CN116834289A - 模型底层公差补偿方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents

模型底层公差补偿方法、装置、电子设备及存储介质 Download PDF

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CN116834289A CN202310806864.1A CN202310806864A CN116834289A CN 116834289 A CN116834289 A CN 116834289A CN 202310806864 A CN202310806864 A CN 202310806864A CN 116834289 A CN116834289 A CN 116834289A
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Abstract

本发明属于光固化3D打印技术领域,尤其涉及模型底层公差补偿方法、装置、电子设备及存储介质;所述方法包括:遍历模型三角网格;对模型进行切片分层并获取全部切片层的切片图像;将底部起始连续的X层切片层确定为底层区;将剩余的全部切片层确定为正常层区;对底层区第M切片层设定第一曝光时长和切片图像的完整透光面积;对底层区第M切片层设定第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积;对正常层区切片层设定第三曝光时长和切片图像的完整透光面积;储存打印参数。本方法可使模型在打印时既能增强底部区域内的切片层的曝光和粘附能力,又能减少或消除打印时由过曝导致的误差。

Description

模型底层公差补偿方法、装置、电子设备及存储介质
技术领域
本发明属于光固化3D(3-dimension,三维)打印技术领域,具体涉及模型底层公差补偿方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
在现有的光固化3D(3-dimension,三维)打印技术中,通常是将模型按设定层厚参数进行切片分层,然后将切片分层后的切片图像按层进行曝光打印;特别的,在模型进行贴底打印时,在底层区域内的一层或多层连续切片层时会延长曝光时间,以增强模型底层区域内成型层与打印机成型平台的粘附能力,从而保证打印拔膜时有足够拉力和保证打印成功;
但是,对底层区域内的切片层延长曝光时间又会导致成型层过曝的同时,由于光源在切片图像边缘形成散射因素或树脂光引发剂引起的连续引发因素,又会在模型底部周边生成超出模型本体的裙边结构;造成模型底层区域的切片产生打印误差。因此为了解决此问题,需要提出一种模型底层公差补偿方法,使模型在打印时既能增强底部区域内的切片层的曝光和粘附能力,又能减少或消除打印时由过曝导致的误差。
发明内容
本申请实施例提供一种模型底层公差补偿方法、装置、电子设备及存储介质,目的是在保证模型底层区域通过延长曝光时间保证粘附能力的同时,还能减少或消除打印时由于过曝导致的误差。
本申请实施例的第一方面提供一种模型底层公差补偿方法,包括:
遍历拼接组成模型的全部三角网格;
对模型按预设层厚参数进行切片分层并获取全部切片层的切片图像;
将底部起始连续的X层切片层确定为底层区;
将剩余的全部切片层确定为正常层区;
对底层区第M切片层设定第一曝光时长和切片图像的完整透光面积;
对底层区第M切片层设定第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积;
对正常层区切片层设定第三曝光时长和切片图像的完整透光面积;
将模型打印的曝光时长和切片图像的透光面积参数进行存储。
进一步地,所述的模型底层公差补偿方法,还包括:
S500、将底层区第M切片层按第一曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光;
S550、将底层区第M切片层按第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积重复曝光;
S600、将正常层区切片层按第三曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
进一步地,所述的模型底层公差补偿方法,还包括:
S225、将邻接X层之后连续的Y层切片层确定为过渡层区;
S375、对过渡层区切片层设定第四曝光时长和切片图像的完整透光面积;
S575、将过渡层区切片层按第四曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
