CN116736075B - 晶体管的匹配精度检测方法、控制器及存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种晶体管的匹配精度检测方法、控制器及存储介质，方法包括通过获取待检测电路图中多个需要匹配的晶体管的电路图参数；根据预设的电路图匹配标准和电路图参数得到电路图匹配精度，并根据电路图匹配精度修改电路图参数；获取根据待检测电路图生成的待检测版图，并获取待检测版图中多个需要匹配的晶体管的版图参数；根据预设的多个版图匹配标准和版图参数得到版图匹配精度，并根据版图匹配精度修改版图参数，保证能在电路设计阶段和版图设计阶段均能及时的进行匹配精度检测，发现问题，提升检测效率，并分别按照紧凑性、一致性、对称性、分散性、方向性等匹配特性进行版图检测，有效保证检查晶体管匹配精度检测的完整性和准确率。

Description

晶体管的匹配精度检测方法、控制器及存储介质

技术领域

本申请涉及集成电路设计技术领域，具体涉及一种晶体管的匹配精度检测方法、控制器及存储介质。

背景技术

现有技术中，在集成电路设计过程中，晶体管的匹配精度是一项重要指标，因为匹配精度较差时会导致电路的性能下降，而导致晶体管匹配精度较差的失配可以分为随机失配和系统失配两种，在电路设计和版图设计过程中需要减小这两种失配以达到较高的匹配精度；

而目前传统的晶体管匹配精度检测方法是通过覆盖特定层次来进行密度和虚拟陪衬的相关检查，无法直接有效的检测需要匹配的晶体管之间的匹配精度，导致需要进行人工进行匹配精度检测，而人工检查费时且不能保证检查完整性和准确率，导致现有的精度检测方法的检测效率和精确率较差，且现有技术仅在版图设计阶段进行检测，一旦出现问题，可能需要重新进行电路设计，导致版图设计无法有效进行。

发明内容

本申请实施例提供一种晶体管的匹配精度检测方法、控制器及计算机存储介质，至少能保证，本申请方案通过分别在电路设计阶段和版图设计阶段进行匹配精度检测，有效缩短检测时间，提升检测效率，并分别按照紧凑性、一致性、对称性、分散性、方向性等匹配特性进行检测，有效保证检查晶体管匹配精度检测的完整性和准确率。

第一方面，本申请实施例提供了一种晶体管的匹配精度检测方法，所述方法包括：

获取待检测电路图中多个需要匹配的晶体管的电路图参数；

根据预设的电路图匹配标准和所述电路图参数得到电路图匹配精度，并根据所述电路图匹配精度修改所述电路图参数；

获取根据所述待检测电路图生成的待检测版图，并获取所述待检测版图中多个所述晶体管的版图参数；

根据预设的多个版图匹配标准和所述版图参数得到版图匹配精度，并根据所述版图匹配精度修改所述版图参数，其中，所述版图匹配标准包括紧凑性匹配标准、一致性匹配标准、对称性匹配标准、分散性匹配标准和方向性匹配标准。

在一些实施例中，所述电路图参数包括晶体管类型、长度、手指宽度、总宽度、手指数、倍数和总倍数，所述获取待检测电路图中多个需要匹配的晶体管的电路图参数，包括：

获取待检测电路图中多个需要匹配的晶体管的所述晶体管类型、所述长度、所述手指宽度、所述手指数和所述倍数；

根据所述手指宽度和手指数得到所述总宽度；

根据所述手指数和所述倍数得到所述总倍数。

在一些实施例中，所述根据预设的电路图匹配标准和所述电路图参数得到电路图匹配精度，并根据所述电路图匹配精度修改所述电路图参数，包括：

在多个所述晶体管的晶体管类型不一致，或者长度不一致，或者手指宽度不一致的情况下，得到第一电路匹配结果，并根据所述第一电路匹配结果修改所述电路图参数；

在多个所述晶体管的晶体管类型、长度和手指宽度一致，手指数不一致的情况下，得到第二电路匹配结果，并根据所述第二电路匹配结果和第一预设匹配要求修改所述电路图参数；

在多个所述晶体管的晶体管类型、长度、手指宽度和手指数一致，总倍数不一致的情况下，得到第三电路匹配结果，并根据所述第三电路匹配结果和第二预设匹配要求修改所述电路图参数；

在多个所述晶体管的晶体管类型、长度、手指宽度、手指数和总倍数一致的情况下，根据所述待检测电路图生成所述待检测版图。

在一些实施例中，所述版图参数包括晶体管最小单元的栅极信息、源极信息、漏极信息和接触孔信息；

所述栅极信息包括晶体管长度、手指宽度和栅极中心点坐标；

所述源极信息包括源极长度、源极宽度和源极中心点坐标；

所述漏极信息包括栅极长度、漏极宽度和漏极中心点坐标；

所述接触孔信息包括栅极、源极和漏极对应的多个接触孔的尺寸、个数和相对位置，其中，所述相对位置为接触孔在栅极、源极和漏极的相对位置。

在一些实施例中，所述根据预设的多个版图匹配标准和所述版图参数得到版图匹配精度，并根据所述版图匹配精度修改所述版图参数，包括：

在多个所述晶体管的所述版图参数一致的情况下，根据预设的多个版图匹配标准和所述版图参数得到版图匹配精度，并根据所述版图匹配精度修改所述版图参数；

在多个所述晶体管的所述版图参数不一致的情况下，输出中断检测报告，并根据所述中断检测报告修改所述版图参数。

在一些实施例中，所述根据预设的多个版图匹配标准和所述版图参数得到版图匹配精度，包括：

根据所述版图参数计算生成晶体管对应的晶体管阵列分布图形；

根据所述紧凑性匹配标准进行检测包括：根据所述晶体管阵列分布图形得到晶体管阵列长度和晶体管阵列宽度：在所述晶体管阵列分布图形的形状不为矩形的情况下，得到第一紧凑性匹配结果；在所述晶体管阵列分布图形的形状为矩形的情况下，根据预设比值范围和所述晶体管阵列长度与所述晶体管阵列宽度的比值，得到第二紧凑性匹配结果；

