CN116848638A - 半导体芯片及其制造方法、半导体装置及其制造方法以及电子设备 - Google Patents

半导体芯片及其制造方法、半导体装置及其制造方法以及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN116848638A
CN116848638A CN202280013042.1A CN202280013042A CN116848638A CN 116848638 A CN116848638 A CN 116848638A CN 202280013042 A CN202280013042 A CN 202280013042A CN 116848638 A CN116848638 A CN 116848638A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor chip
sealing resin
imaging element
base material
reinforcing material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280013042.1A
Other languages
English (en)
Inventor
驹井尚纪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Publication of CN116848638A publication Critical patent/CN116848638A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H01L24/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本技术涉及一种半导体芯片及其制造方法、半导体装置及其制造方法以及电子设备，利用该半导体装置和制造方法，在成像元件的半导体芯片中在确保基板安装之后的长期可靠性的同时能够抑制拍摄图像的图像质量劣化。该半导体芯片包括：CMOS图像传感器；密封树脂，所述密封树脂形成在所述CMOS图像传感器上；和保护基板，所述保护基板经由密封树脂接合到所述CMOS图像传感器。所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度。本技术可以适用于例如用于CMOS图像传感器的半导体芯片。

Description

半导体芯片及其制造方法、半导体装置及其制造方法以及电 子设备
技术领域
本技术涉及一种半导体芯片及其制造方法、半导体装置及其制造方法以及电子设备，更具体地，涉及在成像元件的半导体芯片中在确保基板安装之后的长期可靠性的同时能够抑制拍摄图像的图像质量劣化的半导体芯片、制造方法和电子设备。
背景技术
在诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器等固态成像元件的半导体芯片中，已经提出了经由具有高透明度和粘附性的丙烯酸系树脂在光接收单元上形成用于保护光接收单元的玻璃基板(例如，参见专利文献1)。
此外，已经提出了如下的技术，其中在图像传感器的光电转换单元上形成的微透镜阵列和透光板之间形成的功能膜的材料的折射率被制成低于微透镜阵列的材料的折射率，从而改善微透镜的集光性(例如，参见专利文献2)。在专利文献2中记载的发明中，通过在功能膜中使用主要成分为二氧化硅的填充材料形成空间位阻来降低密度，并且实现了低的折射率。
另一方面，当半导体芯片被倒装芯片地安装时，已经提出了通过用密封树脂填充半导体芯片和基板之间的间隙并且用弹性体覆盖半导体芯片的侧端面来提高可靠性(例如，参见专利文献3)。
引用文献列表
专利文献
专利文献1：日本特开第2018-16757号公报
专利文献2：日本特开第2019-195051号公报
专利文献3：日本特开第2002-141444号公报
发明内容
发明要解决的问题
当固态成像元件的半导体芯片的附加值增加时，如像素数量的增加，半导体芯片的尺寸会增加，并且在基板安装之后难以确保长期可靠性。因此，在这种情况下，例如，可以想到通过用底部填充材料(密封树脂)填充半导体芯片和基板之间的间隙来确保基板安装之后的长期可靠性。
然而，当在半导体芯片中保护基板经由密封树脂形成在固态成像元件上并且密封树脂例如是丙烯酸聚合物的情况下，底部填充材料固化(热固化)时的固化收缩应力可能会导致与底部填充材料接触的密封树脂的内聚断裂，从而导致白化。当白化到达固态成像元件的像素区域(光接收区域)时，光在白化部分被不规则地反射，从而发生拍摄图像的图像质量劣化等。
因此，在固态成像元件的半导体芯片中，难以在确保基板安装之后的长期可靠性的同时抑制拍摄图像的图像质量劣化。
本技术是鉴于这种情况而做出的，其目的是在成像元件的半导体芯片中在确保基板安装之后的长期可靠性的同时抑制拍摄图像的图像质量劣化。
问题的解决方案
根据本技术的第一方面的半导体芯片包括：成像元件；密封树脂，所述密封树脂形成在所述成像元件上；和保护基板，所述保护基板经由所述密封树脂接合到所述成像元件，其中，所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度。
根据本技术的第二方面的半导体芯片的制造方法包括：形成成像元件；在所述成像元件上形成包含母材和强化材料的密封树脂，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；和经由所述密封树脂将保护基板接合到所述成像元件。
根据本技术的第三方面的半导体装置包括：半导体芯片，所述半导体芯片包括：成像元件；密封树脂，所述密封树脂形成在所述成像元件上；和保护基板，所述保护基板经由所述密封树脂接合到所述成像元件，其中，所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；基板，所述半导体芯片安装在所述基板上；和底部填充材料，所述底部填充材料形成在所述基板上以覆盖所述半导体芯片的侧面。
根据本技术的第四方面的半导体装置的制造方法包括：通过以下步骤形成半导体芯片：形成成像元件；在所述成像元件上形成包含母材和强化材料的密封树脂，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；和经由所述密封树脂将保护基板接合到所述成像元件；将所述半导体芯片安装在基板上；和从所述半导体芯片的周围在所述半导体芯片和所述基板之间填充底部填充材料并热固化，并且用所述底部填充材料覆盖所述半导体芯片的侧面。
根据本技术的第五方面的半导体装置包括：半导体芯片，所述半导体芯片包括：成像元件；密封树脂，所述密封树脂形成在所述成像元件上；和保护基板，所述保护基板经由所述密封树脂接合到所述成像元件，其中，所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；基板，所述半导体芯片使用导线安装在所述基板上；和树脂，所述树脂形成在所述基板上以覆盖所述半导体芯片的侧面的所述导线。
根据本技术的第六方面的电子设备包括：半导体芯片，所述半导体芯片包括：成像元件；密封树脂，所述密封树脂形成在所述成像元件上；和保护基板，所述保护基板经由所述密封树脂接合到所述成像元件，其中，所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；和信号处理电路，所述信号处理电路处理来自所述半导体芯片的信号。
在本技术的第一方面中，设置有：成像元件、形成在所述成像元件上的密封树脂和经由所述密封树脂接合到所述成像元件的保护基板，并且所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度。
在本技术的第二方面中，形成成像元件，在所述成像元件上形成包含母材和强化材料的密封树脂，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度，并且经由所述密封树脂将保护基板接合到所述成像元件。
在本技术的第三方面中，设置有：半导体芯片，所述半导体芯片包括：成像元件；密封树脂，所述密封树脂形成在所述成像元件上；和保护基板，所述保护基板经由所述密封树脂接合到所述成像元件，其中，所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；基板，所述半导体芯片安装在所述基板上；和底部填充材料，所述底部填充材料形成在所述基板上以覆盖所述半导体芯片的侧面。
在本技术的第四方面中，形成成像元件；在所述成像元件上形成包含母材和强化材料的密封树脂，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；和经由所述密封树脂将保护基板接合到所述成像元件，由此形成半导体芯片；将所述半导体芯片安装在基板上；和从所述半导体芯片的周围在所述半导体芯片和所述基板之间填充底部填充材料并热固化，并且用所述底部填充材料覆盖所述半导体芯片的侧面。