可选地,所述切片图像的内缩透光面积,包括:按切片图像的完整透光面积进行等比内缩的透光面积,或按切片图像的完整透光面积进行等距离内缩的透光面积,或按切片图像的完整透光面积取拓扑近似内缩图形的透光面积,或按切片图像的完整透光面积取规则内缩图形的透光面积。
本申请实施例的第二方面提供一种模型底层公差补偿装置,包括:
模型网格遍历模块,用于遍历拼接组成模型的全部三角网格;
切片处理模块,用于对模型按预设层厚参数进行切片分层并获取全部切片层的切片图像;
底层区确定模块,用于将底部起始连续的X层切片层确定为底层区;
正常层区确定模块,用于将剩余的全部切片层确定为正常层区;
第一曝光设定模块,用于对底层区第M切片层设定第一曝光时长和切片图像的完整透光面积;
第二曝光设定模块,用于对底层区第M切片层设定第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积;
第三曝光设定模块,用于对正常层区切片层设定第三曝光时长和切片图像的完整透光面积;
存储模块,用于将模型打印的曝光时长和切片图像的透光面积参数进行存储。
进一步地,所述的模型底层公差补偿装置,还包括:
第一曝光模块,用于将底层区第M切片层按第一曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光;
第二曝光模块,用于将底层区第M切片层按第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积重复曝光;
第三曝光模块,用于将正常层区切片层按第三曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
进一步地,所述的模型底层公差补偿装置,还包括:
过渡层区确定模块,用于将邻接X层之后连续的Y层切片层确定为过渡层区;
第四曝光设定模块,用于对过渡层区切片层设定第四曝光时长和切片图像的完整透光面积;
第四曝光模块,用于将过渡层区切片层按第四曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
本申请实施例的第三方面提供了一种电子设备,包括:
至少一个处理器;以及与所述至少一个处理器通信连接的存储单元;
其中,所述存储模块存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述至少一个处理器执行所述指令时实现上述任一种所述的模型底层公差补偿方法的步骤。
本申请实施例的第四方面提供了一种非瞬时计算机可读存储介质,所述非瞬时计算机可读存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一种所述的模型底层公差补偿方法的步骤。
本申请实施例的第五方面提供了一种计算机程序产品,所述计算机程序产品包括计算机指令,所述计算机指令被计算机执行时实现上述任一种所述的模型底层公差补偿方法。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1.本申请实施例的第一方面提供的模型底层公差补偿方法,在对底层区域切片层打印时,先以切片图像的完整透光面积参考正常层的曝光时间进行正常成型,能够形成一个正常、饱满的外轮廓,在不拔膜的情况下,再次重复曝光时采用内缩透光面积以一个加长曝光时间进行强化曝光,可以在加长曝光时间内,使图像边缘因光源散射因素,或树脂光引发剂引起的连续引发因素,造成的过曝成型的反应区,局限在完整透光面积和内缩透光面积之间相差的环形面积内,既能强化内缩透光面积内的曝光和增强底层切片附着力,又能在消除或减小切片外边缘误差的情况下,使环形面积区域的附着力能保证打印的顺利进行;
2.本申请实施例的第一方面提供的模型底层公差补偿方法,在对底层区域切片层打印时,可以在模型底层区域通过延长曝光时间保证粘附能力的同时,还能减少或消除打印时由过曝导致的误差,能够满足一些模型只适合贴底打印的需求;
3.本申请实施例的第一方面提供的模型底层公差补偿方法,特别适合用于打印牙模类模型,现有技术贴底打印会产生裙边误差,添加支撑打印又容易产生去支撑后的残留造成不适感,而本申请实施例的模型底层公差补偿方法则能解决这一痛点,通过降低或消除牙膜底部裙边误差,来避免上述问题,能使打印后的牙模产品更贴合牙龈,消除不适感;
4.本申请实施例的第一方面提供的模型底层公差补偿方法,还能够对具有中心孔的工程模型进行底层公差补偿的贴底打印,从而消除底层孔口边缘的裙边误差,能使模型打印更精细,误差小;
