CN116699912A - 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板一侧层叠设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和液晶取向层，沿第一方向，显示区内的第一绝缘层厚度小于非显示区内的第一绝缘层厚度；在非显示区内，第一金属层在衬底基板的垂直投影与第二金属层在衬底基板的垂直投影至少部分交叠，沿第二方向，在第二金属层的两侧分别设置有至少一个凹槽；液晶取向层覆盖显示区和非显示区，利用高段差断开非显示区中液晶取向层在第二金属层远离衬底基板一侧的至少部分区域，阻断外界水汽沿液晶取向层漫延至显示区，避免形成气泡，从而提高产品的信赖性和显示效果。

Description

一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，人们希望进一步降低液晶显示屏(Liquid CrystalDisplay，LCD)的生产成本，这往往通过减少显示面板中膜层的光刻制程(即mask数)来实现。当前HD(High Definition，HD)7mask技术已得到较为广泛的开发，其中，7mask技术指的是在玻璃上实现形成液晶显示屏阵列基板的薄膜晶体管(TFT)和像素电极(ITO)的过程，即在制备阵列基板的7个膜层时分别采用一道光刻工艺，以实现各个膜层的图案。

相对于8mask技术，7mask技术进一步去掉的是阵列基板的平坦化(PlanarizationLayer，PLN)层的光刻制程，由于光刻制程减少，在减小制程工艺成本的同时，也带来了许多问题，尤其对产品的信赖性影响较大。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，通过设置增加阵列基板的非显示区和显示区所能构成的段差，利用高段差断开第二金属层远离衬底基板一侧的液晶取向层，从而阻断外界水汽沿液晶取向层漫延至显示区内，避免形成气泡，从而提高产品的信赖性和显示效果。

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：显示区和围绕所述显示区的非显示区；

所述阵列基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧层叠设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和液晶取向层，沿垂直于所述阵列基板所在平面的方向，所述显示区内的第一绝缘层厚度小于所述非显示区内的第一绝缘层厚度；

在所述非显示区内，所述第一金属层在所述衬底基板的垂直投影与所述第二金属层在所述衬底基板的垂直投影至少部分交叠，沿平行于所述衬底基板所在平面的方向，在所述第二金属层靠近所述显示区的一侧设置有至少一个第一凹槽，在所述第二金属层远离所述显示区的一侧设置有至少一个第二凹槽；

所述液晶取向层覆盖所述显示区和所述非显示区，且所述液晶取向层在所述第二金属层远离所述衬底基板一侧的至少部分区域断开。

第二方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，用于制备第一方面提供的阵列基板。

第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括第一方面提供的阵列基板。

第四方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括第三方面提供的显示面板。

本发明实施例提供的阵列基板，通过在第一金属层和第二金属层之间设置厚度较厚的绝缘层，进而增加阵列基板的非显示区和显示区所能构成的段差，在非显示区内，设置第一金属层在衬底基板的垂直投影与第二金属层在衬底基板的垂直投影至少部分交叠，以压缩非显示区的体积，且在非显示区第二金属层的两侧分别设置至少一个凹槽，利用高段差断开第二金属层远离衬底基板一侧的液晶取向层，从而阻断外界水汽沿液晶取向层漫延至显示区内，避免形成气泡，提高产品的信赖性和显示效果。

附图说明

图1是现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2是图1中沿AA’方向的一种截面示意图；

图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图4是图3中沿BB’方向的一种截面示意图；

图5是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图6是图5中沿CC’方向的另一种截面示意图；

图7是本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的示意图；

图8是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图9是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1是现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；图2是图1中沿AA’方向的一种截面示意图。如图1和图2所示，现有技术中的一种阵列基板100包括显示区A1和非显示区A2，阵列基板100包括衬底基板101以及位于衬底基板101一侧层叠设置的第一金属层102、绝缘层103、第二金属层104和液晶取向层105，采用HD 7mask技术，在非显示区A2中去掉了PLN层后，面板边框处无较高段差的挖槽结构，无法实现液晶取向膜层105(PI膜层)的破裂，在产品信赖性实验中，外界水汽通过PI膜层会更容易漫延至盒内结构中，易在显示区A1内形成气泡(bubble)，因此，采用该种结构的阵列基板100应用在显示屏中，存在产品的信赖性变差以及显示效果变差等问题。

