CN116705625B - 一种基于daf膜的晶圆封装方法、结构和装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置，涉及半导体技术领域，该方法包括：将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面；对DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，盲孔的深度为DAF膜的厚度；在DAF膜的表面沉积种子层，使种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；在盲孔中填充与种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至第一金属材料完全填充所述盲孔；去除DAF膜表面多余的金属材料，得到晶圆的DAF膜封装结构；利用DAF膜封装结构，将晶圆封装至基板上。本申请通过在DAF膜上刻蚀盲孔，在盲孔中填充第一金属材料，实现了在DAF膜中嵌入多个金属柱，利用金属柱的导热性，提升晶圆封装结构中DAF膜的热导率。
Description
技术领域
本申请实施例涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置。
背景技术
芯片贴合膜（Die Attach Film，DAF）是一种常用于半导体制造中的封装材料，通常由一层基材、一层粘合剂以及一层保护膜组成。它的主要作用是固定芯片和基板之间的位置，并提供电气和热传导路径。DAF膜是一种非常方便的封装材料，因为它可以在生产过程中快速、准确地定位芯片，并且可以在高温下快速粘合。
然而，大部分的DAF膜主要由粘性强热导率差的有机材料制成，导致利用DAF膜封装的芯片在工作中产生的热量无法得到有效地传输，容易造成局部积热、温度升高等问题。
因此，如何在封装晶圆的过程中提高DAF膜的热导率成为本领域技术人员当前亟待解决的问题。
发明内容
本申请实施例在于提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置，旨在提高晶圆封装过程中的DAF膜的热导率，提高晶圆封装结构的散热效果。
本申请实施例第一方面提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法，所述方法包括：
将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面；
对所述DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，所述盲孔的深度为所述DAF膜的厚度；
在所述DAF膜的表面沉积种子层，使所述种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；
在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至所述第一金属材料完全填充所述盲孔；
去除所述DAF膜表面多余的金属材料，得到所述晶圆的DAF膜封装结构；
利用所述DAF膜封装结构，将所述晶圆封装至基板上。
在一种可选的实施方式中，所述对所述DAF膜进行刻蚀，包括：
采用激光烧蚀的方式，对所述DAF膜进行微纳加工。
在一种可选的实施方式中，所述在所述DAF膜的表面沉积种子层，包括：
采用磁控溅射的方式，在所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面上沉积种子层。
在一种可选的实施方式中，所述在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，包括：
采用电镀的方式，向所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的所述第一金属材料。
在一种可选的实施方式中，所述去除所述DAF膜表面多余的金属材料，包括：
通过研磨和抛光，去除所述DAF膜表面上的所述种子层的材料，和所述第一金属材料，使所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面平整。
在一种可选的实施方式中，所述将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面，包括：
采用真空贴膜的方式，将所述DAF膜覆盖在所述晶圆的所述第一表面，所述晶圆为加工后的晶圆，所述第一表面为所述晶圆的加工面的背面。
在一种可选的实施方式中，所述第一金属材料为铜，所述种子层的材料为铜和/或钛。
本申请实施例第二方面提供了一种基于DAF膜的晶圆封装结构，所述晶圆封装结构包括：晶圆和DAF膜封装结构；
所述DAF膜封装结构覆盖在所述晶圆的第一表面；
所述DAF膜封装结构为嵌入多个金属柱的DAF膜结构，所述金属柱的高度与所述DAF膜结构的厚度相同。
在一种可选的实施方式中，所述DAF膜封装结构是通过本申请实施例第一方面中任一项所述的基于DAF膜的晶圆封装方法制备得到的。
