CN116722836A - 声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置 - Google Patents
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 100
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 100
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 9
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 9
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 227
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 aluminum magnesium copper Chemical compound 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
- H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
一种声表面波谐振装置的形成方法，包括：提供压电基底；形成电极结构，位于压电基底上；形成电极保护层，位于压电基底上，覆盖电极结构；形成温度补偿层，位于压电基底上方，温度补偿层覆盖电极保护层；其中，基于大于100W的偏压电源功率形成温度补偿层。本发明实施例通过在谐振装置的电极结构上设置电极保护层，从而提高声表面波谐振装置的良率及可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，本发明涉及声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置。
背景技术
无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括：功率放大器(PowerAmplifier，PA)、天线开关、RF滤波器、多工器(multiplexer，包括双工器，duplexer)和低噪声放大器(Low Noise Amplifier，LNA)等。
声表面波(Surface Acoustic Wave，SAW)谐振器的品质因数值(Q值)较高，由SAW谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的RF滤波器，即SAW滤波器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流RF滤波器。其中，Q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以谐振器3dB带宽。由于SAW滤波器的工作频率对温度较为敏感，具有频率随工作温度漂移的特性，且5G时代射频终端的滤波器频段进一步扩展，SAW滤波器难以满足性能要求。因此，提高声表面波器件的温度稳定性、降低温度对工作频率的影响，具备温度稳定性的SAW滤波器成为发展所需。
常见的用以改善SAW谐振器温度稳定性的方式是在负声速温度系数(TCV：Temperature Coefficient of Velocity)的钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)压电基底上沉积一层正声速温度系数(TCV)的温度补偿材料，如二氧化硅(SiO2)，以此来抑制由于温度变化引起的频率漂移，形成温度补偿TC(Temperature compensated)-SAW谐振器。
然而，现有的TC-SAW仍存在技术问题有待改善。
发明内容
本发明实施例提供一种声表面波谐振装置及其形成方法，在谐振装置的电极结构上设置电极保护层，从而提高声表面波谐振装置的良率及可靠性。
本发明实施例提供一种声表面波谐振装置，包括：压电基底；电极结构，位于所述压电基底上；电极保护层，位于所述压电基底上，所述电极保护层覆盖所述电极结构；温度补偿层，位于所述压电基底上方，所述温度补偿层覆盖所述电极保护层，其中，基于大于100W的偏压电源功率形成所述温度补偿层。
在一些实施例中，所述温度补偿层位于所述电极结构上方的表面平坦。
在一些实施例中，所述电极结构包括多个电极条，所述电极条包括：第一金属层，位于所述压电基底上，其中，所述第一金属层的材料包括：钼、钨或铝。
在一些实施例中，所述电极条还包括：第二金属层，位于所述第一金属层上，其中，所述第二金属层的材料包括铝或铝合金。