5.本申请实施例的第一方面提供的模型底层公差补偿方法,解决了为避免模型底层边缘产生过曝误差,而不得不采用加支撑方式进行打印的用户的痛点,正是由于现有技术贴底打印会产生裙边误差,而不得不添加支撑,不得不在打印后去除支撑,不得不接受模型表面剪除支撑后残留支撑凸起的情况,而采用本申请中的模型底层公差补偿方法,对于很多模型就能够直接贴底打印,避免添加支撑、避免剪除支撑的工作和避免模型表面形成支撑残留,既能减少工作量,还能是模型打印效果更好;
6.本申请实施例的第一方面提供的模型底层公差补偿方法,对低层区的切片层进行重复曝光,其第一次曝光时采用完整透光面积能够形成一个正常、饱满的外轮廓,因此在再次采用内缩透光面积进行重复曝光时,无需精细化考量内缩透光面积的大小,只需要大概将内缩透光面积设置在一个合适范围,即可满足底层公差补偿要求的同时又能保证低层区切片层的附着力,以保证模型的成功打印;使用户不必做精细化参数设置,方便用户的快速设置和使用。
附图说明
图1为本申请实施例的模型底层公差补偿方法的流程图;
图2为本申请实施例的模型底层公差补偿装置的结构图;
图3为本申请实施例的模型切片处理的示意图;
图4为本申请实施例的模型切片后获得切片图像的示意图;
图5为背景技术下对不同层设置曝光时长和切片图像透光面积示例图1;
图6为本申请实施例对不同层设置曝光时长和切片图像透光面积示例图1;
图7为背景技术下对不同层设置曝光时长和切片图像透光面积示例图2;
图8为本申请实施例的对不同层设置曝光时长和切片图像透光面积示例图2;
图9为背景技术下未采用模型底层公差补偿方法的打印效果图;
图10为本申请实施例采用模型底层公差补偿方法的打印效果图;
图11为实现本申请实施例模型底层公差补偿方法的电子设备结构框图;
图12为本申请实施例电子设备对模型进行处理切片的示意图;
图13为实现本申请方法模型底层公差补偿方法的3D打印设备结构框图;
图14为本申请方法实施后经切片得到的图像数据导入3D打印设备的示意图。
标号说明:
电子设备7;计算机程序70;处理器71;存储单元72;3D打印设备8;控制器81;存储器82;打印控制程序80;移动存储设备9;
模型301;切片图像302;不透光面积303;完整透光面积304;内缩透光面积305;圆孔306;底层区401;过渡层区402;正常层区403;模型附着成型平台501;模型裙边502;
模型网格遍历模块100;切片处理模块150;底层区确定模块200;过渡层区确定模块225;正常层区确定模块250;第一曝光设定模块300;第二曝光设定模块350;第四曝光设定模块375;第三曝光设定模块400;存储模块450;第一曝光模块500;第二曝光模块550;第四曝光模块575;第三曝光模块600。
具体实施方式
为使得本申请的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,下面所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而非全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
应当理解,当在本说明书和所附权利要求书中使用时,术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在,但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。还应当理解,在此本申请说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本申请。
图1为本申请实施例的模型底层公差补偿方法的流程图。如图所示,本申请的模型底层公差补偿方法,包括如下基本步骤:
S100、遍历拼接组成模型的全部三角网格;
S150、对模型按预设层厚参数进行切片分层并获取全部切片层的切片图像;
S200、将底部起始连续的X层切片层确定为底层区;
S250、将剩余的全部切片层确定为正常层区;
S300、对底层区第M切片层设定第一曝光时长和切片图像的完整透光面积;
S350、对底层区第M切片层设定第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积;
S400、对正常层区切片层设定第三曝光时长和切片图像的完整透光面积;
S450、将模型打印的曝光时长和切片图像的透光面积参数进行存储。
此外,在上述步骤之外,还进一步包括如下可选步骤:
S500、将底层区第M切片层按第一曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光;