本申请实施例第三方面还提供了一种基于DAF膜的晶圆封装装置，所述装置包括：
DAF膜覆盖模块，用于将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面；
盲孔生成模块，用于对所述DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，所述盲孔的深度为所述DAF膜的厚度；
种子层生成模块，用于在所述DAF膜的表面沉积种子层，使所述种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；
第一金属材料填充模块，用于在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至所述第一金属材料完全填充所述盲孔；
去除模块，用于去除所述DAF膜表面多余的金属材料，得到所述晶圆的DAF膜封装结构；
封装模块，用于利用所述DAF膜封装结构，将所述晶圆封装至基板上。
在一种可选的实施方式中，所述盲孔生成模块，包括：
激光烧蚀子模块，用于采用激光烧蚀的方式，对所述DAF膜进行微纳加工。
在一种可选的实施方式中，所述种子层生成模块，包括：
磁控溅射子模块，用于采用磁控溅射的方式，在所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面上沉积种子层。
在一种可选的实施方式中，所述第一金属材料填充模块，包括：
电镀子模块，用于采用电镀的方式，向所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的所述第一金属材料。
在一种可选的实施方式中，所述去除模块，包括：
平整化处理子模块，用于通过研磨和抛光，去除所述DAF膜表面上的所述种子层的材料，和所述第一金属材料，使所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面平整。
在一种可选的实施方式中，所述DAF膜覆盖模块，包括：
真空贴膜子模块，用于采用真空贴膜的方式，将所述DAF膜覆盖在所述晶圆的所述第一表面，所述晶圆为加工后的晶圆，所述第一表面为所述晶圆的加工面的背面。
本申请实施例提出的一种基于DAF膜的晶圆封装方法，所述方法包括：将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面；对所述DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，所述盲孔的深度为所述DAF膜的厚度；在所述DAF膜的表面沉积种子层，使所述种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至所述第一金属材料完全填充所述盲孔；去除所述DAF膜表面多余的金属材料，得到所述晶圆的DAF膜封装结构；利用所述DAF膜封装结构，将所述晶圆封装至基板上。
具体有益效果在于：本申请通过在DAF膜上进行刻蚀，得到多个盲孔，通过向盲孔中填充第一金属材料，实现了在DAF中嵌入多个金属柱。利用金属材料导热性能好的特点，通过DAF膜中的金属柱，将热量从晶圆底部导出，提升了晶圆封装结构中DAF膜的导热性能。此外，本申请所提出的提升DAF膜热导率的方法，适用于任意类型的DAF膜，不受DAF膜产品型号的限制，扩大了应用范围，降低了实践成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一实施例提出的一种基于DAF膜的晶圆封装方法的步骤流程图；
图2是本申请一实施例提出的一种晶圆封装方法中形成的DAF膜覆盖晶圆的结构示意图；
图3是本申请一实施例提出的一种晶圆封装方法中形成的盲孔的结构示意图；
图4是本申请一实施例提出的一种晶圆封装方法中形成的种子层的结构示意图；
图5是本申请一实施例提出的一种晶圆封装方法中形成的填充第一金属材料后的结构示意图；
图6是本申请一实施例提出的一种晶圆封装方法中形成的DAF膜封装结构的结构示意图；
图7是本申请一实施例提出的一种基于DAF膜的晶圆封装结构的示意图；
图8是本申请一实施例提出的一种基于DAF膜的晶圆封装装置的结构示意图；
附图标记说明：100、晶圆；101、第一表面；102、DAF膜；103、盲孔；104、种子层；105、第一金属材料；106、DAF膜封装结构；200、基板。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
芯片贴合膜（Die Attach Film，DAF）是一种常用于半导体制造中的封装材料，通常由一层基材、一层粘合剂以及一层保护膜组成。它的主要作用是固定芯片和基板之间的位置，并提供电气和热传导路径。DAF膜是一种非常方便的封装材料，因为它可以在生产过程中快速、准确地定位芯片，并且可以在高温下快速粘合。DAF膜的优点包括：粘接强度高，可以确保芯片在封装过程中不会移位或脱落；热导率高，可以有效地将芯片产生的热量传递到基板上，从而提高封装的散热能力；电气性能优异，可以确保芯片和基板之间的电气连接可靠；生产效率高，可以在短时间内完成芯片贴合的过程。
