CN116779630A - 一种图像传感器及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 25
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 6
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 147
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 7
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000724291 Tobacco streak virus Species 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000001657 homoepitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004341 Octafluorocyclobutane Substances 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- 238000000347 anisotropic wet etching Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N lithium aluminate Chemical compound [Li+].[O-][Al]=O YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器至少包括：逻辑基板；像素层，连接于所述逻辑基板，所述像素层中设置有多个深沟槽隔离结构；多个光电反应区，阵列分布在所述像素层中，且所述光电反应区设置在相邻的所述深沟槽隔离结构之间；氧化层，设置在所述像素层上；以及防反射结构，覆盖在所述氧化层上，所述防反射结构分布在相邻的所述深沟槽隔离结构之间，且所述防反射结构覆盖所述光电反应区，其中，所述防反射结构、所述氧化层和所述光电反应区沿着光线的入射方向依次排布。本发明提供了一种图像传感器及其制造方法，能够提升图像传感器的成像效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种图像传感器及其制造方法。
背景技术
在图像传感器中，感光二极管在逻辑电路的后方，光线首先通过逻辑电路层，才能达到感光二极管。在感光二极管获取光效信号的过程中，逻辑电路层的金属布线对光线的反射作用，以及硅基底和介电层等对光线的反射作用，还有光线自然传播中的漫反射损耗，都会造成图像传感器的感光量减小，从而影响图像传感器的成像效果。尤其是在低光照条件下，这样的图像传感器的成像效果很差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种图像传感器及其制造方法，提升了图像传感器的成像效果。
为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：
本发明提供一种图像传感器，至少包括：
逻辑基板；
像素层，连接于所述逻辑基板，所述像素层中设置有多个深沟槽隔离结构；
多个光电反应区，阵列分布在所述像素层中，且所述光电反应区设置在相邻的所述深沟槽隔离结构之间；
氧化层，设置在所述像素层上；以及
防反射结构，覆盖在所述氧化层上，所述防反射结构分布在相邻的所述深沟槽隔离结构之间，且所述防反射结构覆盖所述光电反应区，其中，所述防反射结构、所述氧化层和所述光电反应区沿着光线的入射方向依次排布。
在本发明一实施例中，所述防反射结构的折射率和所述氧化层的折射率的乘积等于所述像素层的折射率的平方。
在本发明一实施例中，所述防反射结构上设置有介质层，且所述介质层连接于所述深沟槽隔离结构和所述氧化层。
在本发明一实施例中，所述介质层中设置有遮光结构，所述遮光结构与所述光电反应区间隔分布，且所述遮光结构覆盖所述深沟槽隔离结构。
在本发明一实施例中，所述介质层上设置有多个滤光片，所述滤光片覆盖所述防反射结构。
在本发明一实施例中，所述防反射结构和所述氧化层的厚度相等，且所述防反射结构和所述氧化层的厚度为所述滤光片的滤光波长的1/4。
在本发明一实施例中，所述防反射结构的表面为弧面。
在本发明一实施例中，所述防反射结构为氮氧化硅，且所述防反射结构的含氮量为24%~72%。
本发明提供了一种图像传感器及其制造方法，包括以下步骤：
提供一逻辑基板，并在所述逻辑基板上设置像素层，所述像素层中设置有多个深沟槽隔离结构；
