CN116682915A - 半导体发光元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半导体发光元件及其制造方法。该发光元件包含：发光叠层，包含相对设置的第一表面以及第二表面，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性，第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；接触电极，形成于所述发光叠层第一表面上，与所述发光叠层接触；以及绝缘层，位于所述发光叠层上，覆盖所述发光叠层和接触电极；其中，所述接触电极包含多种金属元素，所述多种金属元素至少包含一种功函数为不小于5 eV的第二金属，所述第二金属接触于第一表面上。

Description

半导体发光元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体发光元件，尤其涉及一种Ⅲ族氮化物半导体的接触电极及其制作方法。
背景技术
作为Ⅲ族氮化物半导体的n型GaN层与电极的接触利用Ti/Al/Au等金属结构得到比较好的接触电阻值。例如，作为n型接触电极，已经公开了在n型半导体层GaN层上依序形成Ti和Al，叠层比Al熔点高的金属的n型接触电极的形成方法（参照例如专利文献JP1995221103）。在该专利文献JP1995221103中，作为比Al熔点高的金属，举出了Au、Ti、Ni、Pt、W、Mo、Ta、Cu等例子，特别是能够与Ti、Al紧密附着的Au显示出良好的性能。
在该专利文献JP1995221103中，作为具体的n型接触电极，公开了在n型GaN层上依序叠层Ti层、Al层、Au层的电极。具体地说，在专利文献JP1995221103中记载着作为上述n型接触电极的形成方法，在对n型GaN层（接触层）进行干法蚀刻后，在该接触层上依序形成Ti、Al、Au构成的金属电极，最后在400℃以上的温度下，具体地说在600℃进行热处理的技术。上述方法显示出通过在n型GaN层上形成接触电极，能够得到良好的接触电阻，并且能够形成与n型GaN层的紧密附着强度高的接触电极。
如果采用上述方法，在n型半导体层为GaN层的情况下，能够得到接触电阻良好的n型接触电极。
但是，如果改变n型半导体层的组成，例如，为了实现在波长400nm以下的紫外线区域发光，有必要形成由含Al的Ⅲ族氮化物构成的n型半导体层。照上述方法形成n型接触电极，测定电流－电压特性，反而得不到良好的接触电阻值。其主要原因为：含Al的Ⅲ族氮化物半导体与GaN相比电子亲和力小，伴随这一情况，构成电极的金属接触时容易发生肖特基势垒（以金属的功函数减去n型半导体的电子亲和力的差来定义）。也就是说，GaN的电子亲和力大约为2.7eV，是比较大的，因此存在使肖特基势垒不发生的金属，而且即使发生肖特基势垒，其值也比较小。相比之下，AlN的电子亲和力约0.6eV，被认为是极小的，由此可知，特别是含有高浓度Al的Ⅲ族氮化物半导体的电子亲和力小，具有不能够形成肖特基势垒的小功函数的金属不存在。因此，金属接触的情况下无法避免肖特基势垒的发生，为了实现欧姆接触或尽可能接近欧姆接触的接触状态，有必要选定合适的金属，同时控制金属与n型半导体金属的界面状态，使得电子耗尽层的宽度变小，使有效的隧道效应发生。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种发光元件及其制备方法，能够改善发光元件中金属-半导体界面的接触状态，能够达到降低电压与提高发光效率的效果。
根据本发明的一方面，本发明提供一种发光元件，其特征在于，包含：发光叠层，包含相对设置的第一表面以及第二表面，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性，第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；接触电极，形成于所述发光叠层第一表面上，与所述发光叠层欧姆接触；以及绝缘层，位于所述发光叠层上，覆盖所述发光叠层和接触电极；其中，所述接触电极包含多种金属元素，所述多种金属元素至少包含一种功函数为不小于5 eV的第二金属，所述第二金属接触于所述第一表面上。