然而，DAF常用粘性强但是热导率差的有机材料制成，导致芯片在工作中产生的热量无法得到有效地传输，容易造成局部积热、温度升高的问题。DAF膜热导率低会对芯片封装造成以下几个不良影响：1. 散热性能差：芯片在工作过程中会产生热量，如果DAF膜的热导率低，就会影响热量在芯片和基板之间的传递，导致封装的散热性能差。这样会使芯片的温度升高，进而降低芯片的性能和寿命。2. 封装密度低：DAF膜的热导率低会导致芯片和基板之间的间隙较大，无法实现高密度封装。这会限制芯片的封装密度和尺寸，降低芯片的集成度和性能。3. 封装质量低：DAF膜的热导率低可能会导致芯片和基板之间的温度差异，从而产生应力，影响芯片和基板之间的黏附性和封装质量。在贴合过程中，如果DAF膜热导率低，就需要使用较高的贴合温度和压力，这会增加封装过程中的变形和应力，导致封装的可靠性下降。4. 电气性能差：DAF膜的热导率低可能会导致芯片和基板之间的电气连接不良，影响封装的电气性能。此外，热导率低的DAF膜通常会具有较高的电阻和电容，这会降低封装的信号传输速度和稳定性。5. 封装材料可持续性差：DAF膜热导率低通常意味着使用的材料性能较差，对环境产生负面影响。例如，使用低热导率的材料制备的DAF膜可能会增加封装过程中的能耗和污染，降低封装材料的可持续性。
综上所述，DAF膜热导率低会对芯片封装造成严重的不良影响，包括散热性能差、封装密度低、封装质量低、电气性能差和封装材料可持续性差等。因此，在芯片封装中需要选择具有高热导率的DAF膜，以保证封装的性能和可靠性。
有鉴于此，本申请实施例提出一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置，图1示出了一种基于DAF膜的晶圆封装方法的步骤流程图，为了使本领域技术人员更好的理解本申请的制备方法，接下来结合图1对本申请提供的一种基于DAF膜的晶圆封装方法进行详细介绍，如图1所示，所述晶圆封装方法包括如下步骤：
步骤S101，将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面。
在本实施例所提出的晶圆封装方法适用于任意利用DAF膜进行晶圆封装的方法。在本实施例中的封装，可以为晶圆与晶圆之间的封装，也可以是晶圆与基板之间的封装，DAF膜作为中间的粘合剂，将晶圆固定在另一晶圆或基板上。所以，本实施例中第一表面表示晶圆用于封装一侧的表面，即用于粘合DAF膜的一侧表面。
如图2所示，图2示出了一种晶圆封装方法中形成的DAF膜覆盖晶圆的结构示意图，如图2所示，将DAF膜102覆盖在晶圆100的第一表面101上。DAF膜可以为任意类型的DAF膜，在本实施例中，不对DAF膜的类型和型号进行限制。DAF膜一般来说由一层基材、一层粘合剂以及一层保护膜组成，在本申请实施例中，不对其具体的结构进行限制，将DAF膜作为一个整体来进行处理。在本实施例中，可以选择任意一种能够将DAF膜转印到晶圆背面的方法，在本实施例中不对其进行限制。
在一种可选的实施方式中，所述DAF膜可以为添加有导热颗粒（如金属颗粒或无机氧化物颗粒）的DAF膜，或，可以为使用纳米材料制备的DAF膜，或，可以为填充因子（填充材料的体积占比）高的DAF膜等。与其他直接对DAF膜进行改性的方案不同，本申请实施例是在晶圆上覆盖了DAF膜后，再对DAF膜进行改进，以提高其导热率的方案，所以本申请实施例所提出的封装方法适用于各种类型的DAF膜，可以与上述优化后的DAF膜进行结合从而进一步提高DAF膜的热导率。
在一种可选的实施方式中，所述步骤S101，将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面，包括：
采用真空贴膜的方式，将所述DAF膜覆盖在所述晶圆的所述第一表面，所述晶圆为加工后的晶圆，所述第一表面为所述晶圆的加工面的背面。
在本实施例中，可以采用真空贴膜的方式，将DAF膜覆盖并粘合在晶圆的第一表面。本实施例中，晶圆为加工完成后的晶圆，对于晶圆来说，分为正面和背面，正面为加工工艺进行处理的晶圆表面，设有各种集成电路，晶圆的背面在加工工艺中的处理较少，往往仅进行粗略的研磨使背面平滑。在本实施例中，以晶圆的背面作为第一表面进行封装。
步骤S102，对所述DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，所述盲孔的深度为所述DAF膜的厚度。
参照图3，图3示出了一种晶圆封装方法中形成的盲孔的结构示意图，如图3所示，对DAF膜102进行刻蚀，从而在DAF膜中制备得到多个盲孔103。盲孔103的深度等于DAF膜102的厚度，即在刻蚀盲孔时，使得该盲孔的底部为晶圆的第一表面101。在本申请实施例中，不对盲孔的形状进行限制，示例性的，盲孔可以为圆形截面的盲孔，或矩形截面的盲孔。此外，在本实施例中，可以选择任意能够对DAF膜进行图形化刻蚀的方法，例如采用光刻胶进行图形定义并刻蚀等。
在一种可选的实施方式中，所述对所述DAF膜进行刻蚀，包括：
采用激光烧蚀的方式，对所述DAF膜进行微纳加工。
