CN116798917A - 一种半导体设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种半导体设备，该半导体设备包括：机台，至少包括反应腔；冷却装置，与反应腔连接，用于对反应腔中的废气进行冷却处理；废气处理装置，通过输送管路与冷却装置连接，用于对冷却后的废气进行处理；气体流动增速装置，设置于输送管路中，用于加速冷却后的废气传输至废气处理装置。

Description

一种半导体设备

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，涉及但不限于一种半导体设备。

背景技术

在半导体制程中，扩散炉是半导体生产线前段工序的重要工艺设备之一。扩散炉用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。固态热扩散工艺形成结需要两步，第一步称为淀积(Deposition)目的是将掺杂剂引入晶圆表面，第二步称为推进氧化(Drive-in-oxidation)，目的是将掺杂剂推进(散布)到期望的深度。

低压化学气相沉积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)是在低压下，经由气体或蒸汽的化学反应，形成一固态反应沉积物在晶圆表面，形成所需的薄膜的过程，因此在这个过程中稳定低压就显得格外重要。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种半导体设备。

本申请实施例提供一种半导体设备，包括：

机台，至少包括反应腔；

冷却装置，与所述反应腔连接，用于对所述反应腔中的废气进行冷却处理；

废气处理装置，通过输送管路与冷却装置连接，用于对冷却后的所述废气进行处理；

气体流动增速装置，设置于所述输送管路中，用于加速所述冷却后的废气传输至所述废气处理装置。

在一些实施例中，所述气体流动增速装置包括轴承和固定在所述轴承上的叶片；

其中，所述叶片的顶部边缘与所述输送管路的内壁之间的距离小于第一预设距离。

在一些实施例中，所述叶片远离所述轴承一侧的边缘具有尖角、锐边或者毛刺。

在一些实施例中，还包括：尖锐结构；

所述尖锐结构设置于所述叶片远离所述轴承的一侧，且与所述叶片固定连接。

在一些实施例中，所述尖锐结构的边缘与所述输送管路的内壁之间的距离小于第二预设距离；

所述尖锐结构包括：尖嘴刀片、弧形刀片、锯齿形刀片、尖嘴刮板、弧形刮板或者锯齿形刮板。

在一些实施例中，所述叶片和所述轴承表面均具有镀层，所述镀层用于防止所述冷却后的废气在所述叶片和所述轴承表面沉积；和/或，

所述输送管路内壁具有镀层，所述镀层用于防止所述冷却后的废气在所述输送管路内壁沉积。

在一些实施例中，还包括：

控制单元，与所述机台和所述气体流动增速装置连接，用于控制所述气体流动增速装置进行工作。

在一些实施例中，还包括：至少一个第一检测单元，与所述控制单元连接；

所述第一检测单元设置于所述气体流动增速装置上，用于对所述气体流动增速装置的转速进行检测；

所述控制单元还用于在任意一个所述第一检测单元检测到的所述转速小于预设转速时，控制所述机台停止工作。

在一些实施例中，还包括：至少一个第二检测单元，与所述控制单元连接；

所述第二检测单元设置于所述输送管路的内壁，用于对所述输送管路内的气体流动速度进行检测；

所述控制单元还用于在任意一个所述第二检测单元检测到的所述气体流动速度小于预设气体流动速度时，控制所述机台停止工作。

在一些实施例中，还包括：

真空泵，包括抽气管和排气管，其中，所述抽气管与所述反应腔连接，所述排气管与所述冷却装置连接；所述真空泵用于对所述反应腔进行抽真空处理，并将所述反应腔的废气传输至所述冷却装置。

本申请实施例提供一种半导体设备，该半导体设备包括：机台，至少包括反应腔；冷却装置，与反应腔连接，用于对反应腔中的废气进行冷却处理；废气处理装置，通过输送管路与冷却装置连接，用于对冷却后的废气进行处理；气体流动增速装置，设置于输送管路中，用于加速冷却后的废气传输至废气处理装置。由于本申请实施例中的半导体设备包括气体流动增速装置，这样可以通过气体流动增速装置加速输送管路中的废气向废气处理装置传输，从而不会造成输送管路的堵塞，进而能够降低生产成本，提成产品的良率。