在一些实施例中，所述电极条还包括：第三金属层，位于所述第二金属层上，其中，所述第三金属层的材料包括钼、钛或钛合金。
在一些实施例中，所述电极保护层覆盖所述电极结构的顶部表面及侧表面。
在一些实施例中，所述电极保护层还覆盖所述压电基底的上表面，所述温度补偿层位于所述电极保护层上。
在一些实施例中，所述电极保护层的材料包括：多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氧化铝中的一种或多种。
在一些实施例中，氧化硅的硅原子数量和氧原子数量之比大于1：1.8。
在一些实施例中，氮化硅的硅原子数量和氮原子数量之比大于3.2：3.8。
在一些实施例中，氮氧化硅的硅原子数量、氧原子数量和氮原子数量之比大于1：x：y，其中，2x+3y＜4。
在一些实施例中，氧化铝的铝原子数量和氧原子数量之比大于2.2∶2.8且小于1。
在一些实施例中，所述电极保护层包括第一电极保护子层，位于所述压电基底上，所述第一电极保护子层覆盖所述电极结构；第二电极保护子层，位于所述第一电极保护子层上。
在一些实施例中，所述电极保护层的厚度范围为10纳米至50纳米。
本发明实施例还提供一种滤波装置，包括：上述实施例其中之一所述的声表面波谐振装置。
本发明实施例还提供一种声表面波谐振装置形成方法，包括：提供压电基底；形成电极结构，位于所述压电基底上；形成电极保护层，位于所述压电基底上，覆盖所述电极结构；形成温度补偿层，位于所述压电基底上方，所述温度补偿层覆盖所述电极保护层；其中，基于大于100W的偏压电源功率形成所述温度补偿层。
在一些实施例中，形成电极结构包括形成多个电极条，形成所述电极条包括：形成第一金属层，位于所述压电基底上。在一些实施例中，形成所述电极条还包括：形成第二金属层，位于所述第一金属层上。在一些实施例中，形成所述电极条还包括：形成第三金属层，位于所述第二金属层上。
在一些实施例中，形成所述电极保护层包括：形成第一电极保护子层及第二电极保护子层，所述第一电极保护子层位于所述压电基底上，覆盖所述电极结构，所述第二电极保护子层位于所述第一电极保护子层上。
需要说明的是，在电极结构与温度补偿层之间设置电极保护层，可以在基于大于100W的偏压电源功率形成温度补偿层时，避免高能离子直接轰击电极结构，造成电极结构的损伤，从而提高声表面波谐振装置的良率及可靠性。
此外，采用较高偏压电源功率，沉积过程中会处于较高温(＞200℃)状态，电极条包括第一金属层、第二金属层及第三金属层，其中，第二金属层的材料包括铝，第三金属层的材料包括钼、钛或钛合金，可以抑制较高温状态下的铝析出，从而避免电极条出现小丘或凹陷，从而提高声表面波谐振装置的良率及可靠性。
此外，当电极保护层的材料包括氮化硅，谐振装置的寄生模态横向剪切(ShearHorizontal，SH)波相对主模态瑞利波的波速会有升高，从而使SH波对于滤波装置通带差损的影响减小，提高滤波性能。
此外，当电极保护层的材料包括多晶硅、特定原子数量比例的氧化硅、特定原子数量比例的氮化硅、特定原子数量比例的氮氧化硅或特定原子数量比例的氧化铝，电极保护层具有导电性，从而可以释放静电荷，避免压电基底热释电效应造成的静电放电现象。
此外，电极条包括第一金属层和第二金属层，其中，第二金属层的材料包括铝合金，例如铝铜合金、铝镁铜合金，可以抑制电迁移，从而提高声表面波谐振装置电极结构的可靠性。
附图说明
图1至2是一种声表面波谐振装置形成过程的结构剖面示意图；
图3是一种声表面波谐振装置的结构剖面示意图；
图4是一种声表面波谐振装置的结构剖面示意图；
图5是本发明实施例的一种声表面波谐振装置形成方法400的流程示意图；
图6至8是本发明实施例的一种声表面波谐振装置形成过程的结构剖面示意图；
图9是本发明实施例的一种声表面波谐振装置的性能示意图；
图10至12是本发明实施例的一种声表面波谐振装置形成过程的结构剖面示意图；
图13至15是本发明实施例的一种声表面波谐振装置形成过程的结构剖面示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
根据背景技术描述，TC-SAW仍存在技术问题有待改善。
图1至2是一种声表面波谐振装置形成过程的结构剖面示意图；图3是一种声表面波谐振装置的结构剖面示意图。
如图1和图2所示，一种TC-SAW谐振装置的形成方法包括：提供压电基底101；形成电极结构102，位于所述压电基底101上；形成温度补偿层103，位于所述压电基底101上，覆盖所述电极结构102；其中，所述温度补偿层103包括对应所述电极结构102的多个凸起，位于所述电极结构102上方的表面上，所述凸起会导致谐振装置的频率温度系数(TCF)和机电耦合系数Kt发生变化，偏离理想值，从而影响器件的性能。