在本技术的第五方面中，设置有：半导体芯片，所述半导体芯片包括：成像元件；密封树脂，所述密封树脂形成在所述成像元件上；和保护基板，所述保护基板经由所述密封树脂接合到所述成像元件，其中，所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；基板，所述半导体芯片使用导线安装在所述基板上；和树脂，所述树脂形成在所述基板上以覆盖所述半导体芯片的侧面的所述导线。
在本技术的第六方面中，设置有：半导体芯片，所述半导体芯片包括：成像元件；密封树脂，所述密封树脂形成在所述成像元件上；和保护基板，所述保护基板经由所述密封树脂接合到所述成像元件，其中，所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；和信号处理电路，所述信号处理电路处理来自所述半导体芯片的信号。
半导体芯片、半导体装置和电子设备可以是独立的装置，或者可以是组入其他装置中的模块。
附图说明
图1是示出本技术适用的半导体装置的第一实施方案的封装结构的示例的图。
图2是示出图1中的CMOS图像传感器的电路构成的图。
图3是示出设有一般的密封树脂的半导体装置的示例的图。
图4是图1中的矩形的放大图。
图5是示出光在密封树脂中的折射的示意图。
图6是用于说明图1中的半导体装置的制造方法的图。
图7是用于说明图1中的半导体装置的制造方法的图。
图8是用于说明图1中的半导体装置的制造方法的图。
图9是用于说明图1中的半导体装置的制造方法的图。
图10是用于说明图1中的半导体装置的制造方法的图。
图11是示出本技术适用的半导体装置的第二实施方案的封装结构的第一示例的图。
图12是示出本技术适用的半导体装置的第二实施方案的封装结构的第二示例的图。
图13是示出作为本公开的技术适用的电子设备的成像装置的构成例的框图。
图14是示出使用半导体芯片的使用例的图。
图15是示出内窥镜手术系统的示意性构成的示例的图。
图16是示出摄像头和相机控制单元(CCU)的功能构成的示例的框图。
图17是示出车辆控制系统的示意性构成的示例的框图。
图18是示出车外信息检测单元和成像部的安装位置的示例的说明图。
具体实施方式
在下文中，将说明用于实施本技术的形态(在下文中称为实施方案)。注意，将按照以下顺序进行说明。
1.半导体装置的第一实施方案
2.半导体装置的第二实施方案
3.电子设备的适用例
4.半导体芯片的使用例
5.内窥镜手术系统的应用例
6.移动体的应用例
注意，在以下说明中参照的附图中，相同或类似的部分由相同或类似的附图标记表示。然而，附图是示意性的，并且厚度与平面尺寸之间的关系、各层的厚度的比例等与实际的不同。此外，附图可以包括具有不同尺寸关系和比例的部分。
此外，以下说明中的诸如上下等方向的定义仅仅是为了便于说明而进行的定义，而不限制本公开的技术思想。例如，当通过将对象旋转90°来观察该对象时，通过变换为左右来读出上侧和下侧，而当通过将对象旋转180°来观察该对象时，通过反转来读出上侧和下侧。
<1.半导体装置的第一实施方案>
<半导体装置的封装结构>
图1是示出本技术适用的半导体装置的第一实施方案的封装结构的示例的图。
图1中的半导体装置200通过在基板212上安装半导体芯片211来构成。具体地，在基板212的表面上的预定位置处形成导体212a等，并且在其他区域中形成感光性阻焊剂212b。形成在半导体芯片211的下侧的焊球279安装在导体212a上，从而构成半导体装置200。
底部填充材料213从半导体芯片211的周围填充在半导体芯片211和基板212之间。即，底部填充材料213形成在基板212上以覆盖半导体芯片211的底面和侧面。
半导体芯片211是无空腔芯片尺寸封装(CSP)，其中透明保护基板232经由密封树脂231形成在作为固态成像元件的CMOS图像传感器230上。具体地，密封树脂231形成在CMOS图像传感器230的上侧(光入射的一侧)。此外，保护基板232例如是玻璃基板，并且经由密封树脂231接合到CMOS图像传感器230。尽管稍后将说明密封树脂231的细节，但是密封树脂231包含母材和具有比母材高的杨氏模量或断裂强度的强化材料。
如上所述，由于半导体芯片211是在CMOS图像传感器230和保护基板232之间填充密封树脂231的没有空间的无空腔CSP，因此可以减小半导体芯片的高度和尺寸。
CMOS图像传感器230是层叠的背照式CMOS图像传感器。具体地，CMOS图像传感器230通过在下侧基板241上层叠上侧基板242来构成。
下侧基板241通过在诸如硅基板等支撑基板251上形成配线层252来构成。
贯通支撑基板251的通孔271形成在支撑基板251的对应于配线层252的连接焊盘252a的区域中。连接导体274经由绝缘膜272和阻挡籽晶层273埋入在通孔271的内壁中，从而形成硅贯通电极(TSV)275。硅贯通电极275的连接导体274连接到经由绝缘膜276和阻挡籽晶层277形成在支撑基板251的下面侧的再配线层278。
焊球279形成在再配线层278的预定位置处。CMOS图像传感器230和基板212经由焊球279电气连接。即，半导体芯片211是球栅阵列(BGA)封装。在支撑基板251的下面侧，形成感光性阻焊剂280，以覆盖除了形成有焊球279的区域以外的绝缘膜276和再配线层278。
在配线层252中，形成逻辑F电路，如控制形成在上侧基板242上并执行光电转换的像素(未示出)的控制电路和处理从像素输出的像素信号的信号处理电路。
另一方面，通过在硅基板253的下侧形成配线层254来构成上侧基板242。在硅基板253的表面上，以预定间隔形成作为各像素的光电转换单元的多个光电二极管(未示出)。
尽管为了简化附图而未示出，但是实际上由SiO2构成的保护膜形成在硅基板253和光电二极管上。用于防止光泄漏到相邻像素的遮光膜在保护膜上形成在相邻的光电二极管之间。用于平坦化形成有后述的滤色器255的区域的平坦化膜形成在保护膜和遮光膜上。这种结构的细节例如记载在WO 2014/148276中。如上所述，保护膜、遮光膜、平坦化膜等形成在硅基板253上，并且在下文中，这些适宜地统称为硅基板253。
滤色器255形成在硅基板253(的平坦化膜)上。滤色器255针对每个像素设置，并且各像素的滤色器的颜色阵列是例如拜耳阵列。在滤色器255上，形成用于将光收集到各像素的光电二极管并提高光电二极管的感度的片上透镜(微透镜)256。
片上透镜256由诸如SiN、SiO或SiOxNy(x和y是大于0且等于或小于1的值)等无机材料构成。这里，半导体芯片211是无空腔CSP，并且密封树脂231存在于片上透镜256上而不是空间上。因此，当片上透镜256的折射率高于密封树脂231的折射率时，片上透镜256a的集光性得到改善。因此，希望使用在SiN、SiO、SiOxNy等之中具有高折射率的SiN作为片上透镜256的材料。
配线层254形成像素的电路。通过将配线层254接合到配线层252，上侧基板242被层叠在下侧基板241上。
<CMOS图像传感器的电路构成>
图2是图1中的CMOS图像传感器230的电路构成的示意图。
如图2所示，CMOS图像传感器230包括像素阵列单元291和控制电路，控制电路包括垂直驱动单元292、列处理单元293、水平驱动单元294、系统控制单元295等。CMOS图像传感器230还包括诸如信号处理单元298和数据存储单元299等逻辑电路。
像素阵列单元291具有以下的构成，其中，像素(未示出)在行方向(水平方向)和列方向(垂直方向)上二维地排列，即，以矩阵状排列，各像素包括对接收光执行光电转换并根据接收光量来累积电荷的光电二极管等。
在像素阵列单元291中，像素驱动线296针对每行像素沿着行方向配线，并且垂直信号线297针对每列像素沿着列方向配线。像素驱动线296传输用于执行在从像素读出信号时的驱动的驱动信号。在图2中，像素驱动线296被示出为一条配线，但不限于一条。像素驱动线296的一端连接到与垂直驱动单元292的各行相对应的输出端。
垂直驱动单元292包括移位寄存器、地址解码器等，并且同时或以行为单位驱动像素阵列单元291的所有像素。尽管没有示出垂直驱动单元292的具体构成，但是其一般包括读出扫描系统和扫出扫描系统这两个扫描系统。
读出扫描系统逐行顺次选择性地扫描像素阵列单元291的像素，以从像素读出信号。作为从像素读出的信号的像素信号是模拟信号。扫出扫描系统对于由读出扫描系统执行读出扫描的读出行，执行在比读出扫描提前与快门速度相对应的时间量的扫出扫描。通过该扫出扫描，执行从读出行的像素的光电转换单元扫出不必要的电荷、复位光电转换单元以及开始电荷累积的电子快门操作。
通过读出扫描系统的读出操作读出的像素信号对应于紧接在前的读出操作或电子快门操作之后接收的光量。然后，从紧接在前的读出操作的读出时机或电子快门操作的扫出时机到当前读出操作的读出时机的期间是像素中的电荷累积期间(曝光期间)。