基于上述技术问题，发明人进一步研究出本发明实施例的技术方案。具体的，本发明实施例提供一种阵列基板，包括显示区和围绕显示区的非显示区；阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板一侧层叠设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和液晶取向层，沿垂直于阵列基板所在平面的方向，显示区内的第一绝缘层厚度小于非显示区内的第一绝缘层厚度；在非显示区内，第一金属层在衬底基板的垂直投影与第二金属层在衬底基板的垂直投影至少部分交叠，沿平行于衬底基板所在平面的方向，在第二金属层靠近显示区的一侧设置有至少一个第一凹槽，在第二金属层远离显示区的一侧设置有至少一个第二凹槽；液晶取向层覆盖显示区和非显示区，且液晶取向层在第二金属层远离衬底基板一侧的至少部分区域断开。

采用上述技术方案，通过在第一金属层和第二金属层之间设置厚度较厚的绝缘层，进而增加阵列基板所能构成的段差，在非显示区内，设置第一金属层在衬底基板的垂直投影与第二金属层在衬底基板的垂直投影至少部分交叠，且在第二金属层的两侧分别设置至少一个凹槽，在非显示区(边框区域)利用高段差阻断第二金属层远离衬底基板一侧的液晶取向层，从而可以防止外界水汽沿液晶取向层漫延至显示区内，避免显示区形成气泡(bubble)，从而提高产品的信赖性和显示效果。

以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图4是图3中沿BB’方向的一种截面示意图。结合图3-图4所示，本发明实施例提供的阵列基板200包括显示区AA和围绕显示区AA的非显示区NA；阵列基板200包括衬底基板201以及位于衬底基板201一侧层叠设置的第一金属层202、第一绝缘层203、第二金属层204和液晶取向层205，沿垂直于阵列基板200所在平面的方向(第一方向，图中Z方向所示)，显示区AA内的第一绝缘层203厚度D1小于非显示区NA内的第一绝缘层203厚度D2；在非显示区NA内，第一金属层202在衬底基板201的垂直投影与第二金属层204在衬底基板201的垂直投影至少部分交叠，沿平行于衬底基板200所在平面的方向(第二方向，如图中X方向所示)，在第二金属层204靠近显示区AA的一侧设置有至少一个第一凹槽N1，在第二金属层204远离显示区NA的一侧设置有至少一个第二凹槽N2；液晶取向层205覆盖显示区AA和非显示区NA，且液晶取向层205在第二金属层204远离衬底基板201一侧的至少部分区域断开。

具体的，结合图3-图4所示，阵列基板200包括显示区AA，显示区AA用于正常显示画面，非显示区NA围绕显示区AA，为阵列基板200的边框区。阵列基板200的衬底基板201可以为玻璃或硅片等刚性材料，也可为超薄玻璃、金属箔或高分子塑料材料等柔性材料，柔性或者刚性衬底基板201可以阻挡氧和湿气，防止湿气或杂质通过衬底基板201向阵列基板200内部扩散。

本发明实施例中将原本用于隔绝第一金属层202和第二金属层204的ILD(Inter-Layer Dielectric，ILD)绝缘层材料设置成厚度较厚的第一绝缘层203，第一绝缘层203可以采用有机材料。对显示区AA和非显示区NA内的第一绝缘层203的厚度进行差异化设计，设置非显示区NA内的第一绝缘层203厚度D2大于显示区AA内的第一绝缘层203厚度D1，即D2＞D1，进而可以增加阵列基板200的非显示区NA和显示区AA所能构成的段差。

在非显示区NA内，第一金属层202和第二金属层204可以是金属走线层，作为一个示例，第一金属层202可以包括多条扫描线，用于传输扫描信号；第二金属层204可以包括多条数据线，用于传输数据信号。第一金属层202和第二金属层204的材料可以包括但不限于Cr、Pt、Ru、Au、Ag、Mo、Al、W、Cu和/或AlNd的金属；或者，包括但不限于ITO、GIZO、GZO、IZO(InZnO)或AZO(AlZnO)的金属或导电氧化物。可以采用图案化制备工艺，制备第一金属层202和第二金属层204。