参见图3，一种TC-SAW谐振装置包括：压电基底201；电极结构202，位于所述压电基底201上；温度补偿层203，位于所述压电基底201上，覆盖所述电极结构202；其中，所述温度补偿层203的上表面较平坦。需要说明的是，在沉积形成所述温度补偿层203时，可以通过提高偏压电源功率(RF＞100W)，得到上表面较平坦的所述温度补偿层203。
参见图4，一种TC-SAW谐振装置包括：压电基底301；电极结构302，位于所述压电基底301上；温度补偿层303，位于所述压电基底301上，覆盖所述电极结构302；其中，所述温度补偿层303的上表面较平坦。然而，提高沉积过程中偏压电源功率(RF＞100W)会导致在形成所述温度补偿层303初期偏压密度增加，生成的高能离子轰击所述电极结构302，造成所述电极结构302表面出现损伤部304，从而降低产品的良率和可靠性。
为解决上述问题，避免电极结构在高偏压电源功率下产生损伤，本发明实施例提供了一种声表面波谐振装置的形成方法，包括：提供压电基底；在所述压电基底上形成电极结构；形成电极保护层，位于所述压电基底上，覆盖所述电极结构；在所述压电基底上方形成温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述电极保护层；其中，基于大于100W的偏压电源功率形成所述温度补偿层，从而可以平坦化所述温度补偿层的上表面；其中，所述电极保护层可以隔离所述电极结构不受高能离子的轰击。
图5示出了本发明实施例的一种声表面波谐振装置形成方法400的流程示意图。
如图5所示，声表面波谐振装置形成方法400包括：
步骤S401，提供压电基底；
步骤S402，形成电极结构，位于所述压电基底上；
步骤S403，形成电极保护层，位于所述压电基底上，覆盖所述电极结构；
步骤S404，形成温度补偿层，位于所述压电基底上方，所述温度补偿层覆盖所述电极保护层；其中，基于大于100W的偏压电源功率形成所述温度补偿层。
本发明实施例在电极结构与温度补偿层之间设置电极保护层，可以在基于大于100W的偏压电源功率形成温度补偿层时，避免高能离子直接轰击电极结构，造成电极结构的损伤，从而提高声表面波谐振装置的良率及可靠性。
在本实施例中，步骤S402包括形成多个电极条，形成所述电极条包括：形成第一金属层，位于所述压电基底上，所述第一金属层的材料包括：钼、钨或铝。
在另一个实施例中，形成所述电极条还包括：形成第二金属层，位于所述第一金属层上，所述第二金属层的材料包括铝或铝合金。
在另一个实施例中，形成所述电极条还包括：形成第三金属层，位于所述第二金属层上，所述第三金属层的材料包括钼、钛或钛合金。
本实施例中，步骤S403包括：采用化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺，在所述电极条的顶部表面及侧表面沉积形成所述电极保护层。
在另一个实施例中，步骤S403包括：形成第一电极保护子层及第二电极保护子层，所述第一电极保护子层位于所述压电基底上，覆盖所述电极结构，所述第二电极保护子层位于所述第一电极保护子层上。
图6至8是本发明实施例的一种声表面波谐振装置形成过程的结构剖面示意图。
参见图6至图8，本实施例中，声表面波谐振装置形成过程包括：提供压电基底501；形成电极结构502，位于所述压电基底501上；形成电极保护层503，位于所述压电基底501上，覆盖所述电极结构502和所述压电基底501的上表面；形成温度补偿层504，位于所述电极保护层503上，覆盖所述电极保护层503；其中，基于大于100W的偏压电源功率形成所述温度补偿层504。
本发明实施例在所述电极结构502与所述温度补偿层504之间设置所述电极保护层503，可以在基于大于100W的偏压电源功率形成所述温度补偿层504时，避免高能离子直接轰击所述电极结构502，造成所述电极结构502的损伤，从而提高声表面波谐振装置的良率及可靠性。
本实施例中，形成电极结构502包括形成多个电极条，形成所述电极条包括：形成第一金属层，所述第一金属层位于所述压电基底501上。本实施例中，所述第一金属层的材料包括：钼、钨或铝。
参见图8，相应地，本发明实施例还提供一种声表面波谐振装置包括：所述压电基底501；所述电极结构502，位于所述压电基底501上；所述电极保护层503，位于所述压电基底501上，所述电极保护层503覆盖所述电极结构502及所述压电基底501的上表面；所述温度补偿层504，位于所述电极保护层503上，所述温度补偿层覆盖所述电极保护层503。
本实施例中，所述温度补偿层504位于所述电极结构502上方的表面较为平坦。
本实施例中，所述压电基底501的材料包括：钽酸锂或铌酸锂。
本实施例中，所述电极结构502包括多个电极条，所述电极条包括第一金属层，所述第一金属层的材料包括：钼、钨或铝。
