KR101008023B1 - 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극 및 이를 이용한화합물 반도체 발광소자 - Google Patents

화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극 및 이를 이용한화합물 반도체 발광소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극 및 이를 이용한 화합물 반도체 발광소자를 개시한다. n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는 화합물 반도체 발광소자의 p형 반도체층 위에 적층되는 본 발명에 따른 p형 전극은, 상기 p형 반도체층 위에 적층되어 상기 활성층에서 방출되는 빛을 반사하는 반사전극층; 열처리시 상기 반사전극층의 뭉침 현상을 방지하기 위하여 상기 반사전극층 위에 적층되는 뭉침방지 전극층; 및 상기 뭉침방지 전극층의 산화를 방지하기 위하여 상기 뭉침방지 전극층 위에 적층되는 산화방지 전극층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
화합물 반도체, 발광소자, 전극, GaN, 질화물 반도체

Description

화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극 및 이를 이용한 화합물 반도체 발광소자{A low-resistance electrode of compound semiconductor light emitting device and a compound semiconductor light emitting device using the electrode}
도 1은 일반적인 LED의 동작 원리를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 2는 화합물 반도체 발광소자 위에 형성된 종래의 p형 전극을 도시하는 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 화합물 반도체 발광소자의 p형 전극의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 4는 종래의 전극과 본 발명에 따른 전극의 열처리 후의 표면을 각각 도시한다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전극의 전류-전압 특성을 나타내는 그래프이다.
도 6a 내지 도 6c는 각각 종래의 전극, 뭉침방지 전극층이 형성된 전극, 산화방지 전극층이 형성된 전극의 표면을 도시한다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제 3 실시예 및 제 4 실시예에 따라 산화방지 전극층이 형성된 전극 구조를 도시하는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 뭉침방지 전극층이 산화된 경우의 전류-전압 특성을 나타내는 그래프이다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 전극의 전류-전압 특성을 나타내는 그래프이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ※
10.....질화물 반도체 13.....n형 질화물 반도체
15.....활성층 17.....p형 질화물 반도체
20.....p형 반사전극 22.....콘택 전극층
24.....뭉침 방지 전극층 26.....산화방지 전극층
30.....n형 전극 40.....사파이어 기판
본 발명은 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극 및 이를 이용한 화합물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
도 1은 일반적인 화합물 반도체 발광소자(LED)의 동작 원리를 개략적으로 도시한다. 도 1에 도시된 바와 같이, LED는, 사파이어 기판(40) 위에 형성된 반도체 발광소자(10)와, 상기 반도체 발광소자(10) 위에 형성된 p형 전극(20), 상기 반도체 발광소자의 일측에 형성된 n형 전극(30)으로 구성되어 있다. 여기서, LED 전극에 순방향의 전압을 가하면, 반도체 발광소자(10)내 p형 클래드층(17)의 전도대에 있는 전자가 n형 클래드층(13)의 가전자대에 있는 정공과 재결합을 위하여 천이되면서 그 에너지 만큼 활성층(15)에서 빛으로 발광된다. 상기 활성층(15)에서 방출된 빛은 반도체 발광소자(10) 위에 형성된 p형 전극(20)에 의해 반사되어 사파이어 기판(40)을 통해 LED 외부로 방출된다. 이렇게, 반도체 발광소자(10)에서 발생된 빛이 기판 위로 직접 방출되지 않고 전극에 의해 반사되어 기판을 통해 방출되는 방식의 LED에서는 p형 전극이 빛을 반사시켜야 하기 때문에 Ag와 같이 반사율이 높은 전도성 금속을 p형 전극으로서 사용한다.