进一步地，所述第一表面包含具有第一电性的第一部分及具有第二电性的第二部分，所述第二金属至少部分接触于第一表面的第一部分上。
进一步地，所述接触电极至少还包括第一金属，所述第一金属接触于第一表面的第一部分上。
进一步地，所述第一金属与所述第二金属互相熔合分布于第一表面的第一部分上。
进一步地，所述接触电极至少包含一种金属材料的金属氮化物。
进一步地，所述第二金属为铂、金、钯或镍组合的一种或几种。
进一步地，所述第二金属为铂。
进一步地，所述第一金属为钛、铝、铬、铑、钒、钨、钽或钌组合中的一种或几种。
进一步地，还包括第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述绝缘层中至少设置两个通孔，所述第一焊盘电极和第二焊盘电极形成在所述绝缘层上，并通过通孔与所述第一半导体层、第二半导体层电连接。
进一步地，所述发光叠层发出一光线具有小于400纳米的波长。
根据本发明的另一方面，本发明提供一种制造发光元件的方法，包括：形成一发光叠层，所述发光叠层包含相对设置的第一表面以及第二表面，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性，第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；在所述发光叠层第一表面上形成一接触金属层，所述接触金属层包含第一金属和第二金属，其中，所述第二金属的金属功函数不小于5 eV；在700℃至1200℃温度下进行退火处理，所述第二金属接触于所述第一表面。
下文通过具体实施例配合所附的附图详加说明，当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。
附图说明
图1至图5为根据本发明一实施例的半导体发光元件制造工艺剖视图；
图6为根据本发明一实施例的半导体发光元件金属-半导体层界面处剖面的TEM（透过型分析电子显微镜）-EDX（能量分散型X射线分光法）的分析结果；
图7为根据本发明另一实施例的半导体发光元件制造工艺剖视图；
图8为根据本发明另一实施例的半导体发光元件制造工艺剖视图。
图示说明：
1发光元件；10 衬底；11第一半导体层；12 有源层；13 第二半导体层；14透明导电层；15a 接触金属层；15b 第一接触电极；16 第二接触电极；17 绝缘层；18 第一焊盘电极；19 第二焊盘电极；20发光叠层；20a第一表面；20b第二表面； 20a1第一部分；20a2第二部分；111第一层；131第二层；151第一金属；152第二金属。
实施方式
参照图1至图5，制造发光元件1的方法包含下述步骤：提供一发光叠层20，发光叠层20包含相对设置的第一表面20a以及第二表面20b，发光叠层20包含第一半导体层11、有源层12以及第二半导体层13，第一半导体层11具备第一导电性，第二半导体层13具备与第一导电性不同的第二导电性，有源层12介于该第一半导体层11与该第二半导体层13之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；在发光叠层20第一表面20a上形成一接触金属层15a，接触金属层15a包含第一金属151和形成在第一金属151上的第二金属152，其中，第二金属的金属功函数不小于5 eV；在700℃至1200℃温度下进行退火处理，第二金属接触于第一表面20a。
参照图1，在本发明的一实施例中，在衬底10上顺序地层叠具有第一导电性的第一半导体层11、有源层12、具有第二导电性的第二半导体层13的发光叠层20。衬底10，可以使用蓝宝石（Al2O3）基板、碳化硅（SiC）基板、硅（Si）基板、氧化锌（ZnO）基板、氮化镓（GaN）基板、砷化镓（GaAs）基板或磷化镓（GaP）基板等，尤其，优选使用蓝宝石（Al2O3）基板。所述第一半导体层 11、有源层12、第二半导体层13可由Ⅲ族氮化镓系列的化合物半导体组成，例如，GaN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN及包括这些组中的至少一种形成。第一半导体层11是提供电子的层，可通过注入n型掺杂物（例如，Si、Ge、Se、Te、C等）来形成。第二半导体层13是提供空穴的层，可通过注入p型掺杂物（例如，Mg、Zn、Be、Ca、Sr、Ba等）来形成。本发明的方法，特别是第一半导体层11由含Al组分的Ⅲ族氮化物半导体构成的情况下，其中,由满足InxAlyGa1-x-yN（0≦x≦1、0.2≦y≦1）所示的组成的Ⅲ族氮化物半导体构成的情况下，能够发挥良好的效果。