在所述像素层中形成多个光电反应区，所述光电反应区阵列分布在所述像素层中，且所述光电反应区设置在相邻的所述深沟槽隔离结构之间；
在所述像素层上形成氧化层；以及
在所述氧化层上形成防反射结构，所述防反射结构分布在相邻的所述深沟槽隔离结构之间，且所述防反射结构覆盖所述光电反应区，其中，所述防反射结构、所述氧化层和所述光电反应区沿着光线的入射方向依次排布。
在本发明一实施例中，在形成所述防反射结构的步骤中，在轰击减薄所述氧化层的同时，对所述氧化层进行氮化处理，形成所述防反射结构。
如上所述，本发明提供了一种图像传感器及其制造方法，且本发明意想不到的技术效果是：能够在入射光线被图像传感器识别之前，减少光线因反射所造成的损失，提升图像传感器的感光量，并提升图像传感器的光敏度，尤其在低光照条件下，本发明的图像传感器仍旧具有较好的图像输出效果。根据本发明提供的图像传感器及其制造方法，能够提升有效光信号的占比，降低不同通道之间的信号串扰，从而提升图像传感器的信噪比和分辨率。根据本发明提供的图像传感器的制造方法，能够低成本且批量地制造出本发明所述图像传感器。
当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例中逻辑基板的结构示意图。
图2为本发明一实施例中像素层和光电反应区的结构示意图。
图3为本发明一实施例中深沟槽的结构示意图。
图4为本发明一实施例中氧化层和深沟槽隔离结构的结构示意图。
图5为本发明一实施例中轰击和氮化氧化层的示意图。
图6为本发明一实施例中接触层的结构示意图。
图7为本发明一实施例中防反射结构的结构示意图。
图8为本发明一实施例中介质层的结构示意图。
图9为本发明一实施例中入射光线的光路示意图。
图10为本发明一实施例中图像传感器的结构示意图。
图中：100、逻辑基板；101、衬底；102、器件层；103、布线层；104、金属布线；200、像素层；201、光电反应区；300、深沟槽；400、氧化层；401、深沟槽隔离结构；402、凹部；500、接触层；501、防反射结构；600、介质层；700、遮光结构；800、滤光片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
为提升感光组件的感光量，在背照式图像传感器中，且例如在背照式的互补氧化金属半导体图像传感器（CMOS Image Sensor，CIS）中，沿着光线进入图像传感器的方向，感光元件设置在布线层的前方。光线进入图像传感器并到达感光元件前不会受到布线层的阻碍，从而提升图像传感器的感光量，并使图像传感器在低光照条件下的对焦能力和画质得以提升。背照式图像传感器可以被应用于数码相机和摄像设备以及扫描设备等电子设备中。例如在摄像设备中，摄像镜头将光线汇聚至图像传感器，图像传感器通过感光单元阵列将携带拍摄对象的亮度以及色彩等信息的光信号转换为电信号，再通过模数转换模块将电信号转换为数字信号，最后再将数字图像信号进行预处理并对外输出，从而完成图像处理。在图像传感器中，感光量的获取可以影响到光信号的大小和光信号转换的准确度，因此本发明提出了一种图像传感器及其制造方法。
请参阅图1所示，在本发明一实施例中，图像传感器的制造方法包括提供逻辑基板100，逻辑基板100包括衬底101、器件层102和布线层103，其中布线层103内设置有多层金属布线104。其中，衬底101例如为形成半导体结构的硅基材。衬底101可以包括基材以及设置在基材上方的硅层，基材例如为硅（Si）、碳化硅（SiC）、蓝宝石（Al2O3）、砷化镓（GaAs）、铝酸锂（LiAlO2）等半导体基板材料，硅层形成于基材上方。在本实施例中，可以在硅层中植入磷离子或砷离子，形成掺杂区，以形成半导体结构的源极或漏极区域。在本实施例中，衬底101的厚度可以是例如1μm~6μm，且衬底101的材料不限。器件层102设置在衬底101上，布线层103设置在器件层102上。其中，布线层103可以是由多层二氧化硅沉积形成的介质结构。在本实施例中，可以通过大马士革工艺形成多层金属布线104。
请参阅图1所示，在本发明一实施例中，器件层102可以用于形成互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）、绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）、电荷耦合器（Charge Coupled Device，CCD图像传感器）、数字信号处理器件（Digital Signal processor，DSP）、高速恢复二极管（Fast Recovery Diode，FRD）、高速高效整流二极管（Figh Efficiency Diode，HED）、定压二极管、高频二极管、发光二极管（Light-Emitting Diode，LED）、栅极光闭晶闸管（GateTurn off Thyristor，GTO）、光触发晶闸管（Light Triggered Thyristor，LTT）、晶闸管（Thyristor）、光继电器（Photo Relay）或微处理器（Micro Processor）等半导体器件中的一种或几种。在布线层103中，金属布线104层叠形成逻辑电路的布线连接结构。其中，金属布线104与器件层102电性连接，从而形成完整的逻辑电路，以处理电信号。本实施例不限制逻辑电路的布线结构，根据图像传感器应用的不同，可以对逻辑电路的内容进行适应性更改。
