CN116682842A - 显示面板及其制备方法、显示装置、阵列基板和临时基板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置、阵列基板和临时基板，显示面板的显示区的第二区域环绕第一区域至少部分设置，显示面板包括阵列基板、发光二极管和键合层；键合层包括键合部，发光二极管通过键合部与阵列基板的第一电极电连接，键合部的第一键合部位于第一区域且包括第一金属间化合物部，键合部的第二键合部位于第二区域且包括第一金属部和第二金属间化合物部，第一金属间化合物部包括第一金属元素和第二金属元素，第一金属部包括第一金属元素，第二金属间化合物部包括第二金属元素，第二金属元素形成的金属单质或者合金的熔点低于第一金属元素形成的金属单质或者合金的熔点。本申请提供的显示面板有利于提高显示面板的产品良率。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置、阵列基板和临时基板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及显示装置及其制备方法、显示装置、阵列基板和临时基板。
背景技术
随着科技的进步，智能手机、平板电脑等数字化显示装置得到广泛的应用，其中，显示面板是这些显示装置中不可或缺的人际沟通界面。诸如微型发光二极管(Micro LED)显示面板，具有自发光、节能降耗、可弯曲、柔韧性佳等优点，且该实现显示的显示装置，其不需要背光源，具有反应速度快和显示效果好的特点，受到用户的关注，被广泛应用于智能手机、平板电脑等终端产品中。
Micro LED的巨量转移工艺，是将Micro LED从临时基板上转移到显示面板的阵列基板上，然而Micro LED在巨量转移工艺后，会出现部分Micro LED与阵列基板电连接不良的现象，造成显示面板工艺良率下降。
发明内容
本申请提供一种显示面板及显示装置，以提高Micro LED在巨量转移工艺后的工艺良率。
第一方面，根据本申请实施例提供的显示面板具有显示区，显示区包括发光二极管设置区，发光二极管设置区包括第一区域和第二区域，第二区域环绕第一区域至少部分设置，显示面板包括阵列基板、多个发光二极管和键合层；阵列基板包括第一电极；多个发光二极管设于阵列基板一侧；键合层设置于第一电极和发光二极管之间，键合层包括多个分立的键合部，发光二极管通过键合部与第一电极电连接，多个键合部包括第一键合部和第二键合部，第一键合部位于第一区域，且包括第一金属间化合物部，第二键合部位于第二区域，且包括层叠设置的第一金属部和第二金属间化合物部，第一金属间化合物部包括第一金属元素和第二金属元素，第一金属部包括第一金属元素，第二金属间化合物部包括第二金属元素，第二金属元素形成的金属单质或者合金的熔点低于第一金属元素形成的金属单质或者合金的熔点。
第二方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括上述实施例提供的显示面板。
第三方面，本申请实施例提供一种阵列基板，包括衬底和第一电极，第一电极设置于衬底的一侧；阵列基板还包括第一金属部和第二金属部中的一者，第一金属部或者第二金属部设置于第一电极背离衬底的一侧，第二金属部的熔点低于第一金属部的熔点；或者，阵列基板还包括第一金属部和第二金属部，第一金属部设于第一电极背离衬底的一侧，第二金属部设于第一金属部背离第一电极的一侧，第二金属部的熔点低于第一金属部的熔点。
第四方面，本申请实施例提供一种临时基板，临时基板包括临时衬底和发光二极管，发光二极管设于临时衬底的一侧，发光二极管具有第二电极；临时基板还包括第一金属部和第二金属部中的一者，设置于第二电极背离临时衬底的一侧，第二金属部的熔点低于第一金属部的熔点；或者，临时基板还包括第一金属部和第二金属部，第一金属部设于第二电极背离临时衬底的一侧，第二金属部设于第一金属部背离第二电极的一侧，第二金属部的熔点低于第一金属部的熔点。
第五方面，本申请实施例提供一种显示面板的制备方法包括：提供阵列基板和临时基板，阵列基板包括衬底和第一电极，第一电极设于衬底的一侧；临时基板包括临时衬底和发光二极管，发光二极管设于临时衬底的一侧，发光二极管具有第二电极，第二电极背离临时衬底设置；阵列基板还包括第一金属部和第二金属部的一者，设于第一电极背离衬底的一侧，第二金属部的熔点低于第一金属部的熔点；临时基板还包括第一金属部和第二金属部中的另一者，设于第二电极背离临时衬底的一侧；或者，阵列基板还包括第一金属部和第二金属部，第一金属部设于第一电极背离衬底的一侧，第二金属部设于第一金属部背离第一电极的一侧，第二金属部的熔点低于第一金属部的熔点；和/或，临时基板还包括第一金属部和和第二金属部，第一金属部设于第二电极背离临时衬底的一侧，第二金属部设于第一金属部背离第二电极的一侧，第二金属部的熔点低于第一金属部的熔点；
将第一电极和第二电极对齐，第一金属部和第二金属部位于第一电极和第二电极之间；
采用面光斑激光对阵列基板和临时基板进行照射，以使面光斑激光中心区域照射的第一金属部和第二金属部全部熔化，而面光斑边缘区域照射的第二金属部熔化而第一金属部不熔化。
本申请实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置、阵列基板和临时基板，通过设置显示面板的第一键合部位于第一区域，第二键合部位于第二区域，且第一键合部包括第一金属间化合物部，第二键合部包括第一金属部和第二金属间化合物部，第一金属间化合物部包括第一金属元素，第二金属间化合物部包括第二金属元素，并设置第二金属元素形成的金属单质或者合金的熔点低于第一金属元素形成的金属单质或者合金的熔点。在采用面光斑激光对发光二极管和第一电极键合之前，可以在第一电极和发光二极管之间层叠设置第一金属部和第二金属部，其中第一金属部为由第一金属元素形成的金属单质或者合金，第二金属部为由第二金属元素形成的金属单质或者合金，在面光斑激光对第一金属部和第二金属照射的过程中，可以选取面光斑激光的合理的温度，以使其中心区域与第一区域对应设置，边缘区域与第二区域对应设置，第一区域的第一金属部和第二金属部的全部熔化，第二区域的第二金属部熔化，而第一金属部不熔化，如此，降低了第一区域因温度过高使得熔化的第一键合部具有较高的流动性而造成发光二极管短路的风险，并降低阵列基板因温度过高而损坏的风险，还可以降低第二区域因温度过低而造成发光二极管与第一电极键合不良的问题，设置熔点不同的第一金属部和第二金属部，可以自适应面光斑激光照射区域的温度不均匀问题，且通过第一金属部和第二金属部层叠的结构，避免了预先估测照射区域的温度而带来的工艺难度，第一金属部和第二金属部可以自匹配照射区域的温度而产生相应的结构变化，有利于提高显示面板的产品良率。
附图说明
下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。
图1为本申请实施例提供的显示面板的俯视示意图；
图2为图1沿A-A的一种剖视结构示意图；
图3为图1沿A-A的另一种剖视结构示意图；
图4为图1沿A-A的又一种剖视结构示意图；
图5为图1沿B-B的一种剖视结构示意图；
图6为本申请实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图；
图7为本申请实施例提供的一种阵列基板的剖视结构示意图；
图8为本申请实施例提供的另一种阵列基板的剖视结构示意图；
图9为本申请实施例提供的又一种阵列基板的剖视结构示意图；
