰和幅值最大的波谷之间的垂直距离,确定所述预设选择窗的长度;
根据所述预设选择窗的长度和所述预设选择窗的宽度,确定所述预设选择窗。
在一种可能的实施方式中,所述通过预设选择窗多次扫描所述初始模型曲线,获得多个修正模型曲线,包括:
确定预设选择窗的步进长度和初始位置;
将所述预设选择窗由移动起点处沿着所述初始模型曲线的横坐标方向多次移动,每次移动所述步进长度;
将所述初始位置处所述预设选择窗内的所述初始模型曲线和每次移动后所述预设选择窗内的初始模型曲线,作为所述多个修正模型曲线。
在一种可能的实施方式中,所述将所述预设选择窗由移动起点处沿着所述初始模型曲线的横坐标方向多次移动,包括:
若在所述预设选择窗外的曲线波动幅度大于所述初始模型曲线波动幅度的3%~8%,则所述预设选择窗停止移动;
所述预设选择窗宽度为所述步进长度的20~100倍;
所述初始位置为所述预设选择窗靠近坐标原点的一侧所在的横坐标,所述初始位置为所述初始模型曲线的0~10ps中的任意一点;
所述初始模型曲线波动幅度为所述初始模型曲线中最高点纵坐标与最低点纵坐标的差值。
在一种可能的实施方式中,所述根据每个所述修正模型曲线对应的修正模型数据生成仿真波形,包括:
获取所述修正模型数据中的电压或电流值,将所述修正模型数据带入标准驱动模型中;
向所述标准驱动模型输入激励信号生成所述修正模型数据的仿真波形。
在一种可能的实施方式中,所述标准波形为将标准模型数据带入所述标准驱动模型中,向所述标准驱动模型输入与所述修正模型数据相同的激励信号生成的波形。
在一种可能的实施方式中,所述将每个所述仿真波形与标准波形进行对比,包括:
对比所述仿真波形与标准波形幅值,以及对比所述仿真波形与标准波形幅值的轮廓。
在一种可能的实施方式中,所述对比所述仿真波形与标准波形幅值,包括:
计算所述仿真波形与标准波形中每一个波形的幅值差值与标准波形的幅值比;
确定所述仿真波形总幅值比的平均值、方差、平均差中的一个或多个为第一误差参数。
在一种可能的实施方式中,所述对比所述仿真波形与标准波形幅值的轮廓包括:
在所述仿真波形中选择多个误差确定点;
计算各误差确定点在所述仿真波形上纵坐标与标准波形的纵坐标差值;
确定多个误差确定点纵坐标差值的平均值、方差、平均差中的一个或多个为第二误差参数。
在一种可能的实施方式中,所述确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据,包括:
选择所述第一误差参数值和所述第二误差参数值中最小的所述仿真波形所对应的修正模型数据为最终修正数据。
在一种可能的实施方式中,所述将每个所述仿真波形与标准波形进行对比,包括:
将每个所述仿真波形对应的仿真眼图与标准波形对应的标准眼图进行对比。
在一种可能的实施方式中,所述将每个所述仿真波形对应的仿真眼图与标准波形对应的标准眼图进行对比,包括:
对比仿真眼图与标准眼图的边沿交叉点坐标,对比仿真眼图中方孔与标准眼图中方孔的长度;
将所述仿真眼图的边沿交叉点与所述标准眼图的边沿交叉点对比,确定交叉点的横坐标及纵坐标的差值为第三误差参数;
对比仿真眼图中方孔为与标准眼图中方孔的长度,确定仿真眼图中方孔长度与标准眼图中方孔长度的差值为第四误差参数。
在一种可能的实施方式中,所述确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据,包括:
选择所述第三误差参数值和所述第四误差参数值中最小的所述仿真波形所对应的修正模型数据为最终修正数据。
第二方面,本发明实施例提供一种芯片仿真模型的修正装置,该装置包括:
第一曲线生成模块,用于根据初始数据形成初始模型曲线;
第二曲线生成模块,用于确定预设选择窗,通过所述预设选择窗多次扫描所述初始模型曲线,获得多个修正模型曲线,其中,所述修正模型曲线为预设选择窗内的所述初始模型曲线;
波形生成模块,根据每个所述修正模型曲线对应的修正模型数据生成仿真波形;
确定模块,将每个所述仿真波形与标准波形进行对比,确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据。
在一种可能的实施方式中,所述第二曲线生成模块用于确定预设选择窗包括确定预设选择窗的宽度和确定预设选择窗的长度,所述确定预设选择窗的宽度包括:
获取所述芯片仿真模型支持的最高频率;
根据预设规则,选择比所述最高频率的倒数小0.5%~5%的数值作为所述预设选择窗的宽度。
在一种可能的实施方式中,所述确定预设选择窗的宽度之后,所述通过所述预设选择窗多次扫描所述初始模型曲线之前,所述第二预设曲线生成模块还用于:
根据所述初始模型曲线的幅值最大的波峰和幅值最大的波谷之间的垂直距离,确定所述预设选择窗的长度;
根据所述预设选择窗的长度和所述预设选择窗的宽度,确定所述预设选择窗。
在一种可能的实施方式中,所述第二曲线生成模块用于通过预设选择窗多次扫描所述初始模型曲线,获得多个修正模型曲线,包括:
确定预设选择窗的步进长度和初始位置;
将所述预设选择窗由移动起点处沿着所述初始模型曲线的横坐标方向多次移动,每次移动所述步进长度;
将所述初始位置处所述预设选择窗内的所述初始模型曲线和每次移动后所述预设选择窗内的初始模型曲线,作为所述多个修正模型曲线。
在一种可能的实施方式中,所述第二曲线生成模块用于将所述预设选择窗由移动起点处沿着所述初始模型曲线的横坐标方向多次移动,包括:
若在所述预设选择窗外的曲线波动幅度大于所述初始模型曲线波动幅度的3%~8%,则所述预设选择窗停止移动;
所述预设选择窗宽度为所述步进长度的20~100倍;
所述初始位置为所述预设选择窗靠近坐标原点的一侧所在的横坐标,所述初始位置为所述初始模型曲线的0~10ps中的任意一点;