한편, 청색 발광을 위해서는 직접 천이 에너지 밴드갭(direct bandgap energy)이 큰(약 2.8eV이상) 반도체가 필수적이다. 처음에는 주로 II-VI족 3원계 재료를 이용하여 청색이나 녹색 빛을 발광하는 반도체소자가 개발되었으나, 상대적으로 짧은 작동시간 때문에 응용에 문제가 되었다. 그러다가, 최근에는 III-V족 반도체에서 청색 발광을 위한 반도체가 소자가 연구되고 있다. 그 중에서도, Ⅲ족 질화물(주로 GaN와 관련된 화합물) 반도체는 광학적, 전기적, 열적 자극에 매우 안정함을 보이고 발광 효율이 높기 때문에 오늘날 특히 주목되고 있다.
도 2는, GaN와 같은 Ⅲ족 질화물 반도체를 반도체 발광소자로서 사용하는 LED에서, 질화물 반도체(10)의 p형 클래드층(p형 질화물 반도체)(17) 위에 형성된 종래의 p형 전극(20)을 도시한다. 앞서 설명한 바와 같이, 종래에는 p형 질화물 반도체(17) 위에 Ag와 같은 p형 반사전극(20)을 형성하여 사용하였다. p형 질화물 반도체(17) 위에 p형 반사전극(20)을 형성하는 일반적인 과정을 보면, p형 질화물 반도체 위에 전극을 증착시킨 후, 저항을 감소시키기 위하여 어닐링(annealing)을 하 는 과정을 필요로 한다.
그런데, 통상적으로 질화물 반도체의 표면에너지와 Ag와 같이 반사전극으로 사용하는 금속재료의 표면에너지는 서로 큰 차이가 난다. 이러한 표면에너지의 차이로 인해 어닐링 과정에서 Ag 전극에는 도 4(a) 및 4(c)에 도시된 것과 같은 뭉침 현상(Agglomeration)이 발생하게 된다는 것이 일반적으로 알려져 있다. 도 4(a)는 뭉침 현상이 발생한 Ag 전극을 위에서 본 모습이며, 도 4(c)는 뭉침 현상이 발생한 Ag 전극을 측면에서 본 모습이다. 이렇게 Ag 전극에 뭉침 현상이 일어나게 되면, 결과적으로 Ag 전극의 반사도가 떨어지게 되어 전체적인 LED의 광출력이 그 만큼 감소하게 되는 문제가 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는, p형 반사전극에 발생하는 뭉침 현상을 완화하여 질화물 반도체 소자를 발광소자로 이용하는 LED의 광출력 저하를 억제시키는 것이다.
본 발명의 한 유형에 따르면, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는 화합물 반도체 발광소자의 p형 반도체층 위에 적층되는 p형 전극은, 상기 p형 반도체층 위에 적층되어 상기 활성층에서 방출되는 빛을 반사하는 반사전극층; 열처리시 상기 반사전극층의 뭉침 현상을 방지하기 위하여 상기 반사전극층 위에 적층되는 뭉침방지 전극층; 및 상기 뭉침방지 전극층의 산화를 방지하기 위하여 상기 뭉침방지 전극층 위에 적층되는 산화방지 전극층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극은, p형 반도체층과 반사전극층 사이의 접촉저항을 감소시키기 위하여, 상기 p형 반도체층과 반사전극층 사이에 개재되는 콘택 전극층을 더 포함할 수 있다. 상기 콘택 전극층은 La-계 합금, Ni-계 합금, Zn-계 합금, Cu-계 합금, 열전산화물(Thermoelectric Oxide), 도핑된 In 산화물(doped In Oxide), ITO, ZnO 로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반사전극층은 Ag, Rh, Al, Sn 으로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 뭉침방지 전극층은 Zn, Zn-계 합금, Rh, Mg-계 합금, Au, Ni, Ni-계 합금, 도핑된 In 산화물, Cu, Cu-계 합금으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 산화방지 전극층은 Ru, Ir, TiN으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명의 다른 유형에 따르면, 본 발명에 따른 화합물 반도체 발광소자는, n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 발광을 위한 활성층을 갖는 질화물계 화합물 반도체층; 상기 p형 반도체층 위에 적층되어 상기 활성층에서 방출되는 빛을 반사하는 반사전극층; 열처리시 상기 반사전극층의 뭉침 현상을 방지하기 위하여 상기 반사전극층 위에 적층되는 뭉침방지 전극층; 및 상기 뭉침방지 전극층의 산화를 방지하기 위하여 상기 뭉침방지 전극층 위에 적층되는 산화방지 전극층;을 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 뭉침방지 전극층과 p형 반도체층 사이의 표면 에너지의 차이는 상기 반사전극층과 p형 반도체층 사이의 표면에너지의 차이보다 작은 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극 및 이를 이용한 화합물 반도체 발광소자의 구성에 대해 상세하게 설명하도록 한다.