含Al组分的Ⅲ族氮化物半导体的电子亲和力随着Al组分的百分比越高而变得越小,从而与金属接触时肖特基势垒增大，难以得到欧姆接触。本发明的方法中，即使是含Al组分高的Ⅲ族氮化物半导体构成的第一半导体层11，也可以得到优良的效果。因此,在本发明中,Al组分高的Ⅲ族氮化物半导体构成的第一半导体层11的情况下,特别适用。具体地说,当有源层12的发光波长在被称为UV-A(315nm至400nm)的波段内时，第一半导体层11的组成为InxAlyGa1-x-yN（0≦x≦1, 0.2≦y<0.4）。当有源层12的发射波长在被称为UV-B(280nm至315nm)的波段内时，第一半导体层11的组成为InxAlyGa1-x-yN (0≦x≦1, 0.4≦y<0.65)。当有源层12的发射波长在被称为UV-C(小于280nm)的波段内时，第一半导体层11的组成为InxAlyGa1-x-yN (0≦x≦1, 0.65≦y≦1)。
有源层12是第一半导体层11提供的电子和第二半导体层13提供的空穴再次结合而输出预定波长的光的层，可由具备交替地层叠势阱层和势垒层的单层或多层量子阱结构的多层的半导体薄膜形成。有源层12会依据输出的光波长不同的而选择不同的材料组成或配比。
参照图2，在本方面一实施例中，对发光元件1实施平台蚀刻(Mesa Etching)，然后对发光元件1实施表面处理，以提高与后续将形成的第一接触电极15b的界面粘贴力。例如，通过在H2SO4/H2O2/H2O（5:1:1）溶液中将所述发光元件1表面（即，第一半导体层11）浸泡大约10分钟之后，使用去离子水进行洗涤，并利用氮来进行干燥的方式实施一次表面处理，在沉积后续层（即，接触金属层15a）之前，通过在BOE溶液中浸泡大约2分钟后进行干燥的方式实施二次表面处理。这种一次、二次表面处理可根据所需目的选择性地实施，或者也可以省略。经过平台蚀刻处理后，发光叠层20具有第一表面20a以及相对应设置的第二表面20b，且第一表面20a包含第一部分20a1具有第一导电性及第二部分20a2具有第二导电性。
参照图3，在本方面一实施例中，在发光叠层的第一表面的第一部分20a1，即第一半导体层11上顺序地层叠接触金属层15a，其中接触金属层15a包含第一金属151，以及形成于第一金属151上的第二金属152。第一金属151包含钛、铝、铬、铑、钒、钨、钽或钌组合中的至少一种或几种。第二金属152包含功函数不小于5eV的金属。通常金属的功函数因测定方法在数值上有若干不同,但是在本发明中指的是JAP＿48＿4729（1977）记载的功函数。优选地，第二金属包含如金（Au，功函数：5.10eV）、铂（Pt，功函数：5.65eV）、镍（Ni，功函数：5.15eV）或钯（Pd，功函数：5.12）组合中的至少一种或几种。
参照图4，在本方面一实施例中，第一金属151和第二金属152作为接触金属层15a，进行退火处理形成第一接触电极15b得到低接触电阻获得理想的欧姆接触。在高温退火过程中，第一金属151可以萃取InxAlyGa1-x-yN（0≦x≦1、0.2≦y≦1）组分中的N，与其在第一部分20a1（金属-半导体界面）处发生氮化反应形成金属氮化物，使电子耗尽层变薄（使肖特基势垒的宽度变小）。第二金属152由于退火处理引起第二金属152往第一金属151中以及第一部分20a1处扩散从而接触于第一部分20a1，也就是说，第二金属152与第一半导体层11直接接触，因此在第一部分20a1处形成能够发现隧道效果的界面状态，能够实现低接触电阻化，获得理想的欧姆接触。并且第一金属151由于退火处理也会向第二金属152中扩散，使得第一金属151和第二金属152中金属互相扩散熔合。在本实施例中，第一金属151优选为Ti，在高温退火过程中，可以萃取InxAlyGa1-x-yN（0≦x≦1、 0.2≦y≦1）组分中的N，与其在第一部分20a1（金属-半导体界面）处发生氮化反应形成金属氮化物TiN。第二金属152优选为Pt，由于退火处理引起Pt往第一金属151中以及第一部分20a1处扩散从而接触于第一部分20a1，也就是说，Pt与第一半导体层11直接接触。