所述初始模型曲线波动幅度为所述初始模型曲线中最高点纵坐标与最低点纵坐标的差值。
在一种可能的实施方式中,所述波形生成模块用于根据每个所述修正模型曲线对应的修正模型数据生成仿真波形,包括:
获取所述修正模型数据中的电压或电流值,将所述修正模型数据带入标准驱动模型中;
向所述标准驱动模型输入激励信号生成所述修正模型数据的仿真波形。
在一种可能的实施方式中,所述标准波形为将标准模型数据带入所述标准驱动模型中,向所述标准驱动模型输入与所述修正模型数据相同的激励信号生成的波形。
在一种可能的实施方式中,所述确定模块用于将每个所述仿真波形与标准波形进行对比,包括:
对比所述仿真波形与标准波形幅值,以及对比所述仿真波形与标准波形幅值的轮廓。
在一种可能的实施方式中,所述确定模块用于对比所述仿真波形与标准波形幅值,包括:
计算所述仿真波形与标准波形中每一个波形的幅值差值与标准波形的幅值比;
确定所述仿真波形总幅值比的平均值、方差、平均差中的一个或多个为第一误差参数。
在一种可能的实施方式中,所述波形生成模块用于对比所述仿真波形与标准波形幅值的轮廓包括:
在所述仿真波形中选择多个误差确定点;
计算各误差确定点在所述仿真波形上纵坐标与标准波形的纵坐标差值;
确定多个误差确定点纵坐标差值的平均值、方差、平均差中的一个或多个为第二误差参数。
在一种可能的实施方式中,所述确定模块用于确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据,包括:
选择所述第一误差参数值和所述第二误差参数值中最小的所述仿真波形所对应的修正模型数据为最终修正数据。
在一种可能的实施方式中,所述确定模块用于将每个所述仿真波形与标准波形进行对比,包括:
将每个所述仿真波形对应的仿真眼图与标准波形对应的标准眼图进行对比。
在一种可能的实施方式中,所述确定模块用于将每个所述仿真波形对应的仿真眼图与标准波形对应的标准眼图进行对比,包括:
对比仿真眼图与标准眼图的边沿交叉点坐标,对比仿真眼图中方孔与标准眼图中方孔的长度;
将所述仿真眼图的边沿交叉点与所述标准眼图的边沿交叉点对比,确定交叉点的横坐标及纵坐标的差值为第三误差参数;
对比仿真眼图中方孔为与标准眼图中方孔的长度,确定仿真眼图中方孔长度与标准眼图中方孔长度的差值为第四误差参数。
在一种可能的实施方式中,所述确定模块用于确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据,包括:
选择所述第三误差参数值和所述第四误差参数值中最小的所述仿真波形所对应的修正模型数据为最终修正数据。
第三方面,本发明实施例提供一种电子设备,包括:处理器;用于存储处理器可执行指令的存储器;其中,所述处理器通过运行所述可执行指令以实现第一方面中任一项所述方法的步骤。
第四方面,本发明实施例提供一种计算机可读写存储介质,其上存储有计算机指令,该指令被处理器执行时实现第一方面中任一项所述方法的步骤。
本发明有益效果如下:
本发明实施例公开的一种芯片仿真模型的修正方法、装置、设备及介质,该方法包括:首先根据初始数据形成初始模型曲线,然后确定预设选择窗,通过预设选择窗多次扫描初始模型曲线,获得多个修正模型曲线,其中,修正模型曲线为预设选择窗内的所述初始模型曲线,再然后根据每个修正模型曲线对应的修正模型数据生成仿真波形,最后将每个仿真波形与标准波形进行对比,确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据。由于通过预设选择窗从初始模型曲线中选择多个修正模型曲线,并将每个修正模型曲线对应的修正模型数据生成的仿真波形与标准波形进行对比,将误差参数最小的修正模型数据作为最终修正数据,从而可以减少初始模型曲线中的无效稳态时间,提高了芯片仿真模型支持的最高频率,避免了超频现象的发生,进而提高芯片IBIS仿真模型的仿真精度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a为相关技术中的一种上升沿电压-时间曲线示意图;
图1b为相关技术中的一种上升沿电流-时间曲线示意图;
图1c为相关技术中的一种下降沿电流-时间曲线示意图;
图1d为相关技术中的一种下降沿电流-时间曲线示意图;
图2为本发明实施例提供一种芯片仿真模型的修正方法的流程示意图;
图3为本发明实施例提供一种芯片仿真模型的修正方法的具体流程示意图;
图4a为本发明实施例提供的一种电压-时间表中预设选择窗的示意图;
图4b为本发明实施例提供的一种电流-时间表中预设选择窗的示意图;
图5a为本发明实施例提供的一种电压-时间表中预设选择窗的步进示意图;
图5b为本发明实施例提供的一种电流-时间表中预设选择窗的步进示意图;
图6a为本发明实施例提供的一种修正模型曲线的电压-时间上升沿示意图;
图6b为本发明实施例提供的一种修正模型曲线的电流-时间上升沿示意图;
图7为本发明实施例提供的一种仿真电路的结构示意图;
图8为本发明实施例提供的一种眼图对比示意图;
图9a为本发明实施例提供的另一种眼图对比示意图;
图9b为本发明实施例提供的一种仿真眼图的方孔示意图;
图9c为本发明实施例提供的一种标准眼图的方孔示意图;
图10为本发明实施例提供的一种芯片仿真模型的修正装置的结构示意图;
图11为本发明实施例提供的一种芯片仿真模型的电子设备的结构示意图;
图12为本发明实施例提供的一种芯片仿真模型的程序产品示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