图10为用于制备本申请实施例提供的显示面板的一种阵列基板的结构示意图；
图11为本申请实施例提供的一种临时基板的剖视结构示意图；
图12为本申请实施例提供的另一种临时基板的剖视结构示意图；
图13为本申请实施例提供的又一种临时基板的剖视结构示意图；
图14为用于制备本申请实施例提供的显示面板的一种临时基板的结构示意图；
图15为本申请实施例提供的一种阵列基板的剖视结构示意图；
图16为本申请实施例提供的显示装置的俯视结构示意图；
图17为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程图；
图18为本申请实施例提供的显示面板的制备方法中第一电极和第二电极对齐过程中的阵列基板和临时基板的结构示意图；
图19为本申请实施例提供的显示面板的制备方法中采用面光斑激光对阵列基板和临时基板进行照射的结构示意图；
图20为本申请实施例提供的显示面板的制备方法中，阵列基板和临时基板被面光斑激光照射后的结构示意图；
图21为本申请实施例提供的显示面板的制备方法中去除临时基板中的临时衬底后形成的显示面板的结构示意图。
在附图中，附图未必按照比例进行绘制。
附图标记说明：
100、显示面板；
110、阵列基板；111、衬底；112、第一电极
120、发光二极管；121、第二电极；122、本体部；
130、键合层；131、键合部；132、第一键合部；1321、第一金属间化合物部；133、第二键合部；1331、第二金属间化合物部；1332、第一子键合部；1333、第二子键合部；
200、第一金属部；300、第二金属部；
400、临时基板；410、临时衬底；
10、显示装置；
AA、显示区；AD、发光二极管设置区；AD1、第一区域；AD2、第二区域。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本申请造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了部分结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
此外，为了理解和易于描述，任意地示出图中所示的每个配置的尺寸和厚度，但是本申请构思不限于此。在图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板和区域等的厚度。在图中，为了更好理解和易于描述，放大了一些层和区域的厚度。
可以理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被描述为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在该另一元件上，或者还可以存在中间元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，在整个说明书中，词语“在”目标元件“上”表示定位在目标元件上方或下方，并且不必须表示基于重力方向定位“在上侧处”。
此外，除非明确地作出相反描述，否则词语“包括”将被理解为隐含包括所陈述的元件，但是不排除任何其它元件。
显示面板在制备的过程中，通常先将多个发光二极管，如Micro LED(即，尺寸为微米级别的发光二极管)先在临时基板上形成后，再通过巨量转移工艺将多个发光二极管从临时基板上转移到显示面板的阵列基板上。在其他实施方式中，可以通过巨量转移工艺将Micro LED从形成发光二极管的外延膜层的外延基板上转移到显示面板的阵列基板上。在对发光二极管进行巨量转移的过程中，通常采用面光斑激光照射，使发光二极管与阵列基板的第一电极之间的膜层形成键合层，以实现阵列基板与发光二极管的电连接。在进行巨量转移的过程中，面光斑激光在阵列基板和临时基板上的照射区域呈面状分布，并可以根据需要设置面光斑激光的照射区域的具体形状。如此，面光斑激光可以同时照射至少沿两个相交的方向排布的多个发光二极管。
然而，相关技术中，激光照射区域的温度会上升，由于面光斑激光照射区域的靠近边缘的散热速率较快，面光斑激光照射区域的靠近中心区域的温度会高于靠近边缘区域的温度。如此，在键合的过程中，若采用温度较高的面光斑激光，则靠近面光斑激光照射区域的边缘区域的键合温度合适，但是靠近面光斑激光的中心区域的键合温度偏高，增大了熔化后的键合层的流动性，以造成Micro LED短路的风险，另外，过高的键合温度还可能造成阵列基板损伤；而若采用温度较低的面光斑激光，则靠近面光斑激光照射区域的中心区域的键合温度合适，但是靠近面光斑激光照射区域的边缘区域的键合温度偏低，易造成对应的区域的Micro LED和阵列基板键合不良的问题。如此，不论采用何种温度的面光斑激光，由于面光斑激光照射区域存在温度不均匀的问题，均易造成Micro LED巨量转移工艺良率偏低的后果。
有鉴于此，本申请提供一种显示面板和使用显示面板的显示装置，以提高显示面板的成品率。
如图1至图4所示，根据本申请实施例提供的显示面板100具有显示区AA，显示区AA包括发光二极管设置区AD，发光二极管设置区AD包括第一区域AD1和第二区域AD2，第二区域AD2环绕第一区域AD1至少部分设置。显示面板100包括阵列基板110、多个发光二极管120以及键合层130。阵列基板110包括第一电极112，多个发光二极管120设于阵列基板110一侧。键合层130设置于第一电极112和发光二极管120之间，键合层130包括多个分立的键合部131，发光二极管120通过键合部131与第一电极112电连接，多个键合部131包括第一键合部132和第二键合部133，第一键合部132位于第一区域AD1，且包括第一金属间化合物部1321，第二键合部133位于第二区域AD2，且包括层叠设置的第一金属部200和第二金属间化合物部1331，第一金属间化合物部1321包括第一金属元素和第二金属元素，第一金属部200包括第一金属元素，第二金属间化合物部1331包括第二金属元素，第二金属元素形成的金属单质或者合金的熔点低于第一金属元素形成的金属单质或者合金的熔点。
显示面板100包括显示区AA，显示区AA可以实现显示面板100的显示功能。可选地，显示面板100可以仅仅包括显示区AA，或者，显示面板100还可以包括非显示区。显示区AA包括发光二极管设置区AD，则发光二极管设置区AD可以用于设置发光二极管120，发光二极管120可以是Micro LED，Micro LED指的是尺寸为微米级别的发光二极管。
发光二极管设置区AD包括第一区域AD1和第二区域AD2，第二区域AD2环绕第一区域AD1至少部分设置，则可选地，第二区域AD2可以环绕第一区域AD1一周设置，或者，第二区域AD2围设与第一区域AD1的周侧的一部分。
第一区域AD1可以呈圆形、矩形或者其它形状，对应地，第二区域AD2可以呈圆环形、方环形等。
阵列基板110可以包括像素驱动电路，像素驱动电路的第一电极112可以通过键合层130与发光二极管120电连接，以驱动发光二极管120正常发光。