作为可替换的实施方式，第一金属151可以优选为Ti和Al，在高温退火过程中，Al可以催化InxAlyGa1-x-yN（0≦x≦1、0.2≦y≦1）组分中的N原子与Ti在第一部分20a1处反应形成金属氮化物（AlTi2N），同时Ti和Al之间也形成了TiAl3。第二金属152优选为Pt，由于退火处理引起Pt往第一金属151中以及第一部分20a1处扩散从而接触于第一部分20a1，也就是说，Pt与第一半导体层11直接接触。并且第一金属151由于退火处理向第二金属152中扩散，使得第一金属151和第二金属152中金属互相扩散熔合。参照图6，图6为图4中发光元件1的第一部分20a1（金属-半导体界面）处的剖面的TEM－EDX的分析结果。图6（a）是剖面的TEM像，（b）是该Ga的面内分布图，（c）是该N的面内分布图，（d）是该TEM像的Ti的面内分布图，（e）是该Al的面内分布图，（f）是该Pt的面内分布图。（为了能够更清晰的识别各种元素，在图6中使用白色虚线框圈出各种对应的元素）图6（a）中白色虚线框中分为第一层111和第二层131，第一层111与第二层131之间具有明显的分界面为第一部分20a1处。从图6（b）、6（c）和6（e）可以得知第一层111含有Ga元素、N和Al元素，则可知第一层111为第一半导体层11。结合图6（d）、6（e）和6（f）可知，第二层131含有金属元素，则第二层131为第一接触电极15b。从图6（c）中可以看到第二层131远离第一层111一侧分布有氮元素，可以得知第一接触电极15b中存在金属氮化物。此外，虽然根据图6（c）第一部分20a1处难以辨别有氮元素存在，但是在第一部分20a1（金属-半导体界面）处会形成极薄的金属氮化物AlTi2N。从图6（d）可以得知,在第一部分20a1分布有Ti元素，与第一半导体层11直接接触。从图6（e）可以得知, 在第一部分 20a1分布有Al元素，与第一半导体层11直接接触。从图6（f）可以得知,Pt元素往第一金属151中以及第一部分20a1处扩散从而接触于第一部分20a1，也就是说，Pt与第一半导体层11直接接触。值得一提的是，图6（f）中第二层131上侧含有Pt元素，此Pt元素为后续制程的Pt元素。结合图6（d）、6（e）和6（f）可得出，Ti、Al和Pt元素可在同一位置处量测出，其主要原因是由于退火处理导致金属互相扩散熔合。
作为可替换的实施方式，第一金属151可以优选为Ti和Al，在高温退火过程中，Al可以催化InxAlyGa1-x-yN（0≦x≦1、0.2≦y≦1）组分中的N原子与Ti反应在第一部分20a1处形成金属氮化物（AlTi2N）并与第一半导体层11直接接触，同时 Ti和Al之间也形成了TiAl3。第二金属优选为Pt和Au，由于退火处理引起Pt和Au往第一金属151中以及第一部分20a1处扩散从而接触于第一部分20a1，也就是说，Pt和Au与第一半导体层11直接接触。并且第一金属151由于退火处理向第二金属152中扩散，使得第一金属151和第二金属152中金属互相扩散熔合。
可以理解的是，本发明不局限于上述列举实施例，第一金属151和第二金属152可以根据实际需要和设计要求做出相应的修改的其他组合方式。
作为可替换的实施方式，本实施例中的第二导体层13上也可以有类似的接触电极结构。
在本发明一实施例中，由于发射波长小于400nm的发光元件1中的第一半导体层11由Al组分高的InxAlyGa1-x-yN（0≦x≦1、0.2≦y≦1）构成，因此在形成接触金属层15a之后进行不低于700℃的退火处理，以构成第一接触电极15b与第一半导体层11形成良好接触，降低接触电阻。优选地，退火处理温度为700℃至1200℃。该温度未满700℃的情况下，不仅第一接触电极15b与第一半导体层11之间的无法形成良好接触，而且第一接触电极15b与第一型半导体层的附着不紧密。另一方面，超过1200℃时，第一半导体层11可能发生热分解。因此，考虑到第一半导体层11与第一接触电极15b的附着强度、第一半导体层11的热分解，退火处理的温度最好是700℃以上1200℃以下。此外，该退火处理只要其温度在上述范围内，可以是一定的温度，也可以是在上述范围内变动。