目前在电路仿真领域,随着芯片内部门级电路数目增多,在系统仿真时所需要的时间增长。通常本领域人员通过不同的模型来仿真验证电路的功能,其中,电路仿真使用最广泛的就是SPICE模型和IBIS模型,IBIS模型是由SPICE模型转换而来的,在提高仿真效率的同时,会造成仿真精度的下降,因此,如何在保证仿真效率的前提下不影响仿真精度成为高速电路仿真中的一个重大挑战。其中,超频问题是SPICE模型转IBIS模型后经常遇到的问题之一。
IBIS模型的超频问题是指使用该IBIS模型进行仿真时,施加的SPICE模型支持频率F超出了该IBIS模型支持的最高频率Fmax。IBIS模型包括一系列的电压-电流曲线,电压-电流曲线包括电压-时间曲线和电流-时间曲线,如图1a所示,为相关技术中的一种上升沿电压-时间曲线示意图,如图1b所示,为相关技术中的一种上升沿电流-时间曲线示意图,如图1c所示,为相关技术中的一种下降沿电流-时间曲线示意图,如图1d所示,为相关技术中的一种下降沿电流-时间曲线示意图,综合前述曲线,电压-电流曲线的上升沿时间Tr与下降沿时间Tf之和,决定了该IBIS模型能够支持的最高频率Fmax,即Fmax=1/(Tr+Tf),在SPICE模型转换成IBIS模型后,会在上升沿、下降沿的前后不可避免地引入一段无用的稳态时间,而这段稳态时间的加入,导致上升沿时间Tr和下降沿时间Tf的增加,从而降低了IBIS模型能够正常工作的最高频率Fmax,此时如果强行让IBIS模型运行在SPICE模型的频率F,会造成仿真结果的失真。
基于上述问题,本发明实施例提供一种芯片仿真模型的修正方法、装置、设备及介质,用以解决如何在提高仿真效率的同时不影响仿真精度的问题。
下面结合上述描述的应用场景,参考附图来描述本申请示例性实施方式提供的芯片仿真模型的修正方法,需要注意的是,上述应用场景仅是为了便于理解本申请的精神和原理而示出,本申请的实施方式在此方面不受任何限制。
如图2所示,为本发明实施例提供的一种芯片仿真模型的修正方法的流程示意图,该方法包括:
步骤201,根据初始数据形成初始模型曲线;
步骤202,确定预设选择窗,通过预设选择窗多次扫描初始模型曲线,获得多个修正模型曲线,其中,修正模型曲线为预设选择窗内的所述初始模型曲线;
步骤203,根据每个修正模型曲线对应的修正模型数据生成仿真波形;
步骤204,将每个仿真波形与标准波形进行对比,确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据。
本发明实施例公开的一种芯片仿真模型的修正方法,该方法包括:根据初始数据形成初始模型曲线;确定预设选择窗,通过预设选择窗多次扫描初始模型曲线,获得多个修正模型曲线,其中,修正模型曲线为预设选择窗内的所述初始模型曲线;根据每个修正模型曲线对应的修正模型数据生成仿真波形;将每个仿真波形与标准波形进行对比,确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据,由于通过预设选择窗从初始模型曲线中选择多个修正模型曲线,并将每个修正模型曲线对应的修正模型数据生成的仿真波形与标准波形进行对比,将误差参数最小的修正模型数据作为最终修正数据,从而可以减少初始模型曲线中的无效稳态时间,提高了芯片仿真模型支持的最高频率,避免了超频现象的发生,进而提高芯片仿真模型的仿真精度。
下面对上述芯片仿真模型的修正方法进行详细说明:
如图3所示,为本发明实施例提供一种芯片仿真模型的修正方法的具体流程示意图,该方法包括:
步骤301,根据初始数据形成初始模型曲线,执行步骤302;
需要说明的是,IBIS模型内部的上升/下降沿波形都是以数据的形式体现的,如表1所示,为相关技术中的一种上升沿波形数据。在使用具有很长的前后无效稳态时间的IBIS模型时,有些仿真软件支持自动移除这些前后稳态时间,但有些软件不具备自动移除功能,因此从源头,即IBIS模型文件上提前去除前后稳态时间,可以保证IBIS模型在各类仿真软件上都可以正常工作,而不会遇到超频问题。
表1
步骤302,获取芯片支持的最高频率,根据预设规则,选择比最高频率的倒数小0.5%~5%的数值作为预设选择窗的宽度;根据初始模型曲线的幅值最大的波峰和幅值最大的波谷之间的垂直距离,确定预设选择窗的长度,执行步骤303。
比如,结合图1a和图1b,若待测芯片的支持的最高频率是4.266Gbps,对最高频率取倒数,得到1/4.266Gbps=234.4ps,然后选择比最高频率倒数小0.5%~5%的数值,比如将230ps作为预设选择窗的宽度。同时,根据初始模型曲线的幅值最大的波峰和幅值最大的波谷之间的垂直距离,确定预设选择窗的长度,为了尽量让电压-时间曲线和电流-时间曲线变化的绝大部分都在预设选择窗内,预设选择窗的长度应该大于初始模型曲线的幅值最大的波峰和幅值最大的波谷之间的垂直距离。为了保险起见,可以使预设选择窗的长度远大于初始模型曲线的幅值最大的波峰和幅值最大的波谷之间的垂直距离,比如对于图1a将420mV作为预设选择窗的长度,对于图1b将1.9mA作为预设选择窗的长度,为了方便计算,可以将前述两种预设选择窗的长度统一,得到预设选择窗的长度,综上所述,得到预设选择窗的长度a和宽度b。
步骤303,根据预设选择窗的长度和宽度,确定预设选择窗,执行步骤304。
参照步骤302中的示例,结合图1a,如图4a所示,为本发明实施例提供的一种电压-时间表中预设选择窗的示意图,窗口的长度为a1,窗口的宽度为b1,如图4b所示,为本发明实施例提供的一种电流-时间表中预设选择窗的示意图,窗口的长度为a2,窗口的宽度为b2。
步骤304,确定预设选择窗的步进长度和初始位置,执行步骤305。
在具体实施中,步进长度可以设置为预设选择窗宽度的倍,参照上述步骤302中的示例,如图5a所示,为本发明实施例提供的一种电压-时间表中预设选择窗的步进示意图,如图5b所示,为本发明实施例提供的一种电流-时间表中预设选择窗的步进示意图,预设选择窗的宽度230ps,两图中预设选择窗口的步进长度设置为5ps,在m位置生成修正模型曲线A后,再将预设选择窗移到位置n,其中,n=m+5ps。