도 3a 및 도 3b는 각각 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 화합물 반도체 발광소자의 p형 전극을 도시하는 단면도이다. 앞서 설명한 바와 같이, Ag와 같은 반사전극(20) 재료는 하층에 있는 p형 질화물 반도체(17) 재료와의 표면에너지 차이가 매우 크기 때문에, 전극의 적층 후 열처리 과정에서 뭉침 현상이 발생하는 문제가 있다. 본 발명의 제 1 실시예는, 이러한 현상을 방지하기 위하여, 도 3a에 도시된 바와 같이, 반사전극(20) 위에 p형 질화물 반도체(17)와의 표면에너지 차이가 작은 전도성 물질을 추가로 적층한다. 이러한 물질로는 Zn, Zn-계 합금(Zn-alloy), Rh, Mg-계 합금(Mg-alloy), Au, Ni, Ni-계 합금(Ni-alloy), 도핑된 In 산화물(Doped In Oxide), Cu, Cu-계 합금 등이 있는데, 특히, 이들 재료들 중에서 보다 양호한 재료를 들자면, Cu, Ni, Rh, Ni-Zn, Ni-Mg 등이 있다. 이러한 재료들은 p형 질화물 반도체(17)와의 표면에너지 차이가 적으면서, 전기전도성 역시 양호하기 때문에 반사전극(20) 위에 적층되어 뭉침 방지층(Agglomeration Preventing Layer; APL)과 전극으로의 역할을 수행할 수 있다. 본 발명의 상세한 설명에서는, 이하에서, 이러한 전극층을 뭉침방지 전극층이라고 부르기로 한다.
반사전극(20) 위에 뭉침방지 전극층(24)이 적층되면, 뭉침방지 전극층(24)에 사용되는 재료와 p형 질화물 반도체(17)와의 표면에너지 차가 적기 때문에, 이후의 열처리 과정에서 발생할 수 있는 변형이 뭉침방지 전극층(24)과 p형 질화물 반도체(17)의 경우에는 서로 비슷하게 된다. 따라서, 뭉침방지 전극층(24)은 반사전극(20)이 열처리 과정에서 뭉침게 되는 것을 방해하게 되어, 전극의 표면이 평탄한 상태를 유지하게 된다. 도 4는 반사전극(20) 위에 뭉침방지 전극층(24)이 적층되지 않은 경우와 적층된 경우를 비교하여 도시한다. 도 4(a) 및 도 4(c)는 뭉침방지 전극층(24)이 적층되지 않았을 때를 도시한 것으로, 무수한 뭉침이 발생하여 있는 것을 확인할 수 있다. 반면, 도 4(b) 및 도 4(d)는 본 발명에 따라 뭉침방지 전극층(24)이 적층되었을 때를 도시한 것으로, 종래와는 달리, 뭉침이 거의 발생하지 않은 것을 확인할 수 있다. 이와 같이, 반사전극(20)에 뭉침이 발생하지 않으면 반사도가 저하되지 않기 때문에 고반사 상태를 유지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 방식으로 형성된 전극을 이용하는 반도체 발광소자는 반사도 저하가 종래에 비해 매우 적어진다.