进一步，在mask制程中，设置第一金属层202在衬底基板201的垂直投影与第二金属层204在衬底基板201的垂直投影至少部分交叠，由于第一金属层202和第二金属层204位于不同的膜层，可以在非显示区NA的同一区域的同方向Z上，设置更多的金属走线，节省非显示区NA的空间，从而压缩边框区的体积，实现榨边框设计。作为一个示例，设置第一金属层202在衬底基板201的垂直投影与第二金属层204在衬底基板201的垂直投影交叠。

在非显示区NA内，沿图中X方向(第二方向)所示，通过对第二金属层204下方的膜层挖槽，至少在第二金属层204的两侧分别设置一个凹槽。作为一个示例，图4中在第二金属层204靠近显示区AA的一侧设置了2个第一凹槽N1，在第二金属层204远离显示区AA的一侧设置了1个第二凹槽N2。其中，第一凹槽N1和第二凹槽N2可以是贯穿第一绝缘层203的通孔，如图4所示；也可以是没有贯穿第一绝缘层203的盲孔，这里不做限制，可以根据后续液晶取向层205断开的程度，进行合理的调整。

液晶取向层205沿着阵列基板200的表面覆盖显示区AA和非显示区NA，由于非显示区NA和显示区AA形成了较大的段差，在液晶取向层205漫延的过程中，较高的膜层段差可使其顶部的厚度变薄，有利于覆盖第二金属层204且远离衬底基板201一侧的液晶取向层205断裂(如图4中虚线箭头所示)，在非显示区NA，形成非连续的液晶取向层205。其中，液晶取向层也可以称为取向膜(Direct Action Membrane，DAM)，用于控制液晶分子的扭曲状态。

在产品信赖性实验中，非显示区NA中液晶取向层205的断裂位置，可以阻断外界水汽沿液晶取向层205漫延至显示区AA，避免外界水汽进入显示区AA形成气泡(bubble)，通过设置断裂位置，可以提高产品的信赖性和显示效果。

需要说明的是，本文中的“图案化”具体是指非整层结构，即制作过程中先形成整层的材料再刻出具体形状后的结构。

综上，本发明实施例提供的阵列基板，通过在第一金属层和第二金属层之间设置厚度较厚的绝缘层，进而增加阵列基板的非显示区和显示区所能构成的段差，在非显示区内，设置第一金属层在衬底基板的垂直投影与第二金属层在衬底基板的垂直投影至少部分交叠，以压缩非显示区的体积，且在在非显示区第二金属层的两侧分别设置至少一个凹槽，利用高段差断开第二金属层远离衬底基板一侧的液晶取向层，有利于阻断外界水汽沿液晶取向层漫延至显示区AA内，避免形成气泡(bubble)，提高产品的信赖性和显示效果。

图5是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图6是图5中沿CC’方向的另一种截面示意图。

在上述实施例的基础上，结合图5和图6所示，在非显示区NA内，第一金属层202包括第一走线221，第一走线221围绕显示区AA一周设置，第二金属层204包括第二走线241，第二走线241围绕显示区AA一周设置；第一走线221在衬底基板201的垂直投影与第二走线241在衬底基板201的垂直投影至少部分交叠；第一绝缘层203包括多个第一通孔M1，第一走线221和第二走线241通过第一通孔M1电连接。

具体的，结合图5和图6所示，将第一走线221围绕显示区AA一周设置，第二走线241围绕显示区AA一周设置，且设置第一走线221在衬底基板201的垂直投影与第二走线241在衬底基板201的垂直投影至少部分交叠。作为一个示例，可以设置第一走线221位于第二走线241的正下方，通过打孔的方式，在第一走线221和第二走线241之间的膜层中开设多个第一通孔M1，通过第一通孔M1将第一走线221和第二走线241电连接，可以使第一走线221和第二走线241具有相同电位，从而传输相同的驱动信号。

在上述实施例的基础上，结合图6所示，第一走线221和第二走线241与固定电位电连接。

具体的，可以将第一走线221和第二走线241与固定电位电连接，第一走线221和第二走线241并联。作为一个示例，固定电位可以是5V、12V等的直流电压，向第一走线221和第二走线241提供固定电压；或者固定电位接地(GND)，阵列基板200的非显示区NA通过环绕显示区AA的第一走线221和第二走线241接地，可以起到静电释放的作用，对阵列基板200进行静电防护。