S550、将底层区第M切片层按第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积重复曝光;
S600、将正常层区切片层按第三曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
此外,在上述步骤之外,还进一步包括如下可选步骤:
S225、将邻接X层之后连续的Y层切片层确定为过渡层区;
S375、对过渡层区切片层设定第四曝光时长和切片图像的完整透光面积;
S575、将过渡层区切片层按第四曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
具体的,所述第二曝光时长应大于所述第一曝光时长;所述第二曝光时长应大于所述第三曝光时长;所述第四曝光时长应大于所述第三曝光时长。
图2为本申请实施例的模型底层公差补偿装置的结构图。如图所示,本申请的模型底层公差补偿装置,包括:
模型网格遍历模块100,用于遍历拼接组成模型的全部三角网格;
切片处理模块150,用于对模型按预设层厚参数进行切片分层并获取全部切片层的切片图像;
底层区确定模块200,用于将底部起始连续的X层切片层确定为底层区;
正常层区确定模块250,用于将剩余的全部切片层确定为正常层区;
第一曝光设定模块300,用于对底层区第M切片层设定第一曝光时长和切片图像的完整透光面积;
第二曝光设定模块350,用于对底层区第M切片层设定第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积;
第三曝光设定模块400,用于对正常层区切片层设定第三曝光时长和切片图像的完整透光面积;
存储模块450,用于将模型打印的曝光时长和切片图像的透光面积参数进行存储。
此外,还进一步包括如下可选模块:
第一曝光模块500,用于将底层区第M切片层按第一曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光;
第二曝光模块550,用于将底层区第M切片层按第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积重复曝光;
第三曝光模块600,用于将正常层区切片层按第三曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
此外,还进一步包括如下可选模块:
过渡层区确定模块225,用于将邻接X层之后连续的Y层切片层确定为过渡层区;
第四曝光设定模块375,用于对过渡层区切片层设定第四曝光时长和切片图像的完整透光面积;
第四曝光模块575,用于将过渡层区切片层按第四曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
具体的,所述第二曝光时长应大于所述第一曝光时长;所述第二曝光时长应大于所述第三曝光时长;所述第四曝光时长应大于所述第三曝光时长。
图3为本申请实施例的模型切片处理的示意图。如图所示,用户通过切片软件按照Z轴上的设定层厚参数将图中长方体切为多层。
图4为本申请实施例的模型切片后获得切片图像的示意图。如图所示,用户由图3的操作将长方体切片处理为多层后,得到多层切片层对应的切片图像302;图中每一张切片层图片都是一张四周为黑色,灰度值为0,能够阻光,中心为白色,灰度值为255,能够透光的切片图像。
图5为背景技术下对不同层设置曝光时长和切片图像透光面积示例图1。如图所示,按照背景技术下一般模型的切片和曝光打印方法,需要先将图中模型301按照预设层厚切片分为多个切片层;相应的,还需要再按照预设参数选取由底部起始连续的X层切片层确定为底层区401;
一般情况下时,在0.1毫米层厚下,会预设由底部起始连续的4层切片确定为底层切片;并且根据需要,选择继续连续的2层切片层确定为过渡层区402;然后将剩余的全部切片层确定为正常层区403;
具体的,是否设置过渡层区402,需要根据光固化成型树脂的反应特性,以及底层区401切片层的曝光时长和正常层区403的曝光时长是否差异过大来决定;例如,对于一些快速打印树脂,如果底层区401的切片层需要曝光4s,而正常层区403的切片层需要3s,那么由于曝光时长差异不大,则可以不需要设置过渡层区402;例如,对于一些普通打印树脂,如果底层区401的切片层需要曝光6s,而正常层区403的切片层需要2s,那么由于曝光时长差异较大,如果不设置过渡层区402,则打印时容易在正常层区403和底层区401之间产生脱层;