从读出行的各像素读出的像素信号通过针对每个像素列的各垂直信号线297输入到列处理单元293。列处理单元293包括针对像素阵列单元291的每个像素列的信号处理电路。列处理单元293的各个信号处理电路对从对应列的像素通过垂直信号线297输入的像素信号执行预定的信号处理，并且临时保持信号处理之后的像素信号。
具体地，列处理单元293的各个信号处理电路执行诸如相关双采样(CDS)处理等噪声去除处理作为预定的信号处理。通过CDS处理，去除了像素固有的固定模式噪声，如复位噪声和像素内的放大晶体管的阈值偏差。列处理单元293还执行模拟/数字(A/D)转换处理作为预定的信号处理，以将模拟像素信号转换为数字信号。
水平驱动单元294包括移位寄存器、地址解码器等，并且顺次选择列处理单元293的各个信号处理电路。通过水平驱动单元294的选择扫描，在列处理单元293的各个信号处理电路中执行信号处理，并且顺次输出保持的像素信号。
系统控制单元295包括产生各种时序信号等的时序发生器。系统控制单元295基于时序发生器生成的各种时序来控制垂直驱动单元292、列处理单元293、水平驱动单元294等。
信号处理单元298至少具有演算处理功能，并且对作为从列处理单元293输出的数字信号的像素信号执行诸如演算处理等各种信号处理。数据存储单元299临时存储信号处理单元298中的信号处理所需的数据。
<密封树脂的说明>
接下来，将参照图3～图5说明图1的密封树脂231。
图3是示出半导体装置的示例的图，其中设置了不含有强化材料的一般的密封树脂来代替图1的半导体装置200中的密封树脂231。
在图3中，与图1中的部分相对应的部分用相同的附图标记表示，并且省略了对这些部分的详细说明。
如图3所示，半导体装置300与图1中的半导体装置200的不同之处在于，设置了不含有强化材料的使用丙烯酸聚合物的一般的密封树脂301来代替密封树脂231。
在这样的半导体装置300中，由于底部填充材料213热固化时的固化收缩应力，在与底部填充材料211接触的密封树脂301中可能发生内聚断裂(内聚破裂)，并且可能发生裂纹302。当由于裂纹302导致的密封树脂301的白化到达片上透镜256的周边时，光在白化部分被漫反射，并且拍摄图像的图像质量劣化。
此外，存在由片上透镜256或硅基板253的表面反射的光被保护基板232的上面(表面)全反射并且再次入射到作为形成有硅基板253的光电二极管的区域的光接收区域上的情况。在这种情况下，在拍摄图像中可能出现具有周期性的衍射重影或衍射光斑。
例如，在密封树脂301和保护基板232具有大致相同的折射率的情况下，由片上透镜256或硅基板253的表面反射的光直接行进到保护基板232的远离该表面的表面。因此，由于被保护基板232全反射的光，在远离片上透镜256或硅基板253的表面的反射位置的位置处可能出现强的衍射重影。这种衍射重影或衍射光斑是不希望的，因为其是光的非意图的映照，即，噪声。
图4是图1中的矩形a的放大图。
如图4所示，在图1的半导体装置200中，密封树脂231由母材351和强化材料352构成。即，密封树脂231具有其中具有比母材351高的杨氏模量或断裂强度的强化材料352随机分散的复合结构，。
如上所述，由于密封树脂231包含强化材料352，所以与密封树脂301相比，密封树脂231可以被强化。因此，可以抑制由于底部填充材料213热固化时的固化收缩应力而导致的密封树脂231的内聚断裂。结果，降低了密封树脂231的白化的发生，并且抑制了由于这种白化而导致的拍摄图像的图像质量劣化。
此外，即使在裂纹371由内聚断裂产生的情况下，裂纹371也可以停止在强化材料352的界面处。因此，可以防止裂纹371在片上透镜256周围、即在光接收区域上发展。结果，可以抑制由于密封树脂231的白化而对拍摄图像的图像质量造成的不利影响。
如上所述，在半导体装置200中，在确保半导体芯片211被底部填充材料213保护并且半导体芯片211安装在基板212上之后的长期可靠性的同时，可以抑制由于密封树脂231的白化而导致的拍摄图像的图像质量劣化。
密封树脂231被构造为使得例如在可见光的波长区域(例如，400nm～700nm)中的平均透射率为98.5％以上。母材351是折射率低于片上透镜256的折射率并且大致等于保护基板232的折射率的丙烯酸系密封树脂。例如，在保护基板232是折射率为1.51的玻璃基板的情况下，例如，使用折射率为1.5的丙烯酸树脂作为母材351。
如上所述，在密封树脂231中，由于母材351的折射率低于片上透镜256的折射率，因此可以提高片上透镜256a的集光性。此外，由于保护基板232和母材351具有大致相同的折射率，因此可以抑制母材351对经由保护基板232入射到光接收区域上的光的影响。
强化材料352是透射可见光的纤维状的材料。这种材料的例子包括玻璃纤维、纤维素纳米纤维和诸如纳米粒子凝集的粒径为100nm以下的纳米粒子凝集体等有机纤维。纤维素纳米纤维是通过水解并粉碎木材等形成且减薄至纳米级的透明纤维素纤维。纤维素纳米纤维的强度例如是钢铁的五倍。
强化材料352的短边的截面的直径比可见光的波长短，并且长边的截面的直径是短边的截面的直径的三倍以上，即，纵横比是三倍以上。结果，可以抑制强化材料352对经由保护基板232入射到光接收区域上的光的影响。
强化材料352的折射率大致等于母材351的折射率。具体地，强化材料352和母材351之间的折射率差优选为例如0.03以上且0.06以下。在强化材料352和母材351之间的折射率差为0.06以下的情况下，可以抑制强化材料352对经由保护基板232入射到光接收区域上的光的影响。结果，可以抑制由于强化材料352而导致的图像质量劣化。
此外，在强化材料352和母材351之间的折射率差为0.03以上的情况下，如图5所示，入射在密封树脂231上的光被折射，并且该光(的光轴)在各个方向上变化。结果，可以抑制由光接收区域或片上透镜256反射的、经由密封树脂231入射到保护基板232上的、由保护基板232的上面全反射的并且经由密封树脂231等再次入射到光接收区域上的光的相移的发生。结果，可以减少由于相移而导致的拍摄图像中的衍射重影(光的明暗)和衍射光斑的出现。因此，可以提高拍摄图像的图像质量。
强化材料352相对于母材351以2～50wt％的比例分散。结果，可以抑制由于强化材料352的密集而导致的拍摄图像的分辨率的降低。
<半导体装置的制造方法>
图6～图10是用于说明图1中的半导体装置200的制造方法的图。
在图6的步骤S1中，形成CMOS图像传感器230，其中未形成硅贯通电极275、绝缘膜276、阻挡籽晶层277、再配线层278、焊球279和感光性阻焊剂280。具体地，将在支撑基板251上未形成任何东西的下侧基板241与其上形成有滤色器255和片上透镜256的上侧基板242层叠。
在步骤S2中，将其中在步骤S1中形成的未形成硅贯通电极275等的CMOS图像传感器230和保护基板232以无空腔结构连接。具体地，通过在其中在步骤S1中形成的未形成硅贯通电极275等的CMOS图像传感器230的片上透镜256上涂布或层压5～100μm的厚度来形成密封树脂231。然后，经由密封树脂231将保护基板232粘附到其中未形成硅贯通电极275等的CMOS图像传感器230。
在步骤S3中，将在步骤S2中以无空腔结构连接的CMOS图像传感器230和保护基板232上下倒置。在步骤S4中，使用背研磨技术将支撑基板251减薄至例如约100μm。
在图7的步骤S5中，为了将电极取出到CMOS图像传感器230的背面，执行将抗蚀剂401涂布到支撑基板251上的对应于连接焊盘252a的区域以外的区域的抗蚀剂图案化。然后，使用干法蚀刻法贯通支撑基板251，并且形成通孔271。
在步骤S6中，通过例如等离子体化学气相沉积(CVD)法，在支撑基板251上的包括通孔271的整个表面上形成SiO2膜、SiN膜等作为绝缘膜(隔离膜)。然后，通过使用回蚀法去除通孔271的底面上的绝缘膜，并且露出形成在配线层252的最靠近支撑基板251的区域中的连接焊盘252a。结果，绝缘膜272形成在通孔271上，并且绝缘膜276形成在支撑基板251的通孔271以外的区域上。
在步骤S7中，通过溅射法在通孔271的底面和绝缘膜272上形成阻挡籽晶层273，并且在绝缘膜276上形成阻挡籽晶层277。阻挡籽晶层273和阻挡籽晶层277包括用于防止在后述步骤S8中镀覆的铜(Cu)扩散的阻挡金属膜和在镀覆时作为电极的Cu籽晶层。在本实施方案中，使用钛(Ti)作为阻挡金属膜的材料，但是除了钛之外，还可以使用钨(W)、钛(Ti)或钨(W)的氮化物膜、钛(Ti)或钨(W)的合金等。
在步骤S8中，执行抗蚀剂图案化，其中抗蚀剂403被涂布到阻挡籽晶层277上的将要形成再配线层278的区域以外的区域。