其中，固定电位可以是阵列基板中电压稳定的电压端，如电源电压输入端、电源电压输出端等。

在上述实施例的基础上，继续结合图3-图6所示，第一绝缘层203包括有机层，显示区AA内的第一绝缘层203厚度为0.5μm～0.6μm，非显示区NA内的第一绝缘层203厚度为2μm～3μm。

作为一个示例，第一绝缘层203采用有机层，其材料可以包括但不限于聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯以及聚醚砜等。

通常，显示区AA内的第一绝缘层203厚度在0.5μm～0.6μm之间，本发明实施例有机层的厚度可以根据阵列基板200的厚度适当增加，在阵列基板200的制备工艺中，设置非显示区NA内的第一绝缘层203厚度在2μm～3μm之间，使得非显示区NA内的第一绝缘层203的厚度与显示区AA内的第一绝缘层203的厚度存在最小1.4μm和最大2.4μm的厚度差，有利于非显示区NA处内的液晶取向层205的断裂，起到阻断外界水汽沿液晶取向层205漫延至显示区AA的目的。

作为一个示例，继续结合图3-图6所示，第一绝缘层203为平坦化层(PLN)。既可以对制备完第一金属层202的阵列基板进行平坦化的效果，又容易实现非显示NA和显示区AA的断差，达到非显示区NA处内的液晶取向层205断裂的目的。

在上述实施例的基础上，继续结合图3-图6所示，在显示区AA内包括多个薄膜晶体管31，薄膜晶体管31包括半导体有源层312、栅极(图中未示出)、源极(图中未示出)和漏极311，半导体有源层312位于第一金属层202与衬底基板201之间或第一金属层202远离衬底基板201的一侧，栅极位于第一金属层202，源极和漏极312位于第二金属层204。

示例性的，结合图4和图6所示，阵列基板200包括位于衬底基板201一侧的驱动电路层30，驱动电路层30包括多个薄膜晶体管31，薄膜晶体管31包括位于衬底基板201上的半导体有源层312，位于半导体有源层312上的栅极绝缘层313，位于栅极绝缘层313上的栅极(图中未示出)，位于栅极之上的第一绝缘层203，位于第一绝缘层203上的电容层(图中未示出)，位于电容层上的源极(图中未示出)和漏极311，第一金属层202可以为薄膜晶体管31的栅极金属层(图中未示出)，第二金属层204可以为薄膜晶体管31的源极(图中未示出)和漏极311金属层。源电极和漏极311分别通过接触孔(图中未示出)电连接到源极区域和漏极区域。

需要说明的是，由于阵列基板剖面选取的位置，图4和图6中并未示出完整的薄膜晶体管31的结构，本实施例提供的阵列基板还包括其他膜层，共同作用实现阵列基板的显示功能，这里不做一一展开描述。

在上述实施例的基础上，继续结合图3-图6所示，阵列基板200还包括位于第二金属层204远离衬底基板201一侧的第二绝缘层206；在显示区AA内，还包括像素电极层40，像素电极层40包括像素电极41和公共电极42，像素电极41通过位于第二绝缘层206的第二通孔M2与漏极311电连接。

具体的，结合图4和图6所示，在显示区AA内，阵列基板200还包括位于驱动电路区30远离衬底基板201一侧的像素电极层40，像素电极层40包括多个像素电极41和公共电极42。像素电极41和公共电极42可以采用透明导电材料，例如，ITO(氧化铟锡)，IZO(氧化铟锌)、ITO/Ag/ITO等。在第二金属层204和像素电极41之间还设置第二绝缘层206，其材料可以包括但不限于聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯以及聚醚砜等。

本实施例中，可以对第二绝缘层206和漏极311之间打孔，利用第二绝缘层206的第二通孔M2将薄膜晶体管31的漏极311与像素电极41电连接，通过设置第二绝缘层206可保证过孔连接电流信号传输，从而向像素电极311提供像素驱动电压，实现驱动阵列基板发光。

在其他实施例中，图4和图6中的漏极311也可以为薄膜晶体管31的源极，像素电极41也可以与薄膜晶体管31的源极电连接，薄膜晶体管31的源极向像素电极41提供像素驱动电压，实现驱动阵列基板上方的液晶层偏转。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法。图7是本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的示意图。结合图3-图7所示，本发明实施例提供的阵列基板200包括显示区AA和围绕显示区AA的非显示区NA，制备方法包括：