根据所述一致性匹配标准进行检测包括：根据所述晶体管阵列分布图形得到参考质心坐标和多个需要匹配的晶体管的质心坐标：根据多个需要匹配的晶体管的质心坐标与参考质心坐标之间的距离和预设距离范围，得到第一一致性匹配结果和第二一致性匹配结果；

根据所述对称性匹配标准进行检测包括：根据所述晶体管阵列分布图形得到参考质心坐标和多个需要匹配的晶体管的质心坐标：根据所述参考质心坐标建立X轴和Y轴，根据多个所述晶体管的坐标信息，得到第一对称性匹配结果和第二对称性匹配结果；

根据所述分散性匹配标准进行检测包括：根据所述晶体管阵列分布图形和所述版图参数得到晶体管阵列各行各列中的晶体管个数，并根据所述晶体管个数得到行列晶体管数量比值，根据所述行列晶体管数量比值和总倍数比值，得到第一分散性匹配结果和第二分散性匹配结果；

根据所述方向性匹配标准进行检测包括：根据所述版图参数计算多个需要匹配的晶体管的手征值，并根据所述手征值得到第一方向性匹配结果和第二方向性匹配结果。

在一些实施例中，所述根据所述版图匹配精度修改所述版图参数，包括：

在得到所述第一紧凑性匹配结果、所述第一一致性匹配结果、所述第一对称性匹配结果、所述第一分散性匹配结果或者所述第一方向性匹配结果的情况下，修改所述版图参数；

在得到所述第二紧凑性匹配结果、所述第二一致性匹配结果、所述第二对称性匹配结果、所述第二分散性匹配结果或者所述第二方向性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改所述版图参数。

在一些实施例中，所述方法包括：

在得到所述电路图匹配精度或者多个版图匹配标准对应的版图匹配精度时，根据所述电路图匹配精度或者所述版图匹配精度生成匹配结果报告，并输出所述匹配结果报告。

第二方面，本申请实施例提供了一种控制器，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面中任意一项实施例所述的晶体管的匹配精度检测方法。

第三方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令用于执行如第一方面中任意一项实施例所述的晶体管的匹配精度检测方法。

本申请至少具有以下有益效果：本申请提出了一种晶体管的匹配精度检测方法，通过获取待检测电路图中多个需要匹配的晶体管的电路图参数；根据预设的电路图匹配标准和所述电路图参数得到电路图匹配精度，并根据所述电路图匹配精度修改所述电路图参数；获取根据所述待检测电路图生成的待检测版图，并获取所述待检测版图中多个所述晶体管的版图参数；根据预设的多个版图匹配标准和所述版图参数得到版图匹配精度，并根据所述版图匹配精度修改所述版图参数，其中，本申请方案通过分别在电路设计阶段和版图设计阶段进行匹配精度检测，保证能在电路设计阶段和版图设计阶段均能及时的进行匹配精度检测，发现问题，有效缩短检测时间，提升检测效率，并分别按照紧凑性、一致性、对称性、分散性、方向性等匹配特性进行检测，有效保证检查晶体管匹配精度检测的完整性和准确率，提高晶体管检测的自动化程，使版图设计能有效进行。

相对于现有技术至少存在以下改进：

1)在一些实施例中，在电路图中对需要匹配的晶体管进行匹配精度检测，且提出了匹配精度标准，可以在电路图设计阶段及时的发现问题；

2)在一些实施例中，在检测版图中需要匹配的晶体管的匹配精度时加入了中断检测流程的判断(在多个所述晶体管的所述版图参数不一致的情况下，输出中断检测报告)，可以在版图设计阶段及时的发现问题；

3)在一些实施例中，检测版图过程中分别按照紧凑性、一致性、对称性、分散性、方向性等匹配特性进行检测，提高版图匹配精度检测的完整性和准确率；

4)在一些实施例中，检测版图过程中对晶体管匹配的五个特性的检测分别给出了匹配精度标准(不匹配、低度匹配、中度匹配、高度匹配)及其默认值，且匹配精度标准(低度匹配、中度匹配)可根据实际需求(预设版图匹配要求)调整，更加灵活有效；

5)将所有检测结果写入一个结果报告中，方便用户查看，并对晶体管参数进行修改，有效提高用户体验。

附图说明

图1为本申请一实施例提出的晶体管的匹配精度检测系统的流程图；

图2为本申请另一实施例提出的晶体管的匹配精度检测系统的另一流程图；

图3为本申请另一实施例提出的晶体管的匹配精度检测系统的另一流程图；

图4为本申请另一实施例提出的晶体管的匹配精度检测方法中，根据预设的电路图匹配标准和所述电路图参数得到电路图匹配精度的流程图；

图5为本申请另一实施例提出的晶体管的匹配精度检测系统的另一流程图；

图6为本申请另一实施例提出的晶体管的匹配精度检测方法中，根据紧凑性匹配标准、一致性匹配标准和对称性匹配标准得到版图匹配精度的流程图；

图7为本申请另一实施例提出的晶体管的匹配精度检测方法中，根据紧凑性匹配标准、分散性匹配标准和方向性匹配标准得到版图匹配精度的流程图；

图8为本申请另一实施例提出的晶体管的电路图形式和版图形式的示意图；

图9为本申请另一实施例提出的版图中晶体管阵列的示意图；

图10为本申请另一实施例提出的控制器的结构图。

附图标记：901、晶体管阵列分布图形；902、晶体管最小单元。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

在一些实施例中，虽然在系统示意图中进行了功能模块划分，在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于系统中的模块划分，或流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。说明书和权利要求书及上述附图中的术语第一、第二等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

此外，除非另有明确的规定和限定，术语“连接/相连”应做广义理解，例如，可以是固定连接或活动连接，也可以是可拆卸连接或不可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。

在本申请实施例的描述中，参考术语“一个实施例/实施方式”、“另一实施例/实施方式”或“某些实施例/实施方式”、“在上述实施例/实施方式”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请公开的至少两个实施例或实施方式中。在本申请公开中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的示实施例或实施方式。需要说明的是，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。