发光二极管120可以包括本体部122和第二电极121，以发光二极管120为MicroLED为例，Micro LED分为正装结构，垂直结构和倒装结构。具体的，正装结构和倒装结构的Micro LED的正负电极均位于本体部122的同一侧，故正装结构和倒装结构的Micro LED均具有两个第二电极121，且两个第二电极121对应连接于阵列基板110的两个第一电极112。垂直结构的Micro LED的正负电极分设于本体部122的两侧，故垂直结构的Micro LED仅有一个第二电极121位于朝向阵列基板110的一侧，即垂直结构的Micro LED仅具有一个第二电极121连接于阵列基板110的第一电极112。可选的，发光二极管120的本体部122可以包括层叠设置的N型半导体层、量子阱层和P型半导体层。以GaN基的发光二极管为例，发光二极管120的本体部122可以包括N型GaN层、有源层、P型GaN层，还可以包括蓝宝石衬底，第二电极121包括P电极和N电极。
图2以倒装结构的发光二极管120作为示例，该种类型的发光二极管120可以包括两个第二电极121，其中一个第二电极121为正电极，另一个第二电极为负电极，两个第二电极121均设置于主体部122朝向阵列基板110的一侧，并分别与阵列基板110的两个第一电极112通过键合部131电连接，以实现阵列基板110向发光二极管120输入电压，并驱动对应的发光二极管120发光。
需要说明的是，在附图中，若无特别说明，采用相同图案填充的结构可以表示相同的结构。
发光二极管120可以包括分别发三种不同颜色光的发光二极管，示例性地，发光二极管120包括分别发红光、蓝光以及绿光的发光二极管。可选地，可以设置一张临时基板400上的发光二极管120的发光颜色相同，如此，在进行巨量转移的过程中，一次巨量转移仅转移发同种颜色的一种发光二极管120，并进行至少三次巨量转移后完成所有的发光二极管120的转移。或者，也可以设置一张临时基板400包括两种或者三种不同发光颜色的发光二极管120，如此，一次巨量转移过程可以转移两种或者三种不同发光颜色的发光二极管120。具体可以根据实际需要进行选取，这里不做限制。
键合部131与发光二极管120电连接，第一电极112可以通过键合部131与发光二极管120的第二电极121电连接，键合部131与发光二极管120的第二电极121接触并电连接，以实现发光二极管120与阵列基板110的第一电极112电连接。可选地，第二电极121的材料可以包括锡或者金等。
键合层130包括多个分立的键合部131，则多个键合部131间隔设置。键合部131可以是在对发光二极管120进行巨量转移的过程中，发光二极管120与第一电极112之间的至少部分金属熔化后固化形成键合部131，通过键合部131实现发光二极管120和第一电极112的电连接。
可选地，第二金属元素可以包括一种或者多种金属元素，当第二金属元素仅包括一种金属元素的情况下，其形成的是金属单质，而在第二金属元素包括两种或者两种以上金属元素的情况下，其形成的是所有金属元素组成的合金。同理，第一金属元素可以包括一种多种金属元素，在第一金属元素仅包括一种金属元素的情况下，其形成的是金属单质，而在第一金属元素包括两种或者两种以上金属元素的情况下，其形成的是所有金属元素组成的合金。
由于第二金属元素形成的金属单质或者合金的熔点低于第一金属元素形成的金属单质或者合金的熔点，且第一键合部132包括第一金属间化合物部1321，第二键合部133包括第一金属部200和第二金属间化合物部1331，第一金属间化合物部1321包括第一金属元素和第二金属元素，而第一金属部200包括第一金属元素，第二金属间化合物部1331包括第二金属元素，如此，在采用面光斑激光照射对发光二极管120和阵列基板110的第一电极112进行键合之前，可以在发光二极管120和第一电极112之间层叠设置第一金属部200和第二金属部300，其中第一金属部200为第一金属元素形成金属单质或者合金，第二金属部300为第二金属元素形成的金属单质或者合金，如此，第二金属部300的熔点低于第一金属部200的熔点。
具体地，可以选用相互配合的如图7至图10所示的阵列基板110和如图11至图14所示的临时基板400进行巨量转移，在将临时基板400上的发光二极管120转移到阵列基板110之前，可以在阵列基板110上设置第一金属部200和第二金属部300，或者，在临时基板400上设置第一金属部200和第二金属部300，或者，在阵列基板110上设置第一金属部200和第二金属部300中的一者，在临时基板400上设置第一金属部200和第二金属部300中的另一者，当然，还可以在阵列基板110和临时基板400上均设置有第一金属部200和第二金属部300。
如此，在采用面光斑激光照射对发光二极管120和第一电极112进行键合的过程中，面光斑激光的中心区域与显示面板100的第一区域AD1对应，面光斑激光的边缘区域与显示面板100的第二区域AD2对应，由于面光斑激光的边缘区域的温度低于中心区域的温度，则可以通过合理设置面光斑激光的能量以及第一金属部200和第二金属部300的熔点，以使第一区域AD1的第一金属部200和第二金属部300全部熔化，并在固化后形成第一金属间化合物部1321，进而形成第一键合部132；而使第二区域AD2仅第二金属部300熔化，而第一金属部200没有熔化，如此，在键合完成后，第二区域AD2的第一电极112与发光二极管120之间的第一金属部200保留，而第二金属部300熔化，且在第二金属部300熔化的过程中，第一金属部200虽然没有熔化，但是第一金属部200中的第一金属元素会融入到熔化后的第二金属部300中去，并与熔化后的第二金属部300一起形成第二金属间化合物部1331，第二金属间化合物部1331与第一金属部200一起形成第二键合部133。示例性地，通过合理设置面光斑激光的能量，可以使第一区域AD1在激光照射下的温度高于第一金属部200的熔点，并高于第二金属部300的熔点，而第二区域AD2在激光照射下的温度高于第二金属部300的熔点，但小于第一金属部200的熔点。
第二键合部133包括层叠设置的第一金属部200和第二金属间化合物部1331，则可选地，如图2所示，可以在第二金属间化合物部1331靠近第一电极112的一侧设置第一金属部200，或者，如图3所示，在第二金属间化合物部1331靠近发光二极管120的一侧设置第一金属部200，或者，如图4所示，在第二金属间化合物部1331靠近第一电极112的一侧以及靠近发光二极管120的一侧均设置有第一金属部200，可以根据实际需要进行选取。
因此，在采用面光斑激光键合之前，如图7至图9、图11至图13所示，可以设置第一金属部200和第二金属部300中的一者形成于第一电极112朝向发光二极管120的一侧，另一者形成于发光二极管120朝向第一电极112的一侧，如图8、图9和图12和图13所示。或者，如图7所示，设置第一金属部200和第二金属部300层叠设置于第一电极112，且第一金属部200位于第一电极112和第二金属部300之间，即熔点较低的第二金属部300朝向发光二极管120设置。或者，如图11所示，可以设置第一金属部200和第二金属部300层叠设置于发光二极管120，且第一金属部200位于发光二极管120和第二金属部300之间，即熔点较低的第二金属部300朝向发光二极管120设置。当然，也可以在发光二极管120和第一电极112上均设置有第一金属部200和第二金属部300，且第二金属部300相邻设置。具体可以根据实际需要进行选取，这里不做限制。
需要说明的是，在阵列基板110上既设置有第一金属部200又设置有第二金属部300的情况下，背离衬底111的最外侧总是设置为第二金属部300，以在受到面激光的照射的情况下，最外侧的第二金属部300总是能够熔化，并在固化后与发光二极管120电连接。同理，在临时基板400上既设置有第一金属部200又设置有第二金属部300的情况下，背离临时衬底410的最外侧总是设置为熔点较低的第二金属部300，以在受到面激光的照射的情况下，最外侧的第二金属部300总是能够熔化，并在光固化后与第一电极112电连接。
