CN116741785A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

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李暻洙
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Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括衬底以及位于衬底一侧的驱动电路；驱动电路包括第一晶体管，第一晶体管包括第一有源层，第一有源层包括氧化物半导体；驱动电路还包括第一电容，第一电容的其中一个电容极板与第一有源层同层设置。采用本发明实施例提供的显示面板，将驱动电路中第一电容的一个基板与氧化物半导体的有源层同层设置，可以减少显示面板在工艺制备上的工序，并且还有更好的实现显示面板整体的薄型化设计。

Description

一种显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，显示面板已广泛应用于人们的生产和生活中。但是现有技术中的显示面板仍存在一些技术问题亟待改善。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置，将驱动电路中第一电容的一个基板与氧化物半导体的有源层同层设置，可以减少显示面板在工艺制备上的工序，并且还有更好的实现显示面板整体的薄型化设计。
第一方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括衬底以及位于所述衬底一侧的驱动电路；
所述驱动电路包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括氧化物半导体；
所述驱动电路还包括第一电容，所述第一电容的其中一个电容极板与所述第一有源层同层设置。
第二方面，本发明实施例提供一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板，该显示面板的驱动电路中包括第一晶体管，第一晶体管的第一有源层包括氧化物半导体，并且驱动电路中的第一电容的一个电容基板可以与第一有源层同层设置，可以减少显示面板在工艺制备上的工序，节约显示面板的工艺制备成本，并且还有更好的实现显示面板整体的薄型化设计。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2是图1中沿剖线A-A’的一种剖面示意图；
图3是本发明实施例提供的一种像素电路的电路元件图；
图4是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图5是图4提供的一种显示面板中一部分结构的示意图；
图6是图4提供的一种显示面板中另一部分结构的示意图；
图7是图4提供的一种显示面板中另一部分结构的示意图；
图8是图4提供的一种显示面板中另一部分结构的示意图；
图9是图4提供的一种显示面板中另一部分结构的示意图；
图10是图4提供的一种显示面板中另一部分结构的示意图；
图11是本发明实施例提供的另一种像素电路的电路元件图；
图12是本发明实施例提供的一种显示面板中一部分结构的示意图；
图13是本发明实施例提供的另一种像素电路的电路元件图；
图14是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图15是本发明实施例提供的一种移位寄存电路的电路元件图；
图16是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图17是本发明实施例提供的一种像素电路的电路元件图；
图18是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图19是图18提供的一种显示面板中一部分结构的示意图；
图20是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图21是图20提供的一种显示面板中一部分结构的示意图；
图22是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图23是图22中沿剖线C-C’的一种剖面示意图；
图24是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图25是图24提供的一种显示面板中一部分结构的示意图；
图26是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图27是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图28是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图29是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图30是图29中沿剖线D-D’的一种剖面示意图；
图31是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图32是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列单元的系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其它单元。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图2是图1中沿剖线A-A’的一种剖面示意图，参考图1和图2，本发明实施例提供一种显示面板10，该显示面板10包括衬底100以及位于衬底100一侧的驱动电路200；驱动电路200包括第一晶体管210，第一晶体管210包括第一有源层211，第一有源层211包括氧化物半导体；驱动电路200还包括第一电容220，第一电容220的其中一个电容极板221与第一有源层211同层设置。