在集成电路设计过程中，各种模拟电路中都有晶体管匹配的需求，比如差分对、电流镜等。但是在芯片制造过程中，晶体管常常存在失配的情况，晶体管失配的原因可以分为随机失配和系统失配两种。随机失配是指晶体管的尺寸、掺杂浓度、氧化层厚度等影响晶体管特性的参量发生微观波动所引起的失配。系统失配是指由于工艺偏差、接触孔电阻、扩散区之间的相互影响、机械压力和温度梯度、工艺参数梯度等引起的晶体管失配。在电路设计和版图设计过程中，需要减小随机失配和系统失配才能达到较高的匹配精度，所以需要对需要匹配的晶体管的匹配精度进行检测，目前对晶体管的匹配精度的检测方法是：将所有需要匹配的晶体管用特定层次覆盖住，然后进行密度和虚拟陪衬相关的检查，匹配精度不同，相关的检查也不同。但传统方法并不能检测需要匹配的晶体管之间的匹配精度，晶体管之间的匹配精度检查不得不用人工检查的方式，这种方法比较费时，且不能保证检查完整性和准确率，且现有技术仅在版图设计阶段进行检测，一旦出现问题，可能需要重新进行电路设计，导致版图设计无法有效进行。

为至少解决上述问题，本申请提出了能快速检测需要匹配的晶体管的匹配精度，并保证检测的完整性和准确率的晶体管的匹配精度检测方法，通过获取待检测电路图中多个需要匹配的晶体管的电路图参数；根据预设的电路图匹配标准和电路图参数得到电路图匹配精度，并根据电路图匹配精度修改电路图参数；获取根据待检测电路图生成的待检测版图，并获取待检测版图中多个需要匹配的晶体管的版图参数；根据预设的多个版图匹配标准和版图参数得到版图匹配精度，并根据版图匹配精度修改版图参数，保证能在电路设计阶段和版图设计阶段均能及时的进行匹配精度检测，发现问题，提升检测效率，并分别按照紧凑性、一致性、对称性、分散性、方向性等匹配特性进行版图检测，有效保证检查晶体管匹配精度检测的完整性和准确率。

下面结合附图，对本申请实施例作进一步描述。

参考图1，图1为本申请一实施例提出的晶体管的匹配精度检测方法的流程图；在一些实施例中，晶体管的匹配精度检测方法至少包括以下步骤：

步骤S110，获取待检测电路图中多个需要匹配的晶体管的电路图参数；

步骤S120，根据预设的电路图匹配标准和电路图参数得到电路图匹配精度，并根据电路图匹配精度修改电路图参数；

步骤S130，获取根据待检测电路图生成的待检测版图，并获取待检测版图中多个需要匹配的晶体管的版图参数；

步骤S140，根据预设的多个版图匹配标准和版图参数得到版图匹配精度，并根据版图匹配精度修改版图参数，其中，版图匹配标准包括紧凑性匹配标准、一致性匹配标准、对称性匹配标准、分散性匹配标准和方向性匹配标准。

在一些实施例中，本申请获取待检测电路图中多个需要匹配的晶体管的电路图参数，和获取待检测版图中多个需要匹配的晶体管的版图参数，是通过电路仿真软件进行仿真分析或通过版图编辑软件将版图导入，然后进行版图设计分析得到的，用于提取电路图或版图参数的仿真或设计软件是本领域技术人员的常规技术手段，如何获取参数不对本申请方案的实现构成限制，本申请侧重于获取那些具体的参数，并如何根据获取参数进行匹配精度检测。

在一些实施例中，本申请分别在电路设计阶段和版图设计阶段进行匹配精度检测，可以想到的是，在传统的版图设计流程中，晶体管的匹配精度检测通常是在版图设计完成后进行的。如果检测结果不符合设计要求，就需要对电路图和版图进行修改，再重新进行电路仿真和版图设计，这会导致设计周期的延长。而本方案中，将匹配精度的检测提前到电路设计阶段，这意味着若在电路图设计阶段晶体管的匹配精度不能满足设计要求，设计者可以在不影响后续步骤的前提下及时进行修改，从而可以减少设计周期的延长，提高电路设计效率。

在一些实施例中，步骤S110至步骤S120对应的电路图匹配是晶体管检测，通过匹配预设的电路图标准和待检测电路图参数，可以得到更精确的匹配结果，减少误判和漏检的情况，提高检测准确性，同时通过根据电路图匹配精度对电路图参数进行修改，进一步提高电路图匹配的精度和鲁棒性；版图匹配是晶体管检测的第二步，包括紧凑性匹配、一致性匹配、对称性匹配、分散性匹配和方向性匹配等，通过匹配预设的版图匹配标准和待检测版图参数，可以得到更准确的匹配结果，提高检测准确性，且通过根据版图匹配精度对版图参数进行修改，进一步提高版图匹配的准确性和鲁棒性，有效提高晶体管检测的准确性和效率。

参考图2，图2为本申请另一实施例提出的晶体管的匹配精度检测系统的另一流程图；电路图参数包括晶体管类型、长度、手指宽度、总宽度、手指数、倍数和总倍数，获取待检测电路图中多个需要匹配的晶体管的电路图参数，至少包括以下步骤：

步骤S210，获取待检测电路图中多个需要匹配的晶体管的晶体管类型、长度、手指宽度、手指数和倍数；

步骤S220，根据手指宽度和手指数得到总宽度；

步骤S230，根据手指数和倍数得到总倍数。

具体的，获取各个需要匹配的晶体管的参数信息，包括：晶体管类型、长度(L)、手指宽度(Fw)、总宽度(W)、手指数(NF)、倍数(m)、总倍数(M)，其中，总宽度(W)＝手指宽度(Fw)*手指数(NF)，总倍数(M)＝手指数(NF)*倍数(m)。

参考图3，图3为本申请另一实施例提出的晶体管的匹配精度检测系统的另一流程图；根据预设的电路图匹配标准和电路图参数得到电路图匹配精度，并根据电路图匹配精度修改电路图参数，至少包括以下步骤：

步骤S310，在多个需要匹配的晶体管的晶体管类型不一致，或者长度不一致，或者手指宽度不一致的情况下，得到第一电路匹配结果，并根据第一电路匹配结果修改电路图参数；

步骤S320，在多个需要匹配的晶体管的晶体管类型、长度和手指宽度一致，手指数不一致的情况下，得到第二电路匹配结果，并根据第二电路匹配结果和第一预设匹配要求修改电路图参数；