在本实施例中，可以采用激光烧蚀的方式，对DAF膜进行处理，从而制备得到盲孔。微纳加工，又称为微纳米加工，是指对材料进行微小尺度处理和制造，通常包括微米和纳米级别的加工过程。本实施例以任意微纳加工形状进行激光烧蚀，从而制备得到多个盲孔结构。
步骤S103，在所述DAF膜的表面沉积种子层，使所述种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁。
参照图4，图4示出了一种晶圆封装方法中形成的种子层的结构示意图，如图4所示，在DAF膜102的表面沉积种子层104，由于DAF膜中有多个盲孔，所以，同时在盲孔103内（底部和侧壁）沉积有种子层104。
在一种可选的实施方式中，所述在所述DAF膜的表面沉积种子层，包括：
采用磁控溅射的方式，在所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面上沉积种子层。
磁控溅射是物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。在本申请实施例中，可以采用磁控溅射的方式，在DAF膜上沉积种子层，为后续填充第一金属材料做准备。
步骤S104，在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至所述第一金属材料完全填充所述盲孔。
参照图5，图5示出了一种晶圆封装方法中形成的填充第一金属材料后的结构示意图，如图5所示，向盲孔103中填充第一金属材料105，直至该第一金属材料105没过该盲孔103。在本申请实施例中，为了提高DAF膜的导热率，需要选择导热性能较好的材料作为第一金属材料。在本申请实施例中，该第一金属材料可以为金属材料或高导热的填充材料。
在一种可选的实施方式中，所述第一金属材料为铜，所述种子层的材料为铜和/或钛。在本申请实施例中，种子层的材料与填充的第一金属材料需要为相同的或相近的材料，以便于填充的第一金属材料能够与种子层进行结合。例如，第一金属材料为铜，则对应的，种子层的材料为铜，或者钛，又或者可以为铜和钛的组合材料。
在一种可选的实施方式中，所述在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，包括：
采用电镀的方式，向所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的所述第一金属材料。
步骤S105，去除所述DAF膜表面多余的金属材料，得到所述晶圆的DAF膜封装结构。
参照图6，图6示出了一种晶圆封装方法中形成的DAF膜封装结构的结构示意图，如图6所示，在上述步骤S104中，为了确保填充的第一金属材料完全没过了盲孔，会使得DAF膜的表面堆积有多余的金属材料，在使DAF膜的表面平整化的过程中，需要将DAF膜表面的多余的材料去除。
在一种可选的实施方式中，所述去除所述DAF膜表面多余的金属材料，包括：
通过研磨和抛光，去除所述DAF膜表面上的所述种子层的材料，和所述第一金属材料，使所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面平整。
在具体实施时，如图6所示，可以采用研磨和抛光的方式，使DAF膜背离第一表面101的一侧的表面更加平整，在此过程中，可以去除掉该表面上多余的材料，其中包括了DAF膜表面上的种子层104的材料，以及该表面上的第一金属材料105，得到DAF膜封装结构106。在该DAF膜封装结构中，由DAF膜作为具有一定厚度的膜结构，其中嵌入了多个金属柱。当第一金属材料与种子层的材料相同时，金属柱为利用第一金属材料（种子层的材料）制备得到的完整柱体，当第一金属材料与种子层的材料不同时，金属柱的结构如图6所示，金属柱分为两层，是由种子层包裹的第一金属材料形成的柱体，种子层的厚度远小于第一金属材料层的厚度。
在本实施例中，该DAF膜封装结构中的制备的金属柱越多，则该结构的导热性能越好，相对的，该DAF膜封装结构的粘附性会低于完整的DAF膜结构。在实际应用过程中，需要对DAF膜中的金属柱的数量和间距进行参数控制，以避免影响晶圆封装效果。
步骤S106，利用所述DAF膜封装结构，将所述晶圆封装至基板上。
在本实施例中，在完成对DAF膜的加工，制备得到DAF膜封装结构后，可以继续进行晶圆的封装工艺，利用该DAF膜封装结构作为中间的粘合剂，将晶圆封装至基板上。本申请实施例通过在DAF膜上进行刻蚀，得到多个盲孔，通过向盲孔中填充第一金属材料，实现了在DAF膜中嵌入多个金属柱。利用金属材料导热性能好的特点，通过DAF膜中的金属柱，将热量从晶圆底部导出，提升了晶圆封装结构中DAF膜的导热性能。