其中，显示面板10包括衬底100以及衬底100一侧的多层交替设置的绝缘层和金属层，并且在多层绝缘层和金属层中包括驱动电路200。示例性的，衬底100一侧的多层绝缘层可以包括缓冲层110、第一栅极绝缘层120、第一层间绝缘层130、第二栅极绝缘层140、第二层间绝缘层150、第三层间绝缘层160和平坦化层170等，基于具体的绝缘层设置数量及种类，可以根据实际的显示面板10进行适应性的调整。具体的，驱动电路200中可以包括多个晶体管和电容结构，基于具体晶体管和电容结构的数量本发明实施例对此不进行具体的限定。换句话说，驱动电路200可以是像素电路或者是移位寄存电路，基于驱动电路200的具体种类在此不进行具体的限定，并且基于驱动电路200种类的调整，其晶体管和电容结构的数量及设置位置也可以进行适应性的调整。
进一步的，参考图2所示，驱动电路200包括第一晶体管210，第一晶体管210包括第一有源层211，并且第一有源层211包括氧化物半导体，即第一晶体管210为氧化物晶体管(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)，并且该晶体管具有生产成本低和功耗低等优势。并且，在第一晶体管210中还可以包括其他结构，例如第一栅极212、第二栅极213、第一晶体管的源极214和第一晶体管的漏极215等。
进一步的，驱动电路200还包括第一电容220，第一电容220中的一个电容极板221与第一有源层211同层设置，这里的同层设置可以理解为第一有源层211和第一电容220的一个电容极板221采用同一掩膜工艺在同一图案化工艺中制备得到，例如制备得到半导体层并对半导体层进行图案化工艺，在第一晶体管210的设置区域保留的半导体层结构即为第一有源层211，在第一电容220的设置区域保留的半导体层结构通过离子掺杂进行导体化之后得到的结构即为第一电容220的一个电容极板221。虽然第一有源层211和第一电容220的一个电容极板221的导电化程度不同，但是在膜层结构中，均与第一绝缘层130接触，即位于第一绝缘层130远离衬底100的一侧。通过同层设置可以减少第一电容220在显示面板10制备过程中的一道制备工序，并且有效的节约制备的成本，同时减少一道膜层制备的工序还有利于实现显示面板10的薄型化设计。
可选的，驱动电路200还可以包括第二晶体管230，第二晶体管230可以包括第二有源层231、第三栅极232、第二晶体管的源极233和第二晶体管的漏极234等。其中，第二有源层231可以包括硅，即第二晶体管230为低温多晶硅晶体管(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)，并且该晶体管具有开关速度高、载流子迁移率高和功率小等优点。进一步的，本发明实施例提供的驱动电路200可以结合上述两种类型的晶体管，即第一晶体管210和第二晶体管230，即将LTPO与IGZO相结合，即LTPO(Low Temperature PolycrystallineOxide，低温多晶氧化物)的显示面板技术。LTPO的显示面板不仅具有LTPS显示面板的高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，其还具有IGZO的生产成本低和功耗低的优势。
综上，本发明实施例提供的显示面板的驱动电路中包括第一晶体管，第一晶体管的第一有源层包括氧化物半导体，并且驱动电路中的第一电容的一个电容基板可以与第一有源层同层设置，可以减少显示面板在工艺制备上的工序，节约显示面板的工艺制备成本，并且还有更好的实现显示面板整体的薄型化设计。
图3是本发明实施例提供的一种像素电路的电路元件图，图4是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，图5是图4提供的一种显示面板中一部分结构的示意图，图6是图4提供的一种显示面板中另一部分结构的示意图，图7是图4提供的一种显示面板中另一部分结构的示意图，图8是图4提供的一种显示面板中另一部分结构的示意图，图9是图4提供的一种显示面板中另一部分结构的示意图，图10是图4提供的一种显示面板中另一部分结构的示意图，参考图1至图10，驱动电路200包括像素电路200A，像素电路200A包括存储电容Cst，存储电容Cst的其中一个电容极板Cst1与电源信号端PVDD电连接；第一电容220包括存储电容Cst。
具体的，驱动电路200可以包括像素电路200A，像素电路200A与显示面板10中的发光元件600电连接，即显示面板10通过像素电路200A驱动发光元件600显示发光实现显示面板10的显示功能。
像素电路200A中包括存储电容Cst，参考图3所示，存储电容Cst与电源信号端PVDD电连接，并且该存储电容Cst为第一电容221，即存储电容Cst的一个电容基板与第一有源层211同层设置。在减少显示面板10在工艺制备上的工序，节约显示面板10的工艺制备成本，并且还有更好的实现显示面板10整体的薄型化设计。
示例性的，参考图3所示，本发明实施例以像素电路200A包括“7T1C”举例进行说明，其中，“T”表示晶体管，“C”表示电容，在本发明实施例中即为存储电容Cst，即为第一电容221。可选的，结合像素电路200A的结构示意图和电路结构图进行描述，像素电路200A包括：发光控制晶体管M1、数据写入晶体管M2、驱动晶体管M3、阈值补偿晶体管M4、初始化晶体管M5、第二发光控制晶体管M6、复位晶体管M7及存储电容Cst。其中，第一扫描信号线SN-1控制该驱动电路的初始化晶体管M5的导通或关断，并在初始化晶体管M5导通时对驱动晶体管M3的栅极电位进行重置，即将第一复位信号Vref1传输至初始化晶体管M5并且对驱动晶体管M3、初始化晶体管M5、阈值补偿晶体管M4和存储电容Cst的连接节点(第一节点N1)进行复位。第二扫描信号线SP-1控制该驱动电路的数据写入晶体管M2的导通和关断，并在数据写入晶体管M2的导通时，将数据信号线上的数据信号Vdata写到驱动晶体管M3的栅极。第三扫描信号线SN-2控制阈值补偿晶体管M4的导通和关断，并且在阈值补偿晶体管M4导通时对驱动晶体管M3的阈值电压进行补偿。同时，第四扫描信号线SP-2控制复位晶体管M7的导通和关断，并且在复位晶体管M7导通时对与像素电路300连接的发光元件600的阳极进行复位，即将第二复位信号Vref2传输至发光元件600的阳极。