步骤S330，在多个需要匹配的晶体管的晶体管类型、长度、手指宽度和手指数一致，总倍数不一致的情况下，得到第三电路匹配结果，并根据第三电路匹配结果和第二预设匹配要求修改电路图参数；

步骤S340，在多个需要匹配的晶体管的晶体管类型、长度、手指宽度、手指数和总倍数一致的情况下，根据待检测电路图生成待检测版图。

在一些实施例中，第一电路匹配结果即为不匹配，晶体管类型不同或各晶体管的长度(L)不同或手指宽度(Fw)不同；第二电路匹配结果即为低度匹配，晶体管类型相同，各晶体管的长度(L)和手指宽度(Fw)相同，手指数不同；第三电路匹配结果即为中度匹配，晶体管类型相同，各晶体管的长度(L)和手指宽度(Fw)相同，手指数相同，总倍数不同；在晶体管类型相同，各晶体管的长度(L)和手指宽度(Fw)相同，手指数相同，总倍数相同的情况下，电路图匹配精度即为高度匹配。

参考图4，图4为本申请另一实施例提出的晶体管的匹配精度检测方法中，根据预设的电路图匹配标准和电路图参数得到电路图匹配精度的流程图，至少包括以下步骤：

步骤S401，获取各个需要匹配的晶体管的电路图参数；

步骤S402，判断晶体管类型、长度或者宽度是否相同，若是，则跳转至步骤S403，若否，则得到不匹配结果；

步骤S403，判断手指数是否相同，若是，则跳转至步骤S404，若否，则得到低度匹配结果；

步骤S403，判断总倍数是否相同，若是，则得到高匹配结果，若否，则得到中度匹配结果。

参考图3和图4，在一些实施例中，对匹配结果为不匹配的电路图参数根据第一电路匹配结果进行修改，对匹配结果为低度匹配和中度匹配的电路图参数根据分别根据预设匹配要求进行修改，对匹配结果为高度匹配的电路图参数不进行修改，以保证匹配精度可调，可以使本方法能适应更多的应用场景和应用需求，匹配结果为低度匹配和中度匹配的匹配精度标准的默认值能适应大部分应用场景和应用需求，若有特殊应用场景和应用需求，在合理范围内调整低度匹配和中度匹配的匹配精度标准或电路图参数，以满足用户需求。

上述步骤S310至步骤S340对应本申请中检测电路图中需要匹配的晶体管的匹配精度的过程，完整过程如下：

1)获取电路图中需要匹配的晶体管的参数信息；

2)根据获取的各个需要匹配的晶体管的参数信息检测需要匹配的晶体管的匹配精度；

3)输出检测结果报告；

4)根据检测结果报告在电路图中修改晶体管的参数；

5)重复1-4步，直至检测结果满足要求；

6)完成检测。

通过上述步骤，直至输出晶体管参数符合精度要求的电路图，以保证后续版图设计阶段，不存在发现晶体管的匹配精度不满足设计要求，导致需要重做电路的前仿真，版图设计需要重新设计的隐患。

在一些实施例中，版图参数包括晶体管最小单元的栅极信息、源极信息、漏极信息和接触孔信息；栅极信息包括晶体管长度、手指宽度和栅极中心点坐标；源极信息包括源极长度、源极宽度和源极中心点坐标；漏极信息包括栅极长度、漏极宽度和漏极中心点坐标；接触孔信息包括栅极、源极和漏极对应的多个接触孔的尺寸、个数和相对位置，其中，相对位置为接触孔在栅极、源极和漏极的相对位置。

具体的，获取版图中需要匹配的晶体管的参数信息获取各个需要匹配的晶体管最小单元的栅极信息、源极信息、漏极信息、各极的接触孔信息。栅极信息包括：长度(即晶体管长度L)、宽度(即手指宽度Fw)、中心点坐；标源极信息包括：长度、宽度、中心点坐标；漏极信息包括：长度、宽度、中心点坐标；各极接触孔信息：单个接触孔的尺寸、接触孔的个数、接触孔在各极的相对位置等。

参考图5，图5为本申请另一实施例提出的晶体管的匹配精度检测系统的另一流程图，根据预设的版图匹配标准和版图参数得到版图匹配精度，并根据版图匹配精度修改版图参数，包括以下步骤；

步骤S510，在多个需要匹配的晶体管的版图参数一致的情况下，根据预设的多个版图匹配标准和版图参数得到版图匹配精度，并根据版图匹配精度修改版图参数；

步骤S520，在多个需要匹配的晶体管的版图参数不一致的情况下，输出中断检测报告，并根据中断检测报告修改版图参数。

具体的，步骤S510至步骤S520，对应检测各个需要匹配的晶体管是否满足匹配的基本条件，基本条件：各个需要匹配的晶体管的长度(L)、手指宽度(Fw)、源极长度和宽度、漏极长度和宽度、各极接触孔信息全部相同，若不满足基本条件则检测为不匹配，检测中断，并输出中断检测报告，并在版图中对晶体管的参数进行修改，重复该检测，直至满足匹配的基本条件，以保证后续步骤中能匹配的五个特性分别检测可以更全面的了解版图中需要匹配的晶体管的匹配精度。

在一些实施例中，根据预设的多个版图匹配标准和版图参数得到版图匹配精度，包括：根据版图参数计算生成晶体管对应的晶体管阵列分布图形；根据晶体管阵列分布图形得到晶体管阵列长度和晶体管阵列宽度，根据晶体管阵列分布图形的形状、晶体管阵列长度和晶体管阵列宽度得到紧凑性匹配结果；根据晶体管阵列分布图形得到参考质心坐标和多个需要匹配的晶体管的质心坐标：根据多个需要匹配的晶体管的质心坐标与参考质心坐标之间的距离和预设距离范围，得到一致性匹配结果；根据晶体管阵列分布图形得到参考质心坐标和多个需要匹配的晶体管的质心坐标，根据参考质心坐标建立X轴和Y轴，得到分散性匹配结果；根据晶体管阵列分布图形和版图参数得到晶体管阵列各行各列中的晶体管个数，得到分散性匹配结果；根据版图参数计算多个需要匹配的晶体管的手征值，得到方向性匹配结果。