在图8的步骤S9中，通过电解镀覆法在未涂布抗蚀剂403的区域上镀覆铜(Cu)。结果，连接导体274经由绝缘膜272和阻挡籽晶层273埋入在通孔271的内壁中，结果，形成硅贯通电极275。此外，在支撑基板251的下面侧上，经由绝缘膜276和阻挡籽晶层277形成连接到连接导体274的再配线层278。
在步骤S10中，去除抗蚀剂403。然后，通过湿法蚀刻去除抗蚀剂403下方的阻挡籽晶层277。
在步骤S11中，在硅贯通电极275、绝缘膜276和再配线层278上涂布、曝光和显影感光性阻焊剂，并且在将要形成焊球279的区域以外的区域中形成感光性阻焊剂280。
在步骤S12中，通过使用球摆动法将焊球279安装在步骤S11中未形成感光性阻焊剂280的区域上。如上所述地形成半导体芯片211。
上述的步骤S1～S12可以以晶圆为单位或者以单片化的芯片为单位来执行。
在图9的步骤S13中，在表面上的将要安装焊球279的位置处形成导体212a，并且在其他区域中形成其上形成有感光性阻焊剂212b的基板212。在步骤S14中，通过焊膏印刷法将焊料420预涂布在基板212的导体212a上。
在步骤S15中，半导体芯片211的焊球279经由焊料420安装在导体212a上。
在图10的步骤S16中，在设有不同的多个温度区的表面安装回流炉中，对其上安装有半导体芯片211的基板212进行回流。结果，半导体芯片211经由焊球279被焊接到基板212。其后，使用专用清洗液去除残留在半导体芯片211和基板212之间的焊膏残渣(焊剂残渣)。在焊剂是松香系焊剂的情况下，使用醇系清洗液作为专用清洗液。如上所述，半导体芯片211被二次安装在基板212上。
在步骤S17中，在半导体芯片211和基板212之间填充环氧系热固性底部填充材料425。具体地，使用分配喷嘴426从半导体芯片211的一边的周围在半导体芯片211和基板212之间注入底部填充材料425。此时，突出的底部填充材料425在半导体芯片211的侧壁上爬行，并且形成圆角。填充的底部填充材料425例如在150℃下热固化5分钟。结果，底部填充材料213被形成为覆盖半导体芯片211的底面和侧面。
注意，在本实施方案中，仅有半导体芯片211安装在基板212上，但是除了半导体芯片211之外，还可以安装半导体芯片211以外的集成电路(IC)、无源部件等(在下文中称为其他部件)。在这种情况下，其他部件与半导体芯片211一起被共同焊接。
具体地，还在基板212的表面上的安装其他部件的位置处形成导体，并且在步骤S14中，还在该导体上预涂布焊料。然后，在步骤S15中，经由焊料420将半导体芯片211安装在导体212a上，并且经由焊料将其他部件安装在导体212a以外的导体上。在步骤S16中，对其上安装有半导体芯片211和其他部件的基板212进行回流，并且将半导体芯片211和其他部件共同焊接到基板212上。
如上所述，在半导体芯片211中，用于接合CMOS图像传感器230和保护基板232的密封树脂231包含母材351和具有比母材351更高的杨氏模量或断裂强度的强化材料352。
因此，与不包含强化材料352的密封树脂301等相比，可以提高密封树脂231的强度。结果，可以改善密封树脂231对当底部填充材料213热固化时产生的诸如固化收缩应力等应力的抗裂性。此外，即使在裂纹371由内聚断裂产生的情况下，裂纹371也可以停止在强化材料352的界面处。因此，可以防止裂纹371在光接收区域上发展。结果，在半导体装置200中，在确保半导体芯片211被底部填充材料213保护并且半导体芯片211安装在基板212上之后的长期可靠性的同时，可以抑制由于密封树脂231的白化而导致的拍摄图像的图像质量劣化。
注意，在CMOS图像传感器230中，形成了焊球279，但是可以不形成焊球279。
<2.半导体装置的第二实施方案>
<半导体装置的封装结构的第一示例>
图11是示出本技术适用的半导体装置的第二实施方案的封装结构的第一示例的图。
在图11的半导体装置500中，与图1的半导体装置200对应的部分用相同的附图标记表示。因此，将适当地省略对这些部分的说明，并将重点说明与图1的半导体装置200不同的部分。
在图11的半导体装置500中，图1的半导体芯片211不是焊料连接到基板212，而是引线接合。具体地，在半导体装置500中，半导体芯片511经由导线513连接到中继基板512而被安装。
半导体芯片511与半导体芯片211的不同之处在于，设置了CMOS图像传感器520来代替CMOS图像传感器230，密封树脂231的外周小于CMOS图像传感器230的外周，并且设置了导线513，其他构成与半导体芯片211的构成类似。
CMOS图像传感器520与CMOS图像传感器230的不同之处在于，未形成焊球279，并且除了这一点之外，其构成类似于CMOS图像传感器230。导线513形成在硅基板253上的未形成密封树脂231的区域中，并且电气连接硅基板253和中继基板512。
此外，在半导体装置500中，导线513埋入在树脂514中。即，树脂514形成在中继基板512上，以覆盖半导体芯片511的侧面上的导线513。在中继基板512的下侧，形成用于安装在安装基板(未示出)上的焊球515。
如上所述，半导体装置500是具有有机封装结构的BGA封装，其中半导体芯片511使用导线513引线接合到中继基板512，并且导线513埋入在树脂514中。
在半导体装置500中，与半导体装置200的情况类似，由于密封树脂231包含强化材料352，所以密封树脂514对树脂231热固化时产生的诸如固化收缩应力等应力具有高的抗裂性。此外，即使在裂纹371由内聚断裂产生的情况下，也可以防止裂纹371在光接收区域上发展。结果，在半导体装置500中，在确保半导体芯片511被树脂514保护并且半导体芯片511安装在中继基板512上之后的长期可靠性的同时，可以抑制由于密封树脂231的白化而导致的拍摄图像的图像质量劣化。
<半导体装置的封装结构的第二示例>
图12是示出本技术适用的半导体装置的第二实施方案的封装结构的第二示例的图。
在图12的半导体装置550中，与图11的半导体装置500对应的部分用相同的附图标记表示。因此，将适当地省略对这些部分的说明，并将重点说明与图11的半导体装置500不同的部分。
图12的半导体装置550与半导体装置500的不同之处在于，设置了安装基板551来代替中继基板512，并且未形成焊球515，其他构成与半导体装置的构成类似。
即，在半导体装置550中，半导体芯片511使用导线513引线接合到安装基板551，并且半导体芯片511直接安装在安装基板551上。
在半导体装置550中，类似于半导体装置500，密封树脂231包含强化材料352。因此，在确保半导体芯片511被树脂514保护并且半导体芯片511安装在安装基板551上之后的长期可靠性的同时，可以抑制由于密封树脂231的白化而导致的拍摄图像的图像质量劣化。
注意，CMOS图像传感器230或520是层叠的背照式CMOS图像传感器，但是可以是前照式或背照式的CMOS图像传感器。
此外，在CMOS图像传感器230或520中，控制电路和逻辑电路形成在下侧基板241上，并且像素区域形成在上侧基板242上。然而，可以在下侧基板241上仅形成逻辑电路，并且可以在上侧基板242上形成像素区域和控制电路。
<3.电子设备的适用例>
上述的半导体芯片211或511可以适用于各种类型的电子设备，例如，诸如数码相机和数字摄像机等成像装置、具有成像功能的移动电话以及具有成像功能的其他设备。
图13是示出作为本技术适用的电子设备的成像装置的构成例的框图。
图13所示的成像装置1001设有光学系统1002、快门装置1003、固态成像装置1004、驱动电路1005、信号处理电路1006、监视器1007和存储器1008，并且能够拍摄静止图像和运动图像。
包括一个或多个透镜的光学系统1002将从被摄体接收的光(入射光)引导向固态成像装置1004，并且在固态成像装置1004的光接收面上形成被摄体的图像。
快门装置1003设置在光学系统1002和固态成像装置1004之间，并且根据驱动电路1005的控制，控制固态成像装置1004的光照射期间和遮光期间。
固态成像装置1004包括上述的半导体芯片211或511。固态成像装置1004根据经由光学系统1002和快门装置1003在光接收面上成像的光，在固定期间内累积信号电荷。在固态成像装置1004中累积的信号电荷根据从驱动电路1005供给的驱动信号(时机信号)传输。
驱动电路1005输出用于控制固态成像装置1004的传输操作和快门装置1003的快门操作的驱动信号，以驱动固态成像装置1004和快门装置1003。
信号处理电路1006对从固态成像装置1004输出的信号电荷执行各种信号处理。通过信号处理电路1006执行的信号处理获得的图像(图像数据)被供给到监视器1007并显示，或者供给到存储器1008以进行存储(记录)。
此外，在如上构成的成像装置1001中，通过适用半导体芯片211(511)作为固态成像装置1004，可以抑制拍摄图像的图像质量劣化，同时确保在基板212(中继基板512和安装基板551)上安装之后的长期可靠性。