在一种实施方式中,初始位置可以为预设选择窗靠近坐标原点的一侧所在的横坐标,比如初始位置为初始模型曲线的0~10ps中的任意一点。
步骤305,将预设选择窗由移动起点处沿着初始模型曲线的横坐标方向多次移动,每次移动步进长度,并将初始位置处预设选择窗内的初始模型曲线和每次移动后预设选择窗内的初始模型曲线,作为多个修正模型曲线,执行步骤306。
需要说明的是,移动起点可以是初始位置处,也可以是上一次移动结束后的预设选择窗所在位置。
在一种可能的实施例中,参照步骤304中的示例,将预设选择窗移到位置n后,生成修正模型曲线B,如图6a所示,为本发明实施例提供的一种修正模型曲线的电压-时间上升沿示意图,如图6b所示,为本发明实施例提供的一种修正模型曲线的电流-时间上升沿示意图,在实际操作中,通过预设选择窗扫描初始模型曲线时,每次移动都需要尽量让电压-时间曲线和电流-时间曲线变化的绝大部分都在预设选择窗内,并舍弃位于预设选择窗外的波形,得到一个修正模型曲线,但由于230ps的预设选择窗很难完全覆盖到所有波形变化部分,总有一些波形变化部分要被舍弃,因此需要通过多次移动预设选择窗位置获得多个修正模型曲线,避免舍弃关键波形。
步骤306,判断预设选择窗外的曲线波动幅度是否大于初始模型曲线波动幅度的预设比例,若是,则执行步骤307,否则,执行步骤305。
需要说明的是,初始模型曲线波动幅度为初始模型曲线中最高点纵坐标与最低点纵坐标的差值。
在一种实施例中,预设选择窗外的曲线波动幅度大于初始模型曲线波动幅度的预设比例可以设置为3%~8%,若预设选择窗的宽度为230ps,预设比例设置为4%。
步骤307,预设选择窗停止移动,执行步骤308。
步骤308,获取修正模型数据中的电压或电流值,将修正模型数据带入标准驱动模型中,向标准驱动模型输入激励信号生成修正模型数据的仿真波形,即修正波形;
获取标准模型数据中的电压或电流值,将标准模型数据带入标准驱动模型中,向标准驱动模型输入与修正模型数据相同的激励信号生成的波形标准模型数据的仿真波形,即标准波形,执行步骤309。
在具体实施中,可以将该IBIS模型对应的SPICE模型作为标准模型数。
如图7所示,为本发明实施例提供的一种仿真电路的结构示意图,该仿真电路包括数据类型发生器701、驱动单元702和接收单元703,具体的,可以使用理想电阻作为接收单元703,使用SPICE模型或IBIS模型作为驱动单元702,另外配合使用数据类型发生器701产生激励信号,数据类型发生器701的输出端与驱动单元702的第一端连接,驱动单元702的第二端与接收单元703的第一端连接,接收单元703的第二端接地。将修正模型数据带入SPICE模型进行仿真,输入激励信号生成修正波形。
其中,接收单元703为理想阻值,理想电阻的阻值为芯片作为信号接收单元时的等效电阻阻值。
同时,参照上述标准驱动模型,将标准模型数据带入标准驱动模型中,向标准驱动模型输入与修正模型数据相同的激励信号生成标准波形。
驱动单元依据输入的模型数据模拟出不同时刻的电压及电流特性,导致传输激励信号的效果会有不同的变化,通过波形采集装置采集驱动单元传输激励信号过程中的波形,即为驱动端对应的模型数据的仿真波形。
步骤309,对比仿真波形与标准波形幅值,以及对比仿真波形与标准波形幅值的轮廓,确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据。
在具体实施中,将上一步得到的标准波形作为参考依据与步骤309得到的修正波形进行比较。
在一种可能实施例中,对比仿真波形与标准波形幅值可以包括:计算仿真波形与标准波形中每一个波形的幅值差值,确定仿真波形总幅值差值比的平均值、方差、平均差中的一个或多个为第一误差参数。如图8所示,由于仿真波形与标准波形的形状基本对应,比仿真波形与标准波形幅值均具有3个波谷,计算每个波谷中最高点与最低点的纵坐标差值,即为当前波谷的幅值,通过位置对应的仿真波形的幅值与标准波形的幅值即可获得每个波谷的幅值差值,再计算3个波谷幅值差值的平均值或方差或平均差,即可获得第一误差参数。
在一种可能实施例中,对比仿真波形与标准波形幅值可以包括:在仿真波形中选择多个误差确定点,计算各误差确定点在仿真波形上纵坐标与标准波形的纵坐标差值,确定多个误差确定点纵坐标差值的平均值、方差、平均差中的一个或多个为第二误差参数。
需要说明的是,上述多个误差确定点可以是波形中全部的点值,可以是波形中部分点值,在实际应用中,可以将仿真波形和标准波形对应在同一坐标系中进行对比,如图8所示,为本发明实施例提供的一种眼图对比示意图,确定未重合波形上的点值为上述误差确定点,如图示A点。
最后,选择第一误差参数值和第二误差参数值均最小的仿真波形所对应的修正模型数据为最终修正数据。
在另一种可能的实施例中,对比仿真波形与标准波形幅值的轮廓可以包括:将每个仿真波形对应的仿真眼图与标准波形对应的标准眼图进行对比,如图9a所示,为本发明实施例提供的另一种眼图对比示意图,可以确定仿真眼图与标准眼图的边沿交叉点B、B’,对比仿真眼图与标准眼图的边沿交叉点坐标,将仿真眼图的边沿交叉点与标准眼图的边沿交叉点对比,确定交叉点的横坐标及纵坐标的差值为第三误差参数;如图9b所示,为本发明实施例提供的一种仿真眼图的方孔示意图,如图9c所示,为本发明实施例提供的一种标准眼图的方孔示意图,对比仿真眼图中方孔K与标准眼图中方孔K’的长度,确定仿真眼图中方孔长度与标准眼图中方孔长度的差值为第四误差参数。