即根据预设的多个版图匹配标准和版图参数得到版图匹配精度，并根据版图匹配精度修改版图参数的具体过程如下：

根据紧凑性匹配标准进行检测包括：根据晶体管阵列分布图形得到晶体管阵列长度和晶体管阵列宽度：在晶体管阵列分布图形的形状不为矩形的情况下，得到第一紧凑性匹配结果；在晶体管阵列分布图形的形状为矩形的情况下，根据预设比值范围和晶体管阵列长度与晶体管阵列宽度的比值，得到第二紧凑性匹配结果；

其中，第一紧凑性匹配结果包括不匹配，第二紧凑性匹配结果包括低度匹配和中度匹配，此外紧凑性匹配结果还包括不用对版图参数进行修改的高度匹配，具体过程如下：

通过获取的参数信息计算需要匹配的晶体管阵列的分布图形，该图形为能完全覆盖所有晶体管的最小单元的最小图形，并检测得到该图形的形状及各边的尺寸，根据检测结果判断匹配精度，匹配精度判断标准如下：

不匹配：该图形不是矩形；

低度匹配：该图形为矩形，且长度与宽度的比值大于等于2(可设置其他数值)；

中度匹配：该图形为矩形，且长度与宽度的比值大于1小于2(可设置其他数值)；

高度匹配：该图形为正方形；

得到检测结果后，并将检测结果写入匹配结果报告中。

根据一致性匹配标准进行检测包括：根据晶体管阵列分布图形得到参考质心坐标和多个需要匹配的晶体管的质心坐标：根据多个需要匹配的晶体管的质心坐标与参考质心坐标之间的距离和预设距离范围，得到第一一致性匹配结果和第二一致性匹配结果；

其中，第一一致性匹配结果包括不匹配，第二一致性匹配结果包括低度匹配和中度匹配，此外紧凑性匹配结果还包括不用对版图参数进行修改的高度匹配，具体过程如下：

根据检测得到的晶体管阵列分布图形，取该图形的中心点设为匹配阵列的参考质心。根据检测的各个需要匹配的晶体管的参数信息，计算得到各个需要匹配的晶体管的质心坐标，检测各个需要匹配的晶体管的质心坐标与参考质心坐标的距离判断匹配精度，匹配精度判断标准如下：

不匹配：各个需要匹配的晶体管的质心坐标与参考质心坐标的距离大于等于1pitch；

低度匹配：各个需要匹配的晶体管的质心坐标与参考质心坐标的距离大于等于0.1pitch且小于1pitch；

中度匹配：各个需要匹配的晶体管的质心坐标与参考质心坐标的距离小于0.1pitch；

高度匹配：各个需要匹配的晶体管的质心坐标与参考质心坐标完全重合；

其中，1p itch：相邻晶体管最小单元的栅极中心坐标的间距，1p itch的设置的距离大小可调，可根据实际情况修改；

得到检测结果后，并将检测结果写入匹配结果报告中。

根据对称性匹配标准进行检测包括：根据晶体管阵列分布图形得到参考质心坐标和多个需要匹配的晶体管的质心坐标：根据参考质心坐标建立X轴和Y轴，根据多个需要匹配的晶体管的坐标信息，得到第一对称性匹配结果和第二对称性匹配结果；

其中，第一对称性匹配结果包括不匹配，第二对称性匹配结果包括低度匹配和中度匹配，此外对称性匹配结果还包括不用对版图参数进行修改的高度匹配，具体过程如下：

根据检测得到的晶体管阵列分布图形，取该图形的中心点设为匹配阵列的参考质心。以参考质心为原点建立坐标系，得到X轴和Y轴，晶体管阵列分布图形分别关于X轴和Y轴对称，关于原点中心对称。

检测阵列中各个需要匹配的晶体管关于X轴、Y轴、原点的对称性判断匹配精度，匹配精度判断标准如下：

不匹配：阵列中各个需要匹配的晶体管关于原点不中心对称；

低度匹配：阵列中各个需要匹配的晶体管关于原点中心对称，且关于X轴和Y轴均不对称；

中度匹配：阵列中各个需要匹配的晶体管关于原点中心对称，且只关于X轴或Y轴其中之一对称；

高度匹配：阵列中各个需要匹配的晶体管关于原点中心对称，且关于X轴和Y轴均对称；

得到检测结果后，并将检测结果写入匹配结果报告中。

根据分散性匹配标准进行检测包括：根据晶体管阵列分布图形和版图参数得到晶体管阵列各行各列中的晶体管个数，并根据晶体管个数得到行列晶体管数量比值，根据行列晶体管数量比值和总倍数比值，得到第一分散性匹配结果和第二分散性匹配结果；

其中，第一分散性匹配结果包括不匹配，第二分散性匹配结果包括低度匹配和中度匹配，此外分散性匹配结果还包括不用对版图参数进行修改的高度匹配，具体过程如下：

匹配晶体管按阵列分布，分为a行b列，根据获得的各个需要匹配的晶体管的位置信息检测每行每列中各个需要匹配的晶体管最小单元的个数，计算每行每列各个需要匹配的晶体管最小单元的个数比，该个数比与总体倍数(M)比进行对比来判断匹配精度，匹配精度判断标准如下：

不匹配：预设百分比以下行或预设百分比以下列的各个需要匹配的晶体管最小单元的个数比与各个需要匹配的晶体管总体倍数(M)比相同；

低度匹配：预设百分比以上行和预设百分比以上列的各个需要匹配的晶体管最小单元的个数比与各个需要匹配的晶体管总体倍数(M)比相同；

中度匹配：所有行和预设百分比以上列的各个需要匹配的晶体管最小单元的个数比与各个需要匹配的晶体管总体倍数(M)比相同，或所有列和预设百分比以上行的各个需要匹配的晶体管最小单元的个数比与各个需要匹配的晶体管总体倍数(M)比相同；