请参阅图1和图2所示，在本发明一实施例中，接着，在衬底101上设置像素层200。具体的，将逻辑基板100翻转，在衬底101与器件层102相对的一侧设置像素层200。像素层200包括生长于衬底101表层的外延结构，像素层200的外延结构不限材质，像素层200的外延结构可以是衬底101的同质外延或异质外延。在本实施例中，所述外延结构可以在逻辑基板100形成后，再通过化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）等方式设置在衬底101上。在本发明的其他实施例中，像素层200的外延结构可以是在形成逻辑基板100时，生长在衬底101上。在形成逻辑基板100后，可以通过化学机械抛光（Chemical MechanicalPolishing，CMP）减薄衬底101，并将衬底101减薄至如2.5μm~3μm，具体可以是例如3μm。在本实施例中，可以在所述外延结构内注入第一类型离子，例如硼离子，以形成P型半导体。第一类型离子也可以是磷离子，以形成N型半导体。
请参阅图2所示，在本发明一实施例中，接着，在所述外延结构内形成光电反应区201，从而形成像素层200。在本实施例中，可以在所述外延结构内注入第二类型离子，从而在像素层200中形成多个光电反应区201。其中，第二类型离子为第一类型离子的受主杂质或施主杂质。例如，第一类型离子为硼离子时，第二类型离子可以是磷离子。其中，光电反应区201对光信号敏感。当光电反应区201接触到光线，可以将光信号转换为电信号。在本实施例中，光电反应区201形成的电信号可以通过硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技术传递至布线层103。接着，可以由逻辑基板100对电信号进行处理，形成并输出图像信息。在本实施例中，光电反应区201例如为光电二极管（Photo-Diode，PD），光电反应区201可以是PN结的结构。具体的，第二类型离子的离子注入区域与所述外延结构的基材的接触界面处形成PN结。PN结接收光信号，并将光信号转换为电信号。在本实施例中，光电反应区201有多个，且多个光电反应区201可以呈栅格状阵列分布。不同的光电反应区201可以对应形成不同的像素区域。
请参阅图2和图3所示，在本发明一实施例中，接着，蚀刻像素层200，形成深沟槽300。具体的，可以通过六氟化硫（SF6）、八氟环丁烷（C4F8）和氯气（Cl2）混合气体蚀刻像素层200，形成深沟槽300。其中，深沟槽300的深度大于光电反应区201的深度。具体的，深沟槽300的深度可以是例如1.8μm~2.2μm，在本实施例中深沟槽300的深度为例如2μm。其中，深沟槽300设置在相邻的光电反应区201之间，具体的，深沟槽300和光电反应区201间隔分布，以避免在图像传感器的相邻像素区域之间出现相互干扰。其中，深沟槽300的截面可以是矩形、锥形和圆弧形等等。在本实施例中，深沟槽300的截面底线可以是圆弧形。其中，可以通过控制蚀刻时间以及通过多步蚀刻等来控制深沟槽300的深度。
请参阅图3和图4所示，在本发明一实施例中，接着，在像素层200上形成氧化层400，并在深沟槽300内形成深沟槽隔离结构401。在本实施例中，通过化学气相沉积在像素层200上和深沟槽300内沉积硅酸四乙酯（Tetraethyl orthosilicate，TEOS），分别形成氧化层400和深沟槽隔离结构401。其中，氧化层400覆盖在像素层200上，且氧化层400的厚度为例如400埃~550埃，具体为例如500埃。深沟槽隔离结构401填充在深沟槽300内，且在本实施例中，深沟槽隔离结构401的高度小于深沟槽300的深度。