<4.半导体芯片的使用例>
图14是示出使用上述半导体芯片211或511的使用例的图。
例如，上述的半导体芯片211或511可以在各种情况下用于感测诸如可见光、红外光、紫外光和X射线等光，如下所述。
·用于拍摄将要提供用于鉴赏的图像的装置，例如，数码相机和具有相机功能的便携式机器。
·用于交通的装置，例如，用于拍摄车辆的前方、后方、周围、内部等的车载传感器，例如为了包括自动停止等的安全驾驶并且识别驾驶员的状况，用于监视行驶车辆和道路的监视相机，以及用于测量车辆之间的距离的距离测量传感器等。
·用于家用电器的装置，例如，电视机、冰箱和空调，以便拍摄用户手势的图像并根据手势操作装置。
·用于医疗保健的装置，例如，内窥镜和通过接收红外光进行血管造影的装置。
·用于安全的装置，例如，用于防止犯罪目的的监视相机和用于人物认证的相机。
·用于美容目的的装置，例如，用于拍摄皮肤的皮肤测量仪器和用于拍摄头皮的显微镜。
·用于运动的装置，例如，运动相机和用于运动用途的可穿戴相机等。
·用于农业的装置，例如，用于监视田地和农作物状况的相机。
<5.内窥镜手术系统的应用例>
根据本公开的技术(本技术)可以适用于各种产品。例如，根据本公开的技术可以应用于内窥镜手术系统。
图15是示出根据本公开的技术(本技术)可以应用的内窥镜手术系统的示意性构成的示例的图。
图15示出手术者(医生)11131正在使用内窥镜手术系统11000对病床11133上的患者11132进行手术的状态。如图所示，内窥镜手术系统11000包括内窥镜11100、诸如气腹管11111和能量处置器械11112等其他手术器械11110、支撑内窥镜11100的支撑臂装置11120以及其上安装有用于内窥镜手术的各种装置的推车11200。
内窥镜11100包括其中距远端预定长度的区域被插入患者11132的体腔内的透镜筒11101和摄像头11102，该摄像头与透镜筒11101的近端连接。在附图所示的示例中，示出了形成为包括硬性透镜筒11101的所谓硬镜的内窥镜11100，但是内窥镜11100可以形成为包括软性透镜筒的所谓的软镜。
透镜筒11101在其远端处设有物镜装配到其中的开口部。光源装置11203与内窥镜11100连接，并且将由光源装置11203生成的光通过延伸到透镜筒11101内部的光导引导到透镜筒的远端，并经由物镜将光朝向在患者11132的体腔内的观察对象发射。注意，内窥镜11100可以是直视镜、斜视镜或侧视镜。
在摄像头11102的内部设有光学系统和成像元件，并且来自观察对象的反射光(观察光)通过光学系统聚焦在成像元件上。观察光由成像元件执行光电转换，并且生成与观察光相对应的电气信号，即，与观察图像相对应的图像信号。图像信号作为RAW数据被传输到相机控制单元(CCU)11201。
CCU 11201包括中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)等，并且综合控制内窥镜11100和显示装置11202的操作。此外，CCU 11201接收来自摄像头11102的图像信号，并且执行诸如对图像信号的显像处理(去马赛克处理)等各种类型的图像处理以基于该图像信号显示图像。
显示装置11202通过CCU 11201的控制显示基于已经由CCU 11201对其进行了图像处理的图像信号的图像。
例如，光源装置11203包括诸如发光二极管(LED)等光源并且将用于拍摄手术部位等的照射光供给到内窥镜11100。
输入装置11204是用于内窥镜手术系统11000的输入接口。使用者可以经由输入装置11204向内窥镜手术系统11000输入各种类型的信息和指令。例如，使用者输入用于改变内窥镜11100的成像条件(照射光的类型、放大率、焦距等)的指令等。
处置器械控制装置11205控制能量处置器械11112的驱动，用于组织的烧灼、切开、血管的密封等。气腹装置11206经由气腹管11111向体腔内注入气体以使患者11132的体腔膨胀，以确保内窥镜11100的视野并确保手术者的工作空间。记录器11207是能够记录与手术有关的各种类型的信息的装置。打印机11208是能够以诸如文本、图像、图形等各种形式打印与手术有关的各种类型的信息的装置。
注意，将用于拍摄手术部位的照射光供给到内窥镜11100的光源装置11203可以包括例如LED、激光光源或它们组合的白色光源。在白色光源包括红、绿和蓝(RGB)激光光源的组合的情况下，可以高精度地控制各种颜色(波长)的输出强度和输出时机，从而可以在光源装置11203中进行所拍摄的图像的白平衡的调整。此外，在这种情况下，通过将来自各个RGB激光光源的激光按时间分割地发射到观察对象上并且与发射时机同步地控制摄像头11102的成像元件的驱动，也可以按时间分割地拍摄对应于RGB的图像。根据该方法，在成像元件中未设置滤色器的情况下，也可以获得彩色图像。
此外，可以控制光源装置11203的驱动，使得在预时机间间隔改变要输出的光的强度。通过与光强度的改变的时机同步地控制摄像头11102的成像元件的驱动以按时间分割地获取图像并合成图像，可以生成没有曝光不足的遮挡阴影和曝光过度的高亮的高动态范围的图像。
此外，光源装置11203可以供给与特殊光观察相对应的预定波长带的光。在特殊光观察中，例如，通过使用身体组织中的光吸收的波长依赖性，通过发射与普通观察时的照射光(即，白光)相比具有窄带域的光，进行以高对比度对诸如粘膜表层的血管等预定组织进行拍摄的所谓的窄带域成像。此外，在特殊光观察中，可以进行通过发射激发光产生的荧光获得图像的荧光成像。在荧光成像中，例如，可以向身体组织照射激发光来观察来自身体组织的荧光(自体荧光成像)，或者可以将诸如吲哚菁绿(ICG)等试剂局部注射到身体组织中并发射与试剂的荧光波长相对应的激发光来获得荧光图像。光源装置11203可以供给与这种特殊光观察相对应的窄带域光和/或激发光。
图16是示出图15所示的摄像头11102和CCU 11201的功能构成的示例的框图。
摄像头11102包括透镜单元11401、成像部11402、驱动部11403、通信部11404和摄像头控制部11405。CCU 11201包括通信部11411、图像处理部11412和控制部11413。摄像头11102和CCU 11201通过传输线缆11400连接，从而可以在它们之间进行通信。
透镜单元11401是设置在与透镜筒11101的连接部分处的光学系统。从透镜筒11101的远端接收的观察光被引导到摄像头11102并入射到透镜单元11401上。透镜单元11401包括具有变焦透镜和焦点透镜的多个透镜的组合。
成像部11402由成像元件组成。构成成像部11402的成像元件可以是一个元件(所谓的单板型)或者可以是多个元件(所谓的多板型)。当成像部11402是多板型时，例如，通过各个成像元件生成与RGB相对应的图像信号，并且可以通过对图像信号进行合成来获得彩色图像。可选择地，成像部11402可以包括一对成像元件，用于获取与三维(3D)显示相对应的右眼和左眼用的图像信号。通过进行3D显示，手术者11131可以更加准确地把握手术部位中的身体组织的深度。注意，当成像部11402是多板型时，可以设置与各个成像元件相对应的多个透镜单元11401。
此外，成像部11402不必须设置在摄像头11102中。例如，成像部11402可以设置在透镜筒11101内部的物镜的正后方。
驱动部11403包括致动器，并且通过摄像头控制部11405的控制使透镜单元11401的变焦透镜和焦点透镜沿着光轴移动预定距离。结果，可以适宜地调整由成像部11402拍摄的图像的放大率和焦点。
通信部11404包括用于向/从CCU 11201传输/接收各种类型的信息的通信装置。通信部11404将从成像部11402获取的图像信号作为RAW数据经由传输线缆11400传输到CCU11201。
此外，通信部11404从CCU 11201接收用于控制摄像头11102的驱动的控制信号，并将该控制信号供给到摄像头控制部11405。控制信号包括与成像条件有关的信息，例如，指定所拍摄的图像的帧速率的信息、指定在成像时的曝光值的信息和/或指定所拍摄的图像的放大率和焦点的信息等。
注意，诸如帧速率、曝光值、放大率和焦点等成像条件可以由使用者适宜地指定，或者可以由CCU 11201的控制部11413基于获取的图像信号来自动设定。在后一种情况下，所谓的自动曝光(AE)功能、自动对焦(AF)功能和自动白平衡(AWB)功能接合在内窥镜11100中。
摄像头控制部11405基于经由通信部11404接收的来自CCU 11201的控制信号来控制摄像头11102的驱动。
通信部11411包括用于向/从摄像头11102传输/接收各种类型的信息的通信装置。通信部11411经由传输线缆11400接收从摄像头11102传输的图像信号。
此外，通信部11411将用于控制摄像头11102的驱动的控制信号传输到摄像头11102。图像信号和控制信号可以通过电气通信、光通信等来传输。