附图说明

在附图(其不一定是按比例绘制的)中，相似的附图标记可在不同的视图中描述相似的部件。具有不同字母后缀的相似附图标记可表示相似部件的不同示例。附图以示例而非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个实施例。

图1为本申请实施例提供的半导体设备的结构示意图一；

图2为本申请实施例提供的气体流动增速装置的结构示意图一；

图3为本申请实施例提供的气体流动增速装置的结构示意图二；

图4为本申请实施例提供的气体流动增速装置的结构示意图三；

图5为本申请实施例提供的气体流动增速装置的结构示意图四；

图6为本申请实施例提供的尖锐结构的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的半导体设备的结构示意图二；

图8为本申请实施例提供的半导体设备的结构示意图三；

图9为本申请实施例提供的半导体设备的结构示意图四；

图10为本申请实施例提供的半导体设备的结构示意图五；

图11为本申请实施例提供的半导体设备的输送管路内部的结构设计图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

在下文的描述中，给出了大量的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。

在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在……上”、“与……相邻”、“连接到”或“耦合到”其他元件或层时，其可以直接地在其他元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其他元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在……上”、“与……直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其他元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本申请必然存在第一元件、部件、区、层或部分。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其他的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

在炉管制程中，低压化学气相沉积设备(LPCVD)通过真空泵(PUMP)抽真空使反应腔体内处于低压状态，参与制程的化学气体发生反应使晶圆(Wafer)表面生长出一层致密的薄膜。由于化学气体发生反应会产生很多废气，真空泵抽低压废气通过排气管(Exhaust)进入泵管(PUMP LINE)，经过冷阱(Cold Trap)冷却再进入连接废气处理设备的泵管路(Local scrubber PUMP piping line)，最终废气处理设备(Local scrubber)处理制程产生的废气。废气在连接废气处理设备的泵管路中易凝固成固体堵塞泵管路，从而使得废气无法排出，真空泵抽低压受到影响导致反应腔体内不能稳定为低压状态，最终导致产品死货。

基于此，本申请实施例提供一种半导体设备，该半导体设备可以是低压化学气相沉积设备，包括：机台，至少包括反应腔；冷却装置，与反应腔连接，用于对反应腔中的废气进行冷却处理；废气处理装置，通过输送管路与冷却装置连接，用于对冷却后的废气进行处理；气体流动增速装置，设置于输送管路中，用于加速冷却后的废气传输至废气处理装置。由于本申请实施例中的半导体设备包括气体流动增速装置，这样可以通过气体流动增速装置加速输送管路中的废气向废气处理装置传输，从而不会造成输送管路的堵塞，进而能够降低生产成本，提成产品的良率。

下面，结合附图对本申请实施例中的半导体设备进行详细说明。

本申请的一实施例中，请参考图1，其为本申请实施例提供的半导体设备100的结构示意图一，如图1所示，半导体设备100包括：

机台10，至少包括反应腔；

冷却装置30，与反应腔连接，用于对反应腔中的废气进行冷却处理；

废气处理装置40，通过输送管路50与冷却装置30连接，用于对冷却后的废气进行处理；

气体流动增速装置60，设置于输送管路50中，用于加速冷却后的废气传输至废气处理装置40。

需要说明的是，半导体设备100可以是低压化学气相沉积设备或者中压化学气相沉积设备，半导体设备100用于在特定的产品(例如为晶圆)表面通过化学反应生成固态反应沉积物，即形成膜层。机台10可以是低压化学气相沉积机台或者中压化学气相沉积机台。

在一些实施例中，机台10包括反应腔以及喷洒气体的喷淋头等结构，待镀膜产品放置在反应腔中进行化学反应，形成需要的膜层。由于反应腔是化学反应发生的场所，因此，反应腔中通常会产生废气等副产物。另外，由于化学反应一般需要在高温下进行，因此，废气等副产物通常具有较高的温度，在对废气等副产物进行处理之前，通常需要对其进行降温处理。