请参阅图4至图6所示，在本发明一实施例中，接着，减薄氧化层400，并于氧化层400上形成接触层500。在本实施例中，通过等离子体溅射蚀刻氧化层400。具体的，可以通过氩离子（Ar+）溅射蚀刻氧化层400，将氧化层400减薄至例如100埃~150埃。其中氩离子溅射蚀刻为纯物理蚀刻，在溅射蚀刻的同时不会产生任何副产物，不会对半导体器件造成污染，以减少图像传感器中的光线损耗。在氩离子溅射蚀刻的同时，利用氮气（N2）和氢气（H2）的混合气体和氧化层400反应，形成接触层500。其中接触层500的材料为氮氧化硅（SiOxNy），反应的环境温度为例如420℃~500℃，反应气压为例如100Pa~1200Pa。具体的，反应的环境温度为例如450℃。从而在氧化层400上形成接触层500。在本实施例中，接触层500呈锥形。具体的，接触层500的截面形状为三角形，以利于湿法蚀刻后形成具有凸部形状的光线射入结构。其中，氩离子溅射蚀刻深沟槽隔离结构401，在深沟槽隔离结构401的表面形成凹部402。本发明对凹部402的截面形状不做限制。在本实施例中，凹部402截面可以是半圆形。在本发明其他实施例中，凹部402截面也可以是矩形和三角形等等。形成凹部402时也能够拓宽深沟槽300的槽口，以利于在后续的沉积制程中减少空隙的出现。
请参阅图6和图7所示，在本发明一实施例中，接着，蚀刻接触层500，形成防反射结构501。在本实施例中，对接触层500进行各向异性的湿法蚀刻，形成防反射结构501。其中，如图7所示，防反射结构501的厚度为d1，减薄后氧化层400的厚度为d2。在本实施例中，减薄后氧化层400的厚度与防反射结构501厚度相等。并且在本实施例中，氧化层400和防反射结构501的厚度为入射光波长的1/4。在本实施例中，接触层500的成分为氮氧化硅（SiOxNy）。在接触层500中，氮含量在接触层500中的占比为例如24%~72%。具体的，可以将含氮量调整为接触层500的例如48%，接触层500的成分可以是例如SiON2。根据不同的图像传感器需求，可以对接触层500中的含氮量进行调整，从而使防反射结构501具有不同的折射率。在本实施例中，光在像素层200的折射率为n0，光在防反射结构501的折射率为n1，光在氧化层400的折射率为n2。在本实施例中，氧化层400和像素层200的折射率乘积与防反射结构501折射率的平方值相等。具体的，氧化层400和像素层200的折射率乘积符合式（1）。
n1 2=n0×n2（1）。
请参阅图8和图9，以及式（1）所示，在防反射结构501上、氧化层400之间和深沟槽300内形成介质层600。在本实施例中，通过化学气相沉积对深沟槽300内沉积例如硅酸四乙酯，直至硅酸四乙酯超出防反射结构501，并在防反射结构501上堆积，从而形成介质层600。在本实施例中，在防反射结构501上的介质层600的厚度可以是例如200埃~300埃。其中，沉积硅酸四乙酯时，可以使介质层600的厚度超出例如300埃。接着通过化学机械抛光（Chemico Mechanical Polishing，CMP）对介质层600的表面进行平整，并使介质层600的厚度达到例如200埃~300埃，以利于后续制程的进行。在本实施例中，防反射结构501的表面为弧面结构，以利于入射光线从多个角度进入光电反应区201中，提升光电反应区201的光敏度。
请参阅图8和图9，以及式（1）所示，在本发明一实施例中，图9以入射光线直接进入介质层600为例，对入射光线的光路进行说明。入射光线进入介质层600时，经历第一次折射后到达防反射结构501，入射光线第一次折射的折射率为介质层600的折射率。入射光线到达防反射结构501时发生第二次折射，且入射光线第二次折射的折射率为防反射结构501的折射率。入射光线到达氧化层400时发生第三次折射，且入射光线第三次折射的折射率为氧化层400的折射率。经过多次折射后，入射光线到达像素层200时，入射光线到达像素层200时。入射光线的反射率为R，经多次折射后到达像素层200时，入射光线的入射角度为小角度入射，且依据小角度入射光线的反射率计算公式，在入射光线到达像素层200时，反射率R趋近于0。本发明中，硅基材对光线的反射量无限趋于0，因此光电反应区201能够最大程度地提升入射光的感光量。光电反应区201能够更准确且快速地完成光信号到电信号的转换，提升图像传感器的效率。尤其是在低光照条件下，本发明提供的图像传感器仍旧能够高效运作。并且根据本发明提供的图像传感器，不同的像素单元之间因漫反射所造成的信号串扰也会被降低，单个像素单元的工作效率得到极大提升。
请参阅图7至图9，以及式（1）所示，在本发明一实施例中，根据像素层200所使用材料的不同，像素层200的折射率可以改变。在本实施例中，像素层200可以是衬底101的同质外延，且像素层200的外延结构例如为硅基材，以通过材料的一致性来避免光线入射线路发生改变，减少入射光到达光电反应区201前的损耗。在本发明的其他实施例中，根据像素层200的折射率，调整防反射结构501的含氮量。其中，在通过氩离子轰击蚀刻氧化层400时，调整通入蚀刻环境中的氮气含量，从而对防反射结构501中的含氮量进行调整，使防反射结构501的折射率符合公式（1），从而使入射光线到达像素层200时的反射率趋近于0。在本实施例中，反射率的误差阈值可以是例如10%。当入射光线到达像素层200时的反射率大于例如10%时，可以将晶圆做废片处理。根据本发明提供的制造方法，能够低成本且批量生产低反射率的图像传感器。