需要说明的是,方孔确定过程为:将眼图的边沿交叉点连线所在直线作为对称轴,以预设高度确定方孔的高,方孔的四个顶点均位于仿真眼图曲线或标准眼图曲线上。其中,预设高度为通用标准规定的100~120mv电压。
最后,选择第三误差参数值和第四误差参数值中最小的仿真波形所对应的修正模型数据为最终修正数据。
进一步的,针对上述两种最终修正数据的确定方式,可以择一使用,也可以综合使用,比如确定上述误差参数值中误差参数值最小的仿真波形所对应的修正模型数据为最终修正数据。
通过上述步骤得到的误差最小的修正数据,有效移除了初始模型曲线中无效稳态时间,从而减小上升沿时间和下降沿时间,增大IBIS模型支持的最高频率Fmax,避免超频问题的出现,提高芯片仿真模型的仿真精度。
基于相同的发明构思,本发明实施例还提供一种芯片仿真模型的修正装置,装置的实施可以参照芯片仿真模型的修正方法的实施,重复之处不再赘述。
如图10所示,为本发明实施例提供的一种芯片仿真模型的修正装置的结构示意图,该装置包括第一曲线生成模块1001、第二曲线生成模块1002、波形生成模块1003和确定模块1004:
第一曲线生成模块1001,用于根据初始数据形成初始模型曲线;
第二曲线生成模块1002,用于确定预设选择窗,通过所述预设选择窗多次扫描所述初始模型曲线,获得多个修正模型曲线,其中,所述修正模型曲线为预设选择窗内的所述初始模型曲线;
波形生成模块1003,根据每个所述修正模型曲线对应的修正模型数据生成仿真波形;
确定模块1004,将每个所述仿真波形与标准波形进行对比,确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据。
可选的,所述第二曲线生成模块1002用于确定预设选择窗包括确定预设选择窗的宽度和确定预设选择窗的长度,所述确定预设选择窗的宽度包括:
获取所述芯片仿真模型支持的最高频率;
根据预设规则,选择比所述最高频率的倒数小0.5%~5%的数值作为所述预设选择窗的宽度。
可选的,所述确定预设选择窗的宽度之后,所述通过所述预设选择窗多次扫描所述初始模型曲线之前,所述第二曲线生成模块1002还用于:
根据所述初始模型曲线的幅值最大的波峰和幅值最大的波谷之间的垂直距离,确定所述预设选择窗的长度;
根据所述预设选择窗的长度和所述预设选择窗的宽度,确定所述预设选择窗。
可选的,所述第二曲线生成模块1002用于通过预设选择窗多次扫描所述初始模型曲线,获得多个修正模型曲线,包括:
确定预设选择窗的步进长度和初始位置;
将所述预设选择窗由移动起点处沿着所述初始模型曲线的横坐标方向多次移动,每次移动所述步进长度;
将所述初始位置处所述预设选择窗内的所述初始模型曲线和每次移动后所述预设选择窗内的初始模型曲线,作为所述多个修正模型曲线。
可选的,所述第二曲线生成模块用于将所述预设选择窗由移动起点处沿着所述初始模型曲线的横坐标方向多次移动,包括:
若在所述预设选择窗外的曲线波动幅度大于所述初始模型曲线波动幅度的3%~8%,则所述预设选择窗停止移动;
所述预设选择窗宽度为所述步进长度的20~100倍;
所述初始位置为所述预设选择窗靠近坐标原点的一侧所在的横坐标,所述初始位置为所述初始模型曲线的0~10ps中的任意一点;
所述初始模型曲线波动幅度为所述初始模型曲线中最高点纵坐标与最低点纵坐标的差值。
可选的,所述波形生成模块1003用于根据每个所述修正模型曲线对应的修正模型数据生成仿真波形,包括:
获取所述修正模型数据中的电压或电流值,将所述修正模型数据带入所述标准驱动模型中;
向所述标准驱动模型输入激励信号生成所述修正模型数据的仿真波形。
可选的,所述标准波形为将标准模型数据带入所述标准驱动模型中,向所述标准驱动模型输入与所述修正模型数据相同的激励信号生成的波形。
可选的,所述确定模块1004用于将每个所述仿真波形与标准波形进行对比,包括:
对比所述仿真波形与标准波形幅值,以及对比所述仿真波形与标准波形幅值的轮廓。
可选的,所述确定模块1004用于对比所述仿真波形与标准波形幅值,包括:
计算所述仿真波形与标准波形中每一个波形的幅值差值与标准波形的幅值比;
确定所述仿真波形总幅值比的平均值、方差、平均差中的一个或多个为第一误差参数。
可选的,所述波形生成模块1003用于对比所述仿真波形与标准波形幅值的轮廓包括:
在所述仿真波形中选择多个误差确定点;
计算各误差确定点在所述仿真波形上纵坐标与标准波形的纵坐标差值;
确定多个误差确定点纵坐标差值的平均值、方差、平均差中的一个或多个为第二误差参数。
可选的,所述确定模块1004用于确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据,包括:
选择所述第一误差参数值和所述第二误差参数值中最小的所述仿真波形所对应的修正模型数据为最终修正数据。
可选的,所述确定模块1004用于将每个所述仿真波形与标准波形进行对比,包括:
将每个所述仿真波形对应的仿真眼图与标准波形对应的标准眼图进行对比。
可选的,所述确定模块1004用于将每个所述仿真波形对应的仿真眼图与标准波形对应的标准眼图进行对比,包括:
对比仿真眼图与标准眼图的边沿交叉点坐标,对比仿真眼图中方孔与标准眼图中方孔的长度;
将所述仿真眼图的边沿交叉点与所述标准眼图的边沿交叉点对比,确定交叉点的横坐标及纵坐标的差值为第三误差参数;
对比仿真眼图中方孔为与标准眼图中方孔的长度,确定仿真眼图中方孔长度与标准眼图中方孔长度的差值为第四误差参数。
可选的,所述确定模块1004用于确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据,包括:
选择所述第三误差参数值和所述第四误差参数值中最小的所述仿真波形所对应的修正模型数据为最终修正数据。