图像处理部11412对作为从摄像头11102传输的RAW数据的图像信号进行各种类型的图像处理。
控制部11413进行与通过内窥镜11100进行的手术部位等的成像以及通过对手术部位等的成像获得的所拍摄的图像的显示有关的各种类型的控制。例如，控制部11413生成用于控制摄像头11102的驱动的控制信号。
此外，控制部11413基于已经由图像处理部11412进行了图像处理的图像信号来使显示装置11202显示手术部位等的所拍摄的图像。在这种情况下，控制部11413可以通过使用各种图像识别技术来识别所拍摄的图像内的各种物体。例如，控制部11413检测包含在所拍摄的图像中的物体的边缘形状和/或颜色等，由此能够识别诸如钳子等手术器械、特定活体部位、出血、当使用能量处置器械11112时的雾等等。当使显示装置11202显示所拍摄的图像时，通过使用识别结果，控制部11413可以使显示装置11202重叠显示与手术部位的图像有关的各种类型的手术支持信息。手术支持信息被重叠显示，并呈现给手术者11131，由此可以减轻手术者11131的负担，并且手术者11131可以可靠地进行手术。
将摄像头11102和CCU 11201连接在一起的传输线缆11400是支持电气信号的通信的电气信号线缆、支持光通信的光纤或其复合线缆。
这里，在附图所示的示例中，通过使用传输线缆11400来执行有线通信，但是可以在摄像头11102和CCU 11201之间执行无线通信。
上面已经说明了根据本公开的技术可以适用的内窥镜手术系统的示例。例如，根据本公开的技术可以适用于上述构成之中的成像部11402。具体地，半导体芯片211或511可以适用于成像部11402。通过将根据本公开的技术适用于成像部11402，可以获得更清晰的手术区域图像，同时确保成像部11402的长期可靠性。
注意，尽管这里以内窥镜手术系统为例进行说明，但是根据本公开的技术可以适用于诸如显微镜手术系统等。
<6.移动体的应用例>
根据本公开的技术(本技术)可以适用于各种产品。例如，根据本公开的技术被实现为待安装在诸如汽车、电动汽车、混合电动汽车、摩托车、自行车、个人移动装置、飞机、无人飞行器(无人机)、船舶、机器人等任何类型的移动体上的装置。
图17是作为根据本公开的技术可以适用的移动体控制系统的示例的车辆控制系统的概略构成例的框图。
车辆控制系统12000包括经由通信网络12001连接在一起的多个电子控制单元。在图17所示的示例中，车辆控制系统12000包括驱动系统控制单元12010、主体系统控制单元12020、车外信息检测单元12030、车内信息检测单元12040和综合控制单元12050。此外，作为综合控制单元12050的功能构成，示出了微型计算机12051、声音/图像输出单元12052和车载网络接口(I/F)12053。
驱动系统控制单元12010根据各种程序来控制与车辆的驱动系统有关的装置的操作。例如，驱动系统控制单元12010用作诸如用于产生如内燃机或驱动电机等车辆的驱动力的驱动力产生装置、用于向车轮传递驱动力的驱动力传递机构、用于调整车辆的转向角的转向机构、用于产生车辆的制动力的制动装置等的控制装置。
主体系统控制单元12020根据各种程序来控制安装到车体的各种装置的操作。例如，主体系统控制单元12020用作无钥匙进入系统、智能钥匙系统、电动窗装置或诸如头灯、尾灯、刹车灯、转向信号灯或雾灯等各种灯的控制装置。在这种情况下，用于代替按键的从便携式装置传递的无线电波或各种开关的信号可以输入到主体系统控制单元12020。主体系统控制单元12020接收无线电波或信号的输入并控制车辆的门锁装置、电动窗装置、灯等。
车外信息检测单元12030检测安装车辆控制系统12000的车辆的外部的信息。例如，车外信息检测单元12030与成像部12031连接。车外信息检测单元12030使成像部12031拍摄车辆外部的图像并接收所拍摄的图像。车外信息检测单元12030可以基于接收到的图像进行诸如人、汽车、障碍物、标志、道路上的文字等物体检测处理或距离检测处理。
成像部12031是接收光并输出对应于受光量的电气信号的光学传感器。成像部12031可以输出电气信号作为图像或输出电气信号作为测距信息。此外，由成像部12031接收的光可以是可见光或诸如红外线等不可见光。
车内信息检测单元12040检测车内的信息。例如，车内信息检测单元12040与用于检测驾驶员的状态的驾驶员状态检测单元12041连接。例如，驾驶员状态检测单元12041包括拍摄驾驶员的图像的相机，并且基于从驾驶员状态检测单元12041输入的检测信息，车内信息检测单元12040可以计算驾驶员的疲劳度或集中度，或者可以判断驾驶员是否在坐姿中入睡。
例如，微型计算机12051可以基于由车外信息检测单元12030或车内信息检测单元12040获得的车辆内部和外部的信息来计算驱动力产生装置、转向机构或制动装置的控制目标值，并且可以向驱动系统控制单元12010输出控制指令。例如，微型计算机12051可以进行协调控制，以实现包括车辆的碰撞避免或碰撞缓和、基于车辆之间的距离的追踪行驶、车辆速度保持行驶、车辆碰撞警告、车辆的车道偏离警告等的高级驾驶员辅助系统(ADAS)的功能。
此外，微型计算机12051可以通过基于由车外信息检测单元12030或车内信息检测单元12040获得的关于车辆周围的信息来控制驱动力产生装置、转向机构、制动装置等来进行协调控制，以实现其中车辆自主行驶而不依赖于驾驶员的操作的自动驾驶等。
此外，微型计算机12051可以基于由车外信息检测单元12030获得的车辆外部的信息将控制指令输出到主体系统控制单元12020。例如，微型计算机12051根据由车外信息检测单元12030检测到的前方车辆或对向车辆的位置来控制头灯，以进行协调控制，以实现诸如将远光灯切换为近光灯等防止眩光。
声音/图像输出单元12052将声音和图像输出信号中的至少一种传递到能够在视觉上或听觉上通知车辆乘员或车辆外部的信息的输出装置。在图17的示例中，作为输出装置，音频扬声器12061、显示单元12062和仪表板12063被示出。例如，显示单元12062可以包括车载显示器和平视显示器中的至少一种。
图18是成像部12031的安装位置的示例的图。
在图18中，车辆12100包括成像部12101，12102，12103，12104和12105作为成像部12031。
成像部12101，12102，12103，12104和12105中的每一个设置在例如车辆12100的车头、侧视镜、后保险杠、后门、车内的挡风玻璃的上侧等位置。设置在车头中的成像部12101和设置在车内的挡风玻璃上侧的成像部12105主要获得车辆12100的前方的图像。设置在侧视镜中的成像部12102和12103主要获得车辆12100的侧方的图像。设置在后保险杠或后门中的成像部12104主要获得车辆12100的后方的图像。成像部12101和12105所获取的前方图像主要用于检测前方车辆、行人、障碍物、交通信号、交通标志、车道等。
此外，图18示出了成像部12101～12104的成像范围的示例。成像范围12111表示设置在车头中的成像部12101的成像范围，成像范围12112和12113分别表示设置在侧视镜中的成像部12102和12103的成像范围，成像范围12114表示设置在后保险杠或后门中的成像部12104的成像范围。例如，由成像部12101～12104拍摄的图像数据被彼此叠加，从而获得车辆12100的从上方看到的鸟瞰图像。
成像部12101～12104中的至少一个可以具有获取距离信息的功能。例如，成像部12101～12104中的至少一个可以是包括多个成像元件的立体相机，或者可以是具有相位差检测用的像素的成像元件。
例如，基于从成像部12101～12104获得的距离信息，微型计算机12051求出距各成像范围12111～12114内的各立体物的距离和距离的时间变化(相对于车辆12100的相对速度)，从而能够提取位于车辆12100的行驶路线上的特别是最靠近的立体物且在与车辆12100的大致相同的方向上以预定速度(例如，0km/h以上)行驶的立体物作为前方车辆。此外，微型计算机12051可以设定在前方车辆的跟前预先确保的车辆之间的距离，并且可以进行自动制动控制(包括追踪行驶停止控制)、自动加速控制(包括追踪行驶开始控制)等。以这种方式，可以进行其中车辆自主行驶而不依赖于驾驶员的操作的自动驾驶等的协调控制。
例如，基于从成像部12101～12104获得的距离信息，通过将立体物分类为两轮车辆、普通车辆、大型车辆、行人和电线杆等其他立体物，微型计算机12051可以提取关于立体物的立体物数据，并利用提取的数据自动避开障碍物。例如，微型计算机12051将车辆12100周围的障碍物识别为可以由车辆12100的驾驶员视觉识别的障碍物和难以视觉识别的障碍物。然后，微型计算机12051判断指示与各障碍物碰撞的危险度的碰撞风险，并且当碰撞风险等于或高于设定值并且存在碰撞的可能性时，微型计算机12051可以通过经由音频扬声器12061和显示单元12062向驾驶者输出警告或者经由驱动系统控制单元12010进行强制减速或回避转向，从而能够进行碰撞避免的驾驶辅助。