发光控制信号Emit控制发光控制晶体管M1和第二发光控制晶体管M6的导通和关断，并且在控制发光控制晶体管M1和第二发光控制晶体管M6导通时电源信号PVDD传输至发光元件600，从而实现发光元件200的显示和发光。示例性的，发光元件600可为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)、Mini LED、Micro LED或量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)等，本发明实施例对发光元件的具体类型不进行限定。进一步的，发光元件可包括红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件，不同颜色的发光元件可以具体多种不同的排布方式，例如钻石像素(Dimond Pixel))排列，标准RGB排列、三角像素(Delta Pixel)排列、珍珠像素(Pearl Pixel)排列或二合一像素(2in1 Pixel))排列等，本发明实施例对不同颜色发光元件的具体排布方式同样不进行限定。
进一步的，图4示出显示面板10整体的结构示意图，基于显示面板10由多层膜层交叠设置，便于清晰的了解膜层的具体设置位置，参考图5至图10，将显示面板10中不同的膜层由底部到顶部一一示例出，即依次包括第二有源层231所在的膜层310、第三栅极232和第二栅极213所在的金属膜层320、第一有源层211所在的膜层330、第一栅极212所在的金属膜层340、源极和漏极所在的金属膜层360，以及位于金属膜层340和金属膜层360之间用于连接两者的金属膜层350。具体的，参考图7所示，图中区域A所示即为存储电容Cst的一个电容基板Cst1，并且该电容基板Cst1所在的膜层与第一有源层211所在的膜层330为同一个膜层。示例性的，存储电容Cst的另一个电容基板Cst2所在的膜层可以与第三栅极232和第二栅极213所在的金属膜层320同层，如图6所示。基于存储电容Cst的另一个电容基板Cst2的膜层位置本发明实施例对此不进行具体的限定。
图11是本发明实施例提供的另一种像素电路的电路元件图，图12是本发明实施例提供的一种显示面板中一部分结构的示意图，图13是本发明实施例提供的另一种像素电路的电路元件图，参考图11至图13所示，驱动电路200包括像素电路200A，像素电路200A包括数据写入晶体管M2、驱动晶体管M3和节点电位调整电容C1，节点电位调整电容C1串联设置在数据写入晶体管M2的栅极和驱动晶体管M3的栅极之间；第一电容220包括节点电位调整电容C1。
具体的，参考图11所示，像素电路200A包括的节点电位调整电容C1位于数据写入晶体管M2和驱动晶体管M3之间，即节点电位调整电容C1的两个电容基板一个与数据写入晶体管M2的栅极电连接，一个与驱动晶体管M3的栅极电连接。通过设置节点电位调整电容C1可以调整驱动晶体管M3的栅极电位，保证整体像素电路200A的工作稳定性。
进一步的，基于节点电位调整电容C1的设置位置具有灵活性，不限于仅仅设置在数据写入晶体管M2的栅极和驱动晶体管M3之间，参考图13所示，节点电位调整电容C1还串联设置在阈值补偿晶体管M4的栅极和驱动晶体管M3的栅极之间。
具体的，参考图12所示，图中区域B所示即为节点电位调整电容C1的一个电容极板C11，并且该电容极板C11所在的膜层与第一有源层211所在的膜层330为同一个膜层。基于节点电位调整电容C1的另一个电容基板的膜层位置本发明实施例对此不进行具体的限定。通过同层的设置，可以减少显示面板10在工艺制备上的工序，同时还有利于实现显示面板10整体的薄型化设计。
图14是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，参考图11和图14，驱动电路200包括像素电路200A，像素电路200A包括数据写入晶体管M2、驱动晶体管M3、存储电容Cst和节点电位调整电容C1；存储电容Cst的其中一个电容极板与电源信号端PVDD电连接；节点电位调整电容C1串联设置在数据写入晶体管M2的栅极和驱动晶体管M3的栅极之间；第一电容220包括所述存储电容Cst；第一晶体管210还包括第一栅极212，第一栅极212位于第一有源层211远离衬底100的一侧；节点电位调整电容C1的其中一个电容极板C11与第一栅极212同层设置。
示例性的，继续参考图11所示，本发明实施例以像素电路200A包括“7T2C”举例进行说明，其中，“T”表示晶体管，“C”表示电容。两个电容分别是存储电容Cst和节点电位调整电容C1。对于存储电容Cst，其与电源信号端PVDD电连接，而节点电位调整电容C1串联设置在数据写入晶体管M2的栅极和驱动晶体管M3的栅极之间，需要说明的是，节点电位调整电容C1的设置位置具有灵活性，不限于仅仅设置在数据写入晶体管M2和驱动晶体管M3之间。
进一步的，参考图14所示，存储电容Cst的作为第一电容220，其一个电容基板221与第一有源层211同层设置。而节点电位调整电容C1的其中一个电容极板C11与第一晶体管211中的第一栅极212同层设置，即与第一晶体管211中的顶栅同层设置，设置的两个电容结构均与其他结构同层设置，进一步减少显示面板10在工艺制备上的工序，同时更有利于实现显示面板10整体的薄型化设计。进一步的，将存储电容Cst的一个电容极板221和节点电位调整电容C1的一个电容极板C11异层设置，还可以保证电容极板221和电容极板C11均具有足够的设置空间。其中存储电容Cst的容值要求较高，即在保证存储电容Cst和节点电位调整电容C1均有足够的设置空间的前提下，将电容极板221与第一有源层211同层设置，进而可以保证存储电容Cst的两个基板之间的距离较小，进一步保证存储电容Cst的容值。
图15是本发明实施例提供的一种移位寄存电路的电路元件图，图16是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，参考图15和图16所示，驱动电路200包括移位寄存电路200B，移位寄存电路200B包括自举电容C2和输出晶体管T1；自举电容C2的其中一个极板与移位寄存电路的输出端GOUT电连接，自举电容C2的另一个极板与输出晶体管T1的栅极电连接；第一晶体管210还包括第一栅极212，第一栅极212位于第一有源层211远离衬底100的一侧；第一电容220包括自举电容C2，自举电容C2的其中一个电容极板C2b与第一有源层211同层设置，自举电容C2的一个电容极板C2a与第一栅极212同层。