高度匹配：所有行和所有列的各个需要匹配的晶体管最小单元的个数比与各个需要匹配的晶体管总体倍数(M)比都相同；

这里设置的预设百分比可根据实际情况修改成具体数字，预设百分比优选为50％，可以更加有效的进行晶体管分散性的匹配精度检测；

得到检测结果后，并将检测结果写入匹配结果报告中。

根据方向性匹配标准进行检测包括：根据版图参数计算多个需要匹配的晶体管的手征值，并根据手征值得到第一方向性匹配结果和第二方向性匹配结果；

其中，第一方向性匹配结果包括不匹配，第二方向性匹配结果包括低度匹配和中度匹配，此外方向性匹配结果还包括不用对版图参数进行修改的高度匹配，具体过程如下：

根据检测到的各个需要匹配的晶体管的参数信息，计算各个需要匹配的晶体管的手征值。

手征值的计算方法：检测需要匹配的晶体管最小单元的漏极在栅极左侧(或上侧)的个数a和漏极在栅极右侧(或下侧)的个数b。晶体管的手征值＝(a-b)/(a+b)

通过比较各个需要匹配的晶体管的手征值来检测匹配精度，匹配精度判断标准如下：

不匹配：各个需要匹配的晶体管的手征值不同，且偏差在预设百分数以上；

低度匹配：各个需要匹配的晶体管的手征值不同，偏差预设百分数以内；

中度匹配：各个需要匹配的晶体管的手征值相同，且不为0；

高度匹配：各个需要匹配的晶体管的手征值相同，且为0；

其中，预设百分数可以根据实际应用场景进行设置，优选为5％。

得到检测结果后，并将检测结果写入匹配结果报告中。

在一些实施例中，在完成上述晶体管紧凑性、一致性、对称性、分散性、方向性的匹配精度检测后，输出包括所有检测项目的匹配精度结果的检测结果报告，能有效帮助版图设计者全面了解晶体管的匹配情况，提高版图设计的效率。

在一些实施例中，根据版图匹配精度修改版图参数，包括：在得到第一紧凑性匹配结果、第一一致性匹配结果、第一对称性匹配结果、第一分散性匹配结果或者第一方向性匹配结果的情况下，修改版图参数；在得到第二紧凑性匹配结果、第二一致性匹配结果、第二对称性匹配结果、第二分散性匹配结果或者第二方向性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改版图参数，可以想到的是，根据检测结果修改相应的版图，然后重复以上检测，直到各个检查项的匹配精度都满足要求，对不匹配的检测项进行修改，对低度匹配和中度匹配的检测项可根据晶体管的匹配要求来进行修改，对高度匹配的检测项不修改，进而完成检测。

参考图6，图6为本申请另一实施例提出的晶体管的匹配精度检测方法中，根据紧凑性匹配标准、一致性匹配标准和对称性匹配标准得到版图匹配精度的流程图；参考图7，图7为本申请另一实施例提出的晶体管的匹配精度检测方法中，根据紧凑性匹配标准、分散性匹配标准和方向性匹配标准得到版图匹配精度的流程图；图6和图7包括以下步骤：

步骤S601，获取各个需要匹配的晶体管的版图参数；

步骤S602，判断版图参数是否相同，若是，则跳转至步骤S611进行紧凑性检测，或者跳转至步骤S621进行一致性检测，或者跳转至步骤S631进行对称性检测，或者跳转至步骤S641进行分散性检测，或者跳转至步骤S651进行方向性检测，若否，则输出中断检测报告；

步骤S611，判断晶体管阵列的分布图形是否为矩形，若是，则跳转至步骤S612，若否，则得到不匹配结果；

步骤S612，判断长宽比值是否小于2，若是，则跳转至步骤S613，若否，则得到低度匹配结果；

步骤S613，判断长宽比值是否等于1，若是，则得到高度匹配结果，若否，则得到中度匹配结果；

步骤S621，判断晶体管质心坐标与参考质心坐标的距离是否小于1pitch，若是，则跳转至步骤S622，若否，则不匹配结果；

步骤S622，判断晶体管质心坐标与参考质心坐标的距离是否小于0.1pitch，若是，则跳转至步骤S623，若否，则低度匹配结果；

步骤S623，判断晶体管质心坐标是否与参考质心坐标的重合，若是，则得到高度匹配结果，若否，则得到中度匹配结果；

步骤S631，判断阵列中各个需要匹配的晶体管是否关于原点中心对称，若是，则跳转至步骤S632，若否，则得到不匹配结果；

步骤S632，判断是否关于X轴或Y轴其中之一对称，若是，则跳转至步骤S623，若否，则得到低度匹配结果；

步骤S633，判断是否关于X轴和Y轴均对称，若是，则得到高度匹配结果，若否，则得到中度匹配结果；

步骤S641，判断是否一半以上晶体管的行和列个数比与总倍数比相同，若是，则跳转至步骤S642，若否，则得到不匹配结果；

步骤S642，判断是否所有行和一半以上列的个数比与总倍数比或所有列和一半以上行的个数比与总倍数比相同，若是，则跳转至步骤S643，若否，则得到低度匹配结果；

步骤S643，判断是否所有行和列的个数比与总倍数比相同，若是，则得到高度匹配结果，若否，则得到中度匹配结果；

步骤S651，判断是否各手征值不同，且偏差大于5％，若是，则得到不匹配结果，若否，则跳转至步骤S652；

步骤S652，判断是否各手征值不同，且偏差小于5％，若是，则得到低度匹配结果，若否，则跳转至步骤S653；

步骤S653，判断是否各手征值相同，且为0，若是，则得到高度匹配结果，若否，则得到中度匹配结果。

上述步骤S601至S653对应了晶体管紧凑性、一致性、对称性、分散性、方向性的匹配精度检测，本申请根据预设的多个版图匹配标准和版图参数得到版图匹配精度，并根据版图匹配精度修改版图参数的完整过程如下：