成像部12101～12104中的至少一个可以是用于检测红外线的红外相机。例如，微型计算机12051可以通过判断行人是否存在于成像部12101～12104的拍摄图像中来识别行人。例如，通过提取作为红外相机的成像部12101～12104的拍摄图像中的特征点的过程以及对指示物体的轮廓的一系列特征点进行图案匹配处理以判断该物体是否为行人的过程来进行行人的识别。当微型计算机12051判断行人存在于成像部12101～12104的拍摄图像中并且识别出行人时，声音/图像输出单元12052控制显示单元12062，使其显示叠加的四边形轮廓线以强调所识别的行人。此外，声音/图像输出单元12052可以控制显示单元12062，使其在期望的位置显示指示行人的图标等。
上面已经说明了根据本公开的技术可以适用的车辆控制系统的示例。根据本公开的技术可以适用于上述构成之中的成像部12031等。具体地，半导体芯片211或511可以适用于成像部12031。通过将根据本公开的技术适用于成像部12031，可以获得更容易观看的拍摄图像，同时确保成像部12031的长期可靠性。
本技术的实施方案不限于上述实施方案，并且可以在不偏离本技术的要点的情况下进行各种变更。
例如，可以采用组合上述多个实施方案中的全部或一些的形式。
注意，本说明书中记载的效果仅仅是示例而不是限制，并且可以提供除了本说明书中记载的效果之外的效果。
注意，本技术还可以具有以下构成。
(1)一种半导体芯片，包括：
成像元件；
密封树脂，所述密封树脂形成在所述成像元件上；和
保护基板，所述保护基板经由所述密封树脂接合到所述成像元件，
其中，所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度。
(2)根据(1)所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料是纤维状的。
(3)根据(2)所述的半导体芯片，
其中，在所述强化材料中，短边的截面的直径比可见光的波长短，并且长边的截面的直径是所述短边的截面直径的三倍以上。
(4)根据(2)或(3)所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料是玻璃纤维或有机纤维。
(5)根据(4)所述的半导体芯片，
其中，所述有机纤维是纤维素纳米纤维或纳米粒子凝集的纳米粒子凝集体。
(6)根据(1)～(5)中任一项所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料透射可见光。
(7)根据(1)～(6)中任一项所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料的含量为2～50wt％。
(8)根据(1)～(7)中任一项所述的半导体芯片，
其中，所述母材的折射率大致等于所述保护基板的折射率。
(9)根据(1)～(8)中任一项所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料的折射率大致等于所述母材的折射率。
(10)根据(9)所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料和所述母材之间的折射率差为0.06以下。
(11)根据(1)～(9)中任一项所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料和所述母材之间的折射率差为0.03以上。
(12)根据(11)所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料和所述母材之间的折射率差为0.03以上且0.06以下。
(13)根据(1)～(12)中任一项所述的半导体芯片，
其中，所述成像元件包括片上透镜，和
所述密封树脂形成在所述片上透镜上并且具有比所述片上透镜的折射率低的折射率。
(14)一种半导体芯片的制造方法，所述方法包括：
形成成像元件；
在所述成像元件上形成包含母材和强化材料的密封树脂，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；和
经由所述密封树脂将保护基板接合到所述成像元件。
(15)一种半导体装置，包括：
半导体芯片，所述半导体芯片包括：
成像元件；
密封树脂，所述密封树脂形成在所述成像元件上；和
保护基板，所述保护基板经由所述密封树脂接合到所述成像元件，
其中，所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；
基板，所述半导体芯片安装在所述基板上；和
底部填充材料，所述底部填充材料形成在所述基板上以覆盖所述半导体芯片的侧面。
(16)一种半导体装置的制造方法，所述方法包括：
通过以下步骤形成半导体芯片：
形成成像元件；
在所述成像元件上形成包含母材和强化材料的密封树脂，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；和
经由所述密封树脂将保护基板接合到所述成像元件；
将所述半导体芯片安装在基板上；和
从所述半导体芯片的周围在所述半导体芯片和所述基板之间填充底部填充材料并热固化，并且用所述底部填充材料覆盖所述半导体芯片的侧面。
(17)一种半导体装置，包括：
半导体芯片，所述半导体芯片包括：
成像元件；
密封树脂，所述密封树脂形成在所述成像元件上；和
保护基板，所述保护基板经由所述密封树脂接合到所述成像元件，
其中，所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；
基板，所述半导体芯片使用导线安装在所述基板上；和
树脂，所述树脂形成在所述基板上以覆盖所述半导体芯片的侧面的所述导线。
(18)一种电子设备，包括：
半导体芯片，所述半导体芯片包括：
成像元件；
密封树脂，所述密封树脂形成在所述成像元件上；和
保护基板，所述保护基板经由所述密封树脂接合到所述成像元件，
其中，所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；和
信号处理电路，所述信号处理电路处理来自所述半导体芯片的信号。
附图标记列表
200 半导体装置
211 半导体芯片
212 基板
213 底部填充材料
230CMOS图像传感器
231 密封树脂
232 保护基板
256 片上透镜
351 母材
352 强化材料
500 半导体装置
511 半导体芯片
512 中继基板
513 导线
514 树脂
520CMOS图像传感器
550 半导体装置
551 安装基板
1001成像装置
1006信号处理电路

Claims (18)

1.一种半导体芯片，包括：
成像元件；
密封树脂，所述密封树脂形成在所述成像元件上；和
保护基板，所述保护基板经由所述密封树脂接合到所述成像元件，
其中，所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料是纤维状的。
3.根据权利要求2所述的半导体芯片，
其中，在所述强化材料中，短边的截面的直径比可见光的波长短，并且长边的截面的直径是所述短边的截面直径的三倍以上。
4.根据权利要求2所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料是玻璃纤维或有机纤维。
5.根据权利要求4所述的半导体芯片，
其中，所述有机纤维是纤维素纳米纤维或纳米粒子凝集的纳米粒子凝集体。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料透射可见光。
7.根据权利要求1所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料的含量为2～50wt％。
8.根据权利要求1所述的半导体芯片，
其中，所述母材的折射率大致等于所述保护基板的折射率。
9.根据权利要求1所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料的折射率大致等于所述母材的折射率。
10.根据权利要求9所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料和所述母材之间的折射率差为0.06以下。
11.根据权利要求1所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料和所述母材之间的折射率差为0.03以上。
12.根据权利要求11所述的半导体芯片，
其中，所述强化材料和所述母材之间的折射率差为0.03以上且0.06以下。
13.根据权利要求1所述的半导体芯片，
其中，所述成像元件包括片上透镜，和
所述密封树脂形成在所述片上透镜上并且具有比所述片上透镜的折射率低的折射率。