本申请实施例中，冷却装置30可以是冷阱，它采用凝结的方式将废气冷却。冷却装置30与机台10的反应腔连接具体是通过真空泵20来实现的。

具体地，请继续参见图1，该半导体设备100还包括：真空泵20，包括抽气管和排气管，其中，抽气管与反应腔连接，排气管与冷却装置30连接；真空泵20用于对反应腔进行抽真空处理，并将反应腔的废气传输至冷却装置30。

在一些实施例中，输送管路50设置于冷却装置30和废气处理装置40之间，用于将冷却后的废气传输至废气处理装置40进行处理。气体流动增速装置60设置于输送管路50内部，可以加快冷却后的废气向废气处理装置40的传输速度。

需要说明的是，在一些实施例中，气体流动增速装置60可以是风扇。在其它实施例中，气体流动增速装置60还可以是鼓风机等其它可以加速气体的流动的装置。

本申请实施例提供的半导体设备包括气体流动增速装置，这样可以通过气体流动增速装置加速输送管路中的废气向废气处理装置传输，从而不会造成输送管路的堵塞，进而能够降低生产成本，提成产品的良率。

在一些实施例中，请参见图2和图3，其为本申请实施例提供的气体流动增速装置的结构示意图，如图2和图3所示，气体流动增速装置60包括：轴承601和固定在轴承601上的叶片602。本申请实施例中，轴承601可以顺时针或者逆时针的顺序旋转，并且轴承601的旋转可以带动叶片602旋转。

这里，叶片602可以由任意一种质量较小、且硬度较大的材料构成。

在一些实施例中，叶片602的远离轴承601一侧的边缘与输送管路50的内壁之间的距离小于第一预设距离。

这里，第一预设距离可以是很小的值，在满足叶片602与输送管路50的内壁之间的距离满足第一预设距离下，叶片602的转动不会碰到输送管路50的内壁。也就是说，叶片602距离输送管路50的内壁很近，叶片602的尺寸略小于输送管路50的内径。这样可以实现最大化的对输送管路50内的气体进行加速。

在一些实施例中，叶片602远离轴承601一侧的边缘具有尖角(如图2所示)、锐边或者毛刺(如图3中虚线框内的结构所示)。

在其它实施例中，也可以将叶片602远离轴承601一侧的边缘设置为锯齿形、三角形、菱形或者任意多边形。

需要说明的是，废气在输送管路50中传输时，容易在管壁内表面沉积，形成膜层，本申请实施例中通过设置叶片602的远离轴承601一侧的边缘具有尖角、锐边或者毛刺可以在叶片602转动过程中刮掉沉积在输送管路50内表面的膜层，从而使得废气不易在输送管路50中凝固，从而堵塞输送管路50。

还需要说明的是，为了清楚地示出叶片602边缘毛刺的具体情况，图3仅示出了气体流动增速装置60的局部结构示意图。

在一些实施例中，请参见图4，其为本申请实施例提供的气体流动增速装置的局部结构示意图三，如图4所示，叶片602表面具有镀层604，镀层604用于防止冷却后的废气在叶片602表面沉积。

在其它实施例中，也可以在轴承601的表面形成镀层，从而避免冷却后的废气在传输过程中，沉积在轴承601的表面。

在一些实施例中，输送管路50的内壁具有镀层，用于防止冷却后的废气在输送管路50内壁沉积。

需要说明的是，镀层604可以由任意一种废气等其它物质不易在其表面成膜的材料构成。本申请实施例中，在叶片602的表面、轴承601的表面以及输送管路50的内壁形成镀层均为了进一步避免冷却后的废气在传输过程中，在输送管路50内部凝固，造成堵塞。

在一些实施例中，请参见图5，其为本申请实施例提供的气体流动增速装置的结构示意图四，如图5所示，气体流动增速装置60包括：轴承601、固定在轴承601上的叶片602、以及设置于叶片602远离轴承601的一侧的尖锐结构603；其中，尖锐结构603与叶片602固定连接。