需要说明的是，第一金属部200和第二金属部300不同的设置方式，在显示面板100的巨量工艺完成后，对应不同的结构，示例性地，为了形成如图2所示的显示面板100，可以采用如图7所示的阵列基板110和如图14所示的临时基板400配合进行巨量转移，或者采用如图8所示的阵列基板110和如图13所示的临时基板400配合进行巨量转移；为了形成如图3所示的显示面板100，可以采用9所示的阵列基板110和如图11所示的临时基板400配合进行巨量转移，或者，采用图9所示的阵列基板110和如图12所示的临时基板400配合进行巨量转移；而为了形成如图4所示的显示面板100，可以采用如图7所示的阵列基板110和如图11所示的临时基板400配合进行巨量转移。
可以理解的是，根据键合工艺中，面光斑激光的具体的温度以及键合环境的不同，第一金属部200发生熔化的区域和第一金属部200没有发生熔化的区域具有明显的分界线，但是该分界线的位置并不是固定的，因此，巨量转移后制备形成的显示面板100的第一区域AD1和第二区域AD2虽然有明确的分界线，但是第一区域AD1和第二区域AD2的交界线并不是固定不变的。
可以理解的是，根据面光斑激光照射区域的大小不同，一个第一区域AD1内可以有一个发光二极管120，或者，第一区域AD1内具有多个发光二极管120。同理，一个第二区域AD2内可以有一个发光二极管120，或者，一个第二区域AD2内具有多个发光二极管120。
可选地，一个显示面板100可以具有第一区域AD1和一个第二区域AD2，或者，一个显示面板100具有多个第一区域AD1和多个第二区域AD2，相邻两个第一区域AD1可以共用至少部分第二区域AD2。示例性地，多个第一区域AD1和多个第二区域AD2间隔设置，且不同第一区域AD1占用的面积相当。
本申请实施例提供的显示面板100，通过设置第一键合部132位于第一区域AD1，第二键合部133位于第二区域AD2，且第一键合部132包括第一金属间化合物部1321，第二键合部133包括第一金属部200和第二金属间化合物部1331，第一金属间化合物部1321包括第一金属元素，第二金属间化合物部1331包括第二金属元素，并设置第二金属元素形成的金属单质或者合金的熔点低于第一金属元素形成的金属单质或者合金的熔点。在采用面光斑激光对发光二极管120和第一电极112键合之前，可以在第一电极112和发光二极管120之间层叠设置第一金属部200和第二金属部300，其中第一金属部200为由第一金属元素形成的金属单质或者合金，第二金属部300为由第二金属元素形成的金属单质或者合金，在面光斑激光对第一金属部200和第二金属部300照射的过程中，可以选取面光斑激光的合理的温度，以使其中心区域与第一区域AD1对应设置，边缘区域与第二区域AD2对应设置，第一区域AD1的第一金属部200和第二金属部300的全部熔化，第二区域AD2的第二金属部300熔化，而第一金属部200不熔化，如此，降低了第一区域AD1因温度过高使得熔化的第一键合部132具有较高的流动性而造成发光二极管120短路的风险以及降低因温度过高而损坏阵列基板110的风险，还可以降低第二区域AD2因温度过低而造成发光二极管120与第一电极112键合不良的问题，有利于提高显示面板100的产品良率。
如图2所示，在一些实施例中，第一金属间化合物部1321的厚度为e1，第二金属间化合物部1331和第一金属部200的厚度之和为e2，e1≥e2。
可以理解的是，在采用面光斑激光对第一金属部200和第二金属部300照射之前和之后，第一金属部200、第二金属部300、第一电极112和第二电极121的物质会有转移，但是不会有损失。
在第二电极121的材料为熔点较高的金属情况下，第一区域AD1的第一金属部200和第二金属部300完全熔化，而第二电极121中的金属元素会有一部分融入到第一金属间化合物部1321中去，第二区域AD2的第二金属部300完全熔化，第一金属部200的部分元素以及第二电极121中的金属元素会有一部分融入到第二金属间化合物部1331中去，而由于第一区域AD1的温度较第二区域AD2的温度高，因此，融入到第一金属间化合物部1321中的金属元素多于融入到第二金属间化合物部1331中的金属元素，因此，键合后形成的第一键合部132的厚度大于第二键合部133的厚度，即如图2所示，第一金属间化合物部1321的厚度为e1大于第二金属间化合物部1331和第一金属部200的厚度之和为e2。
在第二电极121的材料的熔点较低的情况下，第一区域AD1的第二电极121完全熔化，第二区域AD2的第二电极121也熔化，形成的第一键合部132的厚度等于第二键合部133的厚度，对应的，第一金属间化合物部1321的厚度为e1等于第二金属间化合物部1331和第一金属部200的厚度之和e2。
因此，设置e1≥e2，便于形成第一键合部132和第二键合部133，以提高发光二极管120与第一电极112电连接的可靠性。
在一些实施例中，发光二极管120包括第二电极121，第二电极121通过键合层130与第一电极112电连接。第二电极121的材料包括金，第一金属间化合物部1321和第二金属间化合物部1331还包括金元素，第一金属间化合物部1321的金元素的质量含量高于第二金属间化合物部1331的金元素的质量含量。
在对第一电极112和第二电极121进行键合的过程中，金不会熔化，但是会融入到熔化后的第一金属部200和第二金属部300中去，因此，键合后形成的第一金属间化合物部1321和第二金属间化合物部1331中均含有金元素，然而由于在键合的过程中，第一区域AD1的温度高于第二区域AD2的温度，因此，融入到第一金属间化合物部1321中的金元素的质量高于融入到第二金属间化合物部1331中的金元素的质量，因而，第一金属间化合物部1321中的金元素的质量含量高于第二金属间化合物部1331中的金元素的质量含量。
设置第二电极121的材料包括金，金具有较高的熔点，在键合的过程中，有利于保持第二电极121以及发光二极管120的结构的稳定性，在键合完成后，有利于提高第二电极121与第一电极112电连接的可靠性。
如图1和图5所示，在一些实施例中，第二区域AD2设有多个第二键合部133，第二键合部133包括第一键合子部1332和第二键合子部1333，第二键合子部1333位于第一键合子部1332背离第一区域AD1的一侧，第二键合子部1333的第二金属间化合物部1331的金元素的质量含量低于第一键合子部1332的第二金属间化合物部1331的金元素的质量含量。
在一些实施例中，第二区域AD2设有多个第二键合部133，沿背离第一区域AD1的方向，第二键合部133的第二金属间化合物部1331的金元素的质量含量具有下降的趋势。
可以理解的是，第二区域AD2距离第一区域AD1越远的部位，其在键合的过程中的温度越低，第二金属部300完全熔化后融入到其中的金元素的质量也越低，因此，沿背离第一区域AD1的方向，第二键合部133的第二金属间化合物部1331的金元素的质量含量具有下降的趋势。
因此，设置沿背离第一区域AD1的方向，第二键合部133的第二金属间化合物部1331的金元素的质量含量具有下降的趋势，则第二键合部133在键合的过程中，第二区域AD2的第二金属部300完全熔化，并与第一电极112或者第二电极121具有较好的结合效果，第一区域AD1的第二金属部300也完全熔化，并与第一电极112或者第二电极121具有较好的结合效果，有利于提高第一电极112和第二电极121电连接的可靠性。