请参阅图8至图10所示，在本发明一实施例中，在介质层600中设置遮光结构700。在本实施例中，可以蚀刻介质层600，形成隔离沟槽，并通过化学气相沉积填充隔离沟槽，形成遮光结构700。其中，遮光结构700的宽度大于深沟槽隔离结构401的宽度，且遮光结构700在深沟槽隔离结构401上的正投影覆盖深沟槽隔离结构401。在本实施例中，遮光结构700的底面与防反射结构501的顶面齐平。在本实施例中，遮光结构700在介质层600中划分出多个透光通道701。透光通道701覆盖防反射结构501。其中，入射光线在通过透光通道701射入介质层600时，部分入射光线照射在遮光结构700上。部分入射光线经遮光结构700反射，入射光线进入防反射结构501中，接着穿过氧化层400并到达光电反应区201中。光信号所产生的光生电流促使光电反应区201产生电流，从而将光信号转换为电信号。光电反应区201将电信号发送至逻辑基板100，由逻辑基板100对电信号进行处理，输出图像数据。在图9和图10至未显示光电反应区201和逻辑基板100中逻辑集成电路的连接结构，其中，可以通过硅通孔（Through Silicon Via，TSV）和外接引线等方式电性连接光电反应区201和所述逻辑集成电路。
请参阅图8至图10所示，在本发明一实施例中，在介质层600上设置滤光片800。在本实施例中，滤光片800可以是彩色滤光片（Color Filter，CF）。滤光片800设置在介质层600上。滤光片800的宽度大于光电反应区201的宽度，且滤光片800在像素层200上的正投影覆盖光电反应区201。滤光片800可以精确选择欲通过的小范围波段光波，并反射掉允许范围外的波段。其中，不同的光电反应区201可以对应不同波段的滤光片800。在本实施例中，防反射结构501和氧化层400的厚度可以是滤光片800滤光波长的1/4。其中，滤光片800的滤光波长为能够通过滤光片800的入射光线的波长。例如，当入射光线的波长在560nm~720nm时，入射光线可以通过滤光片800，则滤光片800的滤光波长为560nm~720nm。因此，防反射结构501和氧化层400的厚度可以是例如140nm~180nm。本发明对图像传感器的滤光波长不做限定，根据图像传感器设计的不同，可以对滤光片800的滤光波长进行调整。其中，相邻的光电反应区201对应不同波段的滤光片800，从而减少相邻像素单元之间的信号串扰，提升图像传感器的信息处理效率和消息处理准确度。其中，光生电子来源于光电反应区201中有效光信号进行的光电转换反应，在相同曝光周期内，有效光信号的占比越高，光电反应区201中积累的光生电子越多，从而使光电反应区201具有高信噪比和更高的分辨率。
本发明提供了一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括逻辑基板、像素层、多个光电反应区和氧化层，以及防反射结构。其中，像素层连接于逻辑基板，且像素层中设置有多个深沟槽隔离结构。多个光电反应区阵列分布在像素层中，且光电反应区设置在相邻的深沟槽隔离结构之间。氧化层设置在像素层上。防反射结构覆盖在氧化层上，防反射结构分布在相邻的深沟槽隔离结构之间，且防反射结构覆盖光电反应区。其中，防反射结构、氧化层和光电反应区沿着光线的入射方向依次排布，且防反射结构和氧化层的折射率乘积等于像素层的折射率的平方。在本发明中，硅基材对光线的反射量无限趋于0，因此光电反应区能够最大程度地提升入射光的感光量。光电反应区能够更准确且快速地完成光信号到电信号的转换，提升图像传感器的效率。尤其是在低光照条件下，本发明提供的图像传感器仍旧能够高效运作。并且根据本发明提供的图像传感器，不同的像素单元之间因漫反射所造成的信号串扰也会被降低，单个像素单元的工作效率得到极大提升。本发明意想不到的技术效果是：能够在入射光线被图像传感器识别之前，减少光线因反射所造成的损失，提升图像传感器的感光量，并提升图像传感器的光敏度，尤其在低光照条件下，本发明的图像传感器仍旧具有较好的图像输出效果。根据本发明提供的图像传感器及其制造方法，能够提升有效光信号的占比，降低不同通道之间的信号串扰，从而提升图像传感器的信噪比和分辨率。根据本发明提供的图像传感器的制造方法，能够低成本且批量地制造出本发明所述图像传感器。
以上公开的本发明实施例只是用于帮助阐述本发明。实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (10)