具体的，驱动电路200可以包括移位寄存电路200B，参考图15所示，移位寄存电路200B中包括输出晶体管T1和自举电容C2。进一步的，自举电容C2的其中一个极板与移位寄存电路的输出端GOUT电连接，自举电容C2的另一个极板与输出晶体管T1的栅极电连接，即通过移位寄存电路200B中输出端GOUT和输出晶体管T1可以确定自举电容C2的设置位置。参考图15所示，移位寄存电路200B还包括其他晶体管和电容结构等，即均为移位寄存电路200B中常规的设置，在此不进行赘述。在移位寄存电路200B中通过设置自举电容C2一端与输出晶体管T1的栅极电连接可以对输出晶体管T1的栅极进行电位调调节，具体的，自举电容C2的另一端与输出端GOUT电连接，基于输出晶体管T1为低电平导通的晶体管，即自举电容C2可以根据输出的低电平信号导致自举电容C2一个电容变低，进而再通过自举电容C2降低输出晶体管T1的栅极处的电位，进而更好的保证输出晶体管T1的导通程度。
具体的，参考图16所示，自举电容C2的其中一个电容极板C2b所在的膜层与第一晶体管210中第一有源层211所在的膜层330为同一个膜层。自举电容C2的另一个基板C2a可以与第一栅极212同层设置。通过同层的设置，可以减少显示面板10在工艺制备上的工序，同时还有利于实现显示面板10整体的薄型化设计。进一步的，在移位寄存电路200B中晶体管没有第一晶体管210，即对于第一有源层211所在的膜层在移位寄存电路200B中的设置空间比较大，即自举电容C2中与第一有源层211同层的电容极板C2b的设置空间较大，可以保证自举电容C2的存储性能及电容的稳定性。
图17是本发明实施例提供的一种像素电路的电路元件图，图18是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，图19是图18提供的一种显示面板中一部分结构的示意图，图20是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，图21是图20提供的一种显示面板中一部分结构的示意图，参考图3、图17至图21所示，驱动电路200包括像素电路200A，像素电路包括发光控制晶体管M1、初始化晶体管M5和偏置调节晶体管M8；显示面板10还包括发光控制信号线Emit、初始化信号线Vref1和偏置调节信号线DVH，发光控制信号线Emit与发光控制晶体管M1的栅极电连接，初始化信号线Vref1与初始化晶体管M5的输入端电连接，偏置调节信号线DVH与偏置调节晶体管M8的输入端电连接；发光控制信号线Emit、初始化信号线Vref1以及偏置调节信号线DVH中的至少一者与第一有源层211同层设置。
具体的，参考图17所示，像素电路200A包括发光控制晶体管M1、初始化晶体管M5和偏置调节晶体管M8，其中发光控制晶体管M1的控制端与发光控制信号线Emit电连接，即发光控制晶体管M1的栅极与发光控制信号线Emit电连接，初始化晶体管M5的输入端与初始化信号线Vref1电连接，偏置调节晶体管M8的输入端与偏置调节信号线DVH电连接，进而实现像素电路200A的发光控制、初始化调节以及偏置调节等。
进一步的，可以将发光控制信号线Emit、初始化信号线Vref1以及偏置调节信号线DVH处的第一有源层211对应的膜层进行导体化设置，实现对应的膜层具有金属特性可以进行信号传输。
具体的，参考图18和图19所示，发光控制信号线Emit与第一有源层211同层设置，即发光控制信号线Emit将第一有源层211所在的膜层330对应的区域进行复用，参考图19中的发光控制信号线Emit，即可以显示面板10在制备发光控制信号线Emit可以减少一道制备工序，节约显示面板10的工艺制备成本。参考图20和图21所示，初始化信号线Vref1与第一有源层211同层设置，即初始化信号线Vref1将第一有源层211所在的膜层330对应的区域进行复用，参考图21中的初始化信号线Vref1，即可以显示面板10在制备初始化信号线Vref1可以减少一道制备工序，节约显示面板10的工艺制备成本。同时，参考图21中的区域E，原本在该区域的初始化信号线Vref1和膜层330需要跨层电连接，通过将初始化信号线Vref1设置在膜层330处，可以减少打孔的工艺，减少显示面板10的工艺制备工序。
同理，将偏置调节信号线DVH与第一有源层211同层设置，也可以可以减少一道制备工序，节约显示面板10的工艺制备成本。进一步的，为了更有效的控制显示面板10的制备成本，可以将发光控制信号线Emit、初始化信号线Vref1以及偏置调节信号线DVH均第一有源层211同层设置。
图22是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，图23是图22中沿剖线C-C’的一种剖面示意图，参考图2、图22和图23所示，显示面板10还包括扇出走线区12以及位于扇出走线区12的扇出走线400；扇出走线400包括至少一层走线结构，存在至少部分扇出走线400与第一有源层211同层设置。
具体的，具体的，显示面板100包括显示区11和扇出走线区12，显示区11设置有发光元件600以及与发光元件600连接的数据线430，数据线430用于向发光元件600提供数据信号，以使发光元件600根据数据信号进行发光显示。
此外，显示面板10还包括非显示区，非显示区至少位于显示区11的一侧，以图22为例，非显示区位于显示区11下侧。非显示区可以包括扇出走线区12和绑定区13，扇出走线区12设置有扇出走线400，绑定区13设置有驱动芯片131，扇出走线410分别与数据线430和驱动芯片131电连接，用于将驱动芯片输出的数据信号传输至数据线430。
在本发明实施例中，可以将相邻设置扇出走线400进行异层设置，即参考图23中，扇出走线410和扇出走线420异层设置，可以避免相邻信号走线之间产生寄生电容，避免信号传输收到影响和干扰，保证显示面板10的显示效果，如此还可以降低扇出走线占用的下边框的面积，减小下边框面积，提升显示面板的显示屏占比。具体的，对比参考图2和图23，部分扇出走线410与第一有源层211同层设置，即可以减少扇出走线410的制备工序，减少显示面板10整体制备的工艺成本，并且扇出走线410无需多占一个膜层，即有利于实现显示面板10整体的薄型化设计。