本实施例中，所述电极保护层503覆盖所述电极条的顶部表面及侧表面，其中，所述电极保护层503覆盖所述第一金属层的顶部表面及侧表面。
本实施例中，所述电极保护层503的材料包括：多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氧化铝中的一种或多种。
其中，当所述电极保护层503的材料包括氮化硅，参见图9，寄生模态SH波901相对主模态瑞利波的波速会有升高，从而从提高所述SH波901的频率，使所述SH波901对于滤波装置通带差损的影响减小，提高滤波性能。
其中，当所述电极保护层503的材料包括：多晶硅、或氧化硅(其中硅原子数量和氧原子数量之比大于1：1.8)、或氮化硅(其中硅原子数量和氮原子数量之比大于3.2：3.8)、或氮氧化硅(其中硅原子数量、氧原子数量和氮原子数量之比大于1：x：y，x、y的关系满足2x+3y＜4)、或氧化铝(其中铝原子数量和氧原子数量之比大于2.2：2.8且小于1)，所述电极保护层503具有导电性，从而可以释放静电荷，避免所述压电基底501的热释电效应造成的静电放电现象。
本实施例中，所述电极保护层503的厚度范围为10纳米至50纳米。需要说明的是，所述电极保护层503的厚度小于10纳米无法起到保护所述电极结构502的作用；所述电极保护层503的厚度大于50纳米会对谐振装置的性能产生影响。
本实施例中，所述电极保护层503为单层结构。在一些实施例中，电极保护层可以是多层结构，包括堆叠的两个及两个以上电极保护子层。
图10至12是本发明实施例的一种声表面波谐振装置形成过程的结构剖面示意图。
参见图10至图12，本实施例中，声表面波谐振装置形成过程包括：提供压电基底701；形成电极结构(未标记)，位于所述压电基底701上；形成电极保护层704，位于所述压电基底701上，覆盖所述电极结构和所述压电基底701的上表面；形成温度补偿层705，位于所述电极保护层704上，覆盖所述电极保护层704；其中，基于大于100W的偏压电源功率形成所述温度补偿层705。
本发明实施例在所述电极结构与所述温度补偿层705之间设置所述电极保护层704，可以在基于大于100W的偏压电源功率形成所述温度补偿层705时，避免高能离子直接轰击所述电极结构，造成所述电极结构的损伤，从而提高声表面波谐振装置的良率及可靠性。
本实施例中，形成所述电极结构包括形成多个电极条，形成所述电极条包括：形成第一金属层702及第二金属层703，所述第一金属层702位于所述压电基底701上，所述第二金属层703位于所述第一金属层702上。
本实施例中，所述第一金属层702的材料包括：钼或钨，所述第二金属层703的材料包括铝铜合金或铝镁铜合金。需要说明的是，所述第二金属层703的材料采用铝铜合金或铝镁铜合金，可以抑制电迁移，从而提高声表面波谐振装置电极结构的可靠性。
参见图12，相应地，本发明实施例还提供一种声表面波谐振装置包括：所述压电基底701；所述电极结构，位于所述压电基底701上；所述电极保护层704，位于所述压电基底701上，所述电极保护层704覆盖所述电极结构及所述压电基底701的上表面；所述温度补偿层705，位于所述电极保护层704上，所述温度补偿层705覆盖所述电极保护层704。
本实施例中，所述温度补偿层705位于所述电极结构上方的表面较为平坦。
本实施例中，所述电极结构包括多个电极条，所述电极条包括：所述第一金属层702及所述第二金属层703，所述第一金属层702位于所述压电基底701上，所述第二金属层703位于所述第一金属层702上。本实施例中，所述第一金属层702的材料包括：钼或钨，所述第二金属层703的材料包括：铝铜合金或铝镁铜合金。
本实施例中，所述电极保护层704覆盖所述电极条的顶部表面及侧表面，其中，所述电极保护层704覆盖所述第一金属层702的侧表面，还覆盖所述二金属层703的顶部表面及侧表面。
本实施例中，所述电极保护层704为单层结构。在一些实施例中，电极保护层可以是多层结构，包括堆叠的两个及两个以上电极保护子层。
图13至15是本发明实施例的一种声表面波谐振装置形成过程的结构剖面示意图。
参见图13至图15，本实施例中，声表面波谐振装置形成过程包括：提供压电基底801；形成电极结构(未标记)，位于所述压电基底801上；形成电极保护层805，位于所述压电基底801上，覆盖所述电极结构和所述压电基底801的上表面；形成温度补偿层806，位于所述电极保护层805上，覆盖所述电极保护层805；其中，基于大于100W的偏压电源功率形成所述温度补偿层806。
本发明实施例在所述电极结构与所述温度补偿层806之间设置所述电极保护层805，可以在基于大于100W的偏压电源功率形成所述温度补偿层806时，避免高能离子直接轰击所述电极结构，造成电极结构的损伤，从而提高声表面波谐振装置的良率及可靠性。