在一些实施例中，第二金属间化合物部1331的第一金属元素的质量含量低于第一金属间化合物部1321的第一金属元素的质量含量。
在键合的过程中，在第一区域AD1和第二区域AD2均被面光斑激光充分照射的情况下，第一区域AD1的第一金属部200和第二金属部300完全熔化后再固化后形成第一金属间化合物部1321，第二区域AD2的第二金属部300完全熔化，而第一金属部200没有熔化，但是第一金属部200中的第一金属元素会有部分融入到熔化后的第二金属部300中去，并固化形成第二金属间化合物部1331。由于第二区域AD2距离第一区域AD1越远的区域，在键合的过程中的温度越低，因此，融入到熔化后的第二金属部300中的第一金属元素的质量也越低，即，沿背离第一区域AD1的方向，第二键合部133的第二金属间化合物部1331的第一金属元素的质量含量具有下降的趋势。
如此设置，在对第一电极112和发光二极管120进行键合的过程中，有利于第二区域AD2的第二金属部300充分熔化，而第一区域AD1的第一金属部200和第二金属部300充分熔化，便于形成稳定的第二金属间化合物部1331和第一金属间化合物部1321，有利于进一步提高第一电极112和发光二极管120电连接的可靠性。
如图2所示，在一些实施例中，第二金属间化合物部1331的厚度小于第一金属部200的厚度。
第二金属间化合物部1331的厚度与键合前第二金属部300的厚度相当，具体地，键合过程中可能有部分材料融入到第二金属间化合物部1331中去，因此，第二金属间化合物部1331的厚度稍大于键合前的第二金属部300的厚度，第二金属间化合物部1331的厚度小于第一金属部200的厚度，则键合前的第二金属部300的厚度小于第一金属部200的厚度，由于第二金属部300的熔点低于第一金属部200的熔点，则如此设置，有利于降低第一区域AD1熔化后的第一金属部200和第二金属部300的流动性，有利于降低熔化后的第一金属部200和第二金属部300电连接同一发光二极管120的两个第二电极121而造成发光二极管120短路的风险。
在一些实施例中，第一金属元素形成的金属单质或者合金的熔点为T1，第二金属元素形成的金属单质或者合金的熔点为T2，50℃≤T1-T2≤100℃。
可选地，T1-T2可以为50℃、55℃、60℃、65℃、70℃、75℃、80℃、85℃、90℃、95℃或者100℃等。
第一金属元素形成的金属单质或者合金即为第一金属部200，第二金属元素形成的金属单质或者合金即为第二金属部300。
发明人经过系统的分析和长期的实践发现，设置50℃≤T1-T2≤100℃，在采用面光斑激光对阵列基板110和临时基板400进行激光照射的过程中，便于设置面光斑激光具有合适的温度，以降低面光斑激光因温度过高而导致发光二极管120短路，或者因温度过低而导致键合连接不良的风险。
在一些实施例中，第一金属元素包括锡元素，第二金属元素包括铟元素。
如此，在键合前，第一电极112与发光二极管120之间的第一金属部200为锡，第二金属部300为铟。锡的熔点为232℃左右，而铟的熔点为157℃左右，二者的熔点均较低，并具有合适的差值，可以更方便地选取合适且较低的面光斑激光的温度，以降低键合过程中激光对发光二极管120的其它结构的损坏，且锡或者铟熔化后形成第一键合部132和第二键合部133具有良好的导电性能，有利于保证第一电极112和发光二极管120电连接的可靠性。
在一些实施例中，第二金属元素包括锡元素和铋元素，第一金属元素包括锡元素和锌元素。
如此，在键合之前，第一金属部200为锡铋合金，第二金属元素为锡锌合金。通过合理控制第一金属部200中锡和铋的例，第二金属部300中的锡和锌的比例，可以实现第一金属部200和第二金属部300均具有较低的熔点，且二者的熔点差值在合适的范围内，如此，便于设置合适的面光斑激光的温度。
如图1和图2所示，在一些实施例中，第一金属部200设于第二金属间化合物部1331靠近第一电极112的一侧。
如此一来，在键合之前，第一金属部200可以通过沉积、刻蚀等工艺形成于第一电极112，第二金属部300可以形成于第一金属部200背向第一电极112的一侧，或者，第二金属部300通过沉积、刻蚀等工艺形成于发光二极管120的第二电极121等，在键合完成后，在第二区域AD2形成的第二金属间化合物部1331位于第一金属部200远离第一电极112的一侧。
因此，如此设置，在键合之间，可以将第一金属部200形成于第一电极112，第二金属部300形成于第第一金属部200背向第一金属部200的一侧，或者，将第一金属部200形成于第一电极112，第二金属部300形成于发光二极管120的第二电极121，便于根据需要合理设置第一金属部200和第二金属部300的工艺和结构形式。
如图1和图3所示，在一些实施例中，第一金属部200设于第二金属间化合物部1331远离第一电极112的一侧。
如此一来，在键合之间，第一金属部200可以通过沉积、刻蚀等工艺形成于发光二极管120，如发光二极管120的第二电极121，而第二金属部300可以形成于第一金属部200朝向第一电极112的一侧，或者，第二金属部300形成于第一电极112。在键合完成后，第二区域AD2形成的第二金属间化合物部1331位于第一金属部200靠近第一电极112的一侧。
如此设置，也便于根据需要灵活设置第一金属部200和第二金属部300的工艺和形式。
如图1和图4所示，在一些实施例中，第一金属部200设于第二金属间化合物部1331靠近第一电极112的一侧，且第一金属部200设于第二金属间化合物部1331远离第一电极112的一侧。
如此一来，在第一电极112和发光二极管120的第二电极121上均形成有第一金属部200和第二金属部300，第一电极112上的第一金属部200位于第一电极112上的第二金属部300和第一电极112之间，第二电极121上的第一金属部200位于第二电极121和第二电极121上的第二金属部300之间，如此，在键合完成后，在第二区域AD2的第二金属间化合物部1331朝向第一电极112的一侧和朝向第二电极121的一侧均保留有第一金属部200。
如此设置，有利于进一步提高发光二极管120与阵列基板110的第一电极112的键合连接的可靠性。
如图3所示，在一些实施例中，第一金属部200的厚度h1满足：0.7μm≤h1≤1.4μm。
可选地，第一金属部200的厚度h1可以为0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm、1.1μm、1.2μm、1.3μm或者1.4μm等。
发明人经过系统的分析和长期的实践发现，设置第一金属部200的厚度h1满足：0.7μm≤h1≤1.4μm，可以在保证第一电极112和发光二极管120的键合连接的可靠性的前提下，使得键合层130具有较低的厚度，如此，有利于降低显示面板100的厚度。
如图3所示，在一些实施例中，第二金属间化合物部1331的厚度h2满足0.7μm≤h2≤1.4μm。
可选地，第二金属间化合物部1331的厚度h2可以为0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm、1.1μm、1.2μm、1.3μm或者1.4μm等。
发明人经过系统的分析和长期的实践发现，设置第二金属间化合物部1331的厚度h2满足：0.7μm≤h2≤1.4μm，可以在保证第一电极112和发光二极管120的键合连接的可靠性的前提下，使得键合层130具有较低的厚度，如此，有利于降低显示面板100的厚度。