图24是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，图25是图24提供的一种显示面板中一部分结构的示意图，参考图3、图24和图25所示，驱动电路200包括像素电路200A，像素电路200A包括驱动晶体管M3和阈值补偿晶体管M4，阈值补偿晶体管M4的输出端通过第一连接结构510与驱动晶体管M3的栅极电连接；第一连接结构510与第一有源层211同层设置。
具体的，参考图3所示，像素电路200A中驱动晶体管M3和阈值补偿晶体管M4连接设计，即阈值补偿晶体管M4的输出端与驱动晶体管M3的栅极电连接。参考图24所示，通过设置第一连接结构510将驱动晶体管M3和阈值补偿晶体管M4进行电连接设计。
进一步的，参考图25所示，用于连接驱动晶体管M3和阈值补偿晶体管M4的第一连接结构510与第一有源层211同层设置，即第一连接结构510和第一有源层211均为膜层330。通过将第一连接结构510设置在原有的膜层330上，可以保证减少第一连接结构510的单独制备工序，节约显示面板10的工艺制备成本，并且通过膜层共用的方式还有利于实现显示面板10的薄型化设计。进一步的，第一连接结构510设置在膜层330处，可以减少第一连接结构510跨层打孔与膜层330电连接的工序，即可以减少打孔的工艺，减少显示面板10的工艺制备工序。
图26是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，参考图26所示，驱动电路200还包括第二晶体管230，第二晶体管230包括第二有源层231，第二有源层231包括硅；显示面板10还包括第二连接结构520，至少部分第二晶体管230的源极233和漏极234通过第二连接结构520与第二有源层231电连接；第二连接结构520与第一有源层211同层设置。
其中，显示面板10的驱动电路200还包括第二晶体管230，并且第二晶体管230的第二有源层231包括硅，即第二晶体管230为低温多晶硅晶体管(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)，并且该晶体管具有开关速度高、载流子迁移率高和功率小等优点。
进一步的，显示面板10中还包括第二连接结构520，在第二晶体管230中，源极233和漏极234是通过第二连接结构520实现与第二有源层231的电连接，即实现第二晶体管230的信号传输。通过通过设置第二连接结构520也可以减少源极233和漏极234的打孔深度，进而减弱显示面板10的工艺制备难度，进而保证第二晶体管230中信号传输的稳定，即整体的搭接信号比较好。
进一步的，在第二晶体管230中用于连接源极233和第二有源层231之间的第二连接结构520可以与第一有源层211同层设置，通过同层的设置，即第二连接结构520和第一有源层211可以一道工序进行制备，即减少显示面板10整体的工艺制备成本，同时第二连接结构520复用的膜层是原本需要设置的，即可以减少第二连接结构520单独设置的膜层结构，进而有利于实现显示面板10整体的薄型化设计。
图27是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，参考图3和图27所示，驱动电路200包括像素电路200A，第二晶体管230包括开关晶体管Ms和驱动晶体管M3；至少开关晶体管Ms的源极233和漏极234通过第二连接结构520与第二有源层231电连接。
具体的，像素电路200A中包括驱动晶体管M3和开关晶体管Ms，其开关晶体管Ms可以是指发光控制晶体管M1、数据写入晶体管M2、阈值补偿晶体管M4、初始化晶体管M5、第二发光控制晶体管M6及复位晶体管M7等，本发明实施例对此不进行具体的限定。
进一步的，参考图27所示，开关晶体管Ms和驱动晶体管M3均可以是第二晶体管230。进一步的，对于部分开关晶体管Ms中，源极233和漏极234可以通过第二连接结构520与第二有源层231电连接，可以保证开关晶体管Ms的源极233和漏极234与第二有源层231的电连接更加稳定，进而工作更加稳定，防漏流的效果更好。
继续参考图15和图27所示，驱动电路200包括移位寄存电路200C；移位寄存电路200C中的第二晶体管230的源极233和漏极234通过第二连接结构520与第二有源层231电连接。
进一步的，在移位寄存电路200C中也包括第二晶体管230，即包括低温多晶硅晶体管(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)。对于移位寄存电路200C中的第二晶体管230，避免其出现漏流的情况，可以通过第二连接结，即保证移位寄存电路200C中第二晶体管230的工作更加稳定，防漏流的效果更好，进而晶体管的控制效果更加优异。
图28是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，参考图2和图28所示，驱动电路200还包括第二晶体管230，第二晶体管230包括第二有源层231、源极233和漏极234；第二有源层231包括硅，源极233和漏极234均与第二有源层231电连接；源极233包括第一源极分部233a和第二源极分部233b，第一源极分部233a位于第二源极分部233b靠近第二有源层231的一侧；第一源极分部233a包括靠近第二源极分部233b一侧的第一源极表面233a1，第二源极分部233b包括靠近第一源极分部233a一侧的第二源极表面233b1；漏极234包括第一漏极分部234a和第二漏极分部234b，第一漏极分部234a位于第二漏极分部234b靠近第二有源层231的一侧；第一漏极分部234a包括靠近第二漏极分部234b一侧的第一漏极表面234a1，第二漏极分部234b包括靠近第一源极分部234a一侧的第二漏极表面234b1；显示面板10还包括源极连接部521和/或漏极连接部522；源极连接部521位于第一源极分部233a所在膜层和第二源极分部233b所在膜层之间且分别与第一源极分部233a和第二源极分部233b电连接，且源极连接部521的面积大于第一源极表面233a1的面积以及第二源极表面233b1的面积；漏极连接部522位于第一漏极分部234a所在膜层和第二漏极分部234b所在膜层之间且分别与第一漏极分部234a和第二漏极分部234b电连接，且漏极连接部522的面积大于第一漏极表面234a1的面积以及第二漏极表面234b1的面积。