在本图中,设置了底部的4层切片层确定为底层区401;设置了中间的2层切片层确定为过渡层区402;并将剩下的6层切片层确定为正常层区403;并且各切片层对应的切片图像302包括不透光面积303和完整透光面积304;其中,完整透光面积304的面积大小统一为S1;
相应地,将底层区401的切片层的曝光时长设为T0=6s;将过渡层区402的切片层的第四曝光时长设为T4=4s;将正常层区403的切片层的第三曝光时长设为T3=2s;并且,由于模型301的形状为方形柱,且各层切片图像302上的完整透光面积304都保持一致;因此在打印曝光时,各个切片层能够按照面积S1和预设层厚参数,生成树脂成型层,特别的,由于底层区401的切片层的曝光时长T0=6s,远大于第三曝光时长T3=2s,因此底层区401的切片层的外边缘会因为过曝生成如图9中所示的模型裙边502,进而产生打印误差。
图6为本申请实施例对不同层设置曝光时长和切片图像透光面积示例图1。如图所示,按照本申请图1中示例的方法,需要先将图中模型301按照预设层厚切片分为多个切片层;然后选取由底部起始连续的4层切片层确定为底层区401;并且根据需要,选择继续连续的2层切片层确定为过渡层区402;然后将剩余的全部切片层确定为正常层区403;
但是,与图5所不同的是,需要在生成切片打印参数和数据阶段,先将底层区401各个切片层的第一曝光时长设为T1=2s,将切片图像302的完整透光面积304设为S1;再将底层区401各个切片层的第二曝光时长设为T2=4s,将切片图像302的内缩透光面积305设为S2;然后根据需要,将过渡层区402各个切片层的第四曝光时长设为T4=4s,将切片图像302的完整透光面积304设为S1;最后将剩余的正常层区403各个切片层的第三曝光时长设定T3=2s,将切片图像302的完整透光面积304设为S1;
其中,内缩透光面积305包括:按切片图像302的完整透光面积304进行等比内缩的透光面积,例如,完整透光面积为10毫米乘以10毫米的正方形,按系数0.8进行等比内缩,可获得8毫米乘以8毫米的内缩透光面积;
或按切片图像302的完整透光面积304进行等距离内缩的透光面积,例如,完整透光面积为10毫米乘以10毫米的正方形,按等距2毫米进行等比内缩,也可获得8毫米乘以8毫米的内缩透光面积;
或按切片图像302的完整透光面积304取拓扑近似内缩图形的透光面积,例如,完整透光面积为不规则四边形时,定位一个中心点,可获得完全位于图形内部的正方形的内缩透光面积;
或按切片图像302的完整透光面积304取规则内缩图形的透光面积,例如,完整透光面积为梅花形时,以中心点为圆心,可获得圆形全部位于梅花形内部的内缩透光面积;
而在本图中,面积为S2的内缩透光面积305采用的是按切片图像302的完整透光面积304进行等距离内缩a毫米后的透光面积;
而在曝光打印阶段,则需要先将底层区401第1切片层的S1面积按第一曝光时长T1=2s进行曝光;再将底层区401第1切片层的S2面积按第二曝光时长T2=4s进行曝光;
下一步,将底层区401第2切片层的S1面积按第一曝光时长T1=2s进行曝光;再将底层区401第2切片层的S2面积按第二曝光时长T2=4s进行曝光;
依此类推,直到底层区401的全部切片层按照上述方式全部曝光完成;
下一步,依次将过渡层区402的各个切片层的S1面积按第四曝光时长T4=4s进行曝光;
下一步,依次将正常层区403的各个切片层的S1面积按第三曝光时长T3=2s进行曝光;从而完成全部切片层的曝光。
特别的,由于底层区401切片层的第一曝光时长与正常层区403第三曝光时长一致,因此能够在曝光底层区401的每个切片层时,先固化出与模型上部保持一致的外边缘轮廓;然后再将底层区401切片层的S2面积按第二曝光时长T2=4s进行曝光,因此加强了S2面积内的曝光时长,进而能够增强模型与模型附着成型平台的粘附力,从而能保证打印的顺利进行,同时还能将图像边缘过曝成型的反应区,局限在完整透光面积和内缩透光面积之间相差的环形面积内,既能强化内缩透光面积内的曝光和增强底层切片附着力,又能在消除或减小切片外边缘误差的情况下,使环形面积区域的附着力能保证打印的顺利进行。
图7为背景技术下对不同层设置曝光时长和切片图像透光面积示例图2。如图所示,本图与图5的示例相似,不同的是本图中,模型301的中心具有圆孔306;按照背景技术下一般模型的切片和曝光打印方法,需要先将图中模型301按照预设层厚切片分为多个切片层;相应的,还需要再按照预设参数选取由底部起始连续的X层切片层确定为底层区401;并且根据需要,选择继续连续的2层切片层确定为过渡层区402;然后将剩余的全部切片层确定为正常层区403;再将剩下的6层切片层确定为正常层区403;并且各切片层对应的切片图像302包括不透光面积303和完整透光面积304;其中,完整透光面积304的面积大小统一为S3;