如图1所示，在一些实施例中，第二区域AD2环绕所述第一区域AD1的一周设置。
对于面光斑激光，其边缘区域环绕中心区域一周设置，显示面板100对应的区域被一个光斑照射的情况下，其形成的第二区域AD2环绕第一区域AD1的一周设置，只有在显示面板100的同一个区域依次被两个面光斑激光的中心区域和边缘区域照射的情况下，才会出现第一区域AD1周侧的第二区域AD2被打断的现象。因此，设置第二区域AD2环绕第一区域AD1一周设置，即设置显示面板100的发光二极管设置区AD不会被两次面光斑激光的中心区域和边缘区域依次照射，或者不会被两次面光斑激光的中心区域依次照射，如此，有利于降低显示面板100的发光二极管设置区AD因别过多的激光照射而造成发光二极管120与第一电极112键合连接失效，或者造成显示面板100的相关结构损坏的风险。
如图6所示，在一些实施例中，显示面板100包括多个发光二极管设置区AD，发光二极管设置区AD呈矩形，第二区域AD2环绕第一区域AD1一周设置。
如此，第一区域AD1可以呈矩形，发光二极管设置区AD呈矩形，则第二区域AD2环绕第一区域AD1一周设置，则第二区域AD2呈方环形。如此，对应的面光斑激光也呈矩形。
可选地，第一区域AD1、发光二极管设置区AD以及面光斑激光可以呈长方形或者正方形，可以根据实际需要进行设置。
多个发光二极管设置区AD可以在显示区AA沿一个方向相邻设置，或者，多个发光二极管设置区AD在显示区AA沿两个相交的方向排布，且任一方向相邻的两个发光二极管设置区AD相互邻接。
如此，在对阵列基板110和临时基板400进行激光照射的过程中，一个面光斑激光可以照射一个发光二极管设置区AD，且面光斑激光依次对多个发光二极管设置区AD进行照射，直至照射完全部的发光区。
对于阵列基板110和临时基板400的尺寸较大的键合，考虑到面光斑激光的均匀性和光路系统等方面限制，面光斑激光的尺寸有其上限值，如目前常用的激光光斑尺寸大部分小于100mm*100mm。如此，对于尺寸较大的阵列基板110和临时基板40的键合，通常需要依次进行多次面光斑激光照射。以保证面光斑激光照射过程中，阵列基板110和临时基板400上被照射区域的面光斑激光分布的尽可能的均匀，以提高键合可靠性。
可选地，可以设置多个发光二极管设置区AD占用的面积相同，如此，可以使用相同大小的面光斑激光对不同的发光二极管设置区AD进行照射，而不必调整面光斑激光的大小。
可以理解的是，在相邻的两个发光二极管120进行照射的过程中，部分第二区域AD2可能会被面光斑激光照射两次，但是，由于两次照射都对应一个面光斑激光的边缘区域，所以，第二区域AD2的第一金属部200都没有熔化，且由于两次照射的温度不高，所以依然能够保持被重复照射的第二区域AD2的可靠性。
图15为本申请实施例提供的一种阵列基板的剖面示意图。如图15所示，阵列基板110包括衬底111、位于衬底111上的薄膜晶体管TFT和第一电极112，薄膜晶体管TFT包括有源层a、栅极g、源极s和漏极d，第一金属部200和第二金属部300可以设置于第一电极112上。阵列基板110中的像素驱动电路可以包括薄膜晶体管TFT和电容等结构。
如图16所示，根据本申请实施例提供的显示装置10包括上述任一实施例提供的显示面板100。
本申请实施例中的显示装置10包括但不限于手机、个人数字助理(PersonalDigital Assistant，简称：PDA)、平板电脑、电子书、电视机、门禁、智能固定电话、控制台等具有显示功能的设备。
由于本申请实施例提供的显示装置10包括上述任一实施例的显示面板100，因此本申请实施例提供的显示装置10具有相同的有益效果，在此不再赘述。
如图8和图9所示，本申请实施例还提供一种阵列基板110，阵列基板110包括衬底111和第一电极112，第一电极112设于阵列基板110的一侧。阵列基板110还包括第一金属部200和第二金属部300中的一者，第一金属部200或者第二金属部300设置于第一电极112背离衬底111的一侧，第二金属部300的熔点第一金属部200的熔点。
如图12和图13所示，本申请实施例还提供一种临时基板400，临时基板400包括临时衬底410和发光二极管120，发光二极管120设于临时衬底410的一侧，发光二极管120具有第二电极121。临时基板400还包括第一金属部200和第二金属部300中的一者，第一金属部200或者第二金属部300设置于第二电极121背离临时衬底410的一侧，第二金属部300的熔点低于第一金属部200的熔点。
可以理解的是，本申请提供的阵列基板110和临时基板400在巨量转移的过程中，发光二极管120的第二电极121和阵列基板110的第一电极112相互对齐，且阵列基板110和临时基板400是配套使用的，阵列基板110的第一电极112背离衬底111的一侧设有第一金属部200和第二金属部300中的一者，而发光二极管120的第二电极121背离临时基板400的一侧设有第二金属部300和第一金属部200中的另一者。如此，在对相互配套的临时基板400和阵列基板110进行巨量转移后，会形成本申请实施例提供的显示面板100。
本申请实施例提供的阵列基板110和临时基板400，在对相互配套的临时基板400和阵列基板110进行巨量转移后，可以制备形成本申请实施例提供的显示面板100，因此，在采用面光斑激光对相互配套的临时基板400和阵列基板110进行巨量转移的过程中，通过选取面光斑激光的合理的温度，使得面光斑激光的中心区域对应的第一金属部200和第二金属部300完全熔化形成第一金属间化合物部1321，而面光斑边缘区域对应的第一金属部200和第二金属部300中仅熔点较低的第二金属部300熔化，形成第二金属间化合物部1331。如此，有利于降低面光斑激光中心区域因温度过高使得熔化的第一键合部132具有较高的流动性而造成发光二极管120短路的风险，并降低阵列基板110因温度过高而损坏的风险，还可以降低面光斑激光的边缘区域因温度过低而造成发光二极管120与第一电极112键合不良的问题，有利于提高显示面板100的生产良率。
如图7所示，根据本申请另一种实施例提供的阵列基板110包括衬底111、第一电极112、第一金属部200和第二金属部300。第一电极112设置于衬底111的一侧，第一金属部200设于第一电极112背离衬底111的一侧，第二金属部300设于第一金属部200背离第一电极112的一侧，第二金属部300的熔点低于第一金属部200的熔点。
本实施例中提供的阵列基板110包括第一金属部200和第二金属部300，则其可以与任意具有发光二极管120的临时基板400配套使用，并进行巨量转移，即与该阵列基板110配合进行巨量转移的临时基板400的发光二极管120上可以沉积有第一金属部200和第二金属部300中的至少一者，或者，没有沉积任何额外的膜层。
本申请另一实施例提供的阵列基板110，由于包括第一金属部200和第二金属部300，第一金属部200设于第一电极112和第二金属部300之间，且第二金属部300的熔点低于第一金属部200的熔点。则在阵列基板110与临时基板400进行巨量转移后，能够形成本申请实施例提供的显示面板100，因此，本申请实施例提供阵列基板110，在进行巨量转移的过程中，有利于降低面光斑激光中心区域因温度过高使得熔化的第一键合部132具有较高的流动性而造成发光二极管120短路的风险，还可以降低面光斑激光的边缘区域因温度过低而造成发光二极管120与第一电极112键合不良的问题，有利于提高显示面板100的生产良率。