需要说明的是，尖锐结构603用于在叶片602转动过程中刮掉沉积在输送管路50内表面的膜层，从而使得废气不易在输送管路50中凝固，从而堵塞输送管路。尖锐结构603与叶片602之间可以通过螺纹连接、键连接等机械方式固定，或者，可以通过粘结剂粘接的方式固定。

在一些实施例中，尖锐结构603的边缘与输送管路50的内壁之间的距离小于第二预设距离。

这里，第二预设距离与第一预设距离可以相等，也可以不等，即第二预设距离可以是很小的值，在满足第二预设距离下，叶片602的转动不会碰到输送管路50的内壁。也就是说，尖锐结构603距离输送管路50的内壁很近，叶片602和尖锐结构603的总尺寸略小于输送管路50的内径。这样可以实现最大化的对输送管路50内的气体进行加速。

在一些实施例中，请参见图6，其为本申请实施例提供的尖锐结构的结构示意图，如图6所示，尖锐结构603包括：尖嘴刀片(如图6中的a图所示)、弧形刀片(如图6中的b图所示)、或者锯齿形刀片(如图6中的c图所示)。

在其它实施例中，请继续参见图6，尖锐结构603还可以包括V型刀片(如图6中的d图所示)、三角棱形刀片(如图6中的e图所示)、菱形刀片(如图5所示)或者其它含有尖角、毛刺、锐边的结构。这里，不再一一列举。

需要说明的是，尖锐结构603也可以不是刀片，而是具有普通的刮板(或刮片)，例如为尖嘴刮板、弧形刮板、锯齿形刮板、V型刮板、三角棱形刮板、菱形刮板。本申请实施例中，对尖锐结构603的具体材质不进行限定，只需要满足尖锐结构603的硬度大于膜层的硬度即可。尖锐结构603的材料与叶片602的材质可以相同，也可以不同。

在一些实施例中，请参考图7，其为本申请实施例提供的半导体设备100的结构示意图二，如图7所示，该半导体设备100还包括：控制单元70，与机台10和气体流动增速装置60连接，用于控制气体流动增速装置60进行工作。具体地，控制单元70用于控制气体流动增速装置60中的轴承601转动，从而通过轴承601带动叶片602(或者叶片602和尖锐结构603)一起转动，从而实现对输送管路50中的冷却后的废气加速传输。

需要说明的是，本申请实施例中，控制单元70例如可以是单片机(Micro ControlUnit，MCU)。

在一些实施例中，在图7所示的半导体设备的基础上，请参考图8，其为本申请实施例提供的半导体设备100的结构示意图三。如图8所示，该半导体设备100还包括：至少一个第一检测单元80，第一检测单元80与控制单元70连接；第一检测单元80设置于气体流动增速装置60上，用于对气体流动增速装置60的转速进行检测。控制单元70还用于在任意一个第一检测单元80检测到的转速小于预设转速时，控制机台10停止工作。

需要说明的是，第一检测单元80可以是测速传感器，第一检测单元80具体可以设置在气体流动增速装置60的轴承601上，轴承601的转速即可表示气体流动增速装置60的转速。

还需要说明的是，当输送管路50为直线时，可以仅设置一个第一检测单元80，当输送管路50弯折时，需要在输送管路50的不同部位设置沿不同方向延伸的轴承601和叶片602，这样就需要在每一方向的轴承601上均设置一个第一检测单元80。这样，可以实现对每一方向上的气体流动增速装置60的转速进行测量。

本申请实施例中，对每一第一检测单元80均设定一个预设的转速值，当其中任意一个第一检测单元80测得的转速值小于其设定的预设的转速值时，表明输送管路50内部可能有膜层沉积，此时，控制单元70可以控制机台10停止工作，并且机台维修人员会对输送管路50进行清理保养，例如更换新的输送管路50。