同样地,将底层区401的切片层的曝光时长设为T0=6s;将过渡层区402的切片层的第四曝光时长设为T4=4s;将正常层区403的切片层的第三曝光时长设为T3=2s;并且,由于模型301的形状为中心带圆孔306的方形柱,且各层切片图像302上的完整透光面积304都保持一致;因此在打印曝光时,各个切片层能够按照面积S3和预设层厚参数,生成树脂成型层,同样的,由于底层区401的切片层的曝光时长T0=6s,远大于第三曝光时长T3=2s,因此底层区401的切片层的外边缘和孔内边缘会因为过曝生成如图9中所示的模型裙边502,进而产生打印误差。
图8为本申请实施例的对不同层设置曝光时长和切片图像透光面积示例图2。如图所示,按照本申请图1中示例的方法,需要先将图中模型301按照预设层厚切片分为多个切片层;然后选取由底部起始连续的4层切片层确定为底层区401;并且根据需要,选择继续连续的2层切片层确定为过渡层区402;然后将剩余的全部切片层确定为正常层区403;
特别的,与图6不同的是,在本图中由于模型301的中心具有圆孔306;因此在将对与完整透光面积304进行内缩时,需要完整透光面积304外边缘向内等距收缩a毫米,还需要将面积为S3的完整透光面积304内边缘向外等距收缩b毫米,从而形成面积为S4的内缩透光面积305;相应的,可以进一步明确,在本申请中以完整透光面积304为基准内缩形成内缩透光面积305时,可以是图像外边缘向内收缩,也可以是图像内边缘向外收缩,还可以是图像内、外边缘相向收缩;
与图6类似,在生成切片打印参数和数据阶段,先将底层区401各个切片层的第一曝光时长设为T1=2s,将切片图像302的完整透光面积304设为S3;再将底层区401各个切片层的第二曝光时长设为T2=4s,将切片图像302的内缩透光面积305设为S4;然后根据需要,将过渡层区402各个切片层的第四曝光时长设为T4=4s,将切片图像302的完整透光面积304设为S3;最后将剩余的正常层区403各个切片层的第三曝光时长设定T3=2s,将切片图像302的完整透光面积304设为S3;
而在曝光打印阶段,则需要先将底层区401第1切片层的S1面积按第一曝光时长T1=2s进行曝光;再将底层区401第1切片层的S2面积按第二曝光时长T2=4s进行曝光;
下一步,将底层区401第2切片层的S1面积按第一曝光时长T1=2s进行曝光;再将底层区401第2切片层的S2面积按第二曝光时长T2=4s进行曝光;
依此类推,直到底层区401的全部切片层按照上述方式全部曝光完成;
下一步,依次将过渡层区402的各个切片层的S1面积按第四曝光时长T4=4s进行曝光;
下一步,依次将正常层区403的各个切片层的S1面积按第三曝光时长T3=2s进行曝光;从而完成全部切片层的曝光。
特别的,由于底层区401切片层的第一曝光时长与正常层区403第三曝光时长一致,因此能够在曝光底层区401的每个切片层时,先固化出与模型上部保持一致的外边缘轮廓;然后再将底层区401切片层的S4面积按第二曝光时长T2=4s进行曝光,因此加强了S4面积内的曝光时长,进而能够增强模型与模型附着成型平台的粘附力,从而能保证打印的顺利进行,同时还能将图像边缘过曝成型的反应区,局限在完整透光面积和内缩透光面积之间相差的内、外两个环形面积内,既能强化内缩透光面积内的曝光和增强底层切片附着力,又能在消除或减小切片外边缘误差的情况下,使环形面积区域的附着力能保证打印的顺利进行。
图9为背景技术下未采用模型底层公差补偿方法的打印效果图。如图所示,图中模型301与底部的模型附着成型平台501在接触面的侧面打印生成有模型裙边502;该模型裙边502就是未采用本申请方法的情况下,对底层区切片层,以完整透光面积进行长时间曝光时,具体有光源散射因素或树脂光引发剂成分连续引发生长造成的。
图10为本申请实施例采用模型底层公差补偿方法的打印效果图。如图所示,图中模型301与底部的模型附着成型平台501在接触面的侧面打印生成的模型裙边502已近乎被消除,本图就是在采用本申请方法的情况下,既减少或消除了底层区切片层过曝带来的打印误差,又保证了模型的整体打印成功。特别是本图相比于图9中的模型,模型底层公差补偿效果非常明显。
图11为实现本申请实施例模型底层公差补偿方法的电子设备结构框图。如图所示,本图中电子设备7以具有一个处理单元71为例。如图所示,一种电子设备7包括一个处理单元71和一个存储单元72;其中存储单元72存储有可被处理单元71执行的计算机程序70或指令,计算机程序70或指令被处理单元71执行,以使处理单元71能够执行如图1中的步骤S100-步骤S450。