在本发明一实施例中，退火处理的时间根据第一半导体层11的组成、第一接触电极15b的种类、厚度等适当决定即可，但最好是在30秒以上180秒以下的时间范围内实施。此外，该退火处理的时间不含升温过程的时间。升温时间最好是尽可能短，但是由于受装置的容积、性能、热处理温度等的影响，通常以120秒以下为宜，60秒以下则更加理想。升温的最短时间很大的程度上受到装置性能的影响，因此不能够一概限定。
在本发明一实施例中，退火处理没有特别限定，但从防止与第一半导体层11发生副反应考虑，最好是在不活泼气体保护下，例如氮气保护下实施。
在本发明的一实施例中，第一接触电极15b的厚度没有特别限制，最好是10nm以上。此外，第一接触电极15b的厚度的上限因构成的金属的种类不同而不同，最佳厚度也因而有所不同，因此不能够一概限定,但是通常考虑生产效率、经济性，厚度优选采用100nm-300nm之间。
参照图5，在本发明的一实施例中，在第二半导体层13上形成一透明导电层14，透明导电层14的材料可以为氧化铟锡（ITO）、氧化锌（ZnO）、掺铝氧化锌（AZO）、掺氟氧化锡（FTO）、钼氧化（IMO）铟等，其可以采用诸如电子束蒸镀或者离子束溅射等技术形成于第二半导体层13上。透明导电层14具有欧姆接触作用和横向电流扩展作用。在透明导电层14上形成第二接触电极16，第二接触电极16包含Ni、Pt、Mg、Zn、Be、Ag、Au、Ge、Cr、Ti、Al、Sn中选择的至少一种金属。发光元件1上还形成一位于第一接触电极15b、第二接触电极16、透明导电层14以及部分第一半导体层11上的绝缘层17，且设置两个通孔，第一焊盘电极18和第二焊盘电极19形成在所述绝缘层17上，并分别通过通孔与第一半导体层11和第二半导体层13电连接；所述绝缘层17至少包括SiO2层、Si3N4层、Al2O3层、AlN层、Ti3O5层、TiO2层、分布布拉格反射层DBR的一种或其组合，且并不限于此处所列举的示例。作为示例，可以优先选用DBR。
上述结构为发光二极管的实施例结构，本领域技术人员可以在上述实施例结构的基础上根据实际需求进行相应的变化。
本实施例同样提供一种制造发光元件1的方法，与实施例1的相同之处不再赘述，不同之处在于：
实施例1是在发光元件1的第一半导体层11上顺序地层叠接触金属层15a，其中接触金属层15a包含第一金属151，以及形成于第一金属151上的第二金属152；退火处理接触金属层15a，以使接触金属层15a中第一金属151和第二金属152互相熔合形成第一接触电极15b。而实施例2在其保持第一金属151和第二金属152的总厚度及比例不变的情况下，第一金属151和第二金属152可反复堆叠2-10周期，在高温退火过程中可以使第二金属152更容易的往第一金属151中以及第一部分20a1处扩散，同时使第一金属151和第二金属152中的金属互相熔合更均匀，从而使第一部分20a1处阻值更低。本发明不仅局限于此实施例，可以根据实际需要和设计要求做出相应的修改，例如：本实施例中提供了第一金属151和第二金属152的排列周期是2，但相应的第一金属151和第二金属152的排列可以是2-10周期。
本实施例同样提供一种制造发光元件1的方法，与实施例1或2的相同之处不再赘述，不同之处在于：
实施例1是在发光元件1的第一半导体层11上顺序地层叠接触金属层15a，其中接触金属层15a包含第一金属151，以及形成于第一金属151上的第二金属152；退火处理接触金属层15a，以使接触金属层15a中第一金属151和第二金属152互相熔合形成第一接触电极15b。而实施例3通过将第一金属151和第二金属152的金属的合金材料通过溅射或蒸发方法在第一半导体层形成后，再进行退火处理以形成良好的接触。该方法同样可以得到第一金属151中的金属可以萃取InxAlyGa1-x-yN（x≧0, y≧0.2）组分中的N，与其在第一部分20a1处发生氮化反应形成金属氮化物，使电子耗尽层变薄（使肖特基势垒的宽度变小）。第二金属分布在第一部分20a1处与第一半导体层11直接接触，形成能够发现隧道效果的界面状态，可以降低接触电阻。