基于相同的发明构思,本发明实施例中还提供了一种芯片仿真模型的电子设备,由于该电子设备即是本发明实施例中的方法中的电子设备,并且该电子设备解决问题的原理与该方法相似,因此该电子设备的实施可以参见方法的实施,重复之处不再赘述。
下面参照图11来描述根据本发明的这种实施方式的电子设备110。图11显示的电子设备110仅仅是一个示例,不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图11所示,电子设备110可以以通用计算设备的形式表现,例如其可以为终端设备。电子设备110的组件可以包括但不限于:上述至少一个处理器111、上述至少一个存储处理器可执行指令的存储器112、连接不同系统组件(包括存储器112和处理器111)的总线113。
处理器111通过运行可执行指令以实现上述芯片仿真模型的修正方法。
总线113表示几类总线结构中的一种或多种,包括存储器总线或者存储器控制器、外围总线、处理器或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。
存储器112可以包括易失性存储器形式的可读介质,例如随机存取存储器(RAM)1121和/或高速缓存存储器1122,还可以进一步包括只读存储器(ROM)1123。
存储器112还可以包括具有一组(至少一个)程序模块1124的程序/实用工具1125,这样的程序模块1124包括但不限于:操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据,这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。
电子设备110也可以与一个或多个外部设备114(例如键盘、指向设备等)通信,还可与一个或者多个使得用户能与电子设备110交互的设备通信,和/或与使得电子设备110能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(I/O)接口115进行。并且,电子设备110还可以通过网络适配器116与一个或者多个网络(例如局域网(LAN),广域网(WAN)和/或公共网络,例如因特网)通信。如图所示,网络适配器116通过总线113与电子设备110的其它模块通信。应当明白,尽管图中未示出,可以结合电子设备110使用其它硬件和/或软件模块,包括但不限于:微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、RAID系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。
在一些可能的实施方式中,本发明的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式,其包括程序代码,当程序产品在终端设备上运行时,程序代码用于使终端设备执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施方式的资源待遇分析装置中各模块的步骤,例如,终端设备可以用于根据初始数据形成初始模型曲线;确定预设选择窗,通过所述预设选择窗多次扫描所述初始模型曲线,获得多个修正模型曲线,其中,所述修正模型曲线为预设选择窗内的所述初始模型曲线;根据每个所述修正模型曲线对应的修正模型数据生成仿真波形;将每个所述仿真波形与标准波形进行对比,确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据等操作。
程序产品可以采用一个或多个可读介质的任意组合。可读介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件,或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括:具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。
如图12所示,描述了根据本发明的实施方式的用于资源待遇分析的程序产品120,其可以采用便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)并包括程序代码,并可以在终端设备,例如个人电脑上运行。然而,本发明的程序产品不限于此,在本文件中,可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质,该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。
可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号,其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式,包括——但不限于——电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。可读信号介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质,该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。
可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输,包括——但不限于——无线、有线、光缆、RF等等,或者上述的任意合适的组合。