S101、提供衬底基板。

具体的，结合图4-图6所示，提供衬底基板201，衬底基板201可以为柔性衬底或者刚性衬底。

S102、在衬底基板一侧依次形成第一金属层、第一绝缘层和第二金属层。

S103、沿平行于衬底基板所在平面的方向，在第二金属层靠近显示区的一侧形成至少一个第一凹槽，在第二金属层远离显示区的一侧形成至少一个第二凹槽。

其中，结合图4和图6所示，显示区AA内的第一绝缘层203厚度D1小于非显示区NA内的第一绝缘层203厚度D2，在非显示区NA内，第一金属层202在衬底基板201的垂直投影与第二金属层204在衬底基板201的垂直投影至少部分交叠，液晶取向层205覆盖显示区NA和非显示区NA，且液晶取向层205在第二金属层204远离衬底基板201一侧的至少部分区域断开。

具体的，采用图案化制备工艺，在衬底基板201的一侧依次制备半导体有源层312，在半导体有源层312的制程之后，在阵列基板20的表面涂布栅极绝缘层313；采用图案化工艺，在栅极绝缘层313上制备第一金属层202；在第一金属层202的制程之后，在阵列基板20的表面涂布第一绝缘层203。第一绝缘层203采用有机材料。对显示区AA和非显示区NA内的第一绝缘层203的厚度进行差异化设计，设置非显示区NA内的第一绝缘层203厚度D2大于显示区AA内的第一绝缘层203厚度D1，从而增加阵列基板200的非显示区NA和显示区AA所能构成的段差。

在显示区NA内，第一绝缘层203中打孔，以便后续薄膜晶体管31的漏极311与半导体有源层312电连接。

在第一绝缘层20远离衬底基板的一侧制备第二金属层204。其中，设置第一金属层202在衬底基板201的垂直投影与第二金属层204在衬底基板201的垂直投影至少部分交叠，在非显示区NA的同一区域的方向Z方向上，设置更多的金属走线，节省非显示区NA的空间，以压缩边框区的体积，实现窄边框设计。

沿图中X方向，在非显示区NA中第二金属层204的两侧分别开设至少一个第一凹槽N1和至少一个第二凹槽N2。作为一个示例，如图4和图6所示，在非显示区NA中第二金属层204的两侧，分别开设了2个第一凹槽N1和1个第二凹槽N2。

需要说明的是，在本示例中，可以先制备第二金属层204后，再开设第一凹槽M1和第二凹槽M2；在其他实施例中，还可以通过一道刻蚀工艺，在显示区AA中第一绝缘层203开设通孔，同时在非显示区NA中第一绝缘层203中开设第一凹槽M1和第二凹槽M2，再制备第二金属层204，第二金属层204和凹槽的制备工艺的先后顺序，本发明实施例不做具体限制。

S104、在第二金属层远离衬底基板的一侧形成液晶取向层。

具体在，在第二金属层202的制程之后，依次制备第二绝缘层206和像素电极层40，在阵列基板20的表面涂布液晶取向层205，液晶取向层205沿着阵列基板200的表明覆盖显示区AA和非显示区NA。由于非显示区NA和显示区AA形成了较大的段差，在非显示区NA内，液晶取向层205在覆盖第二金属层204远离衬底基板201一侧易断开，形成非连续的液晶取向层205。在产品信赖性实验中，液晶取向层205的断裂位置，可以阻断外界水汽沿液晶取向层205漫延至显示区AA，避免形成气泡(bubble)，起到提高产品的信赖性和显示效果的作用。

在上述实施例的基础上，继续参照图4和图6所示，第一绝缘层203包括有机层，利用光刻工艺，通过控制显示区和非显示区对应的掩膜版的透光率不同，实现显示区内的第一绝缘层厚度小于非显示区内的第一绝缘层厚度。

具体的，继续结合图4和图6所示，在对非显示区NA进行第二金属层204制程中，第一金属层202与第二金属层204之间的第一绝缘层203的厚度越高，越有利于构成高段差和液晶取向层205断裂，更有利于阻断水汽漫延；而在显示区AA，第一绝缘层203厚度太高会造成工艺上第二金属层204断线等风险。