具体的，参考图2和图28所示，在第二晶体管230中源极233和漏极234均与第二有源层231电连接，即保证第二晶体管230的正常工作。其中，参考图2所示，源极233和漏极234需要穿透过个绝缘层实现与第二有源层231的电连接，即在制备源极233和漏极234时需要进行深打孔，进而保证与第二有源层231的电连接。在显示面板10的制备工艺中，即在保证显示面板10整体结构的稳定情况下，保证源极233和漏极234的准确刻蚀，需要克服的工艺难度较大。进一步的，参考图28所示，源极233包括第一源极分部233a和第二源极分部233b，漏极234包括第一漏极分部234a和第二漏极分部234b，即将原本进行深打孔工艺制备的源极233和漏极234进行逐步制备，可以减少深打孔对显示面板10带来的不良影响。
具体的，第一源极分部233a靠近第二有源层231，第二源极分部233b相比于第一源极分部233a远离第二有源层231，其中第一源极分部233a的第一源极表面233a1靠近第二源极分部233b一侧，第二源极分部233b的第二源极表面233b1靠近第一源极分部233a一侧。同样的，第一漏极分部234a靠近第二有源层231，第二漏极分部234b相比于第一漏极分部234a远离第二有源层231。进一步的，第一漏极分部234a的第一漏极表面234a1靠近第二漏极分部234b一侧，第二漏极分部234b的第二漏极表面234b1靠近第一源极分部234a一侧。进一步的，在第一源极表面233a1和第二源极表面233b1之间设置源极连接部521，实现第一源极分部233a和第二源极分部233b的电连接关系，进而保证源极233和第二有源层231的电连接关系。在第一漏极表面234a1和第二漏极表面234b1之间设置漏极连接部522，实现第一漏极分部234a和第二漏极分部234b的电连接关系，进而实现漏极234与第二有源层231的电连接关系。需要说明的是，在显示面板10中可以同时设置源极连接部521和漏极连接部522，也可以根据工艺需求只设置源极连接部521或漏极连接部522，本发明实施例对此不进行具体的限定。
进一步的，源极连接部521的面积大于第一源极表面233a1的面积以及第二源极表面233b1的面积，即在保证第一源极分部233a和第二源极分部233b的电连接关系时，通过设置一个面积较大的源极连接部521，可以对第一源极分部233a和第二源极分部233b的对位精度要求降低，进而对显示面板10的工艺制备难度降低。同理，漏极连接部522的面积大于第一漏极表面234a1的面积以及第二漏极表面234b1的面积，即在保证第一漏极分部234a和第二漏极分部234b的电连接关系时，通过设置一个面积较大的漏极连接部522，可以对第一漏极分部234a和第二漏极分部234b的对位精度要求降低，进而对显示面板10的工艺制备难度降低。
继续参考图28所示，源极连接部521和漏极连接部522均与第一有源层211同层设置。
进一步的，源极连接部521和漏极连接部522同层设置，可以保证显示面板10规整化设计。同时，源极连接部521和漏极连接部522均与第一有源层211同层设置，即源极连接部521、漏极连接部522和第一有源层211可以一道工序进行制备，即减少显示面板10整体的工艺制备成本，同时源极连接部521和漏极连接部522复用的膜层是原本需要设置的，即可以减少源极连接部521和漏极连接部522单独设置的膜层结构，进而有利于实现显示面板10整体的薄型化设计。
图29是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，图30是图29中沿剖线D-D’的一种剖面示意图，参考图29和图30所示，显示面板10包括第一显示区11a和第二显示区11b，第二显示区11b至少部分围绕第一显示区11a；第一显示区11a包括第一发光元件610，第二显示区11b包括第二发光元件620；驱动电路200包括位于第二显示区11b的第一像素电路240和第二像素电路250，第一像素电路240通过第三连接结构530与第一发光元件610电连接，第二像素电路250与第二发光元件620电连接；第三连接结构530与第一有源层211同层设置。
其中，显示面板10包括第一显示区11a和第二显示区11b，第二显示区11b至少部分围绕第一显示区11a，其中第一显示区11a可以是透光区，透光区在显示面板10下方设置光学器件，用于获取外界光线。示例性的，光学器件20可以是屏下摄像头或者指纹识别模组等。第二显示区11b可以是显示面板10的正常显示区。
进一步的，第一显示区11a包括第一发光元件610，第二显示区11b包括第二发光元件620，通过设置第一发光元件610和第二发光元件620实现显示面板10全面显示效果。
进一步的，参考图30所示，驱动第一发光元件610的像素电路200A是第一像素电路240，驱动第二发光元件620的像素电路200A是第二像素电路250，为保证第一显示区11a的透光效果，将第一像素电路240和第二像素电路250均设置在第二显示区11b。进一步的，置于第二显示区11b的第一像素电路240可以通过第三连接结构530与第一发光元件610电连接。
进一步的，参考图30，第三连接结构530与第一晶体管210中的第一有源层211同层，即第三连接结构530和第一有源层211可以一道工序进行制备，即减少显示面板10整体的工艺制备成本，同时第三连接结构530复用的膜层是原本需要设置的，即可以减少第三连接结构530单独设置的膜层结构，进而有利于实现显示面板10整体的薄型化设计。需要说明的是，图30中示出的第一晶体管210用于体现第三连接结构530与第一有源层211的同层位置关系，而第一晶体管210不在沿剖线D-D’的一种剖面示意图中。
图31是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，参考图31所示，第一晶体管210还包括第二栅极213，第二栅极213位于第一有源层211靠近衬底100的一侧；第一有源层211包括源区211a、漏区211b以及位于源区211a和漏区211b之间的沟道区211c；显示面板10还包括位于第一有源层211所在膜层与第二栅极213所在膜层之间的氢阻挡层700，氢阻挡层700包括金属层且与第二栅极213接触；沿显示面板10的厚度方向，氢阻挡层700至少与沟道区211c交叠。
其中，参考图31，第一晶体管210可以包括第一栅极212和第二栅极213，即第一晶体管210为双栅晶体管，第一栅极212为第一晶体管210的顶栅，第二栅极213的底栅。进一步的，对于第一有源层211包括源区211a、漏区211b以及位于源区211a和漏区211b之间的沟道区211c，源区211a是源极213与第一有源层211电连接的位置，漏区211b是漏极214与第一有源层211电连接的位置，沿显示面板10的厚度方向，沟道区211c是第一栅极212和第二栅极213在第一有源层211处的交叠区域。
进一步的，显示面板10还包括氢阻挡层700，并且氢阻挡层700与第二栅极213接触设置。设置的氢阻挡层700可以隔绝氢气，避免氢气传输至沟道区211c，进而避免影响第一晶体管210发生阈值漂移，进而保证第一晶体管210的工作稳定性。具体的，氢阻挡层700包括金属层，示例性的，氢阻挡层700的材质可以为钛金属材质。相比于氮化硅的氢阻挡层，氮化硅虽然不包含氢但在其制备中间过程中也会产生部分的氢，即若用氮化硅的氢阻挡层，也会对第一晶体管210产生一定的阈值稳定性的影响。即金属材质的氢阻挡层700结构更加稳定，并且更好的保证第一晶体管210的阈值稳定性。
可选的，氢阻挡层700的焓值为负值。
具体的，将氢阻挡层700的焓值调整为负值可以保证氢阻挡层700的结构稳定，进而保证对氢阻挡的功能具有稳定性，进而保证显示面板10整体的稳定性。
继续参考图31所示，显示面板10还包括位于第一有源层211所在膜层与氢阻挡层700所在膜层之间的隔离层800，隔离层800分别与氢阻挡层700和第一有源层211接触；隔离层800包括氧化硅。
进一步的，显示面板10在第一有源层21和氢阻挡层700之间设置隔离层800，通过隔离层800可以更有效的放置氢对第一晶体管210的阈值影响，即进一步保证第一晶体管210的阈值稳定性。
参考图31，驱动电路200还包括第二晶体管230，第二晶体管230包括第二有源层231和第三栅极232，第二有源层231包括硅，第三栅极232位于第二有源层231远离衬底100的一侧；显示面板10还包括位于第二有源层231所在膜层与第三栅极232所在膜层之间的氢注入层900。
具体的，第二晶体管230的第二有源层231包括硅，即在对第二有源层231制备中存在一个氢化的过程，为保证第二晶体管230的氢化过程的进行，在第二晶体管230的第三栅极232靠近第二有源层231一侧层次氢注入层900。进一步的，基于氢注入层900的设置位置，在保证第二晶体管230的氢化过程，同时也不会将氢传输至第一晶体管210的第一有源层211处，即同时还保证的第一晶体管210的阈值稳定性。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，图32是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，该显示装置包括上述实施方式提供的任一种显示面板。示例性的，参照图32，该显示装置1包括显示面板10。因此，该显示装置也具有上述实施方式中的显示面板和阵列基板所具有的有益效果，相同之处可参照上文对显示面板和阵列基板的解释说明进行理解，下文不再赘述。
本发明实施例提供的显示装置1可以为图32所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、工控设备、医用显示屏、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (19)

1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底一侧的驱动电路；
所述驱动电路包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括氧化物半导体；
所述驱动电路还包括第一电容，所述第一电容的其中一个电容极板与所述第一有源层同层设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路包括像素电路，所述像素电路包括存储电容，所述存储电容的其中一个电容极板与电源信号端电连接；
所述第一电容包括所述存储电容。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路包括像素电路，所述像素电路包括数据写入晶体管、驱动晶体管和节点电位调整电容，所述节点电位调整电容串联设置在所述数据写入晶体管的栅极和所述驱动晶体管的栅极之间；
所述第一电容包括所述节点电位调整电容。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路包括像素电路，所述像素电路包括数据写入晶体管、驱动晶体管、存储电容和节点电位调整电容；所述存储电容的其中一个电容极板与电源信号端电连接；所述节点电位调整电容串联设置在所述数据写入晶体管的栅极和所述驱动晶体管的栅极之间；
所述第一电容包括所述存储电容；
所述第一晶体管还包括第一栅极，所述第一栅极位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧；所述节点电位调整电容的其中一个电容极板与所述第一栅极同层设置。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路包括移位寄存电路，所述移位寄存电路包括自举电容和输出晶体管；所述自举电容的其中一个极板与所述移位寄存电路的输出端电连接，所述自举电容的另一个极板与所述输出晶体管的栅极电连接；
所述第一晶体管还包括第一栅极，所述第一栅极位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧；
所述第一电容包括所述自举电容，所述自举电容的其中一个电容极板与所述第一有源层同层设置，所述自举电容的一个电容极板与所述第一栅极同层。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路包括像素电路，所述像素电路包括发光控制晶体管、初始化晶体管和偏置调节晶体管；
所述显示面板还包括发光控制信号线、初始化信号线和偏置调节信号线，所述发光控制信号线与所述发光控制晶体管的栅极电连接，所述初始化信号线与所述初始化晶体管的输入端电连接，所述偏置调节信号线与所述偏置调节晶体管的输入端电连接；
所述发光控制信号线、所述初始化信号线以及所述偏置调节信号线中的至少一者与所述第一有源层同层设置。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括扇出走线区以及位于所述扇出走线区的扇出走线；
所述扇出走线包括至少一层走线结构，存在至少部分所述扇出走线与所述第一有源层同层设置。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路包括像素电路，所述像素电路包括驱动晶体管和阈值补偿晶体管，所述阈值补偿晶体管的输出端通过第一连接结构与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述第一连接结构与所述第一有源层同层设置。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路还包括第二晶体管，所述第二晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括硅；
所述显示面板还包括第二连接结构，至少部分所述第二晶体管的源极和漏极通过所述第二连接结构与所述第二有源层电连接；所述第二连接结构与所述第一有源层同层设置。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路包括像素电路，所述第二晶体管包括开关晶体管和驱动晶体管；
至少所述开关晶体管的源极和漏极通过所述第二连接结构与所述第二有源层电连接。
11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路包括移位寄存电路；
所述移位寄存电路中的所述第二晶体管的源极和漏极通过所述第二连接结构与所述第二有源层电连接。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路还包括第二晶体管，所述第二晶体管包括第二有源层、源极和漏极；所述第二有源层包括硅，所述源极和所述漏极均与所述第二有源层电连接；
所述源极包括第一源极分部和第二源极分部，所述第一源极分部位于所述第二源极分部靠近所述第二有源层的一侧；所述第一源极分部包括靠近所述第二源极分部一侧的第一源极表面，所述第二源极分部包括靠近所述第一源极分部一侧的第二源极表面；
所述漏极包括第一漏极分部和第二漏极分部，所述第一漏极分部位于所述第二漏极分部靠近所述第二有源层的一侧；所述第一漏极分部包括靠近所述第二漏极分部一侧的第一漏极表面，所述第二漏极分部包括靠近所述第一漏极分部一侧的第二漏极表面；
所述显示面板还包括源极连接部和/或漏极连接部；所述源极连接部位于所述第一源极分部所在膜层和所述第二源极分部所在膜层之间且分别与所述第一源极分部和所述第二源极分部电连接，且所述源极连接部的面积大于所述第一源极表面的面积以及所述第二源极表面的面积；所述漏极连接部位于所述第一漏极分部所在膜层和所述第二漏极分部所在膜层之间且分别与所述第一漏极分部和所述第二漏极分部电连接，且所述漏极连接部的面积大于所述第一漏极表面的面积以及所述第二漏极表面的面积。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述源极连接部和所述漏极连接部均与所述第一有源层同层设置。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括第一显示区和第二显示区，所述第二显示区至少部分围绕所述第一显示区；
所述第一显示区包括第一发光元件，所述第二显示区包括第二发光元件；
所述驱动电路包括位于所述第二显示区的第一像素电路和第二像素电路，所述第一像素电路通过第三连接结构与所述第一发光元件电连接，所述第二像素电路与所述第二发光元件电连接；
所述第三连接结构与所述第一有源层同层设置。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管还包括第二栅极，所述第二栅极位于所述第一有源层靠近所述衬底的一侧；
所述第一有源层包括源区、漏区以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；
所述显示面板还包括位于所述第一有源层所在膜层与所述第二栅极所在膜层之间的氢阻挡层，所述氢阻挡层包括金属层且与所述第二栅极接触；
沿所述显示面板的厚度方向，所述氢阻挡层至少与所述沟道区交叠。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，所述氢阻挡层的焓值为负值。
17.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述第一有源层所在膜层与所述氢阻挡层所在膜层之间的隔离层，所述隔离层分别与所述氢阻挡层和所述第一有源层接触；
所述隔离层包括氧化硅。
18.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路还包括第二晶体管，所述第二晶体管包括第二有源层和第三栅极，所述第二有源层包括硅，所述第三栅极位于所述第二有源层远离所述衬底的一侧；
所述显示面板还包括位于所述第二有源层所在膜层与所述第三栅极所在膜层之间的氢注入层。
19.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-18任一项所述的显示面板。
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