1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：
逻辑基板；
像素层，连接于所述逻辑基板，所述像素层中设置有多个深沟槽隔离结构；
多个光电反应区，阵列分布在所述像素层中，且所述光电反应区设置在相邻的所述深沟槽隔离结构之间；
氧化层，设置在所述像素层上；以及
防反射结构，覆盖在所述氧化层上，所述防反射结构分布在相邻的所述深沟槽隔离结构之间，且所述防反射结构覆盖所述光电反应区，其中，所述防反射结构、所述氧化层和所述光电反应区沿着光线的入射方向依次排布。
2.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述防反射结构的折射率和所述氧化层的折射率的乘积等于所述像素层的折射率的平方。
3.根据权利要求2所述的一种图像传感器，其特征在于，所述防反射结构上设置有介质层，且所述介质层连接于所述深沟槽隔离结构和所述氧化层。
4.根据权利要求3所述的一种图像传感器，其特征在于，所述介质层中设置有遮光结构，所述遮光结构与所述光电反应区间隔分布，且所述遮光结构覆盖所述深沟槽隔离结构。
5.根据权利要求4所述的一种图像传感器，其特征在于，所述介质层上设置有多个滤光片，所述滤光片覆盖所述防反射结构。
6.根据权利要求5所述的一种图像传感器，其特征在于，所述防反射结构和所述氧化层的厚度相等，且所述防反射结构和所述氧化层的厚度为所述滤光片的滤光波长的1/4。
7.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述防反射结构的表面为弧面。
8.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述防反射结构为氮氧化硅，且所述防反射结构的含氮量为24%~72%。
9.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一逻辑基板，并在所述逻辑基板上设置像素层，所述像素层中设置有多个深沟槽隔离结构；
在所述像素层中形成多个光电反应区，所述光电反应区阵列分布在所述像素层中，且所述光电反应区设置在相邻的所述深沟槽隔离结构之间；
在所述像素层上形成氧化层；以及
在所述氧化层上形成防反射结构，所述防反射结构分布在相邻的所述深沟槽隔离结构之间，且所述防反射结构覆盖所述光电反应区，其中，所述防反射结构、所述氧化层和所述光电反应区沿着光线的入射方向依次排布。
10.根据权利要求9所述的一种图像传感器的制造方法，其特征在于，在形成所述防反射结构的步骤中，在轰击减薄所述氧化层的同时，对所述氧化层进行氮化处理，形成所述防反射结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311056576.5A CN116779630B (zh) | 2023-08-22 | 2023-08-22 | 一种图像传感器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311056576.5A CN116779630B (zh) | 2023-08-22 | 2023-08-22 | 一种图像传感器及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116779630A true CN116779630A (zh) | 2023-09-19 |
| CN116779630B CN116779630B (zh) | 2023-11-28 |
Family
ID=87991638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311056576.5A Active CN116779630B (zh) | 2023-08-22 | 2023-08-22 | 一种图像传感器及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116779630B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2023-08-22 CN CN202311056576.5A patent/CN116779630B/zh active Active
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| CN116779630B (zh) | 2023-11-28 |
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