如图11所示，根据本申请实施例提供的另一种临时基板400包括临时衬底410、发光二极管120、第一金属部200和第二金属部300。发光二极管120设于临时衬底410的一侧，发光二极管120具有第二电极121，第一金属部200设于第二电极121背离临时衬底410的一侧，第二金属部300设于第一金属部200背离第二电极121的一侧，第二金属部300的熔点低于第一金属部200的熔点。
本申请实施例提供的另一种临时基板400，由于包括第一金属部200和第二金属部300，第一金属部200位于第二金属部300和第二电极121之间，且第二金属部300的熔点低于第一金属部200的熔点。如此，该实施例提供的临时基板400可以与本申请实施例提供的任意阵列基板110配合进行巨量转移，均能形成本申请实施例提供的显示面板100，因此，本申请实施例提供的临时基板400，在进行巨量转移的过程中，有利于降低面光斑激光中心区域因温度过高使得熔化的第一键合部132具有较高的流动性而造成发光二极管120短路的风险，并降低因温度过高使得发光二极管120损坏的风险，还可以降低面光斑激光的边缘区域因温度过低而造成发光二极管120与第一电极112键合不良的问题，有利于提高显示面板100的生产良率。
如图17所示，根据本申请实施例提供的显示面板的制备方法包括：
提供阵列基板和临时基板，阵列基板包括衬底和第一电极，第一电极设于衬底的一侧；临时基板包括临时衬底和发光二极管，发光二极管设于临时衬底的一侧，发光二极管具有第二电极，第二电极背离临时衬底设置；
阵列基板还包括第一金属部和第二金属部的一者，设于第一电极背离衬底的一侧，第二金属部的熔点低于第一金属部的熔点；临时基板还包括第一金属部和第二金属部中的另一者，设于第二电极背离临时衬底的一侧；
或者，阵列基板还包括第一金属部和第二金属部，第一金属部设于第一电极背离衬底的一侧，第二金属部设于第一金属部背离第一电极的一侧，第二金属部的熔点低于第一金属部的熔点；和/或，临时基板还包括第一金属部和和第二金属部，第一金属部设于第二电极背离临时衬底的一侧，第二金属部设于第一金属部背离第二电极的一侧，第二金属部的熔点低于第一金属部的熔点；
将第一电极和第二电极对齐，第一金属部和第二金属部位于第一电极和第二电极之间；
采用面光斑激光对阵列基板和临时基板进行照射，以使面光斑激光中心区域照射的第一金属部和第二金属部全部熔化，而面光斑激光边缘区域照射的第二金属部熔化而第一金属部不熔化。
如图18示出了第一电极112和第二电极121对齐过程中的阵列基板110和临时基板400的结构示意图。如图19示出了采用面光斑激光照射阵列基板110和临时基板400的结构示意图，其中临时基板410上方的阵列排布的箭头示意面光斑激光。如图20示出了采用面光斑激光对阵列基板110和临时基板400进行激光照射后生成第一金属间化合物部1321和第二金属间化合物部1331的结构示意图。如图21示出了将临时基板400的临时衬底410分离后形成的显示面板100的结构示意图。
在提供阵列基板110和临时基板400的步骤中，阵列基板110和临时基板400可以是上述实施例提供的阵列基板110或者临时基板400，或者，可以不是上述实施例提供的阵列基板110或者临时基板400，但是阵列基板110和临时基板400应至少一者是本申请上述实施例提供的阵列基板110或者临时基板400，并在相互配合进行巨量转移后，应能够形成本申请任一实施例提供的显示面板100。
可选地，阵列基板110的第一电极112上可以设有背离衬底111一侧的第一金属部200和第二金属部300中的一者，临时基板400的发光二极管120上可以具有背离临时基板400设置的第一金属部200和第二金属部300中的另一者，或者，临时基板400的发光二极管120可以同时具有第一金属部200和第二金属部300，且临时基板400和阵列基板110相互相对的表面是第一金属部200和第第二金属部300的相对的表面。
或者，在另一种可选的实施例中，阵列基板110包括第一金属部200和第二金属部300，且第一金属部200位于第二金属部300和第一电极112之间，此时，临时基板400可以是本申请实施例提供的任一种临时基板400，或者，临时基板400也可以不是本申请实施例提供的临时基板400，即临时基板400可以不具有第一金属部200或者第二金属部300。可以理解的是，临时基板400的发光二极管120的第二电极121的材料可以包括金。
又或者，在又一种可选的实施例中，临时基板400包括第一金属部200和第二金属部300，且第一金属部200位于第二金属部300和发光二极管120之间，此时，阵列基板110可以是本申请实施例提供的任一种阵列基板110，或者，阵列基板110也可以不是本申请实施例提供的阵列基板110，即阵列基板110可以不具有第一金属部200和第二金属部300。
可选的，阵列基板110的第一电极112的材料可以包括金。可选的，阵列基板的110的第一电极112可以包括钛/铝/钛叠层金属层。可选的，阵列基板110的第一电极112可以包括氧化铟锡(ITO)。
将第一电极112和第二电极121对齐的步骤中，第一电极112和第二电极121一一对应，且第一电极112和第二电极121之间至少一层第一金属部200和至少一层第二金属部300，且阵列基板110和临时基板400中至少一者的第二金属部300朝向另一者设置，如此，在后续的第二金属部300熔化后，才能与另一者结合。
而在采用面光斑激光对阵列基板110和临时基板400进行照射的步骤中，面光斑激光的中心区域照射的第一电极112和第二电极121之间的第一金属部200和第二金属部300完全熔化，并在固化后形成第一金属间化合物部1321，而面光斑激光的边缘区域照射的第一电极112和第二电极121之间仅第二金属部300熔化，并在固化后形成第二金属间化合物部1331。如此，可实现第一电极112和第二电极121的电连接，即完成发光二极管120的巨量转移。
也就是说，在采用面光斑激光对阵列基板110和临时基板400进行照射后，面光斑激光的中心区域对应的第一电极112和第二电极121之间形成第一键合部132，而面光斑激光的边缘区域对应的第一电极112和第二电极121之间形成第二键合部133。如此，面光斑激光的中心区域与本申请实施例提供的显示面板100的显示区AA的第一区域AD1对应，面光斑激光的边缘区域与本申请实施例提供的显示面板100的第二区域AD2对应，采用本申请实施例提供的显示面板100的制备方法能够制备形成本申请实施例提供的显示面板100。
本申请实施例提供的显示面板的制备方法，在对发光二极管120进行巨量转移的过程中，通过设置面光斑激光的合适温度，使得面光斑激光的中心区域对应的第一电极112和第二电极121之间的第一金属部200和第二金属部300全部熔化后，固化形成第一金属间化合物部1321，而面光斑激光的边缘区域对应的第一电极112和第二电极121之间的第一金属部200不融化，第二金属部300熔化，并固化形成第二金属间化合物部1331，如此，在对发光二极管120进行巨量转移的过程中，可以降低面光斑激光的中心区域因温度过高使得熔化后的第一键合部132具有较高的流动性而造成发光二极管120短路的风险，还可以降低面光斑激光的边缘区域因温度过低而造成第二电极121和第一电极112键合不良的问题，有利于提高显示面板100的生产良率。