本实施例中，形成所述电极结构包括形成多个电极条，形成所述电极条包括：形成第一金属层802、第二金属层803及第三金属层804，所述第一金属层802位于所述压电基底801上，所述第二金属层803位于所述第一金属层802上，所述第三金属层804位于所述第二金属层803上。
本实施例中，所述第一金属层802的材料包括：钼或钨，所述第二金属层803的材料包括铝，所述第三金属层804的材料包括钼、钛或钛合金。需要说明的是，采用较高偏压电源功率，沉积所述温度补偿层806过程中会处于较高温(＞200℃)状态，所述第二金属层803中的铝原子较为活跃，因此采用所述第三金属层804，所述第三金属层804的材料采用钼、钛或钛合金，可以抑制较高温状态下的铝析出，从而避免电极条出现小丘或凹陷，提高产品良率及所述电极结构的可靠性。
参见图15，相应地，本发明实施例还提供一种声表面波谐振装置包括：所述压电基底801；所述电极结构，位于所述压电基底801上；所述电极保护层805，位于所述压电基底801上，所述电极保护层805覆盖所述电极结构及所述压电基底801的上表面；所述温度补偿层806，位于所述电极保护层805上，所述温度补偿层806覆盖所述电极保护层805。
本实施例中，所述温度补偿层806位于所述电极结构上方的表面较为平坦。
本实施例中，所述电极结构包括多个电极条，所述电极条包括所述第一金属层802、所述第二金属层803及所述第三金属层804，所述第一金属层802位于所述压电基底801上，所述第二金属层803位于所述第一金属层802上，所述第三金属层804位于所述第二金属层803上。本实施例中，所述第一金属层802的材料包括：钼或钨，所述第二金属层803的材料包括：铝；所述第三金属层804的材料包括钼、钛或钛合金。
本实施例中，所述电极保护层805覆盖所述电极条的顶部表面及侧表面，其中，所述电极保护层805覆盖所述第一金属层802的侧表面，还覆盖所述二金属层803的侧表面，还覆盖所述三金属层804的顶部表面及侧表面。
本实施例中，所述电极保护层805为单层结构。在一些实施例中，电极保护层可以是多层结构，包括堆叠的两个及两个以上电极保护子层。
总而言之，本发明实施例提供的声表面波谐振装置在电极结构与温度补偿层之间设置电极保护层，可以在基于大于100W的偏压电源功率形成温度补偿层时，避免高能离子直接轰击电极结构，造成电极结构的损伤，从而提高声表面波谐振装置的良率及可靠性。
此外，采用较高偏压电源功率，沉积过程中会处于较高温(＞200℃)状态，电极条包括第一金属层、第二金属层及第三金属层，其中，第二金属层的材料包括铝，第三金属层的材料包括钼、钛或钛合金，可以抑制较高温状态下的铝析出，从而避免电极条出现小丘或凹陷，从而提高声表面波谐振装置的良率及可靠性。
此外，当电极保护层的材料包括氮化硅，谐振装置的寄生模态SH波相对主模态瑞利波的波速会有升高，从而使SH波对于滤波装置通带差损的影响减小，提高滤波性能。
此外，当电极保护层的材料包括多晶硅、特定原子数量比例的氧化硅、特定原子数量比例的氮化硅、特定原子数量比例的氮氧化硅或特定原子数量比例的氧化铝，电极保护层具有导电性，从而可以释放静电荷，避免压电基底热释电效应造成的静电放电现象。
此外，电极条包括第一金属层和第二金属层，其中，第二金属层的材料包括铝合金，例如铝铜合金、铝镁铜合金，可以抑制电迁移，从而提高声表面波谐振装置电极结构的可靠性。
应该理解，此处的例子和实施例仅是示例性的，本领域技术人员可以在不背离本申请和所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，做出各种修改和更正。
Claims (20)
1.一种声表面波谐振装置，其特征在于，包括：
压电基底；
电极结构，位于所述压电基底上；
电极保护层，位于所述压电基底上，所述电极保护层覆盖所述电极结构；
温度补偿层，位于所述压电基底上方，所述温度补偿层覆盖所述电极保护层，其中，基于大于100W的偏压电源功率形成所述温度补偿层。
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述温度补偿层位于所述电极结构上方的表面平坦。
3.根据权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述电极结构包括多个电极条，所述电极条包括：第一金属层，位于所述压电基底上，其中，所述第一金属层的材料包括：钼、钨或铝。
4.根据权利要求3所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述电极条还包括：第二金属层，位于所述第一金属层上，其中，所述第二金属层的材料包括铝或铝合金。