值得注意的是，对于每一第一检测单元80根据其位置的所处情况，其设定的预设的转速值可能不同，也可能相同。

本申请实施例中，通过设置第一检测单元80，可以便于判断输送管路50内部是否存在废气沉积情况，从而便于对输送管路50进行提前清理保养。

在一些实施例中，在图7所示的半导体设备的基础上，请参考图9，其为本申请实施例提供的半导体设备100的结构示意图四。如图9所示，该半导体设备100还包括：至少一个第二检测单元90，第二检测单元90与控制单元70连接；第二检测单元90设置于输送管路50的内壁，用于对输送管路50内的气体流动速度进行检测；控制单元70还用于在任意一个第二检测单元90检测到的气体流动速度小于预设气体流动速度时，控制机台10停止工作。

需要说明的是，第二检测单元90可以是测速传感器，第二检测单元90具体可以设置在输送管路50的内壁上。

还需要说明的是，本申请实施例中，可以在输送管路50的入口处、中间部位和出口处分别设置第二检测单元90，从而实现对不同位置处的气体流动速度进行检测。当第二检测单元90检测到的中间部位或者出口处的气体流动速度较入口处的小很多时，表明输送管路50内部可能有气体凝固成膜，此时，则会有堵塞输送管路50的风险。此时，控制单元70可以控制机台10停止工作，并且机台维修人员会对输送管路50进行清理保养，例如更换新的输送管路50。

本申请实施例中，当输送管路50弯折时，需要在每一方向的输送管路50的内壁设置一个第二检测单元90。这样，可以实现对每一方向上的气体流动速度进行测量。

值得注意的是，对于每一第二检测单元90根据其位置的所处情况，其设定的预设气体流动速度值可能不同，也可能相同。

本申请实施例中，通过设置第二检测单元90，可以便于判断输送管路50内部是否存在废气沉积情况，从而便于对输送管路50进行提前清理保养。

在一些实施例中，在图7所示的半导体设备的基础上，请参考图10，其为本申请实施例提供的半导体设备100的结构示意图五。如图10所示，该半导体设备100还包括：至少一个第一检测单元80和至少一个第二检测单元90。其中，第一检测单元80与控制单元70连接；第一检测单元80设置于气体流动增速装置60上，用于对气体流动增速装置60的转速进行检测。控制单元70还用于在任意一个第一检测单元80检测到的转速小于预设转速时，控制机台10停止工作。第二检测单元90与控制单元70连接；第二检测单元90设置于输送管路50的内壁，用于对输送管路50内的气体流动速度进行检测；控制单元70还用于在任意一个第二检测单元90检测到的气体流动速度小于预设气体流动速度时，控制机台10停止工作。

需要说明的是，第一检测单元80和第二检测单元90可以均为测速传感器，第一检测单元80设置于气体流动增速装置60的轴承601上，用于测量气体流动增速装置60的转速；第二检测单元90设置于输送管路50的内壁，用于测量输送管路50内的气体流速。

本申请实施例中，第一检测单元80和第二检测单元90的检测结构均可用来判断输送管路50内部是否存在废气沉积情况，从而便于对输送管路50进行提前清理保养。

还需要说明的是，由于本申请实施例中的半导体装置同时包括第一检测单元80和第二检测单元90，如此，在任意一个检测单元的检测结果判断出输送管路50内部可能存在废气沉积的情况时，可以及时对输送管路50进行提前清理保养，进一步提高了半导体设备的可靠性。

本申请的另一实施例中，请参考图11，其为本申请实施例提供的半导体设备的输送管路内部的结构设计图，如图11所示，冷阱(对应上述实施例中的冷却装置30)至废气处理装置40管路200(对应上述实施例中的输送管路50)内部设计图的主要组成部分包括：

扇叶300(对应本申请实施例中的叶片602)，扇叶300使用质量轻、强度高的材质构成、且扇叶300的直径略小于管路200内径；各扇叶300跟随气流同轴转动有效减小管路200中气体沉积；