1)获取版图中需要匹配的晶体管的参数信息；

2)检测各个需要匹配的晶体管是否满足匹配的基本条件；

3)晶体管紧凑性的匹配精度检测；

4)晶体管一致性的匹配精度检测；

5)晶体管对称性的匹配精度检测；

6)晶体管分散性的匹配精度检测；

7)晶体管方向性的匹配精度检测；

8)输出所有检测项目的检测结果报告；

9)根据检测结果修改相应的版图，然后重复以上检测，直到各个检查项的匹配精度都满足要求；

10)完成检测。

在一些实施例中，方法包括，在得到电路图匹配精度或者多个版图匹配标准对应的版图匹配精度时，根据电路图匹配精度或者版图匹配精度生成匹配结果报告，并输出匹配结果报告。

参考图8，图8为本申请另一实施例提出的晶体管的电路图形式和版图形式的示意图；其中，图8中(a)和(c)代表电路图中的晶体管单元，对应长度(L)、手指宽度(Fw)、总宽度(W)、手指数(NF)、倍数(m)、总倍数(M)等参数信息，(b)和(d)分别为对应(a)和(c)在版图设计中的晶体管3个(m＝3)最小单元，在检测各个需要匹配的晶体管是否满足匹配的基本条件的步骤中，即需要保证版图设计中的晶体管最小单元完全相同,图8中的S、G、D分别为源极、栅极、漏极。

参考图9，图9为本申请另一实施例提出的版图中晶体管阵列的示意图，其中，在晶体管紧凑性的匹配精度检测过程中，通过获取的参数信息计算需要匹配的晶体管阵列分布图形901，如图9所示，晶体管阵列分布图形901为能完全覆盖所有晶体管最小单元902的最小图形，即包括多个晶体管最小单原版图的匹配阵列，匹配阵列的长度与宽度即为晶体管紧凑性的匹配精度检测过程中的长度与宽度，匹配阵列分为a行b列对应晶体管分散性的匹配精度检测过程。

综上，本申请至少具有以下有益效果：

在电路设计阶段就能判断需要匹配的晶体管的匹配精度，大大缩短项目周期。若在版图设计完成后才发现需要匹配的晶体管的匹配精度不满足设计要求，则需要在电路图中修改晶体管尺寸，电路的前仿真要重做，版图要重新设计，相当于设计周期变成原来的两倍。若在电路设计阶段就发现晶体管的匹配精度不满足设计要求，电路的前仿真可以不需要重做，版图设计也不存在由此带来的重新设计的隐患。

在检测版图中匹配晶体管的匹配精度时加入中断检测流程的判断可大大缩短检测的时间。因为晶体管没有满足匹配的基本要求，后面的检测就可以不进行，版图中检测花费的时间可大大缩短。

匹配的五个特性分别检测可以更全面的了解版图中需要匹配的晶体管的匹配精度。根据最后的检测结果报告，就能直观的检查到导致晶体管版图不匹配的地方，版图设计师可以制定最佳的版图修改方案，缩短版图设计时间。

匹配精度可调，可以使本方法能适应更多的应用场景和应用需求。匹配精度标准的默认值能适应大部分应用场景和应用需求，若有特殊应用场景和应用需求，在合理范围内调整匹配精度标准也是支持的。

将结果写入一个结果报告中，能帮助版图设计者全面了解晶体管的匹配情况，提高版图设计的效率。

值得注意的是，本申请根据检测结果、结果报告和中断报告修改不匹配或者低度匹配、中度匹配的晶体管参数，以使晶体管参数到达较高的匹配精度，本领域技术人员可以根据实际情况选择修改晶体管参数的方式，该方式对本申请中晶体管的匹配精度的检测方法不构成限制，本申请的主旨在于如何在集成电路设计过程中高效的进行晶体管匹配精度检测，保证其完整性和准确率。

参考图10,图10是本申请实施例提供的控制器的结构示意图。

本申请的一些实施例提供了一种控制器，控制器包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述任意一项实施例的晶体管的匹配精度检测方法，例如，执行以上描述的图1中的方法步骤S110至步骤S140、图2中的方法步骤S210至步骤S230、图3中的方法步骤S310至步骤S340、图4中的方法步骤S401至步骤S404、图5中的方法步骤S510至步骤S520、图6和图7中的方法步骤S601至步骤S653。

本申请实施例的控制器1000包括一个或多个处理器1010和存储器1020，图10中以一个处理器1010及一个存储器1020为例。

处理器1010和存储器1020可以通过总线或者其他方式连接，图10中以通过总线连接为例。

存储器1020作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序以及非暂态性计算机可执行程序。此外，存储器1020可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施方式中，存储器1020可选包括相对于处理器1010远程设置的存储器1020，这些远程存储器可以通过网络连接至控制器1000，同时，上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

在一些实施例中，处理器执行计算机程序时按照预设间隔时间执行上述任意一项实施例的晶体管的匹配精度检测方法。

本领域技术人员可以理解，图10中示出的装置结构并不构成对控制器1000的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

在图10所示的控制器1000中，处理器1010可以用于调用存储器1020中储存的晶体管的匹配精度检测方法，从而实现晶体管的匹配精度检测方法。

基于上述控制器1000的硬件结构，提出本申请的晶体管的匹配精度检测系统的各个实施例，同时，实现上述实施例的晶体管的匹配精度检测方法所需的非暂态软件程序以及指令存储在存储器中，当被处理器执行时，执行上述实施例的晶体管的匹配精度检测方法。

此外，本申请实施例的还提供了一种晶体管的匹配精度检测系统，该晶体管的匹配精度检测系统包括由上述的控制器。

在一些实施例中，由于本申请实施例的晶体管的匹配精度检测系统具有上述实施例的控制器，并且上述实施例的控制器能够执行上述实施例的晶体管的匹配精度检测方法，因此，本申请实施例的晶体管的匹配精度检测系统的具体实施方式和技术效果，可以参照上述任一实施例的晶体管的匹配精度检测方法的具体实施方式和技术效果。

本申请实施例的还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令用于执行上述的晶体管的匹配精度检测方法，例如，可使得上述一个或多个处理器执行上述方法实施例中的晶体管的匹配精度检测方法，执行以上描述的图1中的方法步骤S110至步骤S140、图2中的方法步骤S210至步骤S230、图3中的方法步骤S310至步骤S340、图4中的方法步骤S401至步骤S404、图5中的方法步骤S510至步骤S520、图6和图7中的方法步骤S601至步骤S653。