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述电极条还包括：第三金属层，位于所述第二金属层上，其中，所述第三金属层的材料包括钼、钛或钛合金。
6.根据权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述电极保护层覆盖所述电极结构的顶部表面及侧表面。
7.根据权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述电极保护层还覆盖所述压电基底的上表面，所述温度补偿层位于所述电极保护层上。
8.根据权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述电极保护层的材料包括：多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氧化铝中的一种或多种。
9.根据权利要求8所述的声表面波谐振装置，其特征在于，氧化硅的硅原子数量和氧原子数量之比大于1：1.8。
10.根据权利要求8所述的声表面波谐振装置，其特征在于，氮化硅的硅原子数量和氮原子数量之比大于3.2：3.8。
11.根据权利要求8所述的声表面波谐振装置，其特征在于，氮氧化硅的硅原子数量、氧原子数量和氮原子数量之比大于1：x：y，其中，2x+3y＜4。
12.根据权利要求8所述的声表面波谐振装置，其特征在于，氧化铝的铝原子数量和氧原子数量之比大于2.2：2.8且小于1。
13.根据权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述电极保护层包括第一电极保护子层，位于所述压电基底上，所述第一电极保护子层覆盖所述电极结构；第二电极保护子层，位于所述第一电极保护子层上。
14.根据权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述电极保护层的厚度范围为10纳米至50纳米。
15.一种声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括：
提供压电基底；
形成电极结构，位于所述压电基底上；
形成电极保护层，位于所述压电基底上，所述电极保护层覆盖所述电极结构；
形成温度补偿层，位于所述压电基底上方，所述温度补偿层覆盖所述电极保护层，其中，基于大于100W的偏压电源功率形成所述温度补偿层。
16.根据权利要求15所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成电极结构包括形成多个电极条，形成所述电极条包括形成第一金属层，位于所述压电基底上。
17.根据权利要求16所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成所述电极条还包括：形成第二金属层，位于所述第一金属层上。
18.根据权利要求17所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成所述电极条还包括：形成第三金属层，位于所述第二金属层上。
19.根据权利要求15所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成所述电极保护层包括：形成第一电极保护子层及第二电极保护子层，所述第一电极保护子层位于所述压电基底上，覆盖所述电极结构，所述第二电极保护子层位于所述第一电极保护子层上。
20.一种滤波装置，其特征在于，包括：如权利要求1至14其中之一所述的声表面波谐振装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310678773.4A CN116722836A (zh) | 2023-06-08 | 2023-06-08 | 声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202310678773.4A CN116722836A (zh) | 2023-06-08 | 2023-06-08 | 声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置 |
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| CN116722836A true CN116722836A (zh) | 2023-09-08 |
Family
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| CN (1) | CN116722836A (zh) |
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