可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明操作的程序代码,程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、C++等,还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。在涉及远程计算设备的情形中,远程计算设备可以通过任意种类的网络——包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算设备,或者,可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
本发明实施例公开的一种芯片仿真模型的修正方法、装置、设备及介质,该修正方法包括:根据初始数据形成初始模型曲线,从源头,即IBIS模型文件上提前去除前后稳态时间,可以保证IBIS模型在各类仿真软件上都可以正常工作,拓宽修正方法的适用范围,通过芯片仿真模型的修正方法能够得到的误差最小的修正数据,有效移除了初始模型曲线中无效稳态时间,从而减小上升沿时间和下降沿时间,增大IBIS模型支持的最高频率Fmax,避免超频问题的出现,进而提高芯片仿真模型的仿真精度。
应当注意,尽管在上文详细描述中提及了系统的若干模块或子模块,但是这种划分仅仅是示例性的并非强制性的。实际上,根据本发明的实施方式,上文描述的两个或更多模块的特征和功能可以在一个模块中具体化。反之,上文描述的一个模块的特征和功能可以进一步划分为由多个模块来具体化。
此外,尽管在附图中以特定顺序描述了本发明系统各模块的操作,但是,这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些操作,或是必须执行全部所示的操作才能实现期望的结果。附加地或备选地,可以省略某些操作,将多个操作合并为一个操作执行,和/或将一个操作分解为多个操作执行。
本领域内的技术人员应明白,本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此,本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且,本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器,使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的设备。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中,使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令设备的制造品,该指令设备实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上,使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理,从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是,本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (20)
1.一种芯片仿真模型的修正方法,其特征在于,该方法包括:
根据初始数据形成初始模型曲线;
确定预设选择窗,通过所述预设选择窗多次扫描所述初始模型曲线,获得多个修正模型曲线,其中,所述修正模型曲线为预设选择窗内的所述初始模型曲线;
根据每个所述修正模型曲线对应的修正模型数据生成仿真波形;
将每个所述仿真波形与标准波形进行对比,确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述确定预设选择窗包括确定预设选择窗的宽度和确定预设选择窗的长度,所述确定预设选择窗的宽度包括:
获取所述芯片仿真模型支持的最高频率;
根据预设规则,选择比所述最高频率的倒数小0.5%~5%的数值作为所述预设选择窗的宽度。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述确定预设选择窗的宽度之后,所述通过所述预设选择窗多次扫描所述初始模型曲线之前,还包括:
根据所述初始模型曲线的幅值最大的波峰和幅值最大的波谷之间的垂直距离,确定所述预设选择窗的长度;
根据所述预设选择窗的长度和所述预设选择窗的宽度,确定所述预设选择窗。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过预设选择窗多次扫描所述初始模型曲线,获得多个修正模型曲线,包括:
确定预设选择窗的步进长度和初始位置;
将所述预设选择窗由移动起点处沿着所述初始模型曲线的横坐标方向多次移动,每次移动所述步进长度;
将所述初始位置处所述预设选择窗内的所述初始模型曲线和每次移动后所述预设选择窗内的初始模型曲线,作为所述多个修正模型曲线。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述将所述预设选择窗由移动起点处沿着所述初始模型曲线的横坐标方向多次移动,包括:
若在所述预设选择窗外的曲线波动幅度大于所述初始模型曲线波动幅度的3%~8%,则所述预设选择窗停止移动;
所述预设选择窗宽度为所述步进长度的20~100倍;
所述初始位置为所述预设选择窗靠近坐标原点的一侧所在的横坐标,所述初始位置为所述初始模型曲线的0~10ps中的任意一点;
所述初始模型曲线波动幅度为所述初始模型曲线中最高点纵坐标与最低点纵坐标的差值。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据每个所述修正模型曲线对应的修正模型数据生成仿真波形,包括:
获取所述修正模型数据中的电压或电流值,将所述修正模型数据带入标准驱动模型中;