如上所述，本发明提供一种发光元件及其制备方法，至少具备如下有益技术效果：
本发明提供一种发光元件，包含：发光叠层，包含相对设置的第一表面以及第二表面，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性，第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；接触电极，形成于所述发光叠层第一表面上，与所述发光叠层欧姆接触；以及绝缘层，位于所述发光叠层上，覆盖所述发光叠层和接触电极；其中，所述接触电极包含多种金属元素，所述多种金属元素至少包含一种功函数为不小于5 eV的第二金属，所述第二金属接触于第一表面上。该第二金属接触于第一表面上能够改善发光元件中金属-半导体界面的接触状态，使得电子耗尽层的宽度变小，使有效的隧道效应发生，能够达到降低电压与提高发光效率的效果。
虽然本发明已说明如上，然而其并非用以限制本发明的范围、实施顺序、或使用的材料与制作工艺方法。对于本发明所作的各种修饰与变更，都不脱本发明的精神与范围。

Claims (10)

1.一种发光元件，其特征在于，包含：
发光叠层，包含相对设置的第一表面以及第二表面，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性，第一半导体层含有Al组份，所述Al组份含量大于等于20%，第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光，所述第一表面包含具有第一电性的第一部分及具有第二电性的第二部分；
第一接触电极，形成于所述发光叠层第一表面的第一部分上，与所述第一半导体层接触；以及
绝缘层，位于所述发光叠层上，覆盖所述发光叠层和第一接触电极，所述绝缘层具有通孔；
第一焊盘电极，形成于所述绝缘层上，通过所述绝缘层通孔与所述第一半导体层电连接；
第二焊盘电极，形成于所述绝缘层上，通过所述绝缘层通孔与所述第二半导体层电连接；
其中，所述第一接触电极介于100nm~300nm，所述第一接触电极包含第一金属和第二金属，所述第一金属至少部分接触于所述第一表面的第一部分上，所述第二金属至少包含一种功函数为不小于5 eV的第二金属，所述第二金属至少部分接触于第一表面的第一部分上。
2.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：所述第一金属为钛、铝、铬、铑、钒、钨、钽或钌组合中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：所述第二金属为铂、金、钯或镍组合的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：所述第一金属为钛，所述第二金属为铂。
5.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：所述第一金属为铬，所述第二金属为铂。
6.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：所述第一金属为铬，所述第二金属为金。
7.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：所述第一金属为钛，所述第二金属为金。
8.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：所述第一金属与所述第二金属互相熔合分布于第一表面的第一部分上。
9.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：所述第一表面包含具有第一电性的第一部分及具有第二电性的第二部分，所述第二金属至少部分接触于第一表面的第一部分上。
10.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：所述发光叠层发出一光线具有小于400纳米的波长。
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