存储单元72即为本申请的第三方面,所提供的一种非瞬时计算机可读存储介质。其中,存储单元72存储有可由至少一个处理单元71执行的指令,以使至少一个处理单元71执行时实现如图1中的步骤S100-步骤S450。
存储单元72确定为一种非瞬时计算机可读存储介质,可用于存储非瞬时软件程序、非瞬时计算机可执行程序以及模块,如执行时实现如图1中的步骤S100-步骤S450对应的程序指令/模块。处理单元71通过运行存储在存储单元72中的非瞬时计算机程序70、指令以及模块,从而执行服务器的各种功能应用以及数据处理,即实现上述图1对应的实施例中涉及计算机和处理器的步骤。
存储单元72可以包括存储程序区和存储数据区,其中,存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序;存储数据区可存储电子设备7使用方法时所创建的数据等。此外,存储单元72可以包括高速随机存取存储模块,还可以包括非瞬时存储模块,例如至少一个磁盘存储模块件、闪存器件、或其它非瞬时固态存储模块件。在一些实施例中,存储单元72可选包括相对于处理单元71远程设置的存储模块,这些远程存储模块可以通过网络连接至支撑结构生成的电子设备。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
此处描述的系统和技术的各种实施方式可以在数字电子电路系统、集成电路系统、专用ASIC(专用集成电路)、计算机硬件、固件、软件、和/或它们的组合中实现。这些各种实施方式可以包括:实施在一个或者多个计算机程序中,该一个或者多个计算机程序可在包括至少一个可编程处理器的可编程系统上执行和/或解释,该可编程处理器可以是专用或者通用可编程处理器,可以从存储系统、至少一个输入单元、和至少一个输出装置接收数据和指令,并且将数据和指令传输至该存储系统、该至少一个输入单元、和该至少一个输出装置。
这些计算机程序70(也称作程序、软件、软件应用、或者代码)包括可编程处理器的机器指令,并且可以利用高级过程和/或面向对象的编程语言、和/或汇编/机器语言来实施这些计算程序。如本文使用的,术语“机器可读介质”和“计算机可读介质”指的是用于将机器指令和/或数据提供给可编程处理器的任何计算机程序产品、设备、和/或装置(例如,磁盘、光盘、存储模块、可编程逻辑装置(PLD)),包括,接收确定为机器可读信号的机器指令的机器可读介质。术语“机器可读信号”指的是用于将机器指令和/或数据提供给可编程处理器的任何信号。
应该理解,可以使用上面所示的各种形式的流程,重新排序、增加或删除步骤。例如,本发申请中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行,只要能够实现本申请公开的技术方案所期望的结果,本文在此不进行限制。
图12为本申请实施例电子设备对模型进行处理切片的示意图。如图所示,用户通过电子设备7运行3D切片软件使用本申请实施例的第一方面提供的一种模型底层公差补偿方法,能够执行如图1中的步骤S100-步骤S450,以取得模型打印的曝光时长和切片图像的透光面积参数。
图13为实现本申请方法模型底层公差补偿方法的3D打印设备结构框图。如图所示,一种3D打印设备8包括一个控制器81和一个存储器82;其中存储器82存储有可被控制器81执行的打印控制程序80或指令,打印控制程序80或指令被控制器81执行,以使控制器81能够执行如图1中的步骤S500-步骤S600,进而获得完成模型底层公差补偿后的模型的整体打印件;或者,使控制器81能够执行如图1中的步骤S100-步骤S600,进而获得完成模型底层公差补偿后的模型的整体打印件。
图14为本申请方法实施后经切片得到的图像数据导入3D打印设备的示意图。如图所示,用户采用移动存储设备9将电子设备7按本申请实施例图1中的步骤S100-步骤S450执行后获得的各层切片的曝光时长和切片图像的透光面积参数导入到3D打印设备8进行3D曝光打印,进而获得完成模型底层公差补偿后的模型的整体打印件。
上述具体实施方式,并不构成对本申请保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是,根据设计要求和其它因素,可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本申请的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在本申请保护范围之内。