在相关技术中，提升DAF膜热导率的方法主要可以分为以下几类：①添加导热颗粒：向DAF膜中添加导热颗粒，如金属颗粒或无机氧化物颗粒等，可以显著提高其热导率。这些颗粒可以在DAF膜中形成导热路径，并将芯片产生的热量有效地传递到基板上。然而，添加导热颗粒显著提高DAF膜的热导率的同时，也会增加其机械强度和黏附性的要求。此外，添加过多的导热颗粒可能会导致DAF膜的电气性能受到影响。②使用导热粘合剂：在DAF膜和基板之间使用导热粘合剂，可以增加热传递的表面积，从而提高热导率。导热粘合剂通常具有较高的热导率和较低的热阻，可以有效地提高封装的散热性能。然而，导热粘合剂通常具有较高的成本和较长的固化时间，需要在生产中进行精确的控制和调整。此外，在使用导热粘合剂时，还需要考虑其对芯片和基板的影响，以及其与其他材料的相容性等因素。③优化DAF膜的材料和结构：选择具有较高热导率的材料作为DAF膜的基材，并优化其结构，如减小DAF膜的厚度、增加DAF膜的导热面积等，都可以提高其热导率。例如，使用纳米材料制备的DAF膜可以显著提高其热导率。然而，优化DAF膜的材料和结构提高其热导率的同时，也会影响其机械强度、黏附性以及电气性能等。例如，减小DAF膜的厚度可能会降低其机械强度和黏附性，而增加DAF膜的导热面积可能会影响其电气性能。④提高DAF膜的填充因子：填充因子是指DAF膜中填充材料的体积占比。提高DAF膜的填充因子可以增加导热颗粒的数量和分布密度，从而提高其热导率。然而，提高填充因子也会增加DAF膜的厚度和粘度，影响DAF膜的机械强度和黏附性。另外，填充颗粒过多也会增加DAF膜的粘度，使得其在贴合过程中更难精准定位。
以上四种方式均需要在晶圆粘结DAF膜前单独对DAF膜进行材料改性，无法兼容所有类型的DAF，因此成本较高。本申请实施例在晶圆粘接DAF膜之后，对DAF膜进行刻蚀，得到多个盲孔，向盲孔中填充第一金属材料，实现了在DAF膜中嵌入多个金属柱，从而利用金属柱提高DAF膜的导热效率。本申请实施例所提出的方案可以应用在各种类型的DAF膜中，不需要对DAF膜的材料进行改进，扩大了应用范围，降低了实施成本。
基于相同的发明构思，本申请实施例第二方面提出了一种基于DAF膜的晶圆封装结构，参照图7，图7示出了一种基于DAF膜的晶圆封装结构的示意图，如图7所示，所述晶圆封装结构包括：晶圆和DAF膜封装结构；
所述DAF膜封装结构覆盖在所述晶圆的第一表面；
所述DAF膜封装结构为嵌入多个金属柱的DAF膜结构，所述金属柱的高度与所述DAF膜结构的厚度相同。
如图7所示，在晶圆100的第一表面101上制备得到DAF膜封装结构106，利用该DAF膜封装结构106将晶圆100固定在基板200上，得到晶圆封装结构。如图7所示，该DAF膜封装结构106主要由DAF膜102和嵌入该DAF膜中的多个金属柱构成，该金属柱中包括第一金属材料105和种子层104，第一金属材料105与种子层104的材料可以为相同或相近的材料。需要知道的是，实际应用中，基材的厚度、晶圆的厚度远大于DAF膜的厚度，在本申请附图中，为了对DAF膜中的结构进行细节展示，
在一种可选的实施方式中，所述DAF膜封装结构是通过本申请实施例第一方面中任一项所述的基于DAF膜的晶圆封装方法制备得到的。
基于相同的发明构思，本申请实施例第三方面提出了一种基于DAF膜的晶圆封装装置，参照图8，图8示出了一种基于DAF膜的晶圆封装装置的结构示意图，如图8所示，所述装置包括：
DAF膜覆盖模块，用于将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面；
盲孔生成模块，用于对所述DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，所述盲孔的深度为所述DAF膜的厚度；
种子层生成模块，用于在所述DAF膜的表面沉积种子层，使所述种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；
第一金属材料填充模块，用于在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至所述第一金属材料完全填充所述盲孔；
去除模块，用于去除所述DAF膜表面多余的金属材料，得到所述晶圆的DAF膜封装结构；
封装模块，用于利用所述DAF膜封装结构，将所述晶圆封装至基板上。
在一种可选的实施方式中，所述盲孔生成模块，包括：
激光烧蚀子模块，用于采用激光烧蚀的方式，对所述DAF膜进行微纳加工。
在一种可选的实施方式中，所述种子层生成模块，包括：
磁控溅射子模块，用于采用磁控溅射的方式，在所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面上沉积种子层。
在一种可选的实施方式中，所述第一金属材料填充模块，包括：
电镀子模块，用于采用电镀的方式，向所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的所述第一金属材料。
在一种可选的实施方式中，所述去除模块，包括：
平整化处理子模块，用于通过研磨和抛光，去除所述DAF膜表面上的所述种子层的材料，和所述第一金属材料，使所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面平整。
在一种可选的实施方式中，所述DAF膜覆盖模块，包括：
真空贴膜子模块，用于采用真空贴膜的方式，将所述DAF膜覆盖在所述晶圆的所述第一表面，所述晶圆为加工后的晶圆，所述第一表面为所述晶圆的加工面的背面。
需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