轴承601，支撑扇叶300转动，较小转动阻力；

测速传感器500，检测扇叶300转速，通过转速变化了解管路200内部气体沉积情况，根据转速对管路200进行提前清理保养。

本申请实施例中，一方面，利用管路200内部气体流动带动扇叶300进行同轴转动，扇叶300转动过程中减少管路200内部气体沉积，有效增加管路200使用时间，减少清理频次；另一方面，增加测速传感器500对扇叶转速进行监控，当转速偏离正常值能进行提前预警，维保人员根据转速变化对管路200进行提前清理保养。

另外，通过给管路200(PUMP piping line)，增加风扇同向转动加快气体流通性，同时设计风扇叶边缘增加尖锐性部件(对应上述实施例中的尖锐结构603)，靠近管壁如产生膜可通过风扇叶刮掉膜；增加丝杆装置(即轴承)控制风扇运行速率并监控，丝杆转动速率降低等同于膜沉积程度，起到监控膜厚的作用。

本申请的目的是：通过优化管路200内部结构，降低管路200堵塞而导致反应腔内气压过高的问题，可以避免死货。

本申请的有益效果是：能够降低因管路200堵塞而导致死货的风险，降低生产制造成本，提升产品良率。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的结构和方法，可以通过非目标的方式实现。以上所描述的结构实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合。

本申请所提供的几个方法或结构实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例或结构实施例。

以上，仅为本申请的一些实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种半导体设备，其特征在于，包括：

机台，至少包括反应腔；

冷却装置，与所述反应腔连接，用于对所述反应腔中的废气进行冷却处理；

废气处理装置，通过输送管路与冷却装置连接，用于对冷却后的所述废气进行处理；

气体流动增速装置，设置于所述输送管路中，用于加速所述冷却后的废气传输至所述废气处理装置。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述气体流动增速装置包括轴承和固定在所述轴承上的叶片；

其中，所述叶片远离所述轴承一侧的边缘与所述输送管路的内壁之间的距离小于第一预设距离。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述叶片远离所述轴承一侧的边缘具有尖角、锐边或者毛刺。

4.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，还包括：尖锐结构；

所述尖锐结构设置于所述叶片远离所述轴承的一侧，且与所述叶片固定连接。

5.根据权利要求4所述的半导体设备，其特征在于，所述尖锐结构的边缘与所述输送管路的内壁之间的距离小于第二预设距离；

所述尖锐结构包括：尖嘴刀片、弧形刀片、锯齿形刀片、尖嘴刮板、弧形刮板或者锯齿形刮板。

6.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述叶片和所述轴承表面均具有镀层，所述镀层用于防止所述冷却后的废气在所述叶片和所述轴承表面沉积；和/或，

所述输送管路内壁具有所述镀层，所述镀层还用于防止所述冷却后的废气在所述输送管路内壁沉积。

7.根据权利要求2至6任一项所述的半导体设备，其特征在于，还包括：

控制单元，与所述机台和所述气体流动增速装置连接，用于控制所述气体流动增速装置进行工作。

8.根据权利要求7所述的半导体设备，其特征在于，还包括：至少一个第一检测单元，与所述控制单元连接；

所述第一检测单元设置于所述气体流动增速装置上，用于对所述气体流动增速装置的转速进行检测；

所述控制单元还用于在任意一个所述第一检测单元检测到的所述转速小于预设转速时，控制所述机台停止工作。

9.根据权利要求7所述的半导体设备，其特征在于，还包括：至少一个第二检测单元，与所述控制单元连接；

所述第二检测单元设置于所述输送管路的内壁，用于对所述输送管路内的气体流动速度进行检测；

所述控制单元还用于在任意一个所述第二检测单元检测到的所述气体流动速度小于预设气体流动速度时，控制所述机台停止工作。

10.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，还包括：

真空泵，包括抽气管和排气管，其中，所述抽气管与所述反应腔连接，所述排气管与所述冷却装置连接；所述真空泵用于对所述反应腔进行抽真空处理，并将所述反应腔的废气传输至所述冷却装置。