向所述标准驱动模型输入激励信号生成所述修正模型数据的仿真波形。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述标准波形为将标准模型数据带入所述标准驱动模型中,向所述标准驱动模型输入与所述修正模型数据相同的激励信号生成的波形。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将每个所述仿真波形与标准波形进行对比,包括:
对比所述仿真波形与标准波形幅值,以及对比所述仿真波形与标准波形幅值的轮廓。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述对比所述仿真波形与标准波形幅值,包括:
计算所述仿真波形与标准波形中每一个波形的幅值差值与标准波形的幅值比;
确定所述仿真波形总幅值比的平均值、方差、平均差中的一个或多个为第一误差参数。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述对比所述仿真波形与标准波形幅值的轮廓包括:
在所述仿真波形中选择多个误差确定点;
计算各误差确定点在所述仿真波形上纵坐标与标准波形的纵坐标差值;
确定多个误差确定点纵坐标差值的平均值、方差、平均差中的一个或多个为第二误差参数。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据,包括:
选择所述第一误差参数值和所述第二误差参数值中最小的所述仿真波形所对应的修正模型数据为最终修正数据。
12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将每个所述仿真波形与标准波形进行对比,包括:
将每个所述仿真波形对应的仿真眼图与标准波形对应的标准眼图进行对比。
13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述将每个所述仿真波形对应的仿真眼图与标准波形对应的标准眼图进行对比,包括:
对比仿真眼图与标准眼图的边沿交叉点坐标,对比仿真眼图中方孔与标准眼图中方孔的长度;
将所述仿真眼图的边沿交叉点与所述标准眼图的边沿交叉点对比,确定交叉点的横坐标及纵坐标的差值为第三误差参数;
对比仿真眼图中方孔为与标准眼图中方孔的长度,确定仿真眼图中方孔长度与标准眼图中方孔长度的差值为第四误差参数。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据,包括:
选择所述第三误差参数值和所述第四误差参数值中最小的所述仿真波形所对应的修正模型数据为最终修正数据。
15.一种芯片仿真模型的修正装置,其特征在于,该装置包括:
第一曲线生成模块,用于根据初始数据形成初始模型曲线;
第二曲线生成模块,用于确定预设选择窗,通过所述预设选择窗多次扫描所述初始模型曲线,获得多个修正模型曲线,其中,所述修正模型曲线为预设选择窗内的所述初始模型曲线;
波形生成模块,根据每个所述修正模型曲线对应的修正模型数据生成仿真波形;
确定模块,将每个所述仿真波形与标准波形进行对比,确定误差参数最小的修正模型数据为最终修正数据。
16.如权利要求15所述的装置,其特征在于,所述第二曲线生成模块用于确定预设选择窗包括确定预设选择窗的宽度和确定预设选择窗的长度,所述确定预设选择窗的宽度包括:
获取所述芯片仿真模型支持的最高频率;
根据预设规则,选择比所述最高频率的倒数小0.5%~5%的数值作为所述预设选择窗的宽度;
所述第二曲线生成模块用于通过预设选择窗多次扫描所述初始模型曲线,获得多个修正模型曲线,包括:
确定预设选择窗的步进长度和初始位置;
将所述预设选择窗由移动起点处沿着所述初始模型曲线的横坐标方向多次移动,每次移动所述步进长度;
将所述初始位置处所述预设选择窗内的所述初始模型曲线和每次移动后所述预设选择窗内的初始模型曲线,作为所述多个修正模型曲线。
17.如权利要求15所述的装置,其特征在于,所述波形生成模块用于根据每个所述修正模型曲线对应的修正模型数据生成仿真波形,包括:
获取所述修正模型数据中的电压或电流值,将所述修正模型数据带入所述标准驱动模型中;
向所述标准驱动模型输入激励信号生成所述修正模型数据的仿真波形;
所述标准波形为将标准模型数据带入标准驱动模型中,向所述标准驱动模型输入与所述修正模型数据相同的激励信号生成的波形。
18.如权利要求15所述的装置,其特征在于,所述确定模块用于将每个所述仿真波形与标准波形进行对比,包括:
对比所述仿真波形与标准波形幅值,以及对比所述仿真波形与标准波形幅值的轮廓;或
将每个所述仿真波形对应的仿真眼图与标准波形对应的标准眼图进行对比;
所述确定模块用于对比所述仿真波形与标准波形幅值,包括:
计算所述仿真波形与标准波形中每一个波形的幅值差值与标准波形的幅值比;
确定所述仿真波形总幅值比的平均值、方差、平均差中的一个或多个为第一误差参数。
19.一种电子设备,其特征在于,包括:处理器;用于存储处理器可执行指令的存储器;其中,所述处理器通过运行所述可执行指令以实现权利要求1至14任一项所述方法的步骤。
20.一种计算机可读写存储介质,其上存储有计算机指令,其特征在于,该指令被处理器执行时实现权利要求1至14任一项所述方法的步骤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
ID=88222145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN116861832A (zh) |
-
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