还需要说明的是，在本文中，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，诸如“第一”和“第二”之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序，也不能理解为指示或暗示相对重要性。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
以上对本申请所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请，在具体实施方式及应用范围上均会有不同形式的改变之处，这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举，而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请的保护范围之中。
Claims (7)
1.一种基于DAF膜的晶圆封装方法，其特征在于，所述方法包括：
采用真空贴膜的方式，将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面，所述晶圆为加工后的晶圆，所述第一表面为所述晶圆的加工面的背面；
对所述DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，所述盲孔的深度为所述DAF膜的厚度；所述对所述DAF膜进行刻蚀，包括：采用激光烧蚀的方式，对所述DAF膜进行微纳加工；
在所述DAF膜的表面沉积种子层，使所述种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；
在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至所述第一金属材料完全填充所述盲孔；
去除所述DAF膜表面多余的金属材料，得到所述晶圆的DAF膜封装结构；
利用所述DAF膜封装结构，将所述晶圆封装至基板上。
2.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，所述在所述DAF膜的表面沉积种子层，包括：
采用磁控溅射的方式，在所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面上沉积种子层。
3.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，所述在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，包括：
采用电镀的方式，向所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的所述第一金属材料。
4.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，所述去除所述DAF膜表面多余的金属材料，包括：
通过研磨和抛光，去除所述DAF膜表面上的所述种子层的材料，和所述第一金属材料，使所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面平整。
5.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，所述第一金属材料为铜，所述种子层的材料为铜和/或钛。
6.一种基于DAF膜的晶圆封装结构，其特征在于，所述晶圆封装结构包括：晶圆和DAF膜封装结构；
所述DAF膜封装结构覆盖在所述晶圆的第一表面；
所述DAF膜封装结构为嵌入多个金属柱的DAF膜结构，所述金属柱的高度与所述DAF膜结构的厚度相同；所述DAF膜封装结构是通过权利要求1-5中任一项所述的基于DAF膜的晶圆封装方法制备得到的。
7.一种基于DAF膜的晶圆封装装置，其特征在于，所述装置包括：
DAF膜覆盖模块，用于采用真空贴膜的方式，将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面，所述晶圆为加工后的晶圆，所述第一表面为所述晶圆的加工面的背面；
盲孔生成模块，用于对所述DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，所述盲孔的深度为所述DAF膜的厚度；所述对所述DAF膜进行刻蚀，包括：采用激光烧蚀的方式，对所述DAF膜进行微纳加工；
种子层生成模块，用于在所述DAF膜的表面沉积种子层，使所述种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；
第一金属材料填充模块，用于在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至所述第一金属材料完全填充所述盲孔；
去除模块，用于去除所述DAF膜表面多余的金属材料，得到所述晶圆的DAF膜封装结构；
封装模块，用于利用所述DAF膜封装结构，将所述晶圆封装至基板上。
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