Claims (10)

1.一种模型底层公差补偿方法,其特征在于,包括:
遍历拼接组成模型的全部三角网格;
对模型按预设层厚参数进行切片分层并获取全部切片层的切片图像;
将底部起始连续的X层切片层确定为底层区;
将剩余的全部切片层确定为正常层区;
对底层区第M切片层设定第一曝光时长和切片图像的完整透光面积;
对底层区第M切片层设定第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积;
对正常层区切片层设定第三曝光时长和切片图像的完整透光面积;
将模型打印的曝光时长和切片图像的透光面积参数进行存储。
2.根据权利要求1所述的模型底层公差补偿方法,其特征在于,还包括:
将底层区第M切片层按第一曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光;
将底层区第M切片层按第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积重复曝光;
将正常层区切片层按第三曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
3.根据权利要求2所述的模型底层公差补偿方法,其特征在于,还包括:
将邻接X层之后连续的Y层切片层确定为过渡层区;
对过渡层区切片层设定第四曝光时长和切片图像的完整透光面积;
将过渡层区切片层按第四曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
4.根据权利要求1或2所述的模型底层公差补偿方法,其特征在于,所述切片图像的内缩透光面积,包括:按切片图像的完整透光面积进行等比内缩的透光面积,或按切片图像的完整透光面积进行等距离内缩的透光面积,或按切片图像的完整透光面积取拓扑近似内缩图形的透光面积,或按切片图像的完整透光面积取规则内缩图形的透光面积。
5.一种模型底层公差补偿装置,其特征在于,包括:
模型网格遍历模块,用于遍历拼接组成模型的全部三角网格;
切片处理模块,用于对模型按预设层厚参数进行切片分层并获取全部切片层的切片图像;
底层区确定模块,用于将底部起始连续的X层切片层确定为底层区;
正常层区确定模块,用于将剩余的全部切片层确定为正常层区;
第一曝光设定模块,用于对底层区第M切片层设定第一曝光时长和切片图像的完整透光面积;
第二曝光设定模块,用于对底层区第M切片层设定第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积;
第三曝光设定模块,用于对正常层区切片层设定第三曝光时长和切片图像的完整透光面积;
存储模块,用于将模型打印的曝光时长和切片图像的透光面积参数进行存储。
6.根据权利要求5所述的模型底层公差补偿装置,其特征在于,还包括:
第一曝光模块,用于将底层区第M切片层按第一曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光;
第二曝光模块,用于将底层区第M切片层按第二曝光时长和切片图像的内缩透光面积重复曝光;
第三曝光模块,用于将正常层区切片层按第三曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
7.根据权利要求6所述的模型底层公差补偿装置,其特征在于,还包括:
过渡层区确定模块,用于将邻接X层之后连续的Y层切片层确定为过渡层区;
第四曝光设定模块,用于对过渡层区切片层设定第四曝光时长和切片图像的完整透光面积;
第四曝光模块,用于将过渡层区切片层按第四曝光时长和切片图像的完整透光面积进行曝光。
8.一种电子设备,其特征在于,包括:
至少一个处理器;以及与所述至少一个处理器通信连接的存储单元;其中,
所述存储模块存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述至少一个处理器执行所述指令时实现如权利要求1至4中任一项所述的模型底层公差补偿方法的步骤。
9.一种非瞬时计算机可读存储介质,其特征在于,所述非瞬时计算机可读存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4中任一项所述的模型底层公差补偿方法的步骤。
10.一种计算机程序产品,其特征在于,所述计算机程序产品包括计算机指令,所述计算机指令被计算机执行时实现如权利要求1至4中任一项所述的模型底层公差补偿方法的步骤。
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