已经参考优选实施例对本申请进行了描述，但在不脱离本申请的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本申请并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (17)

1.一种显示面板，其特征在于，具有显示区，所述显示区包括发光二极管设置区，所述发光二极管设置区包括第一区域和第二区域，所述第二区域环绕所述第一区域至少部分设置，所述显示面板包括：
阵列基板，包括第一电极；
多个发光二极管，设于所述阵列基板一侧；
键合层，设置于所述第一电极和所述发光二极管之间，所述键合层包括多个分立的键合部，所述发光二极管通过所述键合部与所述第一电极电连接，所述多个键合部包括第一键合部和第二键合部，所述第一键合部位于所述第一区域，且包括第一金属间化合物部，所述第二键合部位于所述第二区域，且包括层叠设置的第一金属部和第二金属间化合物部，所述第一金属间化合物部包括第一金属元素和第二金属元素，所述第一金属部包括所述第一金属元素，所述第二金属间化合物部包括所述第二金属元素，所述第二金属元素形成的金属单质或者合金的熔点低于所述第一金属元素形成的金属单质或者合金的熔点。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属间化合物部的厚度为e1，所述第二金属间化合物部和所述第一金属部的厚度之和为e2，e1≥e2。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光二极管包括第二电极，所述第二电极通过所述键合层与所述第一电极电连接；
所述第二电极的材料包括金，所述第一金属间化合物部和所述第二金属间化合物部还包括金元素，所述第一金属间化合物部的金元素的质量含量高于所述第二金属间化合物部的金元素的质量含量。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二区域设有多个第二键合部，沿背离所述第一区域的方向，所述第二键合部的第二金属间化合物部的所述金元素的质量含量具有下降的趋势。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属间化合物部的所述第一金属元素的质量含量低于所述第一金属间化合物部的所述第一金属元素的质量含量。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二区域设有多个第二键合部，沿背离所述第一区域的方向，所述第二键合部的第二金属间化合物部的所述第一金属元素的质量含量具有下降的趋势。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属间化合物部的厚度小于所述第一金属部的厚度。
8.根据权利要求1至7任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属元素形成的金属单质或者合金的熔点为T1，所述第二金属元素形成的金属单质或者合金的熔点为T2，50℃≤T1-T2≤100℃。
9.根据权利要求1至7任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属元素包括锡元素，所述第二金属元素包括铟元素；或者，
所述第二金属元素包括锡元素和铋元素，所述第一金属元素包括锡元素和锌元素。
10.根据权利要求1至7任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属部设于所述第二金属间化合物部靠近所述第一电极的一侧；和/或，所述第一金属部设于所述第二金属间化合物部远离所述第一电极的一侧。
11.根据权利要求1至7任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属部的厚度h1满足：0.7μm≤h1≤1.4μm；和/或，所述第二金属间化合物部的厚度h2满足0.7μm≤h2≤1.4μm。
12.根据权利要求1至7任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第二区域环绕所述第一区域的一周设置。
13.根据权利要求1至7任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示区包括多个所述发光二极管设置区，所述发光二极管设置区呈矩形，所述第二区域环绕所述第一区域一周设置。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至13任一项所述的显示面板。
15.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
第一电极，设置于所述衬底的一侧；
所述阵列基板还包括第一金属部和第二金属部中的一者，所述第一金属部或者所述第二金属部设置于所述第一电极背离所述衬底的一侧，所述第二金属部的熔点低于所述第一金属部的熔点；或者，
所述阵列基板还包括第一金属部和第二金属部，所述第一金属部设于所述第一电极背离所述衬底的一侧，所述第二金属部设于所述第一金属部背离所述第一电极的一侧，所述第二金属部的熔点低于所述第一金属部的熔点。
16.一种临时基板，其特征在于，包括：
临时衬底；
发光二极管，设于所述临时衬底的一侧，所述发光二极管具有第二电极；
所述临时基板还包括第一金属部和第二金属部中的一者，设置于所述第二电极背离所述临时衬底的一侧，所述第二金属部的熔点低于所述第一金属部的熔点；或者，
所述临时基板还包括第一金属部和第二金属部，所述第一金属部设于所述第二电极背离所述临时衬底的一侧，所述第二金属部设于所述第一金属部背离所述第二电极的一侧，所述第二金属部的熔点低于所述第一金属部的熔点。
17.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供阵列基板和临时基板，所述阵列基板包括衬底和第一电极，所述第一电极设于所述衬底的一侧；所述临时基板包括临时衬底和发光二极管，所述发光二极管设于所述临时衬底的一侧，所述发光二极管具有第二电极，所述第二电极背离所述临时衬底设置；
所述阵列基板还包括第一金属部和第二金属部的一者，设于所述第一电极背离所述衬底的一侧，所述第二金属部的熔点低于所述第一金属部的熔点；所述临时基板还包括所述第一金属部和所述第二金属部中的另一者，设于所述第二电极背离所述临时衬底的一侧；
或者，所述阵列基板还包括第一金属部和第二金属部，所述第一金属部设于所述第一电极背离所述衬底的一侧，所述第二金属部设于所述第一金属部背离所述第一电极的一侧，所述第二金属部的熔点低于所述第一金属部的熔点；和/或，所述临时基板还包括第一金属部和和第二金属部，所述第一金属部设于所述第二电极背离所述临时衬底的一侧，所述第二金属部设于所述第一金属部背离所述第二电极的一侧，所述第二金属部的熔点低于所述第一金属部的熔点；
将所述第一电极和所述第二电极对齐，所述第一金属部和所述第二金属部位于所述第一电极和所述第二电极之间；
采用面光斑激光对所述阵列基板和所述临时基板进行照射，以使所述面光斑激光中心区域照射的所述第一金属部和所述第二金属部全部熔化，而所述面光斑激光边缘区域照射的所述第二金属部熔化而所述第一金属部不熔化。
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