因此，在显示区AA和非显示区NA，可以通过控制不同的mask透光率，例如采用半色调掩膜(Half Tone Mask，HTM)工艺，使得显示区AA和非显示区NA中的第一绝缘层203形成不同的厚度，获得显示区内的第一绝缘层厚度小于非显示区内的第一绝缘层厚度的结构，使其在非显示区内形成高段差和液晶取向层断裂，在显示区内无需形成高段差和液晶取向层断裂，从而在提高产品信赖性的同时更好地优化显示面板的显示性能。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板。图8为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图，如图8所示，该显示面板包括上述实施方式提供的任一种阵列基板。示例性的，如图8所示，显示面板为液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)，该显示面板600包括阵列基板200、液晶层300、彩膜基板400和背光光源500，背光光源500用于向阵列基板200提供背光。

因此，该显示面板具有上述实施方式中的阵列基板所具有的有益效果，相同之处可参照上文对显示面板的解释说明进行理解，下文不再赘述。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置。图9为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图，如图9所示，该显示装置包括上述实施方式提供的任一种显示面板。示例性的，如图9所示，该显示装置700包括阵列基板200。因此，该显示装置也具有上述实施方式中的显示面板所具有的有益效果，相同之处可参照上文对显示面板的解释说明进行理解，下文不再赘述。

本发明实施例提供的显示装置700可以为图9所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、工控设备、医用显示屏、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (11)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：显示区和围绕所述显示区的非显示区；

所述阵列基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧层叠设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和液晶取向层，沿垂直于所述阵列基板所在平面的方向，所述显示区内的第一绝缘层厚度小于所述非显示区内的第一绝缘层厚度；

在所述非显示区内，所述第一金属层在所述衬底基板的垂直投影与所述第二金属层在所述衬底基板的垂直投影至少部分交叠，沿平行于所述衬底基板所在平面的方向，在所述第二金属层靠近所述显示区的一侧设置有至少一个第一凹槽，在所述第二金属层远离所述显示区的一侧设置有至少一个第二凹槽；

所述液晶取向层覆盖所述显示区和所述非显示区，且所述液晶取向层在所述第二金属层远离所述衬底基板一侧的至少部分区域断开。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述非显示区内，所述第一金属层包括第一走线，所述第一走线围绕所述显示区一周设置，所述第二金属层包括第二走线，所述第二走线围绕所述显示区一周设置；

所述第一走线在所述衬底基板的垂直投影与所述第二走线在所述衬底基板的垂直投影至少部分交叠；

所述第一绝缘层包括多个第一通孔，所述第一走线和所述第二走线通过所述第一通孔电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一走线和所述第二走线与固定电位电连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层包括有机层，所述显示区内的第一绝缘层厚度为0.5μm～0.6μm，所述非显示区内的第一绝缘层厚度为2μm～3μm。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层为平坦化层。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述显示区内包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体有源层、栅极、源极和漏极，所述半导体有源层位于所述第一金属层与所述衬底基板之间或所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧，所述栅极位于所述第一金属层，所述源极和所述漏极位于所述第二金属层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述第二金属层远离所述衬底基板一侧的第二绝缘层；在所述显示区内，还包括像素电极层，所述像素电极层包括像素电极和公共电极，所述像素电极通过位于所述第二绝缘层的第二通孔与所述漏极电连接。

8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述制备方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板一侧依次形成第一金属层、第一绝缘层和第二金属层；

沿平行于所述衬底基板所在平面的方向，在所述第二金属层靠近所述显示区的一侧形成至少一个第一凹槽，在所述第二金属层远离所述显示区的一侧形成至少一个第二凹槽；

在所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧形成液晶取向层；

其中，所述显示区内的第一绝缘层厚度小于所述非显示区内的第一绝缘层厚度，在所述非显示区内，所述第一金属层在所述衬底基板的垂直投影与所述第二金属层在所述衬底基板的垂直投影至少部分交叠，所述液晶取向层覆盖所述显示区和所述非显示区，且所述液晶取向层在所述第二金属层远离所述衬底基板一侧的至少部分区域断开。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层包括有机层，利用光刻工艺，通过控制所述显示区和所述非显示区对应的掩膜版的透光率不同，实现所述显示区内的第一绝缘层厚度小于所述非显示区内的第一绝缘层厚度。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～7任一所述的阵列基板。

11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的显示面板。