이때, 뭉침방지 전극층(24)의 두께가 너무 두꺼우면, 전기저항이 높아지는 문제가 있고, 반면 너무 얇을 경우에는 뭉침방지 효과가 없어지므로, 뭉침방지 전극층(24)의 두께를 적당히 조절할 필요가 있다. 뭉침방지 전극층(24)의 두께는 전체 반도체 소자의 크기 및 반사전극(20)의 두께를 고려하여 결정한다. 통상, 반사전극(20)의 두께는 50nm에서 1000nm 사이에 있는데, 200nm를 주로 사용한다. 따라서, 반사전극(20)의 두께가 200nm라 할 때, 뭉침방지 전극층(24)의 두께는 1nm 내지 200nm의 범위 내에 있는 것이 적당하다. 보다 양호하게는, 상기 뭉침방지 전극 층(24)의 두께는 약 20nm 정도인 것이 적당한다.
적층 방식은, 일반적인 전자빔 증착기(E-beam Evaporator)를 이용하여 전자빔에 의해 발생된 반사전극 재료의 금속증기와 뭉침방지 전극층 재료의 금속증기를 기판에 순차적으로 노출시켜 다층박막 구조로 적층한다. 이렇게 적층한 다음에는, 300℃ 내지 600℃ 의 온도 범위 내에서 약 5분간 열처리(Annealing)를 수행한다. 그리고, 열처리 중의 분위기는 적어도 산소를 포함하는 분위기에서 실시하는 것이 바람직하다. 이때, 열처리 시간과 분위기는 본 발명에서 크게 중요한 것은 아니며, 30분이나 그 이상 동안 열처리를 하더라도 무방하다.
한편, 도 3a에서와 같이, 반사전극(20) 위에 뭉침방지 전극층(24)만을 형성할 경우, 전극의 전체적인 접촉저항이 높아지는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에서는, p형 질화물 반도체(17)와 반사전극(20) 사이에 접촉저항을 낮추어 줄 수 있는 추가적인 전극(22)을 적층할 수도 있다. 본 발명의 상세한 설명에서는, 이하에서, 이러한 전극층을 콘택 전극층이라고 부르기로 한다. 상기 콘택 전극층(22)은 질화물 반도체 발광소자의 활성층(15)에서 발생된 빛을 통과시켜 반사전극(20)에 도달할 수 있도록 하고, 또한 반사전극(20)에서 반사된 빛을 통과시켜 사파이어 기판(40)을 통해 방출될 수 있도록 하여야 하기 때문에, 높은 투명도를 가질 것을 요구한다. 이러한 요구사항에 적당한 재료로는, La-계 합금(La-alloy), Ni-계 합금(Ni-alloy), Zn-계 합금(Zn-alloy), Cu-계 합금(Cu-alloy), 열전산화물(Thermoelectric Oxide), 도핑된 In 산화물(doped In Oxide), ITO, ZnO 등이 있는데, 특히, 이들 재료들 중에서 보다 양 호한 재료를 들자면, Zn-Ni 합금, Ni-Mg 합금, Zn-Mg 합금 등을 들 수가 있다.
이때, 상기 콘택 전극층(22)의 두께가 너무 두꺼우면 전체적인 반사도가 떨어지는 문제가 있고, 너무 얇으면 적층의 효과가 떨어지는 문제가 있기 때문에, 콘택 전극층(22)의 두께를 적당히 조절할 필요가 있다. 콘택 전극층(22)의 두께는 전체 반도체 소자의 크기 및 반사전극(20)의 두께를 고려하여 결정하는데, 통상, 반사전극(20)의 두께가 200nm라 할 때, 1nm 내지 200nm의 범위 내에 있는 것이 적당하다. 보다 양호하게는, 상기 콘택 전극층(22)의 두께는 약 3nm 정도인 것이 적당한다.
도 5는, 본 발명의 제 1 실시예에 따라 Ag를 200nm로 적층하여 반사전극(20)을 형성하고, Zn을 50nm로 적층하여 뭉침방지 전극층(24)을 형성한 후, 각각 330℃, 430℃, 530℃로 열처리한 전극의 전기적 특성을 실험한 예이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 동작 전압(3V) 근처에서 전류가 급격히 흐르는 양호한 특성을 확인할 수 있다.
그런데, 뭉침방지 전극층(24)으로서 Cu와 같은 금속 재료를 사용할 경우, 표면의 산화로 인해 전극의 전류-전압 특성이 열화되는 문제가 발생할 수 있다. 즉, 뭉침방지 전극층(24)이 없을 경우, 도 6a와 같이, 반사전극(20)에서 뭉침 현상이 심각하게 나타난다. 이를 방지하기 위해, 반사전극(20) 위에 뭉침방지 전극층(24)을 형성하면, 도 6b와 같이, 표면의 뭉침 현상의 거의 사라졌지만, 부분적으로 뭉침방지 전극층(24)의 산화가 발생한다. 이렇게, 뭉침방지 전극층(24)의 표면이 산화되면, 전극의 전류-전압 특성이 나빠져서 화합물 반도체 발광소자의 동작 전압이 매우 높아지게 된다. 도 8의 그래프에 도시된 바와 같이, 뭉침방지 전극층(24)이 산화된 경우, 첫 번째 전압 인가시 동작 전압이 거의 8V에 가깝게 되었다. 그 후, 전압을 인가할 때마다 차차 전류-전압 특성이 양호해 지게 된다. 따라서, 이러한 산화 문제는 제품의 양산 과정에서 큰 문제가 될 수 있다.
이러한 현상을 방지하기 위해, 도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 뭉침방지 전극층(24) 위에 산화방지 전극층(26)을 추가로 형성한다. 도 7a는 도 3a의 제 1 실시예에 따른 화합물 반도체 발광소자의 p형 전극에서 산화방지 전극층(26)을 추가한 제 3 실시예의 구조를 도시하며, 도 7b는 도 3b의 제 2 실시예에 따른 화합물 반도체 발광소자의 p형 전극에서 산화방지 전극층(26)을 추가한 제 4 실시예의 구조를 도시한다. 이렇게, 산화방지 전극층(26)을 형성할 경우, 도 6c에 도시된 바와 같이, 표면 뭉침 현상도 없으면서 뭉침방지 전극층(24)의 산화도 거의 발생하지 않음을 알 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 산화방지 전극층(26)으로서 Ru, Ir, TiN 등과 같은 재료를 사용할 수 있다. 이러한 산화방지 전극층(26)의 두께는 10nm 내지 100nm 정도인 것이 적당하다.
도 9a는 본 발명의 제 3 실시예에 따라 Ag를 250nm로 적층하여 반사전극(20)을 형성하고, Cu를 30nm로 적층하여 뭉침방지 전극층(24)을 형성하고, Ru를 20nm로 적층하여 산화방지 전극층(26)을 형성한 후, 각각 열처리하지 않은 경우와 330℃, 530℃로 열처리한 경우의 전극의 전기적 특성을 실험한 예이다. 또한, 도 9b는 Ru 대신 TiN을 20nm로 적층한 경우의 전극의 전기적 특성을 실험한 예이다. 도 9a 및 도 9b에 도시된 바와 같이, 첫 번째 전압 인가시에도 동작 전압(3V) 근처에서 전류가 급격히 흐르는 양호한 전류-전압 특성을 확인할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 뭉침방지 전극층을 사용함으로써 열처리 과정에서 반사전극의 표면에 뭉침 현상이 일어나는 것을 방지할 수 있다. 또한, 산화방지 전극층을 상기 뭉침방지 전극층 위에 적층함으로써 뭉침방지 전극층의 산화를 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면 전기적 저항이 매우 낮은 반도체 발광소자용 전극을 얻을 수 있으며, 전력의 소모가 적은 반도체 발광소자를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 반도체 발광소자의 안정적인 양산이 가능하다.

Claims (23)

  1. n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는 화합물 반도체 발광소자의 p형 반도체층 위에 적층되는 p형 전극에 있어서,
    상기 p형 반도체층 위에 적층되어 상기 활성층에서 방출되는 빛을 반사하는 반사전극층;
    열처리시 상기 반사전극층의 뭉침 현상을 방지하기 위하여 상기 반사전극층 위에 적층되는 뭉침방지 전극층; 및
    상기 뭉침방지 전극층의 산화를 방지하기 위하여 상기 뭉침방지 전극층 위에 적층되는 산화방지 전극층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극.
  2. 제 1 항에 있어서,
    p형 반도체층과 반사전극층 사이의 접촉저항을 감소시키기 위하여, 상기 p형 반도체층과 반사전극층 사이에 개재되는 콘택 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 콘택 전극층은 La-계 합금, Ni-계 합금, Zn-계 합금, Cu-계 합금, 열전산화물(Thermoelectric Oxide), 도핑된 In 산화물(doped In Oxide), ITO, ZnO 로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 콘택 전극층의 두께는 0.1nm 내지 200nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 반사전극층은 Ag, Rh, Al, Sn 으로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 반사전극층의 두께는 50nm 내지 1000nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 뭉침방지 전극층은 Zn, Zn-계 합금, Rh, Mg-계 합금, Au, Ni, Ni-계 합금, 도핑된 In 산화물, Cu, Cu-계 합금으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 뭉침방지 전극층의 두께는 1nm 내지 500nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 산화방지 전극층은 Ru, Ir, TiN으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 산화방지 전극층의 두께는 30nm 내지 100nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극.
  11. 제 2 항에 있어서,
    상기 콘택 전극층, 반사전극층, 뭉침방지 전극층, 및 산화방지 전극층은, 전사빔 증착기를 이용하여 순차적으로 증착된 후 300℃ 내지 600℃ 의 온도 범위 내에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 뭉침방지 전극층과 p형 반도체층 사이의 표면에너지의 차이는 상기 반사전극층과 p형 반도체층 사이의 표면에너지의 차이보다 작은 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극.
  13. n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 발광을 위한 활성층을 갖는 질화물계 화합물 반도체층;
    상기 p형 반도체층 위에 적층되어 상기 활성층에서 방출되는 빛을 반사하는 반사전극층;
    열처리시 상기 반사전극층의 뭉침 현상을 방지하기 위하여 상기 반사전극층 위에 적층되는 뭉침방지 전극층; 및
    상기 뭉침방지 전극층의 산화를 방지하기 위하여 상기 뭉침방지 전극층 위에 적층되는 산화방지 전극층;을 포함하는 것을 특징으로 하며,
    상기 뭉침방지 전극층과 p형 반도체층 사이의 표면에너지의 차이는 상기 반사전극층과 p형 반도체층 사이의 표면에너지의 차이보다 작은 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  14. 제 13 항에 있어서,
    p형 반도체층과 반사전극층 사이의 접촉저항을 감소시키기 위하여, 상기 p형 반도체층과 반사전극층 사이에 개재되는 콘택 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 콘택 전극층은 La-계 합금, Ni-계 합금, Zn-계 합금, Cu-계 합금, 열전산화물(Thermoelectric Oxide), 도핑된 In 산화물(doped In Oxide), ITO, ZnO 로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 콘택 전극층의 두께는 0.1nm 내지 200nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  17. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 반사전극층은 Ag, Rh, Al, Sn 으로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 반사전극층의 두께는 50nm 내지 1000nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  19. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 뭉침방지 전극층은 Zn, Zn-계 합금, Rh, Mg-계 합금, Au, Ni, Ni-계 합금, 도핑된 In 산화물, Cu, Cu-계 합금으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 뭉침방지 전극층의 두께는 1nm 내지 500nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  21. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 산화방지 전극층은 Ru, Ir, TiN으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 산화방지 전극층의 두께는 30nm 내지 100nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
  23. 제 14 항에 있어서,
    상기 콘택 전극층, 반사전극층, 뭉침방지 전극층, 및 산화방지 전극층은, 전사빔 증착기를 이용하여 순차적으로 증착된 후 300℃ 내지 600℃ 의 온도 범위 내에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자.
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