14.一种半导体芯片的制造方法，所述方法包括：
形成成像元件；
在所述成像元件上形成包含母材和强化材料的密封树脂，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；和
经由所述密封树脂将保护基板接合到所述成像元件。
15.一种半导体装置，包括：
半导体芯片，所述半导体芯片包括：
成像元件；
密封树脂，所述密封树脂形成在所述成像元件上；和
保护基板，所述保护基板经由所述密封树脂接合到所述成像元件，
其中，所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；
基板，所述半导体芯片安装在所述基板上；和
底部填充材料，所述底部填充材料形成在所述基板上以覆盖所述半导体芯片的侧面。
16.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括：
通过以下步骤形成半导体芯片：
形成成像元件；
在所述成像元件上形成包含母材和强化材料的密封树脂，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；和
经由所述密封树脂将保护基板接合到所述成像元件；
将所述半导体芯片安装在基板上；和
从所述半导体芯片的周围在所述半导体芯片和所述基板之间填充底部填充材料并热固化，并且用所述底部填充材料覆盖所述半导体芯片的侧面。
17.一种半导体装置，包括：
半导体芯片，所述半导体芯片包括：
成像元件；
密封树脂，所述密封树脂形成在所述成像元件上；和
保护基板，所述保护基板经由所述密封树脂接合到所述成像元件，
其中，所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；
基板，所述半导体芯片使用导线安装在所述基板上；和
树脂，所述树脂形成在所述基板上以覆盖所述半导体芯片的侧面的所述导线。
18.一种电子设备，包括：
半导体芯片，所述半导体芯片包括：
成像元件；
密封树脂，所述密封树脂形成在所述成像元件上；和
保护基板，所述保护基板经由所述密封树脂接合到所述成像元件，
其中，所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度；和
信号处理电路，所述信号处理电路处理来自所述半导体芯片的信号。
CN202280013042.1A 2021-03-26 2022-01-21 半导体芯片及其制造方法、半导体装置及其制造方法以及电子设备 Pending CN116848638A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021053486A JP2022150746A (ja) 2021-03-26 2021-03-26 半導体チップおよびその製造方法、半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP2021-053486 2021-03-26
PCT/JP2022/002110 WO2022201815A1 (ja) 2021-03-26 2022-01-21 半導体チップおよびその製造方法、半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116848638A true CN116848638A (zh) 2023-10-03

Family

ID=83395419

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280013042.1A Pending CN116848638A (zh) 2021-03-26 2022-01-21 半导体芯片及其制造方法、半导体装置及其制造方法以及电子设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240170511A1 (zh)
JP (1) JP2022150746A (zh)
CN (1) CN116848638A (zh)
WO (1) WO2022201815A1 (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112005003327T5 (de) * 2005-01-04 2007-11-29 I Square Reserch Co., Ltd., Mukoh Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
JP2010251563A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Panasonic Corp 半導体装置
WO2016129409A1 (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 ソニー株式会社 撮像素子、製造方法、および電子機器
JP6818468B2 (ja) * 2016-08-25 2021-01-20 キヤノン株式会社 光電変換装置及びカメラ
US11538842B2 (en) * 2017-12-28 2022-12-27 Industrial Technology Research Institute Chip scale package structures

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022201815A1 (ja) 2022-09-29
JP2022150746A (ja) 2022-10-07
US20240170511A1 (en) 2024-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11508773B2 (en) Image pickup device and electronic apparatus
WO2019093135A1 (ja) 撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
TW201908776A (zh) 影像感測器，影像感測器製造方法，電子裝置及成像模組
JP7472366B2 (ja) 半導体装置、及び電子機器
WO2019138923A1 (ja) 固体撮像装置、電子機器
US20220085093A1 (en) Solid-state imaging device and electronic apparatus
US11830898B2 (en) Wafer level lens
US20220231057A1 (en) Imaging device
US20240006443A1 (en) Solid-state imaging device, imaging device, and electronic apparatus
JP2022015447A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
CN110998849B (zh) 成像装置、相机模块和电子设备
US20230117904A1 (en) Sensor package, method of manufacturing the same, and imaging device
CN112771671A (zh) 半导体元件及其制造方法
US20230238407A1 (en) Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic device
US20240170511A1 (en) Semiconductor chip and manufacturing method therefor, semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device
KR20210119999A (ko) 촬상 장치 및 촬상 시스템
WO2023100492A1 (ja) 半導体装置及び電子機器
US20230030963A1 (en) Imaging apparatus and method for manufacturing the same
WO2022244327A1 (ja) 半導体チップおよびその製造方法、並びに電子機器
WO2020105331A1 (ja) 固体撮像装置及び電子機器
JP2023083675A (ja) 固体撮像装置
CN118120059A (zh) 光接收装置
CN116868346A (zh) 半导体装置
JP2020120071A (ja) 固体撮像装置及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination