CN116736651A - 工艺腔室及其去除晶圆表面光刻胶的方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种工艺腔室及其去除晶圆表面光刻胶的方法，属于半导体工艺技术。该方法包括以下步骤：在工艺腔室内对晶圆完成刻蚀步骤后，继续向工艺腔室通入第一工艺气体，以清除光刻胶层表面上的刻蚀残留聚合物，第一工艺气体包括含氟气体或含氢气体；向工艺腔室通入第二工艺气体，以去除晶圆表面的光刻胶层。本技术方案，其可确保晶圆刻蚀完后其表面光刻胶层的去除效果，同时，具有省时省力及大大降低半导体工艺设备的成本等优点。
Description
技术领域
本申请属于半导体工艺技术领域，尤其涉及一种工艺腔室及其去除晶圆表面光刻胶的方法。
背景技术
在光刻工艺技术中，光刻胶一般可分为正型胶和负型胶两种。就光敏化学反应而言，聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子的为正型胶(chain secession)。聚合物的短链分子因光照而交连成长链分子的为负型胶(cross linking)。短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正型胶的曝光部分被去除，而负型胶的曝光部分被保留。而刻蚀以后的步骤之一是去除光刻胶，光刻胶用来作为从光刻掩膜版到硅片表面的图形转移媒介以及被刻蚀区域或被离子注入区域的阻挡层。一旦刻蚀或被注入完成后，光刻胶在晶圆表面就不再有用，必须完全去除。另外，刻蚀过程带来的任何残留物也必须去掉。
现有技术中，一般会采用专门的去胶腔来进行晶圆表面的光刻胶去除，即在半导体工艺设备上额外增加一个专门的腔室，以在工艺腔对晶圆进行完刻蚀步骤后，将晶圆转移过来，并通过通入氧气的方式对晶圆表面进行光刻胶去除处理。这种光刻胶去除方式一般仅能作用在光刻胶上，而晶圆在进行刻蚀步骤的过程中会产生残留聚合物(polymer)附着在光刻胶(PR)上，因而，这种光刻胶去除方式无法将表面覆盖有残留聚合物的部分光刻胶完全去除，使得其光刻胶去除效果不佳，容易导致后续工艺过程中晶圆表面出现光刻胶缺陷(PR defect)。同时，这种把晶圆转移至专门的去胶腔来进行晶圆表面的光刻胶去除的方式，不仅费时费力，还会额外增加半导体工艺设备的成本。
发明内容
本申请实施例提供一种工艺腔室及其去除晶圆表面光刻胶的方法，旨在解决现有技术采用专门的去胶腔来进行晶圆表面的光刻胶去除的方式，存在光刻胶去除效果不佳，容易导致后续工艺过程中晶圆表面出现光刻胶缺陷以及费时费力、额外增加半导体工艺设备的成本的技术问题。
第一方面，本申请实施例提供一种去除晶圆表面光刻胶的方法，所述方法包括以下步骤：
在工艺腔室内对所述晶圆完成刻蚀步骤后，继续向所述工艺腔室通入第一工艺气体，以清除光刻胶层表面上的刻蚀残留聚合物，所述第一工艺气体包括含氟气体或含氢气体；
向所述工艺腔室通入第二工艺气体，以去除所述晶圆表面的所述光刻胶层。
可选的，在一些实施例中，所述含氟气体包括四氟化碳气体、六氟化硫气体以及三氟化氮气体中的任意一种或任意几种，或，
所述含氢气体包括氢气和/或甲烷。
可选的，在一些实施例中，所述向所述工艺腔室通入第一工艺气体，以清除光刻胶层表面上的刻蚀残留聚合物的步骤包括：
在第一工艺条件下，通过所述第一工艺气体对所述光刻胶层表面进行刻蚀处理，以清除所述刻蚀残留聚合物。
可选的，在一些实施例中，所述第一工艺条件包括所述含氟气体或所述含氢气体的气体流量为10sccm～100sccm。
可选的，在一些实施例中，所述第一工艺条件还包括所述刻蚀处理的持续时间为5s～15s。
可选的，在一些实施例中，所述第一工艺气体还包括氧气。
可选的，在一些实施例中，所述第一工艺条件还包括所述氧气的气体流量为50sccm～1000sccm。
可选的，在一些实施例中，所述向所述工艺腔室通入第二工艺气体，以去除所述晶圆表面的所述光刻胶层的步骤包括：
在第二工艺条件下，使得所述第二工艺气体与所述光刻胶层发生化学反应，以去除所述晶圆表面的所述光刻胶层。
可选的，在一些实施例中，所述第二工艺条件包括所述第二工艺气体的气体流量为50sccm～1000sccm。
第二方面，本申请实施例提供一种工艺腔室，包括基座和腔室主体，其中，
所述基座，内置于所述腔室主体中，以承载待刻蚀的晶圆；
所述腔室主体，用于工作时对所述晶圆进行刻蚀处理，并在对所述晶圆进行完刻蚀步骤后，执行上述的去除晶圆表面光刻胶的方法。
在本申请中，由于本申请在晶圆完成刻蚀步骤后，通过第二工艺气体(即氧气)去除晶圆表面的光刻胶层之前，先通过第一工艺气体(即含氟气体或含氢气体)清除光刻胶层表面上的刻蚀残留聚合物，使得晶圆的表面上的所有剩余光刻胶层均暴露在空气中后，再通过第二工艺气体(例如为氧气)去除晶圆的表面上的所有剩余光刻胶层，这样便可确保晶圆的表面上的所有剩余光刻胶可完全清除，即确保其表面光刻胶层的去除效果，进而避免因光刻胶层去除不干净而导致后续工艺过程中晶圆表面出现光刻胶缺陷(PR defect)的问题。同时，由于其整个光刻胶层的去除过程(包括第一工艺气体清除刻蚀残留聚合物步骤和第二工艺气体去除光刻胶层步骤)均在半导体工艺设备的同一工艺腔室(即刚对晶圆进行完刻蚀步骤的工艺腔室)内完成，即无需把晶圆转移至专门的去胶腔来进行晶圆表面的光刻胶去除，因而，相比于现有技术采用专门的去胶腔来进行晶圆表面的光刻胶去除的方式，其具有省时省力及大大降低半导体工艺设备的成本等优点。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其有益效果显而易见。
图1是本申请实施例提供的去除晶圆表面光刻胶的方法的流程框图。
图2是本申请实施例提供的晶圆未刻蚀前的结构示意图。
图3是图2所示的晶圆刻蚀完并去除光刻胶后的结构示意图。
图4是现有技术晶圆刻蚀完未进行光刻胶去除的仿真图。
图5是现有技术晶圆刻蚀完进行光刻胶去除后的仿真图。
图6是现有技术晶圆刻蚀完进行光刻胶去除和wet清洗后的仿真图。
图7是本申请实施例晶圆刻蚀完进行残留聚合物去除后的仿真图。
图8是本申请实施例晶圆刻蚀完进行光刻胶去除后的仿真图。
具体实施方式
下面结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
现有技术中，一般会采用专门的去胶腔来进行晶圆表面的光刻胶去除，即在半导体工艺设备上额外增加一个专门的腔室，以在工艺腔对晶圆进行完刻蚀步骤后，将晶圆转移过来，并通过通入氧气的方式对晶圆表面进行光刻胶去除处理。这种光刻胶去除方式一般仅能作用在光刻胶上，即通过氧气在特定条件下与光刻胶发生化学反应，使得光刻胶氧化分解并释放出气体，以达到去除光刻胶的目的。而晶圆在进行刻蚀步骤的过程中会产生残留聚合物(polymer)附着在光刻胶(PR)上，因而，这种光刻胶去除方式无法将表面覆盖有残留聚合物的部分光刻胶完全去除，使得其光刻胶去除效果不佳，即会残留外层是残留聚合物的光刻胶，此时，再经过后续的wet(湿法刻蚀)等工艺，就会使得残留的光刻胶掉下来形成光刻胶缺陷(PR defect)，造成晶圆的报废。同时，这种把晶圆转移至专门的去胶腔来进行晶圆表面的光刻胶去除的方式，不仅费时费力，还会额外增加半导体工艺设备的成本。
基于此，有必要提供一种新的去除晶圆表面光刻胶的方法的解决方案，以解决现有技术采用专门的去胶腔来进行晶圆表面的光刻胶去除的方式，存在光刻胶去除效果不佳，容易导致后续工艺过程中晶圆表面出现光刻胶缺陷以及费时费力、额外增加半导体工艺设备的成本的技术问题。
在一个实施例中，如图1所示，本申请实施例提供一种去除晶圆表面光刻胶的方法，应用在半导体工艺设备中，以在晶圆进行完刻蚀步骤后，去除该晶圆表面的光刻胶层，该方法具体可包括以下步骤：
步骤S110：在工艺腔室内对晶圆完成刻蚀步骤后，继续向该工艺腔室通入第一工艺气体，以清除光刻胶层表面上的刻蚀残留聚合物，该第一工艺气体包括含氟气体或含氢气体。
可以理解的是，晶圆可在半导体工艺设备的工艺腔室内进行常规的刻蚀步骤，以在晶圆的表面形成相应的光刻图形。不同的晶圆，可通过不同的刻蚀工艺，在其表面形成不同的光刻图形，如图2及图3所示的晶圆为例，其在刻蚀过程中，在光刻胶层101的阻挡下依次刻蚀的OX膜层具体可包括氧化硅层102、钨膜层103、锗硅(SiGe)膜层104、氮化钛(TiN)膜层105；因而，在半导体工艺设备的工艺腔室内对晶圆进行的刻蚀步骤具体如下：
1、OX步：主要刻蚀氧化硅层102，以四氟化碳(CF4)气体和氩气(Ar)为主刻蚀气体；
2、W步：主要刻蚀钨膜层103，以氯气(Cl2)、三氟化氮(NF3)气体、氧气(O2)和氮气(N2)为主刻蚀气体；
3、BT步：主要刻蚀poly前的自然氧化层，以六氟化硫(SF6)气体和氩气(Ar)为主刻蚀气体；
4、SiGe步：主要刻蚀poly材料，即锗硅(SiGe)膜层104，以氯气(Cl2)、溴化氢(HBr)气体和氧气(O2)为主刻蚀气体；
5、TiN步：主要刻蚀氮化钛(TiN)膜层105，以氯气(Cl2)、氮气(N2)和氩气(Ar)为主刻蚀气体。
以上为晶圆表面的光刻胶层101去除前的主刻蚀步骤，依次进行上述刻蚀步骤后便可进行光刻胶层101的去除，可以理解的是，针对不同的晶圆进行的不同刻蚀处理，上述刻蚀步骤可以包括上述部分或全部膜层，甚至还可以包括其它上述未提到的膜层。另外，本申请实施例的去除晶圆表面光刻胶层的方法主要针对这些刻蚀步骤之后，对晶圆表面的光刻胶层101进行去除的过程作出的改进，因而，以上刻蚀步骤与本申请实施例的方案关系不大，在此不多做赘述。
如图4所示，由于在上述刻蚀步骤的刻蚀过程中会产生残留聚合物(polymer)106附着在光刻胶层101上，导致这部分的光刻胶层101无法直接通过通入氧气的方式进行去除，即使得现有技术直接通过通入氧气的方式对晶圆表面进行光刻胶去除处理的效果如图5所示，此时，该晶圆再经过之后的湿法(wet)工艺，会将外层带残留聚合物(polymer)的光刻胶从下层膜层剥离后掉落，即如图6中箭头所示，最终会导致晶圆表面形成光刻胶缺陷(PR defect)；wet工艺主要包括清洗、脱膜、湿刻的工艺流程，因为此过程与本申请实施例无关，在此不过多赘述。
为避免上述问题，本申请实施例的方法步骤，在通入氧气清除光刻胶层101前，会先处理掉该残留聚合物(polymer)106，因而，其在半导体工艺设备的工艺腔室内对晶圆进行完刻蚀步骤后，继续向该工艺腔室通入第一工艺气体，该第一工艺气体包括含氟气体(即气体成分中含有氟元素的气体)或含氢气体(即气体成分中含有氢元素的气体)。这是因为：
一、氟是卤族元素，其溶解力超强，同时，氟离子的离子半径极小，具有很强的物理、化学渗透性，因而，含氟气体可以对晶圆表面的残留聚合物(polymer)106有很强的刻蚀能力，即可以很好地处理掉该残留聚合物(polymer)106。
二、氢原子具有强还原性，这是因为氢原子自身核电子数小，电子能力弱，很容易失去一个电子变成零价的氢，以形成一个很稳定的结构，即氢原子本身就是很强的还原剂。因而，含氢气体可以很好地处理掉该残留聚合物(polymer)106。
这样一来，便可通过在原来的工艺腔室继续通入第一工艺气体，来很好地将光刻胶层表面上的刻蚀残留聚合物完全清除，最终可如图6所示，将光刻胶101表面的残留聚合物(polymer)106完全去除。同时，由于此步骤中，晶圆外层都被光刻胶层101覆盖，且整个步骤持续时间会很短，故不会对晶圆的CD(Critical Dimension，即关键尺寸)造成影响。
步骤S120：向该工艺腔室通入第二工艺气体，以去除该晶圆表面的光刻胶层。
可以理解的是，当通过上述方法步骤将光刻胶层101表面的残留聚合物(polymer)106完全去除后，便可继续向该工艺腔室通入第二工艺气体，该第二工艺气体例如可以为氧气。这样便可通过该氧气与光刻胶层101发生化学反应，以将该晶圆的表面上的光刻胶层101去除。此步骤的处理过程与现有去胶腔的去胶过程基本相同，即通过通入氧气，使得光刻胶在特定工艺条件下与氧气发生化学反应，使得光刻胶在氧气的作用下，开始分解并释放出气体，进而将该晶圆的表面上的剩余光刻胶清除，具体去除效果如图7所示。同时，由于此步骤仅在工艺腔室内通入氧气，氧气只刻蚀光刻胶层101，而不刻蚀其他膜层，因而不会对晶圆的CD造成影响。
这样一来，由于本申请实施例的技术方案，在晶圆完成刻蚀步骤后，通过第二工艺气体(例如为氧气)去除晶圆表面的光刻胶层之前，先通过第一工艺气体(即含氟气体或含氢气体)清除光刻胶层表面上的刻蚀残留聚合物，使得晶圆的表面上的所有剩余光刻胶层均暴露在空气中后，再通过第二工艺气体(例如为氧气)去除晶圆的表面上的所有剩余光刻胶层，这样便可确保晶圆的表面上的所有剩余光刻胶可完全清除，即确保其表面光刻胶层的去除效果，进而避免因光刻胶层去除不干净而导致后续工艺过程中晶圆表面出现光刻胶缺陷(PR defect)的问题。同时，由于其整个光刻胶层的去除过程(包括第一工艺气体清除刻蚀残留聚合物步骤和第二工艺气体去除光刻胶层步骤)均在半导体工艺设备的同一工艺腔室(即刚对晶圆进行完刻蚀步骤的工艺腔室)内完成，即无需把晶圆转移至专门的去胶腔来进行晶圆表面的光刻胶去除，因而，相比于现有技术采用专门的去胶腔来进行晶圆表面的光刻胶去除的方式，其具有省时省力及大大降低半导体工艺设备的成本等优点。
在一些示例中，上述实施例提到的含氟气体具体可包括四氟化碳气体、六氟化硫气体以及三氟化氮气体中的任意一种或任意几种。这样一来，由于这些含氟气体同时也为半导体工艺设备的工艺腔室对晶圆进行刻蚀步骤的刻蚀气体，因而，无需在半导体工艺设备的工艺腔室中添加额外的气体进气管路，即可通过原工艺腔室完成残留聚合物106的去除操作，可大大降低半导体工艺设备的成本。
在一些示例中，上述实施例提到的含氢气体包括氢气和/或甲烷，这样一来，由于这些含氢气体并非为半导体工艺设备的工艺腔室对晶圆进行刻蚀步骤的刻蚀气体，因而，需在半导体工艺设备的工艺腔室中添加额外的气体进气管路，以实现通过刻蚀腔完成残留聚合物106的去除操作。
在一些示例中，为更好地实现通过第一工艺气体清除光刻胶层表面上的刻蚀残留聚合物，执行上述方法步骤“向该工艺腔室通入第一工艺气体，以清除光刻胶层表面上的刻蚀残留聚合物”的过程具体如下：在第一工艺条件下，通过该第一工艺气体对该光刻胶层表面进行刻蚀处理，以清除该刻蚀残留聚合物。
可以理解的是，该刻蚀处理主要为等离子刻蚀处理，即上述含氟气体或含氢气体可在第一工艺条件下形成相应的等离子体，这样便可在等离子体的物理轰击辅助下，对该残留聚合物(polymer)106的表面离子轰击造成断键，以有助于其表面的化学反应进行，进一步增加氟离子或氢离子对该残留聚合物(polymer)106的刻蚀。最终可如图7所示，将光刻胶层101表面的残留聚合物(polymer)106完全去除。
在一些示例中，上述实施例提到的第一工艺条件具体可包括含氟气体或含氢气体的气体流量为10sccm～100sccm，以确保刻蚀腔内通入足量的第一工艺气体，以将光刻胶层101表面的残留聚合物(polymer)106完全去除。同时，为避免整个刻蚀处理持续时间过长，而对晶圆的CD(Critical Dimension，即关键尺寸)造成影响，上述实施例提到的第一工艺条件具体还可包括该刻蚀处理的持续时间为5s～15s。另外，基于上述可知，该刻蚀处理主要为等离子刻蚀处理，因而，进一步地，上述实施例提到的第一工艺条件具体还可包括：反应腔室的压力为5mT～50mT，上电源射频功率为200W～2000W，下电源射频功率为0W～200W。以通过这些工艺条件，使得上述含氟气体或含氢气体可在第一工艺条件下更好地形成相应的等离子体，这样便可在等离子体的物理轰击辅助下，对该残留聚合物(polymer)106的表面离子轰击造成断键，以有助于其表面的化学反应进行，进一步增加氟离子或氢离子对该残留聚合物(polymer)106的刻蚀。最终可如图7所示，将光刻胶101表面的残留聚合物(polymer)106完全去除。除此之外，该第一工艺气体还可进一步包括氧气，以形成氧气和上述含氟气体或含氢气体的混合气体，此时，该第一工艺条件还包括氧气的气体流量为50sccm～1000sccm，如此便可在第一工艺气体去除光刻胶层101表面的残留聚合物(polymer)
106的同时，通过氧气初步清除部分的光刻胶层101。
在一些示例中，执行上述方法步骤“向该工艺腔室通入第二工艺气体，以去除该晶圆表面的光刻胶层”的具体过程包括：在第二工艺条件下，使得该第二工艺气体与该光刻胶层发生化学反应，以去除该晶圆表面的该光刻胶层。为确保工艺腔室内通入足量的氧气，以将晶圆表面上的所有剩余光刻胶层101完全去除。该第二工艺条件具体可包括氧气的气体流量为50sccm～1000sccm。进一步地，上述实施例提到的第二工艺条件具体还可包括：反应腔室的压力为5mT～50mT，上电源射频功率为200W～2000W，下电源射频功率为0W～200W，以使得光刻胶层101可更好地在氧气的作用下，开始分解并释放出气体，进而将该晶圆的表面上的剩余光刻胶层101完全清除。
在一个实施例中，本申请实施例还提供一种工艺腔室，该工艺腔室具体可包括基座和腔室主体，其中，该基座内置于该腔室主体中，以承载待刻蚀的晶圆。该腔室主体具体用于工作时对该晶圆进行刻蚀处理，并在对该晶圆进行完刻蚀步骤后，执行上述的去除晶圆表面光刻胶的方法。此处不再赘述。
可以理解的是，该工艺腔室为半导体工艺设备的挂载的一个腔室，以主要进行晶圆的刻蚀处理，同时，由于本工艺腔室还可同步执行上述的去除晶圆表面光刻胶的方法，即通过该工艺腔室，可同步在晶圆进行完刻蚀处理后，清除该晶圆表面的光刻胶层，即使得挂载了本申请实施例的工艺腔室的半导体工艺设备无需再挂载去胶腔室，从而可以挂载更多的工艺腔室。
尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本申请，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本申请包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。
即，以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
另外，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。另外，对于特性相同或相似的结构元件，本申请可采用相同或者不相同的标号进行标识。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，“示例性”一词是用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何一个实施例不一定被解释为比其它实施例更加优选或更加具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本申请，本申请给出了以上描述。在以上描述中，为了解释的目的而列出了各个细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本申请。在其它实施例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本申请的描述变得晦涩。因此，本申请并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
Claims (10)
1.一种去除晶圆表面光刻胶的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
在工艺腔室内对所述晶圆完成刻蚀步骤后，继续向所述工艺腔室通入第一工艺气体，以清除光刻胶层表面上的刻蚀残留聚合物，所述第一工艺气体包括含氟气体或含氢气体；
向所述工艺腔室通入第二工艺气体，以去除所述晶圆表面的所述光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟气体包括四氟化碳气体、六氟化硫气体以及三氟化氮气体中的任意一种或任意几种，或，
所述含氢气体包括氢气和/或甲烷。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述工艺腔室通入第一工艺气体，以清除光刻胶层表面上的刻蚀残留聚合物的步骤包括：
在第一工艺条件下，通过所述第一工艺气体对所述光刻胶层表面进行刻蚀处理，以清除所述刻蚀残留聚合物。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一工艺条件包括所述含氟气体或所述含氢气体的气体流量为10sccm～100sccm。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一工艺条件还包括所述刻蚀处理的持续时间为5s～15s。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一工艺气体还包括氧气。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一工艺条件还包括所述氧气的气体流量为50sccm～1000sccm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述向所述工艺腔室通入第二工艺气体，以去除所述晶圆表面的所述光刻胶层的步骤包括：
在第二工艺条件下，使得所述第二工艺气体与所述光刻胶层发生化学反应，以去除所述晶圆表面的所述光刻胶层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二工艺条件包括所述第二工艺气体的气体流量为50sccm～1000sccm。
10.一种工艺腔室，其特征在于，包括基座和腔室主体，其中，
所述基座，内置于所述腔室主体中，以承载待刻蚀的晶圆；
所述腔室主体，用于工作时对所述晶圆进行刻蚀处理，并在对所述晶圆进行完刻蚀步骤后，执行如权利要求1-9任一项所述的去除晶圆表面光刻胶的方法。
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| CN202310713747.0A CN116736651A (zh) | 2023-06-15 | 2023-06-15 | 工艺腔室及其去除晶圆表面光刻胶的方法 |
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| CN202310713747.0A CN116736651A (zh) | 2023-06-15 | 2023-06-15 | 工艺腔室及其去除晶圆表面光刻胶的方法 |
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| CN202310713747.0A Pending CN116736651A (zh) | 2023-06-15 | 2023-06-15 | 工艺腔室及其去除晶圆表面光刻胶的方法 |
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2023
- 2023-06-15 CN CN202310713747.0A patent/CN116736651A/zh active Pending
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