以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络节点上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。

本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器，如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机可读存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机可读存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机可读存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

以上是对本申请的较佳实施进行了具体说明，但本申请并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本申请精神的前提下还可作出种种等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (4)

1.一种晶体管的匹配精度检测方法，其特征在于，所述方法包括：

获取待检测电路图中多个需要匹配的晶体管的电路图参数；

根据预设的电路图匹配标准和所述电路图参数得到电路图匹配精度，并根据所述电路图匹配精度修改所述电路图参数；

获取根据所述待检测电路图生成的待检测版图，并获取所述待检测版图中多个所述晶体管的版图参数；

根据预设的多个版图匹配标准和所述版图参数得到版图匹配精度，并根据所述版图匹配精度修改所述版图参数，其中，所述版图匹配标准包括紧凑性匹配标准、一致性匹配标准、对称性匹配标准、分散性匹配标准和方向性匹配标准；

其中，所述电路图参数包括晶体管类型、长度、手指宽度、总宽度、手指数、倍数和总倍数，所述获取待检测电路图中多个需要匹配的晶体管的电路图参数，包括：

获取待检测电路图中多个需要匹配的晶体管的所述晶体管类型、所述长度、所述手指宽度、所述手指数和所述倍数；

根据所述手指宽度和手指数得到所述总宽度；

根据所述手指数和所述倍数得到所述总倍数；

其中，所述根据预设的电路图匹配标准和所述电路图参数得到电路图匹配精度，并根据所述电路图匹配精度修改所述电路图参数，包括：

在多个所述晶体管的晶体管类型不一致，或者长度不一致，或者手指宽度不一致的情况下，得到第一电路匹配结果，并根据所述第一电路匹配结果修改所述电路图参数；

在多个所述晶体管的晶体管类型、长度和手指宽度一致，手指数不一致的情况下，得到第二电路匹配结果，并根据所述第二电路匹配结果和第一预设匹配要求修改所述电路图参数；

在多个所述晶体管的晶体管类型、长度、手指宽度和手指数一致，总倍数不一致的情况下，得到第三电路匹配结果，并根据所述第三电路匹配结果和第二预设匹配要求修改所述电路图参数；

在多个所述晶体管的晶体管类型、长度、手指宽度、手指数和总倍数一致的情况下，根据所述待检测电路图生成所述待检测版图；

其中，所述版图参数包括晶体管最小单元的栅极信息、源极信息、漏极信息和接触孔信息；

所述栅极信息包括晶体管长度、手指宽度和栅极中心点坐标；

所述源极信息包括源极长度、源极宽度和源极中心点坐标；

所述漏极信息包括栅极长度、漏极宽度和漏极中心点坐标；

所述接触孔信息包括栅极、源极和漏极对应的多个接触孔的尺寸、个数和相对位置，其中，所述相对位置为接触孔在栅极、源极和漏极的相对位置；

其中，所述根据预设的多个版图匹配标准和所述版图参数得到版图匹配精度，并根据所述版图匹配精度修改所述版图参数，包括：

在多个所述晶体管的所述版图参数一致的情况下，根据预设的多个版图匹配标准和所述版图参数得到版图匹配精度，并根据所述版图匹配精度修改所述版图参数；

在多个所述晶体管的所述版图参数不一致的情况下，输出中断检测报告，并根据所述中断检测报告修改所述版图参数；

其中，所述根据预设的多个版图匹配标准和所述版图参数得到版图匹配精度，包括：

根据所述版图参数计算生成晶体管对应的晶体管阵列分布图形；

根据所述紧凑性匹配标准进行检测包括：根据所述晶体管阵列分布图形得到晶体管阵列长度和晶体管阵列宽度：在所述晶体管阵列分布图形的形状不为矩形的情况下，得到第一紧凑性匹配结果；在所述晶体管阵列分布图形的形状为矩形的情况下，根据预设比值范围和所述晶体管阵列长度与所述晶体管阵列宽度的比值，得到第二紧凑性匹配结果；

根据所述一致性匹配标准进行检测包括：根据所述晶体管阵列分布图形得到参考质心坐标和多个需要匹配的晶体管的质心坐标：根据多个需要匹配的晶体管的质心坐标与参考质心坐标之间的距离和预设距离范围，得到第一一致性匹配结果和第二一致性匹配结果；

根据所述对称性匹配标准进行检测包括：根据所述晶体管阵列分布图形得到参考质心坐标和多个需要匹配的晶体管的质心坐标：根据所述参考质心坐标建立X轴和Y轴，根据多个所述晶体管的坐标信息，得到第一对称性匹配结果和第二对称性匹配结果；

根据所述分散性匹配标准进行检测包括：根据所述晶体管阵列分布图形和所述版图参数得到晶体管阵列各行各列中的晶体管个数，并根据所述晶体管个数得到行列晶体管数量比值，根据所述行列晶体管数量比值和总倍数比值，得到第一分散性匹配结果和第二分散性匹配结果；

根据所述方向性匹配标准进行检测包括：根据所述版图参数计算多个需要匹配的晶体管的手征值，并根据所述手征值得到第一方向性匹配结果和第二方向性匹配结果；

其中，所述根据所述版图匹配精度修改所述版图参数，包括：

在得到所述第一紧凑性匹配结果、所述第一一致性匹配结果、所述第一对称性匹配结果、所述第一分散性匹配结果或者所述第一方向性匹配结果的情况下，修改所述版图参数；

在得到所述第二紧凑性匹配结果、所述第二一致性匹配结果、所述第二对称性匹配结果、所述第二分散性匹配结果或者所述第二方向性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改所述版图参数。

2.根据权利要求1所述的晶体管的匹配精度检测方法，其特征在于，所述方法包括：

在得到所述电路图匹配精度或者多个版图匹配标准对应的版图匹配精度时，根据所述电路图匹配精度或者所述版图匹配精度生成匹配结果报告，并输出所述匹配结果报告。

3.一种控制器，其特征在于，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至2中任意一项所述的晶体管的匹配精度检测方法。

4.一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令用于执行如权利要求1至2中任意一项所述的晶